一種低電壓三相輸入升降壓dc電源裝置製造方法

2023-06-02 21:26:46 1

一種低電壓三相輸入升降壓dc電源裝置製造方法
【專利摘要】一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，屬於電源【技術領域】。該裝置由三相電輸入至三相可控矽移相控制倍壓整流電路，然後輸出至負載；所述三相可控矽移相控制倍壓整流電路由4個移相控制電路構成；電壓取樣電路、電流取樣電路及溫度取樣電路分別連接至電壓比較器，所述電壓比較器的下拉輸出端連接至光耦控制裝置的負端，所述光耦控制裝置的正端連接所述4個移相控制電路輸出的正端。該裝置採用可控矽移相控制倍壓整流電路，輸入低電壓調節範圍寬達8：1，控制了輸出電壓的穩定，各移相觸發電路中的三極體的E、C極連接了可控矽的控制極和陽極，增強了觸發功率，可提高可控矽的控制範圍，滿足低電壓輸入的需要。
【專利說明】-種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置

【技術領域】
[0001] 本發明屬於電源【技術領域】，特別涉及一種升降壓DC電源裝置。

【背景技術】
[0002] 目前，低電壓寬範圍三相輸入升降壓大功率DC電源一般都會採用三相整流濾 波-DC/DC轉換方案，而該方案需磁性元件升壓，難於實現，電磁兼容的處理使成本相當高， 體積也比較大。目前，國內外電源和晶片供應商，均無可行方案。
[0003] 為了解決該技術問題，目前可以採用單向可控矽倍壓整流方案，但是必須解決的 問題有：
[0004] 1、要有穩定的輸出電壓必須要有反饋控制；
[0005] 2、可控使用範圍必須彡170° ;
[0006] 3、輸入電壓最低是8V，必須穩定觸發，專用的觸發二極體和BT33作移相觸發需正 弦波電壓3 40V的輔助電源。


【發明內容】

[0007] 本發明的目的是為了克服現有技術的不足，提供一種低電壓三相輸入升降壓DC 電源裝置，該裝置低電壓調節範圍較寬，輸出的電壓穩定，裝置製作簡單，使用方便。
[0008] 本發明為實現上述目的所採用的技術方案是：一種低電壓三相輸入升降壓DC電 源裝置，其特徵是：三相電輸入至三相可控矽移相控制倍壓整流電路，然後輸出至負載；所 述三相可控矽移相控制倍壓整流電路由移相控制電路裝置控制，所述移相控制電路裝置由 4個移相控制電路構成；電壓取樣電路、電流取樣電路及溫度取樣電路分別連接至電壓比 較器，所述電壓比較器的下拉輸出端連接至光耦控制裝置的負端，所述光耦控制裝置的正 端連接所述4個移相控制電路輸出的正端，所述光耦控制裝置由4隻光耦的輸入端順向串 聯構成。
[0009] 所述三相可控矽移相控制倍壓整流電路由4隻單相可控矽組成單相整流橋，該整 流橋的輸入端接三相A、B、C的任意兩端，兩串聯的濾波電容的聯接點接三相A、B、C的三相 的另一相，單向可控矽組成的單相整流橋的正輸出端接所述的兩串聯濾波電容的正端，單 向可控矽組成的單相整流橋的負輸出端接所述的兩串聯濾波電容的負端。
[0010] 所述4隻單向可控矽，其觸發電路均相同，且每隻單向可控矽的構成均為：觸發極 接三極體的E極，三極體C極經一併聯的電阻和電容接該單向可控矽的陽極，三極體的B極 經一電容器接所述兩串聯濾波電容的正端，三極體的B極與單向可控矽陽極之間垮接二極 管由正到負，並與電阻並聯，三極體的B極還接光耦的E極，所述單向可控矽陽極還接光耦 的C極，4隻光耦的輸入端順向串聯，串聯後的正輸入端接所述兩串聯濾波電容的正端，4隻 光耦輸入端順向串聯後的負輸入端接電壓比較器的下拉輸出端。
[0011] 所述電壓取樣電路採用兩串聯的輸出電壓取樣電阻垮接兩串聯濾波電容的正負 端，其連接點經電阻接電壓比較器的負輸入端，其正輸入端連接設定的基準電壓。
[0012] 所述電流取樣電路輸出電流正信號至電壓比較器的負輸入端，電壓比較器的下拉 輸出端接另一個電壓比較器負輸入端。
[0013] 本發明方法的有益效果是：
[0014] 1、採用可控矽移相控制倍壓整流電路，輸入低電壓調節範圍寬達8 :1 ;
[0015] 2、採用4隻光耦，其輸入端均受輸出電壓控制，而其輸出端分別連接了 4個可控矽 移相控制倍壓整流電路，控制了輸出電壓的穩定；
[0016] 3、各移相觸發電路中的三極體的E、C極連接了可控矽的控制極和陽極，增強了觸 發功率，可提高可控矽的控制範圍，滿足低電壓輸入的需要。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 圖1是本發明一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置結構示意圖。
[0018] 圖2是本發明一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置的電路圖。
[0019] 圖中，1、三相電，2、三相可控矽移相控制倍壓整流電路，3、溫度取樣電路，4、電壓 取樣電路，5、負載，6、電流取樣電路，7、電壓比較器，8、光耦控制裝置，9、移相控制電路裝置

【具體實施方式】
[0020] 以下結合附圖對本發明做進一步說明，但是本發明並不局限於具體實施例。
[0021] 實施例
[0022] -種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，該裝置中，三相電1包括ABC三相輸入 至三相可控矽移相控制倍壓整流電路2,然後輸出至負載5 ;所述三相可控矽移相控制倍壓 整流電路由移相控制電路裝置9控制，所述移相控制電路裝置由4個移相控制電路構成；電 壓取樣電路4、電流取樣電路6及溫度取樣電路3分別連接至電壓比較器7,所述電壓比較 器的下拉輸出端連接至光耦控制裝置8的負端，所述光耦控制裝置的正端連接所述4個移 相控制電路輸出的正端，所述光耦控制裝置由4隻光耦的輸入端順向串聯構成。
[0023] 三相可控矽倍壓整流濾波電容由4隻單相可控矽Q1-Q4組成單相整流橋，該整流 橋的輸入端接三相A、B、C的任意兩端，兩串聯的濾波電容Cll、C12的聯接點接三相A、B、 C的三相的另一相，單向可控矽Q1-Q4組成的單相整流橋的正輸出端接所述的兩串聯濾波 電容的正端，單向可控矽Q1-Q4組成的單相整流橋的負輸出端接所述的兩串聯濾波電容車 C11、C12的負端。
[0024] 4隻單向可控矽Q1-Q4的觸發電路相同，圖2中，觸發電路之一的可控矽Q1觸發極 接三極體Q11的E極，該三極體C極經一併聯的電阻R2和電容C2接所述該可控矽的陽極， 所述三極體的B極經電容C1器接所述兩串聯濾波電容的正端，所述三極體的B極與所述單 向可控矽陽極Q1之間垮接二極體D1由正到負，並與電阻R1並聯，三極體Q11的B極還接 一光耦U1的E極，所述單向可控矽Q1陽極還接光耦U1的C極，4隻所述光耦U1-U4的輸入 端順向串聯，串聯後的正輸入端接所述兩串聯濾波電容C11、C12的正端，4隻光耦U1-U4輸 入端順向串聯後的負輸入端經電阻R11接電壓比較器IC1的集電極開路輸出端。
[0025] 電壓取樣電路採用兩串聯的輸出電壓取樣電阻R12、R13垮接兩串聯濾波電容的 正負端，其連接點經電阻R14接電壓比較器IC1的輸入端，其"+"輸入端連接穩定的 基準電壓。
[0026] 電流取樣電路的輸出電流正信號至電壓比較器IC2的負輸入端，IC2的下拉輸出 端接電壓比較器IC1的輸入端。
【權利要求】
1. 一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，其特徵是：三相電⑴輸入至三相可控矽 移相控制倍壓整流電路（2)，然後輸出至負載（5);所述三相可控矽移相控制倍壓整流電路 由移相控制電路裝置（9)控制，所述移相控制電路裝置由4個移相控制電路構成；電壓取樣 電路（4)、電流取樣電路（6)及溫度取樣電路⑶分別連接至電壓比較器（7)，所述電壓比 較器的下拉輸出端連接至光耦控制裝置（8)的負端，所述光耦控制裝置的正端連接所述4 個移相控制電路輸出的正端，所述光耦控制裝置由4隻光耦的輸入端順向串聯構成。
2. 根據權利要求1所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，其特徵是：所述三 相可控矽移相控制倍壓整流電路由4隻單相可控矽組成單相整流橋，該整流橋的輸入端接 三相A、B、C的任意兩端，兩串聯的濾波電容的聯接點接三相A、B、C的三相的另一相，單向 可控矽組成的單相整流橋的正輸出端接所述的兩串聯濾波電容的正端，單向可控矽組成的 單相整流橋的負輸出端接所述的兩串聯濾波電容的負端。
3. 根據權利要求2所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，其特徵是：所述 4隻單向可控矽，其觸發電路均相同，且每隻單向可控矽的構成均為：觸發極接三極體的E 極，三極體C極經一併聯的電阻和電容接該單向可控矽的陽極，三極體的B極經一電容器接 所述兩串聯濾波電容的正端，三極體的B極與單向可控矽陽極之間垮接二極體由正到負， 並與電阻並聯，三極體的B極還接光耦的E極，所述單向可控矽陽極還接光耦的C極，4隻光 耦的輸入端順向串聯，串聯後的正輸入端接所述兩串聯濾波電容的正端，4隻光耦輸入端順 向串聯後的負輸入端接電壓比較器的下拉輸出端。
4. 根據權利要求1所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，其特徵是：所述電 壓取樣電路採用兩串聯的輸出電壓取樣電阻垮接兩串聯濾波電容的正負端，其連接點經電 阻接電壓比較器的負輸入端，其正輸入端連接設定的基準電壓。
5. 根據權利要求1所述的一種低電壓三相輸入升降壓DC電源裝置，其特徵是：所述電 流取樣電路輸出電流正信號至電壓比較器的負輸入端，電壓比較器的下拉輸出端接另一個 電壓比較器負輸入端。
【文檔編號】H02M7/219GK104052318SQ201410277308
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月19日 優先權日:2014年6月19日
【發明者】林國強, 李強, 錢立平, 韓治昀, 鄒瑞洵 申請人:大連理工常州研究院有限公司