場效應管測試裝置及其方法
2023-07-04 03:09:06
專利名稱：場效應管測試裝置及其方法
技術領域：
本發明涉及一種測試裝置及其方法，尤其涉及一種用以對場效應管進行測試的裝置及其方法。
背景技術：
傳統針對場效應管(即M0SFET)的測試只能測試MOSFET單體，不能在MOSFETon board的狀態來量測MOSFET的VGS (TH)和RDS (ON)，而未能考慮到MOSFET實際焊接到主板上對焊接、阻抗等因素造成的影響，又，傳統針對MOSFET的測試方式不能實時對在主板上的MOSFET的RDS (即MOSFET的D極與S極之間的阻值)、IDS (即MOSFET的D極與S極之間的電流值)和PMOS (PM0S為MOSFET的功耗)隨著VGS的變化而變化的趨勢進行偵測。當主板上的MOSFET的VGS (TH)(即導通閾值)和RDS (ON)(即MOSFET的D極與S極之間的阻值)有問題時，通常方法是要將MOSFET用熱風槍等工具持續加熱並拆下來，再對拆卸下來的MOSFET單體進行測量。但是MOSFET經過高溫加熱後，會使VGS (TH)和RDS (ON) 這兩個參數發生變化。MOSFET在經過加熱之後可能會使原本失效的VGS (TH)和RDS (ON)變為正常，致使問題的根本原因被掩蓋。傳統的測試設備不能在主板上直接模擬數據採集器的波形異常使得MOSFET的 RDS、IDS和PMOS隨著VGS的變化而變化的趨勢，如果用實際有問題的數據採集器做測試， 數據採集器可能在測試中進一步惡化，而導致不能找到數據採集器失效的真正原因。
發明內容
鑑於上述問題，本發明提供了一種場效應管測試裝置及其方法。為了達到上述目的，本發明採用了如下的技術方案一種場效應管測試裝置，其中，該裝置主要包括數據採集器；待測試場效應管Q，其漏極D與該數據採集器的VQ-D端連接，該漏極D還通過電阻 Rl與報警裝置連接，該電阻Rl兩端分別還連接至該數據採集器的VRl-I端、VR1-2端，其源極S與該數據採集器的VQ-S端連接，且該源極S接地，其柵極G與該數據採集器的VQ-G端連接，該柵極G分別通過電容C1、CT1接地，該電容C1、CT1未接地的一端與開關SWl的2端連接，該開關SWl的3端經可調電壓控制器與交流-直流轉換器的4端連接，且該開關SWl 的3端與該交流-直流轉換器的6端電性連接，並且該開關SWl的3端及該交流-直流轉換器的6端接地，又，該交流-直流轉換器的1端及3端與交流電源連接；以及電源，其一端分別接至該待測試場效應管Q的源極S及接地，其另一端分別與該報警裝置連接，且該另一端分別經電容C2、C3接地。較佳的，本發明提供了一種場效應管測試裝置，其中，該報警裝置包括LED燈及喇口Λ，該開關SWI的1端通過控制信號模擬器與該交流-直流轉換器的4端電性連接，所述電源為3. 3伏特至5伏特，可調電壓控制器輸出電壓0至M伏特，電容Cl、CT1、C2及C3分別設置為0. 47微法、4. 7微法、0. 47微法及0. 1微法，開關SWl為單刀雙擲開關，電阻Rl為 0. 1歐姆。相對於先前技術，本發明提供了一種場效應管測試裝置，可對主板上的場效應管Q 的VGS(TH)和RDS(ON)進行量測，測試的結果可以把主板上的場效應管Q的焊接、阻抗等因素一併考慮在內，能對場效應管Q的RDS (ON)、IDS和PMOS隨著VGS變化而變化的趨勢進行實時記錄，使測得的場效應管Q的VGS (TH)和RDS (ON)參數避免受加熱的影響，在主板上就可以模擬控制器波形異常使得場效應管Q的RDS、IDS和PMOS隨著VGS的變化而變化的趨勢，同時也可以避免控制器惡化，測試的結果精度高。
圖1為本發明的電路圖
具體實施例方式請參照圖1所示，為本發明的電路圖。所述場效應管測試裝置主要包括數據採集器101、待測試場效應管Q、控制信號模擬器102、可調電壓控制器103以及交流-直流轉換器 104。其中，所述待測試場效應管Q，其漏極D與該數據採集器101的VQ-D端連接，該漏極D還通過電阻Rl與報警裝置連接，該報警裝置包括串聯的LED燈及喇叭，該電阻Rl兩端分別連接至該數據採集器101的VRl-I端、VR1-2端，該電阻Rl為0. 1歐姆，所述待測試場效應管Q的源極S與該數據採集器101的VQ-S端連接，且該源極S接地，又，待測試場效應管Q的柵極G與該數據採集器101的VQ-G端連接，該柵極G分別通過電容Cl、CTl接地。此外，該電容Cl、CTl未接地的一端與開關SWl的2端連接，該電容Cl、CTl可設置為0.47微法(即μ F)、4. 7微法，該開關SWl的3端經可調電壓控制器103與交流-直流轉換器104的4端連接，該可調電壓控制器輸出電壓0至M伏特，且該開關SWl的3端與該交流-直流轉換器104的6端電性連接，並且該開關SWl的3端及該交流-直流轉換器104的6端接地，又，該開關SWl的1端通過控制信號模擬器102與該交流-直流轉換器 104的4端電性連接，該交流-直流轉換器104的1端及3端與交流電源(圖中未示)連接，於本實施例中，該開關SWl為單刀雙擲開關。再者，所述電源105可設置為3. 3伏特至5伏特，該電源105 —端分別接至該待測試場效應管Q的源極S及接地，其另一端分別與該報警裝置的喇叭電性連接，且該另一端分別經電容C2、C3接地，所述電容C2及C3可設置為0. 47微法及0. 1微法。開始測試後，將開關SWl接到3處，可調電壓控制器103可以讓場效應管Q的VGS 值(即場效應管Q的柵極G與源極S之間的電壓值)由OV 24V持續的從低到高變化，且數據採集器101的三個通道VQ-G端、VQ-D端及VQ-S端測量的值分別為場效應管Q的VGS， VDS及VRl，以計算獲得場效應管Q的VGS (TH)和RDS (on)，以及場效應管Q的RDS、IDS和 PMOS隨著VGS變化而變化的趨勢。將SWl接到1處，控制信號模擬器102可以模擬在主板上的控制器(圖中未示) 輸出至場效應管Q的實際的信號波形。由於電源105的電壓值在3. 3V 5V之間可調，利用用場效應管測試裝置中的控制信號模擬器102仿真出場效應管Q所在主板上的控制器發出的異常信號，進行長時間實驗，從而避免了在實際電路中上電就燒場效應管Q而不能抓取有效信號的缺陷。 本發明提供了一種場效應管測試裝置，可對主板上的場效應管Q的VGS(TH)和 RDS(ON)進行量測，測試的結果可以把主板上的場效應管Q的焊接、阻抗等因素一併考慮在內，能對場效應管Q的RDS (ON)、IDS和PMOS隨著VGS變化而變化的趨勢進行實時記錄，使測得的場效應管Q的VGS(TH)和RDS(ON)參數避免受加熱的影響，在主板上就可以模擬控制器波形異常使得場效應管Q的RDS、IDS和PMOS隨著VGS的變化而變化的趨勢，同時也可以避免主板上的控制器惡化，測試的結果精度高。
權利要求
1.一種場效應管測試裝置，其特徵在於，該裝置主要包括 數據採集器；待測試場效應管Q，其漏極D與該數據採集器的VQ-D端連接，該漏極D還通過電阻Rl 與報警裝置連接，該電阻Rl兩端分別連接至該數據採集器的VRl-I端、VR1-2端，其源極S 與該數據採集器的VQ-S端連接，且該源極S接地，其柵極G與該數據採集器的VQ-G端連接，該柵極G分別通過電容Cl、CTl接地，該電容Cl、CTl未接地的一端與開關SWl的2端連接，該開關SWl的3端經可調電壓控制器與交流-直流轉換器的4端連接，且該開關SWl 的3端與該交流-直流轉換器的6端電性連接，並且該開關SWl的3端及該交流-直流轉換器的6端接地，又，該交流-直流轉換器的1端及3端與交流電源連接；以及電源，其一端分別接至該待測試場效應管Q的源極S及接地，其另一端分別與該報警裝置連接，且該另一端分別經電容C2、C3接地。
2.根據權利要求1所述的場效應管測試裝置，其特徵在於，該報警裝置包括LED燈及喇叭。
3.根據權利要求1所述的場效應管測試裝置，其特徵在於，該開關SWl的1端通過控制信號模擬器與該交流-直流轉換器的4端電性連接。
4.根據權利要求1所述的場效應管測試裝置，其特徵在於，所述電源為3.3伏特至5伏特。
5.根據權利要求1所述的場效應管測試裝置，其特徵在於，可調電壓控制器輸出電壓0 至對伏特。
6.根據權利要求1所述的場效應管測試裝置，其特徵在於，電容C1、CT1、C2及C3分別設置為0. 47微法、4. 7微法、0. 47微法及0. 1微法。
7.根據權利要求1所述的場效應管測試裝置，其特徵在於，開關SWl為單刀雙擲開關。
8.根據權利要求1所述的場效應管測試裝置，其特徵在於，電阻Rl為0.1歐姆。
全文摘要
本發明提供了一種場效應管測試裝置，包括數據採集器；待測試場效應管Q，漏極D與該數據採集器的VQ-D端連接，該漏極D通過電阻R1與報警裝置連接，該電阻R1兩端分別連接至VR1-1端、VR1-2端，源極S與VQ-S端連接，源極S接地，柵極G與VQ-G端連接，該柵極G分別通過電容C1、CT1接地，該電容C1、CT1與開關SW1的2端連接，開關SW1的3端經可調電壓控制器與交流-直流轉換器的4端連接，開關SW1的3端與該交流-直流轉換器的6端電性連接，開關SW1的3端及該交流-直流轉換器的6端接地，該交流-直流轉換器的1端及3端與交流電源連接；及電源一端分別接至該待測試場效應管Q的源極S及接地，另一端與該報警裝置連接，且經電容C2、C3接地。本發明測試的結果精度高。
文檔編號G01R31/27GK102478622SQ201010558628
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月25日 優先權日2010年11月25日
發明者杜業美 申請人:佛山市順德區順達電腦廠有限公司