像素結構、顯示面板、光電裝置及其修補方法

2023-07-01 04:39:06 3

專利名稱：像素結構、顯示面板、光電裝置及其修補方法
技術領域：
本發明是有關於一種顯示面板及其修補方法，且特別是有關於一種像素 結構及其修補方法。
背景技術：
過去陰極射線管(CathodeRay Tube， CRT)—直獨佔顯示器市場，然而因為 陰極射線管的體積龐大、且有輻射與消耗能源的議題，無法滿足消費者對於 輕、薄、短、小以及低消耗功率的需求。因此，具有高畫質、空間利用效率 佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的薄膜電晶體液晶顯示器(TWn Film Transistor-Liquid Crystal Display, TFT-LCD)已逐漸成為市場的主流。薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)主要由薄膜電晶體陣列基板、彩色濾光 陣列基板和液晶層所構成，其中薄膜電晶體陣列基板是由多個陣列排列的像 素結構所構成，每一像素結構由一薄膜電晶體、 一像素電極(pixd electrode) 以及一儲存電容器(storage capacitor)所組成。當像素結構中的儲存電容器因顆 粒或介電層破洞而發生異常洩漏時，此像素結構便會成為點瑕疵(dotdefect)。 然而，若直接報廢丟棄這些有瑕疵的液晶顯示面板，將會使得製造成本大幅 增加。 一般來說，只依賴改善工藝技術來實現零瑕疵率是非常困難的，因此 液晶顯示面板的瑕疵修補技術變得相當地重要。在現有技術中，液晶顯示面 板的瑕疵修補通常採用雷射熔接(laser welding)或雷射切割(laser cutting)等方 式進行。以薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)為例，雷射熔接或切割的動作通 常是在薄膜電晶體陣列(TFTarray)製作完成後進行。然而，由於像素結構設計 的緣故，並非每一種瑕疵都能快速修復，有些瑕疵甚至難以修復。圖1為現有技術的像素結構及其修補位置的剖面示意圖。請參照圖1，已知的像素結構100包括基板110、半導體層120、柵絕緣層130、第一金屬層 140、介電層150、第二金屬層160、保護層170、平坦層180以及透明導電層 190。上述的圖案化的半導體層120位於基板110上。柵絕緣層130覆蓋住圖 案化的半導體層120。圖案化的第一金屬層140位於柵絕緣層130上方。介電 層150覆蓋住圖案化的第一金屬層140以及柵絕緣層130。介電層150與柵絕 緣層130具有接觸窗152及接觸窗154，以暴露出部分半導體層120。圖案化 的第二金屬層160位於介電層150之上，且圖案化的第二金屬層160經由接 觸窗152及接觸窗154與半導體層120電性連接。保護層170位於介電層150 及第二金屬層160之上。平坦層180覆蓋住保護層170，且平坦層180與保護 層170具有開口 H，且開口 H暴露出部分第二金屬層160。透明導電層190 位於平坦層180之上，且透明導電層l卯經由接觸窗H與第二金屬層160電 性連接。圖1可知，像素結構100中的開關元件為低溫多晶矽(LowTemperature Polycrystalline Silicon, LTPS)頂柵型薄膜電晶體。一般而言，當像素結構100出現瑕疵時，現有技術通常是沿切割線C作 切割，並在虛線框格106的位置熔接透明導電層190與第一金屬層140，以使 透明導電層190直接與第一金屬層140電性連接。但因為介於透明導電層190 與第一金屬層140之間的平坦層180太厚，時常造成熔接成功率不高。因此， 如何提升像素結構100的修補良品率，儼然成為當前重要課題。發明內容本發明提供一種像素結構，其柵極會與通道層相連接。 本發明提供一種像素修補方法，其具有較高的修補良品率。 本發明提供一種像素結構，其配置於一基板上，並與一掃描線以及一數 據線電性連接。像素結構包括一主動元件以及一像素電極。主動元件配置於基板上。主動元件包括一圖案化半導體層、 一柵絕緣層、 一柵極以及一接觸 導體層。柵極與掃描線電性連接。柵絕緣層位於圖案化半導體層與柵極之間。 圖案化半導體層具有彼此電性絕緣的一第一半導體區塊以及一第二半導體區 塊。第一半導體區塊與柵極相連接。接觸導體層具有一與第一半導體區塊連 接的第一接觸導體區塊以及一與第二半導體區塊連接的第二接觸導體區塊。 第二半導體區塊與數據線電性連接。像素電極與第一接觸導體區塊電性連接。本發明提供一種修補方法，其適於修補一種像素結構。像素結構配置於 一基板，並與一掃描線以及一數據線電性連接。像素結構包括一主動元件與 一像素電極。主動元件配置於基板上，且主動元件包括一圖案化半導體層、 一柵絕緣層、 一柵極以及一接觸導體層。柵極與掃描線電性連接。柵絕緣層 位於圖案化半導體層與柵極之間。接觸導體層具有一連接於像素電極與圖案 化半導體層之間的第一接觸導體區塊以及一連接於數據線與圖案化半導體層 之間的第二接觸導體區塊。修補方法包括切斷圖案化半導體層，使圖案化半 導體層分為一第一半導體區塊以及一第二半導體區塊，以使電性連接於像素 電極的第一半導體區塊與電性連接於數據線的第二半導體區塊電性絕緣。然 後，將柵極與第一半導體區塊相連接。由於本發明的像素結構具有柵極與第一半導體區塊相連接的結構，可使 柵極經由第一半導體區塊以及第一接觸導體區塊與像素電極電性連接，進而 使柵極與像素電極具有相同的電壓。與已知的像素結構相比，本發明的像素 結構在進行修補時，修補位置不會受限於像素電極的位置，且本發明將柵極 與圖案化半導體層的第一半導體區塊連接的難度較低，因此本發明的像素電 極較易於修補。


圖1為現有技術的像素結構及其修補位置的剖面示意圖。圖2A為本發明第一實施例的像素結構的示意圖。圖2B為本發明第一實施例的像素結構的剖面示意圖。 圖2C為圖2B的像素結構經過修補後的示意圖。 圖3A為本發明第二實施例的像素結構的剖面示意圖。 圖3B為圖3A的像素結構經過修補後的示意圖。 圖4為本發明的一種光電裝置的示意圖。 附圖標號100、 200、 200，像素結構 106:熔接處 110、 S:基板 120:半導體層 130、 214:柵絕緣層140:第一金屬層 150:介電層152、 154:接觸窗160:第二金屬層170、 270:圖案化保護層180:平坦層190:透明導電層212:圖案化半導體層212a:第一半導體區塊212b:第二半導體區塊214:柵絕緣層216:柵極218:接觸導體層218D:漏極接觸導體區塊218S:源極接觸導體區塊220:像素電極 270圖案化保護層400:顯示面板 410:電子元件 500:光電裝置 C:切割線 H:開口 S:基板 W:連接處 292:下電極 294:上電極 290:儲存電容器具體實施方式
為讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較 佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。 第一實施例圖2A為本發明第一實施例的像素結構的示意圖，而圖2B為本發明第一 實施例的像素結構的剖面示意圖。請同時參照圖2A及圖2B，本實施例的像 素結構200配置於基板S上，且像素結構200與掃描線SL以及數據線DL電 性連接。由圖2B可清楚得知，本實施例的像素結構200包括一主動元件210 以及一像素電極220，其中主動元件210包括一圖案化半導體層212、 一柵絕 緣層214、 一柵極216以及一接觸導體層218。柵極216與掃描線SL電性連 接。柵絕緣層214位於圖案化半導體層212與柵極216之間。此外，接觸導 體層218具有一連接於像素電極220與圖案化半導體層212之間的第一接觸 導體區塊218D以及一連接於數據線DL與圖案化半導體層212之間的第二接觸導體區塊218S。換言之，在圖2B中，第一接觸導體區塊218D、第二接觸 導體區塊218S以及數據線DL皆是經由圖案化接觸導體層218後所定義出來 的。此外，第一接觸導體區塊218D亦可稱為漏極，而第二接觸導體區塊218S 亦可稱為源極。在本實施例中，半導體層212可為單層結構或多層結構，且其材料可為 多晶矽。換言之，主動元件210為多晶矽薄膜電晶體，但不限於此，亦可使 用其它晶格的材質，如非晶矽、單晶矽、微晶矽、納米晶矽、或上述晶格 具有慘雜物的矽化合物、或上述晶格的含鍺矽化合物、或上述晶系的有機半 導體、或其它合適材料、或上述的組合。柵絕緣層214可為單層結構或多層 結構，且其材料例如是無機材質(如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、 氧化鉭、氟矽玻璃(fluorinated oxide， FSG)、或其它材料、或上述的組合)、有 機材質(如如光阻、聚丙醯醚(polyarylene ether; PAE)、聚醯類、聚酯類、 聚醇類、聚烯類、苯並環丁烯(benzocyclclobutene; BCB)、 HSQ (hydrogen silsesquioxane)、 MSQ(methyl silesquioxane)、矽氧碳氫化物(SiOC-H)、聚醚類、 聚酮類、聚醛類、聚酚類、聚環垸類、聚環氧烷類、聚炔類、聚酚醛類、或 其它材料、或上述的組合)、或上述的組合，而柵極216可為單層結構或多層 結構，且其材質例如是金、銀、銅、錫、鋁、鉛、鈦、鉬、釹、鎢、鈮、鉿、 鉻、鉭或其他金屬材料、或上述的氮化物、或上述的氧化物、或上述的合金、 導電聚合物、或上述的組合。此外，接觸導體層218可為單層結構或多層結 構，且其材質例如是金、銀、銅、錫、鋁、鉛、鈦、鉬、釹、鎢、鈮、鉿、 鉻、鉭或其他金屬材料、或上述的氮化物、或上述的氧化物、或上述的合金、 導電聚合物、或上述的組合，而像素電極220可為單層結構或多層結構，且 其材質例如是非透明材質(如金、銀、銅、錫、鋁、鉛、鈦、鉬、釹、鎢、 鈮、鉿、鉻、鉭或其他金屬材料、或上述的氮化物、或上述的氧化物、或上 述的合金、或上述的組合)、透明材質(如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅 氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物等或上述的組合)、導電聚合物、或上述的組合。本實施例是以透明材質的銦錫氧化物作為像素電極220當作實施範例，但不限於此。當像素 結構200為穿透式像素結構時，像素電極220亦可採用具有透明特性的導電 材料來製作。當像素結構200為反射式像素結構時，像素電極220亦可釆用 具有反射特性或非透明的導電材料來製作。再者，當像素結構200為半穿透 半反射式像素結構時，像素電極220亦可同時採用具有反射特性或非透明的 導電材料以及透明導電材料來製作。圖2C為圖2B的像素結構經過修補後的示意圖。請參照圖2C，當像素結 構200出現瑕疵而無法正常運作時，本實施例可先在切割線C處將圖案化半 導體層212切割成兩個彼此分離的第一半導體區塊212a以及第二半導體區塊 212b，以使電性連接於像素電極220的第一半導體區塊212a與電性連接於數 據線DL的第二半導體區塊212b電性絕緣。之後，再將柵極216與第一半導 體區塊212a相連接，由圖2C可知，柵極216與第一半導體區塊212a的連接 處W通常是在柵極216下方。但是必需說明的是上述步驟，亦可先連接柵極 216與第一半導體區塊212a相連接後，再在切割線C處將圖案化半導體層212 切割成兩個彼此分離的第一半導體區塊212a以及第二半導體區塊212b，以使 電性連接於像素電極220的第一半導體區塊212a與電性連接於數據線DL的 第二半導體區塊212b電性絕緣。此外，在本實施例中，較佳地，像素結構200 還包括一圖案化保護層270覆蓋於主動元件210上，其中圖案化保護層270 具有一開口 H，且像素電極220通過開口 H與第一半導體區塊212a電性連接， 但不限於此，像素結構亦可不包含圖案化保護層270。在本實施例中，將圖案化半導體層212切割為第一半導體區塊212a以及 第二半導體區塊212b的方法例如是雷射切割(laser cutting),如背面雷射切割 (即用以切割圖案化半導體層212的雷射光束從基板S下方入射)、正面雷射 切割(即用以切割圖案化半導體層212的雷射光束從基板S上方入射)或同 時從正面及背面施加雷射切割。另外，在本實施例中，將柵極216與第一半導體區塊212a相連接的方法例如是雷射熔接(laser welding),如背面雷射熔接 (即用以熔接柵極216與第一半導體區塊212a的雷射光束從基板S下方入 射)、正面雷射熔接(即用以熔接柵極216與第一半導體區塊212a的雷射光 束從基板S上方入射)、或同時從正面及背面施加雷射熔接。在其它實施例中， 亦可a.先將柵極216上方的像素電極220切割成至少一區域(未繪示)與非柵極 216上方的像素電極220的另一部份(未繪示)分離而電性絕緣，然後，施加如 上述的正面雷射及背面雷射其中至少一者，來貫通該區域上的各膜層(如該 區域的像素電極、覆蓋於柵極上方的至少一層的介電層(未標註)，例如內層 介電層、柵極絕緣層、圖案化保護層、平坦層等等及圖案化半導體層212的 第一半導體區塊212a與柵極，然後，再形成另一導體層於該區域上，來連接 圖案化半導體層212的第一半導體區塊212a與柵極216，但該區域與該另一 區域電性連接、b.如a，所述的方式，但於像素電極220分成二個區域時，將 位於柵極216上方的像素電極220或連該區域內的各膜層一起移除，移除的 方法，例如蝕刻、雷射剝除等等、c.其它方式、或上述的組合。承上述，本發明亦可將切割圖案化半導體層212的步驟以及連接柵極216 與第一半導體區塊212a的步驟對調，換言之，本發明並不限定前述的切割步驟與連接步驟的執行順序。由圖2C可知，在完成上述的修補動作後，像素結構200中的圖案化半導 體層212便具有彼此電性絕緣的第一半導體區塊212a以及第二半導體區塊 212b，且柵極216會通過第一半導體區塊212a以及第一接觸導體區塊218D 與像素電極220電性連接。舉例而言，若像素結構200被應用於液晶顯示面板中，且液晶顯示面板 的顯示模式為正常顯白(normally white)時，像素結構200在經過上述的修補動 作後，可使液晶顯示面板的點瑕疵(dotdefect)被修補為暗點。詳言之，當像素 結構200被驅動時，與掃描線SL (繪示於圖2A)連接的柵極216會被施加足 以讓第一半導體區塊212a呈現導通狀態的電壓，此時，像素電極220便具有與掃描線SL相同的電壓。若以由於足以讓第一半導體區塊212a呈現導通狀 態的電壓與液晶顯示面板中的共用電壓(Vcom)之間存在明顯的差異，其中共 用電壓被施予在像素結構200對向基板的共通電極(未繪示)上為範例，但 不限於此，其中共用電壓被施予在像素結構200於同一基板上的共通線(未 繪示)上。因此修補後的像素結構200上方的液晶層會受到明顯的電場作用， 使得顯示模式為正常顯白的液晶顯示面板中，修補後的像素結構200所對應 到的點(dot)為暗點。當然，若像素結構200被應用於液晶顯示面板中，且液 晶顯示面板的顯示模式為正常顯黑(normally black)時，則其修補後的像素結構 200所對應到的點(dot)為亮點。 第二實施例圖3A為本發明第二實施例的像素結構的剖面示意圖。請參照圖3A，本 實施例的像素結構200'與第一實施例的像素結構200類似，二者主要差異之 處在於:像素結構200'中的主動元件210'為水平排列的雙柵極薄膜電晶體(two gateTFT)當作範例，但不限於此，亦可運用於垂直排列的雙柵極薄膜電晶體， 其修補方法亦如本實施例所述的方式。圖3B為圖3A的像素結構經過修補後的示意圖。請參照圖3B，當像素結 構200'出現瑕疵而無法正常運作時，本實施例可先在切割線C處將圖案化半 導體層212切割成兩個彼此分離的第一半導體區塊212a以及第二半導體區塊 212b，以使電性連接於像素電極220的第一半導體區塊212a與電性連接於數 據線DL的第二半導體區塊212b電性絕緣。之後，再將柵極216a與第一半導 體區塊212a相連接，由圖3B可知，柵極216a與第一半導體區塊212a的連 接處W通常是在柵極216a下方。在本實施例中，將圖案化半導體層212切割 為第一半導體區塊212a以及第二半導體區塊212b的方法例如是雷射切割， 如背面雷射切割及/或正面雷射切割。另外，在本實施例中，將柵極216與第 一半導體區塊212a相連接的方法例如是雷射熔接，如正面雷射熔接及/或背面 雷射熔接。而其它合適方式，亦可如上述實施例所述的方式。此外，本發明是以頂柵型的薄膜電晶體為實施範例，但不限於此，在其 它實施例中，亦可使用底柵型的薄膜電晶體，較佳地，是逆同平面的底柵型 結構的薄膜電晶體，但仍不限於此。值得一提的是，在本實施例中，較佳地，像素結構200'更包括一儲存電 容器290為例，且其配置於像素電極220的下方，其中儲存電容器2卯包括 一上電極294以及一下電極292，且下電極292與第一接觸導體區塊218D電 性連接。如圖3A與圖3B所示，較佳地，下電極292的組成與圖案化半導體 層212的組成相同為例，但不限於此。換言之，下電極292與圖案化半導體 層212較佳地是由同一薄膜於同一道掩膜工藝中所製成為例，但不限於此。 另外，較佳地，上電極294的組成與柵極216的組成相同為例，但不限於此。 換言之，上電極294與柵極216較佳地是由同一薄膜於同一道掩膜工藝中所 製成為例，但不限於此。此外，儲存電容器290亦可選擇性配置或不配置， 依設計上需求，且亦可選擇性地運用於第一實施例中。再者，上述實施例是以運用於液晶顯示面板為範例，但不限於此，亦可 使用於有機/無機電激發光顯示面板(如螢光電激發光顯示面板、磷光電激 發光顯示面板、或上述的組合)中。其中，有機電激發光顯示面板的有機電 激發光材料包含小分子發光材料、高分子發光材料、或上述的組合。液晶顯 示面板例如包含穿透型顯示面板、半穿透型顯示面板、反射型顯示面板、 彩色濾光片於主動層上(color filter on array)的顯示面板、主動層於彩色濾光 片上(array on color filter)的顯示面板、垂直配向型(VA) 顯示面板、水平 切換型(IPS)顯示面板、多域垂直配向型(MVA)顯示面板、扭曲向列型 (TN)顯示面板、超扭曲向列型(STN)顯示面板、圖案垂直配向型(PVA) 顯示面板、超級圖案垂直配向型(S-PVA)顯示面板、先進大視角型(ASV) 顯示面板、邊緣電場切換型(FFS)顯示面板、連續焰火狀排列型(CPA)顯 示面板、軸對稱排列微胞型(ASM)顯示面板、光學補償彎曲排列型(OCB) 顯示面板、超級水平切換型(S-IPS)顯示面板、先進超級水平切換型(AS-IPS)顯示面板、極端邊緣電場切換型(UFFS)顯示面板、高分子穩定配向型顯示 面板、雙視角型(dual-view)顯示面板、三視角型(triple-view) 顯示面板、 三維顯示面板(three-dimensional)或其它型面板、或上述的組合。又，上述 的顯示面板及其方法亦可運用光電裝置及其方法上。如圖4所示，光電裝置 的示意圖。由上述的像素結構200陣列排列而成的顯示面板400可以跟電子 元件410組合成一光電裝置500。在此，電子元件410包括如控制元件、操 作元件、處理元件、輸入元件、記憶元件、驅動元件、發光元件、保護元件、 感測元件、檢測元件、或其它功能元件、或前述的組合。而光電裝置的類型 包括可攜式產品(如手機、攝影機、照相機、筆記型計算機、遊戲機、手錶、 音樂播放器、電子信件收發器、地圖導航器、數碼相片、或類似的產品)、影 音產品(如影音放映器或類似的產品)、螢幕、電視、看板、投影機內的面板等。 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何本領 域技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾， 因此本發明的保護範圍當以權利要求的界定為準。
權利要求
1. 一種像素結構，配置於一基板上，並與一掃描線以及一數據線電性連接，其特徵在於，所述像素結構包括一主動元件，配置於所述基板上，所述主動元件包括一圖案化半導體層、一柵絕緣層、一柵極以及一接觸導體層，其中所述柵極與所述掃描線電性連接，所述柵絕緣層位於所述圖案化半導體層與所述柵極之間，所述圖案化半導體層具有彼此電性絕緣的一第一半導體區塊以及一第二半導體區塊，所述第一半導體區塊與所述柵極相連接，所述接觸導體層具有一與所述第一半導體區塊連接的第一接觸導體區塊以及一與所述第二半導體區塊連接的第二接觸導體區塊，所述第二半導體區塊與所述數據線電性連接；以及一像素電極，與該第一接觸導體區塊電性連接。
2. 如權利要求1所述的像素結構，主動元件包括頂柵型薄膜電晶體。
3. 如權利要求1所述的像素結構，其特徵在於，所述像素結構還包括一儲 存電容器，其中所述儲存電容器包括一上電極以及一下電極，且所述下電極 與所述第一接觸導體區塊電性連接。
4. 如權利要求3所述的像素結構，其特徵在於，所述下電極的組成與所述圖案化半導體層的組成相同。
5. 如權利要求3所述的像素結構，其特徵在於，所述上電極的組成與該柵極的組成相同。
6. 如權利要求1所述的像素結構，其特徵在於，所述像素結構還包括一圖 案化保護層覆蓋於所述主動元件上，其中所述圖案化保護層具有一開口，且 所述像素電極通過所述開口與所述第一半導體區塊電性連接。
7. —種修補方法，適於修補一種像素結構，其特徵在於，所述像素結構配 置於一基板，並與一掃描線以及一數據線電性連接，所述像素結構包括一主 動元件與一像素電極，所述主動元件配置於所述基板上，且所述主動元件包括一圖案化半導體層、 一柵絕緣層、 一柵極以及一接觸導體層，其中所述柵 極與所述掃描線電性連接，所述柵絕緣層位於所述圖案化半導體層與所述柵 極之間，所述接觸導體層具有一連接於所述像素電極與所述圖案化半導體層 之間的第一接觸導體區塊以及一連接於所述數據線與所述圖案化半導體層之 間的第二接觸導體區塊，該修補方法包括切斷該圖案化半導體層，使所述半導體層分為一第一半導體區塊以及一 第二半導體區塊，以使電性連接於所述像素電極的第一半導體區塊與電性連 接於所述數據線的所述第二半導體區塊電性絕緣；以及將所述柵極與所述第一半導體區塊連接。
8. 如權利要求7所述的修補方法，其特徵在於，所述切斷所述半導體層的方法包括雷射切割。
9. 如權利要求8所述的修補方法，其特徵在於，所述雷射切割包括背面激 光切割及正面雷射切割其中至少一者。
10. 如權利要求7所述的修補方法，其特徵在於，將所述柵極與所述第一 半導體區塊連接的方法包括雷射熔接。
11. 如權利要求10所述的修補方法，其特徵在於，所述雷射熔接包括正面 雷射熔接及背面雷射熔接其中至少一者。
12. —種顯示面板，其特徵在於，所述顯示面板包含如權利要求1所述的 像素結構。
13. —種光電裝置，其特徵在於，所述光電裝置包含如權利要求12所述的 顯示面板。
14. 一種顯示面板的修補方法，其特徵在於，所述顯示面板的修補方法包 含如權利要求7所述像素結構的修補方法。
15. —種光電裝置的修補方法，其特徵在於，所述光電裝置的修補方法包 含如權利要求14所述顯示面板的修補方法。
全文摘要
本發明涉及像素結構、顯示面板、光電裝置及其修補方法，像素結構包括主動元件及像素電極。主動元件包括圖案化半導體層、柵絕緣層、柵極及接觸導體層。柵極與掃描線電性連接。柵絕緣層位於圖案化半導體層與柵極之間。圖案化半導體層有彼此電性絕緣的第一半導體區塊及第二半導體區塊。第一半導體區塊與柵極相連接。接觸導體層具有與第一半導體塊連接的第一接觸導體區塊以及與第二半導體區塊連接的第二接觸導體區塊。第二半導體區塊與數據線電性連接。像素電極與第一接觸導體區塊電性連接。像素結構進行修補時，修補位置不受限於像素電極的位置，且本發明將柵極與圖案化半導體層的第一半導體區塊連接的難度較低因此本發明的像素電極較易於修補。
文檔編號H01L27/12GK101266983SQ200810095520
公開日2008年9月17日 申請日期2008年4月23日 優先權日2008年4月23日
發明者林坤駿, 趙家鋒, 陳宏偉, 陳照燕 申請人:友達光電股份有限公司