小彎弧混雜銀門控斜置長扇凸邊錯落陰極結構的發光顯示器的製作方法

2023-05-31 21:48:11

本發明屬於納米科學與技術領域、顯示技術領域、真空科學與技術領域、集成電路科學與技術領域、微電子科學與技術領域以及光電子科學與技術領域的相互交叉領域，涉及到平面場發射發光顯示器的製作，具體涉及到碳納米管陰極的平面場發射發光顯示器的製作，特別涉及到一種小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構的發光顯示器。

背景技術：

碳納米管是一種具有獨特屬性的半導體材料，且已經被成功製作成了場發射發光顯示器的冷陰極。僅依靠外界強大電場強度的作用，碳納米管就能夠發射出大量電子，這也就形成了場發射發光顯示器的工作電流。碳納米管材料在製作工藝、製作設備等方面取得了長足的進展，這也使得場發射發光顯示器的研究得到了極大加速。在三極結構的場發射發光顯示器中，只是在陽極和陰極之間添加了一個門極，從而形成了具有三個電極的顯示器。由於門極和陰極之間的距離很近，故而較小的門極電壓就能夠達到碳納米管進行場電子發射所需的電場強度，這樣就大幅度降低了場發射發光顯示器的工作電壓，也減小了場發射發光顯示器的功率損耗。但是，正是由於門極結構的加入，使得場發射發光顯示器的製作變得有些複雜，也存在著很多技術難題急需解決。例如，第一，陰極-門極的集成化製作。由於陰極和門極的距離非常近，故而這兩種結構在製作過程中，其製作工藝會相互產生影響；略有不慎，就有可能導致碳納米管陰極無法設法電子，這也就使得場發射發光顯示器徹底失效。目前的陰極-門極結構分別製作，該製作模式的缺陷是顯而易見的。第二，碳納米管層的製作問題。由於碳納米管層的不良結構，導致在門極電壓的作用下，根本就無法形成碳納米管進行場電子發射所必需的臨界值，自然而然也就不會有場發射發光顯示器電流了；由於碳納米管層的不良製作，導致並不是所有的碳納米管都在進行場電子發射，有的碳納米管所發射的電子數量很少，更有的碳納米管根本就沒有進行場電子發射；由於碳納米管層的製備面積很小，導致沒有足夠數量的碳納米管進行場電子發射，也就無法形成大的場發射發光顯示器的工作電流。第三，門極結構問題。當施加上門極電壓後，碳納米管層無法進行電子發射，或者碳納米管所發射電子的數量並不隨門極工作電壓的變化而變化，這說明門極結構是不是很合適的。另外，在場發射發光顯示器的製作過程中，應想盡辦法降低場發射發光顯示器的製作費用。

技術實現要素：

發明目的：為了克服現有技術中存在的缺陷和不足，本發明提供一種製作工藝可靠的、發光灰度可調節性能優異的、陽極電流大的、發光亮度高的帶有小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構的發光顯示器。

技術方案：為解決上述技術問題，本發明提供的小彎弧混雜銀門控斜置長扇凸邊錯落陰極結構的發光顯示器，包括由上抗壓平嚴閉板、下抗壓平嚴閉板和透明玻璃框所構成的真空室；在上抗壓平嚴閉板上有陽極低阻高透光膜層、與陽極低阻高透光膜層相連的陽極擴張銀條層以及製備在陽極低阻高透光膜層上面的螢光粉層；在下抗壓平嚴閉板上有小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構；位於真空室內的消氣劑和矩形黑壁附屬元件。

所述的小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構的襯底材料為玻璃，可以為鈉鈣玻璃、硼矽玻璃，也就是下抗壓平嚴閉板；下抗壓平嚴閉板上的印刷的絕緣漿料層形成暗黑非顯現層；暗黑非顯現層上的印刷的銀漿層形成陰極擴張銀條層；陰極擴張銀條層上的印刷的絕緣漿料層形成陰極斜扇基一層；陰極斜扇基一層為正圓柱體形，陰極斜扇基一層的下表面為圓形平面、位於陰極擴展銀條層上，陰極斜扇基一層的上表面為圓形平面、且陰極斜扇基一層的上表面和陰極斜扇基一層的下表面相平行，陰極斜扇基一層的上表面面積等於陰極斜扇基一層的下表面面積，陰極斜扇基一層圓形上表面的圓半徑等於陰極斜扇基一層圓形下表面的圓半徑，陰極斜扇基一層中心垂直軸線垂直於下抗壓平嚴閉板，陰極斜扇基一層的上表面中心位於陰極斜扇基一層中心垂直軸線上，陰極斜扇基一層的下表面中心位於陰極斜扇基一層中心垂直軸線上，陰極斜扇基一層的外側面為直立的圓筒面；陰極斜扇基一層中存在三角孔，三角孔內印刷的銀漿層形成陰極一層豎直延伸層；陰極一層豎直延伸層和陰極擴張銀條層相互連通；陰極斜扇基一層上表面的印刷的銀漿層形成陰極一層平面延伸層；陰極一層平面延伸層為圓面形、且位於陰極斜扇基一層上表面上，陰極一層平面延伸層的圓半徑等於陰極斜扇基一層圓形上表面圓半徑的二分之一，陰極一層平面延伸層的圓中心位於陰極斜扇基一層中心垂直軸線上；陰極一層平面延伸層和陰極一層豎直延伸層相互連通；陰極斜扇基一層上表面的印刷的絕緣漿料層形成陰極斜扇基二層；陰極斜扇基二層的下表面為圓形平面、位於陰極斜扇基一層上表面上，陰極斜扇基二層的下表面外邊緣和陰極斜扇基一層的上表面外邊緣相平齊，陰極斜扇基二層中心垂直軸線垂直於下抗壓平嚴閉板，陰極斜扇基二層中心垂直軸線和陰極斜扇基一層中心垂直軸線相重合，陰極斜扇基二層的下表面中心位於陰極斜扇基二層中心垂直軸線上，陰極斜扇基二層的上表面為向陰極斜扇基二層內部凹陷的倒置圓錐面、靠近陰極斜扇基二層中心垂直軸線的上表面部位高度低而遠離陰極斜扇基二層中心垂直軸線的上表面部位高度高，陰極斜扇基二層的上表面中心位於陰極斜扇基二層中心垂直軸線上，陰極斜扇基二層的外側面為直立的圓筒面；陰極斜扇基二層中存在圓形孔、圓形孔中暴露出底部的陰極一層平面延伸層；陰極斜扇基二層上的印刷的絕緣漿料層形成陰極斜扇基三層；陰極斜扇基三層為傾斜的環長扇形、位於陰極斜扇基二層上表面上，陰極斜扇基三層中心垂直軸線垂直於下抗壓平嚴閉板，陰極斜扇基三層中心垂直軸線和陰極斜扇基一層中心垂直軸線相重合，陰極斜扇基三層的下表面中心位於陰極斜扇基三層中心垂直軸線上，陰極斜扇基三層的上表面為倒置圓錐面、靠近陰極斜扇基三層中心垂直軸線的上表面高度低而遠離陰極斜扇基三層中心垂直軸線的上表面高度高，陰極斜扇基三層的上表面中心位於陰極斜扇基三層中心垂直軸線上，陰極斜扇基三層的外側面為傾斜的向外凸起的弧面；陰極斜扇基三層中存在圓形孔、圓形孔中暴露出底部的陰極一層平面延伸層；陰極斜扇基三層上表面的印刷的銀漿層形成陰極三層斜面延伸層；陰極三層斜面延伸層位於陰極斜扇基三層上表面上，陰極三層斜面延伸層布滿陰極斜扇基三層上表面，陰極三層斜面延伸層的外邊緣和陰極斜扇基三層上表面的外邊緣相平齊；陰極三層斜面延伸層和陰極一層平面延伸層相互連通；陰極三層斜面延伸層上的印刷的絕緣漿料層形成陰極斜扇基四層；陰極斜扇基四層為傾斜的環長扇形、位於陰極三層斜面延伸層上，陰極斜扇基四層中心垂直軸線垂直於下抗壓平嚴閉板，陰極斜扇基四層中心垂直軸線和陰極斜扇基一層中心垂直軸線相重合，陰極斜扇基四層的下表面中心位於陰極斜扇基四層中心垂直軸線上，陰極斜扇基四層的上表面為倒置圓錐面、靠近陰極斜扇基四層中心垂直軸線的上表面高度低而遠離陰極斜扇基四層中心垂直軸線的上表面高度高，陰極斜扇基四層的上表面中心位於陰極斜扇基四層中心垂直軸線上，陰極斜扇基四層的外側面為傾斜的向外凸起的弧面；陰極斜扇基四層中存在圓形孔、圓形孔中暴露出底部的陰極一層平面延伸層；陰極斜扇基四層上表面的印刷的銀漿層形成陰極四層斜面延伸層；陰極四層斜面延伸層位於陰極斜扇基四層上表面上，陰極四層斜面延伸層布滿陰極斜扇基四層上表面，陰極四層斜面延伸層的外邊緣和陰極斜扇基四層上表面的外邊緣相平齊；陰極四層斜面延伸層和陰極一層平面延伸層相互連通；陰極四層斜面延伸層上的印刷的絕緣漿料層形成陰極斜扇基五層；陰極斜扇基五層位於陰極四層斜面延伸層上，陰極斜扇基五層中心垂直軸線垂直於下抗壓平嚴閉板，陰極斜扇基五層中心垂直軸線和陰極斜扇基一層中心垂直軸線相重合，陰極斜扇基五層的下表面中心位於陰極斜扇基五層中心垂直軸線上，陰極斜扇基五層的上表面為平面，陰極斜扇基五層的上表面中心位於陰極斜扇基五層中心垂直軸線上；陰極斜扇基三層外側面上的刻蝕的金屬層形成陰極低承接電極層；陰極低承接電極層為弧面形、環繞在陰極斜扇基三層外側面上，陰極低承接電極層的弧面上邊緣朝向陰極斜扇基三層上表面方向、且為帶有向內凹陷矩形的類環形，陰極低承接電極層的弧面下邊緣朝向陰極斜扇基三層下表面方向、且為圓環形，陰極低承接電極層和陰極三層斜面延伸層相連接；陰極低承接電極層和陰極三層斜面延伸層相互連通；陰極斜扇基四層外側面上的刻蝕的金屬層形成陰極高承接電極層；陰極高承接電極層為弧面形、環繞在陰極斜扇基四層外側面上，陰極高承接電極層的弧面上邊緣朝向陰極斜扇基四層上表面方向、且為圓環形，陰極高承接電極層的弧面下邊緣朝向陰極斜扇基四層下表面方向、且為帶有向內凹陷矩形的類環形，陰極高承接電極層和陰極四層斜面延伸層相連接；陰極高承接電極層和陰極四層斜面延伸層相互連通；暗黑非顯現層上的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基一層；門極斜扇基一層的下表面為平面、位於暗黑非顯現層上；門極斜扇基一層中存在圓形孔、圓形孔中暴露出陰極斜扇基一層、陰極斜扇基二層、陰極斜扇基三層、陰極斜扇基四層、陰極斜扇基五層、陰極低承接電極層和陰極高承接電極層；門極斜扇基一層圓形孔在門極斜扇基一層上、下表面形成的截面為中空圓面；門極斜扇基一層上表面的印刷的銀漿層形成門極混雜弧電極下層；門極混雜弧電極下層為傾斜的向下凹陷的弧面形、位於門極斜扇基一層上表面上，門極混雜弧電極下層的前端和門極斜扇基一層圓形孔的內側壁相平齊、不向門極斜扇基一層圓形孔突出，門極混雜弧電極下層的後端朝向遠離門極斜扇基一層圓形孔方向，門極混雜弧電極下層的前端高度低而後端高度高；門極混雜弧電極下層上的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基二層；門極斜扇基二層上表面的印刷的銀漿層形成門極混雜弧電極中下層；門極混雜弧電極中下層為傾斜的向上凸起的弧面形，門極混雜弧電極中下層的前端朝向圓形孔方向、而後端朝向遠離圓形孔方向，門極混雜弧電極中下層的前端高度低而後端高度高，門極混雜弧電極中下層的前末端和門極混雜弧電極下層相連接；門極混雜弧電極中下層和門極混雜弧電極下層相互連通；門極斜扇基二層上表面的再次印刷的銀漿層形成門極混雜弧電極中後層；門極混雜弧電極中後層為傾斜的向上凸起的弧面形，門極混雜弧電極中後層的前端朝向圓形孔方向、而後端朝向遠離圓形孔方向，門極混雜弧電極中後層的前端高度低而後端高度高，門極混雜弧電極中後層的前末端和門極混雜弧電極中下層的後末端相連接；門極混雜弧電極中後層和門極混雜弧電極中下層相互連通；門極混雜弧電極下層和門極混雜弧電極中下層上表面的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基三層；門極斜扇基三層上的印刷的銀漿層形成門極混雜弧電極中前層；門極混雜弧電極中前層為傾斜的向下凹陷的弧面形，門極混雜弧電極中前層的前端朝向圓形孔方向、而後端朝向遠離圓形孔方向，門極混雜弧電極中前層的前端高度高而後端高度低，門極混雜弧電極中前層的後末端、門極混雜弧電極中下層的後末端和門極混雜弧電極中後層的前末端相連接；門極混雜弧電極中前層、門極混雜弧電極中下層和門極混雜弧電極中後層相互連通；門極混雜弧電極中前層和門極混雜弧電極中後層上的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基四層；門極斜扇基三層、門極斜扇基四層和門極斜扇基二層上的印刷的銀漿層形成門極混雜弧電極上層；門極混雜弧電極上層為傾斜的向上凸起的弧面形，門極混雜弧電極上層的前端和圓形孔內側壁相平齊、不向圓形孔突出，門極混雜弧電極上層的後端朝向遠離圓形孔方向，門極混雜弧電極上層的前端高度低而後端高度高，門極混雜弧電極上層和門極混雜弧電極中前層的前末端相連接，門極混雜弧電極上層的後末端和門極混雜弧電極中後層的後末端相連接；門極混雜弧電極上層和門極混雜弧電極中前層相互連通；門極混雜弧電極上層和門極混雜弧電極中後層相互連通；暗黑非顯現層上的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基五層；門極斜扇基五層的下表面為平面、位於暗黑非顯現層上；門極斜扇基五層上表面的印刷的銀漿層形成門極擴張銀條層；門極擴張銀條層和門極混雜弧電極上層的後末端、門極混雜弧電極中後層的後末端相連接；門極擴張銀條層、門極混雜弧電極上層和門極混雜弧電極中後層相互連通；門極混雜弧電極上層上的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基六層；碳納米管制備在陰極低承接電極層和陰極高承接電極層上。

小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構的固定位置為下抗壓平嚴閉板；陰極低承接電極層可以為金屬銀、鎳、鉬、錫、鋁、銅、鉻；陰極高承接電極層可以為金屬銀、鎳、鉬、錫、鋁、銅、鉻。

本發明同時提供該發光顯示器的製作方法，包括以下步驟：

1)下抗壓平嚴閉板的製作：對平面鈉鈣玻璃進行劃割，形成下抗壓平嚴閉板；

2)暗黑非顯現層的製作：在下抗壓平嚴閉板上印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成暗黑非顯現層；

3)陰極擴張銀條層的製作：在暗黑非顯現層上印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成陰極擴張銀條層；

4)陰極斜扇基一層的製作：在陰極擴張銀條層上印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成陰極斜扇基一層；

5)陰極一層豎直延伸層的製作：在陰極斜扇基一層三角孔內印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成陰極一層豎直延伸層；

6)陰極一層平面延伸層的製作：在陰極斜扇基一層上表面印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成陰極一層平面延伸層；

7)陰極斜扇基二層的製作：在陰極斜扇基一層上表面印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成陰極斜扇基二層；

8)陰極斜扇基三層的製作：在陰極斜扇基二層上印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成陰極斜扇基三層；

9)陰極三層斜面延伸層的製作：在陰極斜扇基三層上表面印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成陰極三層斜面延伸層；

10)陰極斜扇基四層的製作：在陰極三層斜面延伸層上印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成陰極斜扇基四層；

11)陰極四層斜面延伸層的製作：在陰極斜扇基四層上表面印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成陰極四層斜面延伸層；

12)陰極斜扇基五層的製作：在陰極四層斜面延伸層上印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成陰極斜扇基五層；

13)陰極低承接電極層的製作：在陰極斜扇基三層外側面上製備出一個金屬鎳層，刻蝕後形成陰極低承接電極層；

14)陰極高承接電極層的製作：在陰極斜扇基四層外側面上製備出一個金屬鎳層，刻蝕後形成陰極高承接電極層；

15)門極斜扇基一層的製作：在暗黑非顯現層上印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成門極斜扇基一層；

16)門極混雜弧電極下層的製作：在門極斜扇基一層上表面印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成門極混雜弧電極下層；

17)門極斜扇基二層的製作：在門極混雜弧電極下層上印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成門極斜扇基二層；

18)門極混雜弧電極中下層的製作：在門極斜扇基二層上表面印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成門極混雜弧電極中下層；

19)門極混雜弧電極中後層的製作：在門極斜扇基二層上表面再次印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成門極混雜弧電極中後層；

20)門極斜扇基三層的製作：在門極混雜弧電極下層和門極混雜弧電極中下層上表面印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成門極斜扇基三層；

21)門極混雜弧電極中前層的製作：在門極斜扇基三層上印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成門極混雜弧電極中前層；

22)門極斜扇基四層的製作：在門極混雜弧電極中前層和門極混雜弧電極中後層上印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成門極斜扇基四層；

23)門極混雜弧電極上層的製作：在門極斜扇基三層、門極斜扇基四層和門極斜扇基二層上印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成門極混雜弧電極上層；

24)門極斜扇基五層的製作：在暗黑非顯現層上印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成門極斜扇基五層；

25)門極擴張銀條層的製作：在門極斜扇基五層上表面印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成門極擴張銀條層；

26)門極斜扇基六層的製作：在門極混雜弧電極上層上印刷絕緣漿料，經烘烤、燒結工藝後形成門極斜扇基六層；

27)小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構的清潔：對小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；

28)碳納米管層的製作：將碳納米管印刷在陰極低承接電極層和陰極高承接電極層上，形成碳納米管層；

29)碳納米管層的處理：對碳納米管層進行後處理，改善其場發射特性；

30)上抗壓平嚴閉板的製作：對平面鈉鈣玻璃進行劃割，形成上抗壓平嚴閉板；

31)陽極低阻高透光膜層的製作：對覆蓋於上抗壓平嚴閉板表面的錫銦氧化物膜層進行刻蝕，形成陽極低阻高透光膜層；

32)陽極擴張銀條層的製作：在上抗壓平嚴閉板上印刷銀漿，經烘烤、燒結工藝後形成陽極擴張銀條層；

33)螢光粉層的製作：在陽極低阻高透光膜層上印刷螢光粉，經烘烤工藝後形成螢光粉層；

34)顯示器器件裝配：將消氣劑安裝固定在上抗壓平嚴閉板的非顯示區域；然後，將上抗壓平嚴閉板、下抗壓平嚴閉板和透明玻璃框和矩形黑壁裝配到一起，用夾子固定；

35)顯示器器件封裝：對已經裝配的顯示器器件進行封裝工藝形成成品件。

具體地，所述步驟32具體是在上抗壓平嚴閉板的非顯示區域印刷銀漿，經過烘烤(最高烘烤溫度：150ºC，最高烘烤溫度保持時間：5分鐘)之後，放置在燒結爐中進行燒結(最高燒結溫度：532 ºC，最高燒結溫度保持時間：10分鐘)。

具體地，所述步驟33是在上抗壓平嚴閉板的陽極低阻高透光膜層上印刷螢光粉，然後放置在烘箱中進行烘烤(最高烘烤溫度：135ºC，最高烘烤溫度保持時間：8分鐘)。

具體地，所述步驟35是對已裝配的顯示器器件進行如下的封裝工藝：將顯示器器件放入烘箱中進行烘烤；放入燒結爐中進行燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離；在烤消機上對消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成成品件。

有益效果：本發明具備以下顯著的進步：

首先，在所述的小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構中，製作了小彎弧混雜銀門極。門極混雜弧電極上層和門極混雜弧電極下層對碳納米管層的場電子發射起著主要調控作用，而門極混雜弧電極中下層、門極混雜弧電極中前層和門極混雜弧電極中後層則起到了輔助調控電場以及傳遞門極電勢的作用。當在小彎弧混雜銀門極上施加門極電壓後，就會在碳納米管層表面形成強大的電場強度，不僅能夠迫使碳納米管發射出大量的陰極電子，而且碳納米管所發射電子數量的多少會隨著門極電壓大小的變化而變化，這些現象都體現了小彎弧混雜銀門極對碳納米管層的強有力調控性能。

其次，在所述的小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構中，製作了斜置長扇外凸邊錯落面陰極。陰極低承接電極層的弧面上邊緣朝向陰極斜扇基三層上表面方向、且為帶有向內凹陷矩形的類環形，弧面下邊緣朝向陰極斜扇基三層下表面方向、且為圓環形；陰極高承接電極層的弧面上邊緣朝向陰極斜扇基四層上表面方向、且為圓環形，弧面下邊緣朝向陰極斜扇基四層下表面方向、且為帶有向內凹陷矩形的類環形。這也就是表明，斜置長扇外凸邊錯落面陰極具有很大的陰極電極邊緣，從而能夠利用場發射發光顯示器中特有的「邊緣電場增強」現象，使得製作於陰極電極邊緣位置的碳納米管能夠發射出更多的電子。這對於提升場發射發光顯示器的發光亮度、改善場發射發光顯示器的發光灰度可調節性能、增大場發射發光顯示器的陽極電流都是十分有益的。

第三，在所述的小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構中，碳納米管制備在陰極低承接電極層和陰極高承接電極層上。由於陰極低承接電極層和陰極高承接電極層都具有很大的表面積，這也就是使得碳納米管層的製作面積得到了擴大，能夠參與場電子發射的碳納米管數量在增多。能夠進行場電子發射的碳納米管數量增多了，形成大的場發射電流也就是自然而然的事情了。同時，小彎弧混雜銀門極和斜置長扇外凸邊錯落面陰極兩種結構進行了集成化製作。這些舉措都十分有助於提高場發射發光顯示器的發光亮度，改善場發射發光顯示器的大工作電流。

此外，在小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構的製作過程中，並沒有採用特殊的製作材料，也未利用特殊的製作設備，從而能夠進一步降低場發射發光顯示器的製作費用。

除了上面所述的本發明解決的技術問題、構成技術方案的技術特徵以及由這些技術方案的技術特徵所帶來的優點外，本發明的小彎弧混雜銀門控斜置長扇凸邊錯落陰極結構的發光顯示器所能解決的其他技術問題、技術方案中包含的其他技術特徵以及這些技術特徵帶來的優點，將結合附圖做出進一步詳細的說明。

附圖說明

圖1是本發明實施例中單個小彎弧混雜銀門控斜置長扇凸邊錯落陰極結構的縱向結構示意圖；

圖2是本發明實施例中小彎弧混雜銀門控斜置長扇凸邊錯落陰極結構的橫向結構示意圖；

圖3是本發明實施例中小彎弧混雜銀門控斜置長扇凸邊錯落陰極結構的發光顯示器的結構示意圖；

圖中：下抗壓平嚴閉板1、暗黑非顯現層2、陰極擴張銀條層3、陰極斜扇基一層4、陰極一層豎直延伸層5、陰極一層平面延伸層6、陰極斜扇基二層7、陰極斜扇基三層8、陰極三層斜面延伸層9、陰極斜扇基四層10、陰極四層斜面延伸層11、陰極斜扇基五層12、陰極低承接電極層13、陰極高承接電極層14、門極斜扇基一層15、門極混雜弧電極下層16、門極斜扇基二層17、門極混雜弧電極中下層18、門極混雜弧電極中後層19、門極斜扇基三層20、門極混雜弧電極中前層21、門極斜扇基四層22、門極混雜弧電極上層23、門極斜扇基五層24、門極擴張銀條層25、門極斜扇基六層26、碳納米管層27、上抗壓平嚴閉板28、陽極低阻高透光膜層29、陽極擴張銀條層30、螢光粉層31、消氣劑32、透明玻璃框33、矩形黑壁34。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明進行進一步說明，但本發明並不局限於本實施例。

本實施例的小彎弧混雜銀門控斜置長扇凸邊錯落陰極結構的發光顯示器如圖1、圖2和圖3所示，包括由上抗壓平嚴閉板28、下抗壓平嚴閉板1和透明玻璃框33所構成的真空室；在上抗壓平嚴閉板28上有陽極低阻高透光膜層29、與陽極低阻高透光膜層29相連的陽極擴張銀條層30以及製備在陽極低阻高透光膜層29上面的螢光粉層31；在下抗壓平嚴閉板1上有小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構；位於真空室內的消氣劑32和矩形黑壁34附屬元件。

小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構的襯底材料為玻璃，可以為鈉鈣玻璃、硼矽玻璃，也就是下抗壓平嚴閉板1；下抗壓平嚴閉板1上的印刷的絕緣漿料層形成暗黑非顯現層2；暗黑非顯現層2上的印刷的銀漿層形成陰極擴張銀條層3；陰極擴張銀條層3上的印刷的絕緣漿料層形成陰極斜扇基一層4；陰極斜扇基一層4為正圓柱體形，陰極斜扇基一層4的下表面為圓形平面、位於陰極擴展銀條層上，陰極斜扇基一層4的上表面為圓形平面、且陰極斜扇基一層4的上表面和陰極斜扇基一層4的下表面相平行，陰極斜扇基一層4的上表面面積等於陰極斜扇基一層4的下表面面積，陰極斜扇基一層4圓形上表面的圓半徑等於陰極斜扇基一層4圓形下表面的圓半徑，陰極斜扇基一層4中心垂直軸線垂直於下抗壓平嚴閉板1，陰極斜扇基一層4的上表面中心位於陰極斜扇基一層4中心垂直軸線上，陰極斜扇基一層4的下表面中心位於陰極斜扇基一層4中心垂直軸線上，陰極斜扇基一層4的外側面為直立的圓筒面；陰極斜扇基一層4中存在三角孔，三角孔內印刷的銀漿層形成陰極一層豎直延伸層5；陰極一層豎直延伸層5和陰極擴張銀條層3相互連通；陰極斜扇基一層4上表面的印刷的銀漿層形成陰極一層平面延伸層6；陰極一層平面延伸層6為圓面形、且位於陰極斜扇基一層4上表面上，陰極一層平面延伸層6的圓半徑等於陰極斜扇基一層4圓形上表面圓半徑的二分之一，陰極一層平面延伸層6的圓中心位於陰極斜扇基一層4中心垂直軸線上；陰極一層平面延伸層6和陰極一層豎直延伸層5相互連通；陰極斜扇基一層4上表面的印刷的絕緣漿料層形成陰極斜扇基二層7；陰極斜扇基二層7的下表面為圓形平面、位於陰極斜扇基一層4上表面上，陰極斜扇基二層7的下表面外邊緣和陰極斜扇基一層4的上表面外邊緣相平齊，陰極斜扇基二層7中心垂直軸線垂直於下抗壓平嚴閉板1，陰極斜扇基二層7中心垂直軸線和陰極斜扇基一層4中心垂直軸線相重合，陰極斜扇基二層7的下表面中心位於陰極斜扇基二層7中心垂直軸線上，陰極斜扇基二層7的上表面為向陰極斜扇基二層7內部凹陷的倒置圓錐面、靠近陰極斜扇基二層7中心垂直軸線的上表面部位高度低而遠離陰極斜扇基二層7中心垂直軸線的上表面部位高度高，陰極斜扇基二層7的上表面中心位於陰極斜扇基二層7中心垂直軸線上，陰極斜扇基二層7的外側面為直立的圓筒面；陰極斜扇基二層7中存在圓形孔、圓形孔中暴露出底部的陰極一層平面延伸層6；陰極斜扇基二層7上的印刷的絕緣漿料層形成陰極斜扇基三層8；陰極斜扇基三層8為傾斜的環長扇形、位於陰極斜扇基二層7上表面上，陰極斜扇基三層8中心垂直軸線垂直於下抗壓平嚴閉板1，陰極斜扇基三層8中心垂直軸線和陰極斜扇基一層4中心垂直軸線相重合，陰極斜扇基三層8的下表面中心位於陰極斜扇基三層8中心垂直軸線上，陰極斜扇基三層8的上表面為倒置圓錐面、靠近陰極斜扇基三層8中心垂直軸線的上表面高度低而遠離陰極斜扇基三層8中心垂直軸線的上表面高度高，陰極斜扇基三層8的上表面中心位於陰極斜扇基三層8中心垂直軸線上，陰極斜扇基三層8的外側面為傾斜的向外凸起的弧面；陰極斜扇基三層8中存在圓形孔、圓形孔中暴露出底部的陰極一層平面延伸層6；陰極斜扇基三層8上表面的印刷的銀漿層形成陰極三層斜面延伸層9；陰極三層斜面延伸層9位於陰極斜扇基三層8上表面上，陰極三層斜面延伸層9布滿陰極斜扇基三層8上表面，陰極三層斜面延伸層9的外邊緣和陰極斜扇基三層8上表面的外邊緣相平齊；陰極三層斜面延伸層9和陰極一層平面延伸層6相互連通；陰極三層斜面延伸層9上的印刷的絕緣漿料層形成陰極斜扇基四層10；陰極斜扇基四層10為傾斜的環長扇形、位於陰極三層斜面延伸層9上，陰極斜扇基四層10中心垂直軸線垂直於下抗壓平嚴閉板1，陰極斜扇基四層10中心垂直軸線和陰極斜扇基一層4中心垂直軸線相重合，陰極斜扇基四層10的下表面中心位於陰極斜扇基四層10中心垂直軸線上，陰極斜扇基四層10的上表面為倒置圓錐面、靠近陰極斜扇基四層10中心垂直軸線的上表面高度低而遠離陰極斜扇基四層10中心垂直軸線的上表面高度高，陰極斜扇基四層10的上表面中心位於陰極斜扇基四層10中心垂直軸線上，陰極斜扇基四層10的外側面為傾斜的向外凸起的弧面；陰極斜扇基四層10中存在圓形孔、圓形孔中暴露出底部的陰極一層平面延伸層6；陰極斜扇基四層10上表面的印刷的銀漿層形成陰極四層斜面延伸層11；陰極四層斜面延伸層11位於陰極斜扇基四層10上表面上，陰極四層斜面延伸層11布滿陰極斜扇基四層10上表面，陰極四層斜面延伸層11的外邊緣和陰極斜扇基四層10上表面的外邊緣相平齊；陰極四層斜面延伸層11和陰極一層平面延伸層6相互連通；陰極四層斜面延伸層11上的印刷的絕緣漿料層形成陰極斜扇基五層12；陰極斜扇基五層12位於陰極四層斜面延伸層11上，陰極斜扇基五層12中心垂直軸線垂直於下抗壓平嚴閉板1，陰極斜扇基五層12中心垂直軸線和陰極斜扇基一層4中心垂直軸線相重合，陰極斜扇基五層12的下表面中心位於陰極斜扇基五層12中心垂直軸線上，陰極斜扇基五層12的上表面為平面，陰極斜扇基五層12的上表面中心位於陰極斜扇基五層12中心垂直軸線上；陰極斜扇基三層8外側面上的刻蝕的金屬層形成陰極低承接電極層13；陰極低承接電極層13為弧面形、環繞在陰極斜扇基三層8外側面上，陰極低承接電極層13的弧面上邊緣朝向陰極斜扇基三層8上表面方向、且為帶有向內凹陷矩形的類環形，陰極低承接電極層13的弧面下邊緣朝向陰極斜扇基三層8下表面方向、且為圓環形，陰極低承接電極層13和陰極三層斜面延伸層9相連接；陰極低承接電極層13和陰極三層斜面延伸層9相互連通；陰極斜扇基四層10外側面上的刻蝕的金屬層形成陰極高承接電極層14；陰極高承接電極層14為弧面形、環繞在陰極斜扇基四層10外側面上，陰極高承接電極層14的弧面上邊緣朝向陰極斜扇基四層10上表面方向、且為圓環形，陰極高承接電極層14的弧面下邊緣朝向陰極斜扇基四層10下表面方向、且為帶有向內凹陷矩形的類環形，陰極高承接電極層14和陰極四層斜面延伸層11相連接；陰極高承接電極層14和陰極四層斜面延伸層11相互連通；暗黑非顯現層2上的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基一層15；門極斜扇基一層15的下表面為平面、位於暗黑非顯現層2上；門極斜扇基一層15中存在圓形孔、圓形孔中暴露出陰極斜扇基一層4、陰極斜扇基二層7、陰極斜扇基三層8、陰極斜扇基四層10、陰極斜扇基五層12、陰極低承接電極層13和陰極高承接電極層14；門極斜扇基一層15圓形孔在門極斜扇基一層15上、下表面形成的截面為中空圓面；門極斜扇基一層15上表面的印刷的銀漿層形成門極混雜弧電極下層16；門極混雜弧電極下層16為傾斜的向下凹陷的弧面形、位於門極斜扇基一層15上表面上，門極混雜弧電極下層16的前端和門極斜扇基一層15圓形孔的內側壁相平齊、不向門極斜扇基一層15圓形孔突出，門極混雜弧電極下層16的後端朝向遠離門極斜扇基一層15圓形孔方向，門極混雜弧電極下層16的前端高度低而後端高度高；門極混雜弧電極下層16上的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基二層17；門極斜扇基二層17上表面的印刷的銀漿層形成門極混雜弧電極中下層18；門極混雜弧電極中下層18為傾斜的向上凸起的弧面形，門極混雜弧電極中下層18的前端朝向圓形孔方向、而後端朝向遠離圓形孔方向，門極混雜弧電極中下層18的前端高度低而後端高度高，門極混雜弧電極中下層18的前末端和門極混雜弧電極下層16相連接；門極混雜弧電極中下層18和門極混雜弧電極下層16相互連通；門極斜扇基二層17上表面的再次印刷的銀漿層形成門極混雜弧電極中後層19；門極混雜弧電極中後層19為傾斜的向上凸起的弧面形，門極混雜弧電極中後層19的前端朝向圓形孔方向、而後端朝向遠離圓形孔方向，門極混雜弧電極中後層19的前端高度低而後端高度高，門極混雜弧電極中後層19的前末端和門極混雜弧電極中下層18的後末端相連接；門極混雜弧電極中後層19和門極混雜弧電極中下層18相互連通；門極混雜弧電極下層16和門極混雜弧電極中下層18上表面的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基三層20；門極斜扇基三層20上的印刷的銀漿層形成門極混雜弧電極中前層21；門極混雜弧電極中前層21為傾斜的向下凹陷的弧面形，門極混雜弧電極中前層21的前端朝向圓形孔方向、而後端朝向遠離圓形孔方向，門極混雜弧電極中前層21的前端高度高而後端高度低，門極混雜弧電極中前層21的後末端、門極混雜弧電極中下層18的後末端和門極混雜弧電極中後層19的前末端相連接；門極混雜弧電極中前層21、門極混雜弧電極中下層18和門極混雜弧電極中後層19相互連通；門極混雜弧電極中前層21和門極混雜弧電極中後層19上的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基四層22；門極斜扇基三層20、門極斜扇基四層22和門極斜扇基二層17上的印刷的銀漿層形成門極混雜弧電極上層23；門極混雜弧電極上層23為傾斜的向上凸起的弧面形，門極混雜弧電極上層23的前端和圓形孔內側壁相平齊、不向圓形孔突出，門極混雜弧電極上層23的後端朝向遠離圓形孔方向，門極混雜弧電極上層23的前端高度低而後端高度高，門極混雜弧電極上層23和門極混雜弧電極中前層21的前末端相連接，門極混雜弧電極上層23的後末端和門極混雜弧電極中後層19的後末端相連接；門極混雜弧電極上層23和門極混雜弧電極中前層21相互連通；門極混雜弧電極上層23和門極混雜弧電極中後層19相互連通；暗黑非顯現層2上的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基五層24；門極斜扇基五層24的下表面為平面、位於暗黑非顯現層2上；門極斜扇基五層24上表面的印刷的銀漿層形成門極擴張銀條層25；門極擴張銀條層25和門極混雜弧電極上層23的後末端、門極混雜弧電極中後層19的後末端相連接；門極擴張銀條層25、門極混雜弧電極上層23和門極混雜弧電極中後層19相互連通；門極混雜弧電極上層23上的印刷的絕緣漿料層形成門極斜扇基六層26；碳納米管制備在陰極低承接電極層13和陰極高承接電極層14上。

小彎弧混雜銀門控斜置長扇外凸邊錯落面陰極結構的固定位置為下抗壓平嚴閉板1；陰極低承接電極層13可以為金屬銀、鎳、鉬、錫、鋁、銅、鉻；陰極高承接電極層14可以為金屬銀、鎳、鉬、錫、鋁、銅、鉻。

本實施例的發光顯示器的製作方法如下：