有機裝置的製作方法
2023-05-31 23:18:41 1
專利名稱：有機裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及有機裝置的製作，例如電發光或有機發光二極體(OLED)裝置。尤其是，本發明涉及對電發光裝置封裝的改進，另一方面，本發明涉及活性有機材料的均質或均勻沉積。
本發明的背景技術附
圖1顯示了具有一個或多個OLED單元的常規電發光裝置100。OLED單元包括由一個或多個有機功能層110構成的功能疊層，所述功能疊層位於透明導電層105(例如，銦錫氧化物或ITO)和導電層115之間。所述導電層作為電極。所述單元位於基體101上的一個活性區域185。根據需要，所述單元可以製成顯示器或燈。金屬噴鍍層構成電極和結合片150之間的連接。所述結合片與例如驅動電路結合，控制OLED單元的操作。蓋160形成腔室145，並且封閉所述裝置，密封OLED單元使其免受環境的損壞(例如，溼度和/或空氣)。
在操作中，將電荷載體注射通過電極，從而在所述功能層中重組。電荷載體的重組使得上述單元的功能層發出可見輻射光。
沉積聚合物的技術包括例如，旋塗或刮刀塗覆。上述技術對整個基體表面進行塗覆。由於聚合物材料非常柔軟，而且是部分吸溼的，在蓋與基體結合的地方(例如，蓋結合區域)需要將聚合物材料從該區域完全去除。而且，由於結合片通常在聚合物材料沉積之前形成，需要從結合片上去除所述聚合物材料，從而使墊片暴露與驅動電路結合。
然而，使聚合物材料形成圖案的技術非常有限。這是因為需要化學反應(幹的或溼的)的大多數技術與敏感的聚合物材料不相容。通常採用的形成圖案技術是雷射燒蝕。當採用雷射燒蝕時，要求高的雷射強度以及長的輻射時間從而將聚合物材料從基體上的選定區域去除。高的雷射強度以及長的輻射時間可能對聚合物下面的金屬噴鍍層或ITO層造成損壞，從而對裝置產生不良影響。而且，當層變得越來越薄，光吸收下降，從而雷射燒蝕可能不能完全去除所述聚合物材料。聚合物材料從蓋結合區域的不完全去除導致有缺陷的封裝，從而產生故障。
從上述討論可知，需要有一種具有可靠封裝的電發光裝置。
而且，OLED的有機功能層包括，例如溶解於溶液的共軛聚合物。所述聚合物通過例如旋塗或刮刀塗覆技術或其它沉積/印刷技術沉積於基體上。通常，有機層非常薄，例如大約50-400nm。由於有機層非常薄，層的細小偏差或不均勻將導致裝置操作的光學偏差。
所述有機層塗覆玻璃基體，並製備成有圖案的結構，例如金屬連接和ITO電極結構。所述不同的結構使得基體表面呈現凸凹不平的外形。其下的不同材料具有不同的表面能，它們沿著凹凸不平的基體表面也使得很難得到均勻的有機層。
為了提高有機層的塗覆均勻性，人們提出採用不同的溶液。上述溶液包括，例如通過氧氣或等離子體處理基體表面，選擇適當的金屬從而有機材料對其顯示良好的塗覆性能，或修飾有機材料從而得到良好的塗覆性能。然而，由於有機材料的良好塗覆性能損害了其可生產性，導致高的生產成本和/或性能降低，因此上述溶液是不起作用的。
由上述討論可知，進一步地需要有機裝置上具有均勻有機功能層，其對裝置的性能沒有產生不良影響或不增加生產成本。
本發明的簡述本發明涉及電發光裝置的密封。所述電發光裝置包括具有一個活性區域的基體，所述活性區域上至少形成一個OLED單元。蓋結合區域環繞所述活性區域。在蓋結合的活性區域具有一保護層，例如光刻膠。所述保護層使形成OLED單元的聚合物材料從蓋結合區域去除而不損害位於其下的各層。其改進了蓋和基體之間的密封。
另一方面，本發明涉及有機裝置中有機層的均勻沉積。所述有機裝置包括位於例如電極或金屬內部連接等其它層頂部的基體，至少一個有機層沉積在所述基體上。對活性有機材料顯示良好塗覆性能的均質層，例如光刻膠，位於所述有機層下面。其避免了位於下面的金屬的不利影響，所述不利影響能夠影響有機材料在基體上的均勻沉積，從而導致例如OLED單元的缺陷。
附圖的簡要說明附圖1顯示了常規的OLED裝置；附圖2顯示了本發明的一個實施方式；附圖3顯示了本發明的另一實施方式；附圖4-9顯示了根據本發明的一個實施方式製作OLED單元的過程；以及附圖10-14顯示了根據本發明的另一個實施方式製作OLED單元的過程。
本發明的優選實施方式附圖2顯示了根據本發明一個實施方式的有機裝置200。所述裝置包括一具有活性區域285的基體201，所述活性區域上具有一個或多個活性組件。在一個實施方式中，所述活性組件包括有機材料。在一個實施方式中，所述活性組件包括一個或多個OLED單元，形成了OLED裝置。採用具有有機材料的其它類型活性組件也可以用於形成其它類型的裝置。
在一個實施方式中，所述基體包括透明基體，例如玻璃。也可以採用其它類型的透明材料用作基體，從而製成所述OLED單元。例如可以採用塑料薄膜作為基體。在構成彈性裝置中塑料材料尤其有用。還可以採用非透明材料，例如矽，特別是在通過蓋進行觀察的應用中。
OLED單元包括位於第一和第二電極205和215之間的一個或多個有機層(有機疊層)210。優選地，所述有機層包括共軛聚合物。還可以採用其它類型的有機材料，例如低分子量材料、寡聚物、星爆式化合物或樹枝狀材料。所述材料包括三-(8-羥基喹啉)-鋁鹽(Alq)、聚(p-亞苯基次亞乙烯)(PPV)或聚芴(PF)。還可以採用其它類型的功能有機層，包括基於螢光或磷光的層。在一個實施方式中，所述有機疊層210中包括空穴傳輸層(HTL)。所述HTL，例如包括聚合物混合物，通常含有聚苯胺(Pani)或聚亞乙基二氧噻吩polythylenedioxythiophene(Pedot)。所述有機疊層的厚度通常為大約2-500nm。
第一電極205用作例如陽極，而第二電極用作陰極。至少一個電極包括透明導電材料，例如銦錫氧化物(ITO)。根據需要，可以將陰極和陽極製成圖案從而形成一個或多個OLED單元。例如，陰極和陽極分別在第一和第二方向形成條帶，構成像素裝置。也可以採用其它圖案。通常，第一和第二方向相互垂直。
在環繞所述活性區域的蓋結合區域，蓋260結合於基體，從而封裝所述OLED單元。所述蓋形成腔室245，通過與蓋的物理接觸從而使單元免於損壞。
所述裝置的活性區域可以包括，例如具有一定形狀的柱狀物(未示出)從而使裝置層形成圖案。所述包括切口的具有一定形狀的柱狀物用於形成頂部電極的圖案。具有一定形狀的柱狀物的使用參見例如「結構電極的製作」(US2001/0017516A1)，以及「OLED裝置中電極的圖案結構」(PCT/SG00/00134)，上述申請在本發明中結合併參考。
所述基體包括位於活性區域285之外的導電內部連接205。所述內部連接包括例如金屬。如前所述，所述金屬內部連接可以對有機層的均勻性產生不良影響。有機材料的不均勻性可以從位於非活性區域以外的區域蔓延，在所述區域中，有機層與活性區域中的位於下面的金屬層接觸，從而對活性組件產生不良影響。
根據本發明的一個實施方式，均質層275位於活性區域之外的基體上。所述均質層覆蓋位於基體非活性區域的金屬內部連接。所述均質層包括一種材料，所述材料有助於構成活性組件的有機層的均勻性。通過覆蓋金屬內部連接，減少或防止了對有機層的不良影響。優選地，所述材料包括均原材料從而防止內部連接的短路。對於均勻層的材料用於導電的應用，應在保護層的下面提供一絕緣層。更優選地，構成所述均質層的材料與所述裝置的製作工藝相適應。例如，所述材料應當非常容易地沉積在基體上或者非常容易地有選擇地去除，從而根據需要暴露位於下面的內部連接。優選地，可以採用在製作裝置中所採用的工藝沉積或輕易地去除所述材料，從而避免需要另外的工具或化學反應。在一個實施方式中，所述均質層包括光敏材料，例如光刻膠。也可以採用其它類型的光敏材料，例如聚醯亞胺。也可以採用非光敏材料，例如樹脂或非光敏聚醯亞胺。還可以採用其它類型的對有機材料具有良好塗覆性能的材料。這些材料包括例如Novolak樹脂、聚苯並惡唑、苝。
有利地是，所述均質層還可用作表面保護層。例如，需要除去位於活性區域外的有機層部分，例如蓋結合區域內的有機層部分，從而促進蓋和基體之間的粘附，或者暴露位於下面的結合片的金屬內部連接。通常採用雷射燒蝕去除所述有機層。但是，雷射燒蝕過程會損害金屬內部連接，使裝置產生故障或者對其性能產生不良影響。通過在有機層下提供均質層，在雷射燒蝕過程中可使所述金屬內部連接免受損害。均質層的厚度應足以減少或消除金屬內部連接對有機層均勻性的不良影響。此外，所述均質層應足夠厚從而在選擇性去除聚合物材料的過程中使下層免受損壞。通常厚度為大約0.5-2μm。也可以採用其它厚度。
附圖3顯示了本發明另一實施方式的電發光裝置200。所述裝置包括具有活性區域的基體201，在所述活性區域內形成有一個或多個OLED單元。在一個實施方式中，所述基體包括與附圖2所示電發光裝置的基體相同的材料。
附圖3所示的OLED單元還可包括與附圖2的裝置相同的功能疊層，包括夾在第一和第二電極205和215之間的一個或多個有機層210(聚合物疊層)。
根據需要，按照上述附圖2中裝置的相同方式對陰極和陽極的圖案進行加工，形成一個或多個OLED單元。結合片250與陰極和陽極電連接。
蓋260結合於基體上的蓋結合區域，所述蓋結合區域環繞所述活性區域，從而封裝OLED單元。蓋形成腔室245，通過與蓋的物理連接使得單元免受損壞。在一個實施方式中，所述蓋包括其上具有密封緣或墊圈的蓋基體。所述蓋基體可以由例如玻璃形成。也可以採用其它可以用作蓋基體的材料，例如金屬或陶瓷。所述密封緣可以由例如光刻膠構成。也可以採用其它類型的材料，例如矽酸鹽玻璃、二氧化矽或陶瓷。使用粘結劑將蓋粘結於基體上。所述粘結劑例如包括基於環氧基、矽、尿烷、丙烯酸鹽的樹脂或烯類化學物質。所述樹脂可以是UV或熱塑樹脂。也可以採用由環氧粘結劑形成的密封緣。此外，所述蓋是預形成的蓋，包括例如，壓制金屬或刻花玻璃。
所述裝置的活性區域可以包括例如具有一定形狀的柱狀物。所述具有一定形狀的包括切口的柱狀物用於構成頂部電極的圖案。採用具有一定形狀的柱狀物的例子參見例如「結構電極的製作」(US2001/0017516A1)，以及「OLED裝置中電極的圖案結構」(PCT/SG00/00134)，上述申請在本發明中結合併參考。另外或除了具有一定形狀的柱狀物之外，基體上可以具有間隔顆粒。所述間隔顆粒用於支撐蓋，防止蓋與OLED單元接觸。採用間隔顆粒的例子參見，例如「電子裝置的封裝」(USSN09/989362)；「有機LED裝置的改進封裝」(PCT/SG99/00145)；「具有改進封裝的有機LED裝置」(PCT/SG99/00143)；以及「有機LED裝置的改進封裝」(PCT/SG99/00145)，上述文獻在本文中結合併參考。
根據本發明的一個實施方式，基體的蓋結合區域具有表面保護層275。所述蓋與所述表面保護層接觸。在除去聚合物材料的過程中，位於表面保護層下面的各層，例如電極之間的金屬內部連接和/或例如ITO的電極免受損壞。由於表面保護層作為封裝的一部分，其應具有足夠的機械穩定性、良好的粘結性能以及低滲透率，從而保證蓋和基體之間的良好密封。如果表面保護層直接位於金屬內部連接的上面，其應由絕緣材料構成。優選地，所述表面保護層由與OLED製作工藝相適應的材料構成。通常，表面保護層的厚度為大約0.5-50μm。也可以採用其它厚度。在一個實施方式中，表面保護層包括光刻膠。也可以採用其它類型的光敏材料，例如聚醯亞胺。還可以採用非光敏材料，例如樹脂或非光敏聚醯亞胺。
附圖4-9顯示了根據本發明的一個實施方式製作OLED裝置的過程。參照附圖4，具有一基體301。在一個實施方式中，所述基體包括透明基體，例如鹼石灰或硼矽酸鹽玻璃。也可以採用其它類型的透明材料作為基體。所述基體通常具有大約0.4-1.1mm的厚度。
在另一實施方式中，所述基體包括薄的彈性基體。薄的彈性基體由例如塑料薄膜所形成，例如透明聚(對苯二甲酸亞乙酯)(PET)、聚(對苯二甲酸丁烯)(PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、聚碸(PSO)、以及對聚苯醚碸(PES)。也可以採用其它材料形成基體，例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。另外，還可以使用例如超薄玻璃(例如，厚度為10-100um)、包括玻璃和聚合物或塗覆有無機阻隔層的聚合物薄膜的複合層等材料。
所述基體包括第一電極305，第一電極至少位於活性區域上。第一電極作為例如陽極。可以通過例如在基體上沉積導電層以及形成圖案從而製成陽極。可以採用各種技術，例如光蝕刻，用於使導電層形成圖案。在一個實施方式中，陽極在第一方向上排列成條狀。也可以採用其它圖案的陽極。在一個實施方式中，所述導電材料包括透明導電材料，例如銦錫氧化物(ITO)。也可以採用其它透明導電材料，例如銦鋅氧化物、鋅氧化物、錫氧化物。
基體的活性區域之外具有內部連接375。所述內部連接與例如電極耦合。在一個實施方式中，導電層沉積在基體上，而且形成圖案構成電連接375和結合片。所述導電層包括例如金屬，例如Al，Ag，Au或Cr。可以採用常規的掩蔽和蝕刻技術使導電層形成圖案。
參照附圖5，裝置層430沉積在基體上。在一個實施方式中，所述裝置層包括光刻膠。可以採用各種類型的光刻膠，例如正性或負性作用膠。也可以採用其它類型的光敏材料或非光敏材料，從而促進活性聚合物層的均一性。如果所述裝置層包括導電材料，如果需要，可在裝置層下提供一絕緣層從而防止內部連接之間的短路。
參照附圖6，所述裝置層形成圖案從而在活性區域之外的區域形成均質層575。如果採用光敏裝置層，根據採用的是正性光敏材料還是負性光敏材料，選擇性地暴露不同部分以及除去暴露或未暴露的部分，從而使光敏裝置層形成圖案。另一方面，可以採用常規的掩蔽和蝕刻技術使非光敏裝置層形成圖案。
參照附圖7，所述過程進一步完成了OLED裝置的製作。可以採用各種常規的技術以完成所述OLED裝置。在一個實施方式中，在基體上形成具有一定形狀的柱狀物685。所述具有一定形狀的柱狀物685包括一切口，例如V形輪廓，從而在導電層沉積形成電極過程中有效中斷所述導電層。優選地，所述柱狀物由單層材料構成。在一個實施方式中，所述具有一定形狀的柱狀物由包括負性光刻膠的單層構成。也可以採用其它類型的光敏材料。也可以採用非光敏材料以形成具有一定形狀的柱狀物。另外，所述具有一定形狀的柱狀物由多層構成從而具有t形輪廓。所述多層可以由光敏和/或非光敏材料構成。
所述柱狀物形成之後，將功能有機層610沉積在基體上。在一個實施方式中，所述功能有機層包括共軛聚合物。也可以採用其它類型的有機材料。通過例如旋塗沉積所述聚合物。也可以採用其它的沉積技術。可以沉積另外的功能層從而形成功能有機疊層。可以沉積不同類型的聚合物從而形成具有多種顏色的OLED裝置。位於活性區域之外的金屬層下面的均質層確保了聚合物層具有良好的均勻沉積。從而消除了活性區域之外的不均勻性，在所述活性區域之外，金屬從波紋處延伸進入活性區。
參照附圖8，第二導電層715沉積於基體上。所述導電層包括，例如Ca、Mg、Ba、Ag、Al或它們的混合物或合金。也可以採用其它的導電材料形成第二導電層，特別是包括低功函的材料。此外，所述第二導電層包括離子化合物，例如LiF、MgF或CsF。在一個實施方式中，所述第二導電層包括Ca。通過例如速率為1nm/s、壓力為大約10-5mbar的熱蒸發沉積所述Ca層。另外，第二導電層包括複合層或多個導電層構成的疊層。例如，所述疊層包括第一Ca層以及第二導電Ag或Al層。可以採用各種沉積技術形成第二導電層，例如熱蒸發、濺射(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。優選地，採用遮光板將第二導電層沉積於所述裝置的活性區585內。柱狀物中斷了所述第二導電層的沉積，從而形成第二電極或陰極。陰極和陽極的相交形成了OLED裝置。
如附圖8所示，去除位於活性區域外的有機層部分。可以通過例如雷射燒蝕進行蝕刻。在一個實施方式中，在形成第二電極之前去除有機材料。也可以在形成第二電極之後使有機層形成圖案。為了確保所述有機材料被完全去除，進行過蝕刻。所述過蝕刻還可以部分地去除作為表面保護層的均質層。然而，雷射燒蝕沒有對金屬內部連接造成損壞，這是因為所述金屬內部連接受到了表面保護層的保護。
如附圖9所示，在基體的蓋結合區域安裝蓋860從而完成了所述OLED裝置。在封裝所述OLED裝置後，通過例如常規的掩蔽和溼法或幹法蝕刻技術，可以部分地除去位於活性區域之外的均質層從而將內部連接暴露於電極。也可以採用其它技術例如雷射燒蝕去除所述均質層。可以在例如0.3J/cm2的能量密度以及波長248nm下進行上述工作。
在優選實施方式中，作為製作OLED裝置的現有工藝的一部分，形成所述均質層。例如，在形成結合片和內部連接之後，所述均質層的一部分可以留在所述基體上從而形成表面保護層。
附圖10-14顯示了根據本發明的一個實施方式製作OLED裝置的過程。參照附圖10，提供一基體301。在一個實施方式中，所述基體包括透明基體，例如鹼石灰或硼矽酸鹽玻璃。也可以採用附圖4中所述的其它類型的透明材料。
所述基體包括形成在基體表面上的第一電極305。第一電極作為例如陽極。通過在基體上沉積導電層並形成圖案從而形成陽極。可以採用各種技術例如光蝕刻使導電層形成圖案。在一個實施方式中，陽極在第一方向上排列成條狀。也可以採用具有其它圖案的陽極。在一個實施方式中，導電材料包括透明導電材料，例如銦錫氧化物(ITO)。也可以採用其它透明導電材料，例如銦鋅氧化物、鋅氧化物、錫氧化物。
基體上還可以包括結合片和其它內部連接。通過沉積導電層並形成圖案形成結合片和內部連接。所述導電層包括例如金屬，例如Al，Ag，Au或Cr。可以採用常規的掩蔽和蝕刻技術使導電層形成圖案。
裝置層372沉積在基體上。在一個實施方式中，所述表面保護層包括光刻膠。可以採用各種類型的光刻膠，例如正性或負性作用膠，也可以採用其它類型的光敏材料或非光敏材料。然後使所述裝置層形成圖案從而在基體的蓋結合區域形成表面保護層475，如附圖11所示。如果採用光敏裝置層，根據採用的是正性光敏材料還是負性光敏材料，選擇性地暴露不同部分以及除去暴露或未暴露的部分，從而使光敏裝置層形成圖案。另一方面，可以採用常規的掩蔽和蝕刻技術使非光敏裝置層形成圖案。
參照附圖12，所述過程進一步完成了OLED裝置的製作。可以採用各種常規技術以完成所述OLED裝置。在一個實施方式中，在基體上形成具有一定形狀的柱狀物584。所述具有一定形狀的柱狀物包括一切口，例如V形輪廓，從而在導電層沉積形成電極過程中有效中斷所述導電層。優選地，所述柱狀物由單層材料構成。在一個實施方式中，所述具有一定形狀的柱狀物由包括負性光刻膠的單層構成。也可以採用其它類型的光敏材料。也可以採用非光敏材料以形成具有一定形狀的柱狀物。另外，所述具有一定形狀的柱狀物由多層構成從而具有t形輪廓。所述多層可以由光敏和/或非光敏材料構成。
所述柱狀物形成之後，將功能性有機層510沉積在基體上。在一個實施方式中，所述功能性有機層包括共軛聚合物。也可以採用其它類型的有機材料。通過例如旋塗沉積所述聚合物。也可以採用其它的沉積技術。可以沉積另外的功能層從而形成功能性有機疊層。可以沉積不同類型的聚合物從而形成具有多種顏色的OLED裝置。
參照附圖13，第二導電層615沉積於基體上。所述導電層包括，例如Ca、Mg、Ba、Ag、Al或它們的混合物或合金。也可以採用其它的導電材料形成第二導電層，特別是包括低功函的材料。此外，所述第二導電層包括離子化合物，例如LiF、MgF或CsF。在一個實施方式中，所述第二導電層包括Ca。通過例如速率為1nm/s、壓力為大約10-5mbar的熱蒸發沉積所述Ca層。另外，第二導電層包括與附圖8所述相同的複合層或多個導電層構成的疊層。可以按照與附圖8所述相同的方式將上述排列的層沉積於基體上。
通過例如雷射燒蝕將蓋結合區域的聚合物層除去或進行蝕刻。在一個實施方式中，在形成第二電極之前去除有機材料。也可以在形成第二電極之後使有機層形成圖案。為了確保所述有機材料被完全去除，進行過蝕刻。所述過蝕刻可以部分地去除表面保護層。然而，雷射燒蝕沒有對金屬內部連接造成損壞，這是因為所述金屬內部連接受到了表面保護層的保護。
如附圖14所示，在基體的蓋結合區域安裝蓋760從而完成所述OLED裝置。所述表面保護層和蓋密封緣構成了蓋和基體之間的界面。可以採用粘合樹脂將蓋粘結於基體上。在一個實施方式中，所述粘合劑在基體和蓋之間顯示了良好的粘結和阻隔性能，從而密封OLED單元。可以採用各種類型的樹脂，例如基於環氧基、矽、尿烷、丙烯酸的樹脂或烯烴類物質。所述樹脂可以是UV或熱塑性樹脂。通過採用保護層，在設計具有所需性能的密封系統方面具有靈活性(例如，粘合劑、蓋材料以及保護層材料)。
在封裝所述OLED裝置後，通過例如溼法蝕刻可以部分地除去位於活性區域之外的聚合物材料從而暴露所述結合片。由於裝置的活性區域是密封的，所述化學物質不會對OLED單元產生不良影響。
在優選實施方式中，作為製作OLED裝置的現有工藝的一部分，形成表面保護層。例如，在形成結合片和內部連接之後，所述抗蝕層的一部分可以留在所述基體上從而形成表面保護層。另外，有利地是，可以將用於形成具有一定形狀的柱狀物的裝置層形成圖案，從而包括表面保護層。
本發明的保護範圍並不限於上述給出的例子。本發明體現於每個新的特性以及每個特性的結合，其中包括權利要求中所述任意特徵的每個結合，即使所述特徵的結合在權利要求中並沒有清楚地描述。
權利要求
1.一種裝置，包括具有活性區域的基體；環繞所述活性區域的蓋結合區域；位於金屬噴鍍層上面的均質層，所述均質層有助於基體上一個或多個有機層的塗覆均勻性，從而減少或防止了金屬的不良影響；以及在蓋結合區域結合於基體上的蓋。
2.如權利要求1所述的裝置，其中所述均質層包括非導電材料。
3.如權利要求1所述的裝置，其中所述均質層包括有助於有機層的均勻性的材料。
4.如權利要求1所述的裝置，其中所述均質層包括光敏材料。
5.如權利要求4所述的裝置，其中所述光敏材料包括光刻膠或聚醯亞胺。
6.如權利要求1所述的裝置，其中所述均質層包括非光敏材料。
7.如權利要求6所述的裝置，其中所述非光敏材料包括聚醯亞胺。
8.如權利要求1所述的裝置，其中所述均質層還可用作表面保護層。
9.如權利要求8所述的裝置，其中所述表面保護層允許從OLED單元中除去聚合物材料，而不損壞裝置層或位於保護層下面的各層。
10.如權利要求9所述的裝置，其中採用粘合劑將蓋結合於基體上。
11.如權利要求10所述的裝置，其中蓋、保護層以及粘合劑形成密封系統。
12.如權利要求11所述的裝置，其中選擇所述密封系統的材料從而提供所需的密封特性。
13.如權利要求10所述的裝置，其中粘合劑包括樹脂。
14.一種電發光裝置，包括具有活性區域的基體，所述活性區域具有至少一個OLED單元；環繞所述活性區域的蓋結合區域；位於蓋結合區域的保護層，所述保護層允許從OLED單元中除去聚合物材料，而不損壞裝置層或位於保護層下的各層；以及在蓋結合區域結合於基體上的蓋。
全文摘要
公開了一種均勻沉積有機層的方法。由於有機層非常薄，對目標厚度的任何偏差都將導致可以看出的光缺陷。在有機層的下面提供對有機材料顯示良好塗覆性能的均質層(275)。通過覆蓋金屬內部連接(205)，減少或防止了對聚合物層均勻性的不良影響。
文檔編號H05B33/04GK1653626SQ03810390
公開日2005年8月10日 申請日期2003年4月30日 優先權日2002年5月7日
發明者S·C·聰, E·K·M·京特爾, D·拉西, H·B·林, H·克勞斯曼, C·K·譚 申請人:奧斯蘭姆奧普託半導體有限責任公司