一種限流保護開關的製作方法
2023-06-23 10:40:16
專利名稱：一種限流保護開關的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種電流保護裝置。具體說是能對工作電流進行保護的限流保護開關， 適用於需要對工作電流進行保護的各種集成電路中。
背景技術：
在微電子研發領域都知道，當電路出現問題、失效時，會產生很大漏電流，可能會破壞 電路。同時，也可能會使電路的外圍環境失效。為了避免這種情況發生，在電路中大都設置 有電流限流保護開關。由於漏電電流很大，要求限流保護開關的採樣電阻值很小。因此，限 流保護開關設計的難點就在於取樣電阻的選取。
目前，限流開關上使用的電阻都是常規電阻，而常規電阻的精度比較差，使得製成的限 流保護開關誤差較大。另外，要獲得較小的電阻值，通常作法都是採用多個電阻進行並聯。 雖然採用多個電阻並聯可以獲得較小的電阻，但多個電阻會佔用較多的設計面積，使得製成 的限流保護開關體積較大。限流保護開關體積一大，用在集成電路上時會使集成電路的晶片 面積增大、生產成本增加。
實用新型內容
本實用新型要解決的問題是提供一種限流保護開關。這種限流保護開關，其採樣電阻精 度高誤差小，結構簡單、體積小。
為解決上述問題，本實用新型採取以下技術方案
本實用新型的限流保護開關的特點是含有一個三極體、 一個場效應管和兩個電阻，其中 的兩個電阻和為兩段多晶矽線段。所說場效應管是MOS型場效應管。三極體T的發射極與 電源正極相連，電源正極通過一個電阻與場效應管的源極相接，三極體的基極亦接在場效應 管的源極上。另一個電阻接在三極體的集電極與地之間，而場效應管的柵極則接在三極體的 集電極上，其漏極作為信號輸出端。
採取上述方案，具有以下優點
由於本實用新型的限流保護開關由一個三極體、 一個場效應管和用作兩個電阻組成，其 中的兩個電阻為兩段多晶矽線段。三極體的發射極與電源相連，電源通過一個電阻與場效應 管的源極相接，三極體的基極亦接在場效應管的源極上。另一個電阻接在三極體的集電極與 地之間，而場效應管的柵極則接在三極體的集電極上，其漏極作為信號輸出端。所用元器件 少，結構比較簡單，體積較小。又由於所用的兩個電阻為兩段多晶矽線段，而多晶矽線段端 頭的接觸電阻很小，沒有溫度係數和集成效應，使得精度髙、誤差小。
附圖是本實用新型的限流保護開關示意圖。
具體實施方式
如圖所示，本實用新型的限流保護開關含有一個三極體T、 一個場效應管P、兩個電阻 rl和r2，其中的兩個電阻rl和r2為兩段多晶矽線段。所說場效應管P是MOS型場效應管。 三極體T的發射極與電源正極VCC相連，電源正極VCC通過一個電阻rl與場效應管P的源 極相接，三極體T的基極亦接在場效應管P的源極上。另一個電阻r2接在三極體T的集電極 與地GND之間，而場效應管P的柵極則接在三極體T的集電極上，其漏極作為信號輸出端 CD。
其中，電阻rl比較小，而電阻r2大得多。 當電路的Icc處於設計正常範圍內，設為/Cw"附近時 電阻rl和場效應管P上的壓降為
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當電路出現不正常的漏電，使電阻rl上的壓降增加，(PNP型)三極體將開啟
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使電阻r2上的壓降增加 輔加
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從而減小了場效應管P的電流/^，使大電流在(PNP型)三極體Tl和電阻r2上流過， 避免電路內部的功能模塊受到大電流的衝擊。因此，可以有效的實現限流保護。
權利要求1.一種限流保護開關，其特徵在於由一個三極體(T)、一個場效應管(P)和兩個電阻(r1和r2)組成，其中的兩個電阻(r1和r2)為兩段多晶矽線段；三極體(T)的發射極與電源(VCC)相連，電源(VCC)通過一個電阻(r1)與場效應管(P)的源極相接，三極體(T)的基極亦接在場效應管(P)的源極上；另一個電阻(r2)接在三極體(T)的集電極與地(GND)之間，而場效應管(P)的柵極則接在三極體(T)的集電極上，其漏極作為信號輸出端(CD)。
2. 根據權利要求1所述的限流保護開關，其特徵在於場效應管(P)是MOS型場效應管。
專利摘要本實用新型公開一種限流保護開關，具體說是能對工作電流進行保護的限流保護開關。它含有一個三極體、一個場效應管、兩個電阻，其中的兩個電阻和為兩段多晶矽線段。所說場效應管是MOS型場效應管。三極體T的發射極與電源正極相連，電源正極通過一個電阻與場效應管的源極相接，三極體的基極亦接在場效應管的源極上。另一個電阻接在三極體的集電極與地之間，而場效應管的柵極則接在三極體的集電極上，其漏極作為信號輸出端。這種限流保護開關，其採樣電阻精度高誤差小，結構簡單、體積小。適用於需要對工作電流進行保護的各種集成電路中。
文檔編號H02H7/20GK201001030SQ200720033608
公開日2008年1月2日 申請日期2007年1月15日 優先權日2007年1月15日
發明者丁國華, 燁 周, 周金風, 斌 胡, 潔 賀 申請人:無錫矽動力微電子股份有限公司