用於執行老化測試的方法

2023-06-11 05:05:31

專利名稱：用於執行老化測試的方法
技術領域：
本發明涉及ー種用於執行老化測試的方法，所述老化測試是一種有效用於篩選目標元件的帶電測試。本發明尤其涉及ー種應用至包括熱輔助磁記錄的光源的光源単元的老化測試，以及涉及ー種用於執行所述老化測試的測試裝置。
背景技術：
隨著這些年爆發的對網際網路的使用，在計算機(例如，伺服器和信息處理終端)上存儲和使用比以往大得多的巨量數據。預計該趨勢會加速進ー步增長。在這種情況下，對於磁記錄裝置(例如，作為大容量存儲器的磁碟裝置)的需求正在增長，以及對於磁記錄裝置的更高的記錄密度的需求也在逐步上升。在磁記錄技術中，有必要使磁頭在磁記錄介質上寫入較小的記錄位，從而實現較高的記錄密度。為了穩定地形成較小的記錄位，商業上已實施垂直磁記錄技木，其中垂直於介質表面的磁化部件被用作記錄位。此外，積極地發展了能夠使用具有較高磁化熱穩定性的磁記錄介質的熱輔助磁記錄技木。在熱輔助磁記錄技術中，使用具有大能量Ku的磁材料形成的磁記錄介質，以便穩定磁化，然後通過加熱所述介質的將要寫入數據的一部分，減小該部分的各向異性磁場；緊接著，通過將寫場施加至已加熱部分來執行寫入。實際上，通常使用如下方法，其中使用諸如近場光(NF光)的光來輻射磁記錄介質從而加熱磁記錄介質。在這種情況下，相當重要的是，具有足夠高光輸出的光源應當被放置在磁頭內的哪個地方、以及如何將具有足夠高光輸出的光源放置在磁頭中，從而在磁記錄介質的期望位置處穩定地供應具有足夠高強度的光。對於光源的設置，例如，美國專利No. 7，538，978B2公開了ー種配置，其中包括雷射二極體的雷射單元被安裝在滑塊(slider)的背面上；公開號為No. 2008/0056073A1的美國專利公開了ー種配置，其中帶有單片集成反射鏡的雷射二極體元件的結構被安裝在滑塊的背面上。本發明人提出了ー種具有「複合滑塊結構」的熱輔助磁記錄頭，通過將設有光源的光源単元接合至設有寫磁頭元件的滑塊的端部面(背面)來構成該熱輔助磁記錄頭，所述端部面與所述滑塊的相對於介質的表面相対。例如，在公開號為No. 2008/043360A1的美國專利和公開號為No. 2009/052078A1的美國專利中公開了 「複合滑塊結構」。具有「複合滑塊結構」的熱輔助磁記錄頭的優勢如下a)所述磁頭與傳統的薄膜磁頭製造方法有相似之處，因為在所述滑塊中相對於介質的表面和元件集成表面相互垂直；b)由於所述光源被設置為遠離所述相對於介質的表面，所以在工作期間，所述光源可避免直接遭受機械衝擊；以及c)能夠以縮短的エ時和低成本來製造所述磁頭，因為不需要為所述磁頭提供要求具有很高精度的光學部件(例如，透鏡或稜鏡)；或者，不需要為所述磁頭提供具有用於連接光纖等的特殊結構的光學元件。此外，在所述「複合滑塊結構」中，關於製造過程中的特性評估和可靠性評估可特別指出以下內容d)光源(例如，雷射二極體)和磁頭元件可相互獨立被評估；因而可避免用於獲得整個磁頭的生產合格率降低；然而，在所有光源和磁頭元件都被設置在滑塊內的情況下， 由於光源的加工合格率(process yield)和磁頭元件的加工合格率的乘法關係，很可能明顯降低了用於獲得整個磁頭的生產合格率。在此，為了評估包括光源(具體而言，雷射二極體)的光源単元的可靠性，老化測試是ー種有效的評估方式。老化測試涉及使電流通過受驗器件(在此為雷射二極體)，以測量和評估受驗器件的特性在高溫導電狀態中隨時間的變化，從而篩選出不合格器件。然而， 老化測試花費非常長的時間，例如每個雷射二極體為幾小時至幾十小吋。為了解決這個低效問題，非常有效的是，在光源単元製造過程中，在將被切割成単獨的光源単元晶片之前， 同時在條水平(bar-level)上評估多個雷射二極體。通過這樣的並行操作，可一次在許多雷射二極體上執行老化測試，從而可顯著縮短執行評估步驟所需的エ時數和時間。然而，使供電探針一次與設置在單元條上的多個雷射二極體的巨大數目的電極相接觸是極其困難的。實際上，當通常使用的金屬針被用作探針時，探針卡(在所述探針卡上豎直設有大量的針，例如幾百個針)需要被提供用於單個單元條的老化測試。然而，所述針是昂貴的，此外，如果所述卡上的單個針不能實現接觸，則所述卡上所有的針都需要被更換，這是非常不經濟的。此外，當針與雷射二極體的上部電極接觸吋，可能會向雷射二極體施加過度的機械應力。當評估滑塊條上布置的多個磁頭元件的特性吋，上述的針可被用作探針。對磁頭元件的特性的評估僅需要少量的測量時間，該測量時間對每個磁頭元件數量級為幾秒或者更短。因而，用於評估一個磁頭元件所要求的數目的針可被用作探針，以相繼逐一評估滑塊條上的單個磁頭元件的特性。可設想使用比針式探針更便宜的片式探針，代替使用上述的針，從而在單元條上執行老化測試。然而，使用片式探針很難為雷射二極體的單個電極穩定地供電。實際上，在設有雷射二極體的單元條中，與片式探針接觸的電極在雷射二極體和單元襯底上。也就是說，多個電極被設置在不同高度的位置中。雷射二極體上的電極和単元襯底上的電極之間的高度差正好等於雷射二極體的高度，該高度數量級為10微米(ym)或更大。片式探針和電極之間的接觸質量大部分依賴於片式探針的尖端與電極接觸的角度。 因此，存在一個問題，當片式探針與雷射二極體上的電極接觸、以及與明顯處於不同高度的單元襯底上的電極接觸時，片式探針與雷射二極體上的電極接觸的角度相對淺，從而雷射 ニ極管上的電極和片式探針之間的接觸變得不穩定。雷射二極體優選地被放置使得其ρ電極側朝下(面向單元襯底)，從而提供更有效的熱耗散。在雷射二極體中，生成大部分熱的有源層鄰近於所述P電極側。通過放置所述雷射二極體使得其P電極側朝下，所述有源層定位為鄰近於所述單元襯底。結果，所述單元襯底可被更有效地用作散熱片。然而，在這種情況下，所述雷射二極體上的電極是η電極。 通常，η電極的表面是高度平滑的，從而允許待被安裝在罐包裝(其包封和保護所述雷射二極體)中的雷射二極體所要求的穩定的絲焊。因而，當片式探針以淺角度與雷射二極體上的電極接觸吋，片式探針和電極之間的接觸是不穩定的。如從前述可以看到的，非常需要開發出一種能夠以低成本高效地對光源單元執行老化測試的方法，所述光源單元構造包括「複合滑塊結構」的熱輔助磁記錄頭。

發明內容
在闡釋本發明之前，將限定本說明書中所使用的ー些術語。在根據本發明的滑塊襯底的元件集成表面中、或者磁記錄頭的單元襯底的源安裝表面中形成的分層結構或元件結構中，當從標準層或元件觀察吋，襯底側被限定為「下」側，相對側被限定為「上」側。此外，在示出根據本發明的磁頭的實施方案的一些附圖中，根據需要標示「X軸線方向、Y軸線方向和Z軸線方向」。在此，Z軸線方向指示上述「上和下」方向，以及+Z側對應於尾部側 (trailing side)，-Z側對應於前緣側(leading side)。以及，Y軸線方向指示磁軌寬度方向。根據本發明，提供了一種用於對受驗對象執行老化測試的方法，在該受驗對象中多個電極被設置在不同高度的位置處。該方法包括如下步驟製備受驗對象，其中在所述多個電極中，處於較高位置的電極具有較高的表面粗糙度；使多個片式探針分別與所述多個電極接觸；以及通過所述多個片式探針為所述多個電極供應電流。在所述用於執行老化測試的方法中，優選的是，所述受驗對象包括設置在晶片或條上的多個單元，每ー個所述單元都包括一個具有預定高度的元件；和，電連接至所述元件的下表面的下部電極；以及，以如下方式製備所述受驗對象，使得所述元件的上表面上的上部電極的表面粗糙度高於所述下部電極的表面粗糙度。此外，在所述優選實例中，還優選的是，通過將所述元件的襯底的表面研磨成預定的表面粗糙度來製備所述受驗對象，所述表面在待要形成所述上部電極的一側，然後在所述表面上形成所述上部電極，從而為所述上部電極的ー個表面提供預定的表面粗糙度。根據本發明，進ー步提供了一種用於在待被分割為晶片的単元條上執行老化測試的方法，每ー個所述晶片都被配置為用作熱輔助磁記錄的光源単元，所述光源単元包括設置在單元襯底中的雷射二極體。所述方法包括如下步驟以如下方式製備單元條，使得所述雷射二極體的上表面上的上部電極具有的表面粗糙度高於電連接至所述雷射二極體的下表面的下部電極的表面粗糙度；使得用於所述上部電極的片式探針和用於所述下部電極的片式探針分別與所述上部電極和所述下部電極接觸；以及通過用於所述上部電極的片式探針和所述上部電極，以及通過用於所述下部電極的片式探針和所述下部電極，將電流供應至所述雷射二極體。在根據本發明的用於執行老化測試的方法中，所述片式探針可與單元條上的電極保持穩定接觸，在所述單元條上，多個電極被設置在不同高度的位置處，因為處於較高位置的電極比處於較低位置的電極具有更高的表面粗糙度Ra。因此，可執行穩定和可靠的老化測試。另外，在所述單元條被分割為單個光源単元晶片之前，可一次評估所述單元條上的所述多個雷射二極體。這一同時進行的過程使得能夠一次在大量雷射二極體上執行老化測試，從而顯著縮短了用於所述可靠性評估過程的エ時和時間。在根據本發明的用於執行老化測試的方法中，優選地以如下方式製備所述単元條，使得所述雷射二極體的高度是大於或等於40 μ m(微米)以及小於等於ΙΟΟμπι。此外， 優選地以如下方式製備所述単元條，使得所述上部電極的表面粗糙度Ra大於等於0. 5 μ m、 以及小於等於 ο μ m,並且所述下部電極的表面粗糙度Ra大於等於0. 005 μ m、以及小於等於0. 5 μ m。此外，還優選的是，通過將所述雷射二極體的襯底的ー個表面研磨成預定的表面粗糙度來製備所述單元條，所述表面在待要形成上部電極的一側，然後在所述表面上形成所述上部電極，從而為所述上部電極的ー個表面提供預定的表面粗糙度。此外，在用於執行根據本發明的老化測試的方法中，優選的是，用於所述上部電極和所述下部電極的片式探針包括基底元件；絕緣層，在所述基底元件上形成；以及，導電層，在所述絕緣層上形成，並且所述導電層在所述導電層接觸所述下部電極或所述上部電極的ー側從所述基底元件突出。此外，在所述片式探針中，所述導電層在所述導電層接觸所述下部電極或所述上部電極的ー側的至少一部分優選地覆蓋有金或金合金。此外，優選的是，為雷射二極體供應電流，然後測量用於從所述雷射二極體獲得預定光輸出所需的供應至所述雷射二極體的電流隨時間的變化。根據本發明，進ー步提供了一種測試裝置，被配置為實施上述用於執行老化測試的方法，該測試裝置包括保持夾具，用於保持所述單元條；片式探針組，包括用於上部電極的片式探針和用於下部電極的片式探針，ー個用於所述上部電極的片式探針和ー個用於所述下部電極的片式探針交替布置，所述上部電極被設置在所述雷射二極體上，並且具有的表面粗糙度高於所述下部電極的表面粗糙度；光電探測器，被所述保持夾具保持，所述光電探測器接收從所述雷射二極體所發出的雷射並且測量所述雷射二極體的光輸出，所述雷射二極體通過所述片式探針組被供應電流；以及控制器，接收來自所述光電探測器的測量輸出，並且控制和測量供應至所述雷射 ニ極管的電流。從下面對附圖示出的本發明的優選實施方案的描述中，將明了本發明的其他目標和優勢。在每ー個圖中，通過相同的參考數字來指示與其他圖中示出的元件相同的元件。此外，為了可視性，元件內和元件之間的尺寸比例是隨意的。


圖1示出了根據本發明的熱輔助磁記錄頭的ー個實施方案的立體圖；圖2示出了沿圖1中的平面A所取的橫截面視圖，示意性示出了該滑塊的磁頭元件部分、光源単元的雷射二極體，以及它們在熱輔助磁記錄頭的附近的結構；圖3示意性示出了波導、NF光發生器和主磁極的配置的立體圖；圖4示意性示出了在根據本發明的磁碟裝置的一個實施方案中的主要部分的結構的立體圖；圖5示意性示出了在根據本發明的磁頭萬向節組件(HGA)的一個實施方案中的主要部分的結構的立體圖6a至圖6f示意性示出了一種用於製造光源単元的方法的一個實施方案的立體圖，該方法包括通過本發明的對光源単元的老化測試進行篩選；圖7a和圖7b示出了在老化測試中所使用的片式探針的結構的橫截面視圖和仰視圖；圖8示出了老化測試中所使用的片式探針如何與電極接觸的示意圖；以及圖9示出了在實際實施例中所施加至雷射二極體的電流隨時間的變化的圖表，在該實際實施例中，在光源単元條上執行所述老化測試。
具體實施例方式圖1示出了根據本發明的熱輔助磁記錄頭的ー個實施方案的立體圖。如圖1中所示，通過使光源単元23和滑塊22對準和接合來製造熱輔助磁記錄頭 21，所述光源単元23包括作為熱輔助的光源的雷射二極體40，以及所述滑塊22包括光學系統31。所述滑塊22包括滑塊襯底220，具有空氣承壓表面(ABQ 2200，該空氣承壓表面被處理從而提供合適的浮動高度；以及，磁頭元件部分221，包括光學系統31並且形成在一個元件集成表面2202上，該元件集成表面2202垂直且鄰近於所述ABS 2200。同吋，光源單元23包括單元襯底230，具有接合表面2300 ；以及，雷射二極體40，作為光源被設置在垂直且鄰近於接合表面2300的源安裝表面2302上。這些滑塊22和光源単元23以如下方式相互粘結，使得滑塊襯底220的與ABS 2200相対的ー側上的滑塊背面2201與該單元襯底230的接合表面2300彼此相対，並且將焊(solder)層58夾在中間作為其間的粘合層。(光源単元)在圖1還示出的光源単元23中，雷射二極體40可以是邊緣發射(edge-emitting) 型半導體ニ極管。雷射二極體40具有發光中心4000，從所述發光中心4000發出用於熱輔助的雷射。雷射二極體40以如下方式被設置在單元襯底ぬ0的源安裝表面ぬ02中，使得發光中心4000與光點尺寸轉換器(spot-size converter) 43的光接收端部表面430相対。 雷射二極體40優選以ρ電極層40i (圖2)在下方粘結至單元襯底230 (從而ρ電極層40i 面向源安裝表面2302)。通常在邊緣發射雷射二極體中，有源層(發光中心)及其附近位置 (產生最多熱量的位置)更鄰近於所述P電極。因而，通過將P電極40i設置為底部，有源層變得更鄰近於單元襯底230，從而單元襯底230可更有效地起光源的散熱片的作用。在將ρ電極40i設置為底部的雷射二極體40情況下，雷射二極體40的上表面是作為上部電極的η電極40a(圖2)的表面。在稍後將詳細介紹的雷射二極體40的老化測試中，使一個片式探針與η電極40a相接觸。又一次參考圖1，光源電極410和引線電極411被設置在光源単元23的源安裝表面2302中。光源電極410直接電連接至雷射二極體40的ρ電極40i (圖2)。引線電極411 從光源電極410引出，並且在稍後將詳細介紹的雷射二極體40的老化測試中，使該引線電極與片式探針接觸。因而，作為下部電極的引線電極411的表面粗糙度Ra被設置或被調整為小於作為上部電極的η電極40a的表面粗糙度Ra。通過ー種例如絲焊或錫球焊接(SBB) 方法，雷射二極體40的引線電極411和η電極40a將被電連接至磁頭萬向節組件(HGA) 17的接線構件203的連接墊(圖5)，從而可向雷射二極體40供應電功率。優選地，由絕緣材料(例如，A1203 (氧化鋁)或SiO2)製成的絕緣層56被設置在源安裝表面2302上，並且在絕緣層56上，設有光源電極410和引線電極411，從而使光源電極410和引線電極411與單元襯底230電絕緣。光源電極410和引線電極411可包括基礎層，由例如Ta或Ti的材料製成，並且通過使用例如濺射、蒸發等具有約10nm(納米)的厚度；以及，導電層，在基礎層上形成且由導電材料(例如Au、Cu或Au合金)製成，並且通過使用例如濺射、電鍍、蒸發等具有約1至5 μ m(微米)的範圍內的厚度。還參考圖1，所述單元襯底230優選地由陶瓷材料例如AlTiC(Al2O3-TiC)或SiO2 製成，或者由半導體材料例如Si、GaAs或SiC製成。在單元襯底230由所述半導體材料製成的情況下，可用光(例如Nd-YAG雷射)以如下方式輻射焊層58來使該焊層58熔融，即， 使得單元襯底230傳送所述光，從而使光源単元23和滑塊22相互粘結。此外，單元襯底230比滑塊襯底220略小。然而，磁軌寬度方向(Y軸線方向)上的單元襯底230的寬度Wun大於磁軌寬度方向(Y軸線方向)上的雷射二極體40的寬度Wu， 從而甚至在雷射二極體40被安裝在光源電極410上之後，引線電極411仍暴露在源安裝表面2302中。在將飛米O^emto)滑塊用作滑塊襯底220的情況下，例如，單元襯底230的厚度Tun(在X軸線方向上)可以為320 μ m，在磁軌寬度方向上的寬度Wun為350 μ m，以及長度 『(在Z軸線方向上)為250 μ m。(滑塊)在圖1還示出的滑塊22中，在元件集成表面2202上所形成的磁頭元件部分221 包括磁頭元件32，由用於從磁碟10 (圖4)讀取數據的磁阻(MR)元件33和用於向磁碟10 寫入數據的電磁換能器34組成；光點尺寸轉換器43，接收從雷射二極體40所發出的雷射， 改變(減小)雷射的光點尺寸，然後引導雷射進入波導35中；波導35，將具有變化光點尺寸的雷射引導至作為相對於介質的表面的磁頭端部表面2210或其附近；近場光(NF光)發生器36，通過與傳播通過波導35的雷射耦合生成NF光用於熱輔助；以及，保護層(overcoat layer) 38，形成在元件集成表面2202上，從而覆蓋磁頭元件32、光點尺寸轉換器43、波導35 和NF光發生器36。在此，光點尺寸轉換器43、波導35和NF光發生器36構成了光學系統 31，用於在磁頭21 (磁頭元件部分221)中生成NF光。光點尺寸轉換器43和波導35被保護層38所覆蓋，並且用作光傳播的核心，然而覆蓋它們的保護層38部分用作包層(clad)。MR元件33、電磁換能器34和NF光發生器36的一端到達作為相對於介質的表面的磁頭端部表面2210。在此，磁頭端部表面2210和ABS 2200構成熱輔助磁記錄頭21的整個相對於介質的表面。在實際寫操作和讀操作期間，熱輔助磁記錄頭21以預定的浮動高度在旋轉磁碟10的表面上方空氣動カ地浮動。因而，MR元件33和電磁換能器34的端部以合適的磁間距面向磁碟10的磁記錄層的表面。然後，MR元件33通過感測來自磁記錄層的信號磁場來讀取數據，電磁換能器34通過將信號磁場施加至磁記錄層來寫入數據。當寫數據時，由光源単元23的雷射二極體40生成、並且傳播通過光點尺寸轉換器43和波導35 的雷射被改變為NF光發生器36中的NF光NF(圖幻。然後，磁記錄層的待被寫入的一部分被NF光62所輻射從而被NF光62加熱。結果，該部分的各向異性磁場(矯磁力)被減小至使得能夠寫入的ー個值；從而，通過使用電磁換能器34將寫場施加至該各向異性場減小部分，可實現熱輔助磁記錄。
還參考圖1，光點尺寸轉換器43是ー個如下的光學元件，該光學元件在其光接收端部表面430處接收從雷射二極體40發出的雷射，所述光接收端部表面在磁軌寬度方向(Y 軸線方向)上具有寬度Ws。，且該光學元件以較小的損耗將所述雷射轉換為具有較小光點直徑的雷射，然後將所轉換的雷射引導至波導35的光接收端部表面352。本實施方案中的光點尺寸轉換器43包括下部傳播層431和上部傳播層432。下部傳播層431在磁軌寬度方向 (Y軸線方向)上具有如下的寬度，該寬度沿著雷射入射通過光接收端部表面430的行進方向(-X方向)從寬度Wsc逐漸減小。上部傳播層432堆疊在下部傳播層431上，並且在磁軌寬度方向(Y軸線方向)上具有如下的寬度，該寬度沿著雷射的行進方向(-χ方向)比下部傳播層431更急劇地從寬度Ws。減小。隨著雷射傳播通過分層結構，入射通過光接收端部表面430的雷射被轉換為具有更小光點尺寸的雷射，並且到達波導35的光接收端部表面352。光接收端部表面430處的光點尺寸轉換器43的寬度Wse可以在例如約1至10 μ m 的範圍內。光點尺寸轉換器43由折射指數高於周圍保護層38的組成材料的折射指數nQC的材料製成。光點尺寸轉換器43可由與波導35相同的介電材料形成，這將在下面描述。在這種情況下，光點尺寸轉換器43和波導35可整體成型。在本實施方案中，波導35平行於元件集成表面2202從光接收端部表面352延伸至磁頭端部表面2210 —側上的端部表面350，所述光接收端部表面352接收由光點尺寸轉換器43發出的雷射。在此，端部表面350可以是磁頭端部表面2210的一部分，或者可從磁頭端部表面2210凹進預定距離。波導35的ー個側表面的接近端部表面350的一部分面向 NF光發生器36。這允許雷射(波導光)入射通過光接收端部表面352，以及行進通過波導 35，到達面向NF光發生器36的所述部分，從而與發生器36耦合。又一次參考圖1，用於磁頭元件32的ー對端子電極370和ー對端子電極371被設置在滑塊22的保護層38的上表面上。通過絲焊方法或SBB方法，端子電極370和371電連接至設置在HGA 17(圖5)中的接線構件的連接墊。稍後還將詳細地描述這些端子電極和彎曲部201上的接線構件之間的連接模式。滑塊襯底220可以是例如所謂的飛米滑塊，所述飛米滑塊的厚度Ta(在X軸線方向上)為230 μ m，在磁軌寬度方向(Y軸線方向)上的寬度Wsl為700 μ m，以及長度Lsl (在 Z軸線方向上)為850μπι。飛米滑塊通常被用作能夠高密度記錄的薄膜磁頭的襯底，並且在當前市場上所有滑塊中具有最小標準尺寸。滑塊襯底220可由陶瓷材料形成，例如 AlTiC(Al2O3-TiC)或 SiO20(熱輔助磁記錄頭)如上所述，熱輔助磁記錄頭21具有「複合滑塊結構」，其中滑塊22和光源単元23 被粘結以接合在一起。因而，滑塊22和光源単元23可被分立地製作，然後接合在一起以製作所述磁頭21。隨後，如果在製作所述磁頭之前執行光源単元23的性能和可靠性評估，並且僅使用合格的光源単元23用於製作所述磁頭，則可顯著地避免由於光源単元23的廢品率而在磁頭製造過程中對所述磁頭21的生產合格率造成的負面影響。在此，雷射二極體40的發光工作的特性，尤其是該特性隨時間的穩定性顯著影響了對光源単元23的評估。通過在製造過程的上遊檢驗所述特性(其極大地影響了製造合格率)，以及篩選光源単元23，可避免獲得整個磁頭21的製造合格率的降低。根據本發明， 可穩定且經濟地(一次大量地)實施老化測試，這提供了對於篩選光源単元23而言重要的可靠性評估，尤其是雷射二極體40隨時間的穩定性評估。圖2示出了沿圖1中的平面A所取的橫截面視圖，示意性示出了熱輔助磁記錄頭 21中的滑塊22的磁頭元件部分221、光源単元23的雷射二極體40，及它們附近的結構。(雷射二極體)根據圖2，雷射二極體40是邊緣發射型。對於雷射二極體40，可利用InP基ニ極管、GaAs基ニ極管或GaN基ニ極管，其通常用於通信、光碟存儲器或材料分析。所發出的雷射的波長入^可以在例如約37511111至1.7レ111的範圍內。圖2中示出的雷射二極體40具有多層結構，其中從上表面側開始，依序堆疊的是n電極40a、n-GaAS襯底40b ；n-InGaAlP包層40c ；第一 InGaAlP引導層40d ；有源層40e,由多量子阱(InGaP/InGaAlP)等形成；第二 InGaAlP引導層40f ；p-InGaAlP包層40g ；ρ電極基底層40h ；以及，ρ電極40i。此外，在雷射二極體40的多層結構的前裂開表面和後裂開表面上，分別形成了反射層510和511，用於通過全反射激勵振蕩。在此，發光中心4000位於反射層510上的有源層40e的位置處。在本實施方案中，η電極40a可以是由例如Au或Au合金製成的層，且厚度約為0. 1 μ m，並且在n-GaAs襯底40b上形成。當然，雷射二極體40的結構不限於上面所描述的。然而，雷射二極體40優選地以如下方式放置為使得P電極40i位於底部，並且被粘結至光源電極410。通常在邊緣發射型雷射二極體中，在所述各層的堆疊方向上(在Z軸線方向上)，相較於η電極40a，有源層 40e (發光中心4000)更接近幹ρ電極40i。因此，通過將雷射二極體40的ρ電極40i設置為底部，P電極40i更接近於在工作期間生成大量熱的有源層40e，單元襯底230可更有效地用作光源的散熱片。實際上，適當處理由雷射二極體40生成的熱是非常重要的，用於維持所述磁頭內的雷射二極體40和其他元件的工作處於良好的工作狀態。此外，設置在磁碟裝置中的電源可被用於驅動雷射二極體40。實際上，磁碟驅動裝置通常具有例如約2至5V的施加電壓的電源，其足以用於雷射振蕩。雷射二極體40在磁軌寬度方向上(Y軸線方向上)的寬度Wu(圖1)可在例如150至250μπι的範圍內。雷射二極體40的長度Lu近似對應於反射層510和511之間的距離的腔長度，並且優選地為 300 μ m或更大。此タト，雷射二極體40的高度Hla優選地被設置在40至100 μ m範圍內。高度Hu等於η電極40a和引線電極411之間的高度差(在Z軸線方向上)。在執行其中電極具有所述高度差的稍後描述的老化測試吋，可獲得片式探針和電極之間的穩定接觸，從而通過相對調整與片式探針接觸的電極的表面粗糙度Ra來實施良好的老化測試。還參考圖2，通過使用ー種無鉛焊料(例如，Au-Sn合金)進行焊接，可將雷射二極體40的ρ電極層40i和單元襯底230的光源電極410相互粘結。此外，滑塊22和光源単元23以如下方式相互粘結，使得滑塊襯底220的背面2201和單元襯底230的接合表面 2300彼此相対，並且將焊層58作為夾在其間的粘合層。如果單元襯底230由半導體材料 (例如，Si、GaAs或SiC)製成，則可使用傳播通過單元襯底230的光(例如Nd-YAG雷射) 的輻射來熔融焊層58，同時使用由例如AuSn合金製成的焊層58接合所述光源単元23和滑塊22。(磁頭元件部分)如在圖2中還示出的，磁頭元件部分221包括MR元件33、電磁換能器34和光學系統31。
MR元件33在由絕緣材料(例如，Al2O3 (氧化鋁)、SiO2)形成的基底層380上形成，並且被堆疊在元件集成表面2202上。MR元件33包括MR多層332 ；以及，下部屏蔽層 330和上部屏蔽層334，它們由軟磁材料形成，並且將MR多層332和絕緣層381夾在它們之間。MR多層332是磁敏部分，用於通過利用MR效應來檢測信號磁場。MR多層332可以是， 例如利用電流在平面內的巨磁阻(CIP-GMR)效應的CIP-GMR多層；利用電流垂直平面的巨磁阻(CPP-GMR)效應的CPP-GMR多層；或者，利用隧道磁阻(TMR)效應的TMR多層。電磁換能器34被設計用於垂直磁記錄，並且包括上軛層(upper yoke layer) 340, 主磁極3400、寫線圈層343、線圈絕緣層344、下軛層(lower yoke layer) 345和下部屏蔽 3450。上軛層340被形成從而覆蓋線圈絕緣層344，主磁極3400形成在由絕緣材料(例如，A1203 (氧化鋁))製成的絕緣層385上。這些上軛層340和主磁極3400彼此磁連接，並且用作會聚和引導磁通量朝向磁碟10(圖4)的磁記錄層(垂直磁化層)的磁路，磁通量被流過寫線圈層343的寫電流所激勵。主磁極3400包括第一主極部分3400a，到達磁頭端部表面2210並且在磁軌寬度方向上具有小寬度Wp(圖幻；以及，第二主極部分3400b，位於第一主極部分3400a上，並且在該部分3400a的後部(+X側)處。在此，上述寬度Wp是磁頭端部表面2210上的端部表面3400e (圖幻在磁軌寬度方向(Y軸線方向)上的邊緣的長度，並且限定磁軌寬度方向(Y軸線方向)上的寫場分布的寬度。該寬度Wp可被設置為例如 0. 05至0. 5 μ m。該主磁極3400優選由軟磁材料形成，且飽和磁通量密度高於上軛層340 的飽和磁通量密度，所述軟磁材料例如是包含狗作為主成分的鐵合金。寫線圈層343在由絕緣材料(例如，A1203 (氧化鋁))製成的絕緣層385上形成， 使得至少在下軛層345和上軛層340之間以ー圈穿過，並且具有以後觸點(back contact) 部分3402為中心的螺旋結構。寫線圈層343由導電材料(例如，Cu(銅))形成。寫線圈層343覆蓋有由絕緣材料(例如，熱固化光刻膠)形成的線圈絕緣層344，並且該線圈絕緣層使寫線圈層343與上軛層340電絕緣。在本實施方案中，寫線圈層343具有單層結構；然而，寫線圈層343可具有兩層或更多層結構或螺旋形線圈形狀。此外，寫線圈層343的圈數不限於圖2中所示出的，並且可例如在2圈至7圈的範圍內。後觸點部分3402具有在X軸線方向上延伸的通孔，並且波導35和覆蓋波導35的絕緣層穿過該通孔。在該通孔中，波導35以預定距離遠離所述後觸點部分3402的內壁，所述預定距離為例如至少1 μ m。該距離阻止後觸點部分3402吸收波導光。下軛層345在由絕緣材料(例如，A1203(氧化鋁))製成的絕緣層383上形成，並且用作從設置在磁碟10的磁記錄層(垂直磁化層)下方的軟磁下層返回的磁通量的磁路。 下軛層345由軟磁材料形成。此外，下部屏蔽3450是磁路的一部分，與下軛層345連接，井且到達磁頭端部表面2210。下部屏蔽3450通過NF光發生器36與主磁極3400相対，並且用於接收從主磁極3400擴展的磁通量。下部屏蔽3450優選由具有高飽和磁通量密度的材料形成，例如與形成主磁極3400的材料相同，由NiFe (坡莫合金)或者鐵合金形成。還參考圖2，光學系統31包括光點尺寸轉換器43、波導35和NF光發生器36。光點尺寸轉換器43改變(減小)雷射53a的光點尺寸，雷射53a從光接收端部表面352進入光導35，並且傳播通過波導35。波導35從光接收端部表面352通過通孔延伸至磁頭端部表面2210側上的端部表面350，所述通孔設置在後觸點部分3402中且在X軸線方向上延伸。此外，NF光發生器36是將傳播通過波導35的雷射(波導光)轉換為NF光的元件。波導35的磁頭端部表面2210側上的一部分和NF光發生器36被設置在下部屏蔽 3450(下軛層34 和主磁極3400(上軛層340)之間。此外，波導35的上表面(側面)在磁頭端部表面2210側上的一部分以ー預定距離與NF光發生器36的下表面的一部分相対。 這些部分之間的夾心部分構成緩衝部分50，該緩衝部分50的折射指數低于波導35的折射指數。緩衝部分50用於使傳播通過光導35的雷射(波導光)與NF光發生器36耦合。稍後將參考圖3給出波導35、緩衝部分50和NF光發生器36的詳細說明。此外，還如圖2中所示，元件間屏蔽層39優選地設置在MR元件33和電磁換能器 34 (下軛層345)之間，夾在絕緣層382和383之間。元件間屏蔽層39的作用是使MR元件 33與由電磁換能器34所生成的磁場屏蔽，並且可由軟磁材料形成。在此，上述絕緣層381、 382、383、384、385 和 386 構成保護層 38。圖3示意性示出了波導35、NF光發生器36和主磁極3400的配置的立體圖。在該圖中，磁頭端部表面2210位於左側，該表面2210包括其中寫場和NF光發射朝向磁記錄介質的位置。如圖3中所示，該配置包括波導35，用於將生成NF光的雷射(波導光)5 傳播朝向端部表面350 ；以及，NF光發生器36，接收波導光5 且生成NF光63。此外，緩衝部分 50是夾在波導35的側表面354的一部分和NF光發生器36的下表面362的一部分之間的部分。緩衝部分50由例如折射指數小于波導35的折射指數的介電材料形成，並且用於將波導光53b與NF光發生器36耦合。在圖1至圖3所示的光源和光學系統中，從雷射二極體40的發光表面400所發出的雷射優選地具有TM模式偏振，其中雷射的電場的振蕩方向沿著Z軸線方向。此外，還如圖3中所示，在本實施方案中，NF光發生器36由金屬(例如，Au、Ag或者包含Au或Ag的合金)形成，並且沿著H平面所取的橫截面具有三角形形狀。端部表面 36a (其到達磁頭端部表面2210)尤其具有等腰三角形形狀，該等腰三角形形狀在與底邊相對的前緣側(-Z側)上具有ー個頂點。NF光發生器36接收通過緩衝部分50的波導光53b， 並且從端部表面36a發出NF光62。NF光62被發射朝向磁碟10 (圖4)的磁記錄層，並且到達磁碟10的表面，以加熱所述盤10的磁記錄層的一部分。所述加熱將該部分的各向異性磁場(矯磁力)減小至可執行寫操作的一個值。緊接著所述加熱，立即將從主磁極3400 生成的寫場63施加至待執行寫操作的該部分。因而，可實現熱輔助磁記錄。設置在磁頭元件部分221中且生成用於熱輔助的光的光學系統不限於上面所描述的。例如，作為ー種替代方案，可提供使用具有另ー形狀和結構的NF光發生器的光學系統，或者其中由金屬片製成的等離子體天線被設置在波導的一端部處的光學系統。圖4示意性示出了根據本發明的磁碟裝置的一個實施方案的主要部分的結構的立體圖。圖5示意性示出了根據本發明的HGA的一個實施方案的主要部分的結構的立體圖。 在圖5中，與磁碟表面相対的HGA的ー側被表示為上側。如同圖4中所示的磁記錄裝置的一種磁碟裝置包括多個磁碟10，圍繞主軸馬達 11的旋轉軸線旋轉；組件支架設備12，其上設有多個驅動臂14 ；HGA 17，附接在每ー驅動臂 14的頂端部上，並且設有熱輔助磁記錄頭21 ；以及，記錄/複製和發光的控制電路13，用於控制熱輔助磁記錄頭21的寫操作/讀操作，並且進一步用於控制雷射二極體40的發光操作，該雷射二極體用作生成用於熱輔助磁記錄的雷射的光源。在本實施方案中，磁碟10被設計為垂直磁記錄，並且具有一結構，在該結構中，例如依序堆疊在磁碟襯底上的是軟磁下層衝間層；以及，磁記錄層(垂直磁化層)。組件支架設備12是將熱輔助磁記錄頭21定位在形成於磁碟10的磁記錄層上的磁軌上方的設備， 在所述磁記錄層上，排列有記錄位。在該裝置中，驅動臂14在沿著樞轉軸承軸16的方向上被堆疊，並且可通過音圈馬達(VCM)圍繞所述軸16有角度地搖擺。根據本發明的磁碟裝置的結構不限於上面所描述的。例如，磁碟10、驅動臂14、HGA 17和滑塊21中的每ー個的數目都可以是ー個。參考圖5，HGA 17中的懸架20包括載重梁200 ；彎曲部201，弾性固定至載重梁 200 ；基板202，設置在載重梁200的基底部；以及，接線構件203，設置在彎曲部201上，並且由引線導體和電接合至引線導體的兩端的連接墊構成。熱輔助磁記錄頭21在懸架20的頂端部被固定至彎曲部201，從而以ー預定間距(浮動高度)面向每ー磁碟10的表面。在此，孔2010被設置在彎曲部201中；熱輔助磁記錄頭21被以如下方式固定，使得光源単元 23從彎曲部201的相對側突出穿過孔2010。通過使用絲焊、SBB等，連接墊(其形成接線構件203的一端部)被電連接至用於熱輔助磁記錄頭21的磁頭元件32的端子電極370和371 (圖1)，且進一歩被電連接至光源単元23的引線電極411和雷射二極體40的η電極40a(圖1)。這些連接使得能夠為MR 元件33、電磁換能器和雷射二極體40供電，以及能夠驅動MR元件33、電磁換能器和雷射二極體40。懸架20的結構不限於上面所描述的。儘管未示出，但是用於驅動所述磁頭的IC 晶片可被安裝在懸架20的中間。圖6a至圖6f示意性示出了用於製造光源単元23的方法的一個實施方案的立體圖，所述方法包括通過本發明的光源単元23的老化測試進行篩選。圖7a和圖7b示出了老化測試中使用的片式探針的結構的橫截面視圖和仰視圖。圖7b是從接觸電極的一側所觀察到的仰視圖。圖8示出了老化測試中使用的片式探針如何與電極接觸的示意圖。圖9示出了在實際實施例中施加至雷射二極體40的電流隨時間變化的圖表，在該實際實施例中， 在光源單元條71上執行老化測試。根據圖6a示出的實施方案，通過例如濺射、電鍍或汽相沉積、以及光蝕刻法、銑削等，在條襯底70的源安裝表面702上形成多組光源電極410和引線電極411。優選地，絕緣層56形成在源安裝表面702上，電極被設置在絕緣層56上。通過例如在晶片上一排ー排地形成多組光源電極410和引線電極411並且將該晶片切割為條，可獲得其上形成有電極的條襯底70。條襯底70是待被切割成単獨的單元襯底230的構件。在隨後的老化測試步驟中，引線電極411將與片式探針接觸。因而，引線電極411 的表面粗糙度Ra優選地被控制為在0. 005 μ m至0. 5 μ m範圍內的一個值，0. 005 μ m和 0.5μπι的端點值也包括在內，如稍後將要詳細介紹的。例如，可通過選擇一種合適的用於形成引線電極411的沉積方法，以及通過調整執行沉積時的條件來控制表面粗糙度Ra。此外，實驗表明，例如，可通過精密研磨引線電極411的金屬表面來提供數量級為0. 1 μ m的表面粗糙度Ra。在此，表面粗糙度Ra是在日本エ業標準(JIS)B 0601-2001中限定的算木平均粗糙度Ra。算木平均粗糙度Ra按照如下進行計算。粗糙度曲線(f00)沿著中心線(沿著χ軸線)被合併(folded)，並且將合併的粗糙度曲線和中心線所包圍的面積除以待測區域的長度(L)。該結果以微米為單位表達。即，Ra=L-1I^If(X)IdXc然後，如圖6a中所示，通過例如濺射或蒸汽蒸發，將例如用於連接至滑塊22的Au-Sn合金的焊層58形成在條襯底70的接合表面700上。隨後可通過使用雷射例如Nd-YAG雷射輻射來熔融所述金屬的焊層58，以將光源單元23粘結至滑塊22。然後，如圖6b中所示，多個雷射二極體40中的每一個都被以如下方式放置在每一光源電極410上，使得雷射二極體40的ρ電極40i面向下。然後，雷射二極體40粘結至光源電極410。結果，完成了設置在條襯底70上的具有多個光源的光源單元條71。光源單元條71被切割成晶片，所述晶片被用作單獨的光源單元23。雷射二極體40的粘結可以如下方式來實現，例如通過預先將金屬(例如Au-Sn合金)膜沉積在光源電極410上，將雷射二極體40放置在所沉積的膜(光源電極410)上，然後在熱風機的作用下，使用熱板等將它們加熱至約200°C至300°C。在此，η電極40a(其是待被安裝的雷射二極體40的上表面)在隨後的老化測試中還將與片式探針接觸。因而，η電極40a(其是上部電極)的表面粗糙度Ra優選地被控制為0. 5 μ m至10 μ m範圍內的一個值，並且優選地被控制為大於引線電極411 (如上所述，其是下部電極)的表面粗糙度Ra的一個值。η電極40a的表面粗糙度Ra按如下步驟進行調整。在雷射二極體40中，n-GaAs襯底40b (圖2~)的設置η電極40a的表面通常通過預定的拋光工藝來拋光。可通過使用較大顆粒的研磨劑研磨n-GaAs襯底40b的所述表面，來控制η電極40a的表面粗糙度Ra，從而在形成η電極40a前，提供比通常更大的預定粗糙度。通常，使大多數雷射二極體的η電極相當平滑，從而使得能夠實現在將雷射二極體安裝在罐包裝中所要求的穩定絲焊，所述罐包裝是罐形保護包裝。例如，一些η電極的表面粗糙度Ra小於0. 5μ m。然而，通過預先應用上述處理，可增大表面粗糙度Ra的值。 待被安裝的雷射二極體40的高度Hu被選定為在40 μ m至100 μ m的範圍內，包括兩個端點值40 μ m和100 μ m。高度Hla的範圍包括通常用於通用目的的邊緣發射型雷射二極體晶片的高度。然後，如圖6c中所述，如上述所製備和調整的光源單元條71被設置在老化測試裝置72的保持夾具720中。老化測試裝置72包括片式探針組73。片式探針組73包括交替布置的用於η電極40a的簧片形狀(帶狀)片式探針730以及用於引線電極411的簧片形狀(帶狀)片式探針731。當使片式探針731與引線電極411接觸時，片式探針730與設置在保持夾具720中的光源單元條71上的η電極40a接觸。然後，通過片式探針730和η電極40a以及片式探針731和引線電極411向雷射二極體40供應電流，以執行老化測試。如圖7a和圖7b所示，每一片式探針730(731)包括基底元件7300 (7310)，例如由彈性材料(諸如不鏽鋼)製成，厚度約為20 μ m;絕緣層7301 (7131)，例如由絕緣材料(諸如聚醯亞胺)製成，厚度約為10 μ m，在基底元件7300 (7310)上形成；導電層7302(7312)，例如由導電材料(諸如Cu)製成，厚度約為20μπι，在絕緣層7301 (7311)上形成；以及，導電保護層7303 (7313)，通過電鍍由材料(諸如Au或Au合金)製成，厚度約為10 μ m，以覆蓋導電層7302(7312)。導電層7302 (7312)的接觸η電極40a(引線電極411)的一側的一部分從基底元件7300 (7310)突出。導電層7302(7312)的突出部可具有例如約30 μ m的寬度Vcono導電保護層7303(7313)覆蓋導電層7302的接觸η電極40a(引線電極411)的至少一部分。片式探針730和731不限於上面所描述的形式；片式探針730和731可具有其他結構，其中柔性導電層適當地接觸電極。圖8示出了分別與η電極40a和引線電極411接觸的片式探針730和731。參考圖8，片式探針730與η電極40a接觸，所述η電極40a位於比引線電極411高出一高度Hu的位置(水平)。在此，在本實施方案中，電極位置的「高度」是在Z軸線方向上的電極位置的測量值；當電極在+Z方向上處於更遠位置時，該電極處於比另一電極「更高」的位置。因此，處於片式探針730的尖端處的導電層7302(導電保護層7303)與η電極40a的接觸角度，小於片式探針731的尖端處的導電層7312(導電保護層7313)的接觸角度。在此，實驗和經驗表明，片式探針和電極之間的接觸質量通常較大部分依賴於片式探針的端部與電極的接觸角度。事實上，導電層7302(導電保護層7303)以較淺的角度與η電極40a相接觸。因此，分散在這兩層和接觸點之間的較寬闊的接觸區域上的按壓這兩層的壓力不穩固。因此，由於較淺的角度，這兩層之間的接觸較不穩定。然而，本實施方案中的η電極40a的表面粗糙度Ral高於上述的引線電極411的表面粗糙度Ra2。優選地，當η電極40a和引線電極411之間的高度差Hla在40至100 μ m範圍內，且表面粗糙度Ra2在0. 005至0. 5 μ m範圍內時，表面粗糙度Ral被設置為0. 5至IOym範圍內的一個值。在上述範圍內的設置允許(原本由於所述接觸角度而較不穩定的)片式探針730的導電層7302(導電保護層7303)與η電極40a更穩定地接觸。然後，如圖6d所示，老化測試裝置72被用於在所設置的光源單元條71上執行老化測試。老化測試裝置72包括上述的保持夾具720和片式探針組73 ；多個光電二極體74，被保持在保持夾具720中；以及，控制器75。每一光電二極體74是一個光電探測器，其在光接收表面740處接收從雷射二極體40所發出的雷射(電流通過片式探針組73被供應至所述雷射二極體40)並且測量來自雷射二極體40的光輸出。控制器75是這樣的一個器件，其接收來自光電二極體74的測得的輸出，並且控制和測量被供應至雷射二極體40的電流。控制器75可以是包含有控制軟體的計算機。在老化測試中，首先控制器75將電流通過片式探針組73供應至安裝在光源單元條71上的雷射二極體40，並且確定用於獲得來自每一雷射二極體40的預定光輸出Placi——例如幾十mW——所需的供應電流Itff的值1_。例如，該值I·可以是幾十mA。在此，基於來自光電二極體74通過面向所述雷射二極體40的發光中心4000的光接收表面740的測量輸出，來確定來自每一雷射二極體40的光輸出。然後控制器75在恆定地控制電流Ipq的同時，持續供應電流Itff至雷射二極體40，從而來自每一雷射二極體40的光輸出Pla採用預定值P_。在這種情況下，在測試開始處的供應電流Iro的值是1_。然後控制器75測量在預定周期時間中通向每一雷射二極體40的供應電流Iqp的值的變化，同時來自每一雷射二極體40的光輸出被保持在恆定值Placi處。在預定周期之後，控制器75將供應電流Iqp超出預定上限值Imax的雷射二極體40識別為不合格的，並且生成不合格的雷射二極體40的列表。在上述實施方案的老化測試中，可將片式探針保持為與光源單元條71上的電極保持處於穩定接觸，在所述光源單元條71上，多個電極被設置在不同高度的位置上，因為處於較高位置的電極比處於較低位置的電極具有更高的表面粗糙度Ra。因此，可執行穩定和可靠的老化測試。此外，在將光源單元條71分割成單個光源單元晶片之前，可一次評估光源單元條71上的多個雷射二極體40。該同時進行的過程使得能夠一次在大量雷射二極體40上執行老化測試，從而可顯著縮短用於可靠性評估過程所需要的工時和時間。參考圖9，下面將描述在光源單元條71上所執行的老化測試的實際實施例。圖9示出了供應至雷射二極體40的電流Itff隨時間變化的圖表。在所述實際實施例中，具有20 μ m厚的Cu導電層——該導電層塗覆有10 μ m厚的Au導電保護層——的片式探針730和731分別與0. 1 μ m厚的η電極40a、以及3 μ m厚的引線電極411相接觸，所述η電極40a由Au製成且具有5. 5 μ m的表面粗糙度Ral，所述引線電極411由Au製成且具有0. Iym的表面粗糙度Ra2，且位於比η電極40a低50 μ m的位置。預實驗表明，5mA至200mA範圍內的電流穩定地流過接觸位置。藉助Lasertec，Inc的藍色雷射顯微鏡VL200D-A測量表面粗糙度Ra。光源單元條71上受驗的邊緣發射型雷射二極體40 (樣品)的數目是200。在測試期間，每一雷射二極體40的光輸出Putl被保持恆定處於60mW。基於其確定可接受性的供應電流的上限值Imax被設置為110mA。用於供應電流Iqp流過雷射二極體40的通過/失敗測試時間是300分鐘。從圖9中可以看出，通向雷射二極體40(除了樣品90至93)的供應電流Ipq最初採取約80mA至95mA範圍內的值I·，然後，供應電流Iro隨時間逐漸增大，直至電流供應開始後約25分鐘，然後保持恆定值處於或低於上限值Imax= 110mA。從結果確定，樣品(除了樣品90至93)是合格的。另一方面，在電流供應開始之後約20分鐘，通向樣品90、92和93的供應電流Iqp超出了上限值Imax= 110mA。在電流供應開始之後約100分鐘，通向樣品91的供應電流Iqp超出了上限值Imax = 110mA。通向樣品90至93的供應電流Iqp在超出上限值Imax = IlOmA之後持續增大。從結果確定，樣品90至93是不合格的。在所述實際實施例中，在某一時間點處，通向這些樣品90至93中的每一個的供應電流Iqp中存在急升。所述急升可意味著這些樣品中所出現的介質擊穿。通向這些樣品的供應電流的初始值1_也超出了上述的合格樣品的初始值1_的範圍。從上述的實際實施例中應理解，根據本發明，通過適當調整電極的表面粗糙度Ra，可在如光源單元條71的受驗的不平滑物體上執行可靠良好的老化測試。在光源單元條71的老化測試之後，光源單元條71被分割為如圖6e所示的光源單元晶片。包括有不合格的雷射二極體40(在圖9示出的實際實施例中為樣品90至93)的光源單元晶片從已分割的晶片中排除，以獲得用作光源單元23的合格的光源單元晶片，如圖6f所示。可通過參考控制器75所保存的不合格的雷射二極體列表來識別不合格的雷射二極體40。由此，完成了光源單元23的製造過程，包括根據本發明的老化測試的篩選。所有前述實施方案僅以本發明的實施例的方式示出，並且不旨在限制，在不背離本發明的主旨和範圍的前提下，可構造本發明的許多不同變體和改型。相應地，本發明僅由所附的權利要求及其等同物來限定。
權利要求
1.一種用於對受驗對象執行老化測試的方法，在所述受驗對象中多個電極被設置在不同高度的位置處，該方法包括如下步驟製備ー個受驗對象，其中在所述多個電極中，處於較高位置的電極具有較高的表面粗糙度；使得多個片式探針分別與所述多個電極接觸；以及通過所述多個片式探針向所述多個電極供應電流。
2.根據權利要求1所述的用於執行老化測試的方法，其中所述受驗對象包括設置在晶片或條上的多個單元，每一所述單元包括具有預定高度的ー個元件，以及電連接至該元件的下表面的下部電極，以及以如下方式製備所述受驗對象，使得該元件的上表面上的上部電極的表面粗糙度高於所述下部電極的表面粗糙度。
3.根據權利要求2所述的用於執行老化測試的方法，其中通過將所述元件的襯底的表面研磨成預定的表面粗糙度來製備所述受驗對象，所述表面在待要形成上部電極的ー側， 然後在所述表面上形成所述上部電極，從而為所述上部電極的ー個表面提供預定的表面粗糙度。
4.一種用於在待被分割成晶片的單元條上執行老化測試的方法，每一所述晶片被配置為用作熱輔助磁記錄的光源単元，所述光源単元包括設置在單元襯底中的雷射二極體，該方法包括如下步驟以如下方式製備ー個単元條，使得所述雷射二極體的上表面上的上部電極的表面粗糙度高於電連接至該雷射二極體的下表面的下部電極的表面粗糙度；將用於所述上部電極的片式探針和用於所述下部電極的片式探針分別與所述上部電極和所述下部電極接觸；以及通過用於所述上部電極的片式探針和所述上部電極，以及通過用於所述下部電極的片式探針和所述下部電極，將電流供應至所述雷射二極體。
5.根據權利要求4所述的用於執行老化測試的方法，其中以如下方式製備所述単元條，使得所述雷射二極體的高度為大於等於40微米，且小於等於100微米。
6.根據權利要求4所述的用於執行老化測試的方法，其中以如下方式製備所述単元條，使得所述上部電極的表面粗糙度Ra大於等於0. 5微米、以及小於等於10微米，以及所述下部電極的表面粗糙度Ra大於等於0. 005微米、以及小於等於0. 5微米。
7.根據權利要求4所述的用於執行老化測試的方法，其中通過將所述雷射二極體的襯底的表面研磨成預定的表面粗糙度來製備所述單元條，所述表面在待要形成所述上部電極的一側，然後在該表面上形成所述上部電極，從而為所述上部電極的ー個表面提供預定的表面粗糙度。
8.根據權利要求4所述的用於執行老化測試的方法，其中用於所述上部電極和所述下部電極的片式探針包括基底元件；絕緣層，在所述基底元件上形成；以及，導電層，在所述絕緣層上形成，並且所述導電層在所述導電層接觸所述下部電極或所述上部電極的ー側從所述基底元件突出。
9.根據權利要求8所述的用於執行老化測試的方法，其中所述導電層在所述導電層接觸所述下部電極或所述上部電極的ー側的至少一部分覆蓋有金或金合金。
10.根據權利要求4所述的用於執行老化測試的方法，其中為所述雷射二極體供應電流，然後測量用於從所述雷射二極體獲得預定光輸出所要求的供應至所述雷射二極體的電流隨時間的變化。
11.一種測試裝置，被配置為實施根據權利要求4所述的用於執行老化測試的方法，所述測試裝置包括保持夾具，用於保持所述單元條；片式探針組，包括用於上部電極的片式探針和用於下部電極的片式探針，ー個用於所述上部電極的片式探針和ー個用於所述下部電極的片式探針交替布置，所述上部電極被設置在所述雷射二極體上，並且所述上部電極的表面粗糙度高於所述下部電極的表面粗糙度；光電探測器，被所述保持夾具保持，所述光電探測器接收所述雷射二極體所發出的雷射並且測量所述雷射二極體的光輸出，所述雷射二極體通過所述片式探針組被供應電流； 以及控制器，接收來自所述光電探測器的測量輸出，並且控制和測量供應至所述雷射二極體的電流。
12.根據權利要求11所述的測試裝置，其中雷射二極體的高度大於等於40微米，以及小於等於100微米。
13.根據權利要求11所述的測試裝置，其中所述上部電極的表面粗糙度Ra大於等於 0. 5微米、以及小於等於10微米，所述下部電極的表面粗糙度Ra大於等於0. 005微米、以及小於等於0.5微米。
14.根據權利要求11所述的測試裝置，其中用於所述上部電極和所述下部電極的片式探針包括基底元件；絕緣層，在所述基底元件上形成；以及，導電層，在所述絕緣層上形成，以及所述導電層在所述導電層接觸所述下部電極或所述上部電極的ー側從所述基底元件突出。
15.根據權利要求14所述的測試裝置，其中所述導電層在所述導電層接觸所述下部電極或所述上部電極的ー側的至少一部分覆蓋有金或金合金。
全文摘要
提供了一種用於對受驗對象執行老化測試的方法，其中多個電極被設置在不同高度的位置。該方法包括如下步驟製備受驗對象，其中在所述多個電極中處於較高位置的電極具有較高的表面粗糙度；使多個片式探針分別與所述多個電極接觸；以及，通過所述多個片式探針向所述多個電極供應電流。通過實施該方法，所述片式探針可以與所述電極保持穩定接觸，因為處於較高位置的電極比處於較低位置的電極具有更高的表面粗糙度Ra。因此，可執行穩定和可靠的老化測試。
文檔編號G11B5/127GK102565570SQ20111039279
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月1日 優先權日2010年12月2日
發明者島澤幸司, 本田隆, 西岡義人, 野間亞樹, 金子正明, 麥野遙一 申請人:Tdk株式會社, 羅姆股份有限公司