電子部件用金屬材料及其製造方法、使用了其的連接器端子、連接器和電子部件的製作方法

2023-05-31 16:35:56 2

電子部件用金屬材料及其製造方法、使用了其的連接器端子、連接器和電子部件的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種具有低晶須性、低粘著磨耗性和高耐久性的電子部件用金屬材料、使用了其的連接器端子、連接器以及電子部件。一種電子部件用金屬材料，其具備：基材；在基材上形成的、由選自Ni、Cr、Mn、Fe、Co和Cu組成的組即A構成元素組中的1種或兩種以上構成的下層；在下層上形成的、由選自Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os和Ir組成的組即B構成元素組中的1種或兩種以上與選自Sn和In組成的組即C構成元素組中的1種或兩種構成合金的中層；在中層上形成的、由選自Sn和In組成的組即C構成元素組中的1種或兩種構成的上層，下層的厚度為0.05μm以上且不足5.00μm，中層的厚度為0.02μm以上且不足0.80μm，上層的厚度為0.005μm以上且不足0.30μm。
【專利說明】電子部件用金屬材料及其製造方法、使用了其的連接器端 子、連接器和電子部件

【技術領域】
[0001] 本發明涉及電子部件用金屬材料及其製造方法、使用了其的連接器端子、連接器 和電子部件。

【背景技術】
[0002] 作為民生用和車載用電子儀器用連接部件的連接器使用了在黃銅、磯青銅的表面 實施NiXu的基底鍛敷並在其上實施了Sn或Sn合金鍛敷的材料。對Sn或Sn合金鍛敷一 般要求低接觸電阻和高焊料潤溼性該一特性，進而，近年來還要求降低將鍛敷材料利用壓 制加工進行成形而成的公端子與母端子嵌合時的插入力。另外，製造工序中鍛敷表面有時 產生會引起短路等問題的針狀晶體即晶須，還需要良好地抑制該晶須。
[0003] 相對於此，專利文獻1公開了一種電氣接點材料，其特徵在於，其具備；接點基材； 在前述接點基材的表面上形成的、由Ni或Co或者兩者的合金形成的基底層；在前述基底層 的表面上形成的Ag-Sn合金層，前述Ag-Sn合金層中的Sn的平均濃度不足10質量％，且前 述Ag-Sn合金層中的Sn濃度W從與前述基底層的界面起至前述Ag-Sn合金層的表層部為 止增加的濃度梯度發生變化。並且記載了基於此的耐磨耗性、耐蝕性、加工性優異的電氣接 點材料W及能夠極其廉價地製造電氣接點材料。
[0004] 另外，專利文獻2公開了電氣?電子部件用材料，其特徵在於，在至少表面包含化 或化合金的基體的前述表面藉助包含Ni或Ni合金層的中間層而形成有均含有AgjSn(e 相)化合物且厚度為0. 5?20ym的包含Sn層或Sn合金層的表面層。並且，基於此而記載了： 其目的在於，提供一種電氣?電子部件用材料及其製造方法、W及使用了該材料的電氣?電 子部件，其表面層的烙點低於Sn,焊接性優異，另外也不會產生晶須，焊接後形成的接合部 的接合強度高，同時其接合強度也難W在高溫下產生經時降低，因此適合作為引線材料，另 夕F，即使在高溫環境下使用時，接觸電阻的上升也受到抑制，不會招致其與對象材料之間的 連接可靠性的降低，因此還適合作為觸頭材料。
[0005] 另外，專利文獻3中公開了一種覆蓋材料，其特徵在於，其具備：具有導電性的基 材和在前述基材上形成的覆蓋層，在該覆蓋材料中，前述覆蓋層在至少表面側包含Sn與貴 金屬的金屬間化合物。並且，基於此而記載了；其目的在於，提供一種覆蓋材料及其製造方 法，其接觸電阻低、具有低摩擦係數、有效降低插入力，且耐氧化性優異、具有長期穩定的特 性。
[0006] 現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1 ;日本特開平4-370613號公報 專利文獻2 ;日本特開平11-350189號公報 專利文獻3 ;日本特開2005-126763號公報。


【發明內容】

[0007] 發明要解決的問題 然而，在專利文獻1記載的技術與近年來尋求的插入力的降低化、是否產生晶須之間 的關係尚未明確。另外，Ag-Sn合金層中的Sn的平均濃度不足10質量％，Ag-Sn合金層中 的Ag的比例非常大，因此根據本發明人等的評價，相對於氯氣、亞硫酸氣體、硫化氨等氣體 的耐氣體腐蝕性不充分。
[0008]另外，專利文獻2記載的技術是含有AgjSn(e相)化合物的厚度為0. 5^20ym且 包含Sn層或Sn合金層的表面層，根據本發明人等的評價，該表面層厚度中存在無法充分地 降低插入力的區域。進而，還記載了包含Sn層或Sn合金層的表面層中的AgjSn(e相)的 含量WAg換算為0. 5?5質量％，包含Sn層或Sn合金層的表面層中的Sn的比例大，包含Sn 層或Sn合金層的表面層的厚度也厚，因此，根據本發明人等的評價，產生晶須、耐微動磨耗 性不充分。耐熱性、焊料潤溼性也不充分。
[0009] 另外，專利文獻3記載的技術中，覆蓋層包含Sn與貴金屬的金屬間化合物，但Sn 與貴金屬的金屬間化合物（A的Sn)的厚度優選為1ymW上且3ymW下。根據本發明人等 的評價，該厚度無法充分地降低插入力。
[0010] 像該樣，W往的具有Sn-Ag合金/Ni基底鍛敷結構的電子部件用金屬材料仍然殘 留有無法充分地降低插入力、另外產生晶須該一問題。另外，難W製成耐久性(耐熱性、焊料 潤溼性、耐微動磨損性和耐氣體腐蝕性）也充分滿足的規格，是尚不明確的。
[0011] 本發明是為了解決上述課題而進行的，其課題在於，提供具有低晶須性、低粘著磨 損性和高耐久性的電子部件用金屬材料、使用了其的連接器端子、連接器和電子部件。需要 說明的是，粘著磨損是指構成固體間的真實接觸面積的粘著部分由於摩擦運動導致的剪切 從而產生的磨耗現象。該粘著磨損變大時，將公端子與母端子嵌合時的插入力變高。
[0012] 用於解決問題的手段 本發明人等進行了深入研究，結果發現；通過在基材上設置下層和中層和上層，下層和 中層和上層使用規定的金屬，且製成規定的厚度和組成，從而能夠製造具有低晶須性、低粘 著磨耗性和高耐久性的電子部件用金屬材料。
[0013] 基於W上見解而完成的本發明的一個側面是一種具有低晶須性、低粘著磨耗性和 高耐久性的電子部件用金屬材料，其具備：基材；在前述基材上形成的、由選自Ni、化、Mn、 Fe、Co和化組成的組即A構成元素組中的1種或兩種W上構成的下層；在前述下層上形成 的、由選自Ag、Au、Pt、Pd、Ru、化、化和Ir組成的組即B構成元素組中的l種或兩種W上與 選自Sn和In組成的組即C構成元素組中的1種或兩種構成合金的中層；W及，在前述中層 上形成的、由選自Sn和In組成的組即C構成元素組中的1種或兩種構成的上層，前述下層 的厚度為0. 05UmW上且不足5. 00ym，前述中層的厚度為0. 02ymW上且不足0. 80ym， 前述上層的厚度為0. 005ymW上且不足0. 30ym。
[0014] 本發明的電子部件用金屬材料，在一個實施方式中，前述上層的最小厚度（ym)為 前述上層的厚度（Um)的50%W上。
[0015] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述上層與前述中層的界 面輪廓的相鄰的峰與谷的高低差的最大值（ym)為前述上層的厚度（ym)的50%W下。
[0016] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述中層含有l(T50at%的 前述C構成元素組的金屬。
[0017] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述中層存在包含 11. 8?22. 9at〇/〇 的Sn的SnAg合金即？> (zeta)相。
[0018] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述中層存在AgjSn即e (epsilon)才目。
[0019] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述中層存在包含 11.8?22.931%的5]1的5]14肖合金即？>(2613)相、^及4肖35]1即￡(巧3；[10]1)相。
[0020] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述中層僅存在AgjSn即e (epsilon)才目。
[0021] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述中層存在AgjSn即e (巧silon)相和Sn單相即目Sn。
[0022] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述中層存在包含 11. 8?22. 9at% 的Sn的SnAg合金即？> (zeta)相、AggSn即e(epsilon)相、W及Sn單相 即目Sn。
[0023] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述上層的厚度不足 0. 20Um〇
[0024] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述中層的厚度不足 0. 50Um〇
[0025] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述上層與前述中層的厚 度比為上層：中層=1:9?6:4。
[0026] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，從前述上層起，至去除自前 述上層的最表面起0. 03Um的範圍的前述中層為止，分別含有2at%W下的C、S、0。
[0027] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，利用超微小硬度試驗，對前 述上層的表面WIOmN的載荷擊出打痕並測定而得到的硬度、即前述上層的表面的壓痕硬 度為IOOOMPaW上。
[0028] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，利用超微小硬度試驗，對前 述上層的表面WIOmN的載荷擊出打痕並測定而得到的硬度、即前述上層的表面的壓痕硬 度為IOOOOMPaW下。
[0029] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述上層的表面的算術平 均高度（Ra)為0.SumW下。
[0030] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述上層的表面的最大高 度（Rz)為SymW下。
[0031] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述上層、前述中層W及前 述下層分別如下形成：在前述基材上對選自前述A構成元素組中的1種或兩種W上進行成 膜，其後，對選自前述B構成元素組中的1種或兩種進行成膜，其後，對選自前述C構成元素 組中的1種或兩種W上進行成膜，前述B構成元素組和前述C構成元素組的各元素進行擴 散，從而分別形成。
[0032] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述擴散是通過熱處理而 進行的。
[0033] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述熱處理是W前述C構 成元素組的金屬的烙點W上進行的，形成有選自前述B構成元素組中的1種或兩種W上與 選自前述C構成元素組中的1種或兩種的合金層。
[0034] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述A構成元素組的金屬 WNi、化、Mn、Fe、Co、化的合計計為50mass%W上，進一步包含選自B、P、Sn和化組成的 組中的1種或兩種W上。
[0035] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述B構成元素組的金屬 WAg、Au、Pt、Pd、Ru、化、OsW及Ir的合計計為50mass%W上，剩餘的合金成分包含選自 Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl和化組成的組中的 1 種或兩種W上 的金屬。
[0036] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述C構成元素組的金屬 WSn與In的合計計為50mass%W上，剩餘的合金成分包含選自Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、 化^6、111、1〇、化、？13、513、1和化組成的組中的1種或兩種^上金屬。
[0037] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述下層的剖面的維氏硬 度為Hv300W上。
[0038] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，利用超微小硬度試驗，對前 述下層的剖面WIOmN的載荷擊出打痕並測定而得到的硬度、即前述下層的剖面的壓痕硬 度為ISOOMPaW上。
[0039] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述下層的剖面的維氏硬 度為HvlOOOW下。
[0040] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，利用超微小硬度試驗，對前 述下層的剖面WIOmN的載荷擊出打痕並測定而得到的硬度、即前述下層的剖面的壓痕硬 度為IOOOOMPaW下。
[0041] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述上層的表面附著有P， 前述P的附著量為IXl(Tii^4Xl(T8mol/cm2。
[0042] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，前述上層的表面還附著有 N，前述N的附著量為2X10-12?8Xl〇-9mol/cm2。
[0043] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，利用來分析前述上層 時，將所檢測出的源自P的2S軌道電子的光電子檢測強度記作I(P2s)、將源自N的IS軌 道電子的光電子檢測強度記作I(Nls)時，滿足0.1《1 (P2s)^ (Nls)《1。
[0044] 本發明的電子部件用金屬材料，在另一個實施方式中，利用來分析前述上層 時，將所檢測出的源自P的2S軌道電子的光電子檢測強度記作I(P2s)、將源自N的IS軌 道電子的光電子檢測強度記作I(Nls)時，滿足KI(P2s)^ (Nls)《50。
[0045] 本發明的另一個側面是本發明的電子部件用金屬材料的製造方法，其中，用含有 下述通式〔1)和〔2)所示的磯酸醋的至少1種W及選自下述通式〔3)和〔4)所示的環狀有 機化合物組中的至少1種的磯酸醋系液體對金屬材料的表面進行表面處理，所述金屬材料 具備；基材；在前述基材上形成的、由選自Ni、化、Mn、Fe、Co和化組成的組即A構成元素 組中的1種或兩種W上構成的下層；在前述下層上形成的、由選自Ag、Au、Pt、Pd、Ru、^、0s 和Ir組成的組即B構成元素組中的1種或兩種W上與選自Sn和In組成的組即C構成元 素組中的I種或兩種構成合金的中層；W及，在前述中層上形成的、由選自Sn和In組成的 組即C構成元素組中的1種或兩種構成的上層。

【權利要求】
1. 具有低晶須性、低粘著磨耗性和高耐久性的電子部件用金屬材料，其具備： 基材； 在所述基材上形成的、由選自Ni、Cr、Mn、Fe、Co和Cu組成的組即A構成元素組中的1 種或兩種以上構成的下層； 在所述下層上形成的、由選自八8^11、？1?(1、1?11、肋、〇8和11'組成的組即8構成元素組 中的1種或兩種以上與選自Sn和In組成的組即C構成元素組中的1種或兩種構成合金的 中層；以及 在所述中層上形成的、由選自Sn和In組成的組即C構成元素組中的1種或兩種構成 的上層； 所述下層的厚度為0. 05 μ m以上且不足5. OO μ m， 所述中層的厚度為0. 02 μ m以上且不足0. 80 μ m， 所述上層的厚度為0. 005 μ m以上且不足0. 30 μ m。
2. 權利要求1所述的電子部件用金屬材料，其中，所述上層的最小厚度（μ m)為所述上 層的厚度（μ m)的50%以上。
3. 權利要求1或2所述的電子部件用金屬材料，其中，所述上層與所述中層的界面輪廓 的相鄰的峰與谷的高低差的最大值（μ m)為所述上層的厚度（μ m)的50%以下。
4. 權利要求1~3中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述中層含有l(T50at% 的所述C構成元素組的金屬。
5. 權利要求1~4中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述中層存在包含 11. 8?22. 9at% 的 Sn 的 SnAg 合金即 ζ (zeta)相。
6. 權利要求1~4中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述中層存在Ag3Sn即ε (epsilon)相。
7. 權利要求1~4中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述中層存在包含 11. 8?22. 9at% 的 Sn 的 SnAg 合金即 ζ (zeta)相、以及 Ag3Sn 即 ε (epsilon)相。
8. 權利要求1~4中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述中層僅存在Ag3Sn即 ε (epsilon)相。
9. 權利要求1~4中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述中層存在Ag3Sn即ε (epsilon)相和 Sn 單相即 i3Sn。
10. 權利要求廣4中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述中層存在包含 11. 8?22. 9at% 的 Sn 的 SnAg 合金即 ζ (zeta)相、Ag3Sn 即 ε (epsilon)相、以及 Sn 單相 即 β Sn。
11. 權利要求1~1〇中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述上層的厚度不足 0. 20 μ m〇
12. 權利要求1~11中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述中層的厚度不足 0. 50 μ m〇
13. 權利要求1~12中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述上層與所述中層 的厚度比為上層：中層=1:9飛:4。
14. 權利要求1~13中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，從所述上層起，至去除 自所述上層的最表面起0. 03 μ m的範圍的所述中層為止，分別含有2at%以下的C、S、0。
15. 權利要求1~14中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，利用超微小硬度試驗， 對所述上層的表面以IOmN的載荷擊出打痕並測定而得到的硬度、即所述上層的表面的壓 痕硬度為IOOOMPa以上。
16. 權利要求1~15中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，利用超微小硬度試驗， 對所述上層的表面以IOmN的載荷擊出打痕並測定而得到的硬度、即所述上層的表面的壓 痕硬度為IOOOOMPa以下。
17. 權利要求1~16中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述上層的表面的算 術平均高度（Ra)為0. 3 μ m以下。
18. 權利要求1~17中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述上層的表面的最 大高度（Rz)為3μπι以下。
19. 權利要求1~18中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述上層、所述中層以 及所述下層分別如下形成： 在所述基材上對選自所述A構成元素組中的1種或兩種以上進行成膜，其後，對選自所 述B構成元素組中的1種或兩種進行成膜，其後，對選自所述C構成元素組中的1種或兩種 以上進行成膜，所述B構成元素組和所述C構成元素組的各元素進行擴散，從而分別形成。
20. 權利要求19所述的電子部件用金屬材料，其中，所述擴散是通過熱處理而進行的。
21. 權利要求20所述的電子部件用金屬材料，其中，所述熱處理是以所述C構成元素組 的金屬的熔點以上進行的，形成有選自所述B構成元素組中的1種或兩種以上與選自所述 C構成元素組中的1種或兩種的合金層。
22. 權利要求廣21中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述A構成元素組的金 屬以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的合計計為50mass%以上，進一步包含選自B、P、Sn和Zn組成 的組中的1種或兩種以上。
23. 權利要求廣22中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述B構成元素組的金 屬以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir的合計計為50mass%以上，剩餘的合金成分包含選自 Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl 和 Zn 組成的組中的 1 種或兩種以上 的金屬。
24. 權利要求廣23中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述C構成元素組的金 屬以Sn與In的合計計為50mass%以上，剩餘的合金成分包含選自Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、 Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W和Zn組成的組中的I種或兩種以上金屬。
25. 權利要求1~24中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述下層的剖面的維 氏硬度為Hv300以上。
26. 權利要求1~25中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，利用超微小硬度試驗， 對所述下層的剖面以IOmN的載荷擊出打痕並測定而得到的硬度、即所述下層的剖面的壓 痕硬度為1500MPa以上。
27. 權利要求1~26中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述下層的剖面的維 氏硬度為HvlOOO以下。
28. 權利要求1~27中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，利用超微小硬度試驗， 對所述下層的剖面以IOmN的載荷擊出打痕並測定而得到的硬度、即所述下層的剖面的壓 痕硬度為IOOOOMPa以下。
29. 權利要求1~28中任一項所述的電子部件用金屬材料，其中，所述上層的表面附著 有P，所述P的附著量為lXKTn?4Xl(r 8m〇l/cm2。
30. 權利要求29所述的電子部件用金屬材料，其中，所述上層的表面還附著有N，所述 N 的附著量為 2X 10_12?8X 10_9mol/cm2。
31. 權利要求30所述的電子部件用金屬材料，其中，利用XPS來分析所述上層時，將所 檢測出的源自P的2S軌道電子的光電子檢測強度記作I(P2s)、將源自N的IS軌道電子的 光電子檢測強度記作I (Nls)時，滿足0.1 < I (P2s)/I (Nls)S 1。
32. 權利要求30所述的電子部件用金屬材料，其中，利用XPS來分析所述上層時，將所 檢測出的源自P的2S軌道電子的光電子檢測強度記作I(P2s)、將源自N的IS軌道電子的 光電子檢測強度記作I (Nls)時，滿足1〈I (P2s)/I (Nls)<50。
33. 權利要求29~32中任一項所述的電子部件用金屬材料的製造方法，其中，用含有下 述通式〔1〕和〔2〕所示的磷酸酯的至少1種以及選自下述通式〔3〕和〔4〕所示的環狀有機 化合物組中的至少1種的磷酸酯系液體對金屬材料的表面進行表面處理， 所述金屬材料具備： 基材； 在所述基材上形成的、由選自Ni、Cr、Mn、Fe、Co和Cu組成的組即A構成元素組中的1 種或兩種以上構成的下層； 在所述下層上形成的、由選自八8^11、？1?(1、1?11、肋、〇8和11'組成的組即8構成元素組 中的1種或兩種以上與選自Sn和In組成的組即C構成元素組中的1種或兩種構成合金的 中層；以及 在所述中層上形成的、由選自Sn和In組成的組即C構成元素組中的1種或兩種構成 的上層，
式〔1〕、〔 2〕中，R1和R2分別表不取代燒基，M表不氫或鹼金屬， [化3]

式〔3〕、〔4〕中，R1表示氫、烷基或取代烷基，R2表示鹼金屬、氫、烷基或取代烷基，R 3表 示鹼金屬或氫，R4表示-SH、被烷基或芳基取代的氨基、或者烷基取代咪唑基烷基，R5和R 6表 示-NH2、-SH或-SM, M表示鹼金屬。
34. 權利要求33所述的電子部件用金屬材料的製造方法，其中，通過在所述上層的表 面塗布磷酸酯系液體來進行所述基於磷酸酯系液體的表面處理。
35. 權利要求33所述的電子部件用金屬材料的製造方法，其中，通過將形成所述上層 後的金屬材料浸漬在磷酸酯系液體中，並將形成所述上層後的金屬材料作為陽極進行電解 來進行所述基於磷酸酯系液體的表面處理。
36. 連接器端子，其將權利要求1~32中任一項所述的電子部件用金屬材料用於接點部 分。
37. 連接器，其使用了權利要求36所述的連接器端子。 38. FFC端子，其將權利要求1~32中任一項所述的電子部件用金屬材料用於接點部分。 39. FPC端子，其將權利要求1~32中任一項所述的電子部件用金屬材料用於接點部分。 40. FFC，其使用了權利要求38所述的FFC端子。 41. FPC，其使用了權利要求39所述的FPC端子。
42. 電子部件，其將權利要求1~32中任一項所述的電子部件用金屬材料用於外部連接 用電極。
43. 電子部件，其將權利要求1~32中任一項所述的電子部件用金屬材料用於壓入型端 子，所述壓入型端子分別在安裝於外殼的裝配部的一側設置有母端子連接部、在另一側設 置有基板連接部，將所述基板連接部壓入形成於基板的通孔並安裝於所述基板。
【文檔編號】H01B5/02GK104379811SQ201380034000
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年6月27日 優先權日:2012年6月27日
【發明者】涉谷義孝, 深町一彥, 兒玉篤志 申請人:Jx日礦日石金屬株式會社