提高熱轉印圖案解析度的方法

2023-06-24 23:57:51 2

專利名稱：：提高熱轉印圖案解析度的方法
技術領域：
：本發明得到美國政府支持，根據協議70NANB2H03032，由NISTAdvancedTechnologyProgram(NIST先進技術計劃)授予。美國政府在本發明中具有確定的權利。發明領域本發明涉及用粘結層提高成像熱轉印接收體上熱轉印圖案解析度的方法。本發明可用於形成電路和顯示配件。
背景技術：
：熱轉印方法的應用眾所周知，如作為染料和/或顏料層乾式轉印或印刷方式的彩色打樣。此類熱轉印方法通常用雷射引起材料的圖像熱轉印。雷射引起的熱轉印方法通常用施予元件(包括待轉印的材料層，本文稱為轉印層)和接收元件(包括接收轉印材料的表面)。施予元件或接收元件的基底透明，或者兩者都透明。使施予元件和接收元件緊密靠近或者相互接觸，選擇性暴露於雷射照射(通常用紅外線雷射)。在轉印層的暴露部分產生熱能，導致那些部分的轉印層轉印至接收元件的表面上。如果轉印層的材料不吸收入射的雷射照射，則施予元件除了轉印層之外，應當包括加熱層，也稱為光熱轉化(LTHC)層或轉印輔助層。在典型的雷射引起數字熱轉印方法中，暴露只在某一時間在組件中小的、選擇區域內發生，以便可在某一時間在一個區域上將材料從施予元件轉印至接收元件上。所述區域可以是像素、像素一部分或多個像素。電腦控制促進高速和高度分辨地轉印。或者，在類似方法中，照射整個組件，用掩模選擇性暴露熱成像層的所需部分，例如參閱US5,937,272。對可印刷電子技術的特別需要包括熱成像絕緣層、傳導金屬層、傳導聚合物層、著色層、半導體層和發光層等。熱印刷這些不同的層需要非常有效和乾淨的轉印方法，以便最終提供質量可靠的功能電子器件。在一些情況下，根據施予和接收元件的性質和轉印方法參數，當熱轉印後施予元件和接收元件分開時，接收元件既包括暴露部分，也包括一個或多個轉印層的一些非暴露部分。需要用一種方法提高熱轉印接收體上熱轉印圖案的解析度，通過除去各種轉印轉移層的非暴露部分實現，優選用幹法，即不用溶劑。發明概述本發明一方面是提高熱轉印圖案在成像熱轉印接收體上解析度的方法，其中成像熱轉印接收體包含具有一個或多個熱轉印層的暴露部分和非暴露部分的表面，所述方法包括(a)使所述表面與粘結層接觸，持續接觸時間段，以提供疊層；(b)使所述粘結層由疊層分離，得到處理的熱轉印接收體，所述處理的熱轉印接收體具有基本不含所述一個或多個熱轉印層的非暴露部分的表面。附圖簡述圖1A和1B是在本發明一些實施方案中用於形成TFT的熱成像介電施予體的橫斷面圖。圖2A是在本發明一些實施方案中用於形成TFT的具有梯度染料層的熱成像介電施予體的橫斷面圖。圖2B是在本發明一些實施方案中用於形成TFT的具有梯度納米微粒層的熱成像介電施予體的橫斷面圖。圖3A和3B是在本發明一些實施方案中用於形成TFT的熱成像金屬施予體的橫斷面圖。圖4A和4B分別是圖案化金屬施予元件120的未轉印部分和接收元件200上圖案化金屬轉印層的轉印部分的橫斷面圖。圖5A是未處理的成像的熱轉印接收體放大5倍的顯微照片，為50微米蛇形線圖案。圖5B是處理的成像的熱轉印接收體放大5倍的顯微照片，顯示根據本發明一個實施方案用粘結層處理後的50微米蛇形線圖案。圖6是用本發明一個實施方案形成的TFT的橫斷面圖。詳述除非另外具體限定，否則本文術語「丙烯酸的」、「丙烯酸樹脂」、「(甲基)丙烯酸樹脂」和「丙烯酸聚合物」是同義詞。這些術語指來自甲基丙烯酸和丙烯酸及其烷基酯和取代的烷基酯的烯化不飽和單體的常規聚合作用衍生的加成聚合物總類。該術語包括均聚物和共聚物。該術語具體包括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸縮水甘油酯的均聚物和共聚物。除非另外具體限定，否則本文術語共聚物包括兩種或多種單體聚合產生的聚合物，包括接枝共聚物。術語(甲基)丙烯酸包括甲基丙烯酸和丙烯酸。術語(甲基)丙烯酸酯包括甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯。術語「苯乙烯丙烯酸聚合物」、「丙烯酸苯乙烯」和「苯乙烯丙烯酸」是同義詞，包括上文描述的「丙烯酸樹脂」與苯乙烯和取代的苯乙烯單體如α-甲基苯乙烯的共聚物。用於本文時，術語「包含(comprises)」、「包括(includes)」、「具有(has)」或其任何其它變體，意欲指不排他地包涵。例如，包含一組元件的過程、方法、物品或裝置不一定只限於那些元件，而是可包括未清楚地列出或此類過程、方法、物品或裝置固有的其它元件。而且，除非清楚地表示相反含義，否則「或者」指「可兼的或」，而不是指「不可兼的或」。例如，下列任一項均滿足條件「A或B」A正確(或存在)且B錯誤(或不存在)，A錯誤(或不存在)且B正確(或存在)，A和B都正確(或存在)。而且，用「一種(a)」或「一(an)」描述本文描述的元件和配件。這只是為了方便起見，提供一般意義上的本發明範圍。這種描述應理解為包括一種或至少一種，單數也包括複數含義，除非另外清楚地顯示。除非另外限定，否則本文使用的所有專業和科學術語具有本發明所屬領域的技術人員通常理解的相同含義。與本文所述類似或等同的方法和材料可用於實施或測試本發明的實施方案，合適的方法和材料如下描述。本文提到的所有出版物、專利申請、專利及其它參考文獻都通過引用全部結合到本文中，除非引用具體段落。在存在矛盾的情況下，將以本說明書(包括定義)為主。此外，材料、方法、實施例只用於舉例說明，並非限制性。在本文未描述的範圍內，關於具體材料、加工操作和電路的許多細節是常規的，可參閱有機發光二極體顯示器、光檢測器、光電和半導體部件領域的教科書及其它來源。為了說明本發明在製造TFT及其它電子配件中的有效性，我們首先描述用於電子配件乾式轉印的多種熱轉印層和多層施予體和接收體。這裡術語「熱轉印層」包括納米微粒層、介電層、傳導聚合物層、電阻層、發光層、濾色層和附加轉印層，是在本文公開的熱轉印圖案形成方法中從熱轉印施予體轉移至熱轉印接收體的層。這裡術語「成像」和「圖案形成」是同義詞，「圖像」和「圖案」是同義詞。納米微粒和納米微粒層術語「納米微粒」或「納米微粒層」意欲包括納米微粒、納米棒、納米線、納米管和納米結構，其特徵在於平均最長尺寸為約5nm-約1500nm，優選約5nm-約500nm。其中微粒通常呈球形；納米微粒優選具有約5-約1500nm、更優選約5-500nm的平均粒度。提供「納米微粒」綜述和具體細節的科學文獻包括「NanoparticlesFromTheorytoApplication」G.Schmid，(Wiley-VCH，Weinheim，2004)和「NanoscaleMaterialsinChemistryK.J.Klabunde，(Wiley-Interscience，NewYork，2001)，通過引用結合到本文中。這些文獻提供關於納米微粒合成、行為和應用的理解。納米微粒可以是有機顆粒、無機顆粒或組合。例如，納米微粒可具有無機核心，和物理吸附至納米微粒上或與之化學結合的有機材料表面塗層(如果需要)。表面塗層無機納米微粒的方法在本領域眾所周知。許多納米微粒供應商使用未公開或專有的表面塗層作為分散助劑。在本說明書中，所有提到的納米微粒wt％意欲包括製造商可以作為分散助劑加入或不加入的未公開或專有的塗層。例如，雖然通常將商品銀納米粉視為100wt％銀，但可能存在未公開的分散劑。用於本發明的納米微粒層可以是電、磁或光學功能層，包括半導體層；電阻層；介電層；導體層；超導體層；光產生層，如發冷光、發光、發螢光或發磷光的層；電子產生層；空穴產生層；鐵電層；壓電層；鐵素體層；電光層；磁性層；光吸收層、反射層、衍射層、散射層、分散層、折射層或擴散層；和折光率調節層。用於形成導體納米微粒層的納米微粒包括導體顆粒如炭黑、碳納米管和金屬塗層的碳納米管；金屬顆粒如金、銀、銅、鐵、鎳、鈷、鉑、鈀、鉻、鉬、鎢、鉭、錫、銦、鑭、釓、釕、鈦、釔、銪、鎵、鋅、鎂、鋇、鈰、鍶、鉛和銻；摻雜和無摻雜的金屬氧化物顆粒，包括透明的導體氧化物如銦錫氧化物(ITO)、銻錫氧化物(ATO)、氧化錫、摻雜氟的氧化錫、氧化鋅、摻雜鋁的氧化鋅(AZO)和氧化鋅錫(ZTO)；其合金、其合成物及其核殼結構。優選導體納米微粒選自金、銀、銅及其合金；ITO、ATO和碳納米管。更優選平均最長尺寸約5nm-約1500nm的銀納米微粒，最優選平均粒度約200nm-約400nm的銀納米微粒。用於形成介電納米微粒層的納米微粒包括介電顆粒如二氧化矽、氮化矽、氧化鋁、鈦酸鹽、鋯酸鹽、鈮酸鹽、錫酸鹽、其它混合金屬氧化物、TiO2、Ta2O5、SrTiO3、BaTiO3、CaTiO3、PbTiO3、CaZrO3、BaZrO3、CaSnO3、BaSnO3、Al2O3、ZrO2、Bi4Ti3O12、BaMgF4、PbZrxTi1-xO3、PbMg1/3Nb2/3O3、Zr0.7Sn0.3TiO4、Zr0.4Sn0.66Ti0.94O4、CaZr0.98Ti0.02O3、SrZr0.94Ti0.06O3、BaNd2Ti5O14、Pb2Ta2O7、鈦酸鋇鋯、鈦酸鋇鍶、鈦酸鋇釹、鈮酸鉛鎂、鈮酸鉛鋅、鋯酸鉛、鈮酸鎘，鍶、鉛、鈣、鎂、鋅和釹的其它鈦酸鹽和鉭酸鹽，各種其它燒綠石及其它高極性無機材料。優選介電納米微粒選自鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鋇鍶、二氧化矽、氧化鋁和二氧化鈦。介電層用本發明製造TFT及其它電子器件的另一種可用材料是約1014ohm-cm或更大電阻率的介電層，所述介電層包含至少一層材料，在本文稱為層A，包含一種或多種選自下列的介電聚合物，選自下列的丙烯酸和苯乙烯聚合物丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠，溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物，及其組合；選自下列的雜原子-取代的苯乙烯聚合物部分氫化聚(4-羥基)苯乙烯、聚(4-羥基)苯乙烯，和聚(4-羥基)苯乙烯與(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯的共聚物，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基；酚-醛(共)聚物和(共)低聚物及其組合；和聚(乙酸乙烯酯)；以及基於層A的乾重計，約0.5wt％-約10wt％的一種或多種近-IR染料，其在層A內在約600-約1200nm範圍具有吸收最大值。本文術語介電聚合物包括均聚物、兩種或多種單體聚合產生的共聚物、衍生後(post-derivatized)(共)聚物(包括接枝(共)聚物)和低分子量均聚物或共聚物。聚合物可以是直鏈、支鏈、超支化或樹枝狀。層A的優選介電聚合物包括丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠，包含(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基。這些乳膠基聚合物的優選任選單體包括(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羥乙酯和(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。更優選的丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠選自乳膠A，本文限定為一種或多種包含至少約85wt％、優選至少約90wt％且更優選至少約95wt％選自下列的單體的乳膠樹脂(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基。這些乳膠樹脂的優選任選單體包括優選至多約5wt％的(甲基)丙烯酸、優選至多約10wt％的(甲基)丙烯酸羥乙酯和優選至多約5wt％的(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。優選乳膠的平均粒度小於約150nm，更優選小於約100nm，酸值小於約100，優選小於約75，且更優選小於約25。具有高電阻率(大於1014ohm-cm)的層A特別優選的聚合物是丙烯酸乳膠B和苯乙烯-丙烯酸乳膠C及其組合。丙烯酸乳膠B在本文限定為一種或多種包含至少約85wt％、優選至少約90wt％且更優選至少約95wt％選自下列的單體的丙烯酸乳膠甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸丁酯。苯乙烯-丙烯酸乳膠C在本文限定為一種或多種包含至少約85wt％、優選至少約90wt％且更優選至少約95wt％選自下列的單體的苯乙烯-丙烯酸乳膠甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯和苯乙烯。丙烯酸乳膠B和苯乙烯-丙烯酸乳膠C的優選任選單體選自優選至多約5wt％的(甲基)丙烯酸，優選至多約10wt％的甲基丙烯酸羥乙酯和優選至多約5wt％的甲基丙烯酸縮水甘油酯。用作介電聚合物的丙烯酸和苯乙烯丙烯酸乳膠的商品實例包括95和1915(共)聚物(JohnsonPolymer)。合成合適的乳膠聚合物的方法已報導於WO03/099574。層A的其它優選介電聚合物包括溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物。本文術語「溶液-基」指可溶於溶劑的物質，所述溶劑如水和/或一種或多種常用有機溶劑，包括醇，如乙醇和丁氧基乙醇；醚，如二甲氧基乙烷；酯，如乙酸乙酯和乙酸丁酯；酮，如丙酮和2-丁酮；和芳族烴，如二甲苯。優選溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物的Mw小於約100,000、優選小於50,000且更優選小於30,000。而且，優選溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物的酸值小於約250。優選溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物包含選自(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸苄基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯的單體，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基。這些溶液基聚合物的優選任選單體包括(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸羥乙酯。特別優選的層A材料是丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠與上文描述的水基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物的組合。基於組合的乾重計，優選組合包含約20wt％-約80wt％、更優選約40wt％-約80wt％丙烯酸或苯乙烯-丙烯酸乳膠部分和約20wt％-約80wt％、更優選約20wt％-約60wt％水基丙烯酸或苯乙烯-丙烯酸聚合物部分。層A的其它優選介電聚合物包括雜原子取代的苯乙烯聚合物，選自部分氫化聚(4-羥基)苯乙烯、聚(4-羥基)苯乙烯(PHS)以及PHS與(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯的共聚物，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基。特別優選共聚單體是甲基丙烯酸羥乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯和苯乙烯，尤其優選甲基丙烯酸羥乙酯和丙烯酸丁酯。PHS(共)聚物可以是直鏈或支鏈。當使用PHS均聚物時，優選分支結構。這類優選(共)聚物具有小於約30,000，優選小於約20,000且更優選小於約10,000的Mw。部分氫化的PHS指被氫化至聚合物內不飽和性的至多約50當量％的PHS聚合物，優選聚合物被氫化至約10-20當量％。商品實例包括PHS-B(支鏈PHS均聚物；DuPontElectronicTechnologies，Dallas，TX)、MarukaLyncurCMM(與甲基丙烯酸甲酯的PHS共聚物；MaruzenPetrochemicalCo.，LTD.Tokyo，Japan)、MarukaLyncurCHM(與甲基丙烯酸羥乙酯的PHS共聚物；Maruzen)、MarukaLyncurCBA(與丙烯酸丁酯的PHS共聚物，Maruzen)、MarukaLyncurCST15、50和70(與苯乙烯的PHS共聚物，Maruzen)和MarukaLyncurPHM-C(部分氫化的PHS，Maruzen)。層A的其它優選介電聚合物包括選自下列的聚合物酚-醛(共)聚物/(共)低聚物及其組合。這類的優選(共)聚物/(共)低聚物衍生自選自下列的單-和雙-酚類及單-和雙-醛類酚；烷基-和芳基-取代的酚；甲醛；和烷基-、芳基-和雜原子-取代的醛類。酚-醛樹脂還可被進一步衍生，例如將羥基轉化為醚基。這類的優選(共)聚物/(共)低聚物具有約20,000或以下、優選約10,000或以下的Mw。商品實例包括樹脂(SchenectadyInternationalInc.，SchenectadyNewYork)。層A的其它優選介電聚合物包括聚(乙酸乙烯酯)均聚物。這類的優選聚合物具有約100,000或以下的Mw。可將上述聚合物增塑以改善柔韌性、粘附力、與IR染料的相容性及其它特徵。在某些情況下，增塑劑可選自以上種類的聚合物。例如，可使較高Tg或較高分子量(MW)酚-醛聚合物與較低Tg或較低MW酚-醛聚合物摻合。另一種實例是與酚-醛聚合物摻合的PHS。一些上述種類聚合物的合適增塑劑實例包括聚乙二醇、聚氧乙基甘油醚(glycerolethoxylate)、二苯甲酸二乙二醇酯(di(ethyleneglycol)dibenzoate)和鄰苯二甲酸酯基增塑劑如鄰苯二甲酸二丁酯。多種可能適合各種聚合物的增塑劑及其使用細節可參閱以下文獻＂HandbookofPlasticizers，＂Ed.G.Wypych，ChemTecPublishing，Toronto.Ont.2004。基於層A的乾重計，層A包含約0.5wt％-約10wt％、更優選約0.5wt％-約6wt％的一種或多種近IR染料，在層A內最大吸收約600-約1200nm。優選選擇近IR染料以便其吸收帶與用於轉印方法的暴露雷射(exposurelaser)的發射帶重疊。通常，暴露雷射發出近IR範圍內的光。優選染料種類是選自下列的菁(cyanine)化合物吲哚菁、酞菁(包括多取代的酞菁和含金屬的酞菁)和份菁。特別優選的近IR染料是吲哚菁染料，優選在約830nm吸收。在830nm附近吸收且可溶於不同溶劑和水中的多種合適的吲哚菁染料購自H.W.SandsCo.及其它來源。本發明的優選近IR染料選自3H-吲哚鎓、2-[2-[2-氯代-3-[(1，3-二氫-1，3，3-三甲基-2H-吲哚-2-亞基)亞乙基]-1-環戊烯-1-基]乙烯基]-1，3，3-三甲基-、與三氟甲磺酸(1:1)的鹽(CAS號[128433-68-1])；2-(2-(2-氯-3-(2-(1，3-二氫-1，1-二甲基-3-(4-磺基丁基)-2H-苯並[e]吲哚-2-亞基)亞乙基)-1-環己烯-1-基)乙烯基)-1，1-二甲基-3-(4-磺基丁基)-1H-苯並[e]吲哚鎓、內鹽、游離酸(CAS號[162411-28-1])；以及式(I)和(II)及其共振結構對應的3-氮茚(indolenine)染料。材料中優選染料水平將產生約0.2或更大的薄膜OD，優選OD為約0.5-約1.5。為了獲得優選OD，未填充的水基乳膠系統通常將需要約4-6wt％的較高染料負載。未填充的溶液基系統通常將需要約0.5-2wt％的較低染料負載。在另一個實施方案中，介電層可包含兩個或多個層A，其為梯度染料層，各梯度染料層獨立以約0.5-約10wt％的近IR染料乾重wt％為特徵；其中至少一個梯度染料層具有較低wt％的近IR染料，至少一個梯度染料層具有較高wt％的近IR染料，近IR染料的所述較高wt％值比近IR染料的較低wt％高至少20％。在另一個實施方案中，基於層A的乾重計，層A還可包含約10-約90wt％高κ納米微粒部分，所述納米微粒部分具有大於約20的介電常數和約5nm-約500nm的平均粒度。這裡高κ介電納米微粒部分指介電常數為約20和20以上、優選約30和30以上且更優選約100和100以上的納米微粒。實施本實施方案的優選介電聚合物選自丙烯酸和苯乙烯-丙烯酸乳膠、溶液基丙烯酸和苯乙烯-丙烯酸(共)聚物及其組合；酚-醛(共)聚物/(共)低聚物；如上文描述。實施本實施方案的優選高κ介電納米微粒選自鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鋇鍶和二氧化鈦。在另一個實施方案中，介電層可包含兩個或多個層A，其為梯度納米微粒層，各梯度納米微粒層獨立以約10-約90wt％的高κ納米微粒部分乾重wt％為特徵；其中至少一個梯度納米微粒層具有較低wt％的高κ納米微粒部分，至少一個梯度納米微粒層具有較高wt％的高κ納米微粒部分，高κ納米微粒部分的所述較高wt％值比較低wt％高至少20％。在另一個實施方案中，介電層還可包含含有一種或多種介電聚合物的附加介電層，本文稱為層B，其特徵在於約1014ohm-cm或更大的電阻率。多種介電聚合物可參閱WO03/052841和WO06/024012。層B的優選介電聚合物選自丙烯酸和苯乙烯聚合物，選自丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠，溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物，及其組合；雜原子-取代的苯乙烯聚合物，選自部分氫化聚(4-羥基)苯乙烯、聚(4-羥基)苯乙烯和聚(4-羥基)苯乙烯與(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯的共聚物，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基；酚-醛(共)聚物和(共)低聚物及其組合；和聚(乙酸乙烯酯)，如上文描述。本實施方案還可包括上文公開的其它實施方案。層B的優選任選添加劑包括炭黑和高κ納米微粒，實施本實施方案的優選高κ介電納米微粒選自鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鋇鍶和二氧化鈦。用於製造TFT的另一種材料是電阻率為1014ohm-cm或更大且包含至少一層本文稱為層C的材料的介電層，層C包含一種或多種選自下列的介電聚合物丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠；包含至少約85wt％選自下列的單體(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基。本實施方案還可包括上文公開的其它實施方案。在一個實施方案中，層C還包含至多約90wt％層C乾重的高κ納米微粒部分，所述納米微粒部分的介電常數大於約20，平均粒度為約5nm-約500nm。層C的優選任選添加劑包括炭黑和高κ介電納米微粒，實施本實施方案的優選高κ介電納米微粒選自鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鋇鍶和二氧化鈦。用於層A、層B和層C的介電聚合物的Tg範圍為約-30-約150℃，優選約20-約90℃，最優選約30-約70℃。通常，添加填充劑使能夠使用較低Tg的聚合物，添加增塑劑使能夠使用較高Tg聚合物。介電層本身及用於介電層的各層(包括層A、層B和層C)的優選Tg為約30-約100℃，優選約40-約85℃，最優選約45-約65℃。層A、層B和層C可包括添加劑如填充劑、表面活性劑、消泡劑、分散劑和助磨劑。適合用於本目的的多種表面活性劑、消泡劑、分散劑和助磨劑可市售獲得。通常將根據觀察到的塗布和分散質量以及熱轉印方法中介電層與其它層的所需粘附力選擇。在某些實施方案中，表面活性劑包括矽氧基-、芴基-、烷基-和炔基-取代的表面活性劑。這些包括(BykChemie)、(DuPont)、(Dow)、(AirProducts)和(AirProducts)表面活性劑。優選表面活性劑是346和348以及和FSN。在某些實施方案中，消泡劑包含烷基和炔基官能團，包括消泡劑。在某些實施方案中，分散劑包括官能化聚合物、低聚物和單體，包括和分散劑。介電層及用於介電層的各層(包括層A、層B和層C)的優選厚度為約0.05-約10微米，優選約0.1-約5微米，更優選約0.2-約3微米。熱成像介電施予體可用多層熱成像介電施予體和熱轉印方法如本文公開製備TFT及其它電子器件。多層熱成像介電施予體包含基膜；和包含至少一層上文描述的層A或層C的介電轉印層，其中介電轉印層的特徵在於1014ohm-cm或更大的電阻率。在不同形式中，熱成像施予體可包括插入基膜與介電轉印層之間的LTHC層、插入基膜與介電轉印層之間的夾層以及插入LTHC層與介電轉印層之間的夾層。在另一個實施方案中，介電轉印層還可包含一個或多個包含上文描述的層B的附加介電層。附加介電層可位於介電轉印層的下方和/或上方。熱成像施予體可任選包括本領域已知的其它層，例如抗靜電層可鄰近基膜並位於轉印層對側；打底層(primerlayer)、排出層(ejectionlayer)和/或底層(underlayer)可位於基膜與LTHC層之間；粘結層可鄰近介電轉印層，位於基膜對側。因此，熱轉印施予體可包括夾層、打底層、釋放層、排出層、絕熱層、底層、粘結層、溼潤層和減光層。圖1A是用於本發明一些實施方案的熱成像施予體100的橫斷面圖。熱成像施予體100包含介電轉印層106和支持熱成像施予體100其它層的基膜102。基膜102包含柔韌的聚合物膜，優選是透明的。基膜102的合適厚度為約25μm-約200μm，但可用更厚或更薄的支持層。可用本領域已知的標準方法拉伸基膜以產生定向膜，可在拉伸方法完成之前將一個或多個其它層如LTHC層塗在基膜上。優選基膜選自聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、三乙醯基纖維素、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚醯亞胺，特別優選PET。光熱轉化層(LTHC)熱成像施予體可具有LTHC層108，插入基膜與介電轉印層106之間，如圖1B顯示。LTHC層108用於照射誘發的熱轉印，以將發光源照射的光能偶合入熱轉印施予體內。通常，LTHC層(或其它層)的輻射吸收劑吸收電磁波譜紅外區、可見區和/或紫外區的光，將吸收的光轉化為熱。輻射吸收劑通常高度吸收，提供在成像照射波長0.1-3或更高(優選0.2-2)的光密度(OD)。合適的照射吸收材料可包括例如染料、顏料、金屬、金屬化合物、金屬膜及其它合適的吸收材料。LTHC層的合適輻射吸收劑和基料在本領域眾所周知，眾多目錄和參考文獻可參閱PCT/US05/38010、PCT/US05/38009、US6,228,555B1、Matsuoka，M.，＂InfraredAbsorbingMaterials＂，PlenumPress，NewYork，1990和Matsuoka，M.，AbsorptionSpectraofDyesforDiodeLasers，BunshinPublishingCo.，Tokyo，1990；其通過引用結合到本文中。金屬輻射吸收劑也可用作LTHC層，無論呈顆粒或薄膜形式，如公開於通過引用而結合到本文中的美國專利5,256,506。鎳和鉻是LTHC層108的優選金屬，特別優選鉻。加熱層可使用任何其它合適金屬。優選LTHC層包含一種或多種選自下列的水溶性或水分散性輻射吸收菁化合物吲哚菁、酞菁(包括多取代的酞菁和含金屬酞菁)和份菁；和一種或多種選自下列的水溶性或水分散性聚合物基料丙烯酸樹脂、親水聚酯、磺酸聚酯和馬來酸酐均聚物和共聚物。用於各種實施方案的優選施予體是其中介電轉印層包含兩層或多層為如上描述的梯度染料層的層A的施予體。圖2A舉例說明本實施方案，其中介電層106A和106B是梯度染料層。用於各種實施方案的另一種優選施予體是其中介電轉印層包含兩層或多層為如上描述的梯度納米微粒層的層A的施予體。圖2B舉例說明本實施方案，其中介電層106C和106D各自是梯度納米微粒層。用於各種實施方案的另一種優選施予體是其中介電轉印層包含兩層或多層材料的施予體，所述材料層在上文描述範圍內，在近IR染料負載和高κ納米微粒部分方面都是梯度層。用於各種實施方案的另一種優選施予體包括包含一層或多層層A和一層或多層層B的介電轉印層。多層熱成像介電施予體可如下製備使介電聚合物、近IR染料和任選高κ納米微粒部分分散和/或溶解於合適的揮發性載體流中，得到溶液或混懸液；將溶液或混懸液塗布在合適的基質上，去除載體流。揮發性載體流通常是水、有機溶劑、氣態物質或其一些組合，經選擇，與組合物的各組分相容。實例包括水、低級醇(如乙醇)、脂族和芳族烴(如己烷、環己烷和二甲苯)；醚(如二丁醚)；醚醇(如2-甲氧基乙醇)；酯(如乙酸丁酯)；和脂族和芳族烴(如1，2-二氯乙烷)。組合物中可存在低分子量低聚物和小分子，用作加工助劑，包括上文列出的分散劑和表面活性劑。可通過產生均勻層(或必要時為圖案化層或不均勻層)的任何方法應用溶液或混懸液。可使用塗布(包括棒塗(rodcoating)、擠出塗布、凹版塗布和旋塗)、噴霧、印刷、刮板(blading)或刮塗(knifing)。優選方法是塗布和噴霧。許多商品塗布機、裝置(如塗層棒和刮板)和印表機可用於施用溶液或混懸液。允許載體流蒸發以得到介電層。可通過任何常規乾燥方法(包括用熱和真空)乾燥介電層。金屬組合物用於使用本發明製造TFT和其它電子器件的另一種材料是金屬組合物(A)，所述組合物包含(1)基於金屬組合物總重量計，約65-約95wt％選自Ag、Cu及其合金的金屬粉；包含平均最長尺寸為約5nm-約1500nm的多種金屬顆粒；和(2)約5-約35wt％分散劑，包含一種或多種選自下列的樹脂傳導聚合物，選自聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚雜芳族亞乙烯基(polyheteroaromaticvinylenes)及其衍生物；和非傳導聚合物，選自丙烯酸和苯乙烯-丙烯酸乳膠，和溶液基丙烯酸和苯乙烯-丙烯酸(共)聚物，及其組合；乙烯與一種或多種選自(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、一氧化碳和(甲基)丙烯酸的單體的共聚物；聚乙酸乙烯酯及其共聚物。優選金屬組合物(A)包含約85-約95wt％金屬粉，優選平均粒度在100nm-約400nm之間。在一個優選實施方案中，金屬粉是銀金屬片，平均當量球直徑約100-約900nm。在本發明的不同方面，金屬組合物(A)包含96wt％或更多、更優選98wt％或更多上文列出的組分(1)和(2)。相對於常規組合物而言，金屬組合物(A)具有高金屬顆粒負載，不需要燃燒(firing)或燒去(burningoff)聚合物基料即可得到傳導層。銀是組合物的優選金屬粉。金屬粉很容易購自幾個公司，包括FerroCorp.，ElectronicMaterialsSystems，SouthPlainfield，NewJersey；Nanostructured&AmorphousMaterials，Houston，Texas；AdvancedMaterials，Farmington，CT；SumitomoMetalMiningCo.，Ltd..Tokyo，Japan；和MitsuiMiningandSmeltingCo.，Ltd.，Tokyo，Japan。「分散劑」指非揮發性有機或無機材料，在金屬組合物(A)中用作載體或基本介質。分散劑包括一種或多種下列組分聚合物、低聚物、表面處理劑、增塑劑、加工助劑如消泡劑、表面活性劑、穩定劑、塗布助劑、顏料、染料(包括近紅外染料)等。分散劑具有幾種功能，包括允許金屬顆粒分散，以便它們均勻地分布和用作傳導層；促進轉印性能，特別是在熱轉印方法中金屬轉印層與施予元件和熱成像接收體的相對粘附力。分散劑還可促進轉印層的功能特性。例如，分散劑可以是傳導聚合物。除非特別指出，否則分散劑的性質指完全配製的分散劑製劑的整體性質。優選分散劑是Tg為約-30℃-約90℃、更優選約30℃-約70℃的聚合物。在金屬組合物(A)中用作分散劑的聚合物包括傳導性有機聚合物及這些聚合物的摻雜體，如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚雜芳族亞乙烯基、聚呋喃、聚(對亞苯基)、聚(亞苯基亞乙烯基)、聚異硫雜環烷(polyisothianaphthene)、聚對苯硫醚及其衍生物。優選衍生物屬於一種或多種以下類型(a)穩定的傳導聚合物如聚苯胺(PANI)和聚亞乙基二氧基噻吩(polyethylenedioxythiophene)(PEDOT)；(b)用標準塗布技術成膜的溶解性或分散性傳導聚合物，包括PANI、PEDOT；及傳導聚合物的其它烷基-或烷氧基-取代的衍生物如聚(2，5二烷氧基)對亞苯基亞乙烯基和聚(3-己基)噻吩；和(c)摻雜後具有高傳導性的傳導聚合物。優選傳導聚合物選自聚苯胺；聚噻吩；聚吡咯；聚雜芳族亞乙烯基；及其衍生物；基於金屬組合物(A)的乾重計，優選在1-約5wt％水平。在金屬組合物(A)中用作分散劑的其它聚合物是上文對介電層(包括層A和層B)限定的聚合物。優選聚合物選自丙烯酸和苯乙烯-丙烯酸乳膠以及溶液基丙烯酸和苯乙烯-丙烯酸的(共)聚物(包括無規和接枝共聚物及其組合)；乙烯與一種或多種單體的共聚物，所述單體選自(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯、一氧化碳和(甲基)丙烯酸；聚乙酸乙烯酯及其共聚物；和聚乙烯吡咯烷酮及其共聚物，包括聚乙烯吡咯烷酮-乙酸乙烯酯。優選在該組內溶劑溶解性聚合物的特徵在於約10,000-約200,000的Mw。基於分散劑總重量計，分散劑可包含至多約10wt％一種或多種樹脂添加劑，所述樹脂添加劑選自顏料、染料和傳導顆粒，所述傳導顆粒選自炭黑、碳納米管和改性金屬和金屬合金粉。優選改性金屬是Au和Pd。基於分散劑總重量計，優選組合物包含0.5wt％-約10wt％，平均粒度大於5nm且小於約1500nm的傳導添加劑。最優選傳導添加劑是炭黑和碳納米管。在分散劑中用作加工助劑的低分子量低聚物和小分子包括表面活性劑，例如包括矽氧基-、芴基-、烷基-和炔基-取代的表面活性劑。這些包括(BykChemie)、(DuPont)、(Dow)、(AirProducts)和(AirProducts)表面活性劑。優選表面活性劑是X-114、163、345、346和348和FSO和FSN。通常通過用揮發性載體流使金屬粉和分散劑混合得到流體分散體製備金屬組合物(A)。揮發性載體流通常是水、有機溶劑、氣態物質或其一些組合。選擇與金屬顆粒和所用任何任選分散劑相容的揮發性載體流。揮發性載體流實例包括水、低級醇(如乙醇)、脂族和芳族烴(如己烷、環己烷和二甲苯)；醚，如二丁醚；醚醇，如2-甲氧基乙醇；酯，如乙酸丁酯；和脂族和芳族滷烴，如1，2-二氯乙烷。熱成像金屬施予體可用於製備TFT及其它電子器件。在不同實施方案中，熱成像金屬施予體包含(按分層順序)基膜、任選LTHC層、金屬轉印層(包含金屬組合物(A))和任選保護性可剝脫的覆蓋層。其它實施方案可包括一個或多個插入基膜與金屬轉印層之間和/或金屬轉印層上方的附加轉印層。可將一個或多個其它常規熱轉印施予元件層包含在用於本發明的熱成像金屬施予體內，包括但不限於夾層、打底層、釋放層、排出層、絕熱層、底層、粘結層、溼潤層和減光層。圖3A是用於製備TFT的熱成像金屬施予體120的橫斷面圖，包含基膜122和金屬轉印層126(包含分散在基膜表面上的金屬組合物(A))。基膜122可如上描述。熱成像金屬施予體可具有如上描述插入基膜與金屬轉印層126之間的LTHC層128，如圖3B顯示。可用上文描述的金屬組合物(A)流體分散體，通過上文關於介電施予體描述的類似方法，製備熱成像金屬施予體。半導體可用於用本發明製造TFT的圖案化半導體層可包括多種半導體材料。合適的半導體包括並五苯、六噻吩(sexithiophene)、並四苯、聚亞噻吩基亞乙烯基(polythieneylenevinylene)、噻吩低聚物、苯並噻吩二聚體和聚乙炔。本發明各種實施方案的優選半導體層選自並五苯、化合物SC-H1和化合物SC-H2化合物SC-H1化合物SC-H2.化合物SC-H1，化合物SC-H2可通過使用掩膜的蒸汽沉積或通過印刷使半導體層沉積。熱轉印加工包含上文所述介電轉印層或金屬轉印層的熱成像施予體可用於用幹法熱轉印方法形成TFT。為了使用熱成像施予體，使施予體接觸熱成像接收體。接觸是指施予體非常靠近熱成像接收體，優選在幾微米內。可以例如通過預印刷的層、纖維或顆粒充當間隔物以提供施予體與接收體之間的控制的縫隙，使接收體偏離(offset)施予體。可用真空和/或壓力將施予元件100或120與接收元件200固定一起。或者，可通過在組件邊緣的層融合，將施予元件100或120與接收元件200固定一起。在轉印時，通過熱轉印將金屬層或介電層(至少一部分金屬或介電轉印層)和任選一個或多個附加轉印層的一部分轉移至熱成像接收體上，以形成圖案化層。可通過雷射介導的轉印方法完成熱轉印。在一個實施方案中，使施予元件100或120和接收元件200的組件，以將在接收元件上形成的所需圖案的圖像的曝光模式，選擇性暴露於熱能(優選採用雷射照射形式)。雷射照射被聚焦在待轉印的層與隨施予體保留的層之間的界面。例如，如果存在LTHC層，則雷射聚焦於LTHC層。用充分照射以獲得轉印層向接收體的所需轉印。可用多種發光源加熱熱轉印施予元件。至於類似技術(如通過掩膜暴露)，可使用高能光源(如氙閃光燈和雷射)。至於數碼成像技術，紅外線、可見光和紫外線雷射特別有用。根據施予元件構成、轉印層材料、熱轉印方式及其它此類因素，其它光源和照射條件可能合適。優選透過基膜102或122背側即不含轉印層的一側照射。優選雷射照射提供的雷射流量為至多約600mJ/cm2，更優選約75-440mJ/cm2。可使用不同類型的雷射器。雷射器優選在紅外線、近紅外線或可見光區發射。特別優選在750-870nm區域發射的二極體雷射器，其在小尺寸、低成本、穩定性、可靠性、耐用性和容易調節等方面提供實質性優點。最優選在780-850nm區發射的二極體雷射器。此類雷射器可購自例如SpectraDiodeLaboratories(SanJose，CA)。也可使用在其它波長帶發射的其它類型雷射和雷射器。用於在接收體上成像的一種設備是CreoSpectrumTrendsetter3244F，利用在近830nm發射的雷射器。該設備用SpatialLightModulator從～830m雷射二極體陣列分裂和調節5-50瓦特輸出。相關光學設備將該光聚焦在成像元件上。這在施予元件上產生0.1-30瓦特的成像光，聚焦成50-240條單獨光束的陣列，各自在約10×10-2×10微米點上具有10-200mW的光。每點可用單獨的雷射獲得類似曝光，如公開於US4,743,091。在這種情況下各雷射器在780-870nm發射50-300mW的電調控光。其它選擇包括發射500-3000mW和分別各自調控和聚焦在介質上的光纖耦合雷射器。此類雷射器可購自OptoPower，Tucson，AZ。在暴露之後，可將施予元件120例如與接收元件200分離，如圖4A和4B顯示，將圖案化金屬轉印層126的未轉印部分留在施予元件120上，將圖案化金屬轉印層126的轉印部分留在接收元件200上。在一些情況下，根據施予體和接收元件的性質以及轉印加工參數，當熱轉印後施予元件和接收元件分離時，接收元件既包括一個或多個轉印層的暴露部分也包括一些非暴露部分。圖5A是實施例10的50微米蛇形線圖案的未處理成像熱轉印接收體的放大5倍的顯微照片。值得注意兩點各線之間的狹縫仍然顯示存在非暴露部分材料；而且，由於存在非暴露碎屑所以許多線的邊緣粗糙不平。如本文公開，本發明的方法通過用幹法即不用溶劑，去除各種被轉印的轉印層的非暴露部分，改善在熱轉印接收體上的熱轉印圖案。因此，本發明的一個實施方案是提高熱轉印圖案在熱轉印接收體上解析度的方法，其中成像的熱轉印接收體包含表面，所述表面具有一個或多個熱轉印層的暴露部分和非暴露部分，所述方法包括(a)使所述表面與粘結層接觸，持續接觸時間段，得到疊層；(b)使所述粘結層由疊層分離，得到處理的熱轉印接收體，所述處理的熱轉印接收體具有基本不含所述一個或多個熱轉印層的非暴露部分的表面。圖5B是放大5倍的處理的成像熱轉印接收體的顯微照片，顯示用本發明方法的粘結層處理之後，實施例10的相同的50微米蛇形線圖案。值得注意兩處改進已經消除各線之間狹縫中轉印層的非暴露部分；並且已經消除粗糙線邊非暴露碎片，得到清楚的線邊。一個或多個熱轉印層的非暴露部分可為剝皮缺陷(peeldefect)的形式，在本文限定為與成像層的暴露部分一起轉印至接收體上的層的非暴露部分。這些剝皮缺陷與圖像的暴露部分相比，與接收體的粘附通常較弱。通過優化施予體配製、調節施予體乾燥時間和溫度、控制印刷間的溫度和相對溼度以及通過選擇接收體和通過各種表面處理調節其表面，可使這些剝皮缺陷減至最小和消除。通過短暫接觸粘性表面常可選擇性消除剝皮缺陷。接觸期為約0.01秒-幾分，優選1秒-10分，更優選1-90秒。在一個實施方案中，粘結層可包含聚合物基膜。優選基膜包含選自下列的聚合物材料聚(氯乙烯)、聚(乙烯)、聚(丙烯)、聚(碳酸酯)、聚對苯二甲酸乙二酯、三乙醯基纖維素、聚萘二甲酸乙二酯和聚醯亞胺，特別優選PET。優選粘結層包括聚合物-和金屬-塗層的基膜。在一個實施方案中，粘結層採用金屬化膜的形式，類似於上文描述的LTHC層，包含基膜和金屬化層作為粘結元件。可用於金屬化層的任何合適金屬包括Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Co、Ni、Pd、Cu、Ag、Au、Zn、Al、Ga、In、Ge、Sn、Sb和Bi；及其合金。優選金屬化層包含選自下列的金屬Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag和Al，及其合金。金屬化層的優選厚度是約40-約200埃，更優選約80-約100埃。另一種優選粘結層包含如上描述的基膜，和含一種或多種介電聚合物的粘結介電層。優選粘結介電層包含一種或多種選自下列的介電聚合物丙烯酸和苯乙烯聚合物，選自丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠，溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物，及其組合；雜原子-取代的苯乙烯聚合物，選自部分氫化聚(4-羥基)苯乙烯、聚(4-羥基)苯乙烯，和聚(4-羥基)苯乙烯與(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯的共聚物，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基；酚-醛(共)聚物和(共)低聚物及其組合；和聚(乙酸乙烯酯)。在一個實施方案中，粘結介電層包含選自下列的丙烯酸和苯乙烯聚合物丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠，溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物，及其組合。另一個實施方案是其中一種或多種介電聚合物選自丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠；包含至少約85wt％選自(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯的單體，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基。粘結層的商品實例是膠帶(3MCompany)，和膠粘輥(tackyroller)如中等粘性的DustRemovalSystem-1輥(SystemsDivision，Inc.，IrvineCA)。另外，粘結層可包含一種或多種近IR染料，在粘結層內具有約600-約1200nm的最大吸收，如上文關於層A的討論。可用輻射(優選用雷射器)曝光此類含近IR染料的粘結層，以控制層的溫度和粘性。在消除具有高顆粒負載的含顆粒層(如金屬納米微粒層和顏料層，如具有大於20wt％顆粒、更優選大於30wt％顆粒、最優選大於50wt％顆粒的此類層)的剝皮缺陷時，通常使用較強的粘結表面如Scotch膠帶或膠粘輥。在消除未填充或稍填充的層如聚合物基介電層或傳導聚合物層(如聚苯胺-基傳導層)的剝皮缺陷時，通常使用較弱的粘結表面，如本文公開的丙烯酸乳膠施予體和接收體表面或金屬化層表面。可如下完成粘結層與接收體表面的接觸，將接收體置於平坦的表面上或將其留在熱印機上，通過輕壓使膠粘輥在與接收體相對的粘結層側滾動，使圖案化接收體表面與粘結層接觸。或者，可將圖案化接收體置於印刷機上，可用真空建立與粘結層表面的接觸。然後可從成像熱轉印接收體上分離含有去除的剝皮缺陷的粘結層。如果需要，可接著印刷另外的層。術語「具有基本不含一個或多個熱轉印層的所述非暴露部分的表面」指大於約80％、優選大於90％、最優選大於98％的非暴露部分已從圖案化接收體去除，如用顯微鏡比較表面所評估。在一個實施方案中，接收體表面上的一個或多個熱轉印層包含以平均最長尺寸約5nm-約1500nm為特徵的納米微粒。納米微粒可以是上文標題為「納米微粒」部分公開的任何納米微粒。在優選實施方案中，納米微粒包含金屬粉，優選金屬粉選自Ag、Cu及其合金。在一個實施方案中，接收體表面上一個或多個熱轉印層包含下文標題為「薄膜電晶體」部分公開的傳導聚合物。在另一個實施方案中，一個或多個熱轉印層包含一種或多種選自下列的傳導聚合物聚苯胺；聚噻吩；聚吡咯；聚雜芳族亞乙烯基；及其衍生物；更優選傳導聚合物是聚苯胺。在一個實施方案中，一個或多個熱轉印層包含一種或多種介電聚合物。在另一個實施方案中，一個或多個熱轉印層包含一種或多種選自下列的介電聚合物丙烯酸和苯乙烯聚合物，選自丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠、溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物，及其組合；雜原子-取代的苯乙烯聚合物，選自部分氫化聚(4-羥基)苯乙烯、聚(4-羥基)苯乙烯，以及聚(4-羥基)苯乙烯與(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯的共聚物，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基；酚-醛(共)聚物和(共)低聚物及其組合；和聚(乙酸乙烯酯)。在另一個實施方案中，一個或多個熱轉印層包含一種或多種選自下列的介電聚合物丙烯酸和苯乙烯聚合物，選自丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠、溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物，及其組合。在另一個實施方案中，一個或多個熱轉印層包含一種或多種介電聚合物，選自丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠；包含至少約85wt％選自以下的單體(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基。在一個實施方案中，一個或多個熱轉印層包含顏料。優選顏料包括黑色顏料(包括石墨、炭黑和金屬氧化物(包括銅、銅-鈷合金和釕的氧化物))；彩色顏料，包括菁-、酞菁-、偶氮-、吡咯烷酮-和醌吖啶-基顏料如顏料綠7(PigmentGreen7)、顏料綠36(PigmentGreen36)、顏料藍15:16(PigmentBlue15:16)、顏料黃150(PigmentYellow150)、顏料黃83(PigmentYellow83)、顏料紫19(PigmentViolet19)和顏料紅254(PigmentRed254)；和白色顏料，包括二氧化鈦和較高κ顏料如鈦酸鋇、鈦酸鍶和鈦酸鋇鍶。薄膜電晶體TFT通常包括柵電極、柵電極上的介電層、靠近介電層的源和漏極，以及靠近介電層和靠近源和漏極的半導體層。關於通用參考文獻，參閱例如S.M.Sze，PhysicsofSemiconductorDevices，第2版，JohnWiley&Sons.NewYork(1981)492頁。這些組件可組裝成不同結構。通常在製造、測試和/或使用時將這些元件安裝在惰性襯底上。任選，襯底可為TFT提供電的功能。有用的襯底材料包括有機和無機材料。實施方案TFT的優選襯底選自聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、三乙醯基纖維素、玻璃和聚醯亞胺。在某些實施方案中，薄膜電極(即柵電極、源和漏極)可以是任何有用的導體材料。例如，柵電極可包含摻雜的矽或金屬(如鋁、鉻、金、銀、鎳、鈀、鉑、鉭或鈦)。還可使用導體聚合物，例如聚苯胺或聚(3，4-乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸酯)(PEDOT:PSS)。此外，可使用合金、組合以及多層這些材料。在一些TFT中，單種材料可充當柵電極和襯底。例如，摻雜的矽可充當柵電極並且還支持TFT。介電層通常覆蓋柵電極。介電層使柵電極與TFT器件的其餘部分絕緣。除上文具體限定的那些外，用於介電層的材料可包含任何無機電絕緣材料，如鍶酸鹽(strontiate)、鉭酸鹽、鈦酸鹽、鋯酸鹽、氧化鋁、氧化矽、氧化鉭、氧化鈦、氮化矽、鈦酸鋇、鍶鈦酸鋇、鋯鈦酸鋇、硒化鋅或硫化鋅。此外，這些材料的合金、組合和多層可用於介電層。通過介電層使源和漏極與柵電極分離，同時半導體層可位於源和漏極上方或下方。在某些實施方案中，源和漏極可以是任何充分傳導的材料(例如金屬，如鋁、鋇、鈣、鉻、金、銀、鎳、鈀、鉑、鈦或其合金)。還可用導體聚合物如聚苯胺、PEDOT:PSS及其組合和多層作為源和漏極。一些這些材料適合與n-型半導體材料使用，其它材料適合與p-型半導體材料使用，如本領域已知。薄膜電極可用幾種方式的任何一種提供，包括物理氣相沉積(如熱蒸發或濺射)和噴墨印刷。這些電極的圖案形成可通過已知方法完成，如掩膜、正照相平版(additivephotolithography)、負照相平版(subtractivephotolithography)、印刷、微接觸印刷或花樣塗布。提供薄膜電極的優選方法是金屬組合物(A)的熱轉印成像，如上文公開。在某些實施方案中，柵電極、源和漏極中至少一種電極包含傳導聚合物組合物。優選傳導聚合物(本文稱為傳導聚合物A)選自聚苯胺；聚噻吩；聚吡咯；聚雜芳族亞乙烯基；及其衍生物。高傳導聚合物以及摻雜傳導聚合物的方法的描述參閱以下文獻Bredas，J.-L.InHandbookofConductingPolymers；Skotheim，T.，Ed.；MarcelDekker，Inc.NewYork.1986；2卷.25章；MacDiarmid，A.G.Angew.Chem.Int.Ed.2001，40，2581-2590和Heeger，A.J-Angew.Chem.Int.Ed.2001，40，2591-2611、美國專利5,863,465和5,370,825(通過引用結合到本文中)，描述聚苯胺的傳導和半傳導性質。優選摻雜劑是有機酸，包括增塑酸。在一個實施方案中，可用摻雜劑(包括有機酸)和任選碳納米管精細地調節聚苯胺及其衍生物的傳導性，以提供合適的傳導水平，如描述於US2005/0116202，通過引用結合到本文中。優選傳導聚合物包含單壁碳納米管(SWNT)的聚苯胺分散體，優選約0.1-12wt％SWNT。優選用具有1-30個碳的有機質子酸進一步摻雜聚苯胺及其衍生物，所述酸的摩爾當量為聚合物主鏈中氮或硫原子的約25％-約100％。優選有機質子酸是二壬基萘磺酸(DNNSA)。在本實施方案中，聚苯胺是與SWNT和有機酸摻雜的優選傳導聚合物。可通過將一層或多層交互式地熱轉印至接收體上，用熱轉印金屬施予體和介電施予體製造本發明的TFT。圖6是熱成像接收體200的橫斷面圖，包含基膜202、基膜202上的圖案化柵電極206、柵電極206上的圖案化介電層208、介電層208上的圖案化源電極210和漏極212，以及接觸圖案化源和漏極的圖案化半導體層214。可用包含上文描述的金屬組合物(A)的熱轉印金屬施予體安置圖案化柵傳導層206和/或圖案化源和漏極210/212。可用包含上文描述的層A或層C的熱轉印介電施予體安置圖案化介電層208。可通過上文描述的各種方法實施方案改善每個熱成像步驟。本文提供的TFT器件的表徵可如下完成線性態(Vg＝Vsd)遷移率根據以下公式計算μsat＝(2L(d√Id/dVg)2)/(WCi)公式3閾電壓Vt在飽和態中測量。Id的平方根相對Vg示出。從曲線最陡峭部分向x軸外推直線得到Vt。消除剝皮缺陷特別有助於提高線解析度的質量，如器件(如觸摸墊、EMI屏蔽層、電晶體陣列)中的傳導線和顯示器中的濾色線。這種解析度的提高對改善器件的肉眼外觀和/或性能很重要。例如在觸摸墊和濾色器的情況下，線解析度對增強顯示器的視覺質量很重要。在電晶體陣列的情況下，剝皮缺陷橋聯源和漏極，導致電短路，如果不消除則從而降低產率。消除介電剝皮缺陷還有利於電晶體陣列，例如如果傳導線橫跨粘性較弱的介電剝皮缺陷，剝皮缺陷接著脫離接收體，將導致傳導線中斷與陣列的無功能區。材料除非另外標明，否則所得化學試劑無需純化即可使用。溶劑購自Aldrich和VWR，為試劑級純度或更高純度；如果可能則使用HPLC級，優選電子級溶劑。水是去離子水、Aldrich的HPLC級水或純化水。聚合物、增塑劑、IR染料和表面活性劑購自說明書列出的那些來源或購自Aldrich。顏料如炭黑分散體購自PennColor，Inc.，Doylestown，PA。所有的未加工(raw)聚酯膜購自DuPontTeijinFilms(Wilmington，DE)。銀納米微粒購自FerroCo.-ElectronicMaterialSystems；Nanostructured&AmorphousMaterials，Inc.，MitsuiCo.HiPco未加工碳納米管購自CarbonNanotechnologies，Inc..HoustonTX。KaptonHN購自DuPontDeNemours，Inc.(Circleville，OH)。3737(Water-ProofTransferSheet)購自DuPontDeNemours，Inc.(Towanda.PA)。塗布用購自R.D.Specialties，Inc.(RDS；Webster，NewYork)的不鏽鋼包裝(wrapped)和形成的0.5英寸直徑塗布棒和購自BuschmanCorporation(Cleveland，Ohio)的具有CN外形(CNprofile)的鍍鉻不鏽鋼形成的0.625英寸直徑棒，將轉印層及其它層塗在施予體和接收元件上。在即將塗布之前，用加壓氮氣流清除施予體的游離表面，以清除表面的顆粒汙染。在安放在光滑的玻璃表面上的施予體上手動拉伸塗層，或用DuPontDeNemoursInc.(Wilmington，DE)製造的ColorVersatility塗層系統(CV塗布器)機器塗布塗層。將塗層貯存於控制的溫度/溼度環境中，平均溫度為約68℃，平均相對溼度為約40-50％。施予體基質CrLTHC層。在真空沉積室中用鉻金屬塗布聚對苯二甲酸乙二酯基膜(PET，除非另外說明否則所有實施例均為50微米厚)。用或不用減光劑(670nm吸光劑)在PET膜上實施金屬化。以50％T和40％T塗布鉻層。在實施例中，這些施予體膜將稱為40％TCrPET施予體基質(substrate)和50％TCrPET施予體基質；用於不含減光劑的金屬化膜。有670nm吸光劑加入基膜中的施予體膜將稱為40％TCrBluePET施予體基質和50％TCrBluePET施予體基質。有機LTHC層。有機LTHC層按照上文提到的PCT/US05/38009實施例的製劑L所報導製備用下列材料製備LTHC塗層製劑(i)去礦物質水；894g；(ii)二甲氨基乙醇5g；(iii)Hampford染料822(HampfordResearch；分子式對應於SDA4927)10g；(iv)聚酯基料(binder)(AmertechPolyesterClear；AmericanInksandCoatingsCorp；ValleyForge；PA)65g30％水溶液；(v)TegoWetTM251(4)(聚醚改性聚矽氧烷共聚物，Goldschmidt)2.5g；(vi)二甲氨基乙醇乙基磷酸鉀14g的11.5％水溶液[11.5％水溶液如下製備合併3份水和0.5份乙基酸磷酸酯(ethylacidphosphate)(StaufferChemicalCompany，Westport，CTLubrizol，Wickliffe，OH)和充足的45％氫氧化鉀水溶液，得到pH為4.5，接著加入充足的二甲氨基乙醇以得到pH為7.5，最後用水稀釋以得到總計5份的11.5相對質量百分數的無水化合物的終水溶液]；(vii)交聯劑CymelTM350(高度甲基化的單體三聚氰胺甲醛樹脂，CytecIndustriesInc.，WestPaterson，NJ)10g20％溶液；和(viii)對甲苯磺酸銨2g10％水溶液。將配料(ii)和(iii)加入水中，攪拌至多24小時，然後按照顯示的順序加入其它配料。按照如下軸向(in-line)塗布技術施用製劑使聚合物基膜組合物熔體擠出，流延至冷卻的旋轉鼓上，在75℃的溫度向擠出方向拉伸至約為原尺寸3倍。然後在冷卻的拉伸膜一側塗布LTHC塗層組合物，得到約20-30μm的溼塗層厚度。用直接凹版塗布系統將塗層用於薄膜網(filmweb)。使60QCH凹版印刷輥(由Pamarco提供)旋轉通過溶液，使溶液鋪在凹版印刷輥表面上。凹版印刷輥旋轉的方向與薄膜網相反，在一個接觸點處將塗層應用於網。使塗層的膜穿入100-110℃溫度的拉幅爐內，其中將薄膜乾燥，向側方拉伸至約為其原尺寸3倍。用常規方法在約190℃溫度將雙軸拉伸的塗層膜熱固定。然後使塗層聚酯膜纏繞在輥上。終膜的總厚度為50微米；轉印輔助塗層的幹厚為0.07微米。PET支持層包含分散藍(DisperseBlue)60或溶劑綠(SolventGreen)28染料，得到的終染料濃度通常為基質層聚合物重量的0.2％-0.5％。包含分散藍60染料(0.26％重量)的聚合物組合物在670nm的吸光度為0.6±0.1，在830nm的吸光度<0.08。包含溶劑綠28染料(0.40％重量)的聚合物組合物在670nm的吸光度為1.2，在830nm的吸光度<0.08。這些施予體基質在本文稱為OrganicLTHCBluePET施予體基質和OrganicLTHCGreenPET施予體基質。TransferSheet3737；DuPont.Towanda)用作薄層的施予體基質。在即將塗在該基質上之前，去除聚乙烯覆蓋片以暴露片的釋放層。將塗層用在該釋放層上。介電測量通過使的水基介電體層疊在用10個鋁「指」預圖案化的玻璃基質上測試介電性質。然後使頂部鋁電極在基質的中心部分上蒸發以形成10個小電容器結構。通過用Agilent4294阻抗電橋測量40Hz-110MHz的複合導納確定介電常數。通過經該裝置施用小dc電壓(通常<5V)和用敏感的前置放大器測量通過薄膜的電流，測量總電阻率(bulkresistivity)。注意將測量限制在空間電荷限制的電流佔優勢之前I-V曲線的直線部分。導體電錶徵通過用已知的幾何學測量線的電阻獲得傳導線的片電阻(sheetresistance)和電阻率。用CascadeMicroTech(Beaverton，Oregon)探測站(probestation)AlessiREL-6100型和半導體參數分析儀AgilentTechnologies(PaloAlto，California)4155C型經過該線施用電流和測量線內兩個已知位置的電壓降。通常，電流範圍是1×10-5-1×10-5A以獲得mV-V範圍的電壓。用I-V曲線斜率和線幾何學獲得電阻、片電阻和電阻率。用這些數值可計算傳導率和傳導係數。電晶體電錶徵用常規技術在室溫下空氣中測量電晶體電性質，如顯示於S.M.Sze，PhysicsofSemiconductorDevices，442頁，JohnWileyandSons.NewYork，1981。用CascadeMicroTech(Beaverton，Oregon)探測站AlessiREL-6100型和半導體參數分析儀AgilentTechnologies(PaloAlto，California)4155C型獲得恆定的漏電壓的電流-柵電壓。通常，柵電壓範圍是+30至-50V，恆定的源-漏偏壓為-50V。用電流的平方根對柵電壓(漏電壓恆定)的圖確定飽和遷移率。用該圖直線部分的斜率確定跨導。用跨導、器件寬度和長度和具體的介電電容，計算電晶體飽和遷移率。熱成像儀器和施予體安裝用Creo800。Creo800是改良的鼓型成像儀，具有改良的Thermal1.7Head，具有830nm波長12.5瓦特的最大平均操作功率，5080dpi解析度。在控制溫度/溼度環境中操作800平均溫度為～68℃，平均相對溼度為～40-50％。每次印刷實驗時，將一部分熱成像接收體置於鼓上。加載熱成像施予體，以便塗有轉印層的施予元件的側面正對接收體的游離側。使成像組件由背側通過施予體膜基而曝光。用真空使薄膜安裝固定至機械地鉗在鼓上的標準塑料或金屬載體板上。在一些使用Creo800的實施方案中，使用非標準鼓(其具有直接機械加工在鼓上以匹配共同施予體和接收體大小的真空孔)代替標準鼓/載體板組件。用～600mmHg真空壓建立施予體與接收體之間的接觸。電腦控制雷射輸出以建立所需成像圖案。雷射功率和鼓速可控制，經反覆調節以優化圖像質量，通過肉眼觀察接收表面上的轉移圖像判斷。乳膠基料製備用表1報導的材料根據WO03/099574的方法製備用於製備某些施予體和接收元件的乳膠基料。組合物如表2顯示，通過報導於WO03/099574的分析方法表徵。單體和引發劑可市售獲得(AidrichChemicalCo.，Milwaukee，WI)，購得即可使用。表面活性劑是B-7，29wt％月桂基硫酸銨水溶液(StepanCo.，Northfield，IL)。鏈轉移劑。該材料按照描述於US5,362,826，Berge等的方法製備500升反應器配有回流冷凝器和氮氣。向反應器內裝入甲基乙基酮(42.5kg)和異丙基-雙(硼二氟二甲基乙二肟)鈷酸鹽(III)(isopropylbis(borondifluorodimethylglyoximato)cobaltate)(CoIIIDMG)(104g)，使內容物回流。用4小時將CoIIIDMG(26.0g)、甲基丙烯酸甲酯(260kg)和甲基乙基酮(10.6kg)混合物加入反應器內，在同一時間開始，用5小時將Vazo(DuPont，5.21kg)和甲基乙基酮(53.1kg)的混合物加入反應器內。添加後，使反應物再回流0.5小時。冷卻後，得到372kg的70wt％鏈轉移劑溶液(鏈轉移劑溶液)，直接用於聚合反應。表1.合成丙烯酸乳膠樹脂的材料HEMA甲基丙烯酸2-羥乙酯。表2.乳膠樹脂的組成和分析數據MMA甲基丙烯酸甲酯；BA丙烯酸丁酯；MAA甲基丙烯酸；HEMA甲基丙烯酸2-羥乙酯；GMA甲基丙烯酸縮水甘油酯。接收體在用作接收體之前清潔HN(5密耳；E.I.duPontdeNemoursCo.)基質，用甲醇漂洗，用無顆粒布擦拭，用幹氮氣流吹。用表面處理的5密耳ST504(DuPontTeijinFilms)作為接收體。根據WO03/099574(柔性接收體FR-1方法)的方法製備具有丙烯酸乳膠成像接收層的R-1、R-2和R-3PET接收體，用FSA作為表面活性劑將丙烯酸乳膠聚合物分散體槽模塗布在4密耳574基膜(DuPont-TeijinFilms)或4密耳471X(DuPont-TeijinFilms)上，550(乙烯乙酸乙烯酯共聚物.DuPont)釋放層位於丙烯酸圖像接收層與基膜DuPont)之間。丙烯酸乳膠聚合物的製備和組成如上文描述，接收體組合物如表3所示。表3.接收體材料製備含水介電層的一般方法通過合併指定量的水和任選3wt％氫氧化銨溶液製備水溶液。接著，將IR染料、四分之一水溶液，和任選消泡劑、表面活性劑和增塑劑合併在褐色玻璃容器內，充分混合。將任選第二種基料在容器中與四分之一水溶液一起稱重，充分混合。將任選填充劑(如炭黑、高κ納米微粒)在另一個容器中與四分之一水溶液一起稱重，充分混合。將基料在具有攪拌棒的大容器中稱重，加入任何剩餘的水溶液。將第二種基料分散體、IR染料分散體和填充劑分散體內容物緩慢加入攪拌的基料內。另外攪拌至少15分鐘後，將製劑過濾入褐色或塗箔容器內。將溶液注射穿過施予體片的末端，第二次過濾溶液，然後塗布。除非另外說明，否則用0.45微米孔徑注射濾器(25mmGD/XGlassMicrofiberGMF濾器，丙烯外殼；Cat.No.6894-2504Whatman，WhatmanInc.，Clifton，NewJersey)進行過濾，用具有BuschmanRod7CN的CV塗布器以9.8ft/min進行塗布。通常，用17.95總wt％固體溶液得到厚度為～2.3微米的膜。介電層組成用表4列出的組分製備包含苯乙烯-丙烯酸和丙烯酸組合物的介電層。用上文描述的方法測定這些介電體的電性質。Diel-4.(具有梯度染料層的三層介電施予體)利用CV塗布器，用CN-3棒以9.8ft/min將製劑Diel-4a(3mL)塗在40％TCrBlue施予體基質上，然後在45℃乾燥6分鐘。將該方法重複用於製劑Diel-4b和Diel-4c，將Diel-4b塗在Diel-4a上方，將Diel-4c塗在Diel-4b上方，得到具有梯度染料層的三層介電層。表4.苯乙烯-丙烯酸和丙烯酸介電層組成Wt％指固體在最終幹製劑中的wt％。縮寫OD-2.3微米膜的光密度；2BuOEthanol2-丁氧基乙醇；TEOE乙氧基三乙醇胺，購自Aldrich(目錄號416584)。材料丙烯酸乳膠組合物(LH和LL)如上描述。Joncryl95(J-95)是購自JohnsonPolymer的丙烯酸乳膠，Tg為43℃，酸值為70，Z-平均粒度為40.5nm。Pani-DNNSA-CNT施予體的配製和塗布Pani-7％(7％HiPcoCNT，Pani-DNNSA)在室溫下將HiPcoRawCNT(0.1225g)、163(0.066g，BYKChemie)和二甲苯(27.612g)的混合物在具有聲處理探針的水浴(DukaneCo.Model40TP200，TransducerModel41C28)中處理10分鐘，在此期間每間隔5分鐘用刮勺輕輕地攪拌混合物。然後將PANI-DNNSA[7.327g，24.23wt％，於二甲苯和2-丁氧基乙醇(4:1比率)中，0.7酸摻雜，根據US5863465合成]加入混合物內，將混合物置於45℃水浴中5分鐘。溫度平衡後，對混合物聲處理5分鐘，在此期間每間隔1分鐘就用刮勺輕輕地攪拌混合物。使所得分散體通過1.0微米03-1/1尼龍篩(篩目數690×470，孔徑1微米；SefarAmericaInc.，Depew，NewYork)過濾。向濾液內加入28.8微升10wt％X-114在二甲苯中的溶液。用#10CN形成的Buschman棒以5.8ft/min用CV塗布器將分散體(13mL)塗在40％TCrPET施予體基質上，在40℃乾燥15分鐘。改良的Pani-7％(mPani-7％)根據Pani-7％的步驟製備以下CNT-PANI施予體，但使用混合溶劑系統[1，2-二氯苯(DCB)和二甲苯]mPani-7％-a10％DCB；mPani-7％-b20％DCB；mPani-7％-c30％DCB。銀施予體的配製和塗布Ag/Elv-#8(87.5％Ag，2028)將Ag粉(10.497g；粒度d50/d90＝350/730nm)、20wt％2028在二甲苯中的溶液(7.512g)和二甲苯(12.006g)的混合物在水浴中聲處理1小時，在此期間每間隔0.5小時就用刮勺攪拌混合物。然後在室溫水浴中用探針聲處理將混合物再處理10分鐘，在此期間每間隔5分鐘就用刮勺輕輕地攪拌混合物。將所得分散體用12微米不鏽篩(TwillDutchWeave，篩目量200×1400，絕對等級(absoluterating)12-14微米；SefarAmerica，Inc.，Depew，NewYork)過濾。用#8形成的Buschman棒以5.8ft/min用CV塗布器將分散體(10mL)塗在40％TPET施予體基質上，在33℃乾燥15分鐘。Ag/Elv-CN6用CN6棒完成以上方法。Ag/Elv-CN7用CN7棒完成以上方法。Ag/Elv-CN8用CN8棒完成以上方法。mAg/Elv-CN8用CN8棒以及50％DCB和50％二甲苯的溶劑混合物完成以上方法。mAg/Elv-CN7按照以上方法進行，但用CN7棒和更長的分散時間在聲處理浴之前附加15分鐘和結束後附加5分鐘。Ag/Elv/CNT-#8(1％CNT和87.5％Ag，2028)用探針聲處理使CNT(HiPcoR0447.0.0121g)、1，2-二氯苯(6.030g)和二甲苯(6.019g)的混合物分散15分鐘，在此期間每間隔5分鐘就用刮勺攪拌混合物。接著，將Ag粉(10.503g；粒度d50/90＝350/730nm)和20wt％2028在二甲苯中的溶液(7.513g)加入混合物內，用聲處理在水浴中處理混合物1小時，在此期間每間隔0.5小時就用刮勺攪拌混合物。然後在室溫下將混合物在水浴中用探針聲處理再處理10分鐘，在此期間每間隔5分鐘就用刮勺輕輕地攪拌混合物。用12微米不鏽篩(TwillDutchWeave，篩目量200×1400，絕對等級12-14微米；SefarAmerica，Inc.，Depew，NewYork)過濾所得分散體。用#8形成的Buschman棒以5.8ft/min用CV塗布器將分散體(10mL)塗在40％TPET施予體基質上，在38℃乾燥25分鐘。實施例7-10的Ag層的分散體利用表5所示材料根據Ag/Elv/CNT-#8的方法製備分散體，除以下各項外(a)最終探針聲處理時間是15分鐘，(b)對於Ag-1至Ag-4，用2.0微米MGF-150注射器-盤狀濾器將所得分散體過濾2次，和(c)對於Ag-5，用12和8微米不鏽鋼篩(TwillDutchWeave，篩目量200×1400和325×2300，絕對濾器等級12-14和8微米，SefarAmericaInc.，Depew，NewYork)過濾分散體。塗布條件和施予體基質在用這些銀分散體的實施例中報導。表5.實施例7-10的Ag納米微粒層的材料aDI＝去離子的.b金屬在幹膜中的重量％.c除非另外標明否則使用球形顆粒.dDGD＝二苯甲酸二甘醇酯.e在二甲苯中的溶液.f在水中的溶液.g在1:1水:異丙醇中的溶液.半導體蒸發的一般方法用2-4密耳厚鎳箔製造掩膜(shadowmask)。利用看版臺(lighttable)和立體顯微鏡，用手工使掩膜對準印刷陣列(printedarray)。相對於掩膜小心地操控印刷陣列，允許6英寸陣列的～50微米校準，對印刷陣列的損害最小。一旦對齊，即用磁鐵將印刷陣列與鎳掩膜捏在一起，然後用Kapton膠帶強化。最後，使對齊的掩膜/印刷陣列小心地卷至KurtLesker蒸發器中的真空沉積鼓上，負載以用於半導體蒸發。通過真空(<3×10-7託)升華使半導體沉積至游離表面上。半導體沉積的起始速率是0.1埃/s至60埃，然後是0.5埃/s，直至達到所需厚度，通常是450埃，用石英晶體微量天平測量確定。該方法用並五苯和半導體SC-H1和SC-H2進行。印刷具有關聯的電容器和總線的底柵電晶體陣列的一般方法以上用Creo800熱板固定儀印刷和安裝的一般方法適用於所有印刷層。首先，將接收體與柵(第一層)施予體一起裝在鼓上。印刷後，剝下接收體上的柵施予體以得到具有圖案化柵層的接收體，圖案化柵層由柵電極、電容電極、總線和測試墊的圖案組成。接著，將介電施予體裝在鼓上，印刷，從接收體上剝下，得到具有連續圖案化的柵和介電層的接收體。介電層被圖案化或印刷為實體塊(solidblock)。接著，將源-漏施予體裝在鼓上，印刷，從接收體上剝下，得到具有圖案化的柵、介電和源-漏層的接收體。源-漏層由源-漏極、電容電極、總線和測試墊的圖案組成。用標準照相平版軟體包(L-Edit)設計多層印刷電晶體陣列，然後轉化為單個附言(postscript)文件用於各層。然後將各附言文件用於在Trendsetter中一層一層地印刷。將三種圖案用於這些具有實體圖案化介電層的實施例中(1)電晶體圖案1150×15微米源-漏信道；(2)電晶體圖案2600×50微米源-漏信道；和(3)電晶體圖案31350×50微米源-漏信道。接著，根據上文給定的一般方法通過源-漏信道區內的掩膜蒸發半導體。在圖案1和3的情況下整個源-漏信道和周圍區域都覆蓋半導體的矩形補片。在圖案2的情況下，使450×400微米半導體補片沉積於信道區內，得到有效信道為450×50微米的電晶體。實施例1-6粘結片在製備TFT陣列中的應用根據上文印刷具有關聯電容器、總線和測試墊的底柵電晶體的一般方法，並根據半導體蒸發的一般方法，製備實施例1-6報導的TFT陣列。關於施予體和接收體、印刷條件和TFT性能的細節見表A。用粘結片消除源-漏層的剝皮缺陷的方法在源-漏印刷之後和並五苯蒸發之前，根據以下方法選擇性消除接收體中源極與漏極之間的剝皮缺陷以及沿著線邊緣的剝皮缺陷和其它碎片將一張粘結片(表A-1)切成大致與接收體同樣大小，用加壓氮氣流清洗以除去表面汙染的顆粒。將接收體置於平坦的表面上，將粘結表面(如50％TCr施予體基質的Cr表面、介電施予體基質的介電塗層側、200DLJX的防滑添加側)置於接收體上方，使粘結表面接觸接收體的圖案化表面。在約30-90秒的時間內使SDIDustRemovalSystem-1滾筒在粘結基質背側的整個區域滾動。粘結基質掀離圖案化接收體表面。當在放大5×的顯微鏡下觀察時，可看到粘結表面上源-漏信道大小的剝皮缺陷及其它剝皮缺陷和碎片。消除柵層剝皮缺陷的方法該方法類似於源-漏層使用的方法，有以下不同去除柵層施予體後，將接收體留在鼓上。將粘結片置於接收體上方，如上文關於源-漏層的描述消除剝皮缺陷。實施例5實施例5a和5b比較2種不同的電晶體設置，用相同材料(相同施予體片)印刷在相同接收體上，但用不同的介電印刷條件。5a的印刷條件更優化，導致源極與漏極之間的剝皮缺陷更小。通過使用粘結片，5b的產率與5a相差10％以內。實施例6實施例6a-d比較4種不同的電晶體設置，用相同材料(相同施予體片)用相同印刷條件印刷在相同接收體上。雖然總體高產率，但6a的電晶體設置顯示在放大5×的顯微鏡下肉眼觀察時源極與漏極之間的剝皮缺陷最小。因此，選擇本實驗作為對照，其上不使用粘結片。實施例6b-d表現的橋接源極與漏極的剝皮缺陷多於6a，使用下列粘結片6b50％TCrPET施予體基質；6c200DLJX；和6dDiel-3施予體基質。用50％TCrPET施予體基質作為粘結片得到最少數目的短路電晶體(表A-3)，而用Diel-3粘結片得到最窄的閾分布和遷移率分布(表A-4)。表A-1.印刷TFT陣列的施予體和材料接收體5密耳KaptonHN(DuPont)；材料200DLJX(DuPont)；縮寫S-D源-漏。表A-2.印刷TFT陣列的印刷圖案(pattern)和參數表A-3.印刷TFT陣列的電性能a對應電容陣列的產率也是100％，如54個電容器100％具有小於1.0E-10A的I漏，中位數I漏是3.2E-12A。表A-4.粘結片對印刷TFT陣列的電性能的作用a100％電晶體落在該分布範圍內。b大於85％電晶體落在該分布範圍內。實施例7-10利用粘結片改善成像圖案的質量實施例7PANI-CNT-Ag納米微粒多層本實施例舉例說明本發明的方法，其中用基膜、鉻LTHC層和聚苯胺-碳納米管(PANI-CNT)和銀轉印層分層按順序製造熱成像基質。熱轉印至含有表面處理基膜的接收體上，得到接收元件，該元件分層按順序具有基膜、表面處理和圖案化銀和PANI-CNT層。後加工的步驟改善線邊質量。A.PANI-CNT-Ag納米微粒多層施予體基質的製備(a)聚苯胺層的製備和塗布.根據以上一般方法製備mPani-7％-c。用CN#12形成的Buschman棒(CN#12formedBuschmanrod)以5.8ft/min用CV塗布器將分散體(10.9mL)塗在40％TCrPET施予體基質(～90×52cm)上，在40℃乾燥25分鐘。(b)銀層的製備和塗布.根據以上一般方法製備Ag-2(表5)。用CN#6形成的Buschman棒以5.8ft/min用CV塗布器將分散體(7mL)塗在40％TCrPET施予體基質上的PANI-CNT層上，在48℃乾燥20分鐘。B.PANI-CNT-Ag納米微粒多層圖案化的熱轉印方法根據上文描述的方法將部分多層施予體(～30cm×20cm)和熱成像ST504接收體(～28cm×18cm)裝入Creo800熱板固定儀(thermalplatesetter)內。印刷200、100和50微米線寬的蛇形圖案塊(4.75cm×1.5cm)，各線之間的間隔等於線寬。印刷參數如下表面深度＝47；表面反射率＝0.52；escan＝0。以鼓速120(7.5-10.75W，0.25W增量)和鼓速60(4.5-8W，0.25W增量)印刷圖案。C.熱轉印評估和後加工。以鼓速60轉印不完全。以鼓速120轉印完全，但除了以9.25W及9.25W以上印刷的200微米線外，印刷線之間非暴露區中的材料與線一起轉印。使粘結表面tape，60sec)接觸以9.75W的鼓速120印刷的50微米線，選擇性消除了線間的材料，在接收體上得到所需50微米蛇形圖案，線邊清楚，線無中斷。D.電特徵。根據上文給定的標準方法測量片電阻。測得以7.75W和7.75W以上、鼓速120印刷線的Rsh小於1ohm/sq，10W和10W以上時，Rsh為0.4ohm/sq。實施例8PANI-CNT-Ag納米微粒-介電多層本實施例舉例說明本發明的方法，其中用基膜、鉻LTHC層和PANI-CNT、銀和介電轉印層按順序分層製造熱成像基質。熱轉印至含有表面處理基膜的接收體上，得到接收元件，按分層順序具有基膜、表面處理、圖案化介電、銀和PANI-CNT層。熱轉印至具有圖案化PANI-CNT層的含有表面處理基膜的接收體上，得到接收元件，按分層順序具有基膜、表面處理和圖案化PANI-CNT、介電、銀和PANI-CNT層。後加工的步驟改善線邊質量。A.多層PANI-CNT-Ag納米微粒-介電施予體基質的製備(a)聚苯胺層的製備和塗布。方法與以上實施例7-A-a描述的相同。(b)銀層的製備和塗布.根據以上一般方法製備Ag-3(表5)。用CN#7形成的Buschman棒以5.8ft/min用CV塗布器將分散體(5mL)塗在40％TCrPET施予體基質(～90×52cm)上的PANI-CNT層上，在49℃乾燥20分鐘。(c)介電層的製備和塗布。按照一般含水介電層配製方法，用16.7663(30wt％)、16.78g95(30wt％)、0.21gSDA2860、0.50g348(10wt％在水中)和23.26g水得到pH為8.51的製劑。用CN#2形成的Buschman棒以6.3ft/min用CV塗布器將所得溶液(3mL)塗在銀納米微粒層上，在45℃乾燥6分鐘。在乾燥塗層中各種材料的wt％如下48.7wt％63、48.8wt％95、2.0wt％SDA2860和0.50wt％348。63是水溶性苯乙烯丙烯酸樹脂溶液，pH為8.4，MW為12,000，酸值為213，Tg為73。95是改性苯乙烯丙烯酸聚合物氨鹽乳液，pH為8.0，酸值為70。兩者都購自JohnsonPolymer.]B.製備具有圖案化PANI-CNT層的熱成像接收體(a)PANI-CNT施予體基質的製備和塗布。方法和分散體的材料與實施例7-A-a的相同，但用二甲苯代替二甲苯/1，2-二氯苯混合物作為溶劑。所用材料的量如下0.1230gHiPcoRawCNT、0.063g163、29.680g二甲苯、5.144gPANI-DNNSA[31.68％wt的二甲苯和2-丁氧基乙醇(4:1比率)，0.7酸摻雜]和28.9微升X114(10wt％在二甲苯中)。用CN#10形成的Buschman棒以5.8ft/min用CV塗布器將分散體(10.9mL)塗在40％TCrPET施予體基質(～90×52cm)上，在45℃乾燥20分鐘。(b)在接收體基膜上圖案化PANI-CNT層的熱轉印方法。根據上文描述的一般方法將部分PANI-CNT施予體(～30cm×20cm；在熱轉印實驗之前5個月在50℃再乾燥60分鐘)和熱成像ST504接收體(～28cm×18cm)裝入Creo800熱板固定儀內。兩種矩形圖案(1.25cm×0.75cm)，一種是材料實體塊(這裡稱為實體塊圖案)，一種是間隔240微米的120微米寬的垂直線圖案材料(這裡稱為垂直線圖案)，將其用作本印刷實驗的圖案。印刷兩行(第1和第2行)，各線具有13個交替的實體塊和垂直線圖案。印刷參數如下鼓速＝160；表面深度＝47；表面反射率＝0.46；escan＝0；功率＝5.75W(第1行)和5.45W(第2行)。C.圖案化PANI-CNT-Ag納米微粒-介電多層的熱轉印方法。去除鼓上的PANI-CNT施予體，剩下圖案化接收體置於鼓上。根據上文描述的一般方法將部分多層施予體(～30cm×20cm)裝在Creo800熱板固定儀內。所有行的印刷參數如下表面深度＝47；表面反射率＝0.54；escan＝0；交替實體塊和垂直線圖案。第1行以0.25W增量從7.50至10.50W以鼓速120將多層印刷在圖案化PANI-CNT層上方。第2行以0.25W增量從9.00至12.00W以鼓速160將多層印刷在圖案化PANI-CNT層上方。第3行以0.25W增量從7.50至10.50W以鼓速160將多層印刷在接收體表面上。D.熱轉印評估和後加工。以各種功率不同程度地轉印多層，所見最佳質量和最高轉印程度在第1行為7.5-8.25W，第2行為9.25-10W，第3行為8-8.25W。在所有3行中，印刷線之間非暴露區的材料與線一起轉印。各線之間轉印的材料與接收體和線本身的粘結非常疏鬆，通過與粘結表面接觸很容易選擇性清除，在接收體上剩下所需線圖案。用膠粘輥在第1行(10.5W)、第2行(12.0W)和第3行(10.5W)中，用膠帶(接觸1分鐘)在第3行(10.25W)中均證明了這一點。實施例9炭黑-Ag納米微粒介電多層本實施例舉例說明本發明的方法，其中按順序分層用基膜、鉻LTHC層、和炭黑、銀和介電轉印層製造熱成像基質。熱轉印至含有表面處理基膜的接收體上，得到接收元件，所述接收元件按分層順序具有基膜、表面處理和圖案化介電、銀和炭黑層。熱轉印至包含具有圖案化PANI-CNT層的表面處理基膜的接收體上，得到接收元件，所述接收元件按分層順序具有基膜、表面處理和圖案化PANI-CNT、介電、銀和炭黑層。熱轉印至包含具有圖案化銀納米微粒層的表面處理基膜的接收體上，得到接收元件，所述接收元件按分層順序具有基膜、表面處理和圖案化銀、介電、銀和炭黑層。本發明的後加工步驟改善線邊質量。A.多層炭黑-Ag納米微粒-介電施予體基質的製備(a)炭黑層的製備和塗布。按照一般含水轉印層配製方法，用12.6056(27wt％)、4.93g乳膠LL-1(30wt％)、0.025gSDA2860、0.050g348、0.910g炭黑AcroversePaste32B56(33wt％；PennColor)和11.60g水得到pH為9.20的製劑。用CN#2形成的Buschman棒以6.3ft/min用CV塗布器將所得溶液(3mL)塗在40％TCrBluePET施予體基質(～90×52cm)上，在45℃乾燥6分鐘。在乾燥塗層中各種材料的wt％如下63.0wt％56、30.1wt％乳膠LL-1、0.5wt％SDA2860、0.90wt％348和5.6wt％32B56炭黑。56是水溶性苯乙烯丙烯酸樹脂溶液，pH為9.1，MW為4,600，酸值為108，Tg為60，購自JohnsonPolymer.](b)銀層的製備和塗布。根據以上一般方法製備Ag-1(表5)。用CN#6形成的Buschman棒以5.8ft/min用CV塗布器將分散體(7mL)塗在40％TCrPET施予體基質上的炭黑層上，在48℃乾燥20分鐘，然後在50℃乾燥60分鐘。(c)介電層的製備和塗層。配製和塗布方法與實施例8-A-c相同。將施予體在45℃再乾燥45分鐘，然後立即進行熱轉印實驗。B.在第1和2行具有圖案化PANI-CNT層，在第3行具有圖案化銀納米微粒層的熱成像接收體的製備(a)PANI-CNT施予體基質的製備和塗布。配製和塗布與實施例8-B-a相同。(b)接收體基膜上圖案化PANI-CNT層的熱轉印方法。方法與實施例8-B-b相同，除以下方面外表面反射率＝0.54；功率＝5.5W(第1和2行)，在第2行印刷14個交替圖案。(c)銀納米微粒施予體基質的製備和塗布。根據以上一般方法製備Ag-4(表5)。用CN#6形成的Buschman棒以5.8ft/min用CV塗布器將分散體(8mL)塗在453施予體膜(～90×52cm)上，在47℃乾燥20分鐘。將施予體在50℃再乾燥60分鐘，約3周後進行熱轉印實驗。(d)接收體基膜上圖案化銀納米微粒層的熱轉印方法。去除鼓上的PANI-CNT施予體，剩下圖案化接收體位於鼓上。根據上文描述的一般方法將部分銀納米微粒施予體(～30cm×20cm)裝入Creo800熱板固定儀內。在第3行印刷14個交替實體塊圖案和垂直線圖案(1.25×0.75cm)。印刷參數如下鼓速＝40；表面深度＝30；表面反射率＝0.48；escan＝0；功率＝4.8W。C.圖案化炭黑-Ag納米微粒-介電多層的熱轉印方法去除鼓上的銀納米微粒施予體，剩下圖案接收體位於鼓上。根據上文描述的一般方法將部分多層施予體(～30cm×20cm)裝入Creo800熱板固定儀內。所有各行的印刷參數如下表面深度＝60；表面反射率＝0.30；escan＝0；交替實體塊和垂直線圖案(1.25×0.75cm)。第1行以0.25W增量從4.00至7.25W以鼓速40將多層直接印刷在圖案化PANI-CNT層上方。第2行以0.25W增量從6.00至9.25W以鼓速100將多層印刷在圖案化PANI-CNT層上方，稍微偏離(offset)圖案化PANI-CNT層。第3行以0.30W增量從3.50至7.40W以鼓速40將多層印刷在圖案化銀納米微粒層上方。第4行以0.30W增量從3.50至7.40W以鼓速40將多層印刷在接收體表面上。D.熱轉印評估和後加工。第1行在4.5W、第3行在3.75-4.75W、第4行在3.5-4.5W觀察到多層的完全轉印。對於第2行，以不同功率不同程度地將偏移的多層轉印至圖案化PANI-CNT層和接收體上。在所有4行中，印刷線之間非暴露區的一些材料與線一起轉印。對於第3和4行，各線之間轉印的材料通過與粘結表面接觸很容易選擇性清除，在接收體上剩下所需線圖案。用膠帶(接觸30-60秒)在第3行(4.75W)和第4行(3.75W)中例證了這一點。實施例10Ag納米微粒-介電多層本實施例舉例說明本發明的方法，其中，製造熱成像基質，其按分層順序包含基膜、有機LTHC層以及銀和介電轉印層。熱轉印至含有表面處理基膜的接收體上，得到接收元件，所述接收元件按分層順序具有基膜、表面處理和圖案化介電層以及銀轉印層。後加工步驟改善線邊質量。A.Ag納米微粒-介電多層施予體基質的製備(a)銀層的製備和塗層。根據以上一般方法製備Ag-5(表5)。用CN#10形成的Buschman棒以5.8ft/min用CV塗布器將分散體(14mL)塗在OrganicLTHCGreenPET施予體基質(～90×52cm)上，在47℃乾燥20分鐘，得到2.9微米厚的薄膜。(b)介電層的製備和塗層。配製和塗布與實施例8-A-c的相同。將施予體在50℃再乾燥60分鐘，然後立即進行熱轉印實驗。B.圖案化Ag納米微粒-介電多層的熱轉印方法根據上文描述的方法將部分多層施予體(～30×20cm)和熱成像ST504接收體(～28cm×18cm)裝入Creo800熱板固定儀內。印刷200、100和50微米線寬的蛇形圖案塊，各線之間距離等於線寬。印刷參數如下表面深度＝70；表面反射率＝0.3；escan＝0。以鼓速120(8.5-12W，0.25W增量)、鼓速60(5.5-9W，0.25W增量)和鼓速40(5-8.5W，0.25W增量)印刷圖案。C.熱轉印評估和後加工所有鼓速和功率下完全轉印，除8.5-9.25W的鼓速120外。對於100且特別是50微米線，印刷線之間非暴露區的材料與線一起轉印。與粘結表面(Scotch膠帶，60秒)接觸選擇性清除以8.25W鼓速40印刷的50微米蛇形線之間的材料，在接收體上得到所需圖案，線邊清楚，線無中斷。權利要求1.一種提高成像熱轉印接收體上熱轉印圖案的解析度的方法，其中成像熱轉印接收體包含具有一個或多個熱轉印層的暴露部分和非暴露部分的表面，所述方法包括a)使所述表面與粘結層接觸，持續接觸時間段，得到疊層；b)使所述粘結層由疊層分離，得到處理的熱轉印接收體，所述處理的熱轉印接收體具有基本不含所述一個或多個熱轉印層的非暴露部分的表面。2.權利要求1的方法，其中粘結層包含基膜。3.權利要求2的方法，其中基膜包含選自下列的聚合物材料聚(氯乙烯)、聚(乙烯)、聚(丙烯)、聚(碳酸酯)、聚對苯二甲酸乙二酯、三乙醯基纖維素、聚萘二甲酸乙二酯和聚醯亞胺。4.權利要求2的方法，其中粘結層還包含金屬化層。5.權利要求4的方法，其中金屬化層包含選自下列的金屬Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ag和Al，及其合金。6.權利要求2的方法，其中粘結層還包含含有一種或多種介電聚合物的粘結介電層。7.權利要求6的方法，其中粘結介電層包含選自下列的一種或多種介電聚合物丙烯酸和苯乙烯聚合物，選自丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠，溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物，及其組合；雜原子-取代的苯乙烯聚合物，選自部分氫化聚(4-羥基)苯乙烯，聚(4-羥基)苯乙烯，以及聚(4-羥基)苯乙烯與(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基取代的苯乙烯的共聚物，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基；酚-醛(共)聚物和(共)低聚物及其組合；和聚(乙酸乙烯酯)。8.權利要求7的方法，其中一種或多種介電聚合物選自丙烯酸和苯乙烯聚合物，所述丙烯酸和苯乙烯聚合物選自丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠，溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物，及其組合。9.權利要求7的方法，其中一種或多種介電聚合物選自丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠；包含至少約85wt％選自以下的單體，(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基。10.權利要求1的方法，其中接觸時間段是約1秒-約90秒。11.權利要求1的方法，其中一個或多個熱轉印層包含平均最長尺寸約5nm-約1500nm的納米微粒。12.權利要求11的方法，其中納米微粒包含金屬粉。13.權利要求12的方法，其中金屬粉選自Ag、Cu，及其合金。14.權利要求1的方法，其中一個或多個熱轉印層包含一種或多種傳導聚合物，所述傳導聚合物選自聚苯胺；聚噻吩；聚吡咯；聚雜芳族亞乙烯基；及其衍生物。15.權利要求1的方法，其中一個或多個熱轉印層包含一種或多種介電聚合物。16.權利要求15的方法，其中一種或多種介電聚合物選自丙烯酸和苯乙烯聚合物，選自丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸乳膠，溶液基丙烯酸、苯乙烯和苯乙烯-丙烯酸聚合物，及其組合；雜原子-取代的苯乙烯聚合物，選自部分氫化聚(4-羥基)苯乙烯，聚(4-羥基)苯乙烯，以及聚(4-羥基)苯乙烯與(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯和烷基-取代的苯乙烯的共聚物，其中烷基是C1-C18直鏈或支鏈烷基；酚-醛(共)聚物和(共)低聚物及其組合；和聚(乙酸乙烯酯)。17.權利要求1的方法，其中一個或多個熱轉印層包含顏料。18.權利要求17的方法，其中顏料選自黑色顏料，選自石墨、炭黑以及選自銅、銅-鈷合金和釕的氧化物的金屬氧化物；彩色顏料，選自基於菁、酞菁、偶氮、吡咯烷酮和醌吖啶的顏料；和白色顏料，選自二氧化鈦、鈦酸鋇、鈦酸鍶和鈦酸鋇鍶。全文摘要本發明提供改善成像熱轉印接收體上熱轉印圖案的方法，其中成像熱轉印接收體包含具有一個或多個熱轉印層的暴露部分和非暴露部分的表面，所述方法包括a)使所述表面與粘結層接觸，持續接觸時間段，得到疊層；b)使所述粘結層由疊層分離，得到處理的熱轉印接收體，所述處理的熱轉印接收體具有基本不含所述一個或多個熱轉印層的非暴露部分的表面。本方法可用於製造電子器件，包括薄膜電晶體、電路、電磁幹擾屏蔽、觸摸墊傳感器及其它電子器件。文檔編號G03F7/34GK101490625SQ200780027359公開日2009年7月22日申請日期2007年7月16日優先權日2006年7月17日發明者G·D·安德魯斯,R·K·貝利,G·B·布蘭歇特,J·W·卡特倫,峰高,G·D·賈科克斯,L·K·詹森,R·L·科伊澤延,J·S·梅斯,F·S·普倫西普,R·S·施菲諾,R·M·約漢南申請人:納幕爾杜邦公司