具有背面反射體的光伏器件的製作方法
2023-06-15 07:09:16 1
具有背面反射體的光伏器件的製作方法
【專利摘要】本發明提供了具有背面反射體的光伏器件，公開了通過在背面電極層和吸收層之間提供背面反射體而提高薄膜太陽能電池的效率的器件和方法。背面反射體將太陽光光子重新反射回吸收層以產生額外的電能。該器件是光伏器件，其包括襯底、背面電極層、背面反射體、吸收層、緩衝層和正面接觸層。背面反射體形成為多條平行線。
【專利說明】具有背面反射體的光伏器件
【技術領域】
[0001]本發明總的來說涉及光伏器件，更具體地，涉及用於提高薄膜太陽能電池的性能的背面反射體。
【背景技術】
[0002]薄膜太陽能電池，也被稱為薄膜光伏電池，其用於將光能直接轉換成電能。薄膜太陽能電池的製造包括依次在襯底之上沉積一個或多個薄膜層的步驟。典型的薄膜太陽能電池包括正面接觸層、緩衝層、吸收層、背面電極層和襯底。
[0003]正面接觸層，也叫做頂部接觸層或窗口層，其通常是具有抗反射塗層的η型透明導電氧化物層。緩衝層通常是η型層，而吸收層通常是P型層。吸收層可以是「基於CIGS」的吸收層，其中，「CIGS」 一般是指銅銦鎵硒或Cu(In，Ga)Se2。背面電極層通常為金屬且通常包括鑰(Mo)。襯底通常由玻璃、塑料或金屬箔製成。在具有金屬箔襯底的薄膜太陽能電池中，背面電極層可以省去，因為襯底起著背面電極層的作用。
[0004]當來自太陽光的光子經過薄膜太陽能電池時，在光敏吸收層中產生電子空穴對。由於在緩衝層-吸收層結內的內建電場，使得它們可以分開。由此產生的空穴和電子分別由背面電極和頂部接觸層收集，從而產生光電流。
【發明內容】
[0005]根據本發明的一個方面，提供了一種光伏器件，包括:襯底；背面電極層，形成在襯底之上；背面反射體，形成在背面電極層之上；吸收層，形成在背面電極層和背面反射體之上；緩衝層，形成在吸收層之上；以及正面接觸層，形成在緩衝層之上。
[0006]優選地，背面反射體形成為多條平行線。
[0007]優選地，背面反射體形成為網格結構。
[0008]優選地，背面反射體由具有1.2和3.0之間的折射率的第一反射體材料形成。
[0009]優選地，背面反射體由至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料形成，第二反射體材料形成為與背面電極層接觸，且第一反射體材料形成在第二反射體材料之上。
[0010]優選地，第一反射體材料的折射率大於第二反射體材料的折射率。
[0011]優選地，第一反射體材料的折射率介於1.5和4.5之間，而第二反射體材料的折射率介於1.2和2.5之間。
[0012]優選地，形成背面反射體的至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料的每一層的深度介於30nm和300nm之間。
[0013]優選地，背面反射體對於背面電極層的表面積的覆蓋率介於20%和90%之間。
[0014]優選地，使用掩模通過濺射形成背面反射體。
[0015]根據本發明的另一方面，提供了一種形成光伏器件的方法，包括:在襯底之上形成背面電極層；在背面電極層之上形成包括多條平行線的背面反射體；在背面電極層和背面反射體之上形成吸收層；在吸收層之上形成緩衝層；以及在緩衝層之上形成正面接觸層。
[0016]優選地，背面反射體形成為網格結構。
[0017]優選地，背面反射體由具有1.2和3.0之間的折射率的第一反射體材料形成。
[0018]優選地，背面反射體由至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料形成，第二反射體材料形成為與背面電極層接觸，且第一反射體材料形成在第二反射體材料之上。
[0019]優選地，第一反射體材料的折射率大於第二反射體材料的折射率。
[0020]優選地，第一反射體材料的折射率介於1.5和4.5之間，而第二反射體材料的折射率介於1.2和2.5之間。
[0021]優選地，形成背面反射體的至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料的每一層的深度介於大約30nm和300nm之間。
[0022]優選地，背面反射體對於背面電極層的表面積的覆蓋率介於20%和90%之間。
[0023]優選地，使用掩模通過濺射形成背面反射體。
[0024]根據本發明的又一方面，提供了一種光伏器件，包括:襯底，包括玻璃、塑料或金屬箔；背面電極層，位於襯底之上；背面反射體，位於背面電極層之上且覆蓋背面電極層的表面積的20%到90%，背面反射體由至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料形成，第二反射體材料形成為與背面電極層接觸，且第一反射體材料形成在第二反射體材料之上，其中，第一反射體材料的折射率大於第二反射體材料的折射率；吸收層，位於背面電極層和背面反射體之上；緩衝層，位於吸收層之上；以及正面接觸層，形成在緩衝層之上。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]當結合附圖閱讀下面詳細的說明書時，可最佳理解本發明。應該強調，根據普遍實踐，各個部件沒有必要按比例繪製。與此相反，為了清楚起見，各個部件的尺寸可任意擴大或減小。貫穿說明書和附圖，相同的數字表示相同的部件。
[0026]圖1是根據本發明的一些實施例的具有背面反射體的薄膜太陽能電池的簡化框圖。
[0027]圖2是根據本發明的一些實施例的具有背面反射體的薄膜太陽能電池的簡化框圖。
[0028]圖3是根據本發明的一些實施例的包括背面反射體的多條線的俯視圖。
[0029]圖4A是根據本發明的一些實施例的背面反射體的單條線的截面圖的簡化框圖。
[0030]圖4B是根據本發明的一些實施例的形成在背面電極層與吸收層之間的背面反射體的截面圖的簡化框圖。
[0031]圖5是根據一些實施例的方法的流程圖。
[0032]圖6是比較具有和不具有背面反射體的鑰背面電極層的光反射係數的初步實驗數據的曲線圖。
【具體實施方式】
[0033]本示例性實施例的說明書旨在結合附圖進行閱讀，附圖被認為是整個書面說明書的一部分。在說明書中，諸如「下部」、「上部」、「水平的」、「垂直的」、「在…之上」、「在…之下」、「向上」、「向下」、「頂部」和「底部」以及它們的派生詞(例如，「水平地」、「向下地」、「向上地」
等)的相關術語應該解釋為是指討論的附圖中所描述或所示的方位。這些相關術語是為了方便說明，而不要求裝置以特定的方位進行構造或操作。除非另有明確描述，諸如「連接」和「互連」的關於連接、耦合等的術語，是指結構間直接或通過介入結構間接地彼此固定或連接的關係以及兩個都是可移動的或剛性的連接或關係。
[0034]當進入薄膜太陽能電池的光子的能量大於光吸收層的能帶隙時，很多光子被電池吸收。然而，進入薄膜太陽能電池的光子的不可忽視的部分未被電池吸收而到達背面電極層。這些光子反射回吸收層，潛在地創造更多的電能或為背面電極層所吸收。
[0035]由鑰(Mo)製作的背面電極層反射光子的能力較差。在基於CIGS的吸收層的形成期間引入硒原子使得在背面電極層的表面上產生硒化鑰(MoSe2),其進一步減小了背面電極層反射光子的能力。
[0036]本發明提供了背面反射體，其配置在背面電極層和吸收層之間以提高薄膜太陽能電池中的光子反射。本發明公開了一種提高薄膜太陽能電池中的光子反射的方法，該方法包括在襯底上依次沉積包括背面反射體層的薄膜層以形成薄膜太陽能電池。
[0037]提高背面電極層的反射率引起更多的光子反射回吸收層並轉換為電能。因此，提高背面電極層的反射率提高了薄膜太陽能電池的效率。
[0038]圖1是根據本發明的一些實施例的薄膜太陽能電池100的截面圖的簡化框圖。正面接觸層101，也叫做頂部接觸層或窗口層，其通常是具有抗反射塗層的η型透明導電氧化物(TCO)以防止太陽光光子從薄膜太陽能電池100的表面反射出來。正面接觸層101可包括單層或多層。用於正面接觸層101的合適材料的實例包括但不限於諸如氧化銦錫(ΙΤ0)、氟摻雜氧化錫(FT0)、鋁摻雜氧化鋅(ΑΖ0)、鎵摻雜ZnO (GZ0)、鋁和鎵共摻雜ZnO (AGZ0)、硼摻雜ZnO (BZO)和它們的任何組合的透明導電氧化物。用於正面接觸層101的合適材料也可以是包括透明導電氧化物(TCO)的至少一種和另一種導電材料的複合材料，另一種導電材料不顯著降低正面接觸層101的電導率或光學透明性。正面接觸層101的厚度大約是納米級或微米級，例如，在一些實施例中，正面接觸層101的厚度介於大約0.3nm和大約2.5 μ m之間。
[0039]緩衝層103通常是η型層。在一些實施例中，緩衝層103由CdS、ZnS、ZnO、In2S3、In2Se3、ZrvxMgxO或ZnSe形成。可以使用其他合適的緩衝層材料。緩衝層103的厚度大約為納米級，例如，在一些實施例中，緩衝層103的厚度介於大約5nm和大約10nm之間。
[0040]在一些實施例中，緩衝層103通過諸如濺射或化學氣相沉積的合適工藝形成。例如，在一些實施例中，緩衝層103是通過溶液中的水熱反應或化學浴沉積(CBD)沉積的CdS、ZnS或CdS和ZnO的混合物的層。例如，在一些實施例中，包括ZnS薄膜的緩衝層103形成於包括「基於CIGS」的吸收層的吸收層105之上，其中，「CIGS」一般是指銅銦鎵硒或Cu (In，Ga)Se20緩衝層103形成於80攝氏度的包括ZnSO4、氨和硫脲的水溶液中。在一些實施例中，合適的溶液包括0.16M的ZnS04、7.5M的氨和0.6M的硫脲。
[0041]結104形成於緩衝層103和吸收層105之間。
[0042]吸收層105通常是P型層。在一些實施例中，吸收層105是「基於CIGS」的吸收層。在一些實施例中，使用CuGa濺射靶(未示出)和基於銦的濺射靶(未示出)濺射吸收層105。在一些其他實施例中，首先濺射CuGa材料以形成一個金屬前體層，然後濺射基於銦的材料以在CuGa金屬前體層上形成含銦金屬前體層。在其他實施例中，同時或以交替的方式濺射CuGa材料和基於銦的材料。
[0043]在其他實施例中，吸收層105包括銅(Cu)、鎵(Ga)、銦(In)、鋁(Al)、硒(Se)、硒化物(S)或它們的組合。在其他一些實施例中，吸收層105包括不同的材料，諸如CuInSe2 (CIS)、CuGaSe2 (CGS)、Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)、Cu (In, Ga) (Se, S) 2 (CIGSS)、CdTe 和非晶矽。其他實施例包括其他吸收層材料。
[0044]在另一個實施例中，吸收層105通過提供成分的適當均勻性的不同技術形成。例如，可通過化學氣相沉積(CVD)共蒸且同時釋放Cu、In、Ga和Se2，然後加熱至介於400°C和600°C之間的溫度。在其他實施例中，首先釋放Cu、In和Ga，然後在介於400°C和600°C之間的溫度下在Se氣體中對吸收層進行退火。
[0045]在其他實施例中，吸收層105使用諸如化學氣相沉積、印刷、電沉積等的方法形成。
[0046]吸收層105的厚度大約是納米級或微米級，例如，從大約0.2 μ m到大約10 μ m。在一些實施例中，吸收層105的厚度從大約200nm到大約3 μ m。在一些實施例中，吸收層105的厚度為大約I微米或更大。
[0047]背面電極層107，也叫做背面接觸或底部接觸層，其通常是含金屬的且通常包括鑰(Mo)或鑰複合物。其他實施例包括代替Mo的諸如Pt、Au、Ag、Ni或Cu的其他合適的背面接觸材料。例如，在一些實施例中，提供了銅或鎳的背面電極層107，在其之上可形成碲化鎘(CdTe)吸收層105。背面電極層107的厚度大約為納米級或微米級，例如，在一些實施例中，背面電極層107的厚度介於大約10nm和大約20 μ m之間。
[0048]襯底109通常由玻璃、塑料或金屬箔製成。在具有金屬箔襯底109的薄膜太陽能電池100中，由於襯底109起著背面電極層107的作用，所以背面電極層107可以省去。將參照圖2進一步描述這個實施例。
[0049]當來自太陽光的光子經過薄膜太陽能電池100時，在吸收層105中產生電子空穴對。由於結104的形成，電子空穴對通過內建電場分開。電子通過η型正面接觸層101收集；空穴通過背面電極層107收集。
[0050]背面反射體111配置在吸收層105內且鄰近背面電極層107。背面反射體111是用於總體描述形成在背面電極層107頂部的多條線113的術語，使得第一面117與背面電極層107接觸。然後吸收層105形成在背面電極層107和背面反射體111的頂部上，使得多條線113的每條線的第二面118、第三面115和第四面116與吸收層105接觸。背面反射體111的厚度大約為納米級或微米級，例如，從大約0.Ιμπι到大約2μπι。在一些實施例中，背面反射體111的厚度介於10nm和500nm之間。
[0051]圖2是根據本發明的一些實施例的可選的薄膜太陽能電池200的截面圖的簡化框圖。可選的薄膜太陽能電池200具有由金屬箔形成的襯底109。金屬箔襯底109起著襯底109和電導體的作用，省去了對背面電極層107的需要。因此，背面反射體111配置在吸收層105內且鄰近襯底109。
[0052]圖3是根據本發明的一些實施例的構成背面反射體111的多條線113的俯視圖。多條線113作為平行於第一軸A且互相平行的多條平行線113形成在背面電極層107的表面上。在圖3中，線113示出為陰影區，而在下面的背面電極層107示出為非陰影區。
[0053]在一些實施例中，添加平行於第二軸的額外的線113，其中，第一軸A和第二軸B互相垂直或互相不平行以產生用於背面反射體111的網眼或網格結構。
[0054]在形成多條線113的材料的沉積期間，可使用掩模或遮掩物以產生多條平行線113。在一些實施例中，使用掩模將反射體材料濺射到背面電極層107的表面上。在其他實施例中，使用掩模通過汽相沉積將反射體沉積到背面電極層107的表面上。
[0055]背面反射體111形成在多條平行線113中以允許提高反射率，同時保證吸收層105與背面電極層107之間保持直接接觸，從而最小化對背面電極層107處的空穴收集的妨礙。
[0056]在一些實施例中，通過調整多條線113中的一條或多條的寬度(W)來調整背面反射體111對吸收層105的覆蓋率。覆蓋率應該最大化薄膜太陽能電池100的反射率，同時也對薄膜太陽能電池100的電氣性能具有最小或可接受的影響。增加多條線113中的一條或多條的寬度(w)將增加薄膜太陽能電池100的電阻，導致電氣性能的下降。在一些實施例中，背面反射體111對吸收層105的覆蓋率介於20%和90%之間。在一些實施例中，背面反射體111對吸收層105的覆蓋率介於50%和80%之間。
[0057]圖4A是根據本發明的一些實施例的背面反射體111的單條線113的簡化框圖。在一些實施例中，線113由至少一層第一反射體材料402和至少一層第二反射體材料404形成。在一些實施例中，使用第一反射體材料402和第二反射體材料404以外的額外材料。
[0058]在一些實施例中，一些或所有線113包括單層第一反射體材料402和單層第二反射體材料404，從而形成材料對，其被表示為p。在一些實施例中，一些或所有線113包括多個材料對P。
[0059]選擇第一反射體材料402和第二反射體材料404以獲得高光子反射率。在一些實施例中，基於折射率選擇第一反射體材料402和第二反射體材料404，其中，折射率衡量光通過材料傳播的方式。通過選擇具有更高或更低折射率的材料作為第一反射體材料402和第二反射體材料404，可以調整在不同光波長下的背面反射體111的反射率。
[0060]在一些實施例中，第一反射體材料402的折射率介於1.5和4.5之間。在一些實施例中，第二反射體材料404的折射率介於1.2和2.5之間。
[0061]基於選擇用於第一反射體材料402和第二反射體材料404的材料，可以調整第一反射體材料402和第二反射體材料404的每層的深度(d)以提高反射率。在一些實施例中，第一反射體材料402和第二反射體材料404的每層的深度(d)介於30nm和300nm之間。
[0062]在一些實施例中，第一反射體材料402為具有3.6的折射率的矽(Si)，且第二反射體材料404為具有1.46的折射率的氧化矽(S1x)。
[0063]在一些實施例中，背面反射體111的線113隻在厚度介於30nm和2000nm之間的層中由具有1.2和3.0之間的折射率的第一反射體材料402形成。
[0064]圖4B是根據本發明的一些實施例的配置在背面電極層107與吸收層105之間的背面反射體111的截面圖的簡化框圖。第二反射體材料404形成為與背面電極層107接觸。第一反射體材料402添加到第二反射體材料404的頂部。在圖4B所示的實施例中，線113包括單層第一反射體材料402和單層第二反射體材料404，從而形成材料對，其被表示為P。
[0065]在一些實施例中，圖4B中未示出，背面反射體111由多個材料對P形成。額外的第一反射體材料402和第二反射體材料404層隨後添加到與背面電極層107接觸的第二反射體材料404的起始層之上。
[0066]薄膜太陽能電池100通過在襯底109上依次沉積薄膜層形成。通過包括化學沉積或諸如濺射的物理沉積的任何合適方法可以在襯底109上沉積薄膜層。本發明還提供了形成具有背面反射體111的薄膜太陽能電池100的方法。
[0067]圖5是根據本發明的一些實施例的方法500的流程圖。
[0068]在方法500從方框502開始之後，在方框504中，背面電極層107形成在襯底109之上。在一些實施例中，鑰背面電極層107通過濺射形成在襯底109上。
[0069]在方框506中，包括多條線113的背面反射體111作為多條平行線113形成在背面電極層107之上。在一些實施例中，該步驟包括在背面電極層107上濺射第一層第二反射體材料404並在第一層第二反射體材料404上濺射第二層第一反射體材料402，其中，用於形成第一層和第二層的反射體材料具有互不相同的折射率。
[0070]在方框508中，在背面電極層107和背面反射體111之上形成吸收層105。
[0071]在方框510中，在吸收層105之上形成緩衝層103。在方框512中，在緩衝層103之上形成正面接觸層101，該工藝在方框514結束。
[0072]圖6是比較具有和不具有背面反射體111的鑰背面電極層107的光反射係數的實驗數據的曲線圖。背面反射體包括作為第一反射體材料402的Si和作為第二反射體材料404的S1x。為了光學測量的特定目的，背面反射體完全覆蓋背面電極層。對於沒有背面反射體111的鑰背面電極層107,光子波長在400nm和1200nm之間的太陽光光子反射率介於大約50%和大約65%之間。然而,對於具有背面反射體111的鑰背面電極層107,在光子波長介於750nm和1200nm之間的反射率上升至80%以上之前，太陽光光子反射率在大約580nm的光子波長處降至20%以下。因此，圖6示出了在鑰背面電極層107上引入背面反射體111而實現的太陽光光子反射率的潛在增益。
[0073]上面描述的具有背面反射體的薄膜太陽能電池具有若干優勢。第一，背面反射體提供的改進的光子反射率引起太陽能電池中更多太陽光光子的吸收。這產生了更加高效的太陽能電池，對於不變的太陽光輸入，具有更大的電力輸出。
[0074]第二，改進的反射率可允許製造者減小吸收層的深度，這可以減少太陽能電池的製造成本。可以減小吸收層的深度以廣生完全耗盡的電池。在完全耗盡的電池中，整個吸收層位於由緩衝層和吸收層形成的pn結的耗盡區內。耗盡區是具有用於有效分離電子空穴對的內建電場的區域，因為沒有使用額外的或不必要的吸收材料，所以具有與耗盡區的深度相配的深度的吸收層有效利用了吸收材料。在一些實施例中，吸收層的深度為大約Iym時產生完全耗盡的電池。
[0075]此外，通過使用多條平行線，背面反射體基本上沒有不可接受地幹擾太陽能電池的電氣性能。通過在背面反射體的沉積期間使用金屬掩模，線結構易於製造，因此包含背面反射體應該基本上不影響製造成本。
[0076]雖然在此描述和示出了實例，但是實施例不限於示出的細節，因為在權利要求的等效物範圍內，本領域一般技術人員可作出各種改變和結構變化。雖然本發明針對薄膜太陽能電池，但是背面反射體還可以應用於其他類型的太陽能電池、其他光伏系統和裝置以及其他半導體或光學器件。
[0077]在一些實施例中，一種光伏器件包括襯底、形成在襯底之上的背面電極層、形成在背面電極層之上的背面反射體、形成在背面電極層和背面反射體之上的吸收層、形成在吸收層之上的緩衝層以及形成在緩衝層之上的正面接觸層。在一些實施例中，背面反射體形成為多條平行線。在一些實施例中，背面反射體形成為網格結構。在一些實施例中，背面反射體由至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料形成，第二反射體材料形成為與背面電極層接觸，且第一反射體材料形成在第二反射體材料之上。在一些實施例中，第一反射體材料的折射率大於第二反射體材料的折射率。在一些實施例中，第一反射體材料的折射率介於1.5和4.5之間，而第二反射體材料的折射率介於1.2和2.5之間。在一些實施例中，形成背面反射體的至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料的每一層的深度介於30nm和300nm之間。在一些實施例中，背面反射體覆蓋了背面電極層的表面積的20%到90%。在一些實施例中，背面反射體覆蓋了背面電極層的表面積的50%到80%。在一些實施例中，背面反射體使用掩模通過濺射形成。在一些實施例中，背面反射體使用掩模通過化學氣相沉積形成。
[0078]在一些實施例中，一種在襯底上形成光伏器件的方法包括:在襯底之上形成背面電極層；在背面電極層之上形成包括多條平行線的背面反射體；在背面電極層和背面反射體之上形成吸收層；在吸收層之上形成緩衝層；以及在緩衝層之上形成正面接觸層。在一些實施例中，背面反射體形成為網格結構。在一些實施例中，背面反射體由至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料形成，第二反射體材料形成為與背面電極層接觸，且第一反射體材料形成在第二反射體材料之上。在一些實施例中，第一反射體材料的折射率大於第二反射體材料的折射率。在一些實施例中，第一反射體材料的折射率介於1.5和4.5之間，而第二反射體材料的折射率介於1.2和2.5之間。在一些實施例中，形成背面反射體的至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料的每一層的深度介於大約30nm和300nm之間。在一些實施例中,背面反射體覆蓋了背面電極層的表面積的20%到90%。在一些實施例中，背面反射體覆蓋了背面電極層的表面積的50%到80%。在一些實施例中，背面反射體使用掩模通過濺射形成。在一些實施例中，背面反射體使用掩模通過化學氣相沉積形成。
[0079]在一些實施例中，一種光伏器件包括:包含玻璃、塑料或金屬箔的襯底；在襯底之上的背面電極層；在背面電極層之上且覆蓋背面電極層的表面積的20%到90%的背面反射體，背面反射體由至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料形成，第二反射體材料形成為與背面電極層接觸，且第一反射體材料形成在第二反射體材料之上，其中，第一反射體材料的折射率大於第二反射體材料的折射率；在背面電極層和背面反射體之上的吸收層；在吸收層之上的緩衝層；以及形成在緩衝層之上的正面接觸層。
[0080]雖然在此描述和示出了實例，但是實施例不限於示出的細節，因為在權利要求的等效物範圍內那些一般技術人員可作出各種改變和結構變化。
【權利要求】
1.一種光伏器件，包括: 襯底； 背面電極層，形成在所述襯底之上； 背面反射體，形成在所述背面電極層之上； 吸收層，形成在所述背面電極層和所述背面反射體之上； 緩衝層，形成在所述吸收層之上；以及 正面接觸層，形成在所述緩衝層之上。
2.根據權利要求1所述的光伏器件，其中，所述背面反射體形成為多條平行線。
3.根據權利要求1所述的光伏器件，其中，所述背面反射體形成為網格結構。
4.根據權利要求2所述的光伏器件，其中，所述背面反射體由具有1.2和3.0之間的折射率的第一反射體材料形成。
5.根據權利要求2所述的光伏器件，其中，所述背面反射體由至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料形成，所述第二反射體材料形成為與所述背面電極層接觸，且所述第一反射體材料形成在所述第二反射體材料之上。
6.根據權利要求5所述的光伏器件，其中，所述第一反射體材料的折射率大於所述第二反射體材料的折射率。
7.根據權利要求6所述的光伏器件,其中，所述第一反射體材料的折射率介於1.5和4.5之間，而所述第二反射體材料的折射率介於1.2和2.5之間。
8.根據權利要求7所述的光伏器件，其中，形成所述背面反射體的至少一層所述第一反射體材料和至少一層所述第二反射體材料的每一層的深度介於30nm和300nm之間。
9.一種形成光伏器件的方法，包括: 在襯底之上形成背面電極層； 在所述背面電極層之上形成包括多條平行線的背面反射體； 在所述背面電極層和所述背面反射體之上形成吸收層； 在所述吸收層之上形成緩衝層；以及 在所述緩衝層之上形成正面接觸層。
10.一種光伏器件，包括: 襯底，包括玻璃、塑料或金屬箔； 背面電極層，位於所述襯底之上； 背面反射體，位於所述背面電極層之上且覆蓋所述背面電極層的表面積的20%到90%，所述背面反射體由至少一層第一反射體材料和至少一層第二反射體材料形成，所述第二反射體材料形成為與所述背面電極層接觸，且所述第一反射體材料形成在所述第二反射體材料之上，其中，所述第一反射體材料的折射率大於所述第二反射體材料的折射率； 吸收層，位於所述背面電極層和所述背面反射體之上； 緩衝層，位於所述吸收層之上；以及 正面接觸層，形成在所述緩衝層之上。
【文檔編號】H01L31/20GK104425642SQ201310578361
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年11月18日 優先權日:2013年8月29日
【發明者】吳志力, 許麗, 嚴文材, 吳忠憲 申請人:臺積太陽能股份有限公司