等離子體顯示平板的製作方法
2023-06-15 16:00:31 1
專利名稱：等離子體顯示平板的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種等離子體顯示平板(PDP)裝置。
背景技術：
近來，研究人員已進行了不同的嘗試以改善等離子體顯示平板(PDP)的影像質量並提高顏色純度和對比度。這些嘗試已經朝向一定的方向推進，使得PDP的材料或結構有所改變。具體而言，通過改變構成PDP的材料的成分，例如改變基板、介電物質、阻隔肋件和螢光物質的成分，或者通過將新的元素添加其中，發光單元對比率可以得到一定程度的改善。不過，這種改善可導致其他問題。
日本專利公開號平11-1342公開了一種使用玻璃基板作為前基板的PDP，其中，該玻璃基板除了包括玻璃基板成分之外還包括微量的氧化鎳和氧化鈷。所述玻璃基板隨著氧化鎳和氧化鈷吸收外來光並抑制可見光的透過而產生PDP對比度增加的效果。不過，由於氧化鎳和氧化鈷的顏色影響可減少在整個可見光波長區域上的光透過並且還可吸收由螢光物質發射的光，因此，影像的亮度可能會降低。
同時，放電氣體被注入PDP平板的內部。所述放電氣體為氙(Xe)和氖(Ne)的混合氣體。氖氣產生波長大約585nm的橙色可見光。由於在PDP中由紅色、綠色和藍色螢光物質產生的紅色、綠色和藍色可包括橙色光，因此，存在的問題是，由於橙色光而使得不能準確地表現顏色。韓國專利公開號1999-0073478公開了一種技術，其中，通過將微量的諸如氧化釹(Nd2O3)和氧化鐠(Pr2O3)稀土金屬氧化物添加到介電層從而阻止發射自放電氖氣的橙色光，顏色純度和對比度得以改善。
本段中的論述是為了提供一般的背景信息，而並不構成現有技術的必要條件。
發明內容
本發明的一個方面提供一種等離子體平板(PDP)，包括前基板；與所述前基板相對的後基板；置於所述前基板與所述後基板之間的多個尋址電極；置於所述前基板與所述後基板之間的第一介電層，其中所述多個尋址電極被埋置於所述第一介電層與所述後基板之間；置於所述第一介電層與所述前基板之間以限定放電空間的多個阻隔肋件；置於所述放電空間的至少一部分中的螢光層；置於所述前基板與所述第一介電層之間的多個顯示電極；置於所述前基板與所述後基板之間的第二介電層，其中所述多個顯示電極被埋置於所述第二介電層與所述前基板之間；被置於所述第二介電層與所述後基板之間的保護層；其中，所述前基板和所述第二介電層中的至少一個包括從由鈷(Co)、鎳(Ni)、硒(Se)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉻(Cr)、釩(V)和鈧(Sc)的氧化物所組成的組中選出的至少一種過渡金屬氧化物；其中，包含有所述至少一種過渡金屬氧化物的所述前基板和所述第二介電層中的至少一個，進一步包括從由鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、鏑(Dy)和鈥(Ho)的氧化物所組成的組中選出的至少一種稀土金屬氧化物。
在上述的等離子體顯示平板中，所述前基板和所述第二介電層中的至少一個可包括玻璃材料。所述玻璃材料在CIE L*a*b*的約定下可具有26＜L*＜36，和b*＜-3.5或1＜b*。所述至少一種過渡金屬氧化物和所述至少一種稀土金屬氧化物可被大致均勻地分布在所述前基板中。所述玻璃材料可包括從由鈉鈣玻璃、中性硼矽酸鹽玻璃和非鹼性玻璃所組成的組中選出的一種。所述玻璃材料可包括至少一種過渡金屬氧化物，所述至少一種過渡金屬氧化物相對於所述玻璃材料的總重量的重量百分比為大約0.01-2％。所述玻璃材料可包括所述至少一種過渡金屬氧化物，所述至少一種過渡金屬氧化物是通過將從由鈷(Co)、鎳(Ni)、硒(Se)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉻(Cr)、釩(V)和鈧(Sc)的氧化物、氯化物、氮化物和硫化物所組成的組中選出的至少一種添加到不含有所述過渡金屬氧化物的玻璃材料中而被製備的。所述玻璃材料可包括至少一種稀土金屬氧化物，所述的至少一種稀土金屬氧化物相對於所述玻璃材料的總重量的重量百分比為大約0.01-4％。所述玻璃材料可包括所述至少一種稀土金屬氧化物，所述至少一種稀土金屬氧化物是通過將從由鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、鏑(Dy)和鈥(Ho)的氧化物、氯化物、氮化物和硫化物所組成的組中選出的至少一種添加到不含有所述稀土金屬氧化物的玻璃材料中而被製備的。所述至少一種過渡金屬氧化物與所述至少一種稀土金屬氧化物的重量比可為大約0.5-2。
本發明的另一方面提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括前基板，其包含在其上顯示影像的顯示表面；與所述前基板相對的後基板；置於所述前基板與所述後基板之間的多個放電單元；置於所述前基板與所述多個放電單元之間的多個放電電極；和置於所述前基板與所述多個放電單元之間的介電層，其中，所述多個放電電極被埋置於所述前基板與所述介電層之間；其中，所述前基板的至少一部分包括從由鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、鏑(Dy)和鈥(Ho)的氧化物所組成的組中選出的至少一種稀土金屬氧化物。
在上述的裝置中，所述前基板的所述部分可進一步包括從由鈷(Co)、鎳(Ni)、硒(Se)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉻(Cr)、釩(V)和鈧(Sc)的氧化物所組成的組中選出的至少一種過渡金屬氧化物。所述介電層的至少一部分可包括從由鈷(Co)、鎳(Ni)、硒(Se)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉻(Cr)、釩(V)和鈧(Sc)的氧化物所組成的組中選出的至少一種過渡金屬氧化物。所述介電層的所述部分可進一步包括從由鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、鏑(Dy)和鈥(Ho)的氧化物所組成的組中選出的至少一種稀土金屬氧化物。所述前基板可被設置為吸收大量的具有大約500-600nm波長的可見光。所述前基板具有大約26-36的L*值。所述前基板在CIE L*a*b*的約定下具有的b*值小於大約-3.5或大於大約0.5。
本發明的一個實施方案提供一種等離子體顯示平板(PDP)，其能夠通過降低外來光反射亮度來改善發光單元對比率而不影響PDP的電學和光學特性，並通過阻擋氖光發射來改善顏色純度。根據本發明的一個實施方案，提供一種PDP，其中在使用玻璃材料的前基板或前介電層中包括有過渡金屬氧化物和稀土金屬氧化物。
所述過渡金屬氧化物包括從由鈷(Co)、鎳(Ni)、硒(Se)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉻(Cr)、釩(V)和鈧(Sc)的氧化物所組成的組中選出的至少一種。而所述稀土金屬氧化物包括從由鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、鏑(Dy)和鈥(Ho)的氧化物所組成的組中選出的至少一種。所述包含的過渡金屬氧化物與稀土金屬氧化物的重量比為大約1∶0.5至1∶2。相對於玻璃的成分或材料，所述過渡金屬氧化物為大約0.01-2wt％，而所述稀土金屬氧化物為0.01-4％。在前基板和第二介電層中的至少一個中使用的玻璃材料，在CIE L*a*b*下具有26＜L*＜36，和b*＜-3.5或1＜b*。
圖1為顯示了根據本發明實施方案的等離子體平板(PDP)的一個實施例的局部分解立體視圖；圖2為顯示了在顏色座標系統中的CIE L*a*b*顏色座標的視圖。
具體實施例方式
在下文中，將參照附圖對本發明的示例性實施方案進行詳細描述。
圖1為顯示了根據本發明實施方案的等離子體平板(PDP)的局部立體視圖。不過，本發明並不局限於圖1中所示的結構。參見附圖，根據本發明的實施方案的PDP包括後基板1，沿著一個方向(圖中的Y方向)被置於後基板1上的多個尋址電極3，和被置於後基板1的整個表面上並覆蓋尋址電極3的第一介電層5。阻隔肋件7形成在介電層5上，而紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)螢光層9被置於在各阻隔肋件7之間形成的放電單元中。用於降低反射亮度的層可被置於阻隔肋件7的頂上。
顯示電極13的每一個均包括一對透明電極13a和總線電極13b，顯示電極13沿著橫跨尋址電極3的方向(圖中的X方向)而被設置在面向後基板1的前基板11的表面上。而且，第二介電層15和保護層17被設置在前基板11的整個表面上以覆蓋顯示電極13。各放電單元形成在尋址電極3與顯示電極13交叉的位置處。
根據上述的結構，通過將尋址電壓(Va)施加於在尋址電極3與任何一個顯示電極13之間的空間來執行尋址放電。當將保持電壓(Vs)施加於一對顯示電極13之間的空間時，通過保持放電而產生的紫外光激發相應的螢光層9，從而將通過前基板11發射可見光。
如下面的公式1所示，PDP的發光單元對比率與外來光反射亮度(Y)有關，所述外來光反射亮度表示透射自外部的外來光的反射程度。
發光單元對比率(％)＝(Lpeak+Y)/(Lb.g+Y)×100(1)其中，Lpeak表示峰值亮度；Lb.g表示背景亮度；而Y表示外來光亮度。總之，外來光亮度越小，則PDP的發光單元對比率越大。因此，有可能避免PDP裝置的屏幕看起來通常為白色。
在一個實施方案中，具有上述結構的PDP裝置的前基板11和第二介電層15由透明的玻璃材料形成，而且前基板11和第二介電層15中的至少一個包括過渡金屬氧化物和稀土金屬氧化物。過渡金屬氧化物增加發光單元對比率，而過渡金屬氧化物包括從由鈷(Co)、鎳(Ni)、硒(Se)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉻(Cr)、釩(V)和鈧(Sc)的氧化物所組成的組中選出的至少一種氧化物。過渡金屬或元素的氧化物存在於前基板11和/或覆蓋前基板11而形成的第二介電層15之中。玻璃基板的顏色可以根據過渡金屬氧化物的類型而不同。例如，當氧化鈷或氧化鎳被添加時，玻璃基板的顏色為灰色。在實施方案中，前基板由玻璃材料形成，並包括所述玻璃材料總重量的大約0.01-2wt％的過渡金屬氧化物。在特定的實施方案中，所述玻璃材料中包括有該玻璃材料總重量的大約0.01，0.05，0.1，0.2，0.3，0.5，1，1.5或2wt％的量的過渡金屬氧化物。在某些實施方案中，所述玻璃材料中包括的過渡金屬氧化物的量在由上述量值中的兩個所限定的範圍中。
同時，被注入放電單元中的放電氣體氖氣產生波長大約550-600納米的橙色可見光，而該橙色可見光可損害PDP的顏色純度和對比度。本實施方案通過將稀土金屬氧化物添加到玻璃基板而阻擋所述橙色可見光。所述稀土金屬氧化物包括從由鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、鏑(Dy)和鈥(Ho)的氧化物所組成的組中選出的至少一種氧化物。所述稀土金屬氧化物具有選擇性透光和吸收性能。也就是說，其吸收預定波長的光而透過在螢光層中反射的紅色、綠色和藍色可見光。例如，稀土金屬氧化物選擇性地吸收所述橙色光。在一個實施方案中，前基板由玻璃材料形成，而且在該玻璃材料中包括所述玻璃材料總重量的大約0.01-4wt％的量的稀土金屬氧化物。在特定實施方案中，所述玻璃材料中包括有該玻璃材料總重量的大約0.01，0.03，0.05，0.1，0.2，0.3，0.5，1，1.5，2，3或4wt％的量的稀土金屬氧化物。在某些實施方案中，所述玻璃材料中包括的稀土金屬氧化物的量在由上述量值中的兩個所限定的範圍中。
當在所論述的實施方案中建議同時使用過渡金屬氧化物和稀土金屬氧化物時，與僅使用過渡金屬氧化物和稀土金屬氧化物中的一種的情況相比，有可能防止PDP的物理或光學特性惡化並改善發光單元對比率和顏色純度。
在一個實施方案中，PDP中的前基板和前基板的介電層由包含過渡金屬氧化物和稀土金屬氧化物玻璃材料形成。通常用於顯示器基板中的玻璃材料的非限制性示例為鈉鈣玻璃、中性硼矽酸鹽玻璃和非鹼性玻璃。
雖然所述玻璃材料的成分並不局限於本實施方案中所提到的一種，不過，所述玻璃材料包括該玻璃材料總重量的大約20-70wt％的量的ZnO；大約10-50wt％的量的BaO；大約10-40wt％的量的B2O3；大約0-20wt％的量的P2O5；大約0-20wt％的量的SiO2；大約0-20wt％的量的Bi2O3；大約0-30wt％的量的V2O5；從由大約0-10wt％的量的Na2O、Li2O和K2O、大約0-10wt％的量的CaO、大約0-10wt％的量的MgO、大約0-30wt％的量的SrO和大約0-20wt％的量的MoO3所組成的組中選出的至少一種氧化物；大約0-10wt％的量的Al2O3；大約0-10wt％的量的從由Sb2O3、CuO、Cr2O3、As2O3、CoO和NiO所組成的組中選出的至少一種氧化物；和大約0-10wt％的量的TiO2。
圖2為顯示在CIE L*a*b*約定下在顏色座標系統中的CIE L*a*b*顏色座標的視圖。各CIE L*a*b*顏色座標表示基於CIE(CommissionInternationale de I』Eclairage或國際照明委員會)的顏色的量化值。參見圖2，CIE LAB(L*a*b*)為一種立體圖，其中垂直軸線為表示色度的L*，而水平面由a*和b*形成。在此，隨著a*值沿著正方向而變大，顏色變得更紅。隨著a*值沿著負方向而變大，顏色變得更綠。而且，隨著b*值沿著正方向而變大，顏色變得更黃，而隨著b*值沿著負方向而變大，顏色變得更藍。顏色在中心為無色。
用於前基板11和第二介電層15中的至少一個中的所述玻璃材料，在CIE L*a*b*下具有大約26＜L*＜大約36，和b*＜大約-3.5或大約1＜b*。這樣的具有光學亮度和色度的玻璃材料用於前基板11和第二介電層15。L*值與前基板11或第二介電層15的透光度呈線性正比。用於前基板和第二介電層的玻璃的成分包括過渡金屬氧化物和稀土金屬氧化物，以滿足CIEL*a*b*值的條件。
本發明的包括過渡金屬氧化物和稀土金屬氧化物的玻璃基板可通過如下步驟製成a)將過渡金屬化合物和稀土金屬化合物添加到構成玻璃基板的金屬氧化物粉末中並將其混合；b)熔化所述混合後的材料；和c)淬火和模製所述熔化後的材料。步驟a)中的過渡金屬化合物為能夠形成過渡金屬氧化物的化合物材料。在一個實施方案中，過渡金屬化合物為過渡金屬的氧化物、氯化物、氮化物和硫化物中的至少一種的混合物。稀土金屬化合物為能夠形成稀土金屬氧化物的材料的混合物。在一個實施方案中，稀土金屬化合物為稀土金屬的氯化物、氮化物和硫化物中的至少一種的混合物。
步驟b)中的熔化在大約1000-1500℃的溫度範圍中進行大約10分鐘至大約1小時，以均勻混合各組分。當熔化在上述條件下進行時，能夠獲得所希望的物理特性。步驟c)中的淬火可按照幹法或溼法來進行。在溼法淬火中，可使用水，而淬火後，熔化後的材料可通過諸如槽式下拉、擠出下拉、浮法壓延的方法模製，然後切割，來完成玻璃基板的製作。
如上所述，本發明的實施方案具有同時使用過渡金屬氧化物和稀土金屬氧化物而獲得的效果。而且，不使用針對氖的過濾層就能夠增加透光度，並且補償光學質量和獲取自所述氧化物的電屏蔽效果。其結果是，PDP的發光單元對比率和顏色純度得以改善。
下面的實施例將詳細地說明本發明。不過應理解的是，本發明並不局限於這些實施例。
實施例實施例1-2和對照實施例1下面的表1中所示的成分的金屬氧化物，是在含有氧化鋯球的聚乙烯容器中製備的，而且所述容器中加入了乙醇。進行20小時的球磨以均勻混合金屬氧化物。在對照實施例1中，使用了最廣泛用於前基板的來自AGC公司的PD-200。
粉末混合物被置於鉑坩鍋中，在1250℃熔化2小時，幹淬火，使用盤銑(disk mill)進行粗粉碎，之後使用乾粉碎機進行精細粉碎。乾燥後的混合物被擠壓進入錫室中，並模製為板形，以完成用於PDP的玻璃基板的製作。
表1
根據實施例1和2以及對照實施例1而製備的玻璃基板的光學透光度，使用具有550納米波長的光的分光光度計進行測量。而且，還測量了外來光反射亮度，並根據公式1計算了發光單元對比率。其結果示於下表2中。
表2
根據表2，通常用作前玻璃基板的對照實施例1的玻璃基板，具有大約90％的透光度而接近於透明，而其外來光的反射亮度為12.39cd/m2。
另一方面，實施例1的玻璃基板顯示了暗黃色，而實施例2的玻璃基板顯示了暗藍色。根據實施例1的基板的L*值和b*值分別為31和1.06，而根據實施例2的基板的L*值和b*值分別為35和-3.98。特別是，根據實施例1製備的玻璃基板的透光度為69.62％，比根據對照實施例1而製備的玻璃基板的透光度低22.6％，而且，其外來光反射亮度與對照實施例1的玻璃基板的外來光反射亮度相比減少了38.6％。與對照實施例1相比，實施例2的玻璃基板的透光度也減少了22.2％，而其外來光反射亮度減少了38.1％。
通常，透光度和外來光反射亮度按比例減少。不過，在本實施例的基板中，外來光反射亮度比透光度減少得更多，其控制了亮度。這樣產生的效果是，發光單元對比率基於公式1而提高。
實施例3製備PDP裝置PDP裝置的製備是通過使用根據實施例1備的玻璃基板作為前基板而製得的。ITO被沉積在玻璃基板上從而形成ITO透明電極。然後，總線電極、保持電極、介電層和保護層形成在ITO透明電極的頂上以形成前基板，而且製備由尋址電極、介電層、阻隔肋件和螢光層組成的後基板。PDP的製備通過組裝前後基板、將其密封在一起、排氣、注入放電氣體和陳化而進行。同時，PDP裝置的製造，是通過將形成在透明基板上的具有電屏蔽層的前過濾器安裝在前室中並將PDP和底盤安裝在前室與後蓋之間而得到。如上所述，本發明的技術通過將過渡金屬氧化物和稀土金屬氧化物添加到由玻璃材料形成的前基板並改善發光單元對比率和顏色純度，實現了高質量的影像。
雖然已經描述了本發明的各實施例，但應理解的是，本發明並不僅限於所公開的實施例，而是相反地，本發明意在涵蓋處於所附權利要求的精神和範圍之內的各種修改和等同結構。
權利要求
1.一種等離子體顯示平板PDP，包括前基板；與所述前基板相對的後基板；置於所述前基板與所述後基板之間的多個尋址電極；置於所述前基板與所述後基板之間的第一介電層，其中所述多個尋址電極被埋置於所述第一介電層與所述後基板之間；置於所述第一介電層與所述前基板之間以限定放電空間的多個阻隔肋件；置於所述放電空間的至少一部分中的螢光層；置於所述前基板與所述第一介電層之間的多個顯示電極；置於所述前基板與所述後基板之間的第二介電層，其中所述多個顯示電極被埋置於所述第二介電層與所述前基板之間；和置於所述第二介電層與所述後基板之間的保護層，其中，所述前基板和所述第二介電層中的至少一個包括從由鈷、鎳、硒、鐵、錳、鉻、釩和鈧的氧化物所組成的組中選出的至少一種過渡金屬氧化物；以及其中，包含有所述至少一種過渡金屬氧化物的所述前基板和所述第二介電層中的至少一個，進一步包括從由鐠、釹、釤、鏑和鈥的氧化物所組成的組中選出的至少一種稀土金屬氧化物。
2.根據權利要求1所述的等離子體顯示平板，其中所述前基板和所述第二介電層中的至少一個包括玻璃材料。
3.根據權利要求2所述的等離子體顯示平板，其中所述玻璃材料在CIEL*a*b*的約定下具有26＜L*＜36，和b*＜-3.5或1＜b*。
4.根據權利要求2所述的等離子體平板，其中所述至少一種過渡金屬氧化物和所述至少一種稀土金屬氧化物被大致均勻地分布在所述前基板中。
5.根據權利要求2所述的等離子體顯示平板，其中所述玻璃材料包括從由鈉鈣玻璃、中性硼矽酸鹽玻璃和非鹼性玻璃所組成的組中選出的一種。
6.根據權利要求2所述的等離子體顯示平板，其中所述玻璃材料包括所述至少一種過渡金屬氧化物，所述的至少一種過渡金屬氧化物相對於所述玻璃材料的總重量的重量百分比為大約0.01-2％。
7.根據權利要求2所述的等離子體顯示平板，其中所述玻璃材料包括所述至少一種過渡金屬氧化物，所述的至少一種過渡金屬氧化物是通過將從由鈷、鎳、硒、鐵、錳、鉻、釩和鈧的氧化物、氯化物、氮化物和硫化物所組成的組中選出的至少一種添加到不含有所述過渡金屬氧化物的玻璃材料中而被製備的。
8.根據權利要求2所述的等離子體顯示平板，其中所述玻璃材料包括所述至少一種稀土金屬氧化物，所述的至少一種稀土金屬氧化物相對於所述玻璃材料的總重量的重量百分比為大約0.01-4％。
9.根據權利要求2所述的等離子體顯示平板，其中所述玻璃材料包括所述至少一種稀土金屬氧化物，所述的至少一種稀土金屬氧化物是通過將從由鐠、釹、釤、鏑和鈥的氧化物、氯化物、氮化物和硫化物所組成的組中選出的至少一種添加到不含有所述稀土金屬氧化物的玻璃材料中而被製備的。
10.根據權利要求1所述的等離子體顯示平板，其中所述至少一種過渡金屬氧化物與所述至少一種稀土金屬氧化物的重量比為大約0.5-2。
11.一種顯示裝置，包括前基板，其包含在其上顯示影像的顯示表面；與所述前基板相對的後基板；置於所述前基板與所述後基板之間的多個放電單元；置於所述前基板與所述多個放電單元之間的多個放電電極；和置於所述前基板與所述多個放電單元之間的介電層，其中，所述多個放電電極被埋置於所述前基板與所述介電層之間；其中，所述前基板的至少一部分包括從由鐠、釹、釤、鏑和鈥的氧化物所組成的組中選出的至少一種稀土金屬氧化物。
12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述前基板的所述部分進一步包括從由鈷、鎳、硒、鐵、錳、鉻、釩和鈧的氧化物所組成的組中選出的至少一種過渡金屬氧化物。
13.根據權利要求11所述的裝置，其中所述介電層的至少一部分包括從由鈷、鎳、硒、鐵、錳、鉻、釩和鈧的氧化物所組成的組中選出的至少一種過渡金屬氧化物。
14.根據權利要求13所述的裝置，其中所述介電層的所述部分進一步包括從由鐠、釹、釤、鏑和鈥的氧化物所組成的組中選出的至少一種稀土金屬氧化物。
15.根據權利要求11所述的裝置，其中所述前基板被設置為吸收大量波長大約500-600nm的可見光。
16.根據權利要求11所述的裝置，其中所述前基板具有大約26-36的L*值。
17.根據權利要求11所述的裝置，其中所述前基板在CIE L*a*b*的約定下具有的b*值小於大約-3.5或大於大約1。
全文摘要
等離子體顯示平板(PDP)包括前基板和第二介電層。所述前基板和第二介電層中的至少一個由玻璃材料形成。所述玻璃材料包括過渡金屬氧化物和稀土金屬氧化物。所述過渡金屬氧化物為鈷(Co)、鎳(Ni)、硒(Se)、鐵(Fe)、錳(Mn)、鉻(Cr)、釩(V)和鈧(Sc)的氧化物中的至少一種。所述稀土金屬氧化物為鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、鏑(Dy)和鈥(Ho)的氧化物中的至少一種。
文檔編號C03C3/19GK101042969SQ20071008679
公開日2007年9月26日 申請日期2007年3月20日 優先權日2006年3月20日
發明者金哲弘 申請人:三星Sdi株式會社