一種陣列基板過孔的製作方法及陣列基板製作工藝的製作方法
2023-06-28 16:39:51
專利名稱：一種陣列基板過孔的製作方法及陣列基板製作工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及陣列基板加工技術領域，特別涉及一種陣列基板過孔的製作方法及陣列基板製作工藝。
背景技術：
在液晶顯示面板的陣列基板製備工藝中，過孔工藝是一項很重要的工藝，陣列基板中通常通過過孔工藝將位於不同層級的金屬裸露，然後通過後續工藝將位於不同層級的金屬的裸露部分連接，或將同位於同一層級的金屬連接，例如陣列基板的柵極線與數據線之間的連接、數據線與像素電極之間的連接以及公共電極線的矩陣結構的形成等。過孔工藝的優劣直接影響到產品的良率以及最終面板的相關性能。 由於陣列基板中，位於不同層級的金屬與待刻蝕的產品的上表面之間的深度不同，即刻蝕深度不同，甚至，同一層的金屬與待刻蝕的產品的上表面之間的深度也不同，即刻蝕深度不同。為便於描述，本文中，待過孔陣列基板中，刻蝕深度為兩種，且距離待過孔陣列基板的刻蝕表面距離較遠的金屬層稱為深區金屬層，深區金屬層對應的過孔稱為深孔，開設深孔的區域稱為深孔區域；而距離待過孔陣列基板的刻蝕表面距離較近的金屬層稱為淺區金屬層，淺區金屬層對應的過孔稱為淺孔，開設淺孔的區域稱為淺孔區域。目前陣列基板製備工藝的過孔工藝中，無論是深孔區域的深孔或淺孔區域的淺孔，都統一使用一掩膜板一次曝光刻蝕完成，極易導致淺區金屬層產生刻蝕過度的現象。以柵極線和數據線之間的過孔工藝為例，如圖I和圖2所示，圖I為現有技術中的過孔工藝中數據線金屬層所處淺孔區域的淺孔已刻蝕至數據線金屬層的結構示意圖；圖2為現有技術中的過孔工藝中柵極線金屬層所述深孔區域的深孔刻蝕至柵極線金屬層的結構示意圖。如圖I所示，圖I所示的待過孔陣列基板包括基板01，沉積於基板01之上並刻蝕之後的柵極線金屬層06，沉積於上述柵極線金屬層06及基板01上的柵極絕緣層02，依次沉積於柵極絕緣層02且刻蝕的有源層03以及數據線金屬層04，以及，覆蓋於上述各層之上的絕緣層05。根據圖I所示結構，柵極線金屬層06與待過孔陣列基板的上表面之間具有柵極絕緣層02、和絕緣層05，過孔時的刻蝕深度較深，屬於深孔區域；而數據線金屬層04與待過孔陣列基板的上表面之間只具有絕緣層05，過孔時的刻蝕深度較淺，屬於淺孔區域；連接到柵極線金屬層06的深孔061需要刻蝕柵極絕緣層02和數據絕緣層05，而連接到數據線金屬層04的淺孔041隻需要刻蝕絕緣層05，因此當淺孔041刻蝕完成後，數據線金屬層04的表層金屬已暴露，而深孔061隻刻蝕到柵極絕緣層02，還需要對刻蝕深度dl的柵極絕緣層02進行刻蝕.如圖2所示結構，當深孔061繼續刻蝕時，數據線金屬層04通過淺孔041已經裸露的金屬會繼續刻蝕，當深孔061刻蝕至柵極線金屬層06時，刻蝕液會通過淺孔041對數據線金屬層04中已經裸露的金屬產生深度為d2的過度刻蝕，進而對數據線金屬層04造成過刻不良。過刻不良會導致金屬表面氧化，進而引起電阻過大或斷路等不良的出現，直接影響產品的良率。
發明內容
本發明提供了一種陣列基板過孔的製作方法及陣列基板製作工藝，以改善現有技術中的過孔工藝中過孔深度較淺的過孔處產生的過刻不良，提高產品良率。
為達到上述目的，本發明提供以下技術方案一種陣列基板過孔的製作方法，包括步驟預刻蝕，分別對多個需要生成過孔的區域中的至少一個區域所對的金屬層上方的層級結構進行部分刻蝕，使得需要生成過孔的多個區域中與其相應金屬層之間的刻蝕深度餘量相同；刻蝕，對所述多個需要生成過孔的區域進行同步刻蝕，直至各個過孔連接到其金屬層。優選地，所述多個需要生成過孔的區域中生成過孔需刻蝕的刻蝕深度為兩種，其中，刻蝕深度較深的稱為深孔，刻蝕深度較淺的稱為淺孔；步驟預刻蝕中，對深孔所對的深孔區域進行部分刻蝕，使得深孔區域的刻蝕深度餘量與所述淺孔所對的淺孔區域的刻蝕深度相同。優選地，所述步驟預刻蝕之前還包括步驟塗覆光刻膠；曝光，對深孔區域的光刻膠進行完全曝光，對淺孔區域的光刻膠進行半曝光，淺孔區域的光刻膠留有預定的曝光餘量；所述步驟刻蝕與所述步驟預刻蝕之間還包括步驟灰化，灰化去除淺孔區域內光刻膠的曝光餘量； 所述步驟刻蝕之後還包括步驟剝離，將多餘光刻膠剝離去除。優選地，所述步驟曝光中，使用具有全透光區和半透光區的掩膜板進行曝光，其中，所述半透掩膜板的全透光區與深孔區域對應，半透光區與淺孔區域對應。本發明還提供了一種陣列基板製作工藝，包括步驟在基板上形成柵極線金屬層；在柵極線金屬層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上依次形成有源層和數據線金屬層；在數據線金屬層以及柵極絕緣層之上形成絕緣層；預刻蝕，分別對多個需要生成過孔的區域中的至少一個區域所對的金屬層上方的層級結構進行部分刻蝕，使得需要生成過孔的多個區域中與其相應金屬層之間的刻蝕深度餘量相同；刻蝕，對所述多個需要生成過孔的區域進行同步刻蝕，直至各個過孔連接到其金
屬層；沉積刻蝕電極層，實現相應金屬層之間的連接。
優選地，所述多個需要生成過孔的區域中生成過孔需刻蝕的刻蝕深度為兩種，其中，刻蝕深度較深的稱為深孔，刻蝕深度較淺的稱為淺孔；步驟預刻蝕中，對深孔所對的深孔區域進行部分刻蝕，使得深孔區域的刻蝕深度餘量與所述淺孔所對的淺孔區域的刻蝕深度相同。優選地，所述步驟預刻蝕之前還包括步驟塗覆光刻膠； 曝光，對深孔區域的光刻膠進行完全曝光，對淺孔區域的光刻膠進行半曝光，淺孔區域的光刻膠留有預定的曝光餘量；所述步驟刻蝕與所述步驟預刻蝕之間還包括步驟灰化，灰化去除淺孔區域內光刻膠的曝光餘量；所述步驟刻蝕之後還包括步驟剝離，將多餘光刻膠剝離去除。優選地，所述深區金屬層為柵極線金屬層，所述淺區金屬層為數據線金屬層，所述電極層實現柵極線金屬層與所述數據線金屬層之間的連接。優選地，所述步驟塗覆光刻膠中，在所述絕緣層上塗覆光刻膠；所述步驟曝光中，對柵極線金屬層所對深孔區域的光刻膠進行完全曝光，對數據線金屬層所對淺孔區域的光刻膠進行半曝光，淺孔區域的光刻膠留有預定的曝光餘量；所述步驟預刻蝕中，對完全曝光的深孔區域進行部分刻蝕，並在柵極線金屬層上方留有預定的刻蝕深度餘量，所述預定的刻蝕深度餘量與淺孔區域的刻蝕深度相同；所述步驟灰化中，灰化去除淺孔區域內光刻膠的曝光餘量；所述步驟刻蝕中，對淺孔區域以及深孔區域進行刻蝕，直至深孔區域的深孔連接到柵極線金屬層，同時，淺孔區域的淺孔連接到數據線金屬層；所述步驟剝離中，將多餘光刻膠剝離去除。優選地，所述絕緣層的刻蝕深度與所述柵極絕緣層的刻蝕深度相同，所述步驟預刻蝕中，所述深孔預刻蝕至柵極絕緣層。本發明提供的陣列基板過孔的製作方法，包括步驟預刻蝕，分別對多個需要生成過孔的區域中的至少一個區域所對的金屬層上方的層級結構進行部分刻蝕，使得需要生成過孔的多個區域中與其相應金屬層之間的刻蝕深度餘量相同；刻蝕，對所述多個需要生成過孔的區域進行同步刻蝕，直至各個過孔連接到其金屬層。本發明提供的陣列基板過孔的製作方法中，通過步驟預刻蝕對需要生成過孔的區域中與其所對的金屬層之間刻蝕深度較深的區域進行部分刻蝕，使得需要生成過孔的多個區域中與其相應金屬層之間的刻蝕深度餘量相同，當然，這裡所說的相同只是理論上相同的意思，實際操作過程中，由於人為因素，刻蝕液等因素以及操作誤差等各種不確定因素的存在，只要預定的刻蝕深度餘量淺孔區域的刻蝕深度之間不存在較大誤差，能夠減小步驟刻蝕中對多個需要生成過孔的區域進行同步刻蝕時多個需要生成過孔的區域與其所對金屬層之間的刻蝕深度之間的差值即可；然後經過步驟刻蝕對所有需要生成過孔的區域進行同步刻蝕，使各個過孔同時連接到其金屬層；通過該方法，先將過個刻蝕深度不同的過孔所對區域中刻蝕深度較深的過孔所對的區域刻蝕掉一部分，從而保證在步驟刻蝕中，各個過孔之間的刻蝕餘量接近相同，使各個過孔同時連接到其對應的金屬層，降低刻蝕深度較淺的過孔處產生的過刻現象。所以，本發明提供的陣列基板過孔的製作方法能夠改善過孔工藝中刻蝕深度較淺的過孔處廣生的過刻不良現象， 提聞廣品良率。
圖I為現有技術中的過孔工藝中數據線金屬層所處淺孔區域的淺孔已刻蝕至數據線金屬層的結構示意圖；圖2為現有技術中的過孔工藝中柵極線金屬層所述深孔區域的深孔刻蝕至柵極線金屬層的結構示意圖；圖3為本發明實施例一提供的陣列基板過孔的製作方法的流程圖；圖4為本發明實施例二提供的陣列基板過孔的製作方法的流程圖；圖5為本發明實施例三提供的陣列基板製作工藝的流程圖；圖6為本發明實施例四提供的陣列基板製作工藝的流程圖；圖7為本發明實施例五提供的陣列基板製作工藝中步驟塗覆光刻膠之後的陣列基板的結構不意圖；圖8為本發明實施例五提供的陣列基板製作工藝中步驟曝光之後的陣列基板的結構示意圖；圖9為本發明實施例五提供的陣列基板製作工藝中步驟預刻蝕之後的陣列基板的結構不意圖；圖10為本發明實施例五提供的陣列基板製作工藝中步驟灰化之後的陣列基板的結構示意圖；圖11為本發明實施例五提供的陣列基板製作工藝中步驟刻蝕之後的陣列基板的結構示意圖；圖12為本發明實施例五提供的陣列基板製作工藝中步驟剝離之後的陣列基板的結構示意圖；圖13為本發明實施例五提供的陣列基板製作工藝中步驟沉積刻蝕電極層之後的陣列基板的結構示意圖。
具體實施例方式下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。實施例一如圖3所示，本實施例提供了一種陣列基板過孔的製作方法，該方法包括步驟101預刻蝕，分別對多個需要生成過孔的區域中的至少一個區域所對的金屬層上方的層級結構進行部分刻蝕，使得需要生成過孔的多個區域中與其相應金屬層之間的刻蝕深度餘量相同；步驟102刻蝕，對多個需要生成過孔的區域進行同步刻蝕，直至各個過孔連接到
其金屬層。本發明提供的陣列基板過孔的製作方法中，對各個需要生成過孔的區域，根據與其所對金屬層之間的刻蝕深度不同而進行分步刻蝕；首先，通過步驟101預刻蝕對需要生成過孔的區域中與其所對的金屬層之間刻蝕深度較深的區域進行部分刻蝕，使得需要生成過孔的多個區域中與其相應金屬層之間的刻蝕深度餘量相同，當然，這裡所說的相同只是理論上相同的意思，實際操作過程中，由於人為因素，刻蝕液等因素以及操作誤差等各種不確定因素的存在，只要預定的刻蝕深度餘量淺孔區域的刻蝕深度之間不存在較大誤差，能夠減小步驟102刻蝕中對多個需要生成過孔的區域進行同步刻蝕時多個需要生成過孔的區域與其所對金屬層之間的刻蝕深度之間的差值即可；然後經過步驟102刻蝕對所有需要生成過孔的區域進行同步刻蝕，使各個過孔同時連接到其金屬層；通過該方法，先將過個刻蝕深度不同的過孔所對區域中刻蝕深度較深的過孔所對的區域刻蝕掉一部分，從而保證在 步驟102刻蝕中，各個過孔之間的刻蝕餘量接近相同，使各個過孔同時連接到其對應的金屬層，降低刻蝕深度較淺的過孔處產生的過刻現象。所以，本發明提供的陣列基板過孔的製作方法能夠改善過孔工藝中刻蝕深度較淺的過孔處廣生的過刻不良現象，提聞廣品良率。由於陣列基板中的過孔連接一般實現的是兩層金屬層之間的連接，優選地，上述技術方案中提到的多個需要生成過孔的區域中生成過孔需刻蝕的刻蝕深度為兩種，其中，刻蝕深度較深的稱為深孔，刻蝕深度較淺的稱為淺孔；步驟101預刻蝕中，對深孔所對的深孔區域進行部分刻蝕，使得深孔區域的刻蝕深度餘量與淺孔所對的淺孔區域的刻蝕深度相同。
實施例二 當多個刻蝕深度不同的過孔為刻蝕深度較深且刻蝕深度相同的深孔，和刻蝕深度較淺且刻蝕深度相同的淺孔時，如圖4所示，本實施例提供的陣列基板過孔的製作方法包括步驟201塗覆光刻膠；步驟202曝光，對深孔區域的光刻膠進行完全曝光，對淺孔區域的光刻膠進行半曝光，淺孔區域的光刻膠留有預定的曝光餘量；步驟203預刻蝕，對深孔區域進行部分刻蝕，並在深區金屬層上方留有預定的刻蝕深度餘量，所述預定的刻蝕深度餘量與淺孔區域的刻蝕深度相同步驟204灰化，灰化去除淺孔區域內光刻膠的曝光餘量；步驟205刻蝕，對淺孔區域以及深孔區域進行同步刻蝕，直至深孔區域的深孔連接到深區金屬層，同時，淺孔區域的淺孔連接到淺區金屬層；步驟206剝離，將多餘光刻膠剝離去除。本實施例中，在步驟201塗覆光刻膠之後，通過步驟202曝光，將深孔區域的刻蝕部位裸露，而淺孔區域的刻蝕部位被半曝光之後剩餘的光刻膠保護，從而實現刻蝕時只對深孔區域刻蝕的效果；在步驟203預刻蝕完成之後，經過步驟204灰化，將淺孔區域內半曝光剩餘的光刻膠灰化去除，將淺孔區域內的刻蝕部位裸露，然後進行步驟205刻蝕，對深孔區域以及淺孔區域進行同步刻蝕，步驟205刻蝕完成之後，通過步驟206剝離將剩餘的光刻膠去除，從而不會影響後續工藝。優選地，上述步驟202曝光中，使用具有全透光區和半透光區的掩膜板進行曝光，其中，半透掩膜板的全透光區與深孔區域對應，半透光區與淺孔區域對應。本實施例通過採用半透掩膜板進行的半曝光技術，通過塗覆一次光刻膠即可實現對深孔區域和淺孔區域的分步刻蝕，可以簡化工藝。實施例三如圖5所示，在上述技術方案的基礎上，本發明還提供了一種陣列基板製作工藝，該工藝包括步驟301在基板上形成柵極線金屬層； 步驟302在柵極線金屬層上形成柵極絕緣層； 步驟303在柵極絕緣層上依次形成有源層和數據線金屬層；步驟304在數據線金屬層以及柵極絕緣層之上形成絕緣層；步驟305預刻蝕，分別對多個需要生成過孔的區域中的至少一個區域所對的金屬層上方的層級結構進行部分刻蝕，使得需要生成過孔的多個區域中與其相應金屬層之間的刻蝕深度餘量相同；步驟306刻蝕，對所述多個需要生成過孔的區域進行同步刻蝕，直至各個過孔連接到其金屬層；步驟307沉積刻蝕電極層，實現相應金屬層之間的連接。使用上述陣列基板製作工藝製作的陣列基板，其刻蝕深度較淺的過孔處的過刻現象得到了極大地改善，減少了刻蝕深度較淺的過孔所對的區域內電阻過大或者斷路等不良，提聞了廣品的良率。由於陣列基板中的過孔連接一般實現的是兩層金屬層之間的連接，優選地，上述技術方案中提到的多個需要生成過孔的區域中生成過孔需刻蝕的刻蝕深度為兩種，其中，刻蝕深度較深的稱為深孔，刻蝕深度較淺的稱為淺孔；步驟305預刻蝕中，對深孔所對的深孔區域進行部分刻蝕，使得深孔區域的刻蝕深度餘量與淺孔所對的淺孔區域的刻蝕深度相同。實施例四當多個刻蝕深度不同的過孔為刻蝕深度較深且刻蝕深度相同的深孔，和刻蝕深度較淺且刻蝕深度相同的淺孔時，如圖6和圖7所示，本實施例提供的陣列基板製作工藝包括步驟401在基板I上形成柵極線金屬層6 ；步驟402在柵極線金屬層6上形成柵極絕緣層2 ；步驟403在柵極絕緣層2上依次形成有源層3和數據線金屬層4 ；步驟404在數據線金屬層以及柵極絕緣層之上形成絕緣層5 ；步驟405塗覆光刻膠；步驟406曝光，對深孔區域的光刻膠進行完全曝光，對淺孔區域的光刻膠進行半曝光，淺孔區域的光刻膠留有預定的曝光餘量；步驟407預刻蝕，對深孔區域進行部分刻蝕，並在深區金屬層上方留有預定的刻蝕深度餘量，所述預定的刻蝕深度餘量與淺孔區域的刻蝕深度相同步驟408灰化，灰化去除淺孔區域內光刻膠的曝光餘量；步驟409刻蝕，對淺孔區域以及深孔區域進行同步刻蝕，直至深孔區域的深孔連接到深區金屬層，同時，淺孔區域的淺孔連接到淺區金屬層；步驟410剝離，將多餘光刻膠剝離去除；步驟411沉積刻蝕電極層，實現相應金屬層之間的連接。本實施例中，在步驟405塗覆光刻膠之後，通過步驟406曝光，將深孔區域的刻蝕部位裸露，而淺孔區域的刻蝕部位被半曝光之後剩餘的光刻膠保護，從而實現刻蝕時只對深孔區域刻蝕的效果；在步驟407預刻蝕完成之後，經過步驟408灰化，將淺孔區域內半曝光剩餘的光刻膠灰化去除，將淺孔區域內的刻蝕部位裸露，然後進行步驟409刻蝕，對深孔 區域以及淺孔區域進行同步刻蝕，步驟205刻蝕完成之後，通過步驟410剝離將剩餘的光刻膠去除，從而不會影響後續工藝。實施例五如圖13所示，具體的，實施例四中提到的深區金屬層可以為柵極線金屬層6，上述淺區金屬層為數據線金屬層4，同時，上述電極層9實現柵極線金屬層6與所述數據線金屬層4之間的連接。如圖7至圖12所示，針對上述方案，本發明提供的陣列基板製作工藝中，步驟405塗覆光刻膠中，如圖7所示，在絕緣層5上塗覆光刻膠7 ；步驟406曝光中，如圖8所示，對柵極線金屬層6所對深孔區域A的光刻膠進行完全曝光，對數據線金屬層4所對淺孔區域B的光刻膠進行半曝光，淺孔區域的光刻膠留有預定的曝光餘量8 ;深孔區域A的光刻膠完全曝光之後，深孔區域A內的刻蝕表面完全裸露；而淺孔區域B的刻蝕表面還被光刻膠保護；步驟407預刻蝕中，如圖9所示，對完全曝光的深孔區域A進行部分刻蝕，刻蝕深度Dl如圖9中所示，並在柵極線金屬層6上方留有預定的刻蝕深度餘量D2，刻蝕深度餘量D2如圖9中所示；柵極線金屬層6上方留有的預定的刻蝕深度餘量D2與淺孔區域的刻蝕深度D3相同;步驟408灰化中，如圖10所示，灰化去除淺孔區域內光刻膠的曝光餘量8 ;通過步驟灰化，將淺孔區域內半曝光的光刻膠的曝光餘量8灰化去除，是淺孔區域內的刻蝕表面裸露；步驟409刻蝕中，如圖11所示，對淺孔區域以及深孔區域進行刻蝕，直至深孔區域的深孔連接到柵極線金屬層6，同時，淺孔區域的淺孔連接到數據線金屬層5 ；步驟410剝離中，如圖12所示，將多餘光刻膠剝離去除。具體的，上述絕緣層5的刻蝕深度與柵極絕緣層2的刻蝕深度相同，因此，上述步驟預刻蝕中，所述深孔預刻蝕至柵極絕緣層2。實施例六上述實施例三以及實施例四，僅僅列舉了一種陣列基板的製作工藝，該工藝中採用了實施例一以及實施例二描述的陣列基板過孔的製作方法製作過孔；當然，陣列基板的具體結構多種多樣，陣列基板中需要過孔連接的金屬層多種多樣，深孔和淺孔的個數根據實際需要也可以有多種選擇，上述的陣列基板的過孔方法還可以應用於具有其它層級結構的陣列基板上。如，具有其它層級結構的陣列基板中，其深區金屬層可以為數據線金屬層，淺區金屬層為像素電極層，電極層實現數據線金屬層與像素電極層之間的連接。當然，深區金屬層和淺區金屬層還可以有其他選擇，這裡不再一一贅述。顯然，本領域的技術人員可以對本發明實施例進行各種改動和變型而不脫離本發 明的精神和範圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬於本發明權利要求及其等同技術的範圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
1.一種陣列基板過孔的製作方法，其特徵在於，包括步驟 預刻蝕，分別對多個需要生成過孔的區域中的至少一個區域所對的金屬層上方的層級結構進行部分刻蝕，使得需要生成過孔的多個區域中與其相應金屬層之間的刻蝕深度餘量相同； 刻蝕，對所述多個需要生成過孔的區域進行同步刻蝕，直至各個過孔連接到其金屬層。
2.根據權利要求I所述的陣列基板過孔的製作方法，其特徵在於，所述多個需要生成過孔的區域中生成過孔需刻蝕的刻蝕深度為兩種，其中，刻蝕深度較深的稱為深孔，刻蝕深度較淺的稱為淺孔； 步驟預刻蝕中，對深孔所對的深孔區域進行部分刻蝕，使得深孔區域的刻蝕深度餘量與所述淺孔所對的淺孔區域的刻蝕深度相同。
3.根據權利要求2所述的陣列基板過孔的製作方法，其特徵在於，所述步驟預刻蝕之前還包括步驟 塗覆光刻膠； 曝光，對深孔區域的光刻膠進行完全曝光，對淺孔區域的光刻膠進行半曝光，淺孔區域的光刻膠留有預定的曝光餘量； 所述步驟刻蝕與所述步驟預刻蝕之間還包括步驟 灰化，灰化去除淺孔區域內光刻膠的曝光餘量； 所述步驟刻蝕之後還包括步驟 剝離，將多餘光刻膠剝離去除。
4.根據權利要求3所述的陣列基板過孔的製作方法，其特徵在於，所述步驟曝光中，使用具有全透光區和半透光區的掩膜板進行曝光，其中，所述半透掩膜板的全透光區與深孔區域對應，半透光區與淺孔區域對應。
5.一種陣列基板製作工藝，其特徵在於，包括步驟 在基板上形成柵極線金屬層； 在柵極線金屬層上形成柵極絕緣層； 在柵極絕緣層上依次形成有源層和數據線金屬層； 在數據線金屬層以及柵極絕緣層之上形成絕緣層； 預刻蝕，分別對多個需要生成過孔的區域中的至少一個區域所對的金屬層上方的層級結構進行部分刻蝕，使得需要生成過孔的多個區域中與其相應金屬層之間的刻蝕深度餘量相同； 刻蝕，對所述多個需要生成過孔的區域進行同步刻蝕，直至各個過孔連接到其金屬層； 沉積刻蝕電極層，實現相應金屬層之間的連接。
6.根據權利要求5所述的陣列基板製作工藝，其特徵在於，所述多個需要生成過孔的區域中生成過孔需刻蝕的刻蝕深度為兩種，其中，刻蝕深度較深的稱為深孔，刻蝕深度較淺的稱為淺孔； 步驟預刻蝕中，對深孔所對的深孔區域進行部分刻蝕，使得深孔區域的刻蝕深度餘量與所述淺孔所對的淺孔區域的刻蝕深度相同。
7.根據權利要求6所述的陣列基板製作工藝，其特徵在於，所述步驟預刻蝕之前還包括步驟 塗覆光刻膠； 曝光，對深孔區域的光刻膠進行完全曝光，對淺孔區域的光刻膠進行半曝光，淺孔區域的光刻膠留有預定的曝光餘量； 所述步驟刻蝕與所述步驟預刻蝕之間還包括步驟 灰化，灰化去除淺孔區域內光刻膠的曝光餘量； 所述步驟刻蝕之後還包括步驟 剝離，將多餘光刻膠剝離去除。
8.根據權利要求7所述的陣列基板製作工藝，其特徵在於，所述深區金屬層為柵極線金屬層，所述淺區金屬層為數據線金屬層，所述電極層實現柵極線金屬層與所述數據線金屬層之間的連接。
9.根據權利要求8所述的陣列基板製作工藝，其特徵在於 所述步驟塗覆光刻膠中，在所述絕緣層上塗覆光刻膠； 所述步驟曝光中，對柵極線金屬層所對深孔區域的光刻膠進行完全曝光，對數據線金屬層所對淺孔區域的光刻膠進行半曝光，淺孔區域的光刻膠留有預定的曝光餘量； 所述步驟預刻蝕中，對完全曝光的深孔區域進行部分刻蝕，並在柵極線金屬層上方留有預定的刻蝕深度餘量，所述預定的刻蝕深度餘量與淺孔區域的刻蝕深度相同； 所述步驟灰化中，灰化去除淺孔區域內光刻膠的曝光餘量； 所述步驟刻蝕中，對淺孔區域以及深孔區域進行刻蝕，直至深孔區域的深孔連接到柵極線金屬層，同時，淺孔區域的淺孔連接到數據線金屬層； 所述步驟剝離中，將多餘光刻膠剝離去除。
10.根據權利要求9所述的陣列基板製作工藝，其特徵在於，所述絕緣層的刻蝕深度與所述柵極絕緣層的刻蝕深度相同，所述步驟預刻蝕中，所述深孔預刻蝕至柵極絕。
全文摘要
本發明公開了一種陣列基板過孔的製作方法，包括步驟預刻蝕，分別對多個需要生成過孔的區域中的至少一個區域所對的金屬層上方的層級結構進行部分刻蝕，使得需要生成過孔的多個區域中與其相應金屬層之間的刻蝕深度餘量相同；刻蝕，對所述多個需要生成過孔的區域進行同步刻蝕，直至各個過孔連接到其金屬層。本發明提供的陣列基板過孔的製作方法中各個刻蝕深度不同的區域進行分步刻蝕，步驟預刻蝕之後，各個過孔的刻蝕深度餘量相同，然後經過步驟刻蝕對所有過孔進行同步刻蝕，使各個過孔同時連接到其金屬層，降低刻蝕深度較淺的過孔處產生的過刻不良現象，提高產品良率。
文檔編號H01L21/77GK102751241SQ20121022687
公開日2012年10月24日 申請日期2012年6月29日 優先權日2012年6月29日
發明者封賓, 白金超 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司