抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區振蕩的方法

2023-06-01 01:33:51

專利名稱：抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區振蕩的方法
技術領域：
本發明涉及微波真空器件中的電子槍技術領域，尤其涉及一種抑制回 旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區振蕩的方法。
背景技術：
迴旋管放大器在毫米波段具有高峰值功率、高平均功率和頻帶寬等優 點，在高性能毫米波雷達、電子對抗、通信和高能加速器等領域有著廣泛 的應用前景，為高功率微波源中倍受關注的一種相干輻射源。迴旋管放大 器電子槍，提供和高頻場進行互作用的電子束。
如圖1所示，圖1為迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍的結構示
意圖，其中，l為陰極，2為第一陽極，3為第二陽極，4為陶瓷絕緣段， 5為前聚焦極，6為後聚焦極。
請參照圖1，迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍提供的電子注， 從陰極發射出來進入絕熱壓縮段之前，要經過第一陽極和第二陽極加速。 理論上這個區域僅有靜電磁場沒有高頻場，不會對電子注有任何預調製。 然而這個結構是個類似同軸腔結構，在第一陽極外側面與第二陽極相對形 成同軸TEM模，在第一陽極和第二陽極間隙處，容易形成rM。，或rM,，模 式，完全會對迴旋管放大器穩定工作造成危害，因而必須加以抑制。

發明內容
(一) 要解決的技術問題
有鑑於此，本發明的主要目的在於提供一種抑制迴旋管放大器雙陽極 磁控式注入電子槍區振蕩的方法，以抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式注入 電子槍區的振蕩，避免對迴旋管放大器穩定工作造成的危害。
(二) 技術方案為達到上述目的，本發明提供了一種抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式 注入電子槍區振蕩的方法，該方法包括
對第一陽極外側壁金屬表面進行粗糙化處理；
在粗糙化後的第一陽極外側壁金屬表面塗一層衰減材料；
將塗有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫燒結。
上述方案中，所述對第一陽極外側壁金屬表面進行粗糙化處理，是在 第一陽極外側壁金屬表面進行打毛。
上述方案中，所述在第一陽極外側壁金屬表面塗的一層衰減材料為 FeSiA，或者為能夠抑制高頻振蕩的無磁性衰減材料。
上述方案中，所述將塗有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫燒結，是將 塗有衰減材料的樣品放入氫爐中在1000 。C下進行燒結。
(三)有益效果 從上述技術方案可以看出，本發明具有以下有益效果
本發明通過對第一陽極外側壁金屬表面進行粗糙化處理，然後在粗糙 化後的第一陽極外側壁金屬表面塗一層衰減材料，並將塗有衰減材料的樣 品放入氫爐中高溫燒結，有效地抑制了迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電 子槍區的振蕩，避免了對迴旋管放大器穩定工作造成的危害。


圖1是迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍的結構示意圖2是本發明提供的抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區振
蕩的方法流程圖3是雙陽極磁控式注入電子槍第一陽極表面粗糙化的示意圖4是雙陽極磁控式注入電子槍塗衰減前的振蕩模式示意圖5是採用本發明對迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區振蕩進
行抑制後的示意圖6是本發明第一陽極燒結衰減材料後的示意圖。
具體實施方式
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實 施例，並參照附圖，對本發明進一步詳細說明。
請參照圖1，本發明根據場結構在第一陽極外側面與第二陽極形成同
軸場這一特點，在此處加衰減抑制TEM模，消除陽極間隙處的TM模。 如圖2所示，圖2為本發明提供的抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式注
入電子槍區振蕩的方法流程圖，該方法包括
步驟1、對第一陽極外側壁金屬表面進行粗糙化處理；
步驟2、在粗糙化後的第一陽極外側壁金屬表面塗一層衰減材料；
步驟3、將塗有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫燒結。
上述步驟1中對第一陽極外側壁金屬表面進行粗糙化處理，是在第一
陽極外側壁金屬表面進行打毛，具體如圖3所示。
上述步驟2中在第一陽極外側壁金屬表面塗的一層衰減材料一般為 FeSiAl，但衰減材料並不限於FeSiAl衰減材料，還可以為其它能夠抑制高 頻振蕩的無磁性衰減材料。另外，雖然FeSiAl衰減材料有磁性，但在這個 特殊位置使用不會對電子軌跡產生破壞。材料本身處在陰極相對的位置， 背景溫度會達到幾百度，雖未達到材料的居裡點，但退磁的作用會存在； 再者材料厚度有限，磁性較弱，同時陰極區磁場很強，大於1000高斯， 那麼衰減材料磁性作用就很有限了。圖4和圖5分別示出了雙陽極磁控式 注入電子槍塗衰減前的振蕩模式示意圖以及採用本發明技術方案對迴旋 管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區振蕩進行抑制以後的示意上述步驟3中將塗有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫燒結，是將塗有 衰減材料的樣品放入氫爐中在100(TC下進行燒結。具體如圖6所示，圖6 是本發明第一陽極燒結衰減材料後的示意圖。
經過這種衰減方法，陽極間隙處的TM模場被排除掉了，對同軸模也 起了抑制作用。
以上所述的具體實施例，對本發明的目的、技術方案和有益效果進行 了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的具體實施例而 己，並不用於限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所做的任何修 改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1、一種抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區振蕩的方法，其特徵在於，該方法包括對第一陽極外側壁金屬表面進行粗糙化處理；在粗糙化後的第一陽極外側壁金屬表面塗一層衰減材料；將塗有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫燒結。
2、 根據權利要求1所述的抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子 槍區振蕩的方法，其特徵在於，所述對第一陽極外側壁金屬表面進行粗糙 化處理，是在第一陽極外側壁金屬表面進行打毛。
3、 根據權利要求1所述的抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子 槍區振蕩的方法，其特徵在於，所述在第一陽極外側壁金屬表面塗的一層 衰減材料為FeSiAl，或者為能夠抑制高頻振蕩的無磁性衰減材料。
4、 根據權利要求1所述的抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子 槍區振蕩的方法，其特徵在於，所述將塗有衰減材料的樣品放入氫爐中高 溫燒結，是將塗有衰減材料的樣品放入氫爐中在100(TC下進行燒結。
全文摘要
本發明公開了一種抑制迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區振蕩的方法，該方法包括對第一陽極外側壁金屬表面進行粗糙化處理；在粗糙化後的第一陽極外側壁金屬表面塗一層衰減材料；將塗有衰減材料的樣品放入氫爐中高溫燒結。利用本發明，有效地抑制了迴旋管放大器雙陽極磁控式注入電子槍區的振蕩，避免了對迴旋管放大器穩定工作造成的危害。
文檔編號H01J9/02GK101599401SQ200810114538
公開日2009年12月9日 申請日期2008年6月6日 優先權日2008年6月6日
發明者劉濮鯤, 張世昌, 徐壽喜, 偉 顧 申請人:中國科學院電子學研究所