電波透過性裝飾構件的製作方法

2023-06-07 15:54:46

專利名稱：：電波透過性裝飾構件的製作方法
技術領域：
：本發明涉及具有金屬光澤的電波透過性裝飾構件。
背景技術：
：從設計性的觀點出發，多將金屬風格的裝飾構件、尤其是具有像鏡面般的金屬光澤的裝飾構件用於可攜式電話的殼體和按鈕、鐘錶的殼體、以及汽車的前護柵和保險槓等。並且，由於下述的理由等，需要使用透過電波(微波等)且不會影響電波的裝飾構件作為該裝飾構件。(i)在可攜式電話的殼體內部配置有用於收發電波的天線。(ii)在帶有接收標準電波繼而自動修正誤差功能的電波鐘表的殼體內部配置有用於接收電波的天線。(iii)在配備有用於檢測障礙物、測量車間距離等的雷達裝置的汽車上，該雷達裝置的天線被配置在前護柵或保險杆附近。(iv)由通信設備等處理的電波的頻率在IOOGHz左右的高頻帶移動，電波容易受到裝飾構件的影響，從而容易在該設備內引起功能失常。作為具有電波透過性的金屬風格的裝飾構件，已提出有下述的材料。(1)在基體上具有銦、銦合金、錫或錫合金蒸鍍膜的壓型品(shapedproduct)(專利文獻1)。(2)在基材上具有銦/氧化銦複合蒸鍍膜的轉印材料(專利文獻2)。(3)在基材上具有分散有細片狀發光材料的塗膜的裝飾產品(專利文獻3)。(4)在基材上具有設有開口部的反射膜(金屬)的裝飾品(專利文獻4)。眾所周知，在銦、錫、鉛、鋅、鉍、銻等的金屬蒸鍍膜上，該金屬作為微小並獨立的島存在，所以電波能夠穿過島與島間的不存在有金屬的間隙。因此，(1)、(2)的裝飾構件具有電波透過性且具有金屬光澤。然而，在(1)、⑵的裝飾構件中，若為了得到充分的金屬光澤而增厚金屬蒸鍍膜，則各島相互間部分地連接，形成變為良導體的網，結果，隨著電波的頻率(的改變)發生反射或吸收。並且，錫容易發生氧化、氯化等，隨著時間的推移，將失去金屬光澤。另一方面，銦價格昂貴。(3)的裝飾構件由於是使發光材料分散在塗膜中，所以並不是具有像鏡面般的金屬光澤的產品。至於(4)的裝飾構件，只能通過對應於光反射層的開口部大小的特定頻率的電波。日本專利文獻1特開2005-249773號公報日本專利文獻2特許第3414717號公報日本專利文獻3特開2006-282886號公報日本專利文獻4特開2006-276008號公報
發明內容本發明提供一種具有電波透過性及像鏡面般的金屬光澤、且該金屬光澤不容易喪失的低成本電波透過性裝飾構件。本發明的電波透過性裝飾構件，其特徵在於，包括基體；以及光反射層，設置在該基體上，包含矽或鍺與金屬的合金。優選為，上述光反射層是通過物理蒸鍍矽或鍺與金屬的合金而形成的蒸鍍膜。優選為，在上述光反射層上沒有形成不存在上述合金的間隙。優選為，上述金屬是反射率為50%以上的金屬。優選為，在上述合金(體積比100%)中，上述金屬的比例為體積比0.1%60%。優選為，上述基體為有機高分子壓型體。優選為，光反射層的厚度為IOnm500nm。本發明的電波透過性裝飾構件，可以在上述基體與上述光反射層之間具有含白色顏料的掩模層。本發明的電波透過性裝飾構件，可以在上述基體與上述光反射層之間具有粘結促進層ο本發明的電波透過性裝飾構件，其特徵在於，包括基體；以及設置在該基體上的包含半導體物質的光反射層。優選為，上述光反射層是通過物理蒸鍍半導體物質而形成的蒸鍍膜。優選為，在上述光反射層上沒有形成不存在上述半導體物質的間隙。優選為，上述半導體物質是矽或鍺。優選為，上述基體為有機高分子的壓型體。優選為，光反射層的厚度為IOnm500nm。本發明的電波透過性裝飾構件可以在上述基體與上述光反射層之間具有含白色顏料的掩模層。本發明的電波透過性裝飾構件可以在上述基體與上述光反射層之間具有粘結促進層ο本發明的電波透過性裝飾構件具有電波透過性及像鏡面般的金屬光澤，該金屬光澤不容易喪失，並且成本低。圖1是示出本發明的電波透過性裝飾構件的一個例子的剖面圖2是包含矽或鍺與金屬的合金的光反射層的表面的原子間力顯微鏡圖像；圖3是包含矽或鍺與金屬的合金的光反射層的表面的高解析度透射型電子顯微鏡圖像；圖4是包含矽或鍺與金屬的合金的光反射層的剖面的高解析度透射型電子顯微鏡圖像；圖5是示出本發明的電波透過性裝飾構件的其他例子的剖面圖；圖6是實施例1的電波透過性裝飾構件的透過衰減量(S21)和反射衰減量(Sll)的圖表；圖7是實施例1和實施例10的電波透過性裝飾構件的反射率的圖表；圖8是實施例1和實施例10的電波透過性裝飾構件的透過率的圖表；圖9是實施例11的電波透過性裝飾構件的垂直入射透過衰減量的圖表；圖10是實施例12的電波透過性裝飾構件的斜入射透過衰減量的圖表；圖11是包含半導體物質的光反射層的表面的原子間力顯微鏡圖像；圖12是包含半導體物質的光反射層的表面的高解析度透射型電子顯微鏡圖像；圖13是包含半導體物質的光反射層的剖面的高解析度透射型電子顯微鏡圖像；圖14是實施例13的電波透過性裝飾構件的透過衰減量(S21)和反射衰減量(Sll)的圖表；圖15是實施例13和實施例17的電波透過性裝飾構件的反射率的圖表；圖16是實施例13和實施例17的電波透過性裝飾構件的透過率的圖表；圖17是實施例18的電波透過性裝飾構件的透過衰減量(S21)和反射衰減量(Sll)的圖表；圖18是實施例19的電波透過性裝飾構件的斜入射透過衰減量的圖表；圖19是實施例20的電波透過性裝飾構件的斜入射透過衰減量的圖表。附圖標記10電波透過性裝飾構件12基體14光反射層16掩模層具體實施例方式本發明中提及的光指的是可見光，電波指的是頻率為IOMHz1000GHz的電磁波(亞毫米波微波)。圖1是示出本發明的電波透過性裝飾構件的一個例子的剖面圖。電波透過性裝飾構件10包括基體12和設置於基體12上的光反射層14。(基體)作為基體，採用的是電波透過性的基體。作為電波透過性的基體，可列舉出包含絕緣性有機材料或無機材料的絕緣性基體。絕緣性意味著表面電阻率在IO6Ω以上，優選表面電阻率在108Ω以上。基體的表面電阻率根據JISΚ7194中記載的四探針法測得。對於基體的形狀，可列舉出薄膜、片、立體壓型體(成型體)等。從壓型加工性的觀點出發，優選有機材料作為基體的材料。作為有機材料，可列舉出聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯、乙烯_丙烯共聚物、乙烯_醋酸乙烯共聚物等)、環狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚醯胺(尼龍6、尼龍46、尼龍66、尼龍610、尼龍612、尼龍11、尼龍12、尼龍6_12、尼龍6_66等)、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚碳酸酯、聚-(4-甲基戊烯-1)、離聚物、丙烯酸類樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈_丁二烯_苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS樹脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物、聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸環己烷酯(polycyclohexaneter印hthalate)等)、聚醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚縮醛、聚苯醚、改性聚苯醚、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、多芳基化合物(Polyarylate)、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、其它含氟樹脂、熱塑性彈性體(苯乙烯類、聚烯烴類、聚氯乙烯類、聚氨酯類、聚酯類、聚醯胺類、聚丁二烯類、反式_聚異戊二烯類、氟橡膠類、氯化聚乙烯類等)、環氧樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯、矽酮類樹脂、尿烷類樹脂、聚對二甲苯樹脂、天然橡膠、聚丁二烯橡膠、聚異戊二烯橡膠、丙烯腈-丁二烯共聚物橡膠、苯乙烯-丁二烯共聚物橡膠、苯乙烯_異戊二烯共聚物橡膠、苯乙烯_丁二烯_異戊二烯共聚物橡膠、二烯類橡膠的加氫產品、飽和聚烯烴橡膠(乙烯_丙烯共聚物等的乙烯_α-烯烴共聚物等)、乙烯-丙烯_二烯烴共聚物、α-烯烴-二烯烴共聚物、聚氨酯橡膠、矽酮橡膠、聚醚類橡膠、及丙烯酸(類)橡膠等。既可以單獨使用一種有機材料，也可以組合兩種以上的有機材料用作共聚物、混合物、聚合物合金、層疊體等。有機材料根據需要可含有添加劑。作為添加劑，可列舉出加強材料、防氧化劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、防雲劑、防霧劑、可塑劑、顏料、近紅外吸收劑、抗靜電劑、著色劑等。作為無機材料，可列舉出玻璃(矽酸鹽玻璃、石英玻璃等)、金屬氧化物(Α1203、BeO、MgO,ZrO2,Cr2O3等)、金屬氮化物_、Si3N4,TiN等)、金屬碳化物(TiC等)、金屬氮化物(MoB2,Ti2B等)、金屬矽化物(MoSi2、W3Si2等)等的陶瓷。既可以單獨使用一種無機材料，也可以組合兩種以上的無機材料進行使用。基體的平均表面粗糙度優選在0.5μm以下，更優選在0.1μm以下。如果基體的平均表面粗糙度在0.5μπι以下，則即使將光反射層變薄，由於光反射層跟隨基體表面，所以也能充分得到像鏡面樣的金屬光澤。基體的平均表面粗糙度是JISΒ0601-2001的算術平均粗糙度Ra。(光反射層I)光反射層是包含矽或鍺與金屬的合金的層。也可以同時使用矽和鍺。矽或鍺與金屬的合金同單獨的矽或鍺相比，使得光反射層的反射率和亮度提高，得到了明亮的光反射層。並且，與矽相比，該合金更軟，所以光反射層的內部應力降低，與基體間的粘著性上升，可抑制斷裂的發生。矽和鍺不同於後述的金屬，它們是半導體物質。只要能夠維持光反射層的高表面電阻率即可，矽和鍺也可以含有不構成摻雜物的雜質。優選矽和鍺儘量不含有摻雜物(硼、磷、砷、銻等)。摻雜物的量優選在Ippm以下，更優選在IOppb以下。作為金屬，優選是反射率在50%以上的金屬，更優選是80%以上的金屬。可列舉出金、銀、銅、鋁、白金、鐵、鎳、鉻等作為該金屬，如果考慮到反射率和成本，鋁是優選的。反射率說的是基於JISZ8722的條件d(n-D)的包含正反射率在內的漫反射率，其是短波長側為360nm400nm、長波長側為760nm830nm的可見光區域的平均值，採用積分球，包含光澤成分的正反射光在內地測得該反射率。合金(按體積計為100%)中，金屬的比例優選按體積計為0.1%80%，更優選按體積計為0.60%。金屬的比例如果在按體積計為0.以上，則光反射層的亮度提高，且光反射層的內部應力下降。金屬的比例如果在按體積計為60%以下，則進一步改善電波透過性。只要能夠維持光反射層的高表面電阻率和高金屬光澤，合金也可以含有除矽、鍺及金屬以外的雜質。光反射層的厚度優選為IOnm500nm，更優選為50nm200nm。光反射層的厚度如果在IOnm以上，則光不容易透過，可得到充分的金屬光澤。光反射層的厚度如果在500nm以下，則可抑制雜質所引起的導電性上升，從而可維持足夠的電波透過性。此外，還可抑制內部應力上升及裝飾構件翹曲、變形、斷裂、脫落等。光反射層的厚度根據光反射層剖面的高解析度顯微鏡圖像測得。光反射層的表面電阻率優選在IO2Ω以上，更優選在104Ω以上，更進一步優選在IO6Ω以上。如果光反射層的表面電阻率在104Ω以上，則可維持足夠的電波透過性。光反射層的表面電阻率根據JISΚ7194中記載的四探針法測得。光反射層的平均表面粗糙度優選在0.05μm以下。光反射層的平均表面粗糙度如果在0.05μm以下，則能抑制漫反射，獲得充分的金屬光澤。光反射層的平均表面粗糙度的下限設定在可通過研磨加工實現的0.lnm。光反射層的平均表面粗糙度是JISB0601-2001的算術平均粗糙度Ra。具體而言，如圖2所示，通過原子間力顯微鏡測得表面形狀，沿平均線方向提取基準長度，將從提取部分的平均線至粗糙度曲線的偏差的絕對值相加，求出平均值(算術平均粗糙度Ra)。光反射層例如通過物理蒸鍍矽或鍺與金屬的合金而形成。物理蒸鍍法是在真空容器中通過某種方法將蒸發材料(合金)氣化、並且將氣化後的蒸發材料堆積到放置於附近的基體上而形成薄膜的方法，根據蒸發材料的氣化方法的不同，劃分為蒸發類和濺射類。作為蒸發類，可列舉EB蒸鍍、離子鍍膜等，作為濺射類，可列舉RF(高頻)濺射、磁控濺射、對靶型磁控濺射等。作為EB蒸鍍法，存在膜容易形成多孔而膜強度不足的傾向，但特徵是基體的損傷少。根據離子鍍膜，可得到附著力強的膜，因此是優選的。磁控濺射的膜生長速度快，對靶型磁控濺射可在不對基體等離子損傷的情況下生成薄膜，RF濺射可採用電阻高的靶(蒸發材料)，因此是優選的。圖3是通過採用鍺_鋁合金的RF濺射形成的光反射層的表面的高解析度透射型電子顯微鏡圖像，圖4是該光反射層的剖面的高解析度透射型電子顯微鏡圖像。與以往的採用銦、錫等時出現的獨立的島(微小簇)的集合體不同，未形成不存在合金的間隙，成為具有均勻的非晶質結構的連續的層。(光反射層II)光反射層為包含半導體物質的層。作為半導體物質，可列舉元素半導體物質或者化合物半導體物質。作為元素半導體物質，可列舉矽、鍺，也可以同時使用矽和鍺。從在常溫下呈現出穩定的半導體特性、可見光區域的吸收少的觀點出發，鍺是優選的。作為化合物半導體物質，可列舉SiGe、GaAs、GaSb、InP、InAs、InSb、PbS、PbSe、PbTe等帶隙在紅外線區域的半導體物質，可見光區域的吸收少的半導體物質是優選的。對於半導體物質，只要能夠維持光反射層的高表面電阻率，也可以含有不構成摻雜物的雜質。對於半導體物質，優選儘量不包含摻雜物(硼、磷、砷、銻等)。摻雜物的量優選在Ippm以下，更優選在IOppb以下。光反射層的厚度優選為IOnm500nm，更優選為50nm200nm。光反射層的厚度如果在IOnm以上，則光不容易透過，可得到充分的金屬光澤。光反射層的厚度如果在500nm以下，則可抑制雜質所引起的導電性上升，從而可維持足夠的電波透過性。此外，還可抑制內部應力上升及裝飾構件翹曲、變形、斷裂、脫落等。光反射層的厚度能夠根據光反射層剖面的高解析度顯微鏡圖像測得。光反射層的表面電阻率優選在106Ω以上。如果光反射層的表面電阻率在106Ω以上，則可維持足夠的電波透過性。光反射層的表面電阻率根據JISΚ7194中記載的四探針法測得。光反射層的平均表面粗糙度優選在0.05μm以下。光反射層的平均表面粗糙度如果在0.05μm以下，則能抑制漫反射，獲得充分的金屬光澤。光反射層的平均表面粗糙度的下限設定為可通過研磨加工實現的0.lnm。光反射層的平均表面粗糙度是JISB0601-2001的算術平均粗糙度Ra。具體而言，如圖11所示，通過原子間力顯微鏡測得表面形狀，沿平均線方向提取基準長度，將從提取部分的平均線至粗糙度曲線的偏差的絕對值相加，求出平均值(算術平均粗糙度Ra)。光反射層例如通過物理蒸鍍半導體物質而形成。物理蒸鍍法是在真空容器中通過某種方法將蒸發材料(半導體物質)氣化、將氣化後的蒸發材料堆積到放置於附近的基體上而形成薄膜的方法，根據蒸發材料的氣化方法的不同，劃分為蒸發類和濺射類。作為蒸發類，可列舉EB蒸鍍、離子鍍膜等，作為濺射類，可列舉RF(高頻)濺射、磁控濺射、對靶型磁控濺射等。作為EB蒸鍍法，存在膜容易形成多孔而膜強度不足的傾向，但特徵是對基體的損傷少。根據離子鍍膜，可得到附著力強的膜，因此是優選的。磁控濺射的膜生長速度快，對靶型磁控濺射可在不對基體等離子損傷的情況下生成薄膜，RF濺射可採用電阻高的對靶(蒸發材料)，因此是優選的。圖12是採用矽通過RF濺射形成的光反射層的表面的高解析度透射型電子顯微鏡圖像，圖13是該光反射層的剖面的高解析度透射型電子顯微鏡圖像。與以往的採用銦、錫等時出現的獨立的島(微小簇)的集合體不同，沒有形成不存在半導體物質的間隙，成為具有均勻的非晶質結構的連續的層。(掩模層)如圖5所示，電波透過性裝飾構件10也可以在基體12與光反射層14之間具有含白色顏料的掩模層16。當光反射層薄時，光的一部分不被反射而透過，因此通過在基體與光反射層之間設置電波透過性的掩模層，可以調整裝飾構件的反射率。通過提高掩模層的反射率，使得裝飾構件的反射率提高，得到亮度高的金屬光澤。作為白色顏料，可列舉氧化鈦、氧化鎂等。作為掩模層的形成方法，可列舉塗布含白色顏料的塗料的方法及基於採用白色顏料進行物理蒸鍍的方法等。(粘結促進層)為了提高基體與光反射層(或掩模層)之間的粘合性，本發明的電波透過性裝飾構件也可以在基體與光反射層(或掩模層)之間具有粘結促進層(省略圖示)。並且，根據需要，也可以在形成粘結促進層之前，在基體的表面實施氧化處理(氧等離子處理等)。作為粘結促進層，可列舉矽烷偶聯層、金屬層、親水層等。矽烷偶聯層是包含矽烷偶聯劑的層。作為矽烷偶聯劑，可列舉氰乙基三甲氧基矽烷、氰丙基三甲氧基矽等。金屬層是相當於幾個原子厚度的金屬的層。作為金屬，可列舉鎳、鉻、鋁、鈦等與有機材料具有親和性的金屬，並需要與基體相同的絕緣性。作為親水層，可列舉通過Itro處理等形成的二氧化矽膜等。(保護層)根據需要，也可以在光反射層的表面設置保護層(省略圖示)。作為保護層，可列舉包含二氧化矽等的頂塗層等。以上說明的本發明的電波透過性裝飾構件在基體上具有包含矽或鍺與金屬的合金的光反射層，因此具有電波透過性及像鏡面般的金屬光澤。並且，由於採用了與錫等廉價金屬單體相比難以引起氧化、氯化等的矽或鍺與金屬的合金，因此不易隨著時間的推移而失去金屬光澤。並且，由於採用了與銦等稀有金屬單體相比價廉的矽或鍺與金屬的合金，因此成本低。並且，在基體上具有包含半導體物質的光反射層，因此具有電波透過性及像鏡面般的金屬光澤。並且，由於採用了與錫等廉價金屬單體相比難以引起氧化、氯化等的矽或鍺這樣的半導體物質，因此不易隨著時間的推移而失去金屬光澤。並且，由於採用了與銦等稀有金屬單體相比價廉的矽或鍺這樣的半導體物質，因此成本低。包含矽或鍺這樣的半導體物質的合金使電波透過、並且呈現出金屬光澤的理由如下。作為金屬特徵的自由電子具有導電性。並且，當電磁波(光、電波)要進入到金屬內時，自由電子移動而引起強烈的電子極化，誘發與所進入的電磁波的電場相反的電束，因此電磁波難以進入到金屬內，電磁波被反射而無法透過。並且，由於在可見光區域中具有高反射率，因此認為是金屬光澤。另一方面，在半導體物質的情況下，只有少數的自由電子，與金屬的情況不同，電波可以不被反射而通過。金屬光澤不是由自由電子引發的，而是帶間的直接遷移所致的強吸收存在於可見光區域，因此引起強烈的電子極化，具有高折射率，所以具有高反射率。並且，在本發明中，採用包含矽或鍺與金屬的合金的理由如下。矽或鍺雖然在可見光區域中具有高反射率，但是比金屬的反射率(例如，在620nm的文獻值為銀98%、鋁90%，HandbookofOpticalConstantsofSolids,Ε.L.Palik,AcaemicPress.,(1985))低，為36%(在620nm的文獻值)。因此，通過與反射率為50%以上的金屬形成合金，可以提高反射率，提升亮度，得到具有明亮的金屬光澤的光反射層。並且，該金屬比矽等柔軟，因此光反射層的內部應力降低，粘合性上升，抑制斷裂的產生。實施例(電波透過性)採用同軸管型屏蔽效果測量系統(KEYC0M公司制，S-39D、ASTM、D4935標準)，在外部主體(outerbody)內徑39mm的同軸管內的圓盤上放置試料，通過與同軸管兩端連接的矢量網絡分析儀(ANRITSU公司制，37247C)來求出透過衰減量(S21)及反射衰減量(Sll)。透過衰減量越接近ODb，電波透過性越優良。(毫米波垂直入射透過性)在水平式透過衰減量測量裝置(KEYC0M公司制，可調整入射角)的兩個透鏡天線之間設置樣本，通過與透鏡天線連接的標量網絡分析儀(Wiltr0n54147A(使用放大器(multiplier)))求出入射角為0度的垂直入射透過衰減量。透過衰減量越接近ODb，電波透過性越優良。(毫米波斜入射透過性)在水平式透過衰減量測量裝置(KEYC0M公司制，可調整入射角)的兩個透鏡天線之間設置樣本，通過與透鏡天線連接的標量式網絡分析儀(Wiltr0n54147A(使用放大器))，在測量頻率76GHz調整樣本角度而求出-45度至45度的斜入射透過衰減量。透過衰減量越接近ODb，電波透過性越好。(反射率)反射率說的是基於JISZ8722的條件d(n-D)的包含正反射率在內的漫反射率，其是短波長側為360nm400nm、長波長側為760nm830nm的可見光區域的平均值，是採用積分球，包含光澤成分的正反射光在內地測得。具體而言，採用紫外可見近紅外分光光度計(日本分光公司制，V-570)，採用積分球、包含光澤成分的正反射光在內地測得裝飾構件的反射率。求出波長為380nm780nm的401處測量點的平均值。(透過率)採用紫外可見近紅外分光光度計(日本分光公司制，V-570)，採用積分球，測得裝飾構件的透過率。(光反射層的厚度)採用透過型電子顯微鏡(日本電子公司制，JEM-4000EX)，觀察光反射層的剖面，測得5處光反射層的厚度，進行平均。(平均表面粗糙度)採用掃描型探針顯微鏡(SIINanoTechnology公司制，SPA300)，在原子間力顯微鏡DFM模式下，掃描光反射層的表面1μm□，作成表面形狀的像，求出平均表面粗糙度(算術平均粗糙度Ra)。(表面電阻率)光反射層的表面電阻率通過採用電阻率計(DiaInstruments公司制，LorestaGPMCP-T600型，JISK7194標準)，將串聯四探針(ASP)放置於試料(sample)上來測得。測量電壓為10V。(內部應力)在厚度為0.3mm的聚碳酸酯片(大小為IOOmm2)上形成光反射層之後，將該片置於平臺(surfaceplate)之上，利用尺子來測得所裝片的中央部與平臺之間的間隙。將該間隙作為內部應力的指標。(粘合性)關於光反射層的粘合性，通過基於JISK5400的棋盤格試驗進行評價。(化學鑑定)採用X射線衍射裝置(島津製作所公司制，XRD-6100)，對靶與蒸鍍膜之間的成分比進行比較，判斷蒸鍍膜的成分是否與靶的相應成分相同。[實施例1]作為靶，準備了摻硼的矽與鋁的合金(鋁的比例體積比10%、摻硼量約Ippb)。鋁單體的反射率為87.6%。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制，CFS-4ES)的陰極的靶，並在真空腔內達到真空之後，向真空腔內導入氬氣，通過RF濺射在厚度為0.3mm的聚碳酸酯片上物理蒸鍍靶的合金，得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力。並且，觀察該裝飾構件的外觀。並且，進行化學鑑定的結果，光反射層的鋁的比例與靶中的鋁的比例相同。結果示於表1。並且，圖6示出該裝飾構件的透過衰減量(S21)及反射衰減量(Sll)的圖表。並且，圖7示出該裝飾構件的反射率的圖表(無掩模層)，圖8示出該裝飾構件的透過率的圖表(無掩模層)。[實施例28]除了將鋁的比例變更為表1所示的比例之外，與實施例1相同地得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力。並且，觀察該裝飾構件的外觀。並且，使光反射層的鋁的比例與靶中的鋁的比例相同。結果示於表12。[比較例1]除了採用鋁單體作為靶之外，與實施例1相同地得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表2。[表1]tableseeoriginaldocumentpage12實施例6實施例7實施例8比較例1光反射層平均表面粗4.22.23.62.2糙度(nm)透過衰減量(dB)-0.6-6.3-7.7-50.8IGHz-0.6-6.3-7.5-51.03GHz反射率(％)400nm58.058.760.380.8500nm59.461.164.986.6600nm60.262.366.787.7700nm60.762.666.786.3平均值59.961.765.285.7表面電阻率4X1032XIO32XIO24X1CT1(Ω)~內部應力ΓθO06~(mm)有金屬光澤有金屬光澤有金屬光澤有金屬光澤[實施例9]將厚度為0.5mm的聚丙烯片(按質量計含有10%的有機化膠嶺石)脫脂洗淨之後，對表面實施氧等離子處理，接著，按照成為1.5個原子厚的方式濺射鉻，形成粘結促進層。作為靶，準備了鍺與鋁的合金(鋁的比例按體積計為40%)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶，並在真空腔內達到真空之後，向真空腔內導入氬氣，通過RF濺射在粘結促進層上物理蒸鍍靶的合金，得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力，評價了粘合性(剝離的格/全部格)。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表3。未看見光反射層的剝離。[實施例10]將厚度為0.5mm的聚甲基丙烯酸甲酯片脫脂洗淨之後，對表面實施氧等離子處理，接著，按照成為1.0個原子厚的方式濺射鈦，形成粘結促進層。在粘結促進層上塗布含有氧化鈦粉的隱蔽性高的白色丙烯酸塗料，形成掩模層。作為靶，準備了矽與鋁的合金(鋁的比例按體積計為10%)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶，並在真空腔內達到真空之後，向真空腔內導入氬氣，通過RF濺射在粘結促進層上物理蒸鍍靶的合金，得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表3。並且，圖7示出該裝飾構件的反射率的圖表(有掩模層)，圖8示出該裝飾構件的透過率的圖表(有掩模層)。由於掩模層的效果，實施例10的裝飾構件與實施例1的裝飾構件相比，反射率上升，透過率幾乎為O。其結果，呈現出高亮度的金屬光澤。[表3]tableseeoriginaldocumentpage14實施例9實施例10表面電阻率(Ω)IO8以上IO8以上內部應力(mm)0226粘合性100/100~有金屬光澤有金屬光澤[實施例11]將厚度為2.5mm的聚碳酸酯片脫脂洗淨之後，對表面實施氧等離子處理，接著，塗布含有二氧化矽微粒的丙烯酸酯塗料，通過UV照射，使之固化，形成粘結促進層。作為靶，準備了鍺與鋁的燒結合金(鋁的比例按體積計為30%)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶，並在真空腔內達到真空之後，向真空腔內導入氬氣，通過RF濺射在掩模層上物理蒸鍍靶的合金，得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、60GHz至GHz下的垂直入射透過衰減量、反射率、表面電阻率。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表4，圖9示出該裝飾構件的垂直入射透過衰減量的圖表。實施例11的裝飾構件也呈現出透過率在60GHz至90GHz的高頻帶中幾乎為0的良好的透過性，呈現出高亮度的金屬光澤。[實施例12]將厚度為2.5mm的聚碳酸酯片脫脂洗淨之後，對表面實施氧等離子處理，接著，塗布含有氧化鎂粉的隱蔽性高的白色丙烯酸酯塗料，通過UV照射，使之固化，形成掩模層。作為靶，準備了鍺與銀的燒結合金(銀的比例按體積計為0.)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶，在真空腔內達到真空之後，向真空腔內導入氬氣，通過RF濺射在掩模層上物理蒸鍍靶的合金，得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、在76GHz下將入射角從_45度改變為45度而得到的斜入射透過衰減量、反射率、表面電阻率。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表4，圖10示出該裝飾構件的斜入射透過衰減量的圖表。實施例12的裝飾構件的透過率在76GHz的高頻帶中即使改變入射角受到的影響也較小，呈現出幾乎為0的良好的直進性，呈現出高亮度的金屬光澤。[表4]實施例U實施例12鋁的比例(體積％)30tableseeoriginaldocumentpage16[實施例I3]作為靶，準備了摻硼的矽(摻硼量約Ippb)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶，並在真空腔內達到真空之後，向真空腔內導入氬氣，通過RF濺射在厚度為0.3mm的聚碳酸酯片上物理蒸鍍靶的半導體物質，得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表Io並且，圖14示出該裝飾構件的透過衰減量(S21)及反射衰減量(Sll)的圖表。並且，圖15示出該裝飾構件的反射率的圖表(無掩模層)，圖16示出該裝飾構件的透過率的圖表(無掩模層)。[實施例1415]除了變更RF濺射的條件使光反射層的厚度成為表5所示的厚度之外，與實施例13相同地得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表5。[比較例1]除了採用鋁單體作為靶之外，與實施例13相同地得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表5。[表5]tableseeoriginaldocumentpage17[實施例16]將厚度為0.5mm的聚丙烯片(按質量計含有10%的有機化膠嶺石)脫脂洗淨之後，對表面實施氧等離子處理，接著，按照成為1.5個原子厚的方式濺射鉻，形成粘結促進層。作為靶，準備了GaAs(按原子計As為50.005%)0裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶，並在真空腔內達到真空之後，向真空腔內導入氬氣，通過RF濺射在粘結促進層上物理蒸鍍靶的半導體物質，得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力，評價了粘合性(剝離的格/全部格)。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表6。看不見光反射層的剝離。[實施例17]將厚度為0.5mm的聚甲基丙烯酸甲酯片脫脂洗淨之後，對表面實施氧等離子處理，接著，按照成為1.0個原子厚的方式濺射鈦，形成粘結促進層。在粘結促進層上塗布含有氧化鈦粉的隱蔽性高的白色丙烯酸塗料，形成掩模層。作為靶，準備了矽。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶，並在真空腔內達到真空之後，向真空腔內導入氬氣，通過RF濺射在粘結促進層上物理蒸鍍靶的半導體物質，得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表6。並且，圖15示出該裝飾構件的反射率的圖表(有掩模層)，圖16示出該裝飾構件的透過率的圖表(有掩模層)。由於掩模層的效果，實施例17的裝飾構件與實施例13的裝飾構件相比，反射率上升，透過率幾乎為O。其結果，呈現出高亮度的金屬光澤。[實施例18]除了使用摻硼的鍺(摻硼量約0.Ippb)作為靶以外，與實施例13相同地得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內部應力。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表6。並且，圖17示出該裝飾構件的透過衰減量(S21)及反射衰減量(Sll)的圖表。[表6]tableseeoriginaldocumentpage18tableseeoriginaldocumentpage19[實施例19]將厚度為2.5mm的聚碳酸酯片脫脂洗淨之後，對表面實施氧等離子處理，接著，塗布含有氧化鎂粉的隱蔽性高的白色丙烯酸酯塗料，通過UV照射，使之固化，形成掩模層。作為靶，準備了鍺與銀的燒結合金(銀的比例按體積計為0.)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶，在真空腔內達到真空之後，向真空腔內導入氬氣，通過RF濺射在掩模層上物理蒸鍍靶的合金，得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、在76GHz下將入射角從_45度改變為45度而得到的斜入射透過衰減量、反射率、表面電阻率。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表7，圖18示出該裝飾構件的斜入射透過衰減量的圖表。實施例19的裝飾構件在76GHz的高頻帶中即使改變入射角，其受到的影響也較小，呈現出透過率幾乎為0的良好的直進性，呈現出高亮度的金屬光澤。[實施例2O]除了使光反射層的厚度成為500nm之外，與實施例19相同地得到裝飾構件。針對該裝飾構件，測得光反射層的厚度、在76GHz下將入射角從_45度改變為45度而得到的斜入射透過衰減量、反射率、表面電阻率。並且，觀察該裝飾構件的外觀。結果示於表7，圖19示出該裝飾構件的斜入射透過衰減量的圖表。實施例20的裝飾構件在76GHz的高頻帶中即使改變入射角，其受到的影響也較小，呈現出透過率幾乎為0的良好的直進性，呈現出高亮度的金屬光澤。[表7]tableseeoriginaldocumentpage19tableseeoriginaldocumentpage20產業上的可利用性本發明的電波透過性裝飾構件可作為可攜式電話的殼體和按鈕、電波鐘表的殼體、通信設備的殼體、以及設置有雷達的汽車的前護柵和保險槓等使用。權利要求一種電波透過性裝飾構件，其中，包括基體；以及光反射層，設置在該基體上，包含矽或鍺與金屬的合金。2.根據權利要求1所述的電波透過性裝飾構件，其中，所述光反射層是通過物理蒸鍍矽或鍺與金屬的合金而形成的蒸鍍膜。3.根據權利要求1或2所述的電波透過性裝飾構件，其中，在所述光反射層上沒有形成不存在所述合金的間隙。4.根據權利要求13中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，所述金屬是反射率為50%以上的金屬。5.根據權利要求14中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，在按體積計為100%的所述合金中，所述金屬的比例為體積比0.1%80%。6.根據權利要求15中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，所述基體為有機材料壓型體。7.根據權利要求16中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，光反射層的厚度為IOnm500nmo8.根據權利要求17中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，在所述基體與所述光反射層之間具有含白色顏料的掩模層。9.根據權利要求18中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，在所述基體與所述光反射層之間具有粘結促進層。10.一種電波透過性裝飾構件，其中，包括基體；以及光反射層，設置在該基體上，包含半導體物質。11.根據權利要求10所述的電波透過性裝飾構件，其中，所述光反射層是通過物理蒸鍍半導體物質而形成的蒸鍍膜。12.根據權利要求10或11所述的電波透過性裝飾構件，其中，在所述光反射層上沒有形成不存在所述半導體物質的間隙。13.根據權利要求1012中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，所述半導體物質是矽或鍺。14.根據權利要求1013中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，所述基體為有機材料壓型體。15.根據權利要求1014中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，光反射層的厚度為IOnm500nm。16.根據權利要求1015中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，在所述基體與所述光反射層之間具有含白色顏料的掩模層。17.根據權利要求1016中的任一項所述的電波透過性裝飾構件，其中，在所述基體與所述光反射層之間具有粘結促進層。全文摘要本發明提供一種低成本電波透過性裝飾構件，該電波透過性裝飾構件具有電波透過性及鏡面般的金屬光澤，且該金屬光澤不容易喪失。解決上述問題的電波透過性裝飾構件(10)包括基體(12)；以及設置在該基體(12)上的包含矽或鍺與金屬的合金的光反射層(14)，作為光反射層(14)，優選是通過物理蒸鍍矽或鍺與金屬的合金而形成的蒸鍍膜。文檔編號B32B7/02GK101802248SQ200880107358公開日2010年8月11日申請日期2008年9月18日優先權日2007年9月18日發明者佐賀努,川口利行,田原和時申請人:信越聚合物株式會社