芳族聚碳酸酯組合物的製作方法
2023-06-08 02:03:41 1
專利名稱：芳族聚碳酸酯組合物的製作方法
芳族聚碳酸酯組合物本發明涉及一種聚合物組合物，其包含聚合物(具體為芳族聚碳酸酯)和雷射直接成型添加劑。本發明還涉及一種用於製備這種組合物的方法，含有這種組合物的模製件，含有這種模製件的電路載體(circuit carrier)以及用於製造這種電路載體的方法。例如在US-B2-7060421和W0-A-2009024496中描述了一種聚合物組合物，其含有聚合物和能被雷射輻射活化並由此形成單質金屬核的雷射直接成型(LDS)添加劑。這種聚合物組合物可以有利地用於製造非導電部件用的LDS工藝中，在該部件上，導電性跡線通過如下形成用雷射輻射輻照所述部件的區域以便在導電通道所處的位置活化塑性表面，從而使雷射直接成型添加劑分解，釋放金屬核；隨後使被照射的區域金屬化，從而在這些區域上累積金屬。W0-A-2009024496描述了一種芳族聚碳酸酯組合物，其包含能夠被電磁輻射活化並由此形成單質金屬核的金屬化合物和2. 5-50質量％的橡膠狀聚合物，加入後者以降低由於芳族聚碳酸酯組合物中所述金屬化合物的存在而導致的聚碳酸酯的降解。
業已發現，上述組合物的使用可能導致經過金屬化的輻射區域不均勻地金屬化。 這表現為，金屬化的區域存在孔，或者金屬累積在整個金屬化區域上的厚度不均勻。在金屬化期間，當金屬未在輻射的區域累積時便產生孔。特別是當金屬化受到影響使累積的金屬(具體為銅)的最大厚度小於5 時，可能形成所述孔。金屬化區域上不均勻的厚度表示，金屬在各輻射區域累積，但至少一個輻射區域上的金屬累積的厚度小於其他輻射區域上的厚度。特別是當金屬化受到影響使累積的金屬(具體為銅)的最大厚度高於5 時，可能出現這種不均勻的厚度。本發明的目標是提供一種不顯示或者在較小程度上顯示上述缺陷的芳族聚碳酸酯組合物，其含有雷射直接成型添加劑。這個目的通過一種聚合物組合物實現，其包含如下組分a) 76. 6-99. 49質量％的芳族聚碳酸酯，b)0. 5-20質量％的雷射直接成型添加劑，c)0-2. 4質量％的橡膠狀聚合物，以及d)0. 01-1質量％的酸或酸式鹽，其中質量％是基於組分a)、b)、c)和d)的總量來計算。令人驚奇地發現，根據本發明的聚合物組合物，通過在由所述組合物得到的模製件上的輻射區域的金屬化得到的金屬累積在金屬化區域更均勻，表現為，金屬化的區域存在較少的孔，或者金屬累積在整個金屬化區域上的厚度更均勻。根據本發明的組合物的額外的優點為，金屬層的平均厚度增加，即，在金屬化期間，在輻射區域上積累了更多的金屬。特別地，業已令人驚奇地發現，酸或酸式鹽在包含芳族聚碳酸酯和雷射直接成型添加劑且基本上不含橡膠狀聚合物的聚合物組合物中的使用，導致通過在由所述組合物得到的模製件上的輻射區域的金屬化得到的金屬累積可以得以改善，如金屬在整個輻射區域上更均勻的累積所證明。因此，本發明還涉及酸或酸式鹽在包含芳族聚碳酸酯和雷射直接成型添加劑且基本上不含橡膠狀聚合物的聚合物組合物中的用途，用於增大通過在由所述組合物得到的模製件上的輻射區域的金屬化得到的金屬化區域的均勻性。在本文中使用時，「基本上不含橡膠狀聚合物」表示相對於芳族聚碳酸酯、雷射直接成型添加劑、橡膠狀聚合物、酸和酸式鹽的總量，橡膠狀聚合物在包含芳族聚碳酸酯和雷射直接成型添加劑的組合物中的量為至多2. 4質量％。優選地，橡膠狀聚合物的量小於2質量％，更優選小於I. 5質量％，更優選小於I質量％，甚至更優選O質量％的橡膠狀聚合物。組合物包含酸或酸式鹽(組分d))。在一個實施方式中，酸或酸式鹽是無機酸或無機酸鹽。在一個實施方式中，組合物包含含氧磷酸和/或其酸式鹽。優選地，含氧磷酸是通式為HmPtOn的多質子含氧磷酸，其中m和n均為2或更大，t為I或更大。這種酸的實例包括但不限於由下式所表示的酸H3P04、H3PO3、以及H3PO2。含氧磷酸的非限制性實例為磷酸、亞磷酸、次磷酸、連二磷酸、次膦酸、膦酸、偏磷酸、六偏磷酸、硫代磷酸、氟磷酸、二氟磷酸、氟亞磷酸、二氟亞磷酸、氟次磷酸或氟連二磷酸。在本發明一個優選的實施方式中，組合物包含H3P04、H3PO3^H3PO2和/或H3P04、H3PO3或H3PO2的酸式鹽。在本發明一個更優選的實施方式中，組合物包含H3P04、H3P03和/或H3PO4或H3PO3的酸式鹽。H3PO4的酸式鹽的非限制性實例為單磷酸鋅、單磷酸鈣、單磷酸鈉。優選地，組分d)為H3P04、H3PO3、H3PO2和/或H3PO4、H3PO3或H3PO2的酸式鹽或其混合物。更優選地，組分d)為H3P04、H3P03和/或H3PO4或H3PO3的鋅鹽或其混合物。 組合物以0到至多(包括)2. 4質量％的量包含橡膠狀聚合物。優選地，橡膠狀聚合物的量小於2質量％ ,更優選小於I. 5質量％ ,更優選小於I質量％ ,甚至更優選0質量％的橡膠狀聚合物。在本發明一個優選的實施方式中，組合物不含橡膠狀聚合物。該橡膠狀聚合物或者是或者含有彈性(即橡膠狀)聚合物，其優選具有小於約10°C的Tg。彈性聚合物的實例包括聚異戊二烯、丁二烯基橡膠(如聚丁二烯)、苯乙烯-丁二烯無規共聚物和嵌段共聚物、所述嵌段共聚物的氫化物、丙烯腈-丁二烯共聚物和丁二烯-異戊二烯共聚物；丙烯酸酯基橡膠，如乙烯-甲基丙烯酸酯和乙烯-丙烯酸丁酯、丙烯酸酯-丁二烯共聚物(例如丙烯酸彈性聚合物，如丙烯酸丁酯-丁二烯共聚物)；矽氧烷基橡膠，如聚有機矽氧烷，諸如聚二甲基矽氧烷、聚甲基苯基矽氧烷和二甲基二苯基矽氧烷共聚物；和其它彈性聚合物，如乙烯-丙烯無規共聚物和嵌段共聚物、乙烯和a -烯烴的共聚物、乙烯和脂族乙烯基的共聚物(諸如乙烯-醋酸乙烯酯)和乙烯-丙烯-非共軛二烯三元聚合物(諸如乙烯-丙烯-己二烯共聚物)、丁烯-異戊二烯共聚物和氯化聚乙烯。除此之外，本發明的聚碳酸酯組合物包含76. 6到至多99. 49質量％的芳族聚碳酸酯，優選包含77到至多98. 99質量％的芳族聚碳酸酯，優選包含87. 5到至多96. 99質量％的芳族聚碳酸酯，更優選包含88到至多95. 99質量％的芳族聚碳酸酯，甚至更優選包含89到至多94. 99質量％的芳族聚碳酸酯。適當的芳族聚碳酸酯是由至少二價苯酚化合物和碳酸酯前驅體例如通過公知的界面聚合工藝或熔融聚合方法製成的聚碳酸酯。可以應用的適當二價苯酚化合物是具有一個或多個芳族環、含有兩個羥基的化合物，各個羥基直接連接到形成芳族環的一部分碳原子上。這種化合物的實例是4，4』- 二羥基聯苯、2，2-雙(4_輕苯基)丙燒(雙酌' A)、2, 2_雙(4-輕基-3-甲基苯基)丙燒、2, 2_雙-(3-氣-4-輕苯基)_丙燒、2, 2-雙-(3, 5- _■甲基-4-輕苯基)-丙燒、2,4-雙-(4-輕苯基)~2~甲基丁烷、2，4_雙-(3，5_ 二甲基-4-羥苯基)-2-甲基丁烷、4，4_雙(4-羥苯基)庚烷、雙_(3，5-二甲基-4-羥苯基)-甲烷、1，I-雙-(4-羥苯基)-環己烷、1，I-雙-(3，5-二甲基-4-羥苯基)-環己烷、2，2-(3，5，3^ ,5;-四氯-4，^ - 二羥基二苯基)丙烷、2，2-(3，5，3 ^，5' _四漠_4,4' -_■輕基_■苯基)丙燒、(3,3' -_■氣-4,4' -_■輕基苯基)甲燒、雙-(3,5- 二甲基-4-輕苯基)_碸、雙-4-輕苯基碸、雙-4-輕苯基硫醚。碳酸酯前驅體可以是羰基滷化物、滷代甲酸酯或碳酸酯。羰基滷化物的實例是羰基氯和羰基溴。適當的滷代甲酸酯的實例是二價苯酚化合物(諸如氫醌)或二醇(諸如乙二醇)的雙-滷代甲酸酯。適當的碳酸酯的實例是碳酸二苯基酯、碳酸二(氯苯基)酯、碳酸二(溴苯基)酯、碳酸二(烷苯基)酯、碳酸苯基甲苯基酯等等及其混合物。儘管還可以使用其它碳酸酯前驅體，但是優選使用羰基滷化物，具體使用羰基氯(也被稱為光氣)。在根據本發明的組合物中的芳族聚碳酸酯可以採用催化劑、酸受體和用於控制分子量的化合物製成。催化劑的實例是叔胺，諸如三乙胺、三丙胺和N，N- 二甲基苯胺；季銨化合物，諸如四乙基溴化銨；和季鱗化合物，諸如甲基三苯基溴化鱗。 有機酸受體的實例是吡啶、三乙胺、二甲基苯胺等等。無機酸受體的實例是鹼金屬或鹼土金屬的氫氧化物、碳酸鹽、碳酸氫鹽和磷酸鹽。用於控制分子量的化合物的實例是一價苯酚化合物，諸如苯酚、對-烷基苯酚和對-溴苯酚；以及仲胺。例如在Encycl. Polym. Sci. Eng.，11, p. 648-718 (Wiley, New York, 1988)和Kunststoff Handbuch, 3/1, p. 117-297 (Hanser Verlag, Muenchen, 1992)中詳細描述了上述聚碳酸酯、其製法和性質。根據本發明的組合物優選包含如下聚碳酸酯，該聚碳酸酯由雙酚A和光氣以及可選的少量的具有一個、兩個或兩個以上反應性基團的其它化合物共聚單體(該共聚單體例如用於控制熔融粘度)衍生得到。聚碳酸酯組合物包含能使組合物用於雷射直接成型(LDS)工藝的雷射直接成型添加劑(組分b))。在LDS工藝中，雷射束使LDS添加劑曝光，從而將其置於聚碳酸酯組合物的表面並使金屬核從LDS添加劑中釋放。因此，選擇LDS添加劑，以便在暴露於雷射束之後，金屬原子被活化並曝光，在未暴露於雷射束的區域，金屬原子未曝光。組分b)能夠被雷射輻射活化，並因此在聚碳酸酯組合物內形成單質金屬核。組分
b)是一種含有金屬的(無機或有機)化合物，其吸收雷射輻射後釋放單質形式的金屬。輻射也可以不直接被含有金屬的化合物吸收，而是被其它物質吸收，該物質然後將吸收的能量轉移到含有金屬的化合物並因而使單質金屬釋放。該雷射輻射可以是UV光(波長為100至400nm)、可見光(波長為400至800nm)或紅外光(波長為800至25000nm)。其它優選形式的輻射是X-射線、Y-射線和粒子束(電子束、a-粒子束和0-粒子束)。優選地，雷射輻射是紅外光輻射，更優選波長為1064nm。可用於本發明的LDS添加劑的實例包括，銅鉻氧化物尖晶石和銅鑰氧化物尖晶石；銅鹽，諸如鹼式磷酸銅、磷酸銅和硫酸銅。優選地，能夠被輻射活化的組分b)由非導電性、高溫穩定性的有機或無機金屬化合物組成，其優選不溶於且穩定在水性的酸性或鹼性金屬化浴中。特別適宜的化合物是在入射光的波長下吸收非常高比例光線的那些化合物。EP-A-I 274 288中描述了這種類型的化合物。本文優選元素周期表的d族和f 族中的金屬與非金屬形成的化合物。含有金屬的化合物特別優選為金屬氧化物，具體為元素周期表的d-金屬的氧化物。特別適宜的是高級金屬氧化物，該金屬氧化物含有至少兩個不同種類的陽離子並且具有尖晶石結構或與尖晶石相關的結構，並且該金屬化合物在含有本發明組合物的模製件的未經照射區域上保持不變。在本發明的一個特別優選實施方式中，高級氧化物是尖晶石，特別是含有銅的尖晶石，諸如CuCr2O4。適當的含有銅的尖晶石可商購，其實例例如為得自Ferro(DE)的PK 3095或得自Johnson Matthey (DE)的34E23或34E30。具有式CuO或Cu2O的銅氧化物也是特別適宜的，本文優選使用納米粒子，諸如來自Nanophase Technologies Corporation, Illinois,USA的NANOARC(R) Copper Oxide。在本發明的另一特別優選的實施方式中，高級尖晶石氧化物是含有錳的尖晶石。正如本領域普通技術人員所認識到的，還可以使用各種具有尖晶石結構的金屬化合物的混合物。優選地，金屬化合物由化學式AB2O4或B(AB)O4表示。式中的A組分是具有2價的金屬陽離子，其選自由鎘、鋅、銅、鈷、鎂、錫、鈦、鐵、鋁、鎳、錳、鉻及其這些中的兩種或更多種的組合組成的組。式中的B組分是具有3價的金屬陽離子，其選自由鎘、錳、鎳、鋅、銅、鈷、 鎂、錫、鈦、鐵、鋁、鉻及其這些中的兩種或更多種的組合組成的組。本發明的聚合物組合物具有分散在其中的金屬化合物，其中所述金屬化合物優選包含可定義晶體形式內的兩種或更多種金屬氧化物的團簇構形。總晶體形式(overallcrystal formation)處於理想(即未被汙染、未衍生)狀態時具有如下通式AB2O4,其中(i)A選自由鎘、鋅、銅、鈷、鎂、錫、鈦、鐵、鋁、鎳、錳、鉻及其組合組成的組，其為第一金屬氧化物團簇(「金屬氧化物團簇1」，通常為四面體結構)提供主要的陽離子組分；(ii)B選自由鎘、錳、鎳、鋅、銅、鈷、鎂、錫、鈦、鐵、鋁、鉻及其組合組成的組，其為第二金屬氧化物團簇(「金屬氧化物團簇2」，通常為八面體結構)提供主要的陽離子組分；(iii)其中，在上述基團A或B中，任何可能為2價的金屬陽離子都可以被用作「A」，任何可能為3價的金屬陽離子都可以被用作「B」 ；(iv)其中，「金屬氧化物團簇I」(通常為四面體結構)的幾何構形不同於「金屬氧化物團簇2」 (通常為八面體結構)的幾何構形，(V)其中，A和B的金屬陽離子可以用作「金屬氧化物團簇2」(通常為八面體結構)的金屬陽離子，如在「倒」尖晶石型晶體結構的情況下，(vi)其中，0主要(如果不是排他性的)是氧；以及(vii)其中，所述「金屬氧化物團簇I」和「金屬氧化物團簇2」 一起構成一種對電
磁輻射具有高度易感性的單一可識別晶體型結構。這些組分b)在本發明的組合物中的濃度為0. 5到至多20質量％，優選為I到至多20質量％，優選為3到至多10質量％，更優選為4到至多10質量％，特別優選為5到至
多10質量％。在一個優選的實施方式中，根據本發明的組合物包含a) 77-98. 99質量％的芳族聚碳酸酯，b) 1-20質量％的雷射直接成型添加劑，c) 0-2質量％的橡膠狀聚合物，以及d) 0.01-1質量％的酸或酸式鹽，其中質量％是基於組分a)、b)、c)和d)的總量。在另一優選的實施方式中，根據本發明的組合物包含a)87. 5-96. 99質量％的芳族聚碳酸酯，b)3_10質量％的雷射直接成型添加劑，c)0-l. 5質量％的橡膠狀聚合物，以及d)0. 01-1質量％的酸或酸式鹽。在另一優選的實施方式中，根據本發明的組合物包含a)88-95. 99質量％的芳族聚碳酸酯，b)4-10質量％的雷射直接成型添加劑，c)0-l質量％的橡膠狀聚合物，以及d)0. 01-1質量％的酸或酸式鹽。在另一優選的實施方式中，根據本發明的組合物包含
a)89-94. 99質量％的芳族聚碳酸酯，b) 5_10質量％的雷射直接成型添加劑，c)0質量％的橡膠狀聚合物，以及d)0. 01-1質量％的酸或酸式鹽.根據本發明的熱塑性組合物可以進一步包含0到至多25質量％ (相對於a)、b)、
c)和d)的總重來計算)的一種或更多種其他添加劑。這些包括常規添加劑，諸如耐熱或耐熱-氧化降解的穩定劑、耐水解降解的穩定劑、耐光(具體為UV光)降解和/或耐光-氧化降解的穩定劑、衝擊改性劑、加工助劑(諸如脫模劑和潤滑劑)、著色劑(諸如顏料和燃料)、填料(包括礦物，如鈣矽石或矽酸鋁)或阻燃劑。這些添加劑和它們的常用量的適當實例都記載在上述KunststofT Handbuch, 3/1中。聚合物組合物可以進一步包含增強劑，諸如玻璃纖維。相對於a)、b)、c)和d)的總量，聚合物組合物可以包含0-30wt%的玻璃纖維，優選0-20wt%。
組分b)、c)(如果存在的話)和d)和任選的上述其它添加劑以及任意其它添加劑和增強劑可以通過適當的混合裝置諸如單螺杆擠出機或雙螺杆擠出機引入芳族聚碳酸酯中，優選地，使用雙螺杆擠出機。優選地，芳族聚碳酸酯小粒與至少組分b)和d) —起被引入擠出機中並擠出，然後在水浴中驟冷，造粒。因此，本發明進一步涉及一種用於製備本發明的芳族聚碳酸酯組合物的方法，通過將組分a)、b)、d)和任選的組分c)和其它(顆粒狀)添加劑和增強劑熔融混合來實現。本發明進一步涉及一種模製件，其包含本發明的聚碳酸酯組合物。本發明具體涉及通過注塑本發明的組合物而製成的模製件。本發明還涉及一種製品(具體為電路載體)，其含有由本發明的組合物製成的模製件。在一個實施方式中，這種電路載體被用於生產天線。本發明進一步涉及用於製造這種電路載體的方法，所述方法包括如下步驟提供含有本發明的聚碳酸酯組合物的模製件；採用雷射輻射照射所述部件的其上待形成導電性跡線的區域，從而使LDS添加劑b)分解並釋放金屬核；隨後將被照射的區域金屬化。在優選的實施方式中，雷射輻射被同時用於使金屬核釋放和實現部件消融而形成促進粘附的表面。這為實現沉積金屬導線的優異粘附強度提供了一種簡便的方式。雷射的波長有利地為248nm、308nm、355nm、532nm、1064nm或甚至10600nm。優選通過電鍍工藝將其它金屬沉積在通過雷射輻射產生的金屬核上。所述金屬化優選地通過如下方法進行將模製件浸潰在至少一種無電鍍浴中，從而在模製件的被照射區域上形成導電路徑。無電鍍工藝的非限制性實例為鍍銅工藝、鍍金工藝、鍍鎳工藝、鍍銀、鍍鋅和鍍錫工藝。通過參考以下實施例和對比實驗進一步闡述本發明。對比例A-F和實施例1-4由表I所列組分製備對比實驗(CEx) A-F和實施例(Ex) 1-4的組合物。根據表2或3所列組成在280°C的溫度下在同向旋轉雙螺杆擠出機中擠出所有樣品。對擠出物造粒。將所選顆粒注塑成70*50*2mm的板，其中取決於表2的樣品用的材料的粘度，使用290°C到310°C的熔融溫度；取決於表3的樣品用的材料的粘度，使用250°C到270°C的熔融溫度。在雷射活化注塑片後，隨後在無電鍍銅浴中進行鍍覆過程，由此判斷鍍層性能。雷射活化在LPKF Microline 3D雷射器上進行，所用的雷射波長為1064nm，在4m/s的速度下窗口::尺寸為55iim。為了研究雷射加工窗口，使用總計3X6設定的矩陣，雷射頻率在60kHz到IOOkHz的三個等級中變化，雷射功率在4W到IOW的6個等級中變化。清洗雷射活化的部件以除去任何雷射殘渣，隨後活化的區域在MacDermidM-Copper 85鍍浴中進行金屬化約I小時。結果注塑板包含平均厚度小於5 y m的18個鍍銅區域。根據18個鍍銅區域的銅層的平均厚度以及均勻性(封閉的或多孔的)來判斷鍍層性能。目視判斷均勻性。表2表示對比實驗(CEX)A到B以及實施例(Ex) I到4的組成和結果。通過所有雷射處理區域的平均銅層厚度和均勻性水平給出了銅層的品質。均勻性水平表示顯示為完全封閉的銅層(無孔)的雷射處理區域的百分比。如果雷射處理區域完全被銅層覆蓋，則認為該區域是均勻的。如果該區域的銅層上顯示出一個或更多個孔，則認為該區域是不均勻的。樣品的均勻性被定義為均勻區域的數量除以樣品區域(均勻的和不均勻的)的總數量。例如，如果18個鍍銅區域中只有9個顯示出完全封閉的銅層，而另外9個顯示出孔隙，則認為均勻性為50%、結果顯示，實施例1-4的鍍層性能與實施例A-B相比有明顯的改善，因為銅層厚度增加超過100%且所有雷射處理區域均顯示出均勻的層結構(100%均勻性)。表I
權利要求
1.一種聚合物組合物，其包含如下組分 a)76. 6-99. 49質量％的芳族聚碳酸酯， b)0.5-20質量％的雷射直接成型添加劑， c)0-2. 4質量％的橡膠狀聚合物，以及 d)0.01-1質量％的酸或酸式鹽， 其中所述質量％是基於組分a)、b)、c)和d)的總量來計算。
2.如權利要求I所述的聚合物組合物，其中，所述組合物進一步包含0到至多25質量％的添加劑，其中所述量是相對於組分a)、b)、c)和d)的總量。
3.如權利要求I或2所述的聚合物組合物，其中，所述組合物包含含銅的尖晶石作為雷射直接成型添加劑。
4.如權利要求I或2所述的聚合物組合物，其中，所述組合物包含CuCr2O4作為雷射直接成型添加劑。
5.如權利要求1-4中任意一項所述的聚合物組合物，其中，所述組合物不含橡膠狀聚合物。
6.如權利要求1-5中任意一項所述的聚合物組合物，其中，所述酸是無機酸或無機酸鹽。
7.如權利要求1-5中任意一項所述的聚合物組合物，其中，所述組合物包含含氧磷酸和/或其酸式鹽。
8.如權利要求1-5中任意一項所述的聚合物組合物，其中，所述組合物包含H3P04、H3P03和/或H3PO4或H3PO3的酸式鹽。
9.一種模製件，其含有權利要求1-8中任意一項所述的聚碳酸酯組合物。
10.一種電路載體，其至少含有權利要求9所述的模製件。
11.一種用於製造權利要求10所述的電路載體的方法，所述方法包括如下步驟 提供權利要求9所述的模製件；採用雷射輻射照射所述部件上待形成導電性跡線的區域，從而使LDS添加劑b)分解並釋放金屬核；隨後將被照射的區域金屬化。
12.酸或酸式鹽在包含芳族聚碳酸酯和雷射直接成型添加劑且基本上不含橡膠狀聚合物的聚合物組合物中的用途，用於增大通過在由所述組合物得到的模製件上的輻射區域的金屬化得到的金屬化區域的均勻性。
13.如權利要求12所述的用途，其中，d)所述酸和/或酸式鹽以0.01-1質量％的量添加到組合物中，所述組合物包含如下組分a)76. 6-99. 49質量％的芳族聚碳酸酯，b)0. 5-20質量％的雷射直接成型添加劑，以及c)0-2. 4質量％的橡膠狀聚合物，其中質量％是基於組分a)、b)、c)和d)的總量來計算。
14.如權利要求12或13所述的用途，其中，所述組合物不含橡膠狀聚合物。
15.如權利要求12-14中任意一項所述的用途，其中，所述酸是無機酸或無機酸鹽。
16.如權利要求12-14中任意一項所述的用途，其中，所述組合物包含含氧磷酸和/或其酸式鹽。
17.如權利要求12-14中任意一項所述的用途，其中，所述組合物包含H3P04、H3P03和/或H3PO4或H3PO3的酸式鹽。
全文摘要
本發明涉及一種聚合物組合物，其含有如下組分a)76.6-99.49質量％的芳族聚碳酸酯，b)0.5-20質量％的雷射直接成型添加劑，c)0-2.4質量％的橡膠狀聚合物，以及d)0.01-1質量％的酸或酸式鹽，其中質量％是基於組分a)、b)、c)和d)的總量來計算。本發明還涉及含有這種組合物的模製件，含有這種模製件的電路載體以及用於製造這種電路載體的方法。
文檔編號B41M5/26GK102770278SQ201080064488
公開日2012年11月7日 申請日期2010年12月20日 優先權日2009年12月21日
發明者博納爾杜斯·安東尼斯·赫拉爾杜斯·齊勞溫 申請人:三菱化學歐洲合資公司