有機裝置的製造方法

2023-05-31 23:42:56

專利名稱：有機裝置的製造方法
技術領域：
本發明涉及一種有機裝置的製造方法。
背景技術：
有機電致發光元件會由於空氣中的潮溼或者氧化而退化。為了保護元件不 退化，使用密封罐或者密封膜來覆蓋元件。在用密封膜覆蓋元件的情況下，會
採用例如CVD (化學汽相沉積)、濺射、浸漬塗覆或者噴塗的方法。密封IM 用無mil和有機膜的任何一種或者無糹鵬和有機膜的組合。該組合包括無機膜 和有機膜的複合結構及其層疊結構。
因為有機電致發光元件是由電源驅動的，因此該元件被提供有電連接部， 其用於將該元件與外部電路電連接。當密封膜施加於元件時，連接部也可以被 密封由此將元件電絕緣。為了避免元件的絕緣，連接部應該用遮蔽罩、掩蔽膠 帶(masking tape)等覆蓋以防止連接部在於元件上形成密封膜時被密封。
該有機電致發光元件是通過下面的步驟製造的。首先，多個有機電致發光 元件以矩陣的形式形 大尺寸脆性基板上並由密封罐或密封膜覆蓋。然後， 在脆性繊上通戱麟驢形成多個劃線。當沿著劃線施加力給脆性繊從而 將大尺寸脆性對反斷裂成多個部分時，多個制蟲的電發光元件就製造出來了。
日本未審查的專利申請公開號No.2002-151254公開了一種製造有機電致發 光元件的方法。在該方法中， 一對電極和有機層被保護膜覆蓋，且電連接部未 被覆蓋。該方法提出適當地暴露連接部而不利用用於用金屬掩模形成保護膜的 工藝或溼法工藝。更詳細地，該方法包括在 ±31^1層疊陽極、有機層和陰 極形成層疊本體。有機層包括發光層並且由有機發光材料製成。陽極和陰極中 的至少一個被提供有電連接部，其與外部電路電連接。該方法包括施加掩蔽膠 帶到連接部的另一步驟。該方法進一步包括在層疊本體上形成用於覆蓋和保護 該層疊本體的保護膜的步驟。該方法M—步包括通過從連接部去除保護膜和 掩 帶*#露連接部的步驟。
根據上述公開物的方法，掩蔽J交帶被施加於連接部而不使用金屬掩模並且保護膜(或密封膜)形成在層疊本體上。然後，連接部通過從連接部去除保護 膜和掩蔽膠帶而被暴露(或露出)。然而，如果密封膜通過幹法工藝形成並且連 接部被掩蔽膠帶覆蓋，夷卩麼密封膜容易在它的端部斷裂或者在剝離掩蔽膠帶時 裂開。幹法工藝是在真空狀態或者減壓下形成薄膜的工藝，並且包括真空沉積
工藝或CVD工藝。
可淑也，如果密封膜M:溼法工藝形成並且連接部用掩蔽膠帶覆蓋，那麼 在剝離掩蔽膠帶時仍保留粘性沉積物。這些粘性沉積物，過使密封膜材料和 掩蔽膠帶的粘合劑反應形成的化合物。粘性沉積物位於施加於連接部的掩蔽膠 帶和密封膜之間的界限處。當有機電致發光元件以矩陣的形式形成於一個大尺 寸脆性繊上時，這些粘性沉積物在大尺寸脆性繊上以線形形狀形成，以便 橫向地或者縱向地沿該大尺寸脆性 延伸。另一方面，矩陣形式的有機電致 發光元件需要被分成單個的有機電致發光元件。為了分離矩陣形式的有機電致 發光元件，需要在該大尺寸脆性SI反上形成劃線以便於橫向地或縱向地沿該大 尺寸脆性 延伸。如果在具有粘性沉積物的大尺寸脆性基板的表面上形成劃 線，夷P麼戈iJ線在與粘性沉積物的交叉中是斷斷續續的。因此，出現了有缺陷的 劃線。在這種情況下，通過隨後的斷裂步驟斷裂的大尺寸脆性基板的一部分也 存在缺陷，相應地，產品產率下降。斷裂步驟^M:沿著劃線在大尺寸脆性基 板上施加力而將大尺寸脆性SI反斷裂的工藝。
如果劃線形成在大尺寸脆性基板的具有粘性沉積物的表面的相對的表面 上，夷卩麼該大尺寸脆性 將會由於粘性沉積物而膨脹。膨脹的大尺寸脆性基 板將引起劃線在深度上變化。在一些情況下，粘性沉積物正上面的劃線是斷斷 續續的，因此出現有缺陷的劃線。另外，柔軟的粘性沉積物會在形成劃線時引 起彈性變形，因此不能繼續工作。從而，大尺寸脆性基阪的粘性沉積物的正上 面會出現有缺陷的劃線。 :隨後的斷裂步驟斷裂的 的一部分也會存在缺 陷並且相應地，陶氏了產品產率。
不僅有機電致發光元件而且諸如有機電晶體、有機二極體等的有機元件也 受到溼氣或氧的不利影響。因此，這類有機元# 糹《過密封膜被密封並且 具有類似的問題。
本發明提出一種製造有機裝置的方法。有機元件形成於脆性基板上並且被 提供有至少一個電連接部，其將有機元件和外部電路電連接。有機元件被密封膜密封以便將連接部的至少一部分排出在外。即使多個有機元件以矩陣形式形 皿脆性基板上並且通51溼法工藝形成密封膜，也能減少在劃線步驟出現的有 缺陷的劃線。這提高了有機元件的產品產率。

發明內容
本發明提供了一種製造有機元件的方法。該方法包括以下步驟。第一步是 在脆性基板上以矩陣的形式形成多個有機元件的步驟。每個有機元件被提供有 電連接部，其將該有機元件電連接至外部電路。第二步是在每個有機元件上通 過溼法工藝形成密封膜且連接部的至少一部分用粘性掩蔽材料覆蓋的步驟。第 三步是在剝離掉該粘性掩蔽材料後去除粘性沉積物的步驟。第四步是在脆性基 肚形成多個劃線的步驟。第五步是^ 機斷裂脆性繊的步驟。
本發明的其它方面和優點將由以下結合附圖的描述而變得顯而易見，所述 附圖藉助實例示出了本發明的原理。


被認為新穎的本發明的特徵在所附權利要求中被具體闡釋。本發明連同其
目的和優點可以M:參考下面的目前優選實施例的描述並結合附圖而得到最好
的理解，其中
附圖1A是根據本發明的一個實施例的有機電致發光裝置的平面示意亂
附圖1B是從附圖1A中A-A線處看至啲有機電致發光裝置的截面示意圖； 附圖1C是從附圖1A中B-B線處看至啲有機電致發光裝置的截面示意圖； 附圖2是說明有豐幾電致發光，的製造方法的步驟的流程圖； 附圖3A是製造中的有機電致發光裝置的截面示意圖並且示出了施加掩蔽 膠帶的位置；
附圖3B是帝隨中的有機電致發光體的另一個截面示意圖並且示出了施 加掩 帶的位置；
附圖3C是省略了密封膜的有機電致發光裝置的平面示意圖，並且示出粘性 沉積物的位置。
附圖4是未實施步驟中的劃線步驟的有機電致發光裝置的示意亂 附圖5是實施了劃線步驟的有機電致發光裝置的示意圖。
具體實施例方式
下面將參考圖1A到4描述根據本發明的一個實施例的有機電致發光裝置的製造方法。如圖1A到1C中所示，有機電致發光裝置11包括玻璃基板12、有
機電致發光元件i6和密封膜n。有機電致發光裝置ii用作有+;i^g。有機電
致發光元件16用作有機元件。注意術語"有機元件"指的是M f柳有機材料形 成並且由電源驅動的任何元件。有機材料包括有機電致發光元件、有機電晶體 和有機二極體。有機電致發光元件16包括第一電極13、有機電致發光層14和 第二電極15。有機電致發光層14用作發光層。第一電極13、有機電致發光層 14和第二電極15按這個"(W被層疊在玻璃基板12上。有機電致發光元件16 由密封膜或者保護膜17密封，以便於有機電致發光層14免受溼氣冰蒸汽) 和氧的不利影響。在下面的描述中，術語"有機電致發光"被稱為"有機EL"。
圖1A到1C示意地示出了有機EL裝置11的結構。為了說明方便，誇大地 示出了一些尺寸。從而，例如有機EL裝置ll的長度和厚度的尺寸比例與實際 的不同。
在本實施例中，第一電極13為陽極且第二電極15為陰極。第一電極13由
透明材料律喊。注意術語"透明"指的是至少能使可見^iM:。第一電極13由氧
化銦錫(HO)製成，氧化銦錫用作已知有機EL元件的透明電極。第一電極13
由rro膜形成。第二電極15由例如鋁的金屬材料製成，並用於反射光。有機
EL元件16為底部發射型並且有機EL層14的^il玻璃繊12被提取(射出)。 如圖1A中所示，有機EL元件16的水平突出部(projection)基本上形成 矩形。更具體地，第一電極13的水平突出部基本上形成矩形。同樣盼瞎況適用 於有機EL層14和第二電極15。第一電極13的矩形的面積大於有機EL層14 的矩形的面積。第二電極15的矩形的面積小於有機EL層14的矩形的面積。第 一電極13被提供有第一電連接部13A，其將第一電極13電連接至外部電路。 第一連接部13A位於鄰i^第一電極13或者位於圖1A的右側。第一連接部13A 由與第一電極13相同的材料製成並且與第一電極13 —體形成。
第二電極15被提供有第二電連接部15A，期各第二電極15電連接至外部 電路。第二連接部15A位於鄰近第二電極15或者位於圖1A的右側。第二連接 部15A由與第一電極13和第一連接部13A相同的材料製成。第二電極15具有 延伸部15B，其連接至第二連接部15A。
密封膜17由用於至少防止溼氣(7K蒸汽)和 入的材料製成。在本實施 例中，密封膜17包括第一密封膜17A和第二密封膜17B,因此形成兩層結構。第一密封膜17A M幹法工藝形成並且第二密封膜17B通過溼法工藝形成。注 意術語"幹法工藝"指的是在真空狀態或者減壓下形成薄膜的任何工藝。該方法 包括真空沉積工藝、濺射工藝、離子電鍍工藝、^ffl離子束的工藝和CVD(化學 汽相沉積)工藝。還要注意術語"溼法工藝"指的是將密封膜材料的溶液施加至煤 物並且然後通過乾燥或者使該溶 反應而形成固態密封膜的任何工藝。第一 密封膜17A例如由氮化矽製成。第二密封膜17B例如由二氧化矽製成。矽石(二 氧化矽)是由聚矽M^形成的塗勇爐轉化形成的。形成第二密封膜17B以, 第一密封膜17A。
下面將描述製造如上結構的有機EL裝置11的方法。通^l行圖2中流程 圖的步驟而執行製造有機EL裝置ll。在製造有機ELCTll之前，參考圖3A 到3C，製備用作脆性基板的大尺寸玻璃基板l。在基板清潔步驟S1中，清潔大 尺寸玻璃繊l。在形成有機EL元件16的步驟S2中，如圖4所示，在大尺寸 玻璃基板1上按矩陣的形式形成多個有機EL元件16。在本發明中，步驟S2用 作形成有機元件的步驟。在本實施例中，九個有機EL元件16以3x3的矩陣形 式形成於大尺寸玻璃基板1上。
在形成有機EL元件16的步驟S2中，第一電極13、有機EL層14和第二 電極15按這個次序形成。第一電極13按下述形成。M已知的薄膜形成工藝
在大尺寸玻璃基板i上形成rro膜。通過光刻在rro膜中形成抗蝕劑圖案後，
將蝕刻應用於ITO膜從而圖案化第一電極13。在這種情況下，在大尺寸玻璃基 板1的預定位置處同時形，一連接部13A和第二i^接部15A以及第一電極 13。
{頓等離子體臭氧清潔大尺寸玻璃 i的no表面或鄰近第一電極13
的大尺寸玻璃鎌1的表面之後，在第一電極13上形成有機EL層14。藉助已 知的真空沉積工藝，通過一個接一個地形成有機EL層14的^構i^l而形成 有機EL層14。在有機EL層14全部形成之後，可以在有機EL層14上ffl31例 如沉積A1來形成第二電極15。在這種情況下，形成延伸部15B以分別連接第 二連接部15A的各部分。有機EL元件16 MM上面的工藝形成。
然後，在有機EL元件16上形成密封膜17以將^連接部13A的至少一 部分和每個連接部15A的至少一部分排出在外。在本實施例中，密封膜17通過 兩步形成，其中一步是M幹法工藝形成第一密封，莫17A的步驟S3，且另一步Mil溼法工藝形成第二密封膜17B的步驟S4。在本發明中，步驟S3用作通 過幹法工藝形成密封膜的步驟且步驟S4用作ffi31溼法工藝形成密封膜的步驟。 步驟S4在步驟S3之後實施。
在S3的幹法工藝中，ffiil利用蔭罩(shadowmask)的等離子體CVD工藝 形成氮化矽膜，從而形麟一密封膜17A。在S4的溼法工藝中，第二密封膜17B fflil溼法工藝而形成且用粘性掩蔽材料，例如掩蔽膠帶18，覆蓋每個連接部13A 的至少一部分和^^連接部15A的至少一部分。如圖3A所示，當掩蔽膠帶18 施加於連接部13A時，沒有被第一密封膜17A覆蓋的連接部13A的部分被暴露 (或露出)。如圖3B所示，當掩蔽膠帶18施加於連接部15A時，沒有被第一密 封膜17A覆蓋的連接部15A的部分被暴露(或露出)。掩蔽膠帶18不僅被施力口 到連接部13A和15A的部分，而且還被施加到大尺寸玻璃繊1以便於沿大尺 寸玻璃繊1縱向延伸。在掩M帶18施力倒大尺寸玻璃繊1的情況下，通 過噴塗來施加通過在例如二甲苯的疏冰性有機歸仲溶解聚矽氨烷而提供的溶 液。在形jt^夷劃莫之後，聚矽，被轉化成矽石(二氧化矽)，從而形，二密 封膜17B。
在掩蔽膠帶18被剝離後，實施去除粘性沉積物19的步驟S5。在本發明中， 步驟S5用作去除粘性沉積物的步驟。注意有機EL層14和第二電極15厚度一 般小於1 ，並且密封膜17的厚度也小於幾 。因此，有機EL層14、第 二電極15和密封膜17缺乏抗衝擊性且容易斷裂。為了加強它們的抗衝擊性， 可以對密封膜17施加保護塗層。
當掩蔽膠帶18被剝離時，剩餘了掩蔽膠帶18的禾佔合劑和密封膜17材料的 混合物的一部分，以形成一個或多個粘性沉積物19。如圖3C所示，這些粘性 沉積物19在相應於界限20的位置形成，界限20位於施加到大尺寸玻璃SI及1 的掩繊帶18和密封膜17之間。更具體地，粘性沉積物19是掩蔽膠帶18的 粘合劑和第二密封膜17B的材料(矽化合物)的混合物。粘性沉積物19均具有 可目視確定的尺寸且主要在掩蔽區域的末端生成。這些粘性沉積物19可以用作 微小的雜質粒子，其被包括在第一連接部13A和柔性印刷電路之間的結合區域 中。在下文中柔性印刷電路被稱為FPC。
在去除粘性沉積物的步驟S5中，粘性沉積物19 3!51拋光去除。磨光是優 選的拋光。在劃線步驟S6中，如圖5所示，在大尺寸玻璃SI及1上利用己知的
8戈i踐裝置形成多個劃線22。在本實施例中，在大尺寸玻璃凝反1上形成四條劃 線22。戈麟22中的兩條沿大尺寸玻璃基板1縱向延伸並朋除的劃線22沿大 尺寸玻璃繊l橫向延伸。
在斷裂步驟S7中，大尺寸玻璃M 1沿著劃線22被斷裂成九個玻璃基板12。
下面將詳細描述去除粘性沉積物19的一個實例。絨面布料(Suede cloth) (Refine Tec公司型號52-108)用於磨光。金剛石膏料(Refine Tec公司型 號41-101，油質)和研磨油(Refine Tec公司型號70401)用作研磨材料。 金剛石膏料是包含有粒子直徑為1縣的金剛石顆粒的油性結合劑。研磨油是 合成的油。
ffiil下面的，旨實施拋光。
1、 糹夠開磨油滲透到絨面布料中。
2、 添加金剛石膏料到絨面布料的正面。
3、 保持塑料塊緊靠支撐絨面布禾鬥的反面，該塑料塊的形狀 為每個邊具有幾釐米的正方形。
4、 緊靠合適的玻璃板摩擦絨面布料的正面以便於絨面布料 吸收金剛石膏料。
5、 夂賄機EL驢11安裝在水平的硬玻璃板上並且有機EL 裝置11的連接部13A、 15A在上面。
6、 用已經很好地吸收了研磨油和金剛石膏料的絨面布料的 正面摩擦界限20和連接部13A、 15A。
7、 對絨面布料施加大約十次衝擊，以使得絨面布料的4Tf呈 長度為大約0.02米，且施加在界限20和連接部13A、 15A的負荷 為大約0.02到0.03千克。
8、 如顆有機EL裝置11施加了保護塗層，貝U摩擦方向設 定為垂直於有機EL裝置11的縱向方向以便於不會將《射戶塗層剝 落。
9、 在拋光操作之後，用紗布(waste)從有機EL裝置11擦 去研磨液。然後，用在乙醇中浸漬過的紗布清潔連接部13A、 15A， 從而從連接部13A、 15A去除研磨液的油性成分。在上面的程序中，界限20的粘性沉積物19和連接部13A、 15A的汙物被 去除。
如果粘性沉積物19隻是由掩蔽膠帶18的粘合齊啲一部分形成，那麼粘性 沉積物19可以艦用有機溶劑麟而除去。然而，由於粘性沉積物19包含矽 化合物，因此粘性沉積物19不育鵬用有機翻l」親而除去。如果劃線裝置在 具有粘性沉積物19的大尺寸玻璃基片1的表面上形成劃線22，那麼劃線22在 與粘性沉積物19的交叉中是斷斷續續的。因此，出現了有缺陷的劃線。如果劃 線，在與大尺寸玻璃基板1的具有粘性沉積物19的表面相對的表面上形成劃 線22，那麼大尺寸玻璃繊l由於粘性沉積物19而會膨脹。膨脹的大尺寸玻璃 基板1會導致劃線22在深度上變化。在一些情況下，在粘性沉積物19正上面 的劃線22是斷斷續續的，從而出現了有缺陷的劃線。另外，柔軟的粘性沉積物 19會在形成劃線22時引起彈性娜，因此不能繼續工作。因此，大尺寸脆性玻 璃凝及1的粘性沉積物19的正上面會出現有缺陷的劃線。通過隨後的斷裂步驟 S7斷裂的SI反的一部分也會存在缺陷並且相應地降低了產品產率。
另一方面，當在製造有機EL裝置11的方法中提供去除粘性沉積物19的步 驟S5時，粘性沉積物19被很好地去除了。當在大尺寸玻璃 1上形成劃線 22時，降低了有缺陷的戈機的發生，其提高了有機EL體11的產品產率。在 步驟S5中，拋光連接部13A和15A的表面。這育,在連接部13A、 15A和FPC 之間產生很好的連接。
上面的實施例具有以下有利的效果。
(1)有機EL裝置11的製造方法包括步驟S2、步驟S4、步驟S5、 劃線步驟S6和斷^^步驟S7 。步驟S2是在大尺寸玻璃基板1上以矩陣的 形式形成多個有機EL元件16的工藝。步驟S4是M51溼法工藝形， 二密封膜17B並且^連接部13A的至少一部分和*連接部15A的 至少一部分被掩 帶18覆蓋的工藝。步驟S5是在剝離掩蔽膠帶18 後去除粘性沉積物19的工藝。劃線步驟S6是在大尺寸玻璃基板1上形 成多個劃線22的工藝。斷裂步驟S7是沿著劃線22將大尺寸玻璃基板1 斷裂成九^璃基板12的工藝。在本實施例中，在剝離掩蔽膠帶18時 形成的粘性沉積物19在步驟S5中被去除。粘性沉積物19是掩 帶 18的粘合劑和第二密封膜17B的材料的混合物。由於上面的原因，在劃線步驟S6中，降低了有缺陷的劃線的出現，其提高了有機EL裝置ll
的產品產率。
(2) 溼法工藝是在幹法工藝之後實施的。在相同膜厚的情況下， 由幹法工藝形成的膜一般比由溼法工藝形成的膜在溼氣和氧的滲透率 方面要低。由幹法工藝形成的膜包括蒸汽沉積膜且由溼法工藝形成的膜 包括塗覆膜。然而，由幹法工藝形成的膜易於導致例如由下面層的不均 勻性或外來物質而弓胞的針孔這樣的微小缺陷。在本實施例中，由幹法 工藝形成的膜與由溼法工藝形成的足夠柔性的膜相結合以覆蓋微小的 缺陷從而加強密封膜17的密封功能或者密封性能。另外，密封膜17是 由幹法工藝形成的第一密封膜17A和由溼法工藝形成的第二密封膜17B 的複合膜。該複合結構增強了密封膜17的密封功能或密封性能。
(3) 除了去除粘性沉積物19的工藝之外，步驟S5還包括拋光連 接部13A和15A的工藝。這使得即使在密封膜17的複合結構盼瞎況下， 連接部13A和15A的表面也可以與FPC進行很好的連接。
(4) 拋光步驟S5 ^il51磨光實施的。該磨光^13il輛開磨齊噘 粒施加在例如絨面布料的軟皮(soft buff)上並且 連接部13A和15A 的表面按壓該軟皮實施的。連接部13A和15A作為被拋光的部分。與例 如噴砂處理(shot blasting)的拋光相比，其中研磨劑顆禾M過幹法工藝 被噴射，利用連接部13A和15A的表面的較小的拋光操作容易地除去粘 性沉積物19。
本發明不限於上面描述的實施例，而是可以作如下示例性修改。 在步驟S5中，含水金剛石膏料(41-101，水性的)和含水研磨液(70-501， 含水的液體)可以用作研磨材料。在這種情況下，當用紗布糹銅開磨M^人有機EL 裝置ll擦去之後，連接部13A， 15A可以用浸透了純淨水的紗布進^a—步清 潔。
在磨光中使用的研磨齊噘粒的顆粒直徑不限於1 ，也可以小於或大於1 綠
拋光步驟S5不限於磨光，也可以是磨料噴砂法(abrasive blasting)。該磨料 噴砂法是在^S模操作提供給除了連接部13A和15A之外的有機EL體11的 狀態下，用壓縮空氣噴射顆粒狀的研磨材料。連接部13A和15A作為被拋光部分，且研磨材料包括研磨劑顆粒、OT粒、玻璃顆粒和沙粒。拋光可通別糊 磨齊鵬粒和液體的混合物用壓縮空氣噴射到被拋光部分的表面上來實施。
拋光步驟S5可以不j頓例如研磨齊噘粒這樣的顆粒狀研磨材料。在這種情
況下，連接部13A和15A的表面可以通過磨石、砂紙等拋光。
ffl31幹法工藝形成的第一密封膜17A不限於氮化矽膜，也可為由另一無機 材料製成的膜。該無機材料包括例如氧化矽、氮氧化矽、碳化矽和玻璃的矽基 化合物。第一密封膜17A不限於矽基化合物，也可以是例如金屬氧化物和金屬
氮化物的電絕緣材料。金屬氧化物包sm化鋁且金屬氮化物包皿化鋁。
M幹法工藝形成的第一密封膜17A不限於單層膜，也可以是多層膜。多 層膜的層疊膜不限於由矽基化合物或者電絕緣材料形成的那些。多層膜可以通 過在具有電絕緣屬性的膜上層疊金屬膜而形成。金屬膜包括鋁膜、銀膜和銅膜。 層疊膜的數目不限於兩層，也可以是三層或者更多層。當第一密封膜17A由單 層或者多層金屬膜形成時，難以保證連接部13A和15A之間的電絕緣。然而， 如果第一密封膜17A由多層膜形成並且金屬膜形成在多層膜的第一層的上面或 者上方，那麼金屬膜將不會影響電絕緣。由於在相同膜厚的條件下，金屬膜比 陶瓷膜更難產生針孔並且比陶瓷膜有更高的抗衝擊性，因此改善了密封膜17的 性能。
當第一密封膜17A通31幹法工藝形成時，幹法工藝不限於等離子體CVD 工藝，也可以是用於在真空狀態或減壓下形成薄膜的另一工藝。幹法工藝可以 是另外的CVD工藝、真空沉積工藝、M工藝、離子電鍍工藝和4頓離子束的 工藝。
第一密封膜17A不限於是由無機材料(無機材料系)製成的膜，也可以是 由低透溼性的有機材料(有機材料系)製成的膜。該有機材料包括環氧樹脂、 聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯乙烯 (polystylene)和丙烯酸(丙烯酸樹脂)。由有機材料形成的膜不限於單層膜，而 可以是多層膜，其中層疊了由不同材料製成的膜。可選地，由有機材料製成的 膜可以是由不同材料的組合形成的複合膜。
第一密封膜17A可以是由無機材料形成的膜和由有機材料形成的膜的層疊 膜。第一密封膜17A也可以是複合膜，其中沉積了無機材料和有機材料的組合。
在上面的實施例中，形麟二密封膜17B以覆識一密封膜17A。然而，在實施例的修改中，由溼法工藝形成的第二密封膜17B與第二電極15接觸並且 由幹法工藝形成的第一密封膜17A層疊在第二密封膜17B上。也就是，幹法工 藝是在溼法工藝之後實施的。
在上面的實施例中，當第二密封膜17B由溼法工藝形成時，Mil噴凃來施 加第二密封膜17B的材料的翻l」。然而，在該實施例的修改中，第二密封膜17B 的材料的翻UM:狹縫^^敷、旋轉塗敷或者浸漬塗敷來施加。
密封膜17可以僅由fflil溼法工藝形成的膜構成。例如，密封膜17可以僅 艦由聚矽氨烷翻U形成的第一密封膜17A形成。
當密封膜17僅僅由溼法工藝形成時，除了由聚矽氨烷形成的第二密封膜 17B夕卜，還可以層疊塗敷膜。塗敷膜由透溼性和魏粗氐的另一材料形成。塗 敷膜可以由透溼性低的樹脂形成。該樹脂包括環氧樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯 (PEN)、 苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯乙烯和丙烯酸(丙烯酸樹脂)。
密封膜17可以包括在第一密封膜17A下面形成的有機膜，用於提供平坦的 密封膜17的層疊平面。
有機EL裝置11不限於底，型，其中光穿過玻璃基板12被提取，也可以 是頂發射型，其中光穿過密封膜17被提取。
形成本發明的有機裝置的一部分的基板不限於玻璃基板。只要有機裝置的 Sl反是脆性基板，那麼該基板的材料可以是矽。在本發明中，脆性基板是能夠 被劃線和斷裂的亂
本發明的有機裝置不限於有機EL裝置11。僅僅需要在S^反上形成的有機 元件被密封膜密封以將每個連接部的至少一部分排出在外。例如，諸如有機晶 體管、有機二極體等的有機元件可以形皿基板上以形成電路的一部分。
儘管在本實施例中，有機EL元件16被提供有兩個連接部，但有機EL元 件16可以只被提供有一個連接部。可選地，有機EL元件16可以被提供有三個 ，多個連接部。
可以形成本發明的有機體以便鎌上的元件包括有機材料系。然而，可 以形成有機裝置以便凝反上的元件包括無機材料系以及有機材料系與無機材料 系的複合物。該元件可以作為例如光能產生器、光傳感器、運算電路等的電和 電子元件。單個的電和電子元件，或者電和電子元件的複合體可以用於有機裝 置。並非必需形成本發明的有機裝置以f，自基板上的有機元件被密封膜17 密封。有機裝置可以^M示器，其中由有機材料和無機材料製成的驅動電路安
裝在繊上。例如，M有機電晶體發射的有機EL元件與由低溫多晶矽製成的 驅動電路形皿相同的 ±0
在上面的實施例中，在大尺寸玻璃繊1上以3x3的矩陣形式形成九個有 機EL元件16。然而，大尺寸玻璃基板1上的有機EL元件16的數目和有機EL 元件16的形式不限於上面的實施例。僅僅需要多個有機EL元件16以矩陣形式 形鵬大尺寸玻璃基板1上。
因此，本實例和實施例應被理解為是說明性的，而非限制性的，並且本發 明不限於這裡給出的細節，而是^^f附權利要求的範圍內可以進行修改。
權利要求
1、一種製造有機元件裝置的方法，其中在脆性基板上形成多個有機元件並且每個有機元件被提供有電連接部，其將該有機元件電連接到外部電路，其中該有機元件被密封膜密封以便將連接部的至少一部分排出在外，該方法的特徵在於在脆性基板上以矩陣形式形成有機元件；在每個有機元件上通過溼法工藝形成密封膜並且連接部的至少一部分用粘性掩蔽材料覆蓋；在剝離該粘性掩蔽材料之後去除粘性沉積物；在脆性基板上形成多個劃線；以及沿所述劃線斷裂該脆性基板。
2、 根據權利要求1的方法，其特徵在於利用溼法工藝形成密封膜的步驟是 在利用幹法工藝形成密封膜的步mt後實施的。
3、 根據禾又利要求2的方法，其特徵在於在利用幹法工藝形成密封膜的步驟 中形成的密封膜是由氮化矽製成的。
4、 根據權利要求1的方法，其特徵在於去除粘性沉積物的步驟包括拋光連 接部的工藝。
5、 根據權利要求4的方法，其特徵在於連接部的拋光為磨光。
6、 根據權利要求5的方法，其中金剛石膏料用於磨光。
7、 根據權利要求1的方法，其特徵在於齡有機元件是有機電致發光元件。
8、 根據權利要求1的方法，其特徵在於在利用溼法工藝形成密封膜的步驟 中形成的密封膜是由聚矽氨烷的塗敷膜形成的。
9、 根據禾又利要求1的方法，其中該粘性掩蔽材料是掩 帶。
全文摘要
一種有機裝置的製造方法，包括以下步驟第一步是在脆性基板上以矩陣的形式形成多個有機元件的步驟。每個有機元件被提供有電連接部，其將該有機元件電連接至外部電路。第二步是在每個有機元件上通過溼法工藝形成密封膜並且連接部的至少一部分用粘性掩蔽材料覆蓋的步驟。第三步是在剝離掉該粘性掩蔽材料後去除粘性沉積物的步驟。第四步是在脆性基板上形成多個劃線的步驟。第五步是沿著所述劃線斷裂該脆性基板的步驟。
文檔編號H05B33/10GK101309531SQ20081012773
公開日2008年11月19日 申請日期2008年4月22日 優先權日2007年4月23日
發明者仁井田英紀, 原田昌幸, 齋藤靖史, 星作太郎, 河內浩康, 筒井雄介 申請人:株式會社豐田自動織機