膜擴展裝置以及使用該膜擴展裝置的電子部件的製造方法與流程

2023-07-02 06:50:07

本發明涉及膜擴展裝置以及電子部件的製造方法，詳細地，涉及用於使粘貼有多個晶片的膜在面方向上擴展的膜擴展裝置以及使用該膜擴展裝置的電子部件的製造方法。

背景技術：

例如，作為製造陶瓷電子部件的方法之一，有經過對母塊(mother block)進行切割而分割(單片化)為多個晶片的工序來製造電子部件的方法，其中，該母塊通過層疊陶瓷生片而形成。

可是，在專利文獻1中公開了一種隱形劃片用的粘接片，其具有形成在基材的單面的粘接劑層，使用雷射器進行劃片，其中，粘接片在23℃的楊氏模量為200～600MPa，粘接劑層在23℃的儲能模量為0.10～50MPa。

此外，在專利文獻1提出了一種半導體裝置的製造方法，該方法包括：對表面形成了電路的半導體晶片照射雷射，從而在晶片內部形成改質部的工序；在該半導體晶片的背面粘附上述的粘接片的工序；通過使粘接片在面方向上擴展，從而分割半導體晶片，單片化為多個晶片的工序；以及拾取分離的多個晶片的工序。

而且，在上述的方法中，使粘附了半導體晶片的粘接片擴展來擴大相鄰的晶片的間隔，從而分割半導體晶片，由此能夠得到使對半導體晶片的拾取等處理變得容易的效果。

當使用該專利文獻1記載的方法使粘附了半導體晶片的粘接膜擴展時，粘接膜整體會均勻地擴展。因此，在粘附於膜的半導體晶片的周邊區域是不進行單片化的空白部的情況下，上述空白部分也會擴展，從而使粘附了半導體晶片的區域擴展的比例降低。因此，在一次的擴展工序中能夠處理的(能夠分離的)晶片的個數減少，存在生產性降低的問題。

此外，在晶片的平面形狀不是正方形的情況下，存在晶片的間隔根據方向而異的情況。具體地，工件的尺寸(半導體晶片的尺寸(準確地說是半導體晶片的集合體的尺寸))大的方向上的晶片的間隔變得比工件的尺寸小的方向上的晶片的間隔大。

而且，在使工件的尺寸小的方向上的晶片的間隔充分擴大至所需程度的情況下，工件的尺寸大的方向上的晶片的間隔會變得過大，其結果是，在一次的擴展工序中能夠處理的晶片的個數減少，存在生產性降低的問題。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-119548號公報

技術實現要素：

發明要解決的技術課題

本發明是為了解決上述課題而完成的，其目的在於，提供一種能夠增加在一次的擴展工序中能夠處理的晶片的個數且生產性優異的膜的擴展裝置以及使用該擴展裝置的生產性高的電子部件的製造方法。

用於解決課題的技術方案

為了解決上述課題，本發明的膜擴展裝置是用於使粘貼了多個晶片的膜在面方向上進行擴展的膜擴展裝置，其特徵在於，具備：

保持部，對膜的周緣部進行保持；

框體，在俯視下位於所述保持部的內側，在使被所述保持部保持的所述膜在面方向上進行擴展時成為擴展支點；以及

加熱臺，在俯視下位於所述框體的內側，具有抵接部，所述抵接部的平面面積小於所述框體的內側區域的平面面積，所述抵接部與所述膜的下表面抵接並對所述膜的所述框體的內側的規定區域進行加熱。

此外，在本發明的膜擴展裝置中，優選被構成為：在所述框體與所述保持部的關係上使所述框體相對於所述保持部向上方移動，從而使周緣部被所述保持部保持且下表面的規定區域與所述抵接部抵接而被加熱的所述膜以所述框體作為擴展支點在面方向上進行擴展。

通過採用上述結構，能夠選擇性地使膜中的所需的區域高效地進行擴展，能夠使本發明更有實效。

優選所述抵接部的與所述膜的下表面抵接的面的、在作為規定的一個方向的X方向上的尺寸DX不同於在作為與所述一個方向正交的另一個方向的Y方向上的尺寸DY。

通過使抵接部的與膜的下表面抵接的面的X方向上的尺寸DX不同於作為另一個方向的Y方向上的尺寸DY，從而能夠使X方向和Y方向上的膜的擴展量不同(進行各向異性擴展)，能夠提高擴展方式的自由度。其結果是，通過適當地設定晶片集合體的形狀、尺寸與加熱臺的抵接部的形狀、尺寸的關係，從而能夠自由地控制作為規定的一個方向的X方向和作為與上述一個方向正交的另一個方向的Y方向上的各個晶片彼此的間隔。

此外，優選所述抵接部的與所述膜的下表面抵接的面的平面形狀為長方形。

在將加熱臺的抵接部的與膜的下表面抵接的面的平面形狀做成為長方形的情況下，能夠以擴展量在作為規定的一個方向的X方向和作為與上述一個方向正交的另一個方向的Y方向上不同的方式使膜進行擴展(進行各向異性擴展)。

此外，所述抵接部的與所述膜的下表面抵接的面的平面形狀也可以做成為長方形且形成了圓角的形狀。

在將抵接部做成為例如形成了圓角的橫向長的長方形，即，(X方向上的尺寸DX)＞(Y方向上的尺寸DY)的情況下，膜的與抵接部抵接而被加熱的加熱區域R的對角方向上的距離縮短，在考慮膜的對角方向的情況下，在包含加熱區域和非加熱區域的整體的擴展量相同的情況下，與未形成圓角的情況相比，能夠相比於非加熱區域使加熱區域中的擴展的比例增大。因此，能夠充分確保晶片集合體的對角方向上的擴展量，能夠抑制構成晶片集合體的各個晶片彼此的間隔的偏差，從而能夠提高均勻性。

此外，所述抵接部的與所述膜的下表面抵接的面的平面形狀也可以做成為圓形。

通過將抵接部的上表面做成為圓形，從而能夠使膜與其方向無關地在整個面均勻地進行擴展(進行各向同性擴展)，根據晶片、晶片的集合體的形狀(例如，在像晶片、晶片的集合體的平面形狀為正方形那樣的情況下)，能夠全方位地使晶片彼此的間隔均勻，有時特別優選。

此外，本發明的電子部件的製造方法經過對母塊進行切割而分割為多個晶片的工序來製造電子部件，其特徵在於，包括：

(a)設為使在規定的位置進行切割的、包含多個晶片的母塊粘附在能夠在面方向上擴展的膜的表面的狀態的工序；以及

(b)使用上述本發明的膜擴展裝置使粘附了包含所述多個晶片的所述母塊的所述膜進行擴展，從而擴大所述膜上的所述多個晶片彼此的間隔的工序。

此外，在本發明的電子部件的製造方法中，優選是，粘附在所述膜的表面的所述母塊包含的多個晶片的集合體的、在作為規定的一個方向的X方向上的尺寸MX大於在作為與所述一個方向正交的另一個方向的Y方向上的尺寸MY，且所述加熱臺的所述抵接部的與所述膜的下表面抵接的面的所述X方向上的尺寸DX大於所述Y方向上的尺寸DY。

母塊包含的多個晶片的集合體的、與抵接部的X方向對應的方向Xm上的尺寸MX大於與抵接部的Y方向對應的方向Ym上的尺寸MY，且加熱臺的抵接部的上表面的X方向上的尺寸DX大於Y方向上的尺寸DY，在該情況下，能夠使Y方向上的晶片彼此的間隔大於X方向上的晶片彼此的間隔，例如能夠使各個晶片以X方向為旋轉軸方向而旋轉90度(在Y方向轉動)並對旋轉後朝上的面實施處理(例如，粘附絕緣片)。

此外，因為膜在X方向上擴展得不大，所以能夠在晶片彼此的間隔不會在X方向上變得過大的情況下在所需的範圍內增多在一次的擴展工序中能夠處理的(能夠分離的)晶片的個數，從而能夠提高生產性。

另外，X方向和Y方向是相對的，能夠考慮通過使膜大幅擴展而想要增大晶片的間隔的方向來確定上述的X方向和Y方向，從而高效地應對各種方式。

發明效果

本發明的用於使粘貼了多個晶片的膜在面方向上擴展的膜擴展裝置具備：保持部，對膜的周緣部進行保持；框體，位於保持部的內側，使被保持部保持的膜在面方向上進行擴展；以及加熱臺，在俯視下位於框體的內側，具有平面面積比框體的內側區域的平面面積小且與膜的下表面抵接來對膜的框體的內側的規定區域進行加熱的抵接部，因此，能夠使膜的被加熱而使楊氏模量降低的區域主要地進行擴展。而且，利用這一情況，通過使膜的加熱區域變化，從而能夠控制擴展量。

其結果是，能夠使膜的所需的區域擴展來增多在一次的擴展工序中能夠處理的(能夠分離的)晶片的個數，從而能夠提高生產性。

即，通過使抵接部的形狀變化來調整加熱區域(使其變化)，從而能夠使膜具有所需的溫度差(根據位置的溫度差)，能夠利用膜的楊氏模量的差異使擴展率在面內產生差異。

此外，在本發明的電子部件的製造方法中，(a)設為使在規定的位置進行切割的、包含多個晶片的母塊粘附在能夠在面方向上進行擴展的膜的表面的狀態，然後，(b)使用上述的本發明的膜擴展裝置使粘附了包含多個晶片的母塊的膜進行擴展，從而擴大膜上的多個晶片彼此的間隔，因此能夠高效地從膜上拾取各個晶片，能夠高效地製造電子部件。

附圖說明

圖1是示出本發明的一個實施方式(實施方式1)涉及的膜擴展裝置的圖，(a)是正面剖視圖，(b)是示出主要部分結構的俯視圖。

圖2A是說明本發明的實施方式1涉及的膜擴展裝置的動作的圖，(a)是使膜擴展之前的主要部分俯視圖，(b)是其主要部分正面剖視圖。

圖2B是說明本發明的實施方式1涉及的膜擴展裝置的動作的圖，(a)是使膜擴展之後的主要部分俯視圖，(b)是其主要部分正面剖視圖。

圖3A是說明不具備本發明的要件的膜擴展裝置的動作的圖，(a)是使膜擴展之前的主要部分俯視圖，(b)是其主要部分正面剖視圖。

圖3B是說明不具備本發明的要件的膜擴展裝置的動作的圖，(a)是使膜擴展之後的主要部分俯視圖，(b)是其主要部分正面剖視圖

圖4是示出本發明的另一個實施方式(實施方式2)涉及的膜擴展裝置的圖，(a)是正面剖視圖，(b)是示出主要部分結構的俯視圖。

圖5是說明本發明的實施方式2涉及的膜擴展裝置的動作的圖，(a)是使膜擴展之前的主要部分俯視圖，(b)是使膜擴展之後的主要部分俯視圖。

圖6是示出本發明的實施方式2涉及的膜擴展裝置的變形例的圖，(a)是使膜擴展之前的主要部分俯視圖，(b)是使膜擴展之後的主要部分俯視圖。

圖7是說明本發明的另一個實施方式(實施方式3)涉及的膜擴展裝置的動作的圖，(a)是使膜擴展之前的主要部分俯視圖，(b)是使膜擴展之後的主要部分俯視圖。

圖8是說明不具備本發明的實施方式3涉及的膜擴展裝置的要件的情況下的動作的圖，(a)是使膜擴展之前的主要部分俯視圖，(b)是使膜擴展之後的主要部分俯視圖。

圖9是示出通過本發明的一個實施方式(實施方式4)涉及的電子部件的製造方法製造的電子部件(層疊陶瓷電容器)的結構的正面剖視圖。

圖10是示出本發明的實施方式4涉及的電子部件的製造方法的圖，(a)是示出使膜擴展之前的狀態的主要部分俯視圖，(b)是示出使膜擴展之後的狀態的主要部分俯視圖。

圖中：1-膜，1a-膜的周緣部，2-保持部，2a-基部，2b-邊框，2c-保持部主體，3-框體，3a-擴展支點(外周上側稜線部)，4-加熱臺，5-底座部，6-抵接部，20-晶片集合體，20a-各個晶片，102(102a、102b)-內部電極，110-陶瓷層疊體(晶片)，103(103a、103b)-陶瓷層疊體110的端面，104(104a、104b)-外部電極，R-加熱區域，Rn-非加熱區域，DX-抵接部的與膜的下表面抵接的面的X方向上的尺寸，DY-抵接部的與膜的下表面抵接的面的Y方向上的尺寸。

具體實施方式

以下示出本發明的實施方式，並對作為本發明的特徵的部分進行更詳細的說明。

[實施方式1]

該實施方式涉及的膜擴展裝置是用於使粘貼有多個晶片的膜在面方向上擴展的擴展裝置，例如，如圖1的(a)、(b)所示，具備保持部2、框體3以及加熱臺4，保持部2保持膜1的周緣部1a，框體3在俯視下位於保持部2的內側，使被保持部2保持的膜1在面方向上擴展，加熱臺4位於框體3的內側，從下表面側對膜1進行加熱。

作為膜1，例如可使用具備基材層和粘接層的膜，基材層包括能夠進行擴展的具有伸縮性的各種材料，例如，聚氯乙烯(PVC)、聚烯烴或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，粘接層形成在基材的表面，包括具有粘接性的各種材料，例如，亞克力或橡膠等。其中，膜1的結構沒有特別的限制，也可以使用其它結構的膜。

而且，加熱臺4構成為，具備底座部5和抵接部6，抵接部6設置在底座部5，在俯視下比底座部5小，且位於底座部5所佔的區域內，抵接部6與膜1的下表面抵接並對膜1進行加熱。即，構成為膜1的與抵接部6抵接的區域成為加熱區域R。

此外，對膜1的周緣部1a進行保持的保持部2具備基部2a、夾入膜1的周緣部1a的邊框2b、以及保持部主體2c，隔著邊框2b將膜1夾入到保持部主體2c與基部2a之間。

而且，該實施方式涉及的膜擴展裝置構成為，通過框體3向上方頂起周緣部1a被保持部2保持並且下表面與加熱臺4的抵接部6相接而被加熱的狀態的膜1，從而膜1以框體3(具體是外周上側稜線部3a)作為擴展支點在面方向上進行擴展。

即，框體3構成為，在俯視下位於保持部2的內側的區域，能夠與加熱臺4一起向上方移動，膜1構成為，通過框體3向上方移動而被頂起，以框體3的外周上側稜線部3a作為擴展支點在面方向上進行擴展。

另外，雖然在該實施方式中框體3構成為向上方移動，但是只要在框體3與保持部2的關係上能夠使框體3相對於保持部2向上方移動即可，因此也可以構成為使保持部2下降。

該實施方式的膜擴展裝置像上述那樣構成，因此能夠主要使膜1的被加熱而使楊氏模量降低的區域(加熱區域R)進行擴展，並且能夠選擇性地對規定的區域進行加熱而作為加熱區域R。其結果是，能夠使膜1的加熱區域R適當地變化而任意地控制膜1的擴展方向與擴展量的關係。

因此，根據本發明的膜擴展裝置，能夠像以下說明的那樣進行擴展量(擴展的程度)根據方向而異的各向異性擴展、擴展量不會根據方向變動的各向同性擴展，能夠自由地控制構成與膜1粘附的晶片集合體的各個晶片彼此的、例如在作為規定的一個方向的X方向和與X方向正交的Y方向上的間隔。

像這樣，能夠使膜1的所希望的區域(主要是作為與抵接部6抵接而被加熱的區域的加熱區域R)擴展的結果是，能夠增多在一次的擴展工序中能夠處理的(能夠分離的)晶片的個數，能夠提高生產性。

下面，對膜1的擴展的方式進行具體說明。

首先，像在圖2A的(a)、(b)以及圖2B的(a)、(b)中示意性地示出的那樣，在將具備底座部5和抵接部6的加熱臺4的抵接部6做成為例如在俯視下比框體3和底座部5小的圓形的情況下，當在對膜1的與抵接部6抵接的加熱區域R進行加熱的狀態下使框體3上升而使膜1以框體3的外周上側稜線部3a作為擴展支點進行擴展時，膜1的未被加熱的非加熱區域Rn不怎麼擴展，主要是與抵接部6相接而被加熱的加熱區域R進行擴展。即，相對於膜1的整體的擴展量，能夠增大加熱區域R的擴展量。

此外，在像該實施方式那樣將抵接部6的形狀做成為比底座部5小的圓形的情況下，不僅能夠像上述的那樣相對於膜1的整體的擴展量增大加熱區域R的擴展量，而且能夠與其方向無關地使膜1均勻地進行擴展(進行各向同性擴展)。

因此，例如在像圖2B的(a)、(b)所示的那樣在平面形狀為正方形的晶片集合體20粘附在膜1的加熱區域R的內側的狀態下使膜1以框體3的外周上側稜線部3a作為擴展支點在面方向上進行擴展的情況下，膜1進行各向同性擴展，與此相伴地，晶片集合體20也進行各向同性擴展，能夠全方位地減少各個晶片彼此的間隔的偏差，從而提高均勻性。

相對於此，例如在像圖3A的(a)、(b)以及圖3B的(a)、(b)所示的那樣對膜1的由框體3規定的區域(與框體3的內側的整個區域對應的區域)進行加熱的情況下，即，在將框體3的內側整體作為加熱區域R的情況下，框體3的內側整體的大的區域成為加熱區域R，在該大的加熱區域R中膜1進行擴展，因此在將晶片集合體20粘附在膜1上的狀態下使膜1在面方向上進行擴展的情況下，相對於膜1的整體的擴展量，粘附有晶片集合體20的區域的擴展量的比例會減小，從而在一次的擴展工序中能夠處理的(能夠分離的)晶片的個數減少，生產性受到限制。

另外，在本發明的膜擴展裝置中，作為加熱臺，也可以構成為，不設置平面面積比抵接部的平面面積大的底座部，使加熱臺的上表面整體作為抵接部發揮功能。但是，加熱臺優選具有與框體的內側區域對應的底座部。

[實施方式2]

圖4是示出本發明的另一個實施方式(實施方式2)涉及的膜擴展裝置的圖，(a)是正面剖視圖，(b)是主要部分俯視圖。在該實施方式2的膜擴展裝置中，構成加熱臺4的抵接部6在俯視下是比底座部5小、在X方向和Y方向上延伸、且滿足(X方向上的尺寸DX)＞(Y方向上的尺寸DY)的長方形，除此以外，構成得與上述的實施方式1的膜擴展裝置相同。

在像該實施方式2那樣將加熱臺4的抵接部6做成為例如像圖4的(a)、(b)所示的那樣平面形狀是比框體3和底座部5小、在X方向和Y方向上延伸、且滿足(X方向上的尺寸DX)＞(Y方向上的尺寸DY)的長方形的情況下，當在對膜1的與抵接部6抵接的加熱區域R進行加熱的狀態下使框體3上升，從而使膜1以框體3的外周上側稜線部3a作為擴展支點進行擴展時，膜1的未被加熱的非加熱區域Rn不怎麼擴展，主要是與抵接部6相接而被加熱的加熱區域R進行擴展。

因此，如圖5的(a)、(b)所示，當將晶片集合體20粘附在膜1的長方形的加熱區域R的內側區域、使加熱臺4的抵接部6與膜1的下表面接觸而對膜1進行加熱並在該狀態下使框體3上升而使膜1以框體3的外周上側稜線部3a作為擴展支點進行擴展時，因為抵接部6是滿足DX＞DY的長方形，所以如圖5的(b)所示，膜1在加熱區域R中與X方向相比在Y方向上擴展得更大，粘附在膜1的晶片集合體20也與X方向相比在Y方向上擴展得更大。其結果是，能夠以構成晶片集合體20的各個晶片彼此的間隔在Y方向上大且在X方向上小的方式分離各個晶片。

此外，圖6的(a)、(b)是示出該實施方式2的膜擴展裝置的變形例涉及的膜擴展裝置的主要部分結構的圖。在該變形例中，構成加熱臺4的抵接部6做成為在俯視下比底座部5小且滿足(X方向上的尺寸DX)＜(Y方向上的尺寸DY)的長方形。其它結構與上述的實施方式2涉及的膜擴展裝置的情況相同。

在像這樣將抵接部6做成為滿足(X方向上的尺寸DX)＜(Y方向上的尺寸DY)的長方形的情況下，如圖6(a)所示，當將晶片集合體20粘附在長方形的加熱區域R的內側區域、使加熱臺4的抵接部6與膜1的下表面接觸而對膜1進行加熱並在該狀態下使框體3上升而使膜1以框體3的外周上側稜線部3a作為擴展支點進行擴展時，因為抵接部6是滿足DX＜DY的長方形，所以如圖6(b)所示，膜1在加熱區域R中與Y方向相比在X方向上擴展得更大，粘附在膜1的晶片集合體20也與Y方向相比在X方向上擴展得更大。其結果是，能夠以構成晶片集合體20的各個晶片彼此的間隔在X方向上大且在Y方向上小的方式分離各個晶片。

另外，可以考慮所希望的各向異性擴展的方式而任意地決定是將抵接部6設為圖5的(a)、(b)所示的長方形，還是設為圖6的(a)、(b)所示的長方形。

[實施方式3]

此外，圖7的(a)、(b)是示出本發明的另一個實施方式(實施方式3)涉及的膜擴展裝置的主要部分結構的圖。

在實施方式3的膜擴展裝置中，構成加熱臺4的抵接部6具有如下形狀，即，做成為在俯視下比底座部5小、在X方向和Y方向上延伸、且滿足(X方向上的尺寸DX)＞(Y方向上的尺寸DY)的長方形，並且形成有圓角。其它結構與上述的實施方式1和2的膜擴展裝置的情況相同。

在像該實施方式3那樣將抵接部6做成為形成有圓角的、滿足(X方向上的尺寸DX)＞(Y方向上的尺寸DY)的長方形的情況下，加熱區域R的對角方向上的距離縮短，在考慮膜1的對角方向的情況下，在包含加熱區域R和非加熱區域Rn的整體中的膜1的擴展量相同的情況下，與膜1的與非加熱區域Rn對應的區域中的擴展的比例相比，能夠增大膜1的與加熱區域R對應的區域中的擴展的比例。即，與抵接部6未形成圓角的情況相比，能夠增大與加熱區域R對應的區域的擴展的比例。

即，在像圖8的(a)所示的那樣將抵接部6做成為未形成圓角的、滿足(X方向上的尺寸DX)＞(Y方向上的尺寸DY)的長方形的情況下，與形成圓角的情況相比，加熱區域R的對角方向上的尺寸增大，與其相應地，與膜1的與非加熱區域Rn相應的區域中的擴展的比例相比，膜1的與加熱區域R對應的區域中的擴展的比例減小。因此，在將晶片集合體20粘附在加熱區域R的內側的區域並使膜1進行擴展的情況下，如圖8(b)所示，晶片集合體20的對角方向上的擴展量與其它方向相比變得不充分。

相對於此，在像圖7的(a)所示的那樣將抵接部6做成為形成有圓角的、滿足(X方向上的尺寸DX)＞(Y方向上的尺寸DY)的長方形的情況下，與膜1的對角方向上的與非加熱區域Rn對應的區域中的擴展的比例相比，能夠增大膜1的對角方向上的與加熱區域R對應的區域中的擴展的比例，在將晶片集合體20粘附在加熱區域R內並使膜1擴展的情況下，如圖7的(b)所示，能夠充分地確保晶片集合體20的對角方向上的擴展量，能夠抑制構成晶片集合體20的各個晶片彼此的間隔的偏差。

另外，雖然在實施方式3中以抵接部6具有橫向長且形成有圓角的形狀的情況為例進行了說明，但是也可以將抵接部6做成為縱向長且形成有圓角的形狀。此外，也可以做成為抵接部6的平面形狀為正方形且形成有圓角的結構。

[實施方式4]

在該實施方式4中，作為經過將母塊分割為多個晶片的工序來製造電子部件的方法，對圖9所示的層疊陶瓷電容器的製造方法進行說明。其中，本發明不僅能夠應用於層疊陶瓷電容器，還能夠應用於電感器、熱敏電阻、壓電元件等陶瓷電子部件或半導體元件等經過將母塊分割為多個晶片的工序製造的各種電子部件。

另外，由在該實施方式4中說明的方法製造的層疊陶瓷電容器具有如下結構，即，如圖9所示，在隔著作為電介質層的陶瓷層101層疊有多個內部電極102(102a、102b)的陶瓷層疊體(晶片)110的一對端面103(103a、103b)配設有一對外部電極104(104a、104b)，使得該一對外部電極104(104a、104b)與內部電極102(102a、102b)導通。

以下，對該層疊陶瓷電容器的製造方法進行說明。(1)將層疊塊粘附於將要安裝到本發明的膜擴展裝置的膜，並對層疊塊進行分割，從而設為多個晶片的晶片集合體粘附在膜的表面的狀態。另外，設為晶片集合體粘附於膜的狀態的方法沒有特別限制，例如，能夠將形成了多個內部電極圖案的陶瓷生片和未形成內部電極圖案的陶瓷生片按規定的順序層疊在可擴展的膜上，從而形成層疊塊，並在規定的位置對該層疊塊進行切割，從而得到晶片集合體。

此外，例如通過將在其它工序中對層疊塊進行切割而得到的晶片集合體轉移到可擴展的膜上，也能夠設為晶片集合體粘附在膜的表面的狀態。

(2)然後，使用本發明的膜擴展裝置使位於框體的內側的加熱臺的抵接部與膜1的下表面接觸，從而對膜的規定的區域(加熱區域)進行加熱。

(3)然後，使粘附了包含多個晶片的晶片集合體的膜在面方向上進行擴展，從而分離各個晶片。

此時，也能夠使用像上述實施方式1的情況(參照圖2)那樣構成為加熱臺4的抵接部6為圓形，即，從另一個觀點來說是加熱區域R為圓形，且膜的擴展的方式為各向同性擴展的膜擴展裝置，此外，也能夠使用像上述實施方式2的情況那樣構成為加熱臺4的抵接部6為圖5所示的長方形或圖6所示的長方形，即，從另一個觀點來說是加熱區域R為圖5所示的長方形或圖6所示的長方形，且膜1的擴展的方式為各向異性擴展的膜擴展裝置。

進而，也能夠使用像上述實施方式3的情況那樣具備形成有圓角的抵接部6的膜擴展裝置，即，從另一個觀點來說能夠使用具備形成有圓角的加熱區域R的膜擴展裝置。

其中，在該實施方式4中，對使用構成為加熱臺4的抵接部6橫向長且進行各向異性擴展的膜擴展裝置的情況進行說明，即，從另一個觀點來說，對使用構成為加熱區域R為橫向長且進行各向異性擴展的膜擴展裝置的情況進行說明。

當像圖10的(a)所示的那樣在將晶片集合體20粘附在膜1上的狀態下使膜1在面方向上進行擴展時，如圖10的(b)所示，膜1的粘附了晶片集合體20的區域在Y方向上擴展得大，在X方向上則比Y方向上擴展得小，成為膜1上的各個晶片20a隔開規定的間隔被保持的狀態，從而可以可靠地分離各個晶片20a。

此時，因為像上述的那樣膜1的粘附了晶片集合體20的區域在Y方向上擴展得大，所以晶片20a彼此的間隔也增大。

因此，例如能夠使各個晶片30以X方向為旋轉軸方向旋轉90度(在Y方向轉動)，對旋轉後朝上的面實施處理(例如，粘附絕緣片或塗敷絕緣膏)，所以是優選的。此外，膜1在X方向上不會過度擴展，晶片20a彼此的間隔在X方向上也不會變得過大，因此能夠在不過度減少在一次的擴展工序中能夠處理的晶片的個數的情況下確保適當的生產性。

(4)接著，從膜1上取下各個晶片20a並在規定的條件下進行燒成，從而得到陶瓷層疊體。

(5)然後，在陶瓷層疊體的兩端側形成外部端子。由此，可得到具有如圖9所示的結構的層疊陶瓷電容器。

使用像上述那樣構成的膜擴展裝置，使粘附了包括多個晶片的母塊的膜擴展，從而擴大多個晶片彼此的間隔，由此能夠高效地製造電子部件。

另外，在本發明中，X方向和Y方向是相對的，通過考慮想要增大晶片的間隔的方向來確定上述的X方向和Y方向，從而能夠可靠地應對各種方式。

本發明在其它方面也不限定於上述實施方式，關於加熱臺的結構、抵接部的形狀、框體的結構、框體的形狀、晶片集合體的結構等，能夠在發明的範圍內進行各種應用、變形。