液晶顯示器和壞像素修複方法
2023-06-29 05:11:21 1
專利名稱：液晶顯示器和壞像素修複方法
技術領域：
本發明總的來說涉及一種顯示裝置，具體而言涉及一種液晶顯示器(LCD)以及修復LCD中壞像素的方法。
背景技術：
陰極射線管(CRT)被廣泛應用作為電視(TV)、監視系統、和信息終端裝置(例如，計算機)的顯示屏。然而，因為CRT的笨重使得其不適於體積小、重量輕的電子產品，CRT逐漸被其他類型的顯示裝置替代。
液晶顯示器(LCD)是在很多應用中替代CRT的顯示裝置之一。LCD具有成為適於當今消費型電子設備的優點，例如，重量輕、薄、低能耗。LCD利用注入液晶板中的液晶的電學和光學特性來顯示圖像。由於上述優點，LCD被廣泛地使用在包括計算機、移動通信裝置等各種電子裝置中。
LCD包括兩個具有濾色器和TFT陣列的基板，以及介於兩個基板之間的液晶層。更具體來說，在兩個基板之一中，具有多條數據線、與數據線交叉的多條柵極線、以及形成在柵極線與數據線的交叉點附近的TFT。TFT通過柵極線和數據線驅動。
如果向像素提供信號的數據線僅部分導通，則該像素是「壞的」或者有缺陷。如果有了壞像素，那麼當一條數據線導通時，連接到該數據線的全部其他像素因為接收不到數據信號而無法工作。這種壞像素缺陷對產量具有負面影響。為了增加LCD的產量，期望有簡單修復壞像素的方法。
發明內容
本發明的實施例提供了一種液晶顯示器(LCD)，其包括能夠容易地修復壞像素的部件。本發明的實施例還提供了一種修復LCD中壞像素的方法。
在本發明的一個示意性實施例中，LCD包括柵極線，形成在絕緣板上，並沿第一方向延伸；數據線，形成在絕緣板上，並沿基本垂直於第一方向的第二方向延伸；以及像素電極。數據線與柵極線電隔離。在柵極線和數據線上的每個像素中形成像素電極。薄膜電晶體(TFT)連接至柵極線、數據線、和像素電極，並且修復互聯部在至少兩個位置上與數據線交疊。修復互聯部是電絕緣的。
根據本發明的另一示意性實施例，液晶顯示器包括柵極線，形成在絕緣板上；以及數據線，形成在絕緣板上，並沿基本垂直於第一方向的第二方向延伸。數據線與柵極線電隔離。在柵極線和數據線上的每個像素中形成彎曲狀的像素電極。薄膜電晶體(TFT)連接至柵極線、數據線、和像素電極。修復互聯部和與數據線交疊的像素間間隙對準。像素間間隙位於柵極線之間，並且修復互聯部與相鄰元件電絕緣。
在根據本發明的另一示意性實施例中，液晶顯示器的壞像素修複方法包括準備上述液晶顯示器，並且使用雷射束照射交疊部分，從而在兩個位置結合數據線和修復互聯部。交疊區域包括數據線與修復互聯部的交疊。
通過參考附圖詳細說明本發明的示意性實施例，將使本發明的上述和其他特徵和優點更明顯。附圖中圖1A是根據本發明示意性實施例的用於液晶顯示器(LCD)的薄膜電晶體(TFT)基板的平面圖；圖1B是用於圖1A所示LCD的共電極基板的平面圖；圖1C是包括圖1A中的TFT基板和共電極基板的LCD的平面圖；圖2A是沿圖1A的IIa-IIa』線截取的截面圖；圖2B是沿圖1A的IIb-IIb』和IIb』-IIb」線截取的截面圖；圖2C是沿圖1C的IIc-IIc』線截取的截面圖；圖3是根據本發明的示意性實施例的LCD的平面圖；以及圖4是根據本發明的示意性實施例的LCD的平面圖。
具體實施例方式
現在，將參考示出本發明優選實施例的附圖，更加充分地描述本發明。通過隨後詳述的實施例和附圖，可更容易地理解本發明以及實現本發明方法的優點和特徵。然而，本發明能以不同方式實施，並且不認為被這裡所述的實施例限制。而且，提供這些實施例，使得公開更加完全和完整，並且將本發明的精神完全傳達給本領域技術人員，本發明將僅由權利要求限定。相同的參考標號在全篇說明書中代表相同的元件。
將參考圖1至圖2C描述用於根據本發明示意性實施例的LCD的TFT基板。圖1A是用於LCD的TFT基板的平面圖，圖1B是用於圖1A所示LCD的共電極基板的平面圖，以及圖1C是包括圖1A的TFT基板和共電極基板的LCD的平面圖。圖2A是沿圖1A的IIa-IIa』線截取的截面圖，圖2B是沿圖1A的IIb-IIb』和IIb』-IIb」線截取的截面圖，以及圖2C是沿圖1C的IIc-IIc』線截取的截面圖。
如圖2C所示，LCD包括TFT基板1；共電極基板2，其與TFT基板1相對；以及液晶層3，形成於基板1和2之間，具有朝向預定方向的液晶。
現在，將參考圖1A、2A、2B、以及2C更詳細地描述TFT基板1。
在絕緣板10上形成柵極線22，使其沿第一方向(對應於圖1A的水平方向)延伸，並終止於柵極線末端24。呈凸起狀的柵電極26與柵極線22電連接。柵極線末端24將來自另一層或者外部元件的選通信號傳遞給柵極線22。柵極線末端24的寬度延伸，以連接至外部電路。這裡，柵極線22、柵電極26、以及柵極線末端24稱為柵極互聯部(gate interconnection)。
此外，在絕緣板10上形成存儲電極線28和存儲電極29。存儲電極線28沿第一方向(對應於圖1A的水平方向)延伸，同時越過像素區。比存儲電極線28寬的存儲電極29與存儲電極線28電連接。這裡，存儲電極線28和存儲電極29稱為存儲電極互聯部(storageelectrode interconnection)。可以以各種方式改變存儲電極互聯部的形狀和排列。
沿像素區域的邊緣在絕緣板10上形成恢復互聯部(recoveringinterconnection)，其與柵極互聯部22、24、和26以及存儲電極互聯部28和29電絕緣。像素區域是具有像素電極82的區域。雖然將在隨後描述恢復互聯部21，對應於位於相鄰像素電極82之間的像素間間隙83形成恢復互聯部21。因此，可以根據像素電極82的形狀以各種方式改變恢復互聯部21的形狀和排列。
可以由鋁基金屬(例如，鋁(Al)和鋁合金)、銀基金屬(例如，銀(Ag)和銀合金)、銅基金屬(例如銅(Cu)和銅合金)、鉬基金屬(例如鉬(Mo)和鉬合金)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、或者鉭(Ta)形成柵極互聯部22、24、26，存儲電極互聯部28和29，以及恢復互聯部21。此外，柵極互聯部22、24、26，存儲電極互聯部28和29，以及恢復互聯部21可以具有包括兩個具有不同物理特性的傳導層(未示出)的多層結構。傳導層之一由具有低電阻率的金屬(例如鋁基金屬、銀基金屬、或銅基金屬等)形成，以減少柵極互聯部22、24、和26以及存儲電極互聯部28和29的信號延遲或電壓降。另一傳導層由具有與氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)很好的接觸特性的材料(例如，鉬基金屬、Cr、Ti、或者Ta)形成。好的傳導層結合的實例包括Cr下膜和Al上膜的結合，Al下膜和Mo上膜的結合等。然而，本發明不限制於具有這些組成的傳導層，並且柵極互聯部22、24、和26，存儲電極互聯部28和29，以及恢復互聯部21可以由其他合適的金屬和/或導體形成。
在柵極互聯部22、24、和26，存儲電極互聯部28和29，以及恢復互聯部21上形成柵極絕緣層30。
在柵極絕緣層30上形成由氫化非晶矽和多晶矽形成的半導體層40。半導體層40可以形成為島狀、線形等。在示出的實施例中，在柵電極26上形成島狀半導體層40。當形成島狀半導體層40時，其位於數據線62之下並可以在柵電極26的一部分上延伸。
在半導體層40上形成島狀歐姆接觸層或者線形歐姆接觸層。歐姆接觸層由例如矽化物或者以高濃度摻雜n型雜質的n+氫化非晶矽的材料形成。本實施例的歐姆接觸層55和56形成為島狀，並且分別位於源電極65和漏電極66之下。形成線形歐姆接觸層，以在數據線62的下部中延伸。
在歐姆接觸層55和56以及柵極絕緣層30上形成數據線62和漏電極66。數據線62沿第二方向延伸，並與柵極線22交叉。從數據線62分支出源電極65，其在歐姆接觸層55的一部分上延伸。在數據線62的末端形成數據線末端68。數據線末端68接收由另一層或者外部裝置施加的數據信號，並將其傳遞至數據線62。數據線末端68被製成寬於數據線62，以連接至外部電路。漏電極66與源電極65隔離，並位於歐姆接觸層56之上。如圖2A所示，源電極65和漏電極66被柵電極26隔離。數據線62、數據線末端68、以及源電極65稱為數據互聯部(data interconnection)。
這裡，數據線62包括可以在數據線62的長度上周期性重複的角狀部分和線形部分。在這種情況下，數據線62的角狀部分包括兩條直線，直線中的一條相對於柵極線22形成45度角，並且另一條直線相對於柵極線22形成-45度角。源電極65連接至與柵極線22和存儲電極線28交叉的數據線62的線形部分。
柵極線22和數據線62交叉的區域可以具有像像素電極82一樣的彎曲狀。以這種方式，數據線62可以由線形部分和V形部分組合形成，如同像素的形狀。然而，本發明不限於特定形狀的數據線62，並且可以形成單直線形數據線62(例如，沿第二方向延伸的線或者沿第二方向對角延伸的線)。
此外，漏電極66形成為與存儲電極29交疊，使得漏電極66和存儲電極29將柵極絕緣層30夾入其間，以形成存儲電容器。
數據線62、源電極65、以及漏電極66可以由高熔點金屬(例如，Cr、鉬基金屬、Ta、和Ti)形成，並可具有多層結構。該多層結構可以具有由高熔點金屬形成的下膜(未示出)和由低電阻材料形成的上膜(未示出)。例如，多層結構可以是Mo膜/Al膜/Mo膜的三層結構。在一些情況下，多層結構具有兩層Cr下膜和Al上膜或者Al下膜和Mo上膜。
源電極65的至少一部分與半導體層40交疊，漏電極66與源電極65通過暴露出柵電極26的間隙而分隔，並且漏電極66的至少一部分與半導體層40交疊。這裡，歐姆接觸層55和56分別位於半導體層40與源電極65以及與漏電極66之間，以減小接觸電阻。
漏電極66的一端是與半導體層40交疊的窄條。漏電極66的另一端是與存儲電極29交疊的大面積漏電極擴展單元67。
在數據線62、漏電極66、以及露出的半導體層40上沉積包括絕緣材料的保護層70。在示意性實施例中，通過由氮化矽或氧化矽組成的無機物、具有很好的平坦化特性和感光性的有機物、或者由a-Si:C:O或a-Si:O:F組成的低介電常數(low-k)絕緣材料形成保護層70。可使用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)沉積保護層70。保護層70可以是具有無機下膜和有機上膜的雙層，從而在保持有機膜的良好特性的同時保護露出的半導體層40。
在保護層70中形成接觸孔78和76。通過接觸孔78和76露出數據線末端68和漏電極擴展單元67。在保護層70和柵極絕緣層30中形成接觸孔74，通過該孔露出柵極線末端24。像素電極82通過接觸孔76電連接到漏電極66，並且沿著像素的邊緣形成V型。
此外，在保護層70上形成輔助柵極線末端86和輔助數據線末端88。輔助柵極線末端86和輔助數據線末端88分別與柵極線末端24和數據線末端68連接。由透明導體(例如，ITO或者IZO)或者反射導體(例如，Al)形成像素電極82、輔助柵極線末端86和輔助數據線末端88。輔助柵極線末端86和輔助數據線末端88將柵極線末端24和數據線末端68電連接至外部設備。
像素電極82通過接觸孔76物理和電連接到漏電極66，從而通過漏電極66將數據電壓施加到像素電極82。
被施加數據電壓的像素電極82與共電極基板2的共電極90一起產生電場，從而確定位於像素電極82與共電極90之間的液晶層3的液晶分子的排列。
儘管未示出，但可以利用平行於數據線62形成的切口(未示出)將像素電極82分為多個區域。可以在切口的位置形成凸起，並且切口或凸起被認為是區域分割單元。像素電極82和共電極基板2的共電極90都可以用區域分割單元分為多個區域。液晶層3的液晶分子的排列可以通過使用區域分割單元在預定方向上形成橫向場(lateral field)來確定。
可以將定向液晶層3的定向層(未示出)應用於像素電極82、輔助柵極線末端86和輔助數據線末端88、以及保護層70。
現在，將參考圖1B、1C、和2C描述共電極基板。
在絕緣板110下形成用於防止光洩露的黑矩陣120和濾色器130。濾色器130包括順序排列在像素中的產生紅、綠、和藍色的過濾器。絕緣板110包括透明絕緣材料(例如，玻璃)。外塗膜150包括有機材料，並且在濾色器130和黑矩陣120上形成。共電極90包括透明絕緣材料(例如，玻璃)，並且具有在外塗層150上形成的切口92。在這種情況下，以與像素形狀相似的V型形成切口92。
如上所述，作為區域分割單元的切口92具有大約7μm至14μm的寬度。由有機材料形成的凸起可以代替切口92用做區域分割單元。
這裡，黑矩陣120包括對應於數據線62的角狀部分的直線部分、對應於數據線62的線形部分的直線部分、以及對應於TFT部的矩形部分。
濾色器130沿著黑矩陣120沿第二方向延伸，並且周期性地彎曲而呈現像素形狀。在本實施例中，在共電極基板2上形成濾色器130。然而，本發明並不限制於此，在其他實施例中可以在TFT基板1上形成濾色器130。
共電極90面對像素電極82，並且具有相對於柵極線22形成大約45度或者-45度角度的切口92。共電極90的切口92也是V形的，並將V形像素分成兩部分(即，切口92的右側部分和左側部分)。可以在切口92的位置上形成凸起，並且切口92或者凸起被認為是區域分割單元。
定向液晶分子5的定向膜(未示出)可以應用於共電極90。
圖1C是包括圖1A中的TFT基板和共電極的LCD的平面圖。
當對準並結合TFT基板1和共電極基板2時，在其間形成液晶層3，並垂直定向液晶層3，從而形成根據本發明實施例的LCD基底結構。
當在像素電極82與共電極90之間沒有電場，並且液晶分子5具有負介電常數各向異性時，包括在液晶層3中的液晶分子5的指向矢(director，指向)被定向為垂直於TFT基板1和共電極基板2。對準TFT基板1和共電極基板2，使像素電極82與濾色器130精確交疊。然後，通過共電極90的切口92和像素間間隙83將像素分成多個區域。在這種情況下，通過切口92和像素間間隙83將像素分成右部分和左部分。然而，V形部的右部分和左部分的每一個中的液晶具有不同的方向，使得液晶被分成四種類型區域。即，當在施加電場使包括在液晶層3中的液晶分子5的主指向矢定向時，根據液晶的朝向將像素分成四種類型區域。然而，這並未限制本發明，通過在共電極90、像素電極82、以及像素間間隙83中形成的區域分割單元(例如，切口92)，可以將像素分成多個區域。
由例如偏光板、背光板等元件在這種基底結構上形成LCD。
在這種情況下，在基底結構的兩側設置一個偏光板(未示出)，並且偏光板的透射軸之一可以與柵極線22平行，而偏光板的另一透射軸可以與柵極線22垂直。
當將電場施加到具有此結構的LCD的液晶上時，每個區域中的液晶在垂直於區域長邊的方向上傾斜形成。然而，此方向垂直於數據線62，因而該方向與由形成在其間具有數據線62的兩個相鄰像素電極82之間的橫向場傾斜形成的液晶的方向相同，使得橫向場有助於每個區域的液晶定向。
將多種反轉驅動方法(例如，點反轉驅動)應用於位於數據線62兩側的像素電極。在點反轉驅動中，具有與像素電極相反極性的電壓施加到相鄰像素電極。除點反轉驅動之外，在LCD中通常使用列反轉驅動、兩點反轉驅動等。因此，幾乎總會形成橫向場，並且其方向有助於區域的液晶定向。
此外，因為將偏光板的透射軸設置為垂直於或者平行於柵極線22，因而偏光板可以低成本製造，並且在全部區域中的液晶可相對於偏光板的透射軸以45度角定向。以這種方式，可以獲得最好的亮度。
現在，將參考圖1C和圖2C詳細描述根據本發明的實施例的LCD壞像素修複方法以及在本方法中使用的恢復互聯部。
一般來說，因為數據線62比柵極線22更長，所以數據線62更容易斷開。當數據線62斷開並且產生壞像素時，壞像素可以使用恢復互聯部21容易地修復。不需要LCD外部的單獨修復電路修復壞像素。
參考圖2C，修復互聯部21由與絕緣板10上柵極互聯部22、24、和26相同的材料形成，並與它們形成在相同層上。柵極絕緣層30夾在修復互聯部21的至少一部分與數據線62之間。如上所述，像素間間隙83將相鄰像素電極82隔開。修復互聯部21與數據線62的交疊在像素間間隙83之下發生。這裡，包括像素間間隙83、修復互聯部21、以及數據線62的區域被認為是「交疊區域」。
當數據線62的中間部分斷開時，雷射束200從TFT基板1的絕緣板10的下部照到修復互聯部21和數據線62交疊的區域。雷射束200用於熔融修復互聯部21的一部分、柵極絕緣層30、和位於交疊部分中的數據線62，使得修復互聯部21和數據線62彼此電連接。修復互聯部21和數據線62至少交叉兩次，並且使用雷射束200使交叉點熔融，使得修復互聯部21和數據線62彼此電連接。因此，雷射束200用於形成分流路徑，該路徑通過數據線62繞過斷開部分，並且形成修復互聯部21，從而可以容易地修復壞像素。
例如，雷射束200可以具有綠波長帶(大約532nm)。為了將通過柵極絕緣層30彼此絕緣的修復互聯部21和數據線62熔化，可以施加大約0.1mJ-1mJ的雷射束200。雷射束200的光斑直徑可以是大約1μm-4μm。
進一步，因為在修復互聯部21和數據線62交叉的位置上有像素間間隙83，所以雷射束200的熔融對像素電極82沒有威脅。
為了使用修復互聯部21來連接數據線62，修復互聯部21可以與數據線62交叉至少兩次。此外，為了防止像素電極82被雷射束200損壞，形成修復互聯部21以通過像素間間隙83和數據線62交叉的部分。可沿像素間間隙83形成修復互聯部21，使得修復互聯部21與像素間間隙83和數據線62交叉的部分交疊。相對於像素間間隙83的寬度B，修復互聯部21的寬度A可以滿足關係B≤A≤1.5B。如果修復互聯部21的寬度A小於像素間間隙83的寬度B，則減小融合修復互聯部21和數據線62所要求的加工餘量。如果修復互聯部21的寬度A比像素間間隙83的寬度B大1.5倍，則減小LCD的寬高比。
現在，將參考圖3描述根據本發明第二實施例的LCD。圖3是根據本發明實施例的LCD的平面圖。為了說明的簡潔，與第一實施例中元件相同或相似的元件將使用相同的參考標號表示，並且將不給出其詳細說明。如圖3所示，除下面要說明的以外，本實施例的LCD基本上具有與圖1A至圖1C所示的LCD相同的結構。就是，參考圖3，數據線362隻包括垂直延伸部，沒有第一實施例的角狀部分。以這種方式，因為與圖1A至圖1C中所述的數據線62相比，數據線362的互聯部的長度減小，所以使互聯部的電阻和負載減小，並且減小了信號失真。此外，可以保護由數據線362與像素電極82耦合導致的垂直條紋的形成。
現在，將參考圖4描述根據本發明第三實施例的LCD。圖4是根據本發明實施例的LCD的平面圖。為了避免重複，與第一實施例中元件相同或相似的元件將使用相同的參考標號表示，並且將不給出其詳細說明。除以下描述的以外，本實施例的LCD基本上具有與圖1A至圖1C所示的LCD相同的結構。參考圖4，數據線462包括角狀部分和線形部分。數據線462的角狀部分沿像素間間隙83形成。此外，沿像素間間隙83形成修復互聯部21，以增加數據線462與修復互聯部21交疊的面積。這樣做，也減小了使用雷射束融合該交疊部分需要的加工餘量。因為數據線462是彎曲的，與例如圖3的實施例比較，互聯部的整個長度可能增加。然而，在超高寬高比結構中，數據線462足夠寬並且使用厚有機材料保護層70，使得互聯部具有小負載。因此，可以忽略由於數據線462的長度增加導致的信號失真。
如上所述，本發明能夠在不形成LCD外部的單獨修復電路的情況下修復壞像素。
雖然上文中參考示意性實施例具體地示出和描述了本發明，但本領域技術人員將會理解，在不脫離由權利要求及其等價物所限定的本發明的精神和範圍前提下，形式和細節上的各種改變均應包含其中。
權利要求
1.一種液晶顯示器，包括柵極線，形成在絕緣板上，並沿第一方向延伸；數據線，形成在所述絕緣板上，所述數據線沿第二方向延伸，並且與所述柵極線電隔離；像素電極，形成在所述柵極線和所述數據線上的每個像素中；薄膜電晶體，連接到所述柵極線、所述數據線、和所述像素電極；以及修復互聯部，與所述數據線在至少兩個位置上交疊，所述修復互聯部被電絕緣。
2.根據權利要求1所述的液晶顯示器，其中，存在包括所述像素電極的多像素電極，其中，所述像素電極通過每個像素中的像素間間隙彼此隔離，並且其中，所述像素間間隙位於所述數據線與所述修復互聯部交疊的交疊部分之上。
3.根據權利要求1所述的液晶顯示器，其中，由與所述柵極線相同的材料和層形成所述修復互聯部。
4.根據權利要求1所述的液晶顯示器，其中，沿所述像素間間隙形成所述修復互聯部。
5.根據權利要求1所述的液晶顯示器，其中，相對於所述像素間間隙的寬度B，所述修復互聯部的寬度A滿足關係B≤A≤1.5B。
6.一種液晶顯示器，包括柵極線，形成在絕緣板上；數據線，形成在所述絕緣板上，所述數據線沿第二方向延伸，並且與所述柵極線電隔離；像素電極，在所述柵極線和所述數據線上的每個像素中形成為彎曲形狀；薄膜電晶體，連接到所述柵極線、所述數據線、和所述像素電極；以及修復互聯部，和與所述數據線交疊的像素間間隙對準，所述像素間間隙位於柵極線之間，所述修復互聯部與相鄰元件電絕緣。
7.根據權利要求6所述的液晶顯示器，其中，由與所述柵極線相同的材料和層形成所述修復互聯部。
8.根據權利要求6所述的液晶顯示器，其中，沿所述像素間間隙形成所述修復互聯部。
9.根據權利要求6所述的液晶顯示器，其中，相對於所述像素間間隙的寬度B，所述修復互聯部的寬度A滿足關係B≤A≤1.5B。
10.根據權利要求6所述的液晶顯示器，其中，所述數據線包括沿所述第二方向延伸的線形部分。
11.根據權利要求6所述的液晶顯示器，其中，所述數據線包括角狀部分和線形部分，所述線形部分沿所述第二方向延伸。
12.根據權利要求11所述的液晶顯示器，其中，所述數據線的所述角狀部分包括兩條直線，其中所述直線中的一條相對於所述柵極線以45度角形成，並且所述直線中的另一條相對於所述柵極線以-45度角形成。
13.一種液晶顯示器的壞像素修複方法，所述方法包括準備所述液晶顯示器，所述液晶顯示器包括柵極線，形成在絕緣板上，並沿第一方向延伸；數據線，形成在所述絕緣板上，所述數據線沿第二方向延伸，並且與所述柵極線電隔離；像素電極，形成在所述柵極線和所述數據線上的每個像素中；薄膜電晶體，連接到所述柵極線、所述數據線、和所述像素電極；以及修復互聯部，與所述數據線在至少兩個位置上交疊，所述修復互聯部被電絕緣；以及使用雷射束照射交疊區域，以在兩個位置結合所述數據線和所述修復互聯部，所述交疊區域包括所述數據線與所述修復互聯部的交疊。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述雷射束具有綠波長帶。
15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述雷射束具有大約532nm的波長。
16.根據權利要求13所述的方法，其中，所述雷射束具有大約0.1mJ-1mJ的能量。
17.根據權利要求13所述的方法，其中，所述雷射束的光斑具有大約1μm-4μm的直徑。
18.根據權利要求13所述的方法，其中，所述數據線和所述修復互聯部的結合包括在所述雷射束通過所述絕緣板之後熔融所述數據線和所述修復互聯部。
全文摘要
本發明公開了一種容易修復壞像素的液晶顯示器以及該液晶顯示器修復壞像素的方法。液晶顯示器包括柵極線，其形成在絕緣板上，並沿第一方向延伸；數據線，其形成在絕緣板上，並沿基本垂直於第一方向的第二方向延伸。數據線與柵極線電隔離。在柵極線和數據線上的每個像素中形成像素電極，薄膜電晶體(TFT)連接到柵極線、數據線和像素電極，以及修復互聯部與數據線在至少兩個位置上交疊。修復互聯部與相鄰元件絕緣。
文檔編號H01L29/66GK1881055SQ200610082889
公開日2006年12月20日 申請日期2006年6月19日 優先權日2005年6月17日
發明者金希駿 申請人:三星電子株式會社