塗敷·顯影裝置和塗敷·顯影方法
2023-05-31 17:53:01 1
專利名稱：塗敷·顯影裝置和塗敷·顯影方法
技術領域：
本發明涉及對例如半導體晶片或液晶顯示器用玻璃基板(LCD基板)等基板進行抗蝕劑液等的塗敷處理和曝光後的顯影處理的塗敷·顯影裝置和塗敷·顯影方法。
背景技術：
在半導體設備和LCD基板的製造工藝中，利用稱為光刻法的技術對基板進行抗蝕劑圖形的形成。在該技術中，在基板，例如半導體晶片的表面上塗敷抗蝕劑液而形成液膜，乾燥成為抗蝕劑膜後，使用光掩模以所希望的圖形將該抗蝕劑膜曝光，其後，通過進行顯影處理，獲得與曝光圖形對應的抗蝕劑圖形。
這樣的處理，一般在進行抗蝕劑液等的塗敷和顯影的塗敷·顯影裝置上，使用連接有曝光裝置的抗蝕劑圖形形成裝置進行。作為這樣的裝置，已知的有特開2004-193597號公報中公開的裝置。
該文獻中公開的裝置，如圖1所示，具有承載塊1A、處理塊1B、接口塊1C和曝光裝置1D。在該裝置中，收納有多片晶片W的承載器10被運入承載塊1A的承載臺11，承載器10內的晶片由運送機構12交接至處理塊1B。然後運送至處理塊1B內的塗敷組件13a，塗敷抗蝕劑液，接下來經由接口塊1C運送至曝光裝置1D。曝光處理後的晶片，再次返回至處理塊1B，運入顯影組件13b並被顯影處理，其後，返回至原來的承載器10內。
在圖1中，附圖標記14a～14c，是將用於在塗敷組件13a和顯影組件13b的處理前後對晶片進行規定的加熱處理和冷卻處理的加熱組件、冷卻組件、和交接臺等多層重疊而構成的擱板組件。晶片W藉助設在處理塊1B上的2個運送機構15a、15b，在塗敷組件13a、顯影組件13b和擱板組件14a～14c的各部分等、處理塊1B內放置有晶片W的模塊間運送。再者，在接口塊1C上，設置有在處理塊1B和曝光裝置1D之間進行晶片W的交接的運送機構16a、16b。
再者，在特開2004-193597號公報中，記載了在對晶片W實施上述處理時，根據預先確定了分別在什麼時刻運送至哪個模塊的運送計劃，運送預定處理的全部晶片W。
這時，如下制定上述運送計劃在由設在處理塊1B的2個運送機構15a、15b，將晶片W依次運送至進行曝光處理前的處理的模塊後，交接至接口塊1C，接下來從接口塊1C接取被曝光處理了的晶片，並依次運送至進行曝光處理後的處理的模塊。通過運送機構15a、15b這樣在處理塊1B內巡迴而執行一個運送循環，每進行一個運送循環，便將從承載器10運出的新的晶片W運送到處理塊1B內。
另外，在這樣的抗蝕劑圖形形成裝置中，若設在接口塊1C上的運送機構16a、16b產生故障，或者與交接臺碰撞，又或從曝光裝置1D的晶片運出延遲等某些異常產生，則有時運送機構16a、16b不能在上述運送計劃中設定的時刻從處理塊1B接取晶片W，或不能向處理塊1B交接晶片W。
在上述文獻中所述的抗蝕劑圖形形成裝置中，在發生這樣的事態的情況下，運送機構15a、15b的動作被停止。其理由為，上述運送程序複雜，如果運送機構15a、15b進行沿運送路線後退的動作，則該運送程序變得極其煩雜，不實用。
然而，如果運送機構15a、15b停止，則在各模塊中晶片W不被取出，而是殘留在模塊內。如果晶片W這樣殘存在模塊內則會產生種種問題。例如，在由塗敷組件13a處理過的晶片W保持放置在該組件13a內的狀態的情況下，塗敷的抗蝕劑膜的膜質惡化，即使其後運送機構15a、15b再次開始運送，也不能確保規定質量的抗蝕劑膜。這樣殘存在各模塊內的晶片W往往不能滿足規定的質量，在該情況下，不能作為產品而出廠從而合格率下降。
另外，近年來，曝光裝置的生產能力提高，在塗敷·顯影裝置中也追求與曝光裝置的生產能力一致的處理能力。因此，正在研究以下方案通過將收納曝光處理前的模塊的區域、和收納曝光處理後的模塊的區域上下配置，並在各自的區域分別設置運送機構，降低運送機構的負荷，提高運送效率，由此提高塗敷、顯影裝置的生產能力。在例如日本專利第3337677號公報中公開了這樣將進行塗敷處理的區域、和進行顯影處理的區域上下配置，並在各區域分別設置運送機構的構成。
然而即使在這樣的構成中，由於在塗敷·顯影裝置和曝光裝置之間還是藉助設在接口塊內的運送機構進行晶片W的交接，在各區域內由設在其中的運送機構遵照運送計劃進行晶片W的運送，所以在設在接口塊內的運送機構產生異常的情況下，有可能產生與上述同樣問題。但是，關於消除這樣的問題的方法，在該文獻中沒有任何記載。
發明內容
本發明的目的在於提供一種塗敷·顯影裝置和塗敷·顯影方法，其在與曝光裝置之間運送基板的運送機構產生異常的情況下，對處理塊內的基板可以進行通常的處理，並可以抑制基板的合格率下降。
再者，另一目的在於提供一種用於執行這樣的塗敷·顯影裝置中的處理且計算機可以讀取的存儲介質和電腦程式。
根據本發明的第1觀點，提供一種塗敷·顯影裝置，具備承載塊，用於運入運出可以搭載多個基板的承載器；處理塊，將運入上述承載塊的承載器內的基板運入，並對基板進行包含抗蝕劑膜的塗敷膜的形成、和對其塗敷膜實施的曝光後的顯影、以及這些處理附帶的熱處理；和接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的塗敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，用於在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板的交接，在從上述承載器運入上述處理塊的基板上形成包含抗蝕劑膜的塗敷膜後，將上述基板經由上述接口塊運送至上述曝光裝置，並使曝光後的基板經由上述接口塊返回上述處理塊，在該處進行顯影處理後，交接至上述承載塊，上述處理塊包括一個或相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊、和相對於上述塗敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，上述塗敷膜形成用的單位塊具備用於將藥液塗敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；冷卻基板的冷卻組件；在這些組件之間運送基板的第1運送機構；和退避用的第1基板收納部，設在上述塗敷膜形成用的單位塊上，且可以收納片數對應於該單位塊中的基板的收納片數的基板，
還具備第2運送機構，夾設在上述處理塊和上述曝光裝置之間，且在它們之間運送基板；和輸出控制指令的控制裝置，該指令用於在上述第2運送機構發生異常時，控制該單位塊內的上述第1運送機構，使得在對存在於上述塗敷膜形成用的單位塊內的基板，在該單位塊內進行了通常的處理後，使基板退避至上述第1基板收納部，並且禁止基板向上述塗敷膜形成用的單位塊內的運入。
在上述塗敷·顯影裝置中，可以採用下述構成，即、具備退避用的第2基板收納部，設置在上述顯影處理用的單位塊上，並可以收納片數對應於該單位塊中基板的收納片數的基板；和第3運送機構，用於從上述顯影處理用的單位塊運出顯影處理後的基板，上述控制裝置輸出控制指令，該控制指令用於控制該單位塊內的第1運送機構，使得在該第3運送機構發生異常時，對存在於顯影處理用的單位塊內的基板在該單位塊內進行了通常的處理後，使基板退避至上述第2基板收納部，並且禁止基板向上述顯影處理用的單位塊內的運入。
在上述塗敷·顯影裝置中，上述相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊可以具有用於把抗蝕劑液塗敷在基板上的單位塊、和用於在塗敷抗蝕劑液之前把反射防止膜用藥液塗敷在基板上的單位塊。再者，上述相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊也可以具有用於把抗蝕劑液塗敷在基板上的單位塊、用於在塗敷抗蝕劑液之前把反射防止膜用藥液塗敷在基板上的單位塊、和用於在塗敷抗蝕劑液後把反射防止膜用藥液塗敷在基板上的單位塊。進而，上述相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊可以具有用於把抗蝕劑液塗敷在基板上的單位塊、用於在塗敷抗蝕劑液之前把反射防止膜用藥液塗敷在基板上的單位塊、和用於在塗敷抗蝕劑液後把反射防止膜用藥液塗敷在基板上的單位塊。
在上述塗敷·顯影裝置中，可以採用下述構成，即、上述塗敷膜形成用的單位塊具有載置基板並且確定了運送序號的多個模塊，上述第1運送機構具有2個運送臂，由一個運送臂把基板從上述多個模塊中的一個模塊取出，由另一個運送臂接取存在於下一個模塊中的其他基板，將上述一個運送臂上的先前的基板交接至該下一個模塊中，通過重複這些動作而把放置在各模塊中的基板移至序號靠後一個的模塊中，來執行一個運送循環，在執行了該一個運送循環後，移至下一個運送循環，通過依次執行各運送循環，按照上述序號將基板依次運送至上述模塊組的上述多個模塊中，並在基板上進行規定的塗敷膜形成處理，上述控制裝置具備存儲部，存儲將使對基板分配的序號和塗敷膜形成用的單位塊內的模塊對應來指定運送循環的運送循環數據按時間序列排列而制定的、該單位塊內的運送計劃；改寫部，在上述第2運送機構發生異常時，將上述運送計劃的最後的模塊改寫為第1基板收納部；和運送控制部，根據上述運送計劃或改寫的運送計劃，控制由上述塗敷膜形成用的單位塊內的第1運送機構進行的基板的運送。
在上述塗敷·顯影裝置中，可以採用下述構成，即、在上述塗敷膜形成用的單位塊中具有載置基板並且確定了運送序號的多個模塊，上述第1運送機構具有2個運送臂，由一個運送臂把基板從上述多個模塊中的一個模塊取出，由另一個運送臂接取存在於下一個模塊中的其他基板，將上述一個運送臂上的先前的基板交接至該下一個模塊中，通過重複這些動作而把放置在各模塊中的基板移至序號靠後一個的模塊中，來執行一個運送循環，在執行了該一個運送循環後，移至下一個運送循環，通過依次執行各運送循環，按照上述序號將基板依次運送至上述模塊組的上述多個模塊中，並在基板上進行規定的塗敷膜形成處理，上述控制裝置具備存儲部，存儲將使對基板分配的序號和塗敷膜形成用的單位塊內的模塊對應來指定運送循環的運送循環數據按時間序列排列而制定的、該單位塊內的運送計劃；改寫部，在上述第3運送機構發生異常時，將上述運送計劃的最後的模塊改寫為第2基板收納部；和運送控制部，根據上述運送計劃或改寫的運送計劃，控制由上述塗敷膜形成用的單位塊內的第1運送機構進行的基板的運送。
根據本發明的第2觀點，提供一種塗敷·顯影方法，使用塗敷·顯影裝置進行塗敷·顯影處理，該塗敷·顯影裝置具備承載塊，用於運入運出可以搭載多個基板的承載器；處理塊，將運入上述承載塊的承載器內的基板運入，並對基板進行包含抗蝕劑膜的塗敷膜的形成、和對其塗敷膜實施的曝光後的顯影、以及這些處理附帶的熱處理；和接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的塗敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，用於在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板的交接，上述處理塊包括一個或相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊、和相對於上述塗敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，上述塗敷膜形成用的單位塊具備用於將藥液塗敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；冷卻基板的冷卻組件；在這些組件之間運送基板的第1運送機構；和退避用的第1基板收納部，設在上述塗敷膜形成用的單位塊上，且可以收納片數對應於該單位塊中的基板的收納片數的基板，還具備第2運送機構，夾設在上述處理塊和上述曝光裝置之間，且在它們之間運送基板，該方法包括從上述承載器向上述處理塊運入基板；藉助上述塗敷膜形成用的單位塊，在上述基板上形成包含抗蝕劑膜的塗敷膜；經由上述接口塊將上述基板運送至上述曝光裝置；經由上述接口塊使曝光後的基板返回至上述處理塊；在上述顯影處理用的單位塊中進行顯影處理；將顯影處理後的基板交接至上述承載塊，在上述第2運送機構發生異常時，對存在於塗敷膜形成用的單位塊內的基板，在該塗敷膜形成用的單位塊內進行通常的處理，使各基板退避至設在該單位塊內的上述退避用的第1基板收納部，並且禁止基板向該塗敷膜形成用的單位塊內的運入。
在上述塗敷·顯影方法中，可以如下設計，即、上述塗敷·顯影裝置還具備退避用的第2基板收納部，設置在上述顯影處理用的單位塊上，並可以收納片數對應於該單位塊中基板的收納片數的基板；和第3運送機構，用於從上述顯影處理用的單位塊運出顯影處理後的基板，在上述第3運送機構發生異常時，對存在於上述顯影處理用的單位塊內的基板在該顯影處理用的單位塊內進行了通常的處理後，使各基板退避至設置在該顯影處理用的單位塊內的上述第2退避用的基板收納部，並且禁止基板向該顯影處理用的單位塊內的運入。
根據本發明的第3觀點，提供一種存儲介質，包含使計算機控制下述塗敷·顯影裝置的軟體，可由計算機讀取，該塗敷·顯影裝置具備承載塊，用於運入運出可以搭載多個基板的承載器；處理塊，將運入上述承載塊的承載器內的基板運入，並對基板進行包含抗蝕劑膜的塗敷膜的形成、和對其塗敷膜實施的曝光後的顯影、以及這些處理附帶的熱處理；和接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的塗敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，用於在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板的交接，上述處理塊包括一個或相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊、和相對於上述塗敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，上述塗敷膜形成用的單位塊具備用於將藥液塗敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；冷卻基板的冷卻組件；在這些組件之間運送基板的第1運送機構；和退避用的第1基板收納部，設在上述塗敷膜形成用的單位塊上，且可以收納片數對應於該單位塊中的基板的收納片數的基板，還具備第2運送機構，夾設在上述處理塊和上述曝光裝置之間，且在它們之間運送基板，上述軟體使計算機控制上述塗敷·顯影裝置，使得在上述第2運送機構發生異常時，對存在於塗敷膜形成用的單位塊內的基板，在該塗敷膜形成用的單位塊內進行通常的處理，使各基板退避至設在該單位塊內的上述退避用的第1基板收納部，並且禁止基板向該塗敷膜形成用的單位塊內的運入。
在上述存儲介質中，可以設計成，上述塗敷·顯影裝置還具備退避用的第2基板收納部，設置在上述顯影處理用的單位塊上，並可以收納片數對應於該單位塊中基板的收納片數的基板；和第3運送機構，用於從上述顯影處理用的單位塊運出顯影處理後的基板，上述軟體使計算機控制上述塗敷·顯影裝置，使得在上述第3運送機構發生異常時，對存在於上述顯影處理用的單位塊內的基板，在該顯影處理用的單位塊內進行了通常的處理後，使各基板退避至設在該顯影處理用的單位塊內的上述第2退避用的基板收納部，並且禁止基板向該顯影處理用的單位塊內的運入。
根據本發明的第4觀點，提供一種電腦程式，包含使計算機控制下述塗敷·顯影裝置的軟體，該塗敷·顯影裝置具備承載塊，用於運入運出可以搭載多個基板的承載器；處理塊，將運入上述承載塊的承載器內的基板運入，並對基板進行包含抗蝕劑膜的塗敷膜的形成、和對其塗敷膜實施的曝光後的顯影、以及這些處理附帶的熱處理；和接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的塗敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，用於在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板的交接，上述處理塊包括一個或相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊、和相對於上述塗敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，上述各單位塊具備用於將藥液塗敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；冷卻基板的冷卻組件；在這些組件之間運送基板的第1運送機構；和退避用的第1基板收納部，設在上述塗敷膜形成用的單位塊上，且可以收納片數對應於該單位塊中的基板的收納片數的基板，還具備第2運送機構，夾設在上述處理塊和上述曝光裝置之間，且在它們之間運送基板，上述軟體使計算機控制上述塗敷·顯影裝置，使得在上述第2運送機構發生異常時，對存在於塗敷膜形成用的單位塊內的基板，在該塗敷膜形成用的單位塊內進行通常的處理，使各基板退避至設在該單位塊內的上述退避用的第1基板收納部，並且禁止基板向該塗敷膜形成用的單位塊內的運入。
在上述電腦程式中，可以設計成，上述塗敷·顯影裝置還具備退避用的第2基板收納部，設置在上述顯影處理用的單位塊上，並可以收納片數對應於該單位塊中基板的收納片數的基板；和第3運送機構，用於從上述顯影處理用的單位塊運出顯影處理後的基板，
上述軟體使計算機控制上述塗敷·顯影裝置，使得在上述第3運送機構發生異常時，對存在於上述顯影處理用的單位塊內的基板，在該顯影處理用的單位塊內進行了通常的處理後，使各基板退避至設在該顯影處理用的單位塊內的上述第2退避用的基板收納部，並且禁止基板向該顯影處理用的單位塊內的運入。在這樣的塗敷·顯影裝置中，可以構成為，使計算機控制上述塗敷·顯影裝置，使得在上述運送機構B發生異常時，對存在於塗敷膜形成用的單位塊內的基板，在該單位塊內進行了通常的處理後，使各基板退避至設在該單位塊內的退避用的上述第1基板收納部，並且禁止基板向塗敷膜形成用的單位塊內的運入。
根據本發明，控制塗敷膜形成用的單位塊內的第1運送機構，使得在夾設在處理塊和曝光裝置之間的第2運送機構發生異常的情況下，對該單位塊內的基板，在該單位塊內進行了通常的處理後，使基板退避至設在該單位塊內的第1基板收納部，並且禁止基板向塗敷膜形成用的單位塊內的運入。因此，在塗敷膜形成用的單位塊中，即使在上述第2運送機構發生異常的情況下，對該單位塊內的基板，也能將預定處理進行到最後。因此，不會將基板保持於放置在該單位塊內的液體處理組件或加熱組件等的各組件內的狀態下，可以防止不能在設定的時刻進行以後的處理，結果塗敷膜的膜質惡化的問題。由此，可以抑制浪費的基板的產生，從而抑制基板的合格率的下降。
圖1是表示現有技術的塗敷·顯影裝置的俯視圖。
圖2是表示本發明的一個實施方式的塗敷·顯影裝置的俯視圖。
圖3是表示圖2的塗敷·顯影裝置的立體圖。
圖4是表示圖2的塗敷·顯影裝置的概略垂直剖視圖。
圖5是表示圖2的塗敷·顯影裝置中的第4單位塊的立體圖。
圖6是表示圖2的塗敷·顯影裝置中，設在單位塊中的加熱冷卻區段的主視圖。
圖7是表示圖2的塗敷·顯影裝置中接口塊的概略垂直剖視圖。
圖8是表示從接口塊側觀看圖2的塗敷·顯影裝置的概略圖。
圖9是表示圖2的塗敷·顯影裝置中的接口運送機構的一個例子的立體圖。
圖10A是表示搭載在圖2的塗敷·顯影裝置上的塗敷組件的俯視圖。
圖10B是其縱剖視圖。
圖11是表示搭載在圖2的塗敷·顯影裝置上的收納組件的立體圖。
圖12是表示圖2的塗敷·顯影裝置中的控制裝置的一個例子的構成圖。
圖13是表示運送計劃的一個例子的說明圖。
圖14是表示進行了模塊改寫的運送計劃的一個例子的說明圖。
圖15是表示圖2的塗敷·顯影裝置的COT層中的處理流程的流程圖。
圖16是表示圖2的塗敷·顯影裝置的DEV層中的處理流程的流程圖。
具體實施例方式
以下，參照
本發明的實施方式。
圖2表示具備本發明的一個實施方式的塗敷·顯影裝置的抗蝕劑圖形形成裝置的俯視圖，圖3是該裝置的概略立體圖，圖4是該裝置的概略側視圖。塗敷·顯影裝置具備用於運入運出密閉收納有例如13片作為基板的晶片W的承載器20的承載塊S1；與承載塊S1鄰接設置的、具備5個單位塊B1～B5的處理塊S2；和在處理塊S2的與承載塊S1相反的一側鄰接設置的接口塊S3。另外，以曝光裝置S4連接在接口塊S3上的狀態構成抗蝕劑圖形形成裝置。由計算機構成的控制裝置6控制該抗蝕劑圖形形成裝置的動作。
承載塊S1具有可以載置多個承載器20的載置臺21；設置在從該載置臺21看時位於前方的壁面上的開閉部22；和用於經由開閉部22將晶片W從承載器20取出的承載塊運送機構C。該承載塊運送機構C構成為，進退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉自如、在承載器20的排列方向上移動自如。
上述處理塊S2，連接在承載塊S1上，且周圍被筐體24包圍。處理塊S2為多層結構，下層側的2層為用於進行顯影處理的第1和第2單位塊(DEV層)B1、B2，在其上依次形成用於進行形成在抗蝕劑膜的上層側的反射防止膜(以下稱為第2反射防止膜)的形成處理的第3單位塊(TCT層)B3；用於進行抗蝕劑液的塗敷處理的第4單位塊(COT層)B4；和用於進行形成在抗蝕劑膜的下層側的反射防止膜(以下稱為第1反射防止膜)的形成處理的第5單位塊(BCT層)B5。在此，DEV層B1、B2相當於顯影處理用的單位塊，TCT層B3、COT層B4和BCT層B5相當於塗敷膜形成用的單位塊。
再者，處理塊S2在其承載塊S1側部分，具有貫通單位塊B1～B5地層疊多個交接臺而構成的擱板組件U5，再者，在接口塊S3側部分具有貫通單位塊B1～B5地層疊多個交接臺而構成的擱板組件U6。
接下來，關於第1～第5單位塊B1～B5的構成進行說明。
這各個單位塊B1～B5具備用於對晶片W塗敷藥液的液體處理組件；和用於進行由液體處理組件進行的處理的前處理和後處理的各種加熱·冷卻系統的多個處理組件。另外，第1～第5單位塊B1～B5分別具備用於在上述液體處理組件和加熱·冷卻系統的處理組件之間進行晶片W的交接的專用主運送臂A1～A5。
這些單位塊B1～B5，由於由大致同樣的布局構成，所以以圖2所示的第4單位塊(COT層)B4為例進行說明。
在該COT層B4的大致中央，從承載塊S1側至接口塊S3側沿圖中Y方向形成有晶片W的運送區域R1。在從該運送區域R1的承載塊S1側觀看時的右側，設置有具備用於進行抗蝕劑的塗敷處理的多個塗敷部的塗敷組件34作為上述液體處理組件，在左側設置有加熱冷卻區段54。加熱冷卻區段54，具有從承載塊S1側起按序號設置的將加熱冷卻系統的組件多層化了的4個擱板組件U1、U2、U3、U4。
在上述塗敷組件34的接口塊S3側，設置有構成退避用的第1基板收納部的收納組件4。收納組件4具備用於收納片數對應於第4單位塊(COT層)B4中的晶片W收納片數的晶片W的多個載置臺。
上述加熱冷卻區段54的擱板組件U1、U2、U3、U4為下述結構，即、將用於進行由塗敷組件34進行的處理的前處理或後處理的各種組件層疊為多層，例如2層。
如上所述，由加熱冷卻區段54和塗敷組件34限定上述運送區域R1，通過向這樣限定的運送區域R1排出清潔空氣而進行排氣，來抑制該運送區域R1內的微粒的浮遊。
構成上述加熱冷卻區段54的用於進行前處理和後處理的多個處理組件，如圖5所示，包括用於在抗蝕劑液塗敷前將晶片W調節至規定溫度的冷卻組件(COL4)；用於在抗蝕劑液塗敷後進行晶片W的加熱處理的稱為預烘焙組件等的加熱組件(CHP4)；和用於選擇性地只使晶片W的緣部曝光的周緣曝光裝置(WEE)。這些冷卻組件(COL4)和加熱組件(CHP4)等處理組件，分別收納在處理容器501內，擱板組件U1～U4通過將處理容器501層疊2層而構成，在各處理容器501的朝向運送區域R1的表面上形成有晶片運入運出口502。
在上述運送區域R1中設置有上述主運送機構A4。該主運送機構A4是在該第4單位塊(COT層)B4內的全部模塊(放置晶片W的場所)，例如擱板組件U1～U4的多個處理組件、塗敷組件34的多個塗敷部、收納組件4的各載置臺、擱板組件U5和擱板組件U6的各交接臺之間進行晶片的交接的構成，因此構成為，進退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉自如、在Y軸方向上移動自如。
運送區域R1的與承載塊S1鄰接的區域，成為第1晶片交接區域R2。如圖2和圖4所示，在該區域R2的承載塊運送機構C和主運送機構A4可以訪問的位置上設置上述擱板組件U5。再者，用於相對於擱板組件U5進行晶片W的交接的第1副運送機構D1可以通過區域R2。第1副運送機構D1可以沿擱板組件U5，貫通第1～第5單位塊B1～B5上下移動。
運送區域R1的與接口塊S3鄰接的區域，成為第2晶片交接區域R3。如圖2和圖4所示，在該區域R3的主運送機構A4可以訪問的位置上設置上述擱板組件U6。再者，用於相對於擱板組件U6進行晶片W的交接的第2副運送機構D2可以通過區域R3。第2副運送機構D2可以沿擱板組件U6，貫通第1～第5單位塊B1～B5上下移動。
以上為第4單位塊B4的構成。雖然如上所述，其他單位塊B1、B2、B3、和B5的基本構成和上面說明的第4單位塊B4大致同樣，但是如圖6和圖8所示，在以下點上和第4單位塊B4不同。在此，圖6為從運送區域R1側觀看處理塊S2中的單位塊B1～B5的加熱冷卻區段的圖，圖8是從接口塊S3側觀看處理塊S2的圖。
即，在單位塊B1、B2、B3、和B5中的與第4單位塊B4的塗敷組件34對應的部分上，分別設置有顯影組件31、顯影組件32、第2反射防止膜形成組件33、和第1反射防止膜形成組件35作為液體處理組件，在與加熱冷卻區段54對應的部分上，設置有具備對應於各自的處理的處理組件的加熱冷卻區段51、52、53、和55。這些加熱冷卻區段51、52、53和55都與加熱冷卻區段54一樣，具有規定組件層疊2層而成的擱板組件U1～U4。關於這些單位塊B1、B2、B3和B5各自的結構在後邊描述。
上述擱板組件U5，如圖4所示，在與各單位塊B1～B5對應的位置上分別具有2個第1交接臺TRS1～TRS5。這些第1交接臺TRS1～TRS5分別與單位塊B1～B5的主運送機構A1～A5之間進行晶片W的交接。再者上述第1副運送機構D1構成為進退自如和升降自如，以便可以向第1交接臺TRS1～TRS5進行晶片W的交接。此外，雖然在該例中，第1交接臺TRS1～TRS5分別設置了2個，但是也可以分別為1個或3個以上。
上述第1和第2單位塊B1和B2的第1交接臺TRS1和TRS2構成為，與承載塊S1的承載塊運送機構C之間進行晶片W的交接。再者，擱板組件U5在與第2單位塊B2的對應部分上，還具備2個交接臺TRS～F，該交接臺TRS～F，作為用於藉助承載塊運送機構C將晶片W運入處理塊S2中的專用交接臺使用。該交接臺TRS～F也可以設置在第1單位塊B1上，也可以不另外設置該交接臺TRS～F，在將晶片W從承載塊運送機構C運入處理塊S2中時，使用交接臺TRS1和TRS2進行。此外，在該例中，承載塊運送機構C相當於用於從顯影處理用的第1和第2單位塊B1和B2運出顯影處理後的晶片的運送機構。
上述擱板組件U6，如圖4和圖7所示，在與各單位塊B1～B5對應的位置上分別具有2個第2交接臺TRS6～TRS10。這些第2交接臺TRS6～TRS10分別與單位塊B1～B5的主運送機構A1～A5之間進行晶片W的交接。再者上述第2副運送機構D2構成為進退自如和升降自如，以便可以相對於第2交接臺TRS6～TRS10進行晶片W的交接。此外，雖然在該例中，分別設置了2個第2交接臺TRS6～TRS10，但是也可以分別為1個或3個以上。
這樣，在本實施方式中，在層疊5層的各單位塊B1～B5之間，可以藉助上述第1副運送機構D1和第2副運送機構D2分別經由第1交接臺TRS1～TRS5和TRS～F、第2交接臺TRS6～TRS10，自由進行晶片W的交接。
接下來，參照上述圖6和圖8說明第4單位塊(COT層)B4以外的單位塊的構成。
第1和第2單位塊(DEV層)B1和B2，作為液體處理組件，分別設置有用於對晶片W進行顯影處理的顯影組件31和32。顯影組件31和32具有相同構成。再者，分別設置有加熱冷卻區段51和52，這些也互相具有相同的構成。各加熱冷卻區段51、52具備對曝光後的晶片W進行加熱處理的稱為後曝光烘焙組件的加熱組件(PEB1、PEB2)；用於在這些加熱組件(PEB1、PEB2)中的處理後將晶片W調節至規定溫度的冷卻組件(COL1、COL2)；和為了蒸發顯影處理後的晶片W的水分而進行加熱處理的稱為後烘焙組件的加熱組件(POST1、POST2)。
另外，在這些DEV層B1中，由主運送機構A1對第1交接臺TRS1、第2交接臺TRS6、顯影組件31、加熱冷卻區段51中的擱板組件U1～U4的各處理組件、和構成退避用的第2基板收納部的收納組件4進行晶片W的交接。再者，在這些DEV層B2中，由主運送機構A2對第1交接臺TRS2、TRS～F、第2交接臺TRS7、顯影組件32、加熱冷卻區段52中擱板組件U1～U4的各處理組件、和構成退避用的第2基板收納部的收納組件4進行晶片W的交接。
第3單位塊(TCT層)B3，作為液體處理組件，設置有用於對晶片W進行第2反射防止膜形成處理的第2反射防止膜形成組件33。再者，設置有加熱冷卻區段53，該加熱冷卻區段53除了具備用於在反射防止膜形成處理前將晶片W調節至規定溫度的冷卻組件(COL3)；和加熱處理反射防止膜形成處理後的晶片W的加熱組件(CHP3)以外，具有與第4單位塊(COT層)B4的加熱冷卻區段54基本相同的構成。
另外，在該TCT層B3中，由主運送機構A3對第1交接臺TRS3、第2交接臺TRS8、第2反射防止膜形成組件33、加熱冷卻區段53中的擱板組件U1～U4的各處理組件、和收納組件4進行晶片W的交接。
第5單位塊(BCT層)B5，作為液體處理組件，設置有用於對晶片W進行第1反射防止膜形成處理的第1反射防止膜形成組件35。再者，設置有加熱冷卻區段55，該加熱冷卻區段55除了具備用於在反射防止膜形成處理前將晶片W調節至規定溫度的冷卻組件(COL5)；和加熱處理反射防止膜形成處理後的晶片W的加熱組件(CHP5)，不具備周緣曝光裝置(WEE)以外，具有與COT層B4的加熱冷卻區段54相同的構成。
另外，在該第5單位塊B5中，由主運送機構A5對第1交接臺TRS5、第2交接臺TRS10、第1反射防止膜形成組件35、加熱冷卻區段55中的擱板組件U1～U4的各處理組件、和收納組件4進行晶片W的交接。
作為上述加熱組件(CHP3～5、POST1、2、PEB1、2)，如圖2所示，可以使用具備加熱板503、和兼用作運送臂的冷卻板504的構成。這樣的加熱組件，用冷卻板504進行對主運送機構的晶片W交接，通過移動該冷卻板504，可以進行冷卻板504和加熱板503之間的晶片W交接，由此既可以進行加熱又可以進行冷卻。
再者，作為冷卻組件(COL1～5)，使用構成為具備例如水冷方式的冷卻板、且將晶片W載置在該冷卻板上來進行冷卻的裝置。
此外，圖6為表示這些處理組件的布局的一個例子的圖，該布局比較方便，作為配置在加熱冷卻區段上的處理組件，不限於加熱組件(CHP、PEB、POST)、冷卻組件(COL)、和周緣曝光裝置(WEE)，也可以設置其他處理組件。例如，在塗敷膜形成用的單位塊B3～B5中，可以設置用於提高抗蝕劑液和晶片W的緊貼性的、在HMDS氣氛中進行氣體處理的疏水化處理組件(ADH)。在實際的裝置中，考慮各處理組件的處理時間等來確定組件的設置數量。
接口塊S3，具備用於向處理塊S2的擱板組件U6和曝光裝置S4進行晶片W交接的接口塊運送機構B。該接口塊運送機構B，介於處理塊S2和曝光裝置S4之間，構成晶片W的運送機構，在該例中，如圖7所示，構成為進退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉自如，以便向第1～第4單位塊B1～B4的交接臺TRS6～9進行晶片W的交接。
此外，接口塊運送機構B可以構成為向全部單位塊B1～B5的第2交接臺TRS6～10進行晶片W的交接。
接下來簡單說明主運送機構A1～A5、第1和第2副運送機構D1、D2、接口塊運送機構B、液體處理組件、和收納組件4的構成。
首先，主運送機構，例如如圖5所示，具備用於支承晶片W的背面側周緣區域的2個臂101、102；進退自如地支承這些臂101、102的基座103；使基座103繞鉛直軸旋轉的旋轉機構104；使基座103在運送區域的Y軸方向和上下方向上移動的移動機構105；Y軸軌道107，在支承擱板組件U1～U4的底座部106的朝向運送區域的表面上沿Y軸方向設置，且沿Y軸方向引導基座103；和沿上下方向引導基座103的升降軌道108。利用這樣的構成，臂101、102進退自如，沿Y軸方向移動自如，升降自如，繞鉛直軸旋轉自如，並可以在擱板組件U5、U6的交接臺TRS1～TRS10、擱板組件U1～U4的處理組件、液體處理組件31～35、和收納組件4之間進行晶片W的交接。
各運送機構A1～A5基於來自後述的控制裝置6的指令而由未圖示的控制器控制驅動。再者，為了防止臂在加熱組件處的蓄熱，可以用程序任意控制晶片W的接取順序。
接口塊運送機構B，如圖9所示，具備用於支承晶片W的背面側中央區域的1個臂201；進退自如地支承臂201的基座202；使基座202升降的升降臺203；使基座202在升降臺203上繞鉛直軸旋轉的旋轉機構204；和引導升降臺203的升降軌道205。利用這樣的構成，臂201進退自如，升降自如，繞鉛直軸旋轉自如，並可以在擱板組件U6的各交接臺TRS6～TRS9和曝光裝置S4之間進行晶片W的交接。
第1和第2副運送機構D1、D2，除不繞鉛直軸旋轉以外，與接口塊運送機構B的構成一樣。
這些第1和第2副運送機構D1、D2、和接口塊運送機構B基於來自後述的控制裝置6的指令由未圖示的控制器控制驅動。
接下來，利用圖10A、10B簡單說明第4單位塊(COT層)B4的塗敷組件34。該塗敷組件34具有3個塗敷部301、302、303和收納它們的共用的處理容器300。3個塗敷部301、302、303以朝向運送區域R1的方式以沿Y軸方向排列的狀態設置在共用的基座304上。由於這些塗敷部301、302、303具有相同的構成，所以以塗敷部301為例進行說明。塗敷部301具有構成基板保持部的旋轉夾頭(spin chuck)305。旋轉夾頭305，利用真空吸附將晶片W保持為水平，並藉助驅動部306繞鉛直軸旋轉和升降。塗敷部301還具有包圍晶片W和旋轉夾頭305的側部的杯體307；在該杯體307的底面包括排氣管和排液管等的排液部308；用於向保持在旋轉夾頭305上的晶片W的周緣部供給漂洗液的側漂洗機構309。側漂洗機構309構成為升降自如且繞鉛直軸旋轉自如。
再者，塗敷組件34具有用於向3個塗敷部301、302、303供給塗敷液的共用的塗敷液供給噴嘴310。該供給噴嘴310構成為，能藉助移動機構312而沿著沿處理容器300的長度方向(Y方向)設置的導軌311，從一端側的塗敷部301的杯體307的外側自由移動至另一端側的塗敷部303的杯體307的外側，並且升降自如。利用這樣的塗敷液供給噴嘴310，將抗蝕劑液供給至保持在各塗敷部301～303的旋轉夾頭305上的晶片W的大致中央區域。在塗敷部303的側面設置有塗敷液供給噴嘴310的待機區域313。
進而，塗敷組件34具有安裝在處理容器300的頂板部上的過濾器組件314和設置在處理容器300的底面上的排氣部315。通過從排氣部315以規定的排氣量排氣，並且從過濾器組件314供給規定流量的調整了溫度和溼度的清潔氣體，在處理容器300內形成清潔氣體的下流，設定為其中比主運送機構A4的運送區域R1壓力更大。在處理容器300朝向運送區域R1的面上，在對應於塗敷部301、302、303的位置上分別設置有3個晶片W的運入運出口316。在這些運入運出口316上，設置有開閉門。
在該塗敷組件34中，由主運送機構A4將晶片W經由某一個運入運出口316運入處理容器300內，並交接至預先確定的塗敷部301、302、303的某一個旋轉夾頭305上。另外從塗敷液供給噴嘴310向該晶片W的中央部供給抗蝕劑液，並使旋轉夾頭305旋轉，利用離心力使抗蝕劑液向晶片W的徑向擴散。由此，在晶片W表面形成抗蝕劑的液膜。這樣形成有抗蝕劑液膜的晶片W經由運入運出口316由主運送機構A4運送至塗敷組件34的外部。
在這樣的塗敷組件34中，由於3個塗敷部301～303設置在共用的處理容器300的內部，並由共用的塗敷液供給噴嘴310供給抗蝕劑液，因此與對應各塗敷部301～303分別設置處理容器300和供給噴嘴310的情況相比，可以減少總的部件個數和佔有面積。
再者，由於3個塗敷部301～303設置在共用的基座304上，所以在進行旋轉夾頭305和主運送機構A4的臂101、102的高度調節時，對1個塗敷部301～303進行即可。再者，由於構成為由共用的塗敷液供給噴嘴310向各塗敷部301～303供給抗蝕劑液(塗敷液)，所以關於各旋轉夾頭305和供給噴嘴310的高度調整，也是對1個塗敷部301～303進行即可。因此，減少了它們的高度調整所需要的功夫，還縮短了調整時間。
進而通過在共用的處理容器300內設置3個塗敷部301～303，可以使形成下流的空氣的供給和該空氣的排出共用化，所以從這點考慮也可以減少總的部件個數和佔有面積，較為有效。
接下來，關於第1和第2單位塊(DEV層)B1、B2的顯影組件31、32進行說明。顯影組件31、32在代替上述塗敷液供給噴嘴310，設置沿長度方向形成有排出區域的長條的顯影液供給噴嘴這點，和具備清洗液噴嘴這點上，與塗敷組件34不同，除此以外，與塗敷組件34的構成大致相同。顯影液供給噴嘴其排出區域具有相當於晶片W的直徑的長度。清洗液噴嘴與塗敷液供給噴嘴310相同，構成為藉助移動機構而可以沿導軌311自由移動，並且升降自如，向保持在旋轉夾頭305上的晶片W供給清洗液。
在這樣的顯影組件31、32中，與塗敷組件34一樣，由主運送機構A1、A2，經由運入運出口將晶片W運入處理容器內，並將晶片W交接至預先確定的塗敷部的旋轉夾頭。另外，使顯影液供給噴嘴位於晶片W的中央並供給顯影液，並且藉助旋轉夾頭例如使晶片W半旋轉，由此將顯影液供給至晶片W的整個面。然後經過規定時間後，將清洗液從清洗液噴嘴供給至晶片W，洗掉清洗晶片W表面的顯影液，接下來使晶片W旋轉並乾燥，來結束顯影處理。
第5單位塊(BCT層)B5的第1反射防止膜形成組件35，用於在塗敷抗蝕劑液前在晶片W上塗敷反射防止膜用的藥液，第3單位塊(TCT層)B3的第2反射防止膜形成組件33，用於在塗敷了抗蝕劑液後在晶片W上塗敷反射防止膜用的藥液，這些組件35、33，除了代替塗敷液供給噴嘴310，具備具有與塗敷液供給噴嘴310相同構成的反射防止膜用藥液供給噴嘴以外，與塗敷組件34構成相同。
接下來，參照圖11說明收納組件4。如圖11所示，收納組件4具備多層載置臺41，其用於載置並收納片數與設置有該收納組件4的單位塊中的晶片W的收納片數對應的晶片W。在該例中設置6層載置臺41，可以收納6片晶片W。在載置臺41上，設置有用於支承晶片W的背面側的突起42。該突起42設置在不與主運送機構的臂幹涉的位置，可以和主運送機構之間進行晶片W的交接。
接下來，以在抗蝕劑膜上下分別形成反射防止膜的情況為例說明以上那樣構成的抗蝕劑圖形形成裝置中的晶片的路徑。
首先，從外部向承載塊21運入承載器20。在該狀態下，利用承載塊運送機構C取出一片承載器20內的晶片W。晶片W，從承載塊運送機構C運送至擱板組件U5的第1交接臺TRS～F。接下來，由第1副運送機構D1將晶片W運送至擱板組件U5的第1交接臺TRS5，進而從這裡被接取至第5單位塊(BCT層)B5的主運送機構A5。另外在BCT層B5中，由主運送機構A5，以冷卻組件(COL5)→第1反射防止膜形成組件35→加熱組件(CHP5)→擱板組件U6的交接臺TRS10的順序依次運送晶片W，形成第1反射防止膜。
接下來，由第2副運送機構D2將第2交接臺TRS10的晶片W運送至擱板組件U6的第2交接臺TRS9。接下來，第2交接臺TRS9的晶片W被接取至第4單位塊(COT層)B4的主運送機構A4。另外，在COT層B4中，由主運送機構A4，以冷卻組件COL4→塗敷組件34→加熱組件CHP4→擱板組件U5的第1交接臺TRS4的順序運送晶片W，在第1反射防止膜的上層形成抗蝕劑膜。
其後，由第1副運送機構D1將第1交接臺TRS4的晶片W運送至第1交接臺TRS3。接下來，第1交接臺TRS3的晶片W被接取至第3單位塊(TCT層)B3的主運送機構A3。另外，在TCT層B3中，由主運送機構A3，以冷卻組件(COL3)→第2反射防止膜形成組件33→加熱組件(CHP3)→周緣曝光裝置(WEE)→擱板組件U6的第2交接臺TRS8的順序運送晶片W，在抗蝕劑膜的上層形成第2反射防止膜。
接下來，由接口塊運送機構B接取第2交接臺TRS8的晶片W，並運送至曝光裝置S4。運送至曝光裝置S4的晶片W，在那裡被施以規定的曝光處理。
曝光處理後的晶片W，由接口塊運送機構B運送至擱板組件U6的第2交接臺TRS6或TRS7。交接臺TRS6或TRS7上的晶片W，被接取至第1或第2單位塊(DEV層)B1或B2的主運送機構A1或A2。在該DEV層B1或B2中，首先以加熱組件(PEB1或PEB2)→冷卻組件(COL1或COL2)→顯影組件31或32→加熱組件(POST1或POST2)的順序運送，進行規定的顯影處理。這樣進行了顯影處理的晶片W，被運送至擱板組件U5的交接臺TRS1或TRS2，並由承載塊運送機構C，返回至載置在承載塊S1上的原來的承載器20。
在如上動作的抗蝕劑圖形形成裝置中，各處理組件的方法的管理、主運送機構A1～A5、承載塊運送機構C、第1和第2副運送機構D1、D2、接口塊運送機構B的驅動控制，在上述控制裝置6中進行。圖12表示該控制裝置6的構成。雖然該控制裝置6實際上由CPU(中央處理器)、程序和存儲器等構成，但是在本發明中，由於在晶片W的運送上具有特徵，所以在此將與其關聯的構成要素的一部分塊化進行說明。
圖中60為總線，在該總線60上連接有臂運送程序61、COT層運送部62、DEV層運送部63、BCT層運送部64、TCT層運送部65、各層主運送機構A1～A5、第1和第2副運送機構D1、D2、接口塊運送機構B、和承載塊運送機構C的控制器(未圖示)。
上述臂運送程序61為控制各層主運送機構A1～A5、第1和第2副運送機構D1、D2、承載塊運送機構C、接口塊運送機構B的運送的程序。
上述COT層運送部62具備COT層運送計劃62A、模塊改寫程序62B、和COT層運送計劃程序62C。在此所謂的COT層運送計劃62A為，在COT層B4中，確定將晶片W在什麼時刻運送至哪個模塊的運送計劃。例如如圖13所示對晶片W分配序號，按時間序列排列運送循環數據而制定運送計劃，所述運送循環數據使晶片W的序號和各模塊對應來指定運送循環(階段)。在該例中表示，在階段1中，將先頭的晶片W1運送至冷卻組件(COL4)，在階段2中，將先頭的晶片W1運送至塗敷組件34(COT)，將接下來的第2個晶片W2運送至冷卻組件(COL4)。雖然在該例中，用冷卻組件(COL4)、塗敷組件34(塗敷部301～303)、加熱組件(CHP4)的每一個集中起來作為一個模塊進行了記載，但是在實際中對每個模塊均記載晶片W的運送順序。
在此由於主運送機構A1～A5具備2個以上的臂，所以COT層B4的主運送機構A4，由一個臂將晶片W從一個模塊取出，由另一個臂接取下一個模塊的晶片W，將上述一個臂上的先前的晶片W交接至該下一個模塊。通過這樣將放置在各模塊中的晶片W移至序號靠後一個的模塊來執行一個運送循環(階段)，執行了該一個運送循環後，移至下一個運送循環，從而依次執行各運送循環。由此，以冷卻組件(COL4)→塗敷組件34→加熱組件(CHP4)→交接臺TRS4的順序依次運送晶片W來進行規定的處理。因此，通常情況下交接臺TRS4成為COT層B4最後的模塊。
再者，上述模塊改寫程序62B為，在該例中接口塊運送機構B發生一些異常的情況下，如圖14所示，將COT層運送計劃62A的最後的模塊改寫為收納組件4的程序。進而，上述COT層運送計劃程序62C為，用於依照上述圖13和圖14的運送計劃控制主運送機構A4，並將晶片W運送至COT層B4內的各模塊的程序。
上述DEV層運送部63，與COT層運送部62同樣，具備DEV層運送計劃、模塊改寫程序、和DEV層運送計劃程序。運送計劃制定為以加熱組件(PEB1(PEB2))→顯影組件31(32)→冷卻組件(COL1(COL2))→加熱組件(POST1(POST2))→交接臺TRS1(TRS2)的順序運送晶片W。在模塊改寫程序中，承載塊運送機構C發生一些異常時，與COT層運送部62同樣，將最後的模塊從交接臺TRS1(TRS2)改寫為收納組件4。
上述BCT層運送部64，與COT層運送部62同樣，具備BCT層運送計劃、模塊改寫程序、和BCT層運送計劃程序。運送計劃制定為以冷卻組件(COL5)→第1反射防止膜形成組件35→加熱組件(CHP5)→交接臺TRS10的順序運送晶片W。在模塊改寫程序中，接口塊運送機構B發生一些異常時，與COT層運送部62同樣，將最後的模塊從交接臺TRS10改寫為收納組件4。
上述TCT層運送部65，與COT層運送部62同樣，具備TCT層運送計劃、模塊改寫程序、和TCT層運送計劃程序。運送計劃制定為以冷卻組件(COL3)→第2反射防止膜形成組件33→加熱組件(CHP3)→周緣曝光裝置(WEE)→交接臺TRS8的順序運送晶片W。在模塊改寫程序中，接口塊運送機構B發生一些異常時，與COT層運送部62同樣，將最後的模塊從交接臺TRS8改寫為收納組件4。
在此，所謂接口塊運送機構B或承載塊運送機構C發生一些異常的情況是指，它們產生故障，或者與交接臺TRS碰撞，或者從曝光裝置S4的運出延遲等一些異常產生，而不能在上述運送計劃設定的時刻在規定交接臺TRS和主運送機構A1～A5之間進行晶片W的交接的情況。
控制裝置6存儲有包含以上動作的、整個裝置的處理的控制所必需的控制程序、和用於對應於處理條件使各構成部執行處理的程序即方法。方法可以存儲在硬碟或半導體存儲器中，也可以以收納在CDROM、DVD等可運輸性的存儲介質中的狀態設置在規定位置。進而，可以從其它裝置經由例如專用線路適當傳送方法。
接下來，就本實施方式中的作用進行說明。在本實施方式中，在DEV層B1、B2、TCT層B3、COT層B4、BCT層B5的各單位塊中，由各主運送機構A1～A5根據各自的運送計劃進行晶片W的運送。再者，在該例中由於與在塗敷膜形成用的單位塊(TCT層B3、COT層B4、BCT層B5)的各單位塊中一樣進行晶片W的運送控制，所以在此基於圖15以COT層B4為例進行說明。
在這種情況下，首先詢問接口塊運送機構B是否正常(步驟S1)。在正常的情況下前進至步驟S2，一邊參照運送計劃一邊由主運送機構A4執行一個循環的運送。另一方面，在接口塊運送機構B有一些異常的情況下，前進至步驟S3，將運送計劃的最後的模塊從交接臺TRS4改寫為收納組件4。然後在步驟S4中，禁止從BCT層B5向該COT層B4運入晶片W，在步驟S5中禁止晶片W從承載器20運出。接下來在步驟S6中，關於COT層B4的晶片W，參照改寫後的運送計劃執行運送。
再者在TCT層B3中，在接口塊運送機構B發生異常的情況下，與COT層B4一樣也進行晶片W的運送控制。即，首先判斷接口塊運送機構B是否正常，在正常的情況下，一邊參照運送計劃一邊由主運送機構A3執行一個循環的運送。另一方面，在接口塊運送機構B有一些異常的情況下，將運送計劃的最後的模塊從交接臺TRS8改寫為收納組件4，禁止向TCT層B3運入晶片W，並且禁止晶片W從承載塊B1運出，關於TCT層B3的晶片W，參照改寫後的運送計劃執行運送。
進而，在BCT層B5中，也與COT層B4一樣進行晶片W的運送控制。在接口塊運送機構B正常的情況下，一邊參照運送計劃一邊由主運送機構A5執行一個循環的運送。另一方面，在接口塊運送機構B有一些異常的情況下，將運送計劃的最後的模塊從交接臺TRS10改寫為收納組件4，禁止從承載塊S1向BCT層B5運入晶片W，並且禁止晶片W從承載器20運出，關於BCT層B5的晶片W，參照改寫後的運送計劃執行運送。
再者，在DEV層B1中，如圖16所示，判斷承載塊運送機構C是否正常(步驟S11)。在承載塊運送機構C正常的情況下，與COT層B4一樣地進行晶片W的運送控制，一邊參照運送計劃一邊由主運送機構A1執行一個循環的運送(步驟S12)。另一方面，在承載塊運送機構C有一些異常的情況下，將運送計劃的最後的模塊從交接臺TRS1(TRS2)改寫為收納組件4(步驟S13)，禁止從接口塊S3向DEV層B1運入晶片W，(步驟S14)，並且禁止晶片W從承載器20運出(步驟S15)，關於DEV層B1的晶片W，參照改寫後的運送計劃執行運送(步驟S16)。在DEV層B2中，也與DEV層B1完全一樣地進行晶片W的運送控制。
在這樣的抗蝕劑圖形形成裝置中，由於把各塗敷膜形成用的單位塊、和顯影處理用的單位塊設置在不同的區域，並在各個區域上分別設置專用的主運送機構，所以主運送機構的負荷降低。因此，由於主運送機構的運送效率提高，所以作為結果可以提高生產能力。
再者，在接口塊運送機構B有一些異常時，在塗敷膜形成用的TCT層B3、COT層B4、BCT層B5的各單位塊中，將運送計劃的最後的模塊改寫為收納組件4，禁止晶片W向各個單位塊的運入，並依照改寫後的運送計劃向各個單位塊內運送晶片W。因此即使在接口塊運送機構B有異常時，關於存在於各單位塊內的晶片W進行了通常的處理後，由於退避至該單位塊內的收納組件4內，可以對各單位塊內的晶片W將通常的處理進行到最後。因此，在各單位塊內的各模塊中，由於可以進行預先設定的規定的處理，所以不會發生抗蝕劑膜的膜質惡化，單位塊內的晶片W不會浪費，可抑制合格率的下降。
在此如果以COT層B4為例，假定在接口塊運送機構B有異常時，在各個單位塊中不使晶片W退避至收納組件4的情況，則在該情況下，由於接口塊運送機構B不能接取作為TCT層B3的最後的模塊的交接臺TRS8的晶片W，所以在TCT層B3中如果欲將該晶片W的後續的晶片W載置在交接臺TRS8上時，後續的晶片W的放置位置不存在。因此主運送機構A3成為保持著該後續的晶片W的狀態，在該狀態下由主運送機構A3進行的運送停止。
如果主運送機構A3這樣停止，則在用於從COT層B4向TCT層B3交接晶片W的交接臺TRS3上也保持載置有前面的晶片W的狀態，變得不能由第1副運送機構D1從COT層B4向TCT層B3新運入晶片W。因此，在該COT層B4中，變得不由第1副運送機構D1接取作為最後的模塊的交接臺TRS4上的晶片W，在欲將該晶片W的後續的晶片W載置時，後續的晶片W的放置位置不存在。因此主運送機構A4成為保持著該後續的晶片W的狀態，由於在哪一個位置上都不能載置該晶片W，所以在該狀態下由主運送機構A4進行的運送停止。
因此晶片W在該COT層B4內的各模塊中不能由主運送機構A4在規定的時刻取出，成為保持放置在模塊內的狀態，如已經說明的那樣，抗蝕劑膜的膜質惡化，晶片W的合格率下降。
再者在承載塊運送機構C有一些異常時，關於該DEV層B1(B2)內的晶片W，進行了通常的處理後，由於退避至收納組件4A(4B)內，所以可以將在這些DEV層B1(B2)中進行的處理進行到最後。因此，不會發生保持將晶片W放置在DEV層B1(B2)內的各模塊中的狀態、而導致抗蝕劑膜的膜質惡化的問題，能抑制晶片W的合格率的下降。
在此在承載塊運送機構C有一些異常時，如果假定在顯影處理用的單位塊中不使晶片W退避至收納組件4的情況，則由於承載塊運送機構C不能接取作為該DEV層B1或B2內的最後的模塊的交接臺TRS1或TRS2內的晶片W，所以保持將晶片W放置在DEV層B1或B2內的各模塊中的狀態，抗蝕劑膜的膜質惡化。
這樣在本發明中，在接口塊運送機構B或承載塊運送機構C發生異常時，針對存在於單位塊B1～B5內的晶片W，控制主運送機構的運送以便在單位塊B1～B5內進行了通常的處理後，將晶片W運送至各單位塊內的退避用的收納組件4，並且控制由第1副運送機構D1或接口塊運送機構B進行的運送，以便不將晶片W向單位塊B1～B5運入，因此如已經說明的那樣，可以抑制形成在晶片W上的塗敷膜的膜質惡化，可以抑制合格率的下降。
再者，這樣只以運送計劃的最後的模塊的改寫即可進行主運送機構A1～A5的運送控制，運送程序變得容易。
此外，以上說明的實施方式，僅旨在明確本發明的技術內容，本發明不應解釋為僅限於這樣的具體例，在本發明的精神和權利要求書所述的範圍內，可以實施各種變更。
例如，在本發明中各單位塊的層疊數和層疊的順序不限於上述例子，也可以使顯影處理用的單位塊為1層，也可以排列塗敷膜形成用的單位塊使從下方側至上方側依次為BCT層、COT層和TCT層。再者，可以將塗敷膜形成用的單位塊配置在下方側，在其上配置顯影處理用的單位塊。
再者，可以從DEV層B1、B2、TCT層B3、COT層B4和BCT層B5選擇使用的單位塊。在該情況下，可以只選擇DEV層B1和B2中的一個。例如，TCT層B3、COT層B4和BCT層B5並不是全都需要，在只在抗蝕劑膜下部形成反射防止膜的情況下，不需要TCT層B3，所以可以從TCT層B3、COT層B4和BCT層B5中選擇BCT層B5和COT層B4使用。當然，在這樣的情況下，可以不設置TCT層B3。
這時，以承載器20→承載塊運送機構C→擱板組件U5的第1交接臺TRS～F→第1副運送機構D1→第1交接臺TRS5→BCT層B5的主運送機構A5→冷卻組件(COL5)→第1反射防止膜形成組件35→加熱組件(CHP5)→擱板組件U6的第2交接臺TRS10→第2副運送機構D2→第2交接臺TRS9→COT層B4的主運送機構A4→冷卻組件(COL4)→塗敷組件34→加熱組件(CHP4)→擱板組件U6的第2交接臺TRS9→接口塊運送機構B→曝光裝置S4→接口塊運送機構B→擱板組件U6的交接臺TRS6(TRS7)→DEV層B1(B2)的路線進行運送。
在這種情況下，關於BCT層B5和COT層B4，在接口塊運送機構B發生異常時，也將運送計劃的最後的模塊改寫為收納組件4，並依照該改寫的運送計劃運送該BCT層B5和COT層B4內的晶片W。
再者在只在抗蝕劑膜上部形成反射防止膜的情況下，不需要BCT層B5，所以可以從TCT層B3、COT層B4和BCT層B5中選擇TCT層B3和COT層B4使用。當然，在這樣的情況下，可以不設置BCT層B5。這時，以承載器20→承載塊運送機構C→擱板組件U5的第1交接臺TRS～F→第1副運送機構D1→第1交接臺TRS4→COT層B4的主運送機構A4的順序進行運送。COT層B4內的晶片W的運送路線和COT層B4以後的晶片W的運送路線與上述例子同樣。
在這種情況下，關於COT層B4和TCT層B3，在接口塊運送機構B發生異常時，也將運送計劃的最後的模塊改寫為收納組件4，並依照該改寫的運送計劃運送該COT層B4和TCT層B3內的晶片W。
在上述實施方式中，以作為夾設在處理塊S2和曝光裝置S4之間的運送機構，接口塊運送機構B發生異常的情況為例進行了說明，但是在也包括第2副運送機構D2作為這樣的運送機構，該第2副運送機構D2發生異常的情況下，在TCT層B3、COT層B4和BCT層B5中，與接口塊運送機構B發生異常時同樣，也將運送計劃的最後的模塊改寫為收納組件4，並依照該改寫的運送計劃運送該TCT層B3、COT層B4和BCT層B5內的晶片W。
再者，與在TCT層B3、COT層B4和BCT層B5中，第1副運送機構D1發生一些異常時，與接口塊運送機構B發生異常時同樣，也將運送計劃的最後的模塊改寫為收納組件4，並依照該改寫的運送計劃運送該TCT層B3、COT層B4和BCT層B5內的晶片W。
由此，即使在第1和第2副運送機構D1、D2發生異常時，主運送機構A3～A5也可以對上述單位塊B3～B5內的晶片W進行通常的運送，所以可以將通常的處理進行到最後，抑制塗敷膜的膜質惡化，也抑制晶片W的合格率的下降。再者如已經說明的那樣，運送程序變得容易。
再者在DEV層B1、B2中，也與承載塊運送機構C發生異常的情況同樣，在接口塊運送機構B發生一些異常時，也可以將運送計劃的最後的模塊改寫為收納組件4，並依照該改寫的運送計劃運送該DEV層B1、B2內的晶片W。這樣，在接口塊運送機構B發生異常時，由於沒有晶片W從DEV層B1、B2向承載塊S1的運送，所以可以使承載塊運送機構C停止，運送程序的制定變得更容易。
進而，在TCT層B3、COT層B4和BCT層B5中，在承載塊運送機構C發生一些異常時，也可以將運送計劃的最後的模塊改寫為收納組件4，並依照該改寫的運送計劃運送該TCT層B3、COT層B4和BCT層B5內的晶片W。這樣，在承載塊運送機構C發生異常時，由於沒有晶片W從TCT層B3、COT層B4和BCT層B5向接口塊S3的運送，所以可以使接口塊運送機構B停止，運送程序的制定變得更容易。
雖然在上述實施方式中，作為第1基板收納部和第2基板收納部，鄰接於塗敷組件和顯影組件等設置了收納組件4，但是並不局限於此，可以組裝入各單位塊B1～B5內的擱板組件U5、U6的某一個或兩個中而進行設置。在該情況下，可以預先在各擱板組件U5、U6上形成多個交接臺，並將其一部分用作基板收納部。這樣，由於各單位塊B1～B5的最後的模塊為擱板組件U5、U6的某一個交接臺，所以在依照改寫的運送計劃運送晶片W時，也可以運送至同一擱板組件U5、U6的基板收納部。因此，主運送機構A1～A5的運送路線幾乎不變化，運送程序的制定變得更容易。再者由於不需要另外設置收納組件，所以可以實現單位塊的小型化，可以減少構成單位塊的部件。
再者，雖然在上述實施方式中，在各單位塊B1～B5內設置了收納組件4作為基板收納部，但是並不局限於此，例如也可以設在接口塊S3上。不過，如果設在接口塊S3上，則為了訪問而需要使用接口塊運送機構B，這些接口塊運送機構B的負荷變大，所以最後設在各單位塊B1～B5內的主運送機構A1～5可以訪問的位置上。
進而，在本發明中，如果各單位塊具備液體處理組件、加熱組件、冷卻組件和運送機構A，則這些各組件(模塊)的個數、種類和布局不限於上述實施方式。再者，用承載塊運送機構C可以訪問的擱板組件U5的交接臺TRS，並不限於對應於DEV層B1、DEV層B2的位置，只要為在承載塊運送機構C和層疊的單位塊的一個以上之間進行晶片W的交接的位置即可。再者，關於擱板組件U6，也可以設置用於與接口塊運送機構B之間進行晶片W的交接的專用的第2交接臺TRS，並經由該第2交接臺TRS和第2副運送機構D2在各單位塊B1～B5和接口塊S3之間進行晶片W的交接。
進而，塗敷膜形成用的單位塊之間，可以用第1和第2副運送機構D1、D2的某一個臂進行晶片W的交接。再者，關於DEV層B1、B2內的模塊可以使用共用的主運送機構A來進行晶片W的運送。擱板組件U5、U6的交接臺TRS的個數隻要為1個以上即可。再者，交接臺TRS可以具備冷卻功能，也可以設置交接臺TRS以外的模塊，例如冷卻組件等。
進而，在上述實施方式中，就使用半導體晶片作為基板的情況為例進行了說明，但是本發明並不局限於此，也可以應用於處理以液晶顯示器用玻璃基板代表的平板顯示器(FPD)基板等其他基板的塗敷·顯影裝置。
權利要求
1.一種塗敷·顯影裝置，具備承載塊，用於運入運出可以搭載多個基板的承載器；處理塊，將運入上述承載塊的承載器內的基板運入，並對基板進行包含抗蝕劑膜的塗敷膜的形成、和對其塗敷膜實施的曝光後的顯影、以及這些處理附帶的熱處理；和接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的塗敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，用於在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板的交接，在從上述承載器運入上述處理塊的基板上形成包含抗蝕劑膜的塗敷膜後，將上述基板經由上述接口塊運送至上述曝光裝置，並使曝光後的基板經由上述接口塊返回上述處理塊，在該處進行顯影處理後，交接至上述承載塊，其特徵在於，上述處理塊包括一個或相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊、和相對於上述塗敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，上述塗敷膜形成用的單位塊具備用於將藥液塗敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；冷卻基板的冷卻組件；在這些組件之間運送基板的第1運送機構；和退避用的第1基板收納部，設在上述塗敷膜形成用的單位塊上，且可以收納片數對應於該單位塊中的基板的收納片數的基板，還具備第2運送機構，夾設在上述處理塊和上述曝光裝置之間，且在它們之間運送基板；和輸出控制指令的控制裝置，該指令用於在上述第2運送機構發生異常時，控制該單位塊內的上述第1運送機構，使得在對存在於上述塗敷膜形成用的單位塊內的基板，在該單位塊內進行了通常的處理後，使基板退避至上述第1基板收納部，並且禁止基板向上述塗敷膜形成用的單位塊內的運入。
2.如權利要求1所述的塗敷·顯影裝置，其特徵在於，具備退避用的第2基板收納部，設置在上述顯影處理用的單位塊上，並可以收納片數對應於該單位塊中基板的收納片數的基板；和第3運送機構，用於從上述顯影處理用的單位塊運出顯影處理後的基板，上述控制裝置輸出控制指令，該控制指令用於控制該單位塊內的第1運送機構，使得在該第3運送機構發生異常時，對存在於顯影處理用的單位塊內的基板在該單位塊內進行了通常的處理後，使基板退避至上述第2基板收納部，並且禁止基板向上述顯影處理用的單位塊內的運入。
3.如權利要求1所述的塗敷·顯影裝置，其特徵在於，上述相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊具有用於把抗蝕劑液塗敷在基板上的單位塊、和用於在塗敷抗蝕劑液之前把反射防止膜用藥液塗敷在基板上的單位塊。
4.如權利要求1所述的塗敷·顯影裝置，其特徵在於，上述相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊具有用於把抗蝕劑液塗敷在基板上的單位塊、和用於在塗敷抗蝕劑液後把反射防止膜用藥液塗敷在基板上的單位塊。
5.如權利要求1所述的塗敷·顯影裝置，其特徵在於，上述相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊具有用於把抗蝕劑液塗敷在基板上的單位塊、用於在塗敷抗蝕劑液之前把反射防止膜用藥液塗敷在基板上的單位塊、和用於在塗敷抗蝕劑液後把反射防止膜用藥液塗敷在基板上的單位塊。
6.如權利要求1所述的塗敷·顯影裝置，其特徵在於，上述塗敷膜形成用的單位塊具有載置基板並且確定了運送序號的多個模塊，上述第1運送機構具有2個運送臂，由一個運送臂把基板從上述多個模塊中的一個模塊取出，由另一個運送臂接取存在於下一個模塊中的其他基板，將上述一個運送臂上的先前的基板交接至該下一個模塊中，通過重複這些動作而把放置在各模塊中的基板移至序號靠後一個的模塊中，來執行一個運送循環，在執行了該一個運送循環後，移至下一個運送循環，通過依次執行各運送循環，按照上述序號將基板依次運送至上述模塊組的上述多個模塊中，並在基板上進行規定的塗敷膜形成處理，上述控制裝置具備存儲部，存儲將使對基板分配的序號和塗敷膜形成用的單位塊內的模塊對應來指定運送循環的運送循環數據按時間序列排列而制定的、該單位塊內的運送計劃；改寫部，在上述第2運送機構發生異常時，將上述運送計劃的最後的模塊改寫為第1基板收納部；和運送控制部，根據上述運送計劃或改寫的運送計劃，控制由上述塗敷膜形成用的單位塊內的第1運送機構進行的基板的運送。
7.如權利要求2所述的塗敷·顯影裝置，其特徵在於，在上述塗敷膜形成用的單位塊中具有載置基板並且確定了運送序號的多個模塊，上述第1運送機構具有2個運送臂，由一個運送臂把基板從上述多個模塊中的一個模塊取出，由另一個運送臂接取存在於下一個模塊中的其他基板，將上述一個運送臂上的先前的基板交接至該下一個模塊中，通過重複這些動作而把放置在各模塊中的基板移至序號靠後一個的模塊中，來執行一個運送循環，在執行了該一個運送循環後，移至下一個運送循環，通過依次執行各運送循環，按照上述序號將基板依次運送至上述模塊組的上述多個模塊中，並在基板上進行規定的塗敷膜形成處理，上述控制裝置具備存儲部，存儲將使對基板分配的序號和塗敷膜形成用的單位塊內的模塊對應來指定運送循環的運送循環數據按時間序列排列而制定的、該單位塊內的運送計劃；改寫部，在上述第3運送機構發生異常時，將上述運送計劃的最後的模塊改寫為第2基板收納部；和運送控制部，根據上述運送計劃或改寫的運送計劃，控制由上述塗敷膜形成用的單位塊內的第1運送機構進行的基板的運送。
8.一種塗敷·顯影方法，使用塗敷·顯影裝置進行塗敷·顯影處理，該塗敷·顯影裝置具備承載塊，用於運入運出可以搭載多個基板的承載器；處理塊，將運入上述承載塊的承載器內的基板運入，並對基板進行包含抗蝕劑膜的塗敷膜的形成、和對其塗敷膜實施的曝光後的顯影、以及這些處理附帶的熱處理；和接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的塗敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，用於在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板的交接，上述處理塊包括一個或相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊、和相對於上述塗敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，上述塗敷膜形成用的單位塊具備用於將藥液塗敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；冷卻基板的冷卻組件；在這些組件之間運送基板的第1運送機構；和退避用的第1基板收納部，設在上述塗敷膜形成用的單位塊上，且可以收納片數對應於該單位塊中的基板的收納片數的基板，還具備第2運送機構，夾設在上述處理塊和上述曝光裝置之間，且在它們之間運送基板，其特徵在於，該方法包括從上述承載器向上述處理塊運入基板；藉助上述塗敷膜形成用的單位塊，在上述基板上形成包含抗蝕劑膜的塗敷膜；經由上述接口塊將上述基板運送至上述曝光裝置；經由上述接口塊使曝光後的基板返回至上述處理塊；在上述顯影處理用的單位塊中進行顯影處理；將顯影處理後的基板交接至上述承載塊，在上述第2運送機構發生異常時，對存在於塗敷膜形成用的單位塊內的基板，在該塗敷膜形成用的單位塊內進行通常的處理，使各基板退避至設在該單位塊內的上述退避用的第1基板收納部，並且禁止基板向該塗敷膜形成用的單位塊內的運入。
9.如權利要求8所述的塗敷·顯影方法，其特徵在於，上述塗敷·顯影裝置還具備退避用的第2基板收納部，設置在上述顯影處理用的單位塊上，並可以收納片數對應於該單位塊中基板的收納片數的基板；和第3運送機構，用於從上述顯影處理用的單位塊運出顯影處理後的基板，在上述第3運送機構發生異常時，對存在於上述顯影處理用的單位塊內的基板在該顯影處理用的單位塊內進行了通常的處理後，使各基板退避至設置在該顯影處理用的單位塊內的上述第2退避用的基板收納部，並且禁止基板向該顯影處理用的單位塊內的運入。
10.一種存儲介質，包含使計算機控制下述塗敷·顯影裝置的軟體，可由計算機讀取，該塗敷·顯影裝置具備承載塊，用於運入運出可以搭載多個基板的承載器；處理塊，將運入上述承載塊的承載器內的基板運入，並對基板進行包含抗蝕劑膜的塗敷膜的形成、和對其塗敷膜實施的曝光後的顯影、以及這些處理附帶的熱處理；和接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的塗敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，用於在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板的交接，上述處理塊包括一個或相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊、和相對於上述塗敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，上述塗敷膜形成用的單位塊具備用於將藥液塗敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；冷卻基板的冷卻組件；在這些組件之間運送基板的第1運送機構；和退避用的第1基板收納部，設在上述塗敷膜形成用的單位塊上，且可以收納片數對應於該單位塊中的基板的收納片數的基板，還具備第2運送機構，夾設在上述處理塊和上述曝光裝置之間，且在它們之間運送基板，其特徵在於，上述軟體使計算機控制上述塗敷·顯影裝置，使得在上述第2運送機構發生異常時，對存在於塗敷膜形成用的單位塊內的基板，在該塗敷膜形成用的單位塊內進行通常的處理，使各基板退避至設在該單位塊內的上述退避用的第1基板收納部，並且禁止基板向該塗敷膜形成用的單位塊內的運入。
11.如權利要求10所述的存儲介質，其特徵在於，上述塗敷·顯影裝置還具備退避用的第2基板收納部，設置在上述顯影處理用的單位塊上，並可以收納片數對應於該單位塊中基板的收納片數的基板；和第3運送機構，用於從上述顯影處理用的單位塊運出顯影處理後的基板，上述軟體使計算機控制上述塗敷·顯影裝置，使得在上述第3運送機構發生異常時，對存在於上述顯影處理用的單位塊內的基板，在該顯影處理用的單位塊內進行了通常的處理後，使各基板退避至設在該顯影處理用的單位塊內的上述第2退避用的基板收納部，並且禁止基板向該顯影處理用的單位塊內的運入。
12.一種電腦程式，包含使計算機控制下述塗敷·顯影裝置的軟體，該塗敷·顯影裝置具備承載塊，用於運入運出可以搭載多個基板的承載器；處理塊，將運入上述承載塊的承載器內的基板運入，並對基板進行包含抗蝕劑膜的塗敷膜的形成、和對其塗敷膜實施的曝光後的顯影、以及這些處理附帶的熱處理；和接口塊，設在上述處理塊和對基板上形成的塗敷膜進行曝光處理的曝光裝置之間，用於在上述處理塊和上述曝光裝置之間進行基板的交接，上述處理塊包括一個或相互層疊的多個塗敷膜形成用的單位塊、和相對於上述塗敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，上述各單位塊具備用於將藥液塗敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；冷卻基板的冷卻組件；在這些組件之間運送基板的第1運送機構；和退避用的第1基板收納部，設在上述塗敷膜形成用的單位塊上，且可以收納片數對應於該單位塊中的基板的收納片數的基板，還具備第2運送機構，夾設在上述處理塊和上述曝光裝置之間，且在它們之間運送基板，上述軟體使計算機控制上述塗敷·顯影裝置，使得在上述第2運送機構發生異常時，對存在於塗敷膜形成用的單位塊內的基板，在該塗敷膜形成用的單位塊內進行通常的處理，使各基板退避至設在該單位塊內的上述退避用的第1基板收納部，並且禁止基板向該塗敷膜形成用的單位塊內的運入。
13.如權利要求12所述的電腦程式，其特徵在於，上述塗敷·顯影裝置還具備退避用的第2基板收納部，設置在上述顯影處理用的單位塊上，並可以收納片數對應於該單位塊中基板的收納片數的基板；和第3運送機構，用於從上述顯影處理用的單位塊運出顯影處理後的基板，上述軟體使計算機控制上述塗敷·顯影裝置，使得在上述第3運送機構發生異常時，對存在於上述顯影處理用的單位塊內的基板，在該顯影處理用的單位塊內進行了通常的處理後，使各基板退避至設在該顯影處理用的單位塊內的上述第2退避用的基板收納部，並且禁止基板向該顯影處理用的單位塊內的運入。
全文摘要
本發明提供一種塗敷·顯影裝置，其具備處理塊，在晶片上形成抗蝕劑膜後，將其運送至曝光裝置，並對曝光後的基板進行顯影處理；和設置在處理塊和曝光裝置之間的接口運送機構，上述處理塊具有塗敷膜形成用的單位塊、和顯影處理用的單位塊，它們以層疊的狀態配置。在接口塊運送機構發生異常時，對存在於塗敷膜形成用的單位塊內的晶片，在該單位塊內進行了通常的處理後，使處理後的晶片退避至收納組件，並且禁止晶片向塗敷膜形成用的單位塊內的運入。
文檔編號H01L21/027GK1808275SQ20061000666
公開日2006年7月26日 申請日期2006年1月23日 優先權日2005年1月21日
發明者飽本正巳, 林伸一, 林田安, 松岡伸明 申請人:東京毅力科創株式會社