液晶顯示裝置和修復其中壞像素的方法

2023-06-13 05:40:06 1

專利名稱：液晶顯示裝置和修復其中壞像素的方法
技術領域：
本發明涉及一種液晶顯示裝置，且更具體地說，涉及一種液晶顯示裝置和修復其中壞像素的方法。
背景技術：
陰極射線管(CRT)、液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)設備、電子紙顯示器(EPD)等都是常用圖像顯示裝置的示例，所述圖像顯示裝置正日益發展以滿足小型化、 減輕重量、以及低能耗的要求。液晶顯示器包括具有濾色片的濾色片基板，具有TFT陣列的薄膜電晶體(TFT)基板、以及介於濾色片基板與TFT基板之間的液晶層。LCD的TFT基板包括多條柵極線、多條存儲配線、多條數據線、像素電極等。存在一種利害關係，即，在獨立配線中可能出現斷開(open)，或者在配線之間可能出現短路。如果一條數據線斷開，則連接於該數據線的列中的所有像素都將不操作。當出現像素缺陷時，通常執行修復像素缺陷的過程，但是該過程可能導致進一步的像素缺陷，例如，彼此交疊的配線之間的短路。因此，需要一種有效且容易地修復壞像素而不會導致任何其它像素缺陷的方法。

發明內容
因此，根據本發明一個方面的示例性實施例提供了一種IXD裝置，其中壞像素得以被有效且容易地修復。本發明的示例性實施例進一步提供了一種修復這樣的IXD裝置中的壞像素的方法。在示例性實施例中，液晶顯示裝置包括第一絕緣基板；柵極配線和存儲配線，沿第一方向基本彼此平行地布置在第一絕緣基板上；數據配線，以絕緣的方式與柵極配線及存儲配線交叉，並且該數據配線基本沿第二方向布置；以及像素電極，形成在由柵極配線和數據配線限定的像素區上，其中，存儲配線包括水平部分和豎直部分，該水平部分基本沿第一方向布置並且其至少一部分不會與像素電極交疊，該豎直部分基本沿第二方向從水平部分分支並與數據配線交疊。根據另一個示例性實施例，修復液晶顯示裝置的壞像素的方法包括提供薄膜電晶體基板，該薄膜電晶體基板具有沿第一方向基本彼此平行地布置在絕緣基板上的柵極配線和存儲配線、與柵極配線及存儲配線交叉但絕緣且基本沿第二方向布置的數據配線、形成在由柵極配線和數據配線限定的像素區上的像素電極，其中該存儲配線包括水平部分和豎直部分，該水平部分基本沿第一方向布置並且其至少一部分不與像素電極交疊，該豎直部分基本沿第二方向從水平部分分支並與數據配線交疊；以及通過將雷射束照射到水平部分的不與像素電極交疊的部分上而切割存儲配線。


通過以下結合附圖的詳細描述，本發明的上述和其它目的、特徵及優點將變得更明顯，附圖中圖1是包含在根據本發明第一優選實施例的IXD裝置中的TFT基板的布置圖；圖2是沿圖1的線A-A'截取的截面圖；圖3是包含在根據本發明第一優選實施例的LCD裝置中的濾色片基板的布置圖；圖4是根據本發明第一優選實施例的IXD裝置的布置圖；圖5是沿圖4的線B-B'截取的截面圖；圖6是示意性地示出了當在圖1的TFT基板的數據線中出現斷開時修復該斷開的方法的視圖；圖7是示意性地示出了當在圖1的TFT基板的數據線中出現短路時修復該短路的方法的視圖；圖8是示意性地示出了當在圖1的TFT基板的像素電極中出現短路時修復該短路的方法的視圖；圖9是包含在根據本發明第二優選實施例的IXD裝置中的TFT基板的布置圖；圖10是沿圖9的線C-C'截取的截面圖；圖11是示意性地示出了當在圖9的TFT基板的數據線中出現斷開時修復該斷開的方法的視圖；圖12是示意性地示出了當在圖9的TFT基板的數據線中出現短路時修復該短路的方法的視圖；圖13是示意性地示出了當在圖9的TFT基板的像素電極中出現短路時修復該短路的方法的視圖；以及圖14是示意性地示出了當在圖9的TFT基板的存儲配線中出現短路時橋電極如何起作用的方法的視圖。
具體實施例方式應當注意的是，當在文中提及時，術語「位於...上(on)」不僅用在元件或層直接位於其它元件或層上的情況中，而且還用在它們之間插有其它中間元件或層的情況中。相反，當在文中提及時，「直接位於...上」是指元件或層位於其它元件或層上，在它們之間未插有任何其它中間元件或層。通篇說明書和附圖中相同的標號表示相同的元件。文中可以使用諸如「在...下方」、「下面的」、「下部」、「在...上方」、「上部」等空間關係術語以容易地描述如圖中所示的一個元件或構成部分與其它元件或構成部分之間的相互關係。應當理解，這些空間關係術語旨在除圖中所示的方位外還包括使用或操作過程中的元件的其它方位。通篇說明書和附圖中相同的標號表示相同的元件。下面參照圖1至圖5描述本發明的第一優選實施例。圖1示出了包含在根據本發明第一實施例的IXD裝置中的TFT基板的布置。圖2示出了沿圖1的線A-A'截取的截面。 圖3示出了包含在根據本發明第一實施例的LCD裝置中的濾色片基板的布置。圖4是根據本發明第一實施例的LCD裝置的布置圖。最後，圖5示出了沿圖4的線B-B'截取的截面。如圖4和圖5所示的，根據本發明第一實施例的IXD裝置包括TFT基板、與之相對的濾色片基板、以及形成在這兩個基板之間且沿一定方向定位的液晶層3。首先，將參照圖1和圖2給出TFT基板的詳細描述。根據本發明第一實施例的TFT基板包括柵極配線22、24 ；存儲配線觀、29 ；柵極絕緣膜30 ；有源層40 ；歐姆接觸層55、56 ；數據配線62、65、66、67 ；保護膜70 ；像素電極82 等，所有這些都形成在第一絕緣基板10上。第一絕緣基板10可由耐熱的光學透明材料(諸如透明玻璃或塑料)製成。柵極配線22、24以及存儲配線觀、四形成在第一絕緣基板10上，並被布置成沿第一方向基本彼此平行。柵極配線22、24以及存儲配線觀、四例如可形成在第一絕緣基板10 上的相同層上。柵極配線22J4包括柵極線22和柵電極M。柵極線22基本沿第一方向(例如， 沿橫向)布置，並傳輸柵極信號。柵電極M以突起的形式從柵極線22突出並與源電極65 和漏電極66 —起構成TFT的三個端子，如下面將描述的。存儲配線觀、四包括水平部分觀和豎直部分四。水平部分被布置成沿第一方向基本平行於柵極配線22、24。豎直部分四基本沿第二方向分支並與數據配線62、65、66、67 交疊，如下面將描述的。存儲電壓被施加於存儲配線觀、29，該存儲配線觀、四與像素電極82 —起構成存儲電容器，如下面將描述的。根據本發明的一方面，存儲配線觀、四還用於修復像素缺陷。水平部分觀被布置成與柵極配線22、24(具體為柵極線2 平行且與之相隔。水平部分觀被設置成與像素電極82交疊，如下面將描述的，因此存儲電容器形成在像素電極 82與水平部分觀之間。水平部分28的至少一部分不與像素電極82交疊。具體地，水平部分28通常與柵極線22平行，但是突出到像素電極82邊緣以外的彎曲部分28a形成在水平部分觀的一部分中，以使水平部分觀的該部分不與像素電極82交疊。彎曲部分28a朝向鄰近於水平部分觀的柵極線22彎曲，但不與柵極配線22、24以及數據配線62、65、66、67交疊。儘管在本實施例中彎曲部分28a為U形的，但它也可採取其它形狀，諸如圓弧形、脊形等，只要它不與像素電極82交疊即可。可對其形狀做出各種改變。這樣，由於存儲配線觀、四包括不與像素電極82交疊的彎曲部分^a，因此當在數據線62和像素電極中出現斷開或短路時可有效地修復該斷開或短路。下面將詳細描述這樣一種修復LCD裝置的壞像素的方法。豎直部分四基本沿第二方向(例如，縱向)從上述水平部分觀中分支。具體地， 水平部分觀可在橫向上平行於TFT基板的長邊並沿著TFT基板的長邊布置，並且多個豎直部分四可從每個水平部分觀中分支並可被布置成在縱向上平行於TFT基板的短邊。豎直部分四從水平部分28中分支並以這種方式形成，即，豎直部分四的遠端與相鄰像素的柵極線22鄰近，但與相鄰像素的柵極線22隔開以使該遠端不與柵極線22電連接。豎直部分四與數據線62交疊(如下所述)，並用於修複數據線62的斷開或短路。將給出其描述以解釋修復根據本實施例的LCD裝置的壞像素的方法。豎直部分四形成得具有寬於數據線62寬度W2的寬度W1，這有助於數據線62的修復。數據線62的邊緣沿第二方向(例如，沿縱向)與像素電極82交疊，從而防止從背光組件(未示出)發出的光線洩漏。也就是說，豎直部分四與彼此相鄰的一對像素電極82交疊。另外，參照圖3，豎直部分四具有與黑色矩陣120的寬度W3相同的寬度W1,以便不會減小孔徑比。再次參照圖1和圖2，柵極配線22J4和存儲配線觀、四可由諸如鋁(Al)或鋁合金的鋁基金屬、諸如銀(Ag)或銀合金的銀基金屬、諸如銅(Cu)或銅合金的銅基金屬、諸如鉬(Mo)或鉬合金的鉬基金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)等製成。而且，柵極配線22、24和存儲配線觀、四可具有包括兩個導電層(未示出)多層結構，所述兩個導電層具有不同的物理性質。另外，柵極配線22、M和存儲配線28、29可通過以塗覆方法施加PEDOT (聚乙烯二氧噻吩，其為導電聚合材料)而形成，或通過使用注入印刷方法印刷PEDOT而形成。由諸如氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)的無機絕緣材料、或諸如BCB (苯並環丁烯) 的有機絕緣材料、丙烯酸材料或聚醯胺製成的柵極絕緣膜30覆蓋第一絕緣基板10上的柵極配線22、M和存儲配線沘、29。由氫化非晶矽、多晶矽或導電有機材料製成的有源層40部分地形成在柵極絕緣膜30的上部部分中。有源層40可具有包括島形和線形的各種形狀。例如，當有源層40形成為本實施例中的島形時，其覆蓋柵電極M並至少部分地覆蓋源電極65和漏電極66，如下面將描述的。有源層40的形狀不局限於島形，而是可為許多形狀的。當有源層形成為線形時，其被定位在數據線62的下面並可具有向上延伸至柵電極M上方的形狀。歐姆接觸層55、56可形成在有源層40上。歐姆接觸層55、56是由高摻雜有η型雜質的η+氫化非晶矽、摻雜有ρ型雜質的ITO材料或其它材料製成的。歐姆接觸層55、56 成對地定位在有源層40上，從而提高有源層40與源、漏電極65和66之間的接觸特性，如下面將描述的。當有源層40與形成在其上的源、漏電極65和66之間的接觸特性良好時， 可省卻歐姆接觸層陽、56。數據配線62、65、66、67被形成在有源層40和柵極絕緣膜30上。數據配線62、65、 66、67基本沿第二方向(例如，沿縱向)布置。數據配線62、65、66、67包括以絕緣方式與柵極線22交叉從而限定出像素的數據線62 ；從數據線62分支並向上延伸至有源層40上方的源電極65 ；以及與源電極65分隔且與之面對的漏電極66。數據線62沿縱向布置、與柵極線22交叉、並被施以數據信號。源電極65可沿J形路徑從數據線62分支，並至少部分地覆蓋有源層40。漏電極66的一端被定位在J形源電極65的凹入部分中並至少部分地覆蓋有源層 40。 形成得比漏電極66更寬的放大漏電極部分67從漏電極66的一端延伸，並電連接至像素電極82。放大漏電極部分67形成在像素區外部從而不會減小孔徑比。為了使得孔徑比最小化，從漏電極66 —端延伸至放大漏電極部分67的區域形成為線形的並覆蓋存儲配線觀、29的水平部分。像素區是指由柵極配線22、對和數據配線62、65、66、67限定的區域。像素區可被理解為從背光組件中發射出的光線所穿過的區域。因此，濾色片基板(見圖5中的參考標號「2」)的濾色片區域(見圖3中的參考標號「130」)，其與TFT基板的像素區相對應，也可被理解為像素區。數據配線62、65、66、67可由諸如鉻、鉬基金屬、鉭和鈦的難熔金屬製成，並且還可具有例如由下層(未示出)和上層(未示出)構成的多層結構，該下層由難熔金屬等製成， 該上層由低電阻係數材料製成並位於下層上。多層結構的示例包括下部鉻層和上部鋁層或者下部鋁層和上部鉬層的雙層，以及鉬-鋁-鉬的三層。保護膜70形成在數據線62、漏電極66以及露出的半導體層40上。保護膜70由包括氮化矽或氧化矽的無機材料、具有良好平面化特性的有機感光材料、通過等離子增強化學汽相沉積(PECVD)形成的諸如a-Si:C:0和a-Si:C:F的低介電絕緣材料等製成。而且， 保護膜70可具有下部無機層和上部有機層的雙層結構以形成有機層的大部分優越特性， 並同時保護露出的半導體層40。保護膜70形成有接觸孔72，放大漏電極部分67通過該接觸孔露出。像素電極82形成在保護膜70上，並通過接觸孔72電連接至漏電極66。漏電極連接部分8 形成在像素電極82的一側上。該部分8 通過接觸孔72電連接至漏電極 66 (具體地，電連接至放大漏電極部分67)，並且數據電壓通過漏電極66被施加於其上。為了不減小孔徑比，漏電極連接部分8 可突出到像素區外部，從背光組件發射出的光線穿過所述像素區。像素電極82可由諸如ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)的透明導電材料、或諸如鋁的反射性導電材料製成。參照圖4和圖5，當數據電壓被施加於像素電極82時，像素電極82與濾色片基板的共用電極140 —起產生電場，從而確定液晶層3的液晶分子的定向。下面將參照圖3至圖5描述包含在根據本實施例的IXD裝置中的濾色片基板。濾色片基板包括黑色矩陣120、濾色片130、外塗層膜(未示出)、共用電極140等， 所有這些都形成在第二絕緣基板100的下表面上，並被設置成面對TFT基板。濾色片基板的第二絕緣基板100可由耐熱的光學透明材料(諸如透明玻璃或塑料)製成。由不透明材料(諸如鉻)製成的黑色矩陣120形成在根據本實施例的絕緣基板上以隔開像素區。黑色矩陣120沿第一和第二方向被布置成矩陣的形狀，並且其沿第二方向(例如， 沿縱向)的寬度W3基本上與存儲配線觀、29的豎直部分四的寬度相同，如上所述的。由黑色矩陣120隔開的像素區依次由紅色、綠色和藍色濾色片130形成。濾色片 130由能透射不同顏色光線的材料製成，因此用於傳輸特定波長帶的光線。濾色片130可被設置成條紋圖案、鑲嵌圖案或δ (delta)圖案，但是在本實施例中將以條紋圖案濾色片130為例進行描述。在條紋圖案濾色片130中，沿第二方向(例如，沿縱向)設置相同顏色的濾色片。也就是說，沿第一方向(例如，沿橫向)看過去，第n(n為整數)個濾色片可為紅色濾色片、第(n+1)個濾色片可為綠色濾色片、並且第(n+2)個濾色片可為藍色濾色片。外塗層膜被形成在濾色片130上。由諸如ITO或IZO的透明導電材料製成的共用電極140被形成在外塗層膜上。此外，儘管圖中未示出，用於在共用電極140與TFT基板之間提供明確間隙的隔離物可形成在像素電極82上，並且由隔離物留下的間隙被填充以液
晶層3o下面將參照圖6至圖8詳細描述當在IXD裝置中出現像素缺陷時修復壞像素的方法。圖6示意性地示出了當在圖1的TFT基板的數據線中出現斷開時修復該斷開的方法、 圖7示意性地示出了當在圖1的TFT基板的數據線中出現短路時修復該短路的方法、以及圖8示意性地示出了當在圖1的TFT基板的像素電極中出現短路時修復該短路的方法。由於TFT基板包括多個配線和多個電極，因此在各個配線和電極中可能出現斷開或者在配線之間或配線與電極之間可能出現短路。具體地，如果在數據線62中出現開區域(open region) O1的話，連接至該斷開數據線62的所有像素都將不操作。為了修復所述像素缺陷，通過與開區域O1的兩側相對應的數據線62和存儲配線觀、四照射雷射束，從而形成雷射短路區域(lasershort region) LS1和LS2。雷射束通過部分地熔化數據線62和存儲配線觀、四而形成雷射短路區域LS1和LS2,因此數據線62和存儲配線觀、29電連接於彼此。因此，通過數據線62施加的信號不穿過開區域O1，但是形成了獨立的電流通路，即，經由雷射短路區域LS1和到達存儲配線觀、四的豎直部分四的旁路，從而壞像素可容易地被修復。例如，屬於綠色波長帶(大約532nm)的雷射束可用於修復像素缺陷，並且可施加具有0. 1至ImJ能量的雷射束以熔化數據線62和存儲配線觀、 29的豎直部分四。雷射束光點的直徑的範圍例如可為1至4μ m。然而，如果僅執行上述方法步驟的話，通過數據線62施加的數據信號被傳輸到存儲配線觀、29，因此與施加到存儲配線觀、29的存儲電壓信號相干涉，這可能對其他好像素具有不利影響。因此，優選的是，切斷相應壞像素的存儲配線觀、29。具體地，雷射束被照射到存儲配線觀、29的水平部分觀的未覆蓋像素電極82的部分(即，彎曲部分^a)上，從而形成雷射切割區域LC1和LC2,因此存儲配線觀、四被切斷。這裡，像素區域的鄰近於所切斷的數據線62兩側的所有彎曲部分28a都形成有雷射切割區域LC1和LC2。也就是說， 當一條數據線62斷開時，雷射切割區域LC1和LC2被形成在位於所切斷數據線62兩側上的兩個彎曲部分^a中。通過切斷未覆蓋像素電極82的部分，即，彎曲部分^a，可防止與其它像素的信號幹涉，所述信號幹涉可能發生在壞像素修復過程中。在本實施例中，與為了修復斷開數據線62而使用CVD將數據線62的斷開部分相互連接的情況相比較，通過使用雷射束並為存儲配線觀、四提供未覆蓋像素電極82的彎曲部分，可防止由於數據線62與布置在其下的源電極65之間的短路或非常細的數據線 62的其它短路導致的上述信號幹涉。如圖7所示，由於數據線62與像素電極82之間的交疊區域較大，它們極易於由於顆粒等導致短路。如果短路區域S1出現在數據線62與存儲配線觀、四之間的話，連接至短路數據線62的所有存儲配線觀、四都會受到上述信號幹涉的破壞，這導致像素缺陷。在這種情況下，由於存儲配線觀、29的水平部分觀形成有突出到像素電極邊緣以外的彎曲部分^a，因此雷射切割區域冗3和LC4可形成在像素區的鄰近於短路的數據線62 兩側的彎曲部分^a中。也就是說，當一條數據線62短路時，雷射切割區域LC3和LC4分別被形成在定位在短路數據線62兩側上的兩個彎曲部分^a中，從而防止在存儲配線觀、29 與數據配線62、65、66、67中出現信號幹涉。
這樣，當在數據線62與存儲配線觀、四的豎直部分四之間出現短路時，由於存儲配線觀、四形成有突出到像素電極82邊緣以外的彎曲部分^a，因此根據本實施例的TFT 基板能夠使得雷射切割區域LC3和LC4容易地形成在存儲配線觀、29的鄰近於短路區域S1 的水平部分觀中。因此，可容易地修復由於短路的數據線導致的像素缺陷。如圖8所示，如果由於顆粒等導致短路區域&出現在存儲配線觀、29與像素電極 82之間的話，不期望的存儲電壓被施加於像素電極82，導致像素缺陷。在這種情況下，由於存儲配線觀、29的水平部分觀形成有突出到像素電極邊緣以外的彎曲部分^a，因此雷射切割區域LC5和LC6可形成在鄰近於短路的存儲配線觀、四兩側的像素區的彎曲部分^a中。也就是說，當一條存儲線短路時，雷射切割區域LC5和LC6 分別形成在位於短路的數據線62兩側上的兩個彎曲部分^a中。因此，可防止連接至短路的存儲配線觀、29的所有像素遭受像素缺陷。在根據本實施例的TFT基板中，當在像素電極82與存儲配線觀、四之間出現短路時，由於存儲配線觀、四形成有突出到像素電極82邊緣以外的彎曲部分^a，因此雷射切割區域LC5和LC6可容易地形成在存儲配線觀、29中。因此，可防止連接至短路的存儲配線觀、四的所有像素遭受像素缺陷。在這種壞像素修複方法中，可在無需通過將雷射束照射到有缺陷像素電極82上切斷壞像素從而在像素電極82與柵極線22之間產生短路的情況下修復壞像素。下面將參照圖9和圖10詳細描述本發明的第二實施例。圖9示出了包含在根據本發明第二優選實施例的LCD裝置中的TFT基板的布置，圖10示出了沿圖9的線C-C'截取的截面圖。為了便於描述，與前述實施例附圖中所示相同的功能性部件用相同的參考標號表示，並簡化或省略其描述。如圖9和圖10中所示的，除根據本實施例的LCD裝置進一步包括用於將相鄰像素的存儲配線觀、四相互連接的橋電極84以外，根據本實施例的IXD裝置基本具有與根據本發明前述實施例的LCD裝置相同的結構。在本實施例中，突出部分29a形成在存儲配線觀、29的豎直部分四的遠端處。突出部分29a朝向像素電極82'突出，因而與相鄰像素的存儲配線觀、29的彎曲部分28a — 起被定位在豎直線上。橋電極84電連接相對於柵極配線22J4相鄰的一對存儲配線觀、29。具體地，橋電極84將成對相鄰存儲配線觀、29中之一的水平部分28與另一存儲配線觀、四的豎直部分四電連接。橋電極84通過橋電極接觸孔74、76將存儲配線觀、29的彎曲部分28a與突出部分29a相互電連接。這樣，由於存儲配線觀、29藉助於橋電極84相互電連接，因此甚至在任一條存儲配線觀、四被切斷以修復像素缺陷時也可防止其它像素受信號延遲的影響。 下面將詳細地進行描述。橋電極84由與鄰近橋電極84的像素電極82'的材料基本相同的材料製成，並且橋電極84和像素電極82'基本形成在相同層中。具體地，當像素電極82'由諸如ITO或 IZO的透明導電材料製成時，橋電極84也被形成為ITO或IZO電極。橋電極84可形成在每個像素區中。也就是說，像素區根據與之相對應的濾色片類型(見圖3中的參考標號「130」)被限定為紅色像素區、綠色像素區或藍色像素區，並且這些像素區域可形成有橋電極84。其中形成有橋電極84的像素區的像素電極82'可比未形成有橋電極84的像素區的像素電極82窄。也就是說，在其中形成有橋電極84的像素區中， 通過部分地切割像素電極82'的一個角，使得像素電極82'與橋電極84間隔開，從而不與橋電極84電連接。橋電極84可形成在所有像素區中，但是也可僅在紅色、綠色和藍色像素區的一個或兩個像素區中形成橋電極84。任一個像素區都可為藍色像素區(其對於亮度的貢獻最小)。通過在對於亮度的貢獻最小的每個藍色像素區中形成橋電極84，可使得隨橋電極84 的形成而導致的亮度減小最小化，並且可防止由於待形成在濾色片基板中的隔離物(由於隔離物形成在與橋電極84相對應的部分中)造成孔徑比的減小。下面將參照圖11至圖14詳細描述當在根據本實施例的IXD裝置中出現像素缺陷時修復壞像素的方法。圖11示意性地示出了當在圖9的TFT基板的數據線中出現斷開時修復該斷開的方法、圖12示意性地示出了當在圖9的TFT基板的數據線中出現短路時修復該短路的方法、圖13示意性地示出了當在圖9的TFT基板的像素電極中出現短路時修復該短路的方法、以及圖14示意性地示出了當在圖9的LCD裝置的存儲配線中出現斷開時橋電極如何起作用。首先，如圖9和圖10中那樣描述其中形成有橋電極84的TFT基板。如圖11中所示的，如果在數據線62中出現開區域0/，則出現像素缺陷。為了修復這種像素缺陷，通過將雷射束照射到與開區域O1 『的兩側相對應的數據線62和存儲配線觀、29的豎直部分四，而形成雷射短路區域LS1'和LS2'，從而電連接數據線62與存儲配線觀、29。此外，通過將雷射束照射到存儲配線觀、29的鄰近於斷開數據線62兩側的彎曲部分28a上而形成雷射切割區域LC1'和LC2'。由於沿橫向相互連接的存儲配線觀、四被施加以相同的存儲電壓，如果雷射切割區域LC1'和LC2'存在於任一個像素區的存儲配線 28,29中的話，則沿第一方向相互連接的存儲配線觀、29的存儲電壓不會被傳輸至隨後的像素區。然而，包含雷射切割區域LC1'和LC2'的存儲配線通過橋電極84電連接於設在緊鄰行中的存儲配線觀、29，因此被施以來自於設在緊鄰行中的存儲配線觀、29的存儲電壓信號。因此，可防止連接於包含雷射切割區域LC1'和LC2'的存儲配線觀、29的所有像素區受信號延遲的影響。如圖12中所示的，如果短路區域S/出現在數據線62與存儲配線28J9之間的話，連接於短路的數據線62的所有存儲配線觀、四都會受信號幹涉的影響，所述信號幹涉導致像素缺陷。為了修復所述像素缺陷，雷射切割區域LC3'和LC4'分別形成在位於數據線62兩側上的兩個彎曲部分^a中，從而防止信號幹涉出現在存儲配線觀、29與數據配線62、65、 66、67中。如果雷射切割區域LC3'和LC4'僅存在於任一個像素區的話，由於存儲配線38、 39藉助於橋電極84電連接(稍後參照圖11進行描述)，信號延遲不會出現在所述像素區之後的其它像素區中。如圖13中所示的，如果短路區域出現在存儲配線觀、四與像素電極82'之間的話，雷射切割區域LC5'、LC6'分別形成在鄰近於短路的存儲配線觀、四兩側的彎曲部分
中。如果雷射切割區域LC5'、LC6'僅存在於任一個像素區中的話，由於存儲配線38、 39藉助於橋電極84電連接(稍後參照圖11進行描述)，信號延遲出現在所述像素區之後的其它像素區中。
如圖14中所示的，如果開區域O2'出現在存儲配線觀、29(例如，其水平部分觀) 中的話，信號延遲出現在存在有開區域O2'的像素區域中。然而，由於第η行的存儲配線觀、四藉助於橋電極84電連接於第(η+1)行的存儲配線觀、29，因此施加於第(η+1)行存儲配線觀、29的存儲電壓信號被傳輸到第η行的存儲配線觀、29。因此，無論第η行的哪一個像素區具有開區域O2'，均不能發生信號延遲，即，其中存儲信號不傳輸到同一行其它像素區的現象。根據以上所述的本發明，可獲得以下有利效果中的至少一個首先，即使由於數據線的斷開導致壞像素，也可使用存儲配線的彎曲部分和橋電極安全且容易地修復壞像素。其次，即使由於存儲配線與數據線或像素電極之間的短路導致壞像素，也可使用存儲配線的彎曲部分和橋電極安全且容易地修復壞像素。最後，即使存儲配線斷開，橋電極也將斷開的存儲配線電連接於位於不同行中的存儲配線，因此斷開的存儲配線不會遭受信號延遲。儘管已出於解釋性的目的描述了本發明的示例性實施例，但本領域的技術人員應該理解，在不背離所附權利要求中公開的本發明基本特徵以及範圍和精神的前提下，可對本發明做出各種更改、添加和替換。因此，應理解的是，上述實施例不是限制性的，而僅是解釋性的。
權利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括 第一絕緣基板；柵極配線和存儲配線，沿第一方向基本彼此平行地布置在所述第一絕緣基板上； 數據配線，與所述柵極配線及存儲配線交叉但絕緣，並且所述數據配線基本沿第二方向布置；第一像素電極，形成在由所述柵極配線和數據配線限定的像素區上，以及第二像素電極，鄰近所述第一像素電極，其中，所述存儲配線包括水平部分和豎直部分，所述水平部分基本沿所述第一方向布置，所述豎直部分基本沿所述第二方向從所述水平部分分支並與所述數據配線交疊， 其中，所述豎直部分與所述第一和第二像素電極交疊，其中，第一像素電極與所述豎直部分之間的交疊寬度跟第二像素電極與所述豎直部分之間的交疊寬度基本相同。
2.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述豎直部分具有比所述數據配線的寬度更寬的寬度。
3.根據權利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，所述豎直部分沿第二方向與所述第一像素電極交疊。
4.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一像素電極和所述第一像素電極關於所述數據配線對稱。
5.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述水平部分包括不與所述第一像素電極交疊的至少一部分。
6.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述水平部分形成有不與所述第一像素電極交疊的突出部分。
7.根據權利要求6所述的液晶顯示裝置，其中，所述突出部分連接至所述豎直部分。
8.根據權利要求6所述的液晶顯示裝置，其中，所述突出部分不與所述柵極配線和所述數據配線交疊。
9.根據權利要求8所述的液晶顯示裝置，其中，所述突出部分是U形形狀的。
10.根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，進一步包括 開區域，形成在數據線上；雷射短路區域，通過將雷射束照射到與所述開區域的兩側相對應的所述數據線和所述豎直部分上而形成；以及一對雷射切割區域，通過將雷射束照射到一對水平部分上而形成，這對水平部分定位在鄰近於所述雷射短路區域的所述像素區中且不與所述第一像素電極交疊。
11.根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，進一步包括 短路區域，形成在所述數據線與所述存儲配線之間；以及一對雷射切割區域，通過將雷射束照射到一對水平部分上而形成，這對水平部分定位在鄰近於所述短路區域的所述像素區中且不與所述第一像素電極交疊。
12.根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，進一步包括 短路區域，形成在所述存儲配線與所述像素電極之間；以及一對雷射切割區域，通過將雷射束照射到一對水平部分上而形成，這對水平部分定位在鄰近於所述短路區域的所述像素區中且不與所述第一像素電極交疊。
13.一種修復液晶顯示裝置的壞像素的方法，所述液晶顯示裝置具有薄膜電晶體基板， 所述薄膜電晶體基板具有像素電極以及基本彼此平行地布置的柵極配線和存儲配線，其中所述存儲配線的至少一部分不與所述像素電極交疊，所述方法包括通過將雷射束照射到存儲配線的不與所述像素電極交疊的所述部分上而切割所述存儲配線。
14.根據權利要求13所述的方法，進一步包括照射雷射束使得當數據線中出現開區域時與所述開區域的兩側相對應的所述數據線和所述存儲配線彼此電連通。
15.一種液晶顯示裝置，包括第一絕緣基板；柵極配線和存儲配線，沿第一方向在所述第一絕緣基板上延伸；數據配線，與所述柵極配線及存儲配線交叉但絕緣，並且所述數據配線基本沿第二方向布置；像素電極，形成在由所述柵極配線和數據配線限定的像素區上，以及橋電極，所述橋電極將鄰近於所述柵極配線的一對所述存儲配線相互電連接，其中，所述存儲配線包括水平部分和豎直部分，所述水平部分基本沿所述第一方向布置，所述豎直部分基本沿所述第二方向從所述水平部分分支並與所述數據配線交疊。
16.根據權利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，所述水平部分包括不與所述像素電極交疊的至少一部分。
17.根據權利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，所述水平部分形成有不與所述像素電極交疊的突出部分。
18.根據權利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，所述橋電極將一對所述存儲配線中任一個的水平部分電連接至該對所述存儲配線中另一個存儲配線的豎直部分。
19.根據權利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，所述橋電極和所述像素電極基本由相同材料製成並基本形成在相同層中。
20.根據權利要求19所述的液晶顯示裝置，其中，所述橋電極由ITO或IZO製成。
21.根據權利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，所述像素區根據與所述像素區相對應的濾色片類型被限定為紅色像素區、綠色像素區或藍色像素區，並且所述橋電極形成在所述藍色像素區上。
22.根據權利要求21所述的液晶顯示裝置，其中，所述藍色像素區的像素電極的一區域小於紅色像素區或綠色像素區的像素電極的一區域。
23.根據權利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，所述豎直部分包括一突出部分，並且其中所述突出部分形成在所述豎直部分的遠端處。
24.根據權利要求23所述的液晶顯示裝置，其中，所述突出部分與所述橋電極連接。
25.根據權利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，所述橋電極通過橋電極接觸孔電連接水平部分，並且其中，所述橋電極接觸孔部分地與所述水平部分交疊。
26.根據權利要求15所述的液晶顯示裝置，進一步包括開區域，形成在數據線上；雷射短路區域，通過將雷射束照射到與所述開區域的兩側相對應的所述數據線和所述豎直部分上而形成；以及一對雷射切割區域，通過將雷射束照射到一對所述水平部分上而形成，這對水平部分定位在鄰近於所述雷射短路區域的所述像素區中且不與所述像素電極交疊，其中這對水平部分中的包括所述雷射短路區域的至少一個電連接於所述橋電極。
27.根據權利要求15所述的液晶顯示裝置，進一步包括 短路區域，形成在數據線與存儲配線之間；以及一對雷射切割區域，通過將雷射束照射到一對所述水平部分上而形成，這對水平部分定位在鄰近於所述短路區域的所述像素區中且不與所述像素電極交疊，其中這對水平部分中的包括雷射短路區域的至少一個電連接於所述橋電極。
28.根據權利要求15所述的液晶顯示裝置，進一步包括 短路區域，形成在所述存儲配線與所述像素電極之間；以及一對雷射切割區域，通過將雷射束照射到一對水平部分上而形成，這對水平部分定位在鄰近於所述短路區域的所述像素區中且不與所述像素電極交疊，其中這對水平部分中的包括所述雷射短路區域的至少一個電連接於所述橋電極。
29.一種液晶顯示裝置，包括第一絕緣基板；柵極配線和存儲配線，沿第一方向基本彼此平行地布置在所述第一絕緣基板上； 數據配線，與所述柵極配線及存儲配線交叉但絕緣，並且所述數據配線基本沿第二方向布置；像素電極，形成在由所述柵極配線和數據配線限定的像素區上， 第二絕緣基板，其面對所述第一絕緣基板；以及黑色矩陣，形成在所述第二絕緣基板上並隔開所述像素區，其中，所述存儲配線包括水平部分和豎直部分，所述水平部分基本沿所述第一方向布置，所述豎直部分基本沿所述第二方向從所述水平部分分支並與所述數據配線交疊，並且其中，所述豎直部分具有基本與所述黑色矩陣相同的寬度。
30.根據權利要求四所述的液晶顯示裝置，其中，所述水平部分包括不與所述像素電極交疊的至少一部分。
31.根據權利要求四所述的液晶顯示裝置，其中，所述水平部分形成有不與所述像素電極交疊的突出部分。
全文摘要
一種液晶顯示裝置以及修復其壞像素的方法，其中壞像素可被有效且容易地修復，該液晶顯示裝置包括第一絕緣基板；柵極配線和存儲配線，沿第一方向基本彼此平行地布置在第一絕緣基板上；數據配線，以絕緣的方式與柵極配線及存儲配線交叉並且基本沿第二方向布置；以及像素電極，形成在由柵極配線和數據配線限定的像素區上。存儲配線包括水平部分和豎直部分，該水平部分基本沿第一方向布置並且其至少一部分不與像素電極交疊，該豎直部分基本沿第二方向從水平部分分支並與數據配線交疊。
文檔編號G02F1/1362GK102176101SQ201110120128
公開日2011年9月7日 申請日期2007年11月5日 優先權日2006年11月3日
發明者姜信宅, 張鍾雄 申請人:三星電子株式會社