有機存儲器的製作方法

2023-06-10 20:22:26

專利名稱：:有機存儲器的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種存儲器裝置，且特別是涉及一種利用有機材料所製造的有機存儲器。
背景技術：
：近年來，一種雙穩態(bistable)材料被應用於製造存儲元件以及開關切換器...等，此種雙穩態材料包括無機材料以及有機材料(organicmaterial)，且此種雙穩態材料隨著施加於其上的電壓的不同，而在高阻抗狀態與低阻抗狀態之間轉換。值得注意的是，將這種有機材料設置於兩電極之間而製造出的多穩態存儲元件具有成為新一代的非易失性存儲元件的潛力。相對於矽基元件(silicon-baseddevice)，以有機材料所製造的有機元件具有較佳的延展性與可彎曲性等的優點，且由於有機材料幾乎可以塗布於任何表面上，因此，使得在具有彈性的塑料基底上形成有機存儲器陣列成為可能，另外，有機材料可在矽工藝完成後才來製造與處理，更進一步簡化了整個工藝。故由於上述優點與特性，將來必定有愈來愈多的印刷工藝(printingmanufacturingprocess)被發展來應用於有機元件的批量生產上，而使得有機元件的成本顯著降低，且應用更為廣泛。圖1為一種有機存儲器內有機存儲單元的理想化特性曲線圖，此有機存儲單元使用有機材料來製造，請參照圖1。此有機存儲單元至少具有雙穩態特性，亦即，至少可處於高阻抗狀態或低阻抗狀態。當有機存儲單元處於高阻抗狀態時，其偏壓電壓與傳導電流之間的關係如路徑110所示，故當有機存儲單元處於高阻抗狀態，然後施加偏壓電壓VR於此有機存儲單元，則流過此有機存儲單元的傳導電流為I0。當施加的偏壓電壓超過VT1後，則此有機存儲單元從處於高阻抗狀態轉為處於低阻抗狀態，而後，其偏壓電壓與傳導電流之間的關係如路徑120所示，故當有機存儲單元處於低阻抗狀態，且所施加的偏壓電壓為VR，則流過有機存儲單元的傳導電流為I1，其中I1＞＞I0。而後，當施加的偏壓電壓低於VT0後，則此有機存儲單元又從處於低阻抗狀態轉為處於高阻抗狀態。請注意，圖1的特性曲線明顯地被理想化了，隨著有機存儲單元所使用的有機材料的不同，其特性曲線或許有些不同，但基本上有機存儲器所利用的特性，並不超出上述解釋圖1的理想化特性曲線的範疇。由上述可知，使用具有至少雙穩態特性的有機材料所製造的有機存儲器將具有彎曲包容的能力，而可以被應用在具有軟電子元件的有彈性可彎曲系統中，更重要的是成本不高，故必將成為現代電子應用中一種最重要的電子存儲元件之一。因此，發展出一種實用可行且完整的有機存儲器刻不容緩。
發明內容本發明的目的就是提供一種有機存儲器，其使用有機存儲單元與數字感測電路等，而組成完整的存儲器集成電路中的數字感測機制，因此，可為一種批量生產且實用可行的存儲器元件。從一種觀點來看，本發明提出一種有機存儲器，此有機存儲器包括i條選擇線、j條數據線、位單元陣列、以及j個數字感測電路。此位單元陣列包括多個位單元，每一個位單元包括有機存儲單元以及開關元件，且有機存儲單元儲存有至少一位信息。每一條數據線與每一條選擇線間至少連接有這些位單元中的一個，而每一個數字感測電路連接至這些數據線中的一條。其中，定義位單元列B(n)為連接至第n條選擇線的所有位單元，當第n條選擇線致動時，位單元列B(n)內的開關元件會將位單元列B(n)內的有機存儲單元連接至各自的數據線上，而這些數字感測電路通過這些數據線感測並讀出位單元列B(n)內的有機存儲單元所儲存的位信息。其中i、j、n皆為自然數且n＜＝i。從另一種觀點來看，本發明另提出一種有機存儲器，此有機存儲器包括i條選擇線、j條數據線、位單元陣列、多路復用器、以及數字感測電路。此位單元陣列包括多個位單元，每一條數據線與每一條選擇線間至少連接有這些位單元中的一個，而每一個位單元包括有機存儲單元以及開關元件，且有機存儲單元儲存有至少一位信息。上述多路復用器具有一個輸出端、一個選擇端、以及多個輸入端，而這些輸入端各自連接至上述這些數據線中的一條，輸出端連接至數字感測電路，此多路復用器會根據選擇端，將這些輸入端中的一個連接至輸出端，亦即，將這些數據線中的一條連接至數字感測電路。其中，定義位單元列B(n)為連接至第n條選擇線的所有位單元，定義位單元M(m，n)為連接至第m條數據線與第n條選擇線的位單元，當第n條選擇線致動，且當多路復用器使數字感測電路連接至第m條數據線時，位單元列B(n)內的開關元件會將位單元列B(n)內的有機存儲單元連接至各自的這些數據線上，而數字感測電路感測並讀出位單元M(m，n)內的有機存儲單元所儲存的位信息，上述i、j、m、n皆為自然數且n＜＝i，m＜＝j。依照本發明的實施例所述，上述兩種觀點的有機存儲器中的數字感測電路都是根據流過有機存儲單元的傳導電流來感測此有機存儲單元所儲存的位信息，其中，數字感測電路包括電流至電壓轉換器以及感測區塊電路。電流至電壓轉換器根據流過此電流至電壓轉換器的傳導電流，將其轉換成電壓信號。而感測區塊電路連接至電流至電壓轉換器，其接收並根據上述電壓信號，以緩衝輸出有機存儲單元所儲存的位信息。上述電流至電壓轉換器包括第一電晶體、電容、以及第二電晶體。此第一電晶體的第一源/漏極連接至此電流至電壓轉換器的電流輸出入端(可以是連接至j條數據線中的一條或是多路復用器的輸出端)，而第一電晶體的柵極連接至第一開關信號。此電容具有第一端與第二端，第一端連接至第一電晶體的第二源/漏極，第二端連接至第一電位，而電壓信號由此第一端獲得。此第二電晶體的第一源/漏極連接至電容的第一端，第二電晶體的第二源/漏極連接至第二電位，而第二電晶體的柵極連接至第二開關信號。其中，當第一電晶體導通時第二電晶體不導通，且第一電晶體不導通時第二電晶體導通。舉例而言，如果第一電晶體與第二電晶體的類型相同，則第二開關信號為第一開關信號的反相；如果第一電晶體與第二電晶體的類型不同，則第一開關信號與第二開關信號相同。實施例中，上述第一電位例如為地電位，而上述第二電位例如為電源電位。上述感測區塊電路包括第三電晶體以及第四電晶體。此第三電晶體的第一源/漏極連接至第二電位，而第三電晶體的柵極連接至電壓信號。此第四電晶體的第一源/漏極連接至第三電晶體的第二源/漏極，第四電晶體的第二源/漏極連接至第一電位，而第四電晶體的柵極連接至第一開關信號。其中，當第四電晶體不導通時，第三電晶體的第二源/漏極輸出有機存儲單元所儲存的位信息。於實施例的應用中，還有取樣及保持電路連接至此感測區塊電路的輸出，以整型輸出有機存儲單元所儲存的位信息。值的注意的是，本發明所提供的有機存儲器可以作為非易失性存儲器來應用。綜上所述，本發明所提出的有機存儲器至少包括有多條選擇線、多條數據線、位單元陣列、以及數字感測電路等，因而組成完整的存儲器集成電路的數字感測機制，故可為一種批量生產且實用可行的存儲器元件。為讓本發明之上述和其它目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖，作詳細說明如下。圖1為一種有機存儲器內有機存儲單元的理想化特性曲線圖。圖2為本發明一實施例的一種有機存儲器的電路方框圖。圖3為圖2中位單元的一種實施例的電路圖。圖4為圖2中數字感測電路的一種實施例的電路圖。圖5為圖4的數字感測電路的各信號時序圖。圖6為本發明另一實施例的一種有機存儲器的電路方框圖。圖7為本發明又一實施例的一種有機存儲器的電路方框圖。圖8為圖7中位單元的一種實施例的電路圖。主要元件標記說明210位單元陣列220_1，220_2，...，220_j，620數字感測電路310，810有機存儲單元320，820，830開關元件322，412，416，422，426，822，832電晶體410電流至電壓轉換器413電容的第一端414電容415電容的第二端418，434，436反相器420感測區塊電路430取樣及保持電路432開關610多路復用器824，826，828，834，836，838端點BL_1，BL_2，BL_j，BL_m數據線M(1，1)，M(2，1)，M(j，1)，M(1，i)，M(2，i)，M(j，i)位單元WL_1，WL_i，WL_n選擇線RWL_1，RWL_i，RWL_n讀出選擇線WWL_1，WWL_i，WWL_n寫入選擇線具體實施方式圖2為本發明一實施例的一種有機存儲器的電路方框圖，請參照圖2。本發明所提出的一種有機存儲器包括i條選擇線WL_1，...，WL_i、j條數據線BL_1，BL_2，...，BL_j、位單元陣列210、以及j個數字感測電路220_1，220_2，...，220_j。而位單元陣列210中包括多個位單元M(1，1)，M(2，1)，...，M(j，1)，...，M(1，i)，M(2，i)，...，M(j，i)，由圖中可知，每一條數據線與每一條選擇線間至少連接有這些位單元中的一個，而每一個數字感測電路220_1，220_2，...，220_j分別連接至對應的這些數據線BL_1，BL_2，...，BL_j。其中，為了容易清楚地表達，故定義位單元列B(n)為連接至第n條選擇線的所有位單元M(1，n)，M(2，n)，...，M(j，n)，且定義位單元M(m，n)為連接至第m條數據線與第n條選擇線的位單元，上述i、j、m、n皆為大於零的正整數(自然數)，且n＜＝i，m＜＝j。圖3為圖2中位單元的一種實施例的電路圖，請參照圖3。位單元陣列中每一個位單元包括有機存儲單元310以及開關元件320，當開關元件導通時，會將有機存儲單元與位單元的外界接通。有機存儲單元310例如是將有機材料設置於兩電極之間而製造出的多穩態存儲元件，故有機存儲單元可用來儲存位信息，當然地，一個有機存儲單元並不限定只能儲存一位的信息。而開關元件320在此實施例中為電晶體322，電晶體322的第一源/漏極連接至上述數據線中的一條，而電晶體322的柵極連接至上述選擇線中的一條，電晶體322的第二源/漏極連接至有機存儲單元310。此實施例中的電晶體322是使用N型電晶體，當然地，也可使用其它如P型電晶體。請同時參照圖2與圖3，當第n條選擇線致動時，位單元列B(n)內的開關元件會將位單元列B(n)內的有機存儲單元連接至各自的數據線上，而這些數字感測電路220_1，220_2，...，220_j通過各自連接的數據線BL_1，BL_2，...，BL_j來感測並讀出位單元列B(n)內的有機存儲單元所儲存的位信息。數字感測電路主要是根據流過有機存儲單元的傳導電流來感測此有機存儲單元所儲存的位信息。圖4為圖2中數字感測電路的一種實施例的電路圖，請參照圖4。數字感測電路包括電流至電壓轉換器410以及感測區塊電路420，分別詳述如下。電流至電壓轉換器410根據流過其本身的傳導電流I_out，將其轉換成節點A上的電壓信號。此電流至電壓轉換器410主要包括第一電晶體412、電容414、以及第二電晶體416。第一電晶體412的第一源/漏極連接至此電流至電壓轉換器410的電流輸出入端，傳導電流I_out即流過此電流輸出入端，而第一電晶體412的柵極連接至第一開關信號SW，第一電晶體412的第二源/漏極連接至節點A。電容414具有第一端413與第二端415，第一端413連接至第一電晶體412的第二源/漏極(節點A)，第二端415連接至第一電位，例如是地電位。節點A的電壓信號作為此電流至電壓轉換器410的輸出信號，實際上是由此電容414的第一端413獲得。第二電晶體416的第一源/漏極連接至電容414的第一端413，第二電晶體416的第二源/漏極連接至第二電位，例如是電源電位VDD，而第二電晶體416的柵極連接至第二開關信號/SW。本發明的電流至電壓轉換器410對於第一電晶體412與第二電晶體416的設計要求為當第一電晶體412導通時第二電晶體416不導通，且第一電晶體412不導通時第二電晶體416導通。舉例而言，如果第一電晶體412與第二電晶體416的類型相同，則第二開關信號/SW為第一開關信號SW的反相；如果第一電晶體412與第二電晶體416的類型不同，則第一開關信號SW與第二開關信號/SW相同。在此實施例中，第一電晶體412與第二電晶體416皆舉例為P型電晶體，故第二開關信號/SW與第一開關信號SW之間設置有反相器418，以使第二開關信號/SW為第一開關信號SW的反相，但本發明並非限定如此，只要能符合對第一電晶體412與第二電晶體416的設計要求即可。感測區塊電路420連接至電流至電壓轉換器410，其接收並根據節點A的電壓信號，以緩衝輸出有機存儲單元所儲存的位信息，亦即，輸出表示位信息的Dsc_Out信號。感測區塊電路420包括第三電晶體422以及第四電晶體426。第三電晶體422的第一源/漏極連接至第二電位，例如是電源電位VDD，而第三電晶體422的柵極連接至電流至電壓轉換器410輸出的電壓信號(節點A)。第四電晶體426的第一源/漏極連接至第三電晶體422的第二源/漏極，第四電晶體426的第二源/漏極連接至第一電位，例如是地電位，而第四電晶體426的柵極連接至第一開關信號SW。本發明的感測區塊電路420對於第三電晶體422與第四電晶體426的設計要求為當第四電晶體426不導通時，第三電晶體422的第二源/漏極輸出有機存儲單元所儲存的位信息，亦即，當第四電晶體426不導通時，要使第一電晶體412導通，且使第二電晶體416不導通，才能順利使電流至電壓轉換器410根據流過其本身的傳導電流I_out來監測有機存儲單元所儲存的位信息，並將其轉換成節點A上的電壓信號，進一步使感測區塊電路根據節點A的電壓信號，而輸出表示有機存儲單元所儲存的位信息的Dsc_Out信號。在此實施例中，第四電晶體426例如為N型電晶體，故其柵極直接接至第一開關信號SW，以使第四電晶體426與第一電晶體412導通時機相反，但本發明並非限定如此。當然同樣地，第三電晶體422例如為P型電晶體，也可使用其它如N型電晶體。請注意，上述第一電位例如為地電位，而上述第二電位例如為電源電位，但本發明並非限定如此。在圖4的實施例的應用中，還有取樣及保持電路430連接至此感測區塊電路420所輸出的Dsc_Out信號，以整型輸出有機存儲單元所儲存的位信息。取樣及保持電路430包括開關432以及由反相器434與反相器436所組成的栓鎖器。此開關432根據取樣信號S，在第一電晶體412導通期間，將Dsc_Out信號連接至由反相器434與反相器436所組成的栓鎖器，以整型輸出有機存儲單元所儲存的位信息。圖5為圖4的數字感測電路的各信號時序圖，請同時參照圖4與圖5。由圖中可知，第一電晶體412與第二電晶體416皆舉例為P型電晶體，且第二開關信號/SW為第一開關信號SW的反相，故當第一開關信號SW為高電位而第二開關信號/SW為低電位的半周期時，使得第一電晶體412不導通且第二電晶體416導通，此時預充電至電容414，節點A的電壓信號保持在高電位。然後當第一開關信號SW為低電位而第二開關信號/SW為高電位的半周期時，使得第一電晶體412導通且第二電晶體416不導通，此時電容414對外放電而傳導電流流出。由於流出的傳導電流量與有機存儲單元的狀態(所存儲的位信息)有關，當有機存儲單元處於低阻抗狀態時的傳導電流遠大於有機存儲單元處於高阻抗狀態時的傳導電流，因此當有機存儲單元處於低阻抗狀態時，電容414快速放電，節點A的電壓迅速降低為低電位，使得第三電晶體422導通，而Dsc_Out信號變為高電位。相對地，當有機存儲單元處於高阻抗狀態時，電容414放電緩慢，節點A的電壓幾乎不會變化，使得第三電晶體422保持不導通，而Dsc_Out信號維持低電位。因此，此時Dsc_Out信號就可代表有機存儲單元所存儲的位信息。取樣及保持電路430根據取樣信號S，將Dsc_Out信號整型成不會隨著半周期變化，而輸出單純表示有機存儲單元所儲存的位信息的輸出信號Out。圖6為本發明另一實施例的一種有機存儲器的電路方框圖，請參照圖6。此實施例所提出的一種有機存儲器包括i條選擇線WL_1，...，WL_i、j條數據線BL_1，BL_2，...，BL_j、位單元陣列210、多路復用器610、以及數字感測電路620。圖中除了多路復用器610以及數字感測電路620外，其餘電路與圖2的實施例相同，不再贅述。多路復用器610具有一個輸出端、一個選擇端、以及多個輸入端，而這些輸入端各自連接至這些數據線BL_1，BL_2，...，BL_j中的一條，且輸出端連接至數字感測電路620，因此，多路復用器會根據選擇端的選擇信號Sel，將這些輸入端中的一個連接至輸出端，亦即，將這些數據線BL_1，BL_2，...，BL_j中的一條連接至數字感測電路620。當第n條選擇線致動，且當多路復用器610使數字感測電路連接至第m條數據線時，位單元列B(n)內的開關元件會將位單元列B(n)內的有機存儲單元連接至各自的這些數據線上，而數字感測電路620感測並讀出位單元M(m，n)內的有機存儲單元所儲存的位信息。不一樣地，數字感測電路620內電流至電壓轉換器的電流輸出入端是連接至多路復用器的輸出端，而不是如圖2的任何一個數字感測電路，其電流至電壓轉換器的電流輸出入端是直接連接至j條數據線中的一條。圖7為本發明又一實施例的一種有機存儲器的電路方框圖，請參照圖7。此實施例所提出的一種有機存儲器包括i條寫入選擇線WWL_1，...，WWL_i、i條讀出選擇線RWL_1，...，RWL_i、j條數據線BL_1，BL_2，...，BL_j、位單元陣列210、以及j個數字感測電路220_1，220_2，...，220_j。圖中大部分的電路與圖2的實施例相同，故不再贅述。但是，位單元陣列210中的每一個位單元M(1，1)，M(2，1)，...，M(j，1)，...，M(1，i)，M(2，i)，...，M(j，i)都不是僅由單一選擇線來操作，而是致動寫入選擇線WWL_1，...，WWL_i中的任何一條來進行寫入操作，或是致動讀出選擇線RWL_1，...，RWL_i中的任何一條來進行讀出操作。圖8為圖7中位單元的一種實施例的電路圖，請參照圖8。圖中表示出有機存儲器的位單元M(m，n)，此位單元M(m，n)連接至數據線BL_m、寫入選擇線WWL_n、以及讀出選擇線RWL_n，此位單元M(m，n)包括有機存儲單元810、第一開關元件820、以及第二開關元件830。有機存儲單元810與圖3中的相同，故不再贅述。請繼續參照圖8，第一開關元820件具有第一端824、第二端826及控制端828，第一開關元件820的第一端824連接至數據線BL_m，第一開關元件820的控制端828連接至寫入選擇線WWL_n，且第一開關元件820的第二端826連接至有機存儲單元810，另外，第二開關元件830也具有第一端834、第二端836及控制端838，第二開關元件830的第一端834連接至數據線BL_m，第二開關元件830的控制端838連接至讀出選擇線RWL_n，第二開關元件830的第二端836連接至有機存儲單元810。當寫入選擇線WWL_n上的信號致動時，第一開關元件820將有機存儲單元810連接至數據線BL_m，以寫入位信息至有機存儲單元810中；當讀出選擇線RWL_n上的信號致動時，第二開關元件830將有機存儲單元810連接至數據線BL_m，以感測有機存儲單元810所儲存的位信息。第一開關元件820與第二開關元件830在此實施例中分別為第一電晶體822與第二電晶體832，則第一電晶體822的第一源/漏極連接至數據線BL_m，而第一電晶體822的柵極連接至寫入選擇線WWL_n，第一電晶體822的第二源/漏極連接至有機存儲單元810；第二電晶體832的第一源/漏極也連接至數據線BL_m，而第二電晶體832的柵極連接至讀出選擇線RWL_n，第二電晶體832的第二源/漏極也連接至有機存儲單元810。此實施例中的第一及第二電晶體822，832都是使用N型電晶體，但並非限定本發明，也可以使用各種金屬氧化物半導體(MOS)電晶體等，當然地，也可使用其它如P型電晶體，或是一個使用P型電晶體、一個使用N型電晶體。較佳地，本實施例的有機存儲器的位單元中的第一電晶體822的尺寸大於第二電晶體832的尺寸。當寫入選擇線WWL_n上的信號致動時，第一電晶體822將有機存儲單元連接至數據線BL_m，以寫入位信息至有機存儲單元810，因為第一電晶體822的尺寸較大，所以寫入時可以通過較大的電流，以減少改變有機存儲單元810的狀態所需的時間；當讀出選擇線RWL_n上的信號致動時，第二電晶體832將有機存儲單元810連接至數據線，以根據流過有機存儲單元810的傳導電流來感測有機存儲單元810的位信息，又因為第二電晶體832的尺寸較小，所以第二電晶體832的寄生電容同樣較小，而減少了柵極負載，增快讀取處理的時間。由於有機材料並不會隨著偏壓電壓的消失，而改變其所處的狀態，故本發明所提供的有機存儲器可以作為非易失性存儲器來應用。綜上所述，本發明所提出的一種有機存儲器至少包括有多條選擇線、多條數據線、位單元陣列、以及多個數字感測電路等，而本發明所提出的另一種有機存儲器還增加了多路復用器來減少數字感測電路的使用，兩種有機存儲器皆具有完整的存儲陣列以及數字感測機制。另外，本發明使用了最簡單的感測電路，故布局與設計的挑戰極低，可改善生產的合格率，且非常適用於LTPS工藝，因此，為一種批量生產且實用可行的存儲器元件。雖然本發明已以實施例披露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬
技術領域：
：的技術人員，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與改進，因此本發明之保護範圍當視權利要求所界定者為準。權利要求1.一種有機存儲器，其特徵是包括i條選擇線；j條數據線；位單元陣列，包括多個位單元，每一條數據線與每一條選擇線間連接有上述這些位單元中的一個，每一個位單元包括有機存儲單元以及開關元件，該有機存儲單元用以儲存至少一位信息；以及j個數字感測電路，每一個數字感測電路連接至上述這些數據線中的一條，其中，定義位單元列B(n)為連接至第n條選擇線的所有位單元，當第n條選擇線致動時，位單元列B(n)內的該開關元件會將位單元列B(n)內的該有機存儲單元連接至各自的上述這些數據線上，上述這些數字感測電路通過上述這些數據線感測並讀出位單元列B(n)內的該有機存儲單元所儲存的該位信息，i、j、n皆為自然數且n＜＝i。2.根據權利要求1所述的有機存儲器，其特徵是每一個數字感測電路是根據流過該有機存儲單元的傳導電流來感測該有機存儲單元所儲存的該位信息，每一個數字感測電路包括電流至電壓轉換器，用以根據流過該電流至電壓轉換器額該傳導電流，轉換成電壓信號；以及感測區塊電路，連接至該電流至電壓轉換器，用以接收並根據該電壓信號，緩衝輸出該有機存儲單元所儲存的該位信息。3.根據權利要求2所述的有機存儲器，其特徵是該電流至電壓轉換器包括第一電晶體，該第一電晶體的第一源/漏極連接至上述這些數據線中的一條，該第一電晶體的柵極連接至第一開關信號；電容，具有第一端與第二端，該第一端連接至該第一電晶體的第二源/漏極，該第二端連接至第一電位，該電壓信號由該第一端獲得；以及第二電晶體，該第二電晶體的第一源/漏極連接至該電容的該第一端，該第二電晶體的第二源/漏極連接至第二電位，該第二電晶體的柵極連接至第二開關信號，其中當該第一電晶體導通時該第二電晶體不導通，該第一電晶體不導通時該第二電晶體導通。4.根據權利要求3所述的有機存儲器，其特徵是該第一電晶體與該第二電晶體的類型相同，且該第二開關信號為該第一開關信號的反相。5.根據權利要求3所述的有機存儲器，其特徵是該第一電晶體與該第二電晶體的類型不同，且該第一開關信號與該第二開關信號相同。6.根據權利要求3所述的有機存儲器，其特徵是該第一電位為地電位，該第二電位為電源電位。7.根據權利要求2所述的有機存儲器，其特徵是該感測區塊電路包括第三電晶體，該第三電晶體的第一源/漏極連接至第二電位，該第三電晶體的柵極連接至該電壓信號；以及第四電晶體，該第四電晶體的第一源/漏極連接至該第三電晶體的第二源/漏極，該第四電晶體的第二源/漏極連接至第一電位，該第四電晶體的柵極連接至第一開關信號，其中當該第四電晶體不導通時，該第三電晶體的第二源/漏極輸出該有機存儲單元所儲存的該位信息。8.根據權利要求2所述的有機存儲器，其特徵是該感測區塊電路還連接至取樣及保持電路，用以整型輸出該有機存儲單元所儲存的該位信息。9.根據權利要求1所述的有機存儲器，其特徵是該開關元件包括電晶體，該電晶體的第一源/漏極連接至上述這些數據線中的一條，該電晶體的柵極連接至上述這些選擇線中的一條，該電晶體的第二源/漏極連接至該有機存儲單元。10.根據權利要求1所述的有機存儲器，其特徵是該有機存儲器為非易失性存儲器。11.一種有機存儲器，其特徵是包括i條選擇線；j條數據線；位單元陣列，包括多個位單元，每一條數據線與每一條選擇線間連接有上述這些位單元中的一個，每一個位單元包括有機存儲單元以及開關元件，該有機存儲單元用以儲存至少一位信息；多路復用器，具有多個輸入端、一個選擇端及一個輸出端，上述這些輸入端各自連接至上述這些數據線中的一條，該多路復用器根據該選擇端，將上述這些輸入端中之一個連接至該輸出端；以及數字感測電路，連接至該多路復用器的該輸出端，其中，定義位單元列B(n)為連接至第n條選擇線的所有位單元，定義位單元M(m，n)為連接至第m條數據線與第n條選擇線的位單元，當第n條選擇線致動，且當該多路復用器使該數字感測電路連接至第m條數據線時，位單元列B(n)內的該開關元件會將位單元列B(n)內的該有機存儲單元連接至各自的上述這些數據線上，該數字感測電路感測並讀出位單元M(m，n)內的該有機存儲單元所儲存的該位信息，上述i、j、m、n皆為自然數且n＜＝i，m＜＝j。12.根據權利要求11所述的有機存儲器，其特徵是該數字感測電路是根據流過該有機存儲單元的傳導電流來感測該有機存儲單元所儲存的該位信息，該數字感測電路包括電流至電壓轉換器，用以根據流過該電流至電壓轉換器的該傳導電流，轉換成電壓信號；以及感測區塊電路，連接至該電流至電壓轉換器，用以接收並根據該電壓信號，緩衝輸出該有機存儲單元所儲存的該位信息。13.根據權利要求12所述的有機存儲器，其特徵是該電流至電壓轉換器包括第一電晶體，該第一電晶體的第一源/漏極連接至該多路復用器的該輸出端，該第一電晶體的柵極連接至第一開關信號；電容，具有第一端與第二端，該第一端連接至該第一電晶體的第二源/漏極，該第二端連接至第一電位，該電壓信號由該第一端獲得；以及第二電晶體，該第二電晶體的第一源/漏極連接至該電容的該第一端，該第二電晶體的第二源/漏極連接至第二電位，該第二電晶體的柵極連接至第二開關信號，其中當該第一電晶體導通時該第二電晶體不導通，該第一電晶體不導通時該第二電晶體導通。14.根據權利要求13所述的有機存儲器，其特徵是該第一電晶體與該第二電晶體的類型相同，且該第二開關信號為該第一開關信號的反相。15.根據權利要求13所述的有機存儲器，其特徵是該第一電晶體與該第二電晶體的類型不同，且該第一開關信號與該第二開關信號相同。16.根據權利要求13所述的有機存儲器，其特徵是該第一電位為地電位，該第二電位為電源電位。17.根據權利要求12所述的有機存儲器，其特徵是該感測區塊電路包括第三電晶體，該第三電晶體的第一源/漏極連接至第二電位，該第三電晶體的柵極連接至該電壓信號；以及第四電晶體，該第四電晶體的第一源/漏極連接至該第三電晶體的第二源/漏極，該第四電晶體的第二源/漏極連接至第一電位，該第四電晶體的柵極連接至第一開關信號，其中當該第四電晶體不導通時，該第三電晶體的第二源/漏極輸出該有機存儲單元所儲存的該位信息。18.根據權利要求12所述的有機存儲器，其特徵是該感測區塊電路還連接至取樣及保持電路，用以整型輸出該有機存儲單元所儲存的該位信息。19.根據權利要求11所述的有機存儲器，其特徵是該開關元件包括電晶體，該電晶體的第一源/漏極連接至上述這些數據線中的一條，該電晶體的柵極連接至上述這些選擇線中的一條，該電晶體的第二源/漏極連接至該有機存儲單元。20.根據權利要求11所述的有機存儲器，其特徵是該有機存儲器為非易失性存儲器。專利摘要本發明提供一種有機存儲器，此有機存儲器至少包括有多條選擇線、多條數據線、位單元陣列、以及多個數字感測電路等。位單元陣列包括多個位單元，而每一個位單元包括有機存儲單元以及開關元件。每一個數字感測電路包括電流至電壓轉換器以及感測區塊電路。上述構件組成完整的有機存儲器集成電路的數字感測機制，故可為一種批量生產且實用可行的存儲器元件。文檔編號G11C7/00GK1996494SQ200510135697公開日2007年7月11日申請日期2005年12月31日發明者林展瑞,許世玄,張維仁申請人:財團法人工業技術研究院導出引文BiBTeX,EndNote,RefMan