塗覆的聚合物膜的製作方法
2023-07-04 12:43:56
塗覆的聚合物膜的製作方法
【專利摘要】本發明公開了具有改善的介電強度的塗覆的聚合物組合物。塗覆的聚合物組合物可以包含聚合物襯底和無機材料。本摘要旨在作為掃描工具，用於在特定領域中的檢索目的，而並非旨在限制本發明。
【專利說明】塗覆的聚合物膜
【技術領域】
[0001]本公開涉及介電材料,並且具體涉及具有改善的介電性能的聚合物組合物。
【背景技術】
[0002]介電材料是常用於電子和能量相關設備中的非導電、電絕緣材料。電容器是在電容器的介電材料層中能夠保持或存儲電荷的電氣元件。這些介電材料通常包括聚合物。電容器的能量密度與介電性能以及其中的介電材料的電擊穿強度有關。因此，傳統的電容器的能量密度通常受限於用於介電層中的聚合物的介電性能和介電強度。
[0003]因此，對於具有改善的介電性能和介電強度的聚合物介電材料仍然存在需要。通過本公開的組合物和方法滿足這些需要和其他需要。
【發明內容】
[0004]根據本發明的一個或多個目的，如本文中具體實施和廣泛描述的，一方面，本公開涉及介電材料，並且具體地涉及具有改善的介電性能的聚合物組合物。
[0005]在一個方面，本公開提供了塗覆的聚合物組合物，包含聚合物襯底和沉積在其至少一個表面上的無機材料，其中，與相同組合物的未塗覆的聚合物襯底相比，塗覆的聚合物組合物具有改善的介電強度。
[0006]在另一個方面，本公開提供了包括如在本文中描述的塗覆的聚合物組合物的電容器。
[0007]在另一個方面，本公開提供了製備塗覆的聚合物組合物的方法，該方法包括將無機材料沉積在聚合物襯底的一個表面的至少一部分上，使得生成的塗覆的聚合物組合物具有超過聚合物襯底本身的改善的介電強度。
[0008]本發明的另外方面將部分地陳述在隨後的描述中，並且由該描述將部分地是顯而易見的，或者可以通過實施本發明而獲知。通過所附權利要求中具體指出的元素和組合來實現和得到本發明的優點。應當理解的是，如所要求保護的，前面的一般性描述和以下【具體實施方式】都是示例性的而且僅用於舉例說明，而並非限制本發明。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1示出了根據本公開的各方面，可由將二氧化矽膜沉積在聚醚醯亞胺襯底上獲得的擊穿強度的改善。
[0010]圖2示出了根據本公開的各方面，可由將二氧化矽膜沉積在聚醚醯亞胺襯底上獲得的DC擊穿強度的改善。
[0011]圖3示出 了根據本公開的各方面，可由將氮化矽(SiNx)膜沉積在聚醚醯亞胺襯底上獲得的擊穿強度的改善。
[0012]圖4是根據本公開的各個方面，用SiNx膜塗覆的聚醚醯亞胺膜的顯微照片。
[0013]圖5示出了根據本公開的各個方面，針對二氧化矽塗覆的聚醚醯亞胺襯底的應力-應變曲線。
[0014]圖6示出了所要求保護的本發明的典型的塗覆方案。如所示出的，高_k層和低_k層的各種組合可以添加至聚合物襯底。
[0015]圖7示出了來自不同O2流量下Ta2O5的反應濺射的數據。
[0016]圖8示出了來自UltemlOOO上的SrTiO3的磁控濺射塗覆的數據。在10%的O2下，通過射頻(RF)磁控濺射施加SrTiO3塗層。
[0017]圖9示出了來自UltemlOOO上的高-K (介電常數)TiO2塗覆效果的數據。
[0018]圖10示出了來自不同O2流量下的反應濺射的數據。
[0019]圖11示出了來自通過PECVD對濺射沉積的SiO2塗層的數據。氧流量是30sCCm並且2%的SiH4稀釋在氦中。對於50nm、100nm和150nm的SiO2塗層，PECVD塗覆時間分別是46秒、92秒和138秒。
[0020]圖12示出了 UltemlOOO上的1-側不對稱低-k/高-k塗覆組合的數據。使用平面濺射法將充當無機層的50nm的Ta2O5和IOOnm的SiO2添加至膜。
[0021]圖13示出了 UltemlOOO上的1-側不對稱低-k/高_k塗覆組合的數據。使用RF磁控派射法將充當無機層的IOOnm的Ta2O5和IOOnm的SiO2添加至膜。
[0022]圖14示出了 UltemlOOO上的1-側不對稱低-k/高_k塗覆組合的數據。使用RF磁控派射法將充當無機層的IOOnm的SrTiO3和IOOnm的SiO2添加至膜。
[0023]圖15示出了 UltemlOOO上的2_側對稱高-k/低_k塗覆組合的數據。將充當無機層的50nm的Ta2O5和IOOnm的SiO2的雙塗層添加至膜。
[0024]圖16示出了具有比圖15中的實例相對較厚的塗層的UltemlOOO上的2_側對稱高-k/低-k塗覆組合的數據。將充當無機層的IOOnm的Ta2O5和IOOnm的SiO2的雙塗層添加至膜。
[0025]圖17示出了 UltemlOOO上的2_側對稱高-k/低_k塗覆組合的數據。將充當無機層的IOOnm的SrTiO3和50nm的SiO2的雙塗層添加至膜。
[0026]圖18示出了 UltemlOOO上的不對稱低_k/高_k塗覆組合的數據。用50nm的SiO2塗覆5微米UltemlOOO膜的兩側，並且用SrTiO3塗覆單側。
[0027]圖19示出了 UltemlOOO複合材料上的塗覆效果。用IOOnm的SiO2塗覆Ultem-30%BaTiO3複合材料。
[0028]圖20示出了 UltemlOOO上的TiO2的塗覆效果。通過18% O2中的反應濺射、7%O2中的RF、或無O2中的RF施加TiO20
[0029]圖21示出了來自Lexanl51的聚碳酸酯膜上的高-k塗層。圖示出了 10 μ m聚碳酸酯上的50nm Ta2O5的塗覆效果。
[0030]圖22示出了聚碳酸酯膜上的高-k塗層的效果。在10 μ m聚碳酸酯膜上，通過濺射將Ta2O5塗層施加為IOOnm或50nm層。
【具體實施方式】
[0031]通過參照本發明的以下詳細描述和其中包括的實施例，可以更容易地理解本發明。 [0032]在公開和描述本發明的化合物、組合物、製品、系統、裝置、和/或方法之前，應理解的是，它們不限於特定的合成方法，除非另有說明，或者，它們不限於具體的試劑，除非另有說明，同樣地，當然可以改變。還應該理解的是，本文使用的術語僅是為了描述具體方面的目的，而並非旨在進行限制。儘管與本文描述的那些相似或等效的任何方法和材料可以用於本發明的實踐或試驗中，現在描述實例方法和材料。
[0033]本文中提到的所有出版物通過引用合併於此以便與出版物所引用的內容相關聯公開和描述這些方法和/或材料。
[0034]定義
[0035]除非另有定義，本文中使用的所有技術與科學術語具有與本發明所屬領域普通技術人員通常理解的相同含義。儘管與本文描述的那些相似或等效的任何方法和材料可以用於本發明的實踐或試驗中，現在描述實例方法和材料。
[0036]如在說明書和所附權利要求中使用的，除非上下文明確地另外指出，單數形式「一個」、「一種」和「該」包括複數指稱。因此，例如，提到「酮」包括兩種或更多種酮的混合物。
[0037]在本文中範圍可以表示為從「約」一個特定值和/或至「約」另一個特定值。當表示這樣的範圍時，另一個方面包括從該一個特定值和/或至該其他特定值。相似地，當值表示為近似值時(通過使用先行詞「約」)，應理解的是特定值形成了另一個方面。將進一步理解的是，每個範圍的端點明顯地與其他端點相關又獨立於其他端點。還應理解的是，存在本文中公開的許多值，並且本文中還將每個值公開為除了該值本身外「約」該特定值。例如，如果公開了值「10」，則也公開了「約10」。還應理解的是，還公開了兩個特定單元之間的每個單元。例如，如果公開了 10和15，則也公開了 11、12、13、和14。
[0038]如在本文中使用 的，術語「介電強度」和「擊穿強度」可互換地使用並且是指在擊穿之前材料可以承受的最大電應力。例如，可以以伏每微米(ν/μπι)或以千伏每毫米(kV/mm)測量「介電強度」和「擊穿強度」。
[0039]如在本文中使用的，術語「高介電常數」是指材料，如具有10或更高的介電常數的無機材料。具有高介電常數的材料包括但不限於Ti02、Ta2O5、和SrTi03。
[0040]如在本文中使用的，術語「低介電常數」是指材料，如具有小於10的介電常數的無機材料。具有低介電常數的材料包括但不限於SiO2和SiNx。
[0041]如在本文中使用的，術語「可選的」或「可選地」是指隨後描述的事件或情況可以出現或不出現，並且描述包括所述事件或情況出現的實例和沒有出現的實例。例如，短語「可選地取代的烷基」是指烷基可以是取代的或可以是未取代的，並且描述包括取代的烷基和未取代的烷基。
[0042]如在本文中使用的，術語「聚合物襯底」等術語是指包括聚合物的材料。聚合物襯底可以具有任何形狀。例如，聚合物襯底可以是平的或彎曲的。因此，聚合物襯底包括但不限於膜和線。
[0043]公開了用於製備本發明的組合物的組分以及用於本文公開的方法中的組合物本身。本文公開了這些材料和其他材料，並且應理解的是，當公開這些材料的組合、子集、相互作用、集合等等時，儘管不能明確地公開這些化合物的每種不同的單獨和集體的組合以及改變的具體參考，但是本文明確地考慮並描述了它們中的每一種。例如，如果公開和討論了特定的化合物並且討論了能夠對包括該化合物的許多分子進行的許多修飾，除非明確地指出相反，否則明確考慮的是化合物的每種和所有的組合與改變以及可能的變更。因此，如果公開了一類分子A、B、和C以及一類分子D、E、和F並且公開了組合分子的實例A-D，那麼即使沒有單獨地述及每一種，每一種也是單獨地和結合地考慮的有意義的組合，認為公開了A-E、A-F、B-D、B-E、B-F、C-D、C-EjP C-F。同樣地，還公開了這些的任何的子集和組合。因此，例如，可以認為公開了子集A-E、B-F、和C-E。這個概念適用於本申請的所有方面，包括但不限於製造和使用本發明組合物的方法中的步驟。因此，如果存在許多額外的可以進行的步驟，應理解的是，這些額外的步驟中的每一個都可以利用本發明的方法的任何具體方面或方面的組合來進行。
[0044]在說明書和最後的權利要求中提到的在組合物或製品中的特定元素或成分的以重量計的份數表示在組合物或製品中的元素或成分與任何其他元素或成分之間的重量關係，其中以重量份表示。因此，在包含2重量份的組分X和5重量份的組分Y的化合物中，X和Y以2:5的重量比存在，並且無論在化合物中是否包含額外的組分都以這種比例存在。
[0045]除非明確地指出相反，否則組分的重量百分數是基於其中包括該組分的製劑或組合物的總重量。
[0046]如在說明書和最後的權利要求中使用的，化學物種的殘基是指特定反應流程或隨後的製劑或化學產品中的化學物種的合成產物部分，不管該部分是否實際上從該化學物種獲得。因此，聚酯中的乙二醇殘基是指聚酯中的一個或多個-OCH2CH2O-單元，而不考慮乙二醇是否用於製備聚酯。同樣地，聚酯中的癸二酸殘基是指聚酯中的一個或多個-CO (CH2) 8C0-部分，不管該殘基是否通過反應用於獲得聚酯的癸二酸或其酯獲得。
[0047]本文公開的每種材料是可商業獲得的和/或其生產方法對於本領域技術人員來說是眾所周知的。
[0048]應理解的是 ，本文公開的組合物具有某些功能。本文公開了用於實施所公開功能的某些結構要求，而且應理解的是，存在可以實施與所公開的結構有關的相同功能的許多結構，並且這些結構通常可以達到相同的結果。
[0049]如以上所簡要描述的，電容器是在一個或多個介電層中存儲電荷的電氣元件。在許多電容器中，介電層包括聚合物。介電聚合物材料的能量密度是攜帶材料的能力的電荷的量度，並且與材料的介電強度和介電常數有關。在一個方面，本發明實現了在幾乎或不改變材料的介電常數的情況下，可以增加材料的介電強度。在各個方面，通過將薄無機層如二氧化矽或玻璃的薄層施加至聚合物襯底的表面可以實現這樣的益處。在一個方面，無機材料層通常比聚合物襯底薄。
[0050]在一個方面，本公開提供了通過將無機材料的薄層施加在聚合物材料的表面上用於增加聚合物材料的擊穿電壓的方法。在另一個方面，與傳統的聚合物材料相比，本公開提供了具有改善的介電性能和介電強度的介電聚合物材料。
[0051]1.聚合物襯底
[0052]本發明的聚合物襯底可以包括適合用作介電材料的任何聚合材料。在另一個方面，聚合物襯底可以包括適合用於電容器中的任何聚合材料。在一個方面，聚合物襯底可以包括高溫聚合物。在其他方面，聚合物襯底可以包括極性聚合物、非極性聚合物、或它們的組合。在又其他方面，聚合物襯底可以包括烯烴、聚酯、碳氟化合物、或它們的組合。在各個方面，聚合物襯底可以包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、尼龍、聚對苯二甲酸乙酯、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、超高分子量聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚碸、聚醯胺、芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、聚對苯二甲酸丁酯、聚苯醚、丙烯腈丁二烯苯乙烯、聚醚酮、聚醚醚酮、聚甲醛塑料、或它們的組合。在其他方面，聚合物襯底可以包括聚對苯二甲酸乙酯、Ultem?聚醚醯亞胺、Kapton?聚醯亞胺、聚偏氟乙烯、乙酸纖維素、或它們的組合。
[0053]在一個方面，聚合物襯底包括聚醚醯亞胺。在另一個方面，聚合物襯底包括聚甲基丙烯酸甲酯。在另一個方面，聚合物襯底包括聚氯乙烯。在另一個方面，聚合物襯底包括尼龍。在另一個方面，聚合物襯底包括聚對苯二甲酸乙酯。在另一個方面，聚合物襯底包括聚醯亞胺。在另一個方面，聚合物襯底包括聚四氟乙烯。在另一個方面，聚合物襯底包括聚乙烯。在另一個方面，聚合物襯底包括聚丙烯。在另一個方面，聚合物襯底包括聚碳酸酯。在另一個方面，聚合物襯底包括聚苯乙烯。在另一個方面，聚合物襯底包括聚碸。在其他方面，聚合物襯底可以具體地不包括本文中述及的多個單獨的聚合物中的任何一個或組分的類型。在另一個方面，聚合物襯底不包括氰基樹脂。在另一個方面，聚合物襯底不包括氰基改性的聚合物如氰基改性的聚醚醯亞胺、和/或獲得自氰基-雙酚的聚醚醯亞胺。在另一個方面，聚合物襯底包括聚偏氟乙烯。在又另一個方面，聚合物襯底包括乙酸纖維素。[0054]在又其他方面，聚合物襯底可以包括納米複合材料膜，例如，其中聚合物負載多個納米顆粒。在其他方面，聚合物襯底可以包括相同或不同組合物的一層或多層。在一個方面，聚合物襯底包括單層。在另一個方面，聚合物襯底包括多層，例如兩層、三層、四層、或更多層。聚合物襯底或其任何部分的組合物還可以包含本文中沒有具體述及的任何聚合材料。聚合物材料是可商業獲得的，並且具有本公開的本領域技術人員可以容易地選擇適當的聚合物襯底材料。
[0055]聚合物襯底的厚度可以改變，並且本發明並不旨在限於任何特定的聚合物襯底厚度。在各個方面，聚合物襯底的厚度可以在約I微米至約1，000微米，例如，約1、2、3、4、5、
7、9、10、15、20、25、30、40、50、75、100、150、200、250、300、350、400、500、600、750、800、900、或1,000微米的範圍內。在另一個方面，聚合物襯底的厚度可以在約I微米至約500微米，例如，約 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、15、20、25、30、35、40、50、60、70、80、90、100、125、150、200、250、300、350、400、450、或500微米的範圍內。在其他方面，聚合物襯底的厚度可以小於約I微米或大於約1，000微米。例如，聚合物襯底的厚度可以為約5微米至約20微米。例如，聚合物襯底的厚度可以為約5微米。在另一個實例中，聚合物襯底的厚度可以小於10、9、8、
7、6、5、4、3、2或I微米。例如，聚合物襯底的厚度可以小於5、4、3、2或I微米。
[0056]在另一個方面，聚合物襯底可以包括另外的材料層如，例如聚合物襯底的一側或兩側上的增強材料和/或粘合劑材料。
[0057]在又另一個方面，聚合物襯底是平面材料如，例如薄膜。
[0058]2.聚醚醯亞胺
[0059]如所公開的，聚合物襯底可以包括聚醚醯亞胺和聚醚醯亞胺共聚物。聚醚醯亞胺可以選自:(i)聚醚醯亞胺均聚物，例如聚醚醯亞胺；(ii)聚醚醯亞胺共聚物，例如聚醚醯亞胺碸；以及(iii)它們的組合。聚醚醯亞胺是已知的聚合物並且在ULTEM?、EXTEMts^P
SiItem? 品牌(SABIC Innovative Plastics IP B.V.的商標)下由 SABIC InnovativePlastics 出售。
[0060]在一個方面，聚醚醯亞胺可以是式(I):
[0061]
【權利要求】
1.一種塗覆的聚合物複合材料，包含: 聚合物襯底和存在於所述聚合物襯底的至少一個表面上的無機材料， 其中，與相同組成的未塗覆的聚合物襯底相比，所塗覆的聚合物組合物具有改善的介電強度，其中，如果存在於所述至少一個表面上的所述無機材料不包含高介電無機材料，那麼所述無機材料具有約20nm至約200nm的厚度。
2.根據權利要求1所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚合物襯底進一步包含複合材料添加劑。
3.一種塗覆的聚合物複合材料，包含: 包含聚合物和複合材料添加劑的聚合物襯底；以及 存在於所述聚合物襯底的至少一個表面上的無機材料，其中，與相同組成的未塗覆的聚合物複合材料相比，所述塗覆的聚合物複合材料具有改善的介電強度。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述無機材料包含具有高介電常數的無機材料。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚合物襯底包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、尼龍、聚對苯二甲酸乙酯、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、超高分子量聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚碸、聚醯胺、芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、聚對苯二甲酸丁酯、聚苯醚、丙烯腈丁二烯苯乙烯、聚醚酮、聚醚醚酮、聚甲醛塑料、聚偏氟乙烯、乙酸纖維素、或它們的組合。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚合物襯底包括聚醚醯亞胺。
7.根據權利要求6所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚醚醯亞胺具有由以下式表示的結構:
8.根據權利要求1-7中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚合物襯底包括聚碳酸酯。
9.根據權利要求8所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚碳酸酯包含式:
10.根據權利要求1-9中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚碳酸酯包含雙酚。
11.根據權利要求10所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述雙酚包含苯並[C]吡咯酮碳酸酯單元。
12.根據權利要求1-11中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚合物襯底包括聚酯碳酸酯。
13.根據權利要求1-12中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚合物襯底不包括氰基官能化聚合物。
14.根據權利要求1-13中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚合物襯底不包括獲得自氰基改性的聚醚醯亞胺的聚醚醯亞胺。
15.根據權利要求1-14中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述無機材料存在於所述聚合物襯底的相對側上。
16.根據權利要求1-15中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述無機材料包含具有低介電常數的無機材料。
17.根據權利要求1-16中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述無機材料包含二氧化矽。
18.根據權利要求1-17中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述無機材料包括氧化鈦、氮化硼、氧化鈮、鈦酸鍶、鈦酸鋇、氧化鉿、或它們的組合。
19.根據權利要求1-18中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，進一步包含包括以下的材料:Si02、Si3N4' Al2O3' TiO2, BN、Ta2O5' Nb2O5' SrTiO3> BaTiO3> ZrO2, HfO2、或它們的組合。
20.根據權利要求1-19中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚合物襯底具有約Iym至約50 μ m的厚度。
21.根據權利要求1-20中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述聚合物襯底具有約5μπι的厚度。
22.根據權利要求1-21中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述無機材料具有約20nm至約200nm的厚度。
23.根據權利要求1-22中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述無機材料具有約20nm至約IOOnm的厚度。
24.根據權利要求1-23中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，具有比可比較的未塗覆的聚合物襯底高至少30%的介電強度。
25.根據權利要求1-24中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，具有比可比較的未塗覆的聚合物襯底高至少40%的介電強度。
26.根據權利要求1-25中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，具有比可比較的未塗覆的聚合物襯底高至少45%的介電強度。
27.根據權利要求1-26中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述無機材料設置在所述聚合物襯底的第一表面上，並且第二無機材料設置在所述聚合物襯底的相對表面上，並且，其中所述無機材料和所述第二無機材料具有相同的組成。
28.根據權利要求1-26中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述無機材料設置在所述聚合物襯底的第一表面上，並且第二無機材料設置在所述聚合物襯底的相對表面上，並且，其中所述無機材料和所述第二無機材料具有不同的組成。
29.根據權利要求1-28中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，能夠膜纏繞。
30.根據權利要求1-29中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，無機塗層不會不利地影響所述組合物的拉伸強度和/或彈性模量。
31.根據權利要求2-30中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述複合材料添加劑包括 BaTiO3' Si02、Si3N4'Al2O3' Ti02、BN、Ta2O5' Nb2O5' SrTiO3' Zr02、HfO2、或它們的組口 ο
32.根據權利要求2-31中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料，其中，所述複合材料添加劑包括BaTiO3。
33.一種包括根據前述權利要求中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料的電子元件。
34.一種包括根據前述權利要求中任一項所述的塗覆的聚合物複合材料的電容器。
35.一種製備塗覆的聚合物組合物的方法，所述方法包括將無機材料沉積在聚合物襯底的一個表面的至少一部分上，使得生成的塗覆的聚合物組合物具有超過所述聚合物襯底本身的改善的介電強度。
36.根據權利要求35所述的方法，其中，通過濺射、化學氣相沉積、等離子體增強的化學氣相沉積、原子層沉積、或它們的組合進行所述沉積。
37.根據權利要求35-36中任一項所述的方法，其中，所述聚合物襯底包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、尼龍、聚對苯二甲酸乙酯、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、超高分子量聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚碸、聚醯胺、芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、聚對苯二甲酸丁酯、聚苯醚、丙烯腈丁二烯苯乙烯、聚醚酮、聚醚醚酮、聚甲醛塑料、聚偏氟乙烯、乙酸纖維素、或它們的組合。
38.根據權利要求35-37中任一項所述的方法，其中，所述聚合物襯底包括聚醚醯亞胺。
39.根據權利要求35-38中任一項所述的方法，其中，所述聚醚醯亞胺具有由以下式表示的結構:
40.根據權利要求35-39中任一項所述的塗覆的聚合物組合物，其中，所述聚合物襯底包括聚碳酸酯。
41.根據權利要求40所述的方法，其中，所述聚碳酸酯包括式:
42.根據權利要求35-41中任一項所述的方法，其中，所述聚合物襯底不包括氰基官能化聚合物。
43.根據權利要求35-42中任一項所述的方法，其中，所述聚合物襯底不包括獲得自氰基改性的聚醚醯亞胺的聚醚醯亞胺。
44.根據權利要求35-43中任一項所述的方法，其中，所述無機材料以單層沉積在所述聚合物襯底的單個表面上。
45.根據權利要求35-44中任一項所述的方法，其中，所述無機材料包括Si02、Si3N4,Al2O3' TiO2, BN、Ta2O5' Nb2O5' BaTiO3> SrTiO3> ZrO2, HfO2、或它們的組合。
46.根據權利要求35-45中任一項所述的方法，其中，所述無機材料包括氧化鈦、氮化硼、氧化鈮、鈦酸鍶、鈦酸鋇、氧化鉿、或它們的組合。
47.根據權利要求35-46中任一項所述的方法，其中，所述無機材料包括二氧化矽。
48.根據權利要求35-47中任一項所述的方法，其中，所述聚合物襯底具有約Iμ m至約50μ m的厚度。
49.根據權利要求 35-48中任一項所述的方法，其中，所述聚合物襯底具有約5μ m的厚度。
50.根據權利要求35-49中任一項所述的方法，其中，所述無機材料沉積成約20nm至約IOOnm的厚度。
51.根據權利要求35-50中任一項所述的方法，進一步包括將第二無機材料沉積在所述聚合物襯底的相對表面上，並且，其中所述無機材料和所述第二無機材料具有相同的組成。
52.根據權利要求35-50所述的方法，進一步包括將第二無機材料沉積在所述聚合物襯底的相對表面上，並且，其中所述無機材料和所述第二無機材料具有不同的組成。
【文檔編號】C08K3/22GK103987766SQ201280059520
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2012年11月30日 優先權日:2011年12月2日
【發明者】譚啟, 喬治·西奧多·達拉科斯, 趙日安 申請人:沙特基礎創新塑料Ip私人有限責任公司