光學信息記錄介質的製造方法及光學信息記錄介質的製作方法

2023-07-04 07:44:11

專利名稱：光學信息記錄介質的製造方法及光學信息記錄介質的製作方法
技術領域：
本發明涉及光學信息記錄介質的製造方法和光學信息記錄介質。更詳細地，本發明涉及製造設置有多個信息信號層的光學信息記錄介質的方法。
背景技術：
近年來，在再現專用型DVD (DVD-ROM :數字通用光碟-只讀存儲器)、記錄型DVD等中存在廣泛的版權保護技木。作為ー種技術，在沒有 在光碟上記錄的狀態下在最內周側區域(燒錄區BCA)內，被稱為介質ID的固有ニ進位信息記錄在介質上，使用該介質ID對記錄的內容數據進行加密。此外，同樣在諸如藍光光碟(註冊商標)(BD)的高密度光學信息記錄介質中，提出了在BCA中以條形碼形式記錄作為ニ進位信息的標記(下面稱作BCA標記)。通常，在製造光學信息記錄介質之後，記錄BCA標記。例如，在已順次執行了基板的形成、信息信號膜的沉積以及中間層和覆蓋層的形成之後，執行BCA標記的記錄。在光學信息記錄介質的初始狀態下，信息信號膜是未記錄狀態，並且通過僅在對應於BCA標記的必要部分上執行雷射照射而被設定為記錄狀態。這時，通常從作為沒有形成基板的信息信號膜ー側的表面側照射雷射。在光學信息記錄介質的樹脂基板中，因為由於溫度變化等而導致基板中的溼氣分布不均勻以及存在水分含量高的地方膨脹，光學信息記錄介質的翹曲發生。對於此，在日本未審查專利申請公開2003-3380842中公開了ー種技術，其中通過在基板的ー個主面上設置不透溼膜(防溼膜)來防止水分出入基板。

發明內容
在光學信息記錄介質中，由於確保偏移特性，所以在基板的主面(沒有形成信息信號膜的一側的主面)上形成防溼膜。在BCA中形成防溼膜。因此，為了避免BCA標記的記錄變得困難，在基板的一個主面上順次形成信息信號膜、中間膜、覆蓋膜等之後執行BCA標記的記錄，並且在那之後，在基板的另ー主面(沒有形成信息信號膜的一側的主面)上形成防溼膜。然而，在信息信號膜的沉積過程中，如果樹脂基板中的溼氣排放至用於沉積信息信號膜的真空濺射設備中，那麼信息信號膜的記錄特性等低下。為了防止這種情況，優選的是，在沉積信息信號膜之前對基板的主面形成防溼膜。然而，難以在沉積信息信號膜前執行防溼膜的形成。這是因為，由於防溼膜也形成在BCA中，所以當在記錄BCA標記前形成防溼膜吋，從基板的背面側照射的用於BCA標記記錄雷射的需要透過防溼膜，並且在記錄BCA標記時對信息信號膜執行記錄，結果，由於雷射的透過不足而使得BCA標記的記錄變得困難。另ー方面，如果在形成信息信號層之後執行防溼膜的形成，那麼如上所述，諸如信息信號膜的記錄特性的各種特性將低下。因此，期望提供ー種能夠提高記錄特性等的特性的光學信息記錄介質的製造方法和光學信息記錄介質。根據本發明第一實施方式，ー種光學信息記錄介質的製造方法包括形成具有第一主面和第二主面的基板；在基板的第一主面上形成第一信息信號層；在第一信息信號層上形成中間層；在中間層上形成第二信息信號層；從基板的第二主面側照射光且在第一區域和第二區域中的第一區域上記錄識別信息；以及在記錄識別信息前，在除記錄識別信息的第一區域以外的第二區域中對第二主面形成阻擋層。根據本發明第二實施方式，ー種光學信息記錄介質設置有具有第一主面和第二主面的基板；形成在基板的第一主面上且記錄識別信息的一個或多個信息信號層；以及形成在第二主面上的阻擋層，其中在除記錄識別信息的第一區域以外的第二區域中形成阻擋層。在本發明的第一實施方式和第二實施方式中，在除記錄識別信息的第一區域以外的第二區域中形成阻擋層。由於此，可以在記錄識別信息前形成阻擋層，並且可以提高諸如 記錄特性的特性。根據本發明的實施方式，能夠提高諸如記錄特性的特性。


圖IA和圖IB是示出了根據本發明實施方式的光學信息記錄介質的構成示例的截面圖；圖2是示出了根據本發明實施方式的光學信息記錄介質的構成的平面圖；圖3是示出了根據本發明實施方式的形成在基板的背面上的阻擋層的沉積區的平面圖；圖4是用於描述光學信息記錄介質的製造過程的第一示例的流程圖；圖5是示出了外周掩模和內周掩模的布置示例的外形圖；圖6是用於描述光學信息記錄介質的製造過程的第二示例的流程圖；圖7是將關於記錄靈敏度劣化率的測量結果匯聚一起的示圖；圖8A和圖8B是示出了實施例I的突變特性的測量結果的曲線圖；圖9A和圖9B是示出了比較例I的突變特性的測量結果的曲線圖；以及圖IOA和圖IOB是示出了比較例7的突變特性的測量結果的曲線圖。
具體實施例方式下面，將參照

本發明的實施方式。這裡，將以以下的順序進行描述I.第一實施方式(光學信息記錄介質)2.其它實施方式(變形例)I.第一實施方式[光學信息記錄介質的構造]圖IA和圖IB示出了根據本發明第一實施方式的光學信息記錄介質的構成示例。光學信息記錄介質是例如可記錄型光學信息記錄介質，並且設置有順次層疊在基板I的一個主面上的第一信息信號層2 (L0層)、第一中間層3、第二信息信號層4 (LI層)、第二中間層5、第三信息信號層6 (L2)、第三中間層7、第四信息信號層8 (L3層)以及覆蓋層9 ;以及層疊在基板I的另ー主面上的阻擋層51，如圖IA所示。這裡，在與第一信息信號層2、第一中間層3、第二信息信號層4、第二中間層5、第三信息信號層6、第三中間層7、第四信息信號層8以及覆蓋層9順次層疊在的基板的ー個主面相對的ー側的另一主面被適宜地稱作為背面。圖2是示出了根據本發明第一實施方式的光學信息記錄介質的平面圖。導入區12設置在光學信息記錄介質的內周部分，並且數 據記錄區13設置在導入區12的外周側。此夕卜，作為識別信息記錄區的BCA(燒錄區)14設置在導入區12中。BCA 14通常設置在半徑r為21. Omm 22. Omm的圓環狀區域中。這裡，半徑r是距離基板I的主面的中心的半徑。BCA 14是設定用於在製造光學信息記錄介質時記錄識別信息並且通常設定在光學記錄介質的最內周側的圓環狀區域。識別信息是各介質固有的信息，並且例如用於防止欺詐性拷貝等。例如，條形碼形式的BCA標記記錄在BCA 14中的第一信息信號層2中。儘管稍後將描述細節，但是在形成基板I之後在基板I的一個主面上順次形成第一信息信號層2、第一中間層3、第二信息信號層4、第二中間層5、第三信息信號層6、第三中間層7、第四信息信號層8以及覆蓋層9後，通過從基板I的背面側照射雷射來對第一信息信號層2執行BCA標記的記錄。通常在形成基板I之後且在形成第一信息信號層2之前或在形成第一信息信號層2之後且在形成第一中間層3之前執行形成在基板I的背面上的阻擋層51的形成。數據記錄區13是用於使用者記錄必要數據的區域。數據記錄區13通常設置在半徑r為23. 2mm 58. 5mm的地方。例如，在數據記錄區13中形成正弦波擺動凹槽。軌距(track pitch)通常是320nm，這是因為由於間距縮短而可以獲得能夠進行更長時間的記錄和再現的高容量。這裡，實際的數據記錄通常在大於24. Omm的半徑r的外周側。導入區12是例如用於記錄諸如識別信息(ID)、加密密鑰以及複合密鑰的信息的區域，並且該信息在製造光學信息記錄介質時被記錄。導入區12被進ー步分為PIC (永久信息&控制數據)區、OPC(最佳功率控制)區以及INFO區。PIC區是再現專用區，並且例如設置在半徑r為22. 4mm 23. 197mm的地方。例如，在PCI區中，由矩形擺動凹槽的排列形成的凹槽軌道以350nm軌距形成。從矩形擺動凹槽的排列再現信息。在光學信息記錄介質中，通過從覆蓋層9側對第一信息信號層2、第二信息信號層4、第三信息信號層6或第四信息信號層8照射雷射來執行信息信號的記錄和再現。例如，通過從覆蓋層9側對第一信息信號層2、第二信息信號層4、第三信息信號層6或第四信息信號層8照射被具有O. 84 O. 86數值孔徑的物鏡會聚的波長為400nm 410nm的雷射來執行信息信號的記錄和再現。對於諸如這種的光學信息記錄介質，存在諸如BD-R的可記錄型光學信息記錄介質。下面，將順次地描述構成光學信息記錄介質的基板I、第一信息信號層2、第一中間層3、第二信息信號層4、第二中間層5、第三信息信號層6、第三中間層7、第四信息信號層8、覆蓋層9以及阻擋層51。(基板)基板I具有在中心形成開ロ(下面稱作中心孔)的圓環狀。基板I的一個主面具有例如凹凸面，並且第一信息信號層2沉積在凹凸面上。下面，在凹凸面中，凹部被稱作凹槽內(in groove)Gin以及凸部被稱作凹槽上(on groove)Gon。對於凹槽內Gin和凹槽上Gon的形狀，例如存在諸如螺旋狀或同心圓狀的各種形狀。此外，凹槽內Gin和/或凹槽上Gon是例如用於添加地址信息的擺動(蜿蜒)。將基板I的直徑選擇為例如120mm。考慮硬度來選擇基板I的厚度，優選地在O. 3mm以上 I. 3mm以下的範圍內選擇，更優選地在O. 6mm以上 I. 3mm以下的範圍內選擇，例如選擇I. 1mm。此外，中心孔的直徑被選擇為例如15mm。基板I包括具有吸水特性的塑料樹脂材料作為主要組分。對於基板I的材料，例如可以使用諸如聚碳酸酯系列樹脂或丙烯酸樹脂的樹脂材料。(信息信號層) 圖IB是示出圖IA中示出的各個信息信號層的ー個構成示例的模型圖。如圖IB所示，第一信息信號層2至第四信息信號層8設置有例如無機記錄層61、被設置為與無機記錄層61的ー個主面相鄰的第一保護層62以及被設置為與無機記錄層61的另ー個主面相鄰的第二保護層63。通過具有這種構成，可以提高無機記錄層61的耐用性。第一信息信號層2至第四信息信號層8中的至少ー個層中的無機記錄層61包括W氧化物、Pd氧化物以及Cu氧化物的三元氧化物作為主要成分。由於此，可以滿足對於光學信息記錄介質的信息信號層所必需的特性且實現優良的透過特性。這裡，作為對於光學信息記錄介質的信息信號層所必需的特性，有良好的信號特性、高的記錄功率裕度、高的再現持久性、記錄後透過率變化的抑制等。優選的是，第一信息信號層2至第四信息信號層8中的至少ー個層中的無機記錄層61包括上述三元氧化物進ー步添加有Zn氧化物的四元基氧化物作為主要成分。由於此，可以滿足對於光學信息記錄介質所必需的特性，實現優良的透過特性，並且減少W氧化物、Pd氧化物以及Cu氧化物的含量。通過減少W氧化物、Pd氧化物以及Cu氧化物的含量，特別是Pd氧化物的含量，可以降低光學信息記錄介質的成本。對於第一保護層62和第二保護層63，優選的是使用電介質層或透明導電層，並且可以使用電介質層作為第一保護層62和第二保護層63中的一個以及透明導電層作為另ー個。可以通過電介質層或透明導電層作為氧化物阻擋層來提高無機記錄層61的耐用性。此夕卜，通過抑制無機記錄層61的氧的逃逸，可以抑制記錄膜的膜質的變化(主要檢測為反射率降低)，並且可以確保對於無機記錄層61必要的膜質。此外，可以通過設置電介質層或透明導電層來提高記錄特性。這樣考慮是因為通過使入射到電介質層或透明導電層上的雷射的熱擴散最優化以及抑制由於記錄部分中的氣泡變得太大或Pd氧化物分解的超前進行導致的氣泡破裂進行記錄時，可以優化氣泡的形成。對於第一保護層62和第二保護層63的材料，例如有氧化物、氮化物、硫化物、碳化物以及氟化物或其組合。對於第一保護層62和第二保護層63的材料，可以使用彼此不同或彼此相同的材料。對於氧化物，例如有選自於由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi以及Mg組成的組中的ー種或多種元素的氧化物。對於氮化物，例如有選自於由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、W、Ta以及Zn組成的組中的ー種或多種元素的氮化物，更優選的是選自由Si、Ge以及Ti組成的組中的ー種或多種元素的氮化物。對於硫化物，例如有Zn硫化物。對於碳化物，例如有選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta以及W組成的組中的ー種或多種元素的碳化物，更優選的是選自由Si、Ti以及W組成的組中的ー種或多種元素的碳化物。對於氟化物，例如有選自於由Si、Al、Mg、Ca以及La組成的組中的ー種或多種元素的氟化物。對於其組合，例如有ZnS-Si02、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2-Cr2O3-ZrO2 (SCZ)、In2O3-SnO2 (ITO)、In2O3-CeO2 (ICO)、In2O3-Ga2O3 (IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2 等。(中間層對於第一中間層3、第二中間層5以及第三中間層7的材料，例如可以使用具有透明特性的樹脂材料。對於諸如這種的樹脂材料，例如可以使用諸如聚碳酸酯系列樹脂、聚烯烴系列樹脂、丙烯酸樹脂等的塑料材料。第一中間層3至第三中間層7在覆蓋層9側的表面是以與基板I相同的方式由凹槽內Gin和凹槽上Gon組成的凹凸面。(覆蓋層)作為保護層的覆蓋層9是例如硬化諸如紫外線硬化樹脂的感光性樹脂所在的樹脂層。對於樹脂層的材料，例如有紫外線硬化型丙烯酸樹脂。此外，覆蓋層可以由圓環狀的光透過性片和用於向基板I粘合光透過性片的粘合層構成。優選的是，光透過性片由對用於進行記錄和再現的雷射具有低吸收能力的材料形成，具體地，優選由具有90 %以上透過率的材料形成。對於光透過性片的材料，例如有聚碳酸酯系列樹脂材料和聚烯烴樹脂(例如,Zeonex (註冊■商標))。光透過性片的厚度優選地選擇為O. 3mm以下,更優選地在3 μ m 177μπι的範圍內選擇。粘合層由例如紫外線硬化樹脂或壓敏粘合劑(PSA)形成。覆蓋層9的厚度優選地在10 μ m 177 μ m的範圍內選擇，例如選擇100 μ m。通過將如此薄的覆蓋層9與例如具有約O. 85的高數值孔徑的物鏡組合，可以實現高密度記錄。(硬塗層)可以在覆蓋層9上形成硬塗層。硬塗層用於對光照射面施加抗劃性等。對於硬塗層的材料，例如可以使用丙烯酸樹脂、矽樹脂、氟樹脂、有機-無機混合樹脂等。(阻擋層)阻擋層51抑制在沉積過程中從基板I的背面排放氣體(溼氣的釋放)。此外，阻擋層51還具有用於抑制在基板I背面吸收溼氣的防溼層的功能。構成阻擋層51的材料不被特定地限制，只要能夠抑制從基板I的背面排放氣體(溼氣的釋放)即可，但是如果舉例說明，可以使用具有低的氣體透過性的電介質。對於諸如這種的電介質，例如可以使用SiN、Si02、TiN、AlN以及ZnS-SiO2中的至少ー種。優選的是，阻擋層51的溼氣透過率為5X 10_5g/cm2 天以下。優選的是，阻擋層51的厚度設定為5nm以上且40nm以下。在小於5nm時,存在抑制從基板的背面排放氣體的阻擋功能減弱的趨勢。另ー方面，在大於40nm時,抑制氣體排放的阻擋功能在等於或小於該厚度的情況下沒有顯著變化，但存在生產率降低的趨勢。圖3是示出了形成在基板I的背面上的阻擋層51的沉積區的平面圖。如上所述，在基板I的中心部形成中心孔。在基板I的背面中，從基板I的內周到基板I的外周設置有位於內周側的基板暴露區R1、阻擋層51的沉積區R2以及位於外周側的基板暴露區R3。利用在稍後將描述的阻擋層51的沉積過程中分別覆蓋基板I的內周部分和外周部分的內周掩模和外周掩模，來調整阻擋層51的沉積區R2。通過利用內周掩模和外周掩模覆蓋基板I的內周部分和外周部分，在不形成阻擋層51的情況下，形成了使基板I暴露的位於內周側的基板暴露區R1和位於外周側的基板暴露區R3。
在基板I背面上除BCA 14的區域中形成阻擋層51。即，為了提高信息信號層的記錄特性等，例如在沉積第一信息信號層2之後且在諸如沉積第二信息信號層4等的記錄BCA標記之前，執行對基板I的背面形成阻擋層51。因此，當在基板I的背面上的BCA 14中形成阻擋層51時，必要的是，在記錄BCA標記時，用於記錄BCA標記的雷射通過透過阻擋層51而對第一信息信號層2執行記錄，結果，由於雷射的透過不足等，使得BCA標記的記錄變得困難。為了避免這種情況，在基板I背面上BCA 14除外的區域中形成阻擋層51。具體地，從阻擋層51的沉積區R2中排除BCA 14。即，具有圓環狀阻擋層51的沉積區R2設置在BCA 14的外側，而圓環狀的基板暴露區R3設置在更外側。這裡，即使沒有設定基板暴露區R3，也足以。如上所述，由於BCA 14通常形成在半徑r為21mm以上且22mm以下的圓環狀區域中，所以圓環狀的沉積區R2的內周側的開始位置通常在r > 22_的位置。此外，當考慮能夠獲得良好的突變特性這點時，沉積區R2的內周側的開始位置優選在22mm < r < 25mm的 位置處。(光學信息記錄介質的製造方法)接下來，將描述具有上述構造的光學信息記錄介質的製造方法的第一示例和第二示例。首先，將在參照圖4的流程圖的同時描述光學信息記錄介質的製造方法的第一示例。(第一示例)首先，在步驟SI中，例如通過諸如注塑成型設備的成型設備形成基板I。接著，將形成的基板I從成型設備轉入至LO層沉積設備。接下來，在步驟S2中，在LO層沉積設備中形成第一信息信號層2 (L0層)。優選的是，LO層沉積設備是單晶片沉積設備。這是因為利用單晶片沉積設備的各個真空室能夠在不破壞真空的條件下使構成第一信息信號層2的各層(例如，第一保護層62、無機記錄層61以及第二保護層63)連續地順次層疊在基板I上。對於單晶片沉積設備，例如可以利用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術的應用。對於濺射法，可以使用例如射頻(RF)濺射法或直流(DC)濺射法，但是直流濺射法特別是優選的。這是因為，由幹與射頻濺射法相比，直流濺射法的沉積速率較高，所以可以提高生產率。接著，將形成有第一信息信號層2的基板I從LO層沉積設備轉入至阻擋層沉積設備。接下來，在步驟S3中，如圖5所示，在阻擋層沉積設備中，基板I的背面的外周部分和內周部分分別被外周掩模31和內周掩模32覆蓋，並且在基板I的背面上形成阻擋層51。此時，在參照圖3描述的預定區域中形成阻擋層51。對於阻擋層沉積設備，例如可以使用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術的應用。這裡，LO層沉積設備和阻擋層沉積設備可以是一體的，並且可以在ー個沉積設備中連續地沉積第一信息信號層2和阻擋層51。接著，將形成有阻擋層51的基板I從阻擋層沉積設備轉入至中間層形成設備。接下來，在步驟S4中，在中間層形成設備中，利用例如旋塗法將紫外線硬化樹脂均勻地塗布在第一信息信號層2上。之後，對均勻塗布在第一信息信號層2上的紫外線硬化樹脂按壓壓模(stamper)的凹凸圖案，並且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之後分離壓摸。由於此，壓模的凹凸圖案被轉印至紫外線硬化樹脂，並且形成設置有例如凹槽內Gin和凹槽上Gon的第一中間層3。接下來，將形成有第一中間層3的基板I從中間層形成設備轉入至LI層沉積設備。
接下來，在LI層沉積設備中，在中間層3上形成第二信息信號層4(LI層)。優選的是，LI層沉積設備是單晶片沉積設備。這是因為利用沉積設備的各個真空室能夠在不破壞真空的情況下將構成第二信息信號層4的各層連續地順次層疊在中間層3上。對於單晶片沉積設備，例如可以利用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術的應用。接下來，在步驟S5中，在中間層形成設備中，利用例如旋塗法將紫外線硬化樹脂均勻地塗布在第二信息信號層4上。之後，對均勻地塗布在第二信息信號層4上的紫外線硬化樹脂按壓壓模的凹凸圖案，並且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之後分離壓摸。由於此，壓模的凹凸圖案被轉印至紫外線硬化樹脂，並且形成設置有例如凹槽內Gin和凹槽上Gon的第二中間層5。接下來，將形成有第二中間層5的基板I從中間層形成設備轉入至L2層沉積設備。接下來，在L2層沉積設備中，在第二中間層5上形成第三信息信號層6 (L2層)。優選的是，L2層沉積設備是單晶片沉積設備。這是因為利用沉積設備的各個真空室能夠在不破壞真空的情況下將構成第三信息信號層6的各層連續地順次層疊在第二中間層5上。對於單晶片沉積設備，例如可以使用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術的應用。接下來，在步驟S6中，在中間層形成設備中，利用例如旋塗法將紫外線硬化樹脂均勻地塗布在第三信息信號層6上。之後，對均勻塗布在第三信息信號層6上的紫外線硬化樹脂按壓壓模的凹凸圖案，並且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之後分離壓摸。由於此，壓模的凹凸圖案被轉印至紫外線硬化樹脂，並且形成設置有例如凹槽內Gin和凹槽上Gon的第三中間層7。接下來，將形成有第三中間層7的基板I從中間層形成設備轉入至L3層沉積設備。接著，在L3層沉積設備中，在第三中間層7上形成第四信息信號層8 (L3層)。優選的是，L3層沉積設備是單晶片沉積設備。這是因為利用沉積設備的各個真空室能夠在不破壞真空的情況下將構成第四信息信號層8的各層連續地順次層疊在第三中間層7上。對於單晶片沉積設備，例如可以使用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術的應用。接下來，將形成有L3層的基板I從L3層沉積設備轉入至覆蓋層形成設備。接下來，在步驟S7中，在覆蓋層形成設備中，將作為保護層的覆蓋層9形成在第四信息信號層8上。對於覆蓋層形成設備，可以使用這樣的設備，即，通過例如旋塗在第四信息信號層8上的諸如紫外線硬化樹脂的感光性樹脂以及照射在感光性樹脂上的諸如紫外線的光來形成覆蓋層9。此外，可以使用通過利用粘合劑將光透過性片粘合在基板I的凹凸面側上來形成覆蓋層9的設備。具體地，例如可以使用通過利用塗布在第四信息信號層8的諸如紫外線硬化樹脂的感光性樹脂將光透過性片粘合至基板I的凹凸面側來形成覆蓋層9的設備。此外，可以使用通過利用預先均勻地塗布在片的主面上的壓敏粘合劑(PSA)將光透過片粘合至基板I的凹凸面側來形成覆蓋層9的設備。之後，在步驟S8中，執行BCA標記的記錄。下面，將描述BCA標記的記錄過程。首 先，將直至形成有覆蓋層9的光學信息記錄介質載置在轉盤上，以使得基板I的ー側(基板I的背面側)與光學拾取器相対。接著，以通過電機驅動的預定速度旋轉光學信息記錄介質。然後，在移動光學拾取器直到設置在光學信息記錄介質的內周部分的BCA 14之後，驅動光學拾取器，並且例如根據識別信息從基板I側照射被調製為脈衝形式的雷射。由於此，在第一信息信號層2的照射有雷射的部分中，層疊在基板I上的構成第一信息信號層2的各層被熔融並被去除。結果，例如以硬塗覆形式形成對應於識別信息的標記(BCA標記)，並且將識別信息記錄在BCA 14中。這裡，優選的是，雷射是近紅外光或紅外光，以及例如是具有SOOnm波長的雷射。此外，優選的是，雷射照射期間，光學頭掃描速度為5m/s 9m/s，並且雷射功率在3400mW 4000mW的範圍內。在這個範圍內，可以抑制記錄標記邊緣部分中反射率的突然増加。因此，能夠減弱識別信息的再現信號中的噪聲。由於上面的處理，可以獲得圖I所示的光學信息記錄介質。(第二示例)將在參照圖6的流程的同時描述光學信息記錄介質的製造方法的第二示例。首先，在步驟Sll中，例如通過諸如注塑成型設備的成型設備形成基板I。接下來，在步驟S12中，如圖5所示，在阻擋層沉積設備中，基板I的背面上的外周部分和內周部分分別被外周掩模31和內周掩模32覆蓋，並且在基板I的背面上形成阻擋層51。這時，在參照圖3描述的預定區域中形成阻擋層51。接著，將形成有阻擋層51的基板I從阻擋層沉積設備轉入至LO層沉積設備。這裡，阻擋層沉積設備和LO層沉積設備可以是一體的，並且可以在ー個沉積設備中連續地沉積阻擋層51和第一信息信號層2。接下來，在步驟S13中，在LO層沉積設備中形成第一信息信號層2 (L0層)。優選的是，LO層沉積設備是單晶片沉積設備。這是因為利用單晶片沉積設備的各個真空室能夠在不破壞真空的情況下將構成第一信息信號層2的各層連續地順次層疊在基板I上。對於單晶片沉積設備，例如可以使用諸如濺射法或真空沉積法的真空薄膜形成技術的應用。接著，將形成有第一信息信號層2的基板I從LO層沉積設備轉入至中間層形成設備。接下來，在步驟S14中，以與第一示例的步驟S4相同的方式執行第一中間層3的形成和第二信息信號層4(LI層)的沉積，以及在步驟S15中，以與第一示例的步驟S5相同的方式執行第二中間層5的形成和第三信息信號層6 (L2層)的沉積。接著，在步驟S16中，以與第一示例的步驟S6相同的方式執行第三中間層7的形成和第四信息信號層8 (L3層)的沉積。接下來，在步驟S17中，以與第一示例的步驟S7相同的方式執行覆蓋層9的形成。最後,在步驟S18中，以與第一示例的步驟S8相同的方式執行BCA標記的記錄。由於上面的處理，可以獲得圖I中示出的光學信息記錄介質。(實施例)下面，將利用實施例以具體方式描述本發明，但是本發明並不僅限於這些實施例。下面，鎢氧化物、鈀氧化物、銅氧化物以及鋅氧化物的4種金屬氧化物的混合物稱作「WZCP0」。(實施例I)首先，利用注塑成型設備形成具有120mm直徑Φ和I. Ilmm厚度的聚碳酸酯基板。接著，將形成的基板從注塑成型設備轉入至第一單晶片濺射設備。接著，利用磁控濺射法在基板表面上順次層疊具有以下成分和膜厚度的第一信息信號層(L0層)。從而,在基板表面上形成第一信息信號層(L0層)。第一信息信號層(L0層)、
第二 保護層材料ITO厚度8nm無機記錄膜層材料WZCP0厚度32nm第一保護層材料ITO厚度8nm接下來，將形成有第一信息信號層的基板從第一單晶片濺射設備轉入至阻擋層形成濺射設備。接著，在基板背面上的內周部分和外周部分分別被具有46mm內直徑的內周掩模和具有115mm外直徑的外周掩模覆蓋後，利用磁控濺射法在基板的背面上形成由Tin形成的厚度為IOnm的阻擋層。由於此，圓環狀的阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在23mm半徑的位置處。接下來，將基板從阻擋層形成設備轉入至中間層形成設備，並且利用旋塗法在第一信息信號層上均勻地塗布紫外線硬化樹脂(索尼化學和信息設備公司製造的產品名為SK520)。之後，對均勻塗布在第一信息信號層上的紫外線硬化樹脂按壓壓模的凹凸圖案，並且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之後分離壓摸。由於此，形成具有15. 5μπι厚度的第一中間層。接下來，將基板從中間層形成設備轉入至第二單晶片濺射設備。接著，利用磁控濺射法在中間層上順次層疊具有以下組成和膜厚度的第二信息信號層(LI層)。從而，在第一中間層上形成第二信息信號層。第二信息信號層(LI層)第二保護層材料ITO厚度8nm無機記錄膜層材料WZCPO厚度40nm第一保護層材料ITO厚度7nm接下來，將基板從第二單晶片濺射設備轉入至中間層形成設備，並且利用旋塗法在第二信息信號層上均勻地塗布紫外線硬化樹脂(索尼化學和信息設備公司製造的產品名為SK520)。之後，對均勻塗布在第二信息信號層上的紫外線硬化樹脂按壓壓模的凹凸圖案，並且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之後分離壓摸。由於此，形成具有19. 5 μ m厚度的第二中間層。接下來，將基板從中間層形成設備轉入至第三單晶片濺射設備。接著，利用磁控濺射法在第二中間層上順次層疊具有下列組成和膜厚度的第三信息信號層(L2層)。從而，在第二中間層上形成第三信息信號層。第三信息信號層(L2層)第二保護層材料SIZ厚度24nm無機記錄膜 層材料WZCPO厚度35nm第一保護層材料ITO厚度IOnm接下來，將基板從第三單晶片濺射設備轉入至中間層形成設備，並且利用旋塗法在第三信息信號層上均勻地塗布紫外線硬化樹脂(索尼化學和信息設備公司製造的產品名為SK520)。之後，對均勻塗布在第三信息信號層上的紫外線硬化樹脂按壓壓模的凹凸圖案，並且在用紫外線照射紫外線硬化樹脂和其硬化之後分離壓摸。由於此，形成具有11.5μπι厚度的第三中間層。接下來，將基板從中間層形成設備轉入至第四單晶片濺射設備。接著，利用磁控濺射法在第三中間層上順次層疊具有下列組成和膜厚度的第四信息信號層(L3層)。從而，在第三中間層上形成第四信息信號層。第四信息信號層(L3層)第二保護層材料SIZ厚度3Inm無機記錄膜層材料WZCPO厚度35nm第一保護層材料SIZ厚度IOnm接下來，將基板從第四單晶片濺射設備轉入至旋塗設備，利用旋塗法在第四信息信號層上塗布紫外線硬化樹脂，並且通過對紫外線硬化樹脂照射紫外線而形成具有53. 5 μ m厚度的覆蓋層。之後，從基板的背面側對第一信息信號層照射雷射，並且在BCA(r為21mm 22mm的圓環狀區域)中執行BCA標記的記錄。由於上述情況，可以獲得光學信息記錄介質(目標)。(實施例2)除了內周掩模的內直徑被設定為48mm以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為24_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(實施例3)除了內周掩模的內直徑被設定為50mm以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為25_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(實施例4)除了內周掩模的內直徑被設定為52mm以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為26_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。
(實施例5)除了內周掩模的內直徑被設定為54_以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為27_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(實施例6)除了內周掩模的內直徑被設定為56mm以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為28_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(實施例7)除了內周掩模的內直徑被設定為58mm以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為29_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(實施例8)首先，利用注塑成型設備形成具有120mm直徑Φ和I. Ilmm厚度的聚碳酸酯基板。接下來，將形成的基板從注塑成型設備轉入至阻擋層形成濺射設備。接著，在通過具有46mm內直徑的內周掩模和具有118mm外直徑的外周掩模分別覆蓋基板背面上的內周部分和外周部分之後，利用磁控濺射法在基板的背面上形成由Tin形成的厚度為IOnm的阻擋層。由於此，圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑為23_處。接下來，將形成有阻擋層的基板從阻擋層形成濺射設備轉入至第一單晶片濺射設備。接下來，利用磁控濺射法在基板的背面上順次層疊具有下列組成和膜厚度度的第一信息信號層。由於此，在基板的背面上形成第一信息信號層(L0層)。第一信息信號層(L0層)第二保護層材料ITO厚度8nm無機記錄膜層材料WZCPO厚度32nm第一保護層材料ITO厚度8nm之後，以與實施例I相同的方式，順次形成第一中間層、第二信息信號層、第二中間層、第三信息信號層、第三中間層、第四信息信號層以及覆蓋層，此後，執行BCA標記的記錄。由於上述處理，獲得光學信息記錄介質。(比較例I)除了內周掩模的內直徑被設定為34_以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為17_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。
(比較例2)除了內周掩模的內直徑被設定為36mm以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為18_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(比較例3)除了內周掩模的內直徑被設定為38mm以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為19_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(比較例4)除了內周掩模的內直徑被設定為40mm以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為20_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。 (比較例5)除了內周掩模的內直徑被設定為42mm以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為21_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(比較例6)除了內周掩模的內直徑被設定為44_以及圓環狀阻擋層形成區域的內周側的開始位置被設定在半徑r為22_處之外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(比較例7)除了在基板的背面上未形成有阻擋層外，以與實施例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(比較例8)除了在形成覆蓋層之後執行阻擋層的形成處理外，以與比較例I相同的方式獲得光學信息記錄介質。(評價)以下將對如上所述獲得的實施例I至實施例8以及比較例I 8的光學信息記錄介質進行評價。(記錄靈敏度劣化)在光學信息記錄介質的記錄和再現中，利用磁碟檢測器(Pulstec實業有限公司製造的產品名為0DU-1000)通過以NA = O. 85、405nm記錄波長以及7. 69m/S的記錄線速度記錄和再現的具有每層32GB密度的1-7調製數據測量第四信息信號層的i-MLSE值。這裡，i-MLSE是相當於過去在高密度記錄和再現中使用的抖動的信號評價指標，並且值越低信號特性越好。在i-MLSE值為最低時，記錄功率為Pwo1,並且在作為持久性的加速條件的具有80°C和85% RH的環境下進行200個小時存儲後的i_MLSE值最低時，記錄功率為Pwo2，利用Pwo1進行的Pwo2的記錄功率偏移量的標準化是記錄靈敏度劣化。即在存儲環境前後的記錄靈敏度劣化被設定為△的情況下，通過下面描述的式子(I)來規定。Δ = (Pwo2-Pwo1)/Pwo1. · · (I)(突變特性)從光學信息記錄介質釋放水分以及各個熱膨脹以複雜的方式相互影響，以及光學信息記錄介質的翅曲(R偏移(skew))變化。為了對此進行評價,如下評價Temp衝擊特性和Hum衝擊特性。這裡，由於變化量具有±0. 15程度範圍內的產品規格，所以利用良好、不及格以及平均作為參考值執行評價。
如果以超過產品規格的±0. 15程度的變化量來設計光學信息記錄介質，那麼在突然的環境變化(即，存在突變)的情況下使用時，存在光學信息記錄介質的翹曲大以及記錄再現期間伺服機構脫落，以及極端時接觸拾取器的情況，可能會在生產中產生這種光學信息記錄介質。(Temp衝擊特性)被放入溫度是25°C以及溼度是45%的 環境的恆溫室中的光學信息記錄介質被移動至溫度是55°C以及溼度是9%的環境中的恆溫室中。此時移動後的光學信息記錄介質的翹曲(R-偏移)的變化量以移動前光學信息記錄介質的翹曲(R偏移)作為標準進行確認。(Hum衝擊特性)被放入溫度是25°C以及溼度是90%的環境的恆溫室中的光學信息記錄介質被移動到溫度是25°C以及溼度是45%的恆溫室中。此時移動後的光學信息記錄介質的翹曲(R-偏移)的變化量以移動前光學信息記錄介質的翹曲(R偏移)作為標準進行確認。在圖7中示出了將對實施例I、實施例8以及比較例8的記錄靈敏度劣化的評價匯聚一起的條形圖。這裡，圖7的條形圖將對於實施例I、實施例8以及比較例8執行的2個樣本測量的結果匯聚一起。如圖7所示，與在形成第一信息信號層之後且在形成第一中間層前執行阻擋層的形成的實施例I和在形成基板I之後且在形成第一信息信號層前執行阻擋層的形成的實施例8相比，在形成覆蓋層之後執行阻擋層的形成處理的比較例8中，記錄靈敏度劣化更大。在圖8A和圖8B中示出了將實施例I的突變特性的測量結果匯聚一起的曲線圖。圖8A中示出了 Temp衝擊特性以及圖8B中示出Hum衝擊特性。在圖9A和圖9B中示出了將比較例I的突變特性的測量結果匯聚一起的曲線圖。圖9A中示出了 Temp衝擊特性以及圖9B中示出了 Hum衝擊特性。在圖IOA和圖IOB中示出將比較例7的突變特性的測量結果匯聚一起的曲線圖。圖IOA中示出了 Temp衝擊特性以及圖IOB中示出了 Hum衝擊特性。這裡，圖8A中的R28、R54以及R58的數值表示測量位置(距離基板的一個主面的中心的距離)，以及圖8B中的R57、R53以及R43表示相同方式的測量位置。此外，通過初始示出的標記所示的值表示移動前的初始值(圖9A和圖9B以及圖IOA和圖IOB也ー樣)。如果比較圖8A 圖9B中的曲線圖，那麼可以確認不存在由阻擋層的形成區域的差異導致的突變特性的差異。因此，從突變特性這點可以理解到，阻擋層的形成區域的開始位置可以在BCA外側。另ー方面，如果比較圖8A 圖9B中的曲線圖，可以確認不形成阻擋層的情況下的突變特性劣化。接下來，在表I中示出對實施例I至實施例7以及比較例I和比較例7的突變特性、BCA標記的存在或不存在、記錄靈敏度劣化評價的匯集。在表I中，BCA存在的意義在於可以在與沒有形成阻擋層的情況下記錄BCA標記相同的記錄條件(雷射器功率、轉數等)下記錄BCA標記。BCA標記不存在的意義在於不能在上述條件下記錄BCA標記。此外，以5%以下作為標準來評價記錄靈敏度劣化為良好、平均、不及格。以5%以下作為標準的原因如下。即，有必要在記錄時利用最佳記錄功率以良好的數據進行記錄，但是存在即使記錄功率稍微偏離也能夠以比較良好的方式記錄數據的範圍，這通常稱作功率裕度寬度。在設計光學信息記錄介質時，功率裕度寬度通常被確保最小為±5%以下。由於此，考慮到最壞情況±5%而將良好的範圍上限設定為5%。即，當利用預先存儲在光學信息記錄介質的信息區域中的記錄功率(recording power)進行記錄時，即使由於存儲環境前沒有偏離而是良好的，數據的寫入也會由於存儲環境後的記錄靈敏度顯著偏離以致超過功率裕度時導致的不充足記錄功率而變得困難。同樣，將記錄靈敏度劣化的上限設定為5%。
權利要求
1.一種光學信息記錄介質的製造方法，包括 形成具有第一主面和第二主面的基板； 在所述基板的所述第一主面上形成第一信息信號層； 在所述第一信息信號層上形成中間層； 在所述中間層上形成第二信息信號層； 從所述基板的所述第二主面側照射光且在第一區域和第二區域中的所述第一區域上記錄識別信息；以及 在記錄所述識別信息前，在除記錄所述識別信息的所述第一區域以外的所述第二區域中對所述第二主面形成阻擋層。
2.根據權利要求I所述的光學信息記錄介質的製造方法， 其中，所述第一區域是圓環狀區域，以及 所述第二區域是在所述第一區域的外周側的圓環狀區域。
3.根據權利要求2所述的光學信息記錄介質的製造方法， 其中，所述第一區域是距離所述第二主面的中心21mm以上且22mm以下的區域。
4.根據權利要求3所述的光學信息記錄介質的製造方法， 其中，所述第二區域的內周側的開始位置在距所述第二主面的中心22_處的外周側。
5.根據權利要求4所述的光學信息記錄介質的製造方法， 其中，所述第二區域的所述內周側的開始位置在距所述第二主面的中心25mm處的內周側。
6.根據權利要求I至5中任一項所述的光學信息記錄介質的製造方法，還包括 在形成所述第二信息信號層之後且在記錄所述識別信息前，形成一個或多個信息信號層。
7.根據權利要求I至5中任一項所述的光學信息記錄介質的製造方法， 其中，在形成所述基板之後且在形成所述第一信息信號層前，形成所述阻擋層。
8.根據權利要求6所述的光學信息記錄介質的製造方法， 其中，在形成所述基板之後且在形成所述第一信息信號層前，形成所述阻擋層。
9.根據權利要求I至5中任一項所述的光學信息記錄介質的製造方法， 其中，在形成所述第一信息信號層之後且在形成所述第二信息信號層前，形成所述阻擋層。
10.根據權利要求6所述的光學信息記錄介質的製造方法， 其中，在形成所述第一信息信號層之後且在形成所述第二信息信號層前，形成所述阻擋層。
11.一種光學信息記錄介質，包括 基板，具有第一主面和第二主面； 一個或多個信息信號層，所述一個或多個信息信號層記錄有識別信息並形成在所述基板的所述第一主面上；以及 阻擋層，所述阻擋層形成在所述第二主面上， 其中，在除記錄所述識別信息的第一區域以外的第二區域中形成所述阻擋層。
12.根據權利要求11所述的光學信息記錄介質，其中，所述第一區域是圓環狀區域，以及 所述第二區域是在所述第一區域的外周側的圓環狀區域。
13.根據權利要求12所述的光學信息記錄介質， 其中，所述第一區域是距離所述第二主面的中心21mm以上且22mm以下的區域。
14.根據權利要求13所述的光學信息記錄介質， 其中，所述第二區域的內周側的開始位置在距所述第二主面的中心22_處的外周側。
15.根據權利要求14所述的光學信息記錄介質， 其中，所述第二區域的所述內周側的開始位置在距所述第二主面的中心25mm處的內周側。
16.根據權利要求11所述的光學信息記錄介質， 其中，各個所述信息信號層設置有無機記錄層、被設置為與所述無機記錄層的一個主面相鄰的第一保護層以及被設置為與所述無機記錄層的另一個主面相鄰的第二保護層。
全文摘要
本發明公開了光學信息記錄介質的製造方法及光學信息記錄介質，該光學信息記錄介質的製造方法包括形成具有第一主面和第二主面的基板；在基板的第一主面上形成第一信息信號層；在第一信息信號層上形成中間層；在中間層上形成第二信息信號層；從基板的第二主面側照射光且在第一區域和第二區域中的第一區域上記錄識別信息，並且在除記錄識別信息的第一區域以外的第二區域中對第二主面形成阻擋層。
文檔編號G11B7/242GK102629482SQ201210015079
公開日2012年8月8日 申請日期2012年1月17日 優先權日2011年2月3日
發明者鄉古健 申請人:索尼公司