區域規整的聚硒吩的製作方法

2023-07-02 07:05:41 2

專利名稱：：區域規整的聚硒吩的製作方法
技術領域：
：本發明涉及區域規整的聚硒吩，涉及其作為半導體或電荷輸送材料在光學器件、光電器件或電子器件中的用途，並涉及包含它們的光學器件、光電器件或電子器件。背景及現有技術近年來越來越關注聚合物在電子應用領域的用途。一個重要的具體領域是有機光電材料(OPV)。聚合物已經在OPV中發現了用途，因為它們允許通過溶液加工技術，如旋轉鑄造、浸塗或噴墨印刷來製造器件。與用於製造無機薄膜器件的蒸發技術相比，溶液加工可以更廉價和更大規模地進行。目前，聚合物基器件可實現最高4-5%的效率(參見例如K.M.Coakley和M.D.McGehee，Chem.Mater.2004，16，4533-4542)。這明顯低於無機器件可實現的效率，其通常高達25%。目前在0PV器件中實現最高效率的聚合物類型是聚(3-烷基-噻吩)(P3AT)。由於其廣泛可得性和良好的吸收特性，最常用的實例是聚(3-己基噻吩)(P3HT)。P3HT在480至650納米範圍內強烈地吸收，最大吸收峰值位於560納米。這意味著相當大部分的太陽光沒有被吸收。為了改進OPV器件的效率，需要吸收更多來自太陽光鐠的更長波長範圍(650至800納米)的光的聚合物。為此，需要具有優選小於1.9eV的低帶隙的聚合物，但例如P3HT具有~2.0eV的帶隙。除OPV器件外，有機材料還表現出有望作為有機基薄膜電晶體和有機場效應電晶體(TFT，OFET)中的活性層(參見H.E.Katz、Z.Bao和S.L.Gilat,Acc.Chem.Res.,2001，34,5，359)。此類器件在智慧卡、安全標籤和平板顯示器中的開關元件中具有潛在用途。如果有機材料可以由溶液沉積，由於這能夠提供迅速的大面積製造途徑，則據期有機材料在成本上明顯優於它們的矽類似物。該器件的性能主要基於半導體材料的栽流子遷移率和電流的通/斷比率，因此，理想的半導體應該具有截止狀態下的低導電性，同時具有高的載流子遷移率(>lxlO—kfl^rs-1)。此外，重要的是，該半導電材料對於氧化相對穩定，即具有高的電離電勢，這是因為氧化導致器件性能降低。已經報導了載流子遷移率為1x10—5至4.5x10—^m丫is^但具有10至103的相當低的電流通/斷比率的區域規整的頭尾相接P3HT[參見Z.Bao等人，Appl.Pys.Lett.，1996，69，4108]。這種低的通/斷電流部分歸因於聚合物的低電離電勢，這會導致聚合物在環境條件下的氧摻雜，並隨之導致高的截止電流[參見H.Sirringhaus等人，Adv.SolidStatePhys.，1999，39，101]。高的區域規整度導致改進的填充和優化的顯微結構，導致改進的載流子遷移率[參見H.Sirringhaus等人，Science,1998,280，1741-1744;H,Sirringhaus等人，Nature,1999，401，685-688;以及H.Sirringhaus等人，SyntheticMetals,2000，111—112，129-132]。通常，P3AT表現出改進的溶解度，並能夠進行溶液處理以製造大面積薄膜。然而，P3AT具有相對較低的電離電勢並在空氣中容易被滲雜。本發明的一個目的是提供用作半導體或電荷輸送材料，尤其用在OPV和OFET器件中的新材料，其易於合成，具有高電荷遷移率、良好的可加工性和氧化穩定性。本發明的另一目的是提供新型半導體和電荷輸送部件，和包含這些部件的新型和改進的光電、電子和發光器件。根據下列描述，本領域技術人員能立即看出本發明的其它目的。本發明的發明人已經發現，通過提供本發明中所要求保護的聚硒吩，可以實現這些目的。特別是已經發現，區域規整的聚(3-烷基)硒吩(P3AS)和在骨架上僅含硒吩的其它聚合物具有低於1.9eV的帶隙，同時保持高空穴載流子遷移、可溶液加工性和高光學吸收係數的滿意性能。此前已經通過3-烷基硒吩前體的電化學聚合法(C.Mahatsekake等人，Phosphorus,SulfurandSilicon,1990，47，35-41)或通過利用FeCl3的氧化化學途徑(Y.Katsumi等人，JapaneseJournalAppl.Physics.Part2，1989，28，U38-L1化C.G.Andrieu等人，SulfurLetters,1996，19，261-266)合成區域無規的(Regiorandom)聚(3-烷基)硒吩。這兩種製備方法均產生在烷基側鏈的定位方面具有低區域規整度的材料。Katsumi和共事者報導的區域無規的聚(3-烷基)硒喻(Y.Katsumi等人，JapaneseJournalAppl.Physics.Part2,1989，28，L138-L140)據報導具有比區域無規的聚(3-烷基)嚷吩大的帶隙(2.4eV對2.2eV)。這可以合理解釋為聚合物骨架的在烷基側鏈和硒與硫相比更大的離子半徑(這降低了平面度)之間的提高的空間相互作用，和由此提高的帶隙。之前尚無報導這些材料在場效應電晶體中的栽流子遷移率或在有機光電器件中的性能。EP-A-1439590公開了單體型的、低聚的和聚合的雙(漆吩基)亞芳基，但沒有公開本發明的聚合物。S.Tierney、M.Heeney和I.McCulloch，SynthMet，148(2)，195-198，(2005)公開了聚雙(3-辛基-噻吩-2-基)硒吩，但沒有公開本發明的聚合物。發明概述本發明涉及在3-和/或4-位置上任選被取代的2,5-硒吩的區域規整聚合物。本發明進一步涉及本發明的聚合物作為半導體、電荷輸送或發光材料的用途。本發明進一步涉及包含至少一種本發明的聚合物的半導體、電致發光或電荷輸送材料、部件或器件。本發明進一步涉及本發明的聚合物作為電荷輸送、半導體、導電、光電導或發光材料在光學、光電學或電子部件或器件、有機場效應電晶體(0FET)、集成電路(IC)、薄膜電晶體(TFT)、平板顯示器、射頻識別(RFID)標籤、電致發光或光致發光器件或部件、有機發光二極體(0LED)、顯示器背光、光電器件或傳感器、電荷注射層、肖特基二極體、平面化(planarising)層、抗靜電膜、導電襯底或圖案、電池中的電極材料、光電導體、電子照相應用、電子照相記錄、有機存儲器件、配向層、化妝品或藥品組合物、生物傳感器、生物晶片中的用途或用於檢測和辨別DNA序列的用途。本發明進一步涉及包含本發明的聚合物、半導體或電荷輸送材料、部件或器件的光學、電光學或電子器件、FET、集成電路(IC)、TFT、0LED或配向層。本發明進一步涉及包含本發明的聚合物、半導體或電荷輸送材料、部件或器件或FET、IC、TFT或0LED的用於平板顯示器、射頻識別(RFID)標籤、電致發光顯示器或背光的TFT或TFT陣列。本發明進一步涉及包含本發明的FET或RFID標籤的防偽標記或器件。附圖概述圖l顯示與在氯苯中(c)和在薄膜形式下(d)的區域規整聚(3-己基)噻吩(P3HT)相比，本發明的區域規整聚(3-己基)硒吩(P3HS)在氯苯中(a)和在薄膜形式下(b)的固態UV光譜。圖2顯示本發明的區域規整P3HS的固態UV光譜。圖3顯示包含本發明的P3HS的電晶體器件的電流(I)-電壓(V)轉移特性(3a)和輸出特性(3b)。發明詳述術語"區域規整，，是指區域規整度為至少85%的聚合物。"區域規整度"是指聚合物中單體單元的頭尾相連數量，除以總連接數量，並以百分數表示。尤其優選的是區域規整度為90%或更高，非常優選95%或更高，更優選96%至100%，最優選98%至100%的聚合物，除非另行指明，分子量以數均分子量Mn或重均分子量Mw給出，其通過凝膠滲透色鐠法(GPC)對照聚苯乙烯標樣測定。聚合程度(n)是指以n-Mn/Mu形式給出的數均聚合程度，其中Mu是單一重複單元的分子量(通常不考慮並非重複單元的一部分的聚合物端基，例如式II中的基團R9和R111)。本發明的聚合物僅由任選在3-和/或4-位置上被取代的2，5-硒吩二基單元構成。與現有技術中所述的聚合物相反，已經發現，本發明的區域規整的P3AS具有與區域規整的P3AT相比降低的帶隙。這使本發明的聚硒吩成為尤其用在光電器件中的半導體材料的有吸引力的候選物。這個結果是令人驚訝並且無法從現有技術中預料到的，因為現有技術指出區域無規的P3HS具有比區域無規的P3HT更大的帶隙(參見Y.Katsumi等人，JapaneseJournalAppl.Physics.Part2，1989,28,L138-L140)。因此本來預計的是，區域規整的P3AS也應當具有比區域規整的P3AT更大的帶隙，因此不是光電材料的有吸引力的候選物。在改進區域規整度時帶隙的這種意料外的大幅降低不是顯而易見的。此外，本發明聚合物中的高區域規整度降低了由頭-頭和尾-尾連接引起的空間相互作用，並使該聚合物具有高度平面的、有組織的層狀結構。此外，本發明的聚合物是有利的，因為它們表現出比類似的全漆吩體系高的載流子遷移率。硒(103pm(皮米))超過硫(88pm)的更高原子半徑提高了聚合物鏈之間的分子重疊，並促進電荷躍遷過程。本發明的聚合物尤其可用作電荷輸送或半導體材料，尤其是在OPV或OFBT器件中。向硒吩基團中引入烷基側鏈改進了聚合物的溶解度和可溶液加工性。本發明的聚合物可以是均聚物或共聚物。尤其優選的是選自式I的聚合物formulaseeoriginaldocumentpage10其中Rw彼此獨立地，並且在多次出現的情況下彼此獨立地為H、滷素、任選取代的芳基或雜芳基、P-Sp-、P'-Sp-、或具有1至40個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基，其任選被F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，並且其中一個或多個不相鄰的CH2基團任選在每種情況下彼此獨立地以0和/或S原子不直接彼此相連的方式被-0-、-S-、-NH-、-NR。-、-SiR0R。0-、-CO-、-COO-、-OCO-、-0-C0-0-、-S-C0-、-CO-S-、-CX^CX2-或-CsC-替代，R。和IT彼此獨立地為H、任選取代的芳基或具有1至12個碳原子的烷基，乂1和^彼此獨立地為H、F、C1或CN，P是可聚合的基團，P'是可轉化成可聚合基團P或被可聚合基團P取代的基團，Sp是間隔基或單鍵，a、b、c和d彼此獨立地為O、1、2或3，且a+b+c+d>1，n是〉1的整數，其中重複單元相同或不同。尤其優選的是式II的聚合物其中R1—8、a、b、c、d和n具有式I的含義，R'和R'o彼此獨立地具有W的含義之一，或代表-Sn(R。)3、-B(0R')(0R〃)、-CH2C1、-CHO、-CH-CH2或-SiR。R。。R。。。，R°、R°°、R咖彼此獨立地為H、任選取代的芳基或具有1至12個碳原子的烷基，R'和R〃彼此獨立地為H或具有1至12個碳原子的烷基，或0R'和0R〃與硼原子一起構成具有2至20個碳原子的環狀基團。尤其優選的是式I和I1的聚合物，其中-n是2至5000，優選10至5000，非常優選100至1000的整數，一通過GPC對照聚苯乙烯標樣測定的分子量(Mw)為5000至300000,特別為20000至200000，—a=l，b=c=d-0，-a-l，b=c=d=0且Ri和R2之一或兩者均不同於H，-a=b=c=l，d=0，一a-b-c-l，d-0，W和R5不同於H，且R2、R3、R4、R6是H，—a=b=c-d=l，一a-b-c-d-l，Ri和R7不同於H，且R2、R3、R4、R5、R6、R8是H，-RH彼此獨立地為鹵素、任選取代的芳基或雜芳基、P-Sp-、P'-Sp-、或具有6至30個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基，其任選被F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，並且其中一個或多個不相鄰的CH2基團任選在每種情況下彼此獨立地以O和/或S原子不直接彼此相連的方式被-O-、-S-、-NH-、-NR。-、-SiR。R。。-、-C0-、-C00-、-OCO-、-0-CO-0-、-S-CO-、-CO-S-、-CX^CX2-或-CsC-替代，_Rw選自d-C『烷基、d-C『烷氧基、C2_C2。-鏈烯基、C廣C2。-炔基、Ci-C20-疏代坑基、C1-C20-曱娃坑基、C1-C20-醋、C廣C20-氣基、C「C20-氟烷基、和任選取代的芳基或雜芳基，非常優選為C廣C2。-烷基或C廣C2。-氟烷基，-P'是-0H或-0-Si-R°R°°R°°°,優選其中R。、IT和IT是相同或不同的基團，選自任選取代的芳基或C廣Cu-烷基，優選C廣C6-烷基，如曱基、乙基、異丙基、叔丁基或苯基，-R9和IT選自H、面素、Sn(R。)3、B(0R"(0R〃)、CH2C1、CH0、CH-CHSiRVY°°和任選取代的芳基或雜芳基，-R1、R2、R3、R4、R5和R6的至少一個是P-Sp-，一R'和lT之一或兩者均是P-Sp-或P'-Sp-。尤其優選的是下式的聚合物R其中n具有式I的含義，R具有式I中R1的含義或如上給出的含義之一，其不同於H。如果RH之一是芳基或雜芳基，其優選為具有最多25個碳原子的單-、二-或三環芳族或雜芳族基團，其中環可以是稠合的。雜芳基含有至少一個優選選自N、0和S的雜環原子。芳族或雜芳族基團任選被一個或多個基團L取代。L是F、Cl、Br、I、CN或具有1至20個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基，其是未取代的、被F、Cl、Br、I、-CN或-OH單取代或多取代的，並且其中一個或多個不相鄰的CH2基團任選在每種情況下彼此獨立地以0和/或S原子不直接彼此相連的方式被-O-、-S-、-NH-、-NR。-、-SiR°R°°-、-CO-、-COO-、-0C0-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-CH-CH-或-C=C-替代。尤其優選的芳基和雜芳基是苯基、氟化苯基、吡啶、嘧啶、聯苯、萘、任選氟化或烷基化或氟烷基化的苯並[l，2-b:4,5-l/]二噻吩、任選氟化或烷基化或氟烷基化的噻吩並[3，2-b]瘻吩、任選氟化或烷基化或氟烷基化的2,2-二噻吩、噻唑和噍唑，所有這些均為未取代的、被如上定義的L單取代或多取代的。如果R1—8之一是烷基或烷氧基，即其中末端CH2基團被-0-替代，其可以是直鏈或支鏈的。其優選為直鏈的，具有2至8個碳原子，因此優選為乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基或辛氧基，此外例如曱基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基或十四烷氧基。氟烷基或氟化的烷基或烷氧基優選是直鏈(0)dF2w，其中i是1至20，特別是1至15的整數，非常優選為(0)CF3、(0)C2F5、(0)C3F7、(0)C4F9、(0)C5Fu、(0)C6F13、(0)C7Fn或(0)CsF"，最優選為(0)C6F13。CX^CX2優選為OCH-、-CH"CF-、-CF-CH-、-CF-CF-、-CH=C(CN)-或-C(CN)-CH-。滷素優選為F、Br或Cl。雜原子優選選自N、0和S。可聚合基團P是能夠參與聚合反應，例如自由基或離子鏈聚合、加聚或縮聚反應，或能夠在類聚合(polymeranalogous)反應中通過例如縮合或加成反應接枝到聚合物骨架上的基團。尤其優選的是用於鏈聚合反應，例如自由基、陽離子或陰離子聚合反應的可聚合基團。非常優選的是含有C-C雙鍵或三鍵的可聚合基團，以及能夠通過開環反應聚合的可聚合基團，例如氧雜環丁烷或環氧化物。該可聚合基團P非常優選地選自CH產formulaseeoriginaldocumentpage13CH3-CH=CH-0-、(CH產CH)2CH-0C0-、(CH產CH-CH2)2CH-0C0-、(CH產CH)2CH-0-，(CH2=CH-CH2)2N-、(CH產CH-CH2)2N-CO-、HO-CW2W3-、HS-CW2W3-、HW2N-、HO-CW2W3-NH-、CH產CWLCO-NH-、CH2=CH-(COO)kl-Phe-(0)u-、CH產CH-(CO)kl-Phe-(0)k2-、Phe-CH-CH-、HOOC-、OCN-和W4W5W6Si-，JLW^H、Cl、CN、CF3、苯基或具有1至5個碳原子的烷基，特別是H、Cl或CH3，W2和Ws彼此獨立地為H或具有1至5個碳原子的烷基，特別是H、曱基、乙基或正丙基，W4、W5和We彼此獨立地為Cl、具有1至5個碳原子的氧雜烷基或氧雜羰基烷基，W7和f彼此獨立地為H、Cl或具有1至5個碳原子的烷基，Phe是任選被一個或多個如上定義的基團L取代的1，4-亞苯基，並且和k2彼此獨立地為0或1。尤其優選的基團P是CH屍CH-C00-、CH2-C(CH3)-COO-、CH產CH-、CH2=CH-0-、(CH2=CH)2CH-0C0-、(CH產CH)2CH-0-、非常優選的是丙烯酸酯和氧雜環丁烷基團。氧雜環丁烷在聚合(交聯)後產生較少收縮，這在薄膜內產生較少應力，從而更高地保持有序性和產生更少的缺陷。氧雜環丁烷交聯也需要陽離子引發劑，該引發劑與自由基引發劑不同，其對氧是惰性的。作為間隔基Sp，可以使用本領域技術人員已知用於此用途的所有基團。間隔基Sp優選具有式Sp'-X，以使P-Sp-為P-Sp'-X-，且P*-Sp-為P*-Sp'-X-，其中Sp'是具有最多20個碳原子的亞烷基，其可以是未取代的、被F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代的，一個或多個不相鄰的CH2基團也可以在每種情況下彼此獨立地以o和/或s原子不直接彼此相連的方式被-O-、-S-、-NH-、-NR。-、-SiR。R。°-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-CH-CH-或-CsC-替代，X是-0-、-S-、-CO-、一COO-、-0C0-、-O-COO-、-CO-NR°-、-NR°—CO-、-CO-NR。-CO-、-OCH2-、-CH20-、—SCH2-、-CH2S-、-CF20-、-OCF廣、-CF2S-、-SCF廣、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH-N-、-N-CH-、-N-N-、-CH-CR0-,-CX^CX2-、-CsC-、-CH-CH-C00-、-OCO-CI^CH-或單鍵，且R°、R°°、Xi和f具有上文給出的含義之一。X優選為-0-、-S-、-OCH廣、-CH20-、-SCH廣、-CH2S-、-CF20-、-OCF廣、-CF2S-、-SCF廣、-CH2CH2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH-N-、-N-CH-、-N-N-、-CH=CR。-、-CX^CX2-、-CsC-或單鍵，特別是-O-、-S-、-CsC-、-0又1=^2-或單鍵，非常優選為能夠形成共軛體系的基團，如-CsC-或-CX^CX^或單鍵。典型的基團Sp'是例如-(CH2)p-、-(CH2CH20)「CH2CH2-、-(^2(^2-3-012012-或-012(:112-服-(^2(:112-或-(3111°11。°-0)[)-，其中p是2至12的整數，q是l至3的整數，且R。和IT具有上文給出的含義。優選基團Sp'是例如亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞戊基、亞己基、亞庚基、亞辛基、亞壬基、亞癸基、亞十一烷基、亞十二烷基、亞十八烷基、亞乙基氣基亞乙基、亞甲基氧基亞丁基、亞乙基-硫代亞乙基、亞乙基-N-曱基-亞氨基亞乙基、1-甲基亞烷基、亞乙烯基、亞丙烯基和亞丁烯基，進一步優選的是具有一個或兩個基團P-Sp-或P'-Sp-的化合物，其中Sp是單鍵。在具有兩個基團P-Sp或P'-Sp-的化合物的情況下，基團P或P'和間隔基Sp各自可以分別相同或不同。另一優選實施方案涉及包含一個或多個基團P卜Sp-的化合物，其中？*是可以轉化成如上定義的可聚合基團P或被該可聚合基團P取代的基團。優選地，P,是例如對自發聚合的反應性不如P的基團。這些化合物可以例如用作具有一個或多個基團P的式I的可聚合化合物的合成中的中間體，或用作反應性太強而無法更長時間儲存或運輸的可聚合化合物的前體材料。優選選擇基團P-以使其容易通過已知方法轉化成基團P或被基團P取代，例如，其可以是基團P的被護形式。進一步優選的基團？*是例如-011或甲矽烷基，如-0-Si-RniTir，例如-0-Si(CH3)3、-0-Si-(異丙基)3、-0-S卜(苯基)3、-0-Si-(CH3)2(苯基)、-0-Si(CH3)2(叔丁基)或類似基團，它們可以反應成例如可聚合的(甲基)丙烯酸酯端基。由本發明的化合物或混合物通過聚合或共聚獲得的SCLCP具有通過可聚合基團P形成的骨架。本發明的聚合物可以根據技術人員已知的和在文獻中描述的方法或與其類似地合成。其它製備方法可以獲自實施例。下面描述一些優選方法(其中R具有如上定義的R1的含義之一，且X具有如上定義的X'的含義之一)。在圖式1中示例性描述了區域規整的聚(3-烷基)硒吩的製備。圖式l:、SeB,Se、Br根據文獻程序(C.Mahatsekake等人，Phosphorus,SulfurandSilicon,1990，47，35-41)製備3-己基硒吩。通過在THF中用NBS處理，將該材料在2，5-位置上溴化。所得2,5-二溴-3-己基硒吩用1當量的烷基格氏試劑(例如異丙基氯化鎂)處理，以便經格氏複分解反應形成2-溴-5-氯鎂-3-己基硒吩和2-氯鎂-5-溴-3-己基硒吩在溶液中的混合物。加入過渡金屬催化劑以使所得混合物直接聚合，獲得區域規整的聚(3-己基)硒吩。優選的過渡金屬催化劑是Ni(II)鹽，如Ni(dppp)Cl2(1，3-雙(二苯基膦基丙烷)氯化鎳(n))、Ni(dppe)Cl2(1，2-雙(二苯基膦基)乙烷氯化鎳(II))或Ni(dppf)Cl2(二氯[1，1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]鎳(II)}或Ni(0)催化劑，例如雙(1，5-環辛二烯)鎳(O)[Ni(C0D)2]，在二齒配體的存在下，例如膦配體，如l，3-二苯基膦基丙烷(dppp)。在圖式2中示例性描述了三-和四-硒吩聚合物的製備。圖式2:用受阻鋰鹼(例如，二異丙基氨基化鋰)在5-位置上鋰化3-烷基硒吩，並通過用例如氯化銅(II)的氧化劑處理以使所得有機鋰中間體氧化二聚，獲得4，4'-二烷基-2，2'-二硒吩。通過在THF中用NBS處理來將其溴化。所得二硒吩隨後可以通過兩種途徑之一聚合。在過渡金屬催化劑(優選的催化劑是鈀(O)催化劑，如Pd(PPh》4(四(三苯基膦)鈀(0))或Pd2(dba)3(三(二苯亞曱基丙酮)二鈀(O))，或鈀(II)前體，如Pd(PPh3)Cl2(二氯雙(三苯基膦)鈀(II))，或Pd(dppf)Cl2(二氯[1，1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]把(II)，任選在附加膦配體存在下)的存在下與2，5-雙(三甲基甲錫烷基)硒吩或5，5'-雙(三曱基甲錫烷基)-U，2']二硒吩反應產生所需聚合物。或者，可以通過5，5'-二溴-4，4'-二烷基-2，2'-二硒吩與雙(硼)酸或硒吩和二硒吩的酯在過渡金屬催化劑和鹼的存在下反應(Suzuki聚合反應)來製備此類聚合物。該聚合物也可以如圖式3中例示的那樣，通過預先製成的三-或四硒吩單體經氧化偶合的聚合來製備。圖式3:3-烷基噻吩與1當量NBS的溴化反應產生2-溴-3-烷基硒吩。其與鎂金屬的反應產生格氏試劑，其隨後可以在過渡金屬催化劑存在下與2，5-二溴硒吩或5,5'-二溴-2，2'-二硒吩交叉偶合，分別獲得三-和四硒吩。在溶劑中用氯化鐵(ni)處理這些單體產生該聚合物。製備上下文中所述的區域規整的聚硒吩的新型方法是本發明的另一方面。本發明的另一方面涉及本發明的化合物和材料的氧化和還原形式。電子的損失或增加導致形成高度離域的離子形式，其具有高導電性。這可以在與普通摻雜劑接觸時發生。合適的摻雜劑和摻雜方法是本領域技術人員已知的，例如從EP0528662、US5，198，153或W096/21659中獲知。摻雜方法通常包括用氧化劑或還原劑在氧化還原反應中處理半導體材料以在該材料中形成離域的離子中心，其相應的抗衡離子源自所施加的摻雜劑，合適的摻雜方法包括，例如，在大氣壓中或在減壓下暴露在摻雜蒸氣中，在含摻雜劑的溶液中電化學摻雜，使摻雜劑與要被熱擴散的半導體材料接觸，和將摻雜劑離子植入半導體材料中。當用電子作載流子時，合適的摻雜劑是例如卣素(例如I2、Cl2、Br2、ICl、IC13、IBr和IF)、路易斯酸(例如PF"AsF5、SbF5、BF3、BC13、SbCl5、BBr3和S03)、質子酸、有機酸、或胺基酸(例如HF、HCl、HN03、H2S04、HC104、FS03H和C1S03H)、過渡金屬化合物(例如FeCl3、FeOCl、Fe(C104)3、Fe(4-CH3C6H4S03)3、TiCl4、ZrCl4、HfCl4、NbF5、NbCl5、TaCl5、MoF5、MoCl5、WF5、WC16、UFs和LnCl3(其中Ln是鑭系元素))、陰離子(例如cr、Br—、r、I,、跳—、SO二NO"CIO,、BF4—、PF6—、AsF6—、SbF6_、FeCl4—、Fe(CN)廣、以及各種磺酸的陰離子，如芳基-S0「)。當用空穴作栽流子時，摻雜劑的實例是陽離子(例如H+、Li+、Na+、K+、Rb+和Cs+)、鹼金屬(例如Li、Na、K、Rb和Cs)、鹼土金屬(例如Ca、Sr和Ba)、02、XeOF"(N02+)(SbF6)、(N02+)(SbClD、(N02+)(BF4)、AgC104、H2IrCl6、La(N03)36H20、FS02OOS02F、Eu、乙醯膽鹼、R4N+(R是烷基)、R4P+(R是烷基)、R6As+U是烷基)、和R3S+(R是烷基)。本發明的化合物和材料的導電形式可作為有機"金屬"用於下列用途，例如但不限於，有機發光二極體應用中的電荷注射層和ITO平面化層，平板顯示器和觸控螢幕用的薄膜，抗靜電膜、印刷導電襯底、電子應用，例如印刷電路板和電容器中的圖案或跡線。本發明的優選實施方案涉及式I和II和它們的優選子公式的化合物，它們是介晶或液晶的並非常優選包含一個或多個可聚合基團。非常優選的這種類型的材料是式I或II和它們的優選子公式(其中n為>1至15的整數且W和/或R"代表P-Sp-)的低聚物。這些材料特別可用作半導體或電荷輸送材料，因為它們可以通過已知技術在其液晶相中配向到一致的高度有序的取向上，由此表現出更高的有序度，這導致特別高的電荷載流子遷移率。高度有序的液晶態可以通過原位聚合或經由基團P的交聯來固定以產生具有高電荷載流子遷移率和高的熱、機械和化學穩定性的聚合物膜，例如，如果由可聚合液晶材料通過原位聚合製造器件，則液晶材料優選包含一種或多種式II及其優選子公式(其中V和/或R"代表P-Sp-)的化合物。如果首先例如通過溶液聚合製備液晶聚合物，並使用分離出的聚合物製造器件，則該聚合物優選由包含一種或多種式II及其優選子公式(其中R'和R"之一代表P-Sp-)的化合物的液晶材料製成。還可以使本發明的可聚合化合物與從現有技術中獲知的其它可聚合介晶或液晶化合物共聚以誘發或增強液晶相性狀。因此，本發明的另一方面涉及包含一種或多種如上下文中所述的含至少一個可聚合基團的本發明的化合物並任選包含一種或多種其它可聚合化合物的可聚合液晶材料，其中本發明的可聚合化合物和/或其它可聚合化合物中的至少一種是介晶或液晶的。特別優選的是具有向列和/或近晶相的液晶材料。對於FET應用，近晶材料尤其優選。對於0LED應用，向列或近晶材料尤其優選。尤其優選的是近晶A(Sa)相，以及高度有序的近晶相，例如Sb、Se、S。和Sf相。本發明的另一方面涉及可由在其液晶相中配向到宏觀一致的取向上並聚合或交聯以固定該取向狀態的如上定義的可聚合液晶材料獲得的具有電荷輸送性質的各向異性聚合物膜。優選地，聚合作為該材料的塗層的原位聚合進行，優選在包含本發明的半導體材料的電子或光學器件的製造過程中進行。在液晶材料的情況下，這些優選在聚合之前在其液晶態中配向到垂面取向上，其中該共軛7i-電子體系與電荷輸送方向垂直。這確保了分子間距離最小化並因此隨之使在分子間輸送電荷所需的能量最小化。然後使分子聚合或交聯以固定液晶態的這種一致取向。配向和固化在該材料的液晶相或介晶相中進行。這種技術是本領域中已知的並例如在D.J.Broer等人，Angew.Makromol.Chem.183，(1990)，45-66中大致描述。液晶材料的配向可以例如通過要塗布該材料的襯底的處理、通過該材料在塗布之中或之後的剪切、通過對塗布的材料施加磁場或電場，或通過在液晶材料中添加表面活性化合物來實現。例如I.Sage在"ThermotropicLiquidCrystals(熱致液晶)"，G.W.Gray編輯，JohnWiley&Sons,1987，第75-77頁，T.Uchida和H.Seki在"LiquidCrystals-ApplicationsandUses(液晶-應用與用途)巻3"，B.Bahadur編輯，WorldScientificPublishing,Singapore1992，第1-63頁中給出了配向技術的綜述。J.Cognard，Mol.Cryst.Liq.Cryst,78，增刊1(1981),第1-77頁中給出了配向材料和技術的綜述。聚合通過曝露於熱或光化輻射來進行。光化輻射是指用光，例如紫外光、紅外光或可見光照射，用X-射線或Y射線照射，或用高能粒子，例如離子或電子照射。優選地，聚合通過在非吸收波長下的紫外線照射進行。作為光化輻射來源，例如可以使用單個紫外線燈或一組紫外線燈。當使用高的燈功率時，可以減少固化時間。另一可行的光化輻射來源是雷射，例如紫外雷射、紅外雷射或可見雷射。聚合優選在存在在光化輻射波長下吸收的引發劑的情況下進行。例如，當藉助紫外線燈聚合時，可以使用在紫外線輻射下分解產生引發聚合反應的自由基或離子的光引發劑。當固化具有丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團的可聚合材料時，優選使用自由基光引發劑，當固化具有乙烯基、環氧化物和氧雜環丁烷基團的可聚合材料時，優選使用陽離子光引發劑。還可以使用在受熱時分解產生引發聚合的自由基或離子的聚合引發劑。作為用於自由基聚合的光引發劑，例如，可以使用市售Irgacure651、Irgacure184、Darocure1173或Darocure4205(均來自CibaGeigyAG)，而在陽離子光聚合的情況下，可以使用市售UVI6974(UnionCarbide)。可聚合材料可以另外包含一種或多種其它合適的組分或添加劑，選自例如催化劑、敏化劑、穩定劑、抑制劑、鏈轉移劑、共反應單體、表面活性化合物、潤滑劑、潤溼劑、分散劑、疏水劑、粘合劑、流動改進劑、消泡劑、除氣劑、稀釋劑、反應性稀釋劑、助劑、色料、染料、顏料或納米粒子。包含一個或多個基團P-Sp-的化合物也可以與可聚合的介晶化合物共聚以誘發或增強液晶相性狀。適合作為共聚單體的可聚合介晶化合物是現有技術中已知的，並公開在例如WO93/22397;EP0，261，712;DE195,04,224;WO95/22586和WO97/00600中。本發明的另一方面涉及由如上定義的可聚合液晶材料通過聚合或類聚合反應獲得的液晶側鏈聚合物(SCLCP)。特別優選的是由式II及其優選子公式(其中n為〉1至15的整數且W和R"之一或兩者，優選之一是可聚合基團或反應性基團)的一種或多種化合物、或由含有一種或多種所述化合物的可聚合混合物獲得的SCLCP。本發明的另一方面涉及由式II及其優選子公式(其中n為〉1至15且RS和/或R"為可聚合基團)的一種或多種化合物、或由如上定義的可聚合液晶混合物，通過與一種或多種其它介晶性或非介晶性共聚單體一起共聚或類聚合反應獲得的SCLCP。側鏈液晶聚合物或共聚物(SCLCP)(其中半導體組分的作為經由脂族間隔基與撓性骨架分隔開的側基布置)提供了獲得高度有序的層狀形態的可能性。這種結構由緊密堆積的共軛芳族介晶體構成，其中可以發生非常緊密的(通常〈4A)7T-7T堆疊。這種堆疊使分子間電荷輸送更容易進行，從而產生高的電荷栽流子遷移率。SCLCP對於特定應用是有利的，因為它們在加工之前容易合成，然後例如從在有機溶劑中的溶液進行加工。如果SCLCP在溶液中使用，它們在塗布到適當的表面上時並在它們的介晶相溫度下時可以自發取向，這可以產生大面積的高度有序的疇。SCLCP可以由本發明的可聚合化合物或混合物通過上述方法或通過本領域技術人員已知的常規聚合技術，包括例如自由基、陰離子或陽離子鏈聚合、加聚或縮聚製備。聚合可以例如作為不需要塗布和預先配向的溶液聚合或作為原位聚合進行。還可以通過在類聚合反應中同性或各向異性聚合物骨架上來形成，SCLCP。例如，具有末端羥基;化合物可以連接到具有側面羧酸或酯基團的聚合物骨架上，具有末端異氰酸酯基團的化合物可以添加到具有自由羥基的骨架上，具有末端乙烯基或乙烯氧基的化合物可以例如添加到具有Si-H基團的聚矽氧烷骨架上。還可以通過共聚或類聚合反應由本發明的化合物以及常規的介晶性或非介晶性共聚單體形成SCLCP。合適的共聚單體是本領域技術人員已知的。原則上，可以使用本領域中已知的帶有能夠進行所需聚合物形成反應的反應性或可聚合基團，例如如上定義的可聚合或反應性基團P的所有常規共聚單體。典型的介晶共聚單體是例如在WO93/22397、EP0261712、DE19504224、W095/22586、W097/00600和GB2351734中提到的那些。典型的非介晶共聚單體是例如具有1至20個碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯，例如丙烯酸曱酯或曱基丙烯酸甲酯。本發明的化合物可用作光學、電子和半導體材料，特別是用作場效應電晶體(FET)中的電荷輸送材料，例如用作集成電路、ID標籤或TFT用途的組分。或者，它們可以用在電致發光顯示器應用中的有機發光二極體(OLED)中，或用作例如液晶顯示器的背光，用作光電材料或傳感器材料，用於電子照相記錄，和用於其它半導體應用領域。本發明的低聚物和聚合物尤其表現出有利的可溶性質，從而能夠使用這些化合物的溶液進行製造。因此，可以通過低成本製造技術，例如旋塗，產生薄膜，包括層和塗層。合適的溶劑或溶劑混合物包含鏈烷和/或芳族化合物，尤其是它們的氟化衍生物。本發明的材料可用作光學、電子和半導體材料，特別用作場效應電晶體(FET)中的電荷輸送材料、用作光電材料或傳感器材料、用於電子照相記錄和用於其它半導體用途。使用有機半導體材料作為門-電介質和漏極與源極之間的薄膜的這類FET是公知的，例如從US5,892,244、WO00/79617、US5，998，804和從背景和現有技術章節中列舉的以及下文列出的參考文獻中獲知。由於這些優點，例如利用本發明的化合物的可溶性質以及由此帶來的大表面可加工性產生的低成本製造，這些FET的優選用途是，例如，集成電路、TFT顯示器和防偽應用。在防偽應用中，場效應電晶體和具有半導體材料的其它器件，例如電晶體或二極體，可用於ID標籤或防偽標記以鑑定和防止偽造有價值的文件，例如紙幣、信用卡和身份證、國家ID文件、許可證或具有貨幣價值的任何產品，例如印花、票、股票、支票等等。或者，本發明的化合物可用在有機發光器件或二極體(OLED)中，例如在顯示器應用中，或用作例如液晶顯示器的背光。普通OLED使用多層結構獲得的。發光層通常夾在一層或多層電子傳輸層和/或空穴傳輸層之間。通過施加電壓，作為電荷栽流子的電子和空穴移向發光層，在此它們的複合引起發光層中所含的發光體單元的激發並因此引起發光。本發明的化合物、材料和薄膜可根據它們的電和/或光學性能用在一層或多層電荷傳輸層中和/或用在發光層中。此外，如果本發明的化合物、材料和薄膜本身表現出電致發光性質或包含電致發光基團或化合物，則它們在發光層中的使用尤其有利。適用在OLED中的單體型、低聚和聚合化合物或材料的選擇、表徵以及加工是本領域技術人員公知的，參見，例如，Meerholz，SyntheticMaterials,111-112，2000，31-34、Alcala，J.Appl.Phys.，88，2000，7124-7128和其中列舉的文獻。根據另一用途，本發明的化合物、材料或薄膜，尤其是表現出光致發光性質的那些，可用作例如EP0889350Al中或C.Weder等人，Science,279，1998，835-837所述的顯示器的光源的材料。根據另一用途，本發明的化合物、材料或薄膜可以單獨或與其它材料一起用於或用作如US2003/0021913中所述的LCD或0LED器件中的配向層。本發明的電荷輸送化合物的使用可以提高配向層的導電性。當用在LCD中時，這種提高的電導率可以降低可切換LCD液晶盒中不利的殘留直流電效應並抑制圖像滯留，或例如在鐵電LCD中，降低由鐵電LC的自發極化電荷的切換所產生的殘留電荷。當用在包含位於配向層上的發光材料的OLED器件中時，這種提高的導電性可以增強發光材料的電致發光。本發明的具有介晶或液晶性質的化合物或材料可以形成如上所迷的取向的各向異性膜，其尤其可用作配向層以誘發或增強供應到所述各向異性膜上的液晶介質的配向。本發明的材料也可以與可光致異構化的化合物或發色團結合用於或用作如US2003/0021913中所述的光致配向層。根據另一用途，本發明的化合物和材料，尤其是它們的水溶性衍生物(例如具有極性或離子側基)或離子摻雜形式可用作化學傳感器或檢測和辨別DNA序列的材料。例如在L.Chen,D.W.McBranch，H.Wang,R.Helgeson，F.Wudl和D.G.Whitten，Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.1999，96，12287;D,Wang,X.Gong,P.S.Heeger，F.Rininsland，G.C.Bazan和A.J.Heeger，Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.2002，99,49;N.DiCesare，M.R.Pinot，K.S.Schanze和J.R.Ukowicz，Utngmuir2002，18，7785;D.T.McQuade，A.E.Pullen，T.M.Swager，Chem.Rev.2000，100，2537中描述了這類用途。本發明的化合物和材料也可用在化妝品或藥物組合物中，例如如EP1498112A2中公開的用於頭髮護理的化妝品組合物中。以下實施例用於例證而非限制本發明。在上下文中，除非另行指明，所有溫度以攝氏度為單位，所有百分數按重量計。實施例1如下所述製備聚合物1:formulaseeoriginaldocumentpage25催化劑2,5-二渙-3-己基硒吩向0"C下3-己基硒吩(如C.Mahatsekake等人，Phosphorus,SulfurandSilicon,1990，47，35-41中所述製備；1.0克，4.64毫摩爾)在THF(20毫升)中的溶液中分六份經40分鐘加入N-溴丁二醯亞胺(l.66克，9.3毫摩爾)。所得溶液在16t:至18"之間的溫度下在黑暗中攪拌16小時。減壓除去溶劑，所得殘餘物溶解在乙酸乙酯(50毫升)中，並用水洗滌(2x30毫升)，合併水洗滌液，並用乙酸乙酯萃取。合併的有機物用飽和氯化鈉洗滌，乾燥(硫酸鈉)，過濾並減壓濃縮。所得淺黃色油經二氧化矽過濾(洗脫劑汽油，40-60"C)以獲得無色的油U.39克，80%)。力麗R(300MHz，CDC13)56.98(s，1H)，2.48(t，2H，J-7.8Hz)，1.53(m，2H)，1.29(m，6H)，0.89(t，3H，J-6.6Hz),13CNMR(75MHz,CDC13)5144.9，134.2，113.5，111.0，31.6，30.7，29.5，28.8，22.6，14.1。MS(El)374(t)。實測值C，32.4;H，3.9。dJ^B^Se!的計算值C，32.2;H，3.78。聚(3-己基)硒吩(1):向18"C下2，5-二溴-3-己基硒吩(0.75克，2毫摩爾)在乾燥THF(10毫升)中的溶液中加入異丙基氯化鎂(1.05毫升2M的THF溶液，2.1毫摩爾)。所得溶液在18C下攪拌20分鐘，隨後加熱至回流20分鐘。立刻加入固體形式的1，3-雙(二苯基膦基丙烷)氯化鎳(11)(10.8毫克，0.02毫摩爾)，並使反應回流6小時。熱溶液沉澱到充分攪拌的甲醇中，並將所得懸浮液攪拌20分鐘。過濾固體並用甲醇(8小時)、丙酮(16小時)和異己烷(16小時)洗滌(索氏萃取器)。殘餘物溶解在熱氯仿中，過濾並沉澱到601C的曱醇中。過濾獲得深色粉末形式的聚合物(0.24克)。GPC(C6H5C1，60DMn55,000，Mw108，000g/mo1。力NMR(300MHz,CDC13，57.11(s，1H)，2.73(t，1.9H)，2.55(brm，0.1H)1.69(m，2H)，1.5-1.25(m，6H)，0.91(t，3H)(區域規整度=95%)。入邁"(固體薄膜)630，695(sh)nm。入眼(CHC13)499nm。聚(3-己基)硒吩(1)的另一製備方法在室溫下向2，5-二溴-3-己基硒吩(5.22克，14毫摩爾)在乾燥THF(50毫升)中的溶液中加入正丁基氯化鎂(6.3毫升2M的THF溶液，12.6毫摩爾)。所得溶液在室溫下攪拌50分鐘，隨後加熱至回流1小時。移開加熱，並立即以固體形式加入1，2-(雙(二苯基膦基)乙烷)二氯鎳(II)(41毫克，0.078毫摩爾)。所得放熱一下滑，就使反應回流21小時。反應冷卻至室溫，並沉澱到甲醇中，將所得懸浮液攪拌20分鐘。過濾固體並用甲醇(20小時)、丙酮(24小時)和THF(24小時)洗滌(索氏萃取器)。將殘餘物溶解在熱氯苯中，過濾並沉澱到甲醇中。過濾獲得深紅色粉末狀的聚合物(2.51克)。GPC(C6H5C1，60t;)Mn81，000，Mw147，000g/mol.力NMR(300MHz,C6D5C,70。57.27(s，1H)，2.79(t，2H)，1，70(quint，2H)，1.41(m，2H)，1.29(brm，4H)，0.87(t，3H)(區域規整度>97%)。13CNMR(75MHz,C6D5C1，7005141.61，140.28，138.48，132.46，31.72，30.84，30.66，29.33，22.61，13.87。實測值C，56.5;H，6.6。(d。H"Seh的計算值C,56.3;H，6.6。圖1顯示在氯苯(a)中的和薄膜形式(b)的聚合物1(根據第一方法製備)的UV-Vis光鐠。為了比較，顯示在氯苯中(c)和薄膜形式U)的區域規整的聚(3-己基)逸吩。該P3HT的區域規整度為96%，並可獲自Aldrichchemicalcompany,P3HS在最大吸收度和吸收開始時與P3HT相比均顯示出紅移，表明P3HS具有比P3HT小的帶隙。實施例2如下製備聚合物2:formulaseeoriginaldocumentpage272-1:2,5-二溴-3-辛基硒吩在Or下向3-辛基硒吟(如C.Mahatsekake等人，Phosphorus,SulfurandSilicon,1990，47，35-41所述製備；7.43克，30.5毫摩爾)在THF(80毫升)中的溶液中經1小時逐份加入N-溴丁二醯亞胺(10.88克，61.1毫摩爾)。所得溶液在161C至18匸的溫度下在黑暗中攪拌16小時。隨後加入水，並用乙酸乙酯(3x100毫升)萃取混合物。合併的萃取物用水和鹽水洗滌，隨後在Na2S04上乾燥。減壓除去溶劑。殘餘物通過在二氧化矽上用汽油洗脫的柱色譜法提純，獲得無色的油(U.38克，93%)。^醒R(300MHz,CDC13):5(ppm)6.95(s，1H，Ar-H)，2.47(t，J=7.6Hz，2H,CH2)，1.51(m，2H，CH2)，1.27(m,IOH，CH2),0.88(t，J-6.8Hz，3H，CH3)。13CNMR(75MHz，CDCI3):5(ppm)144.8，134.1，113.6，111.0，31.9，30.6，29.5，29.4，29.2，29.1，22.7，14,2。MS(El)402(t，M+).步驟2-2:聚-3-辛基硒吩在16-18X:下向2，5-二溴-3-辛基硒吩(5.98克，14.9毫摩爾)在無水THF(60毫升)中的攪拌溶液中緩慢加入正丁基氟化鎂(7.3毫升2.0M的THF溶液，14.6毫摩爾)。加料完全後，混合物再攪拌30分鐘，隨後在回流下加熱1小時。移除加熱，並加入固體形式的1,2-雙(二苯基膦基)乙烷氯化鎳(27毫克，0.05毫摩爾)。所得反應混合物回流21小時，隨後冷卻至室溫，並通過緩慢添加到攪拌的甲醇中來沉澱。濾出沉澱物並用丙酮洗滌，獲得紫色固體。經索氏萃取用甲醇洗滌22小時、用丙酮洗滌20小時並用THF洗滌20小時，將粗產物進一步提純，隨後溶解在熱氯苯中。將該溶液逐滴加入甲醇中，過濾收集生成的沉澱物，並用丙酮洗滌，隨後在真空下千燥，獲得紫色聚合物(3.30克，91%)。GPC(C6H5C1，60"C):Mn-138，000，Mw218，000g/mo1。力NMR(300MHz，C6D5C，5(ppm)7.28(s，1H)，2.80(t，2H)，1.72(m，2H)，1.45(m，2H)，1.25(m，8H)，0.88(t，3H)。RR(區域規整度)>97%。實施例3如下製備聚合物(3):formulaseeoriginaldocumentpage28歩驟3.1:2，5-二溴硒吩:將3-癸基硒吩(0.92克，3M毫摩爾)溶解在THF(20毫升)中，隨後在OC下經10分鐘逐份加入N-溴丁二醯亞胺(1,2克，6.7毫摩爾)。加料完全後，使混合物升溫至16-18X:，並在氮氣下在黑暗中攪拌整夜(~16小時)。隨後加入水，並用乙酸乙酯萃取混合物(3x50毫升)。將合併的萃取物用水和鹽水洗滌，隨後在Na2S0,上千燥。減壓除去溶劑。殘餘物通過在二氧化矽上用汽油洗脫的柱色鐠法提純，產生淺黃色的油U.27克，87%)。MS(Bl)430(t，M+)。^NMR(300MHz，CDC13):5(ppm)6.95(s，1H)，2.47(t，J=7.5Hz，2H)，1.51(m，2H)，1，26(m，14H),0.88(t，3H)。步驟3.2:聚(3-癸基)硒吩在16-18C下向2，5-二溴-3-癸基硒吩(0.98克，2.3毫摩爾)在無水THF(10毫升)中的攪拌的溶液中緩慢加入正丁基氯化鎂(1.0毫升2.OM的THF溶液，2.O毫摩爾)。加料完全後，將混合物再攪拌50分鐘，隨後在回流下加熱1小時。停止加熱，並加入固體形式的1，2-雙(二苯基膦基)乙烷氯化鎳(5毫克，0.01毫摩爾)。所得反應混合物回流22小時，隨後冷卻至室溫，並通過緩慢添加到攪拌的甲醇中來沉澱。濾出沉澱物，並用丙酮洗滌，獲得紫色固體。經索氏萃取用甲醇洗滌18小時，用丙酮洗滌8小時，用異己烷洗滌24小時，隨後溶解在熱氯苯中，由此將粗產物進一步提純。將該溶液逐滴添加到甲醇中，過濾收集形成的沉澱物，用丙酮洗滌，隨後在真空下乾燥，產生紫色聚合物(0.48克，77"。GPC(C6H5C1，60。:Mn90,000，Mw131，000g/mol。力麗R(300MHz,C6D5C1):5(ppm)7.28(s，1H)，2.81(t,2H，J=7.1Hz)，1.73(m,2H)，1.44(m，2H)1.28(邁，12H)，0.88(t，3H)。RR(區域規整度)〉96%。實施例4如下所述製備聚合物4:formulaseeoriginaldocumentpage304.12，5-雙(三甲基甲錫烷基)硒吩在0X:下，在氮氣下向在無水己烷(90毫升)和TMEDA(17.4克，150毫摩爾)的溶液中的硒吩(7.4克，56.5毫摩爾)溶液中，經5分鐘逐滴加入正丁基鋰溶液(55毫升2.5M的己烷溶液，137.5毫摩爾)。所得溶液回流30分鐘，隨後冷卻至OTC，並立刻加入固體形式的三甲基氯化錫(25.6克，129毫摩爾)。使所得溶液升溫至室溫，並在此溫度下攪拌20小時。將該溶液用水(IOO毫升)驟冷，並加入乙酸乙酯(IOO亳升)。分離層，並用另外的水(4x100毫升)、鹽水(100毫升)洗滌有機層，乾燥(Na2S04)、過濾並減壓濃縮。所得固體從乙腈中重結晶四次，獲得白色針狀產品(25.8克，83W)。M/Z簇集中在456(M+)。實測值C，26.3;H，4.6。C1H2。SeSn2的計算值C，26.3;H，4.2。力證(300MHz,CDC13)57.68(s，2H)，0.37(s，18H)。13CNMR(75MHz,CDC13)5150.2，138.7，-7.7。4.2.4,4'-雙(己基)-2，2'-二竭吩在-40X:下向3-己基硒吩(4.30克，20毫摩爾)和N，N，N'，N'-四甲基乙二胺(2.44g，21毫摩爾)在無水THF(25毫升)中的溶液中加入n-BuLi(8.5毫升2.5M的己烷溶液，21.3毫摩爾)。使該溶液經30分鐘升溫至251C,並在25C下攪拌45分鐘。將所得溶液冷卻至-20lC，並立即加入固體形式的氯化銅(II)(2.96克，22毫摩爾)。反應在25"C下再攪拌16小時，並加入5%的HC1(50毫升)驟冷。有機物用乙酸乙酯(3x50毫升)萃取。合併的有機物用5%HC1(2x50毫升)、水(50亳升)和飽和氯化鈉(50毫升)洗滌，千燥(Na2S04)、過濾並減壓濃縮。所得的油通過柱色鐠法在二氧化矽上進一步提純(洗脫劑汽油；40-601C)。第一餾分含有3-己基硒吩，第二餾分含有產物。在-701C下從THF/乙腈中重結晶獲得白色固體產物(2.1克，49%)。Mpt34-35.5"C。M/Z430(M+)。力麗R(300MHz，CDC13)57.36(s，2H)，7.11(s，2H)，2.52(t，4H)，1.60(quint，4H)，1.30(m，12H),0.89(t，6H)。13CNMR(75MHz,CDC13)5145.9，144.0，128.3，122.9，32.3,31.7，30.2，29.0，22.7，14.2。實測值C，56.3;H，7.2。C2。H3。Se2要求C，56.1;H，7.1。4.35,5'-二溴-4，4'-雙(己基)-2，2'-二硒吩在251C下在黑暗中，向4，4'-雙(己基)-2，2'-二硒吩(1.0克，2.33毫摩爾)在四氫呋喃(25毫升)中的溶液中經30分鐘分兩份加入N-溴丁二醯亞胺(0.84克，4.72毫摩爾)。將所得溶液攪拌6小時。減壓除去溶劑，殘餘物溶解在乙酸乙酯(50毫升)中，用水(2x30毫升)和飽和氯化鈉(30毫升)洗滌，過濾並減壓濃縮。所得粗產物經二氧化矽塞過濾(洗脫劑汽油；40-601C)，並減壓濃縮。從乙醇中重結晶，獲得白色晶體產物(0.75克，55%)。Mpt.57-58X:。M/Z三重峰集中在456(M+)JHNMR(300MHz，CDC13)56.84(s，2H),2.48(t,4H)，1.55(quint，4H)，1.3(m，12H)，0.89(t，6H)。13CNMR(75MHz,CDC13)5145.3，142.9，127.7，110.3，31.6，30.9:29.7，29.6，22.6，14.2。實測值C，41.1;H，4.7.C2。H3。Se2Br^求C，41.0;H，4.8。聚(2，5-雙(3-己基硒吩-2-基)硒吩)[4]:在10毫升的玻璃小瓶中裝入攪拌棒、5，5'-二渙-4，4'-雙(己基)-2，2'-二硒吩(150毫克，0.256毫摩爾)、2，5-雙-三甲基甲錫烷基硒吩(116.9毫克，0.256毫摩爾)、三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)(4.7毫克，0.005毫摩爾，4摩爾％的Pd)、三(鄰甲苯基)膦(6.2毫克，0.02毫摩爾，8摩爾％)和氯苯(5毫升)。該玻璃小瓶用氮氣吹洗並密封。將玻璃小瓶放入微波反應器(EmrysCreator,PersonalChemistryLtd)中，並依次加熱至1401C下2分鐘，隨後1601C下2分鐘和最後1801C下15分鐘。冷卻至室溫後，將反應混合物沉澱到甲醇(50毫升)和37%鹽酸(5毫升)的混合物中，並攪拌14小時。過濾該聚合物，用甲醇(6小時)、丙酮(24小時)和異己烷(24小時)洗滌(經由索氏萃取)。所得聚合物溶解在熱氯仿中，並沉澱到曱醇中，獲得產品(90毫克)。GPC(氯苯，601C)Mn(10，500g/mo1)，Mw(26，000g/mol)。入，(固體膜)564，596，659(sh)n邁。入隨(CJM^,601C)508nm'力NMR(300MHz，60"C，1，2-C6D4Cl2)57.26(s,2H)，被溶劑峰遮蔽的其它芳族質子，2.79(brt，4H)，1.73(邁，4H)，1.40(m，4H)，1.27(m，8H)，0.89(t，6H)。實施例5如下所述製備聚合物5:5.1.4，4'-雙(辛基)-2,2'-二硒吩在-40lC下向3-辛基硒吩(7.30克，30毫摩爾)和N，N，N'，N'-四甲基乙二胺(3.72克，32毫摩爾)在無水THF(40毫升)中的溶液中加入n-BuLi(12.8毫升2.5M己烷溶液，32毫摩爾)。使該溶液經30分鐘升溫至25X3，並在25t:下攪拌30分鐘。所得溶液冷卻至-20匸，並立刻以固體形式加入氯化銅(II)(4.57克，34毫摩爾)。反應在251C下再攪拌16小時，加入5%HC1(50毫升)驟冷。有機物用乙酸乙酯(3x100毫升)萃取。合併的有機物用5%HC1(2x80毫升)、水(80毫升)和飽和氯化鈉(80毫升)洗滌，乾燥(Na2S04)、過濾並減壓濃縮。所得油通過柱色鐠法在二氧化矽上進一步提純(洗脫劑汽油，40-60"C)。第一餾分含有3-辛基硒吩，第二餾分含有產物。從二乙醚中重結晶，獲得白色固體產物(2.92克，40%)。M/Z486(M+).^NMR(300MHz，CDC13)57'35(s，2H)，7.11(s，2H)，2.52(t，4H)，1.60(quint，4H)，1.30(m,20H)，0.88(t，6H)。13C麗R(75MHz,CDC13)5146.0，144.0，128.4，122.9,32.3，31.9，30.3，29.5，29.4，29.322.7，14.2。實測值C，59.1;H，8.1。C24H38Se2要求C，59.5;H，7.9。5.2:5，5'-二溴-4.4'-雙(辛基)-2.2'-二硒吩在OX:下在黑暗中，向4，4'-雙(辛基)-2，2'-二硒吩(2.5克，5.16毫摩爾)在四氫呋喃(40毫升)中的溶液中經1小時逐份加入N-溴丁二醯亞胺(1,84克，10.32毫摩爾)。所得溶液攪拌4小時。減壓除去溶劑，將殘餘物溶解在乙酸乙酯UOO毫升)中，用水(2x30毫升)和飽和氯化鈉(30毫升)洗滌，過濾並減壓濃縮。所得粗產物經二氧化矽塞過濾(洗脫劑汽油；40-60C)，並減壓濃縮。從乙醇中重結晶，獲得白色晶體產物(2.l克，63%),M/Z三重峰集中在642(M+)。!HNMR(300MHz，CDC13)56.84(s，2H)，2.48(t，4H)，1.56(quint,4H)，1.3(m，20H)，0,88(t，6H)。13CNMR(75MHZlCDC13)5145.3，142.9，127.7，110.3，31.9，30.9，29.6，29.4，29.3(3C)，22.7，14.2。實測值C，44.8;H，5.7。C"H"Se2Br2要求C，44.9;H，5.7。5.3聚(2，5-雙(3-辛基硒吩-2-基)硒吩)[5]:在10毫升的玻璃小瓶中裝入攪拌棒、5，5'-二溴-4，4'-雙(己基)-2，2'-二硒吩(328.7毫克，0.512毫摩爾)、2，5-雙-三甲基甲錫烷基硒吩(233.7毫克，0.512毫摩爾)、三(二苯亞曱基丙酮)二鈀(0)(9.37毫克，O.Ol毫摩爾，4摩爾94的Pd)、三(鄰甲苯基)膦(12.46毫克，0.04毫摩爾，8摩爾％)和氯苯(8毫升)。該玻璃小瓶用氮氣吹洗並密封。將玻璃小瓶放入微波反應器(EmrysCreator,PersonalChemistryLtd),並依次加熱至1401C下2分鐘，隨後1601C下2分鐘且最後1801C下15分鐘。冷卻至室溫後，將反應混合物沉澱到甲醇(50毫升)和37%鹽酸(5毫升)的混合物中，並攪拌14小時。過濾聚合物，用曱醇(6小時)、丙酮(24小時)和異己烷(24小時)洗滌(經由索氏萃取)。所得聚合物溶解在熱氯仿中，並沉澱到甲醇中，獲得產品(180毫克)。GPC(氯苯，601C)Mn(17,200g/mo1)，Mw(38,700g/mo1)。入加"(固體薄膜)600，655(sh)nm。入，(CJIsCU514nm。^服R(300MHz,60*C，1,2-C6D4Cl2)57.27(s，2H)，被溶劑峰遮蔽的其它芳族質子，2.77(brt，4H),1.74(m，4H)，1.40(m，4H)，1.27(m，16H),0.88(t，6H)。實施例6如下所述製備聚合物6:6.1.4，4'-雙(癸基)-2，2'-二硒吩根據出版的程序製備3-癸基硒吩(C.Mahatsekake等人，Phosphorus,SulfurandSilicon,1990,47，35-41;l.O克，4.64毫摩爾)。在-40X:下向3-癸基硒^5.0克，18.4毫摩爾)和N，N，N',N'-四甲基乙二胺(2.56克，22毫摩爾)在無水THF(25毫升)中的溶液中加入n-BuLi(8毫升2.5M的己烷溶液，20毫摩爾)。使該溶液經45分鐘升溫至251C，並在40X:下攪拌10分鐘。所得溶液冷卻至-201C，並立即以固體形式加入氯化銅(II)(2.96克，22毫摩爾)。反應在25C下再攪拌16小時，並通過加入5WHC1(50毫升)驟冷。有機物用乙酸乙酯(3x100毫升)萃取。合併的有機物用5%HC1(2x80毫升)、水(80毫升)和飽和氯化鈉(80毫升)洗滌，乾燥(Na2S04)，過濾並減壓濃縮.所得的油通過柱色鐠法在二氧化矽上進一步提純(洗脫劑汽油，40-601C)。笫一餾分含有3-癸基硒吩，第二流分含有產物。從二乙醚中重結晶獲得白色固體產品(2.6克，52%)。Mpt56.5-57.On,M/Z542(M+)。^NMR(300MHz，CDC13)57.35(s，2H)，7.10(s，2H)，2.52(t，4H)，1.60(quint，4H)，1.30(m，28H),0.88(t，6H)。13CNMR(75MHz,CDC13)5145.9，144.0，128.4，122.9，32.3，32.0，30,3，29.7，29.65，29.5，29.4,29.35，22.7，14,2。實測值C，62.2;H，9.0。C2sH"Se2要求C，62.2;H，8.6。6.2:5，5'-二溴-4，4'-雙(癸基)-2，2'-二硒吩在0X3下在黑暗中，向4，4'-雙(癸基)-2，2'-二硒吩(2.4克，4.44毫摩爾)在四氫呋喃(40毫升)中的溶液中經l小時逐份加入N-溴丁二醯亞胺(l.84克，10.32毫摩爾)。所得溶液攪拌4小時。減壓除去溶劑，將殘餘物溶解在乙酸乙酯(100毫升)中，用水(2x30毫升)和飽和氯化鈉(30毫升)洗滌，過濾並減壓濃縮。所得粗產物經二氧化矽塞過濾(洗脫劑汽油；40-60X:)，並減壓濃縮。從二乙醚中重結晶，獲得白色晶體產物(2.92克，94%)。M/Z三重峰集中在698(M+)。力麗R(300MHz，CDC13)56.84(s，2H)，2.48(t，4H)，1.56(quint4H)，1.3(m，28H),0.88(t，6H)。13C麗R(75MHz,CDC13)5145.3，142.9，127.7，110.3，31.9，30.9，29.7，29.6(2C)，29.5，29.4,29.3,22.7，14.2。實測值C,48.1;H，6.4。0124113636281:2要求C，48.2H，6.4。6.3聚(2，5-雙(3-癸基竭吩-2-基)硒吩[6]:在10毫升的玻璃小瓶中裝入攪拌棒、5，5'-二溴-4，4'-雙(癸基)-2，2'-二硒吩(400毫克，0.573毫摩爾)、2,5-雙-三甲基甲錫烷基硒吩(261.5毫克，0.573毫摩爾)、三(二苯亞曱基丙酮)二鈀(O)(10.5毫克，0.Oll毫摩爾，4摩爾WPd)、三(鄰甲苯基)膦(13.95毫克，0.046毫摩爾，8摩爾％)和氯苯(7毫升)。該玻璃小瓶用氮氣吹洗並密封。將玻璃小瓶放入微波反應器(EmrysCreator,PersonalChemistryLtd)，並依次加熱至140t!下2分鐘，隨後160"C下2分鐘且最後1801C下15分鐘。冷卻至501C後，反應混合物沉澱到甲醇(80毫升)和37%鹽酸(20毫升)的混合物中，並攪拌2小時。濾出聚合物，用甲醇(16小時)、丙酮(16小時)和異己烷(16小時)洗滌(經由索氏萃取)。所得聚合物溶解在熱氯苯中，在0.4克二氧化矽上攪拌，並過濾到丙酮中，獲得產品(380毫克)。GPC(氯苯，60X:)Mn(30，000g/邁o1)，Mw(67，600g/mo1)。入眼(固體薄膜)610，670(sh)nm。入隨(CsHsCL,601C)514nm。力NMR(300MHz，60T，1，2-C6D4C12)57.25(s，2H)，被溶劑峰遮蔽的其它芳族質子，2.77(brt，4H)，1.72(m，4H)，1.40(m，4H)，1.27(m，24H)，0.89(t，6H)。實測值C，57.4;H，6.9。(C32H"Se3)n的計算值C，57.8;H，7.0。圖2顯示聚合物6的固相UV光鐠。實施例7formulaseeoriginaldocumentpage37如下所述製備聚合物7:7.15,5'-雙-三甲基曱錫烷基-2,2'-二硒吩將BuLi的己垸溶液(10.6毫升1.6M溶液，17毫摩爾)逐滴添加到2，2'-二硒吩(2.00克，7.7毫摩爾)在THF(50毫升)和頂EDAU.98克，17毫摩爾)中的冷卻(-78t:)溶液中。在加入BuLi時，觀察到立即的變色(暗紅)。攪拌20分鐘後，反應混合物顯示為暗黃色。混合物攪拌6小時，升溫至16-181C。在升溫的同時，反應混合物外觀變成綠色懸浮液。隨後將反應混合物冷卻至-70x:。將三曱基甲錫烷基氯化物(3.38克，17毫摩爾)以固體形式添加到反應混合物中。IO分鐘後，反應混合物表現為棕色。使反應混合物升溫至室溫過夜。將反應用水(100毫升)驟冷，將混合物攪拌1小時。在混合物中加入乙酸乙酯(100毫升)。分離層。合併的有機萃取物用水、鹽水洗滌，隨後乾燥(Na2S04)。過濾後，濃縮粗產物，獲得椋色的油。加入MeCN，將混合物攪拌5分鐘。混合物從乙腈中重結晶三次。該材料無需進一步提純即可使用。MS(El)588(M+)。7.2聚[4.4'-二癸基-(2,2';5',2〃；5〃，2〃)四竭呤]7:在10毫升的玻璃小瓶中裝入攪拌棒、5，5'-二溴-4，4'-雙(癸基)-2，2'-二硒吩(298.2毫克，0.427毫摩爾)、5，5'-雙-三甲基曱錫烷基-2，2'-二硒吩(250.0毫克，0.427毫摩爾)、三(二苯亞曱基丙酮)二把(0)(7.82毫克，0.01毫摩爾，4摩爾％Pd)、三(鄰甲苯基)膦(10.40毫克，0.034毫摩爾，8摩爾％)和氯苯(5毫升)。該玻璃小瓶用氮氣吹洗並密封。將玻璃小瓶放入微波反應器(EmrysCreator,PersonalChemistryLtd)，並依次加熱至140匸下2分鐘，隨後1601C下2分鐘且最後180X:下15分鐘。冷卻至室溫後，反應混合物沉澱到甲醇(50毫升)和37%鹽酸(5毫升)的混合物中，並攪拌l.5小時。濾出聚合物，用丙酮(6小時)和異己烷(24小時)洗滌(經由索氏萃取)。所得聚合物溶解在熱氯仿中，並沉澱到甲醇中以獲得產品(120毫克)。GPC(氯苯，601C)Mn(10，000g/mo1)，Mw(16,500g/mo1)。入附(薄膜)605，665(sh)nm。實施例8—應用實施例電晶體製造和測量在具有熱生長的二氧化矽(Si02)絕緣層的高度摻雜的矽襯底上製造薄膜有機場效應電晶體(OFET)，其中該襯底充當共用的柵電極。在二氧化矽層上光刻形成電晶體源-漏極金電極。在有機半導體沉積前，用矽烷化試劑六甲基二矽氮烷(HMDS)或辛基三氯矽烷(0TS)處理FET襯底。然後通過在氯仿、二曱苯、氯苯或二氯苯(0.4-1.0重量％)中在FET襯底上旋塗聚合物溶液來沉積半導體薄膜。在氮氣氣氛下使用計算機控制的Agilent4155C半導體參數分析儀進行電晶體器件的電學表徵。在通過旋塗法製成的薄膜上測量電晶體特性。薄膜在氮氣下加熱至ioox:下io分鐘以除去殘餘溶劑，隨後冷卻至室溫以測量電晶體特性。圖3a顯示了聚合物1(根據實施例1中的第一種方法製備)在通道長度為20微米、通道寬度為20，OOO微米的電晶體器件中的電流(I)-電壓(V)傳輸特性。對於兩種不同的源漏電壓(Vsd)設置，電晶體門電壓(Vg)在40至-60伏之間變化。分別對於Vsd--5V(線a)和-60V(線b)，對照Vg繪製Isd。該圖顯示向前和反向掃描。圖3b顯示對於相同電晶體的輸出特徵，其中門電壓在0V至-60V之間以15V為間隔變化，且源-漏電壓在0至-60V之間掃過。該器件表現出典型的P型行為，具有良好的電流調製和輪廓分明的線型和飽和區。使用公式(1)計算飽和區中的場效應遷移率(Vd>(VVo)):formulaseeoriginaldocumentpage39(1)其中W是通道寬度，L是通道長度，Ci是絕緣層電容，Vg是柵電壓，Vd是漏電壓，Id是漏電流，V。是接通電壓，jLi"t是飽和的電荷栽流子遷移率。在源-漏電流開始時測定接通電壓(V。)(圖1)。化合物l、2、3和6的遷移率概括在表l中。tableseeoriginaldocumentpage39表l.聚合物l、2、3和6的電子數據概括權利要求1.任選在3-和/或4-位置上被取代的2，5-硒吩的區域規整聚合物。2.RH彼此獨立地，並且在多次出現的情況下彼此獨立地為H、卣素、任選取代的芳基或雜芳基、P-Sp-、P'-Sp-、或具有1至40個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基，其任選被F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，並且其中一個或多個不相鄰的CH2基團任選在每種情況下彼此獨立地以0和/或S原子不直接彼此相連的方式被-O-、-S-、-NH-、-NR°-、-SiR°R°°-、-CO-、-COO-、-OCO-、-0-C0-0-、-S-CO-、-CO-S-、-CX^CXL或-CsC-替代，R"和IT彼此獨立地為H、任選取代的芳基或具有1至12個碳原子的烷基，乂1和^彼此獨立地為H、F、C1或CN，P是可聚合的基團，P'是可轉化成可聚合基團P或被可聚合基團P取代的基團，Sp是間隔基或單鍵，a、b、c和d彼jt匕獨立地為O、1、2或3，且a+b+c+d>1，n是〉1的整數，其中重複單元相同或不同。3.根據權利要求1或2的聚合物，其特徵在於它們選自式Il其中RW、a、b、c、d和n具有式I的含義，R7和R8彼此獨立地具有W的含義之一，或代表-Sn(R。)3、-B(0R')(0R〃)、-CH2C1、-CHO、-CH-CH2或-SiR。R。。R。00，R°、R°°、R。。。彼此獨立地為H、任選取代的芳基或具有1至12個碳原子的烷基，R'和R〃彼此獨立地為H或具有1至12個碳原子的烷基，或0R'和OR〃與硼原子一起構成具有2至20個碳原子的環狀基團。4.根據權利要求1至3的一項或多項的聚合物，其特徵在於它們選自下式其中n具有權利要求2的含義且R具有權利要求2中R1的含義之一，其與HRH不同。5.根據權利要求1至4的一項或多項的聚合物，其特徵在於R1—8選自C「C2。-烷基、d-C2。-烷氧基、d-C2。-鏈烯基、C「C2。-炔基、C「C2。-硫代烷基、d-C2。-甲矽烷基、C廣C2。-酯、d-C2。-氨基或C廣C2。-氟烷基。6.根據權利要求1至5的一項或多項的聚合物，其特徵在於n是2至5000的整數。7.根據權利要求1至6的一項或多項的聚合物，其特徵在於R9和/或R"是滷素、-Sn(R。)3、-B(OR')(OR〃)、—CH2C1、-CHO、-CH-CH2或-SiR。R。。R。。。。8.包含根據權利要求1至7—項或多項的一種或多種聚合物的半導體或電荷輸送材料、部件或器件。9.根據權利要求1至8—項或多項的聚合物作為電荷輸送、半導體、導電、光電導或發光材料在光學、光電學或電子部件或器件、有機場效應電晶體(OFET)、集成電路(IC)、薄膜電晶體(TFT)、平板顯示器、射頻識別(RFID)標籤、電致發光或光致發光器件或部件、有機發光二極體(OLED)、顯示器背光、光電器件或傳感器、電荷注射層、肖特基二極體、平面化(planarising)層、抗靜電膜、導電襯底或圖案、電池中的電極材料、光電導體、電子照相應用、電子照相記錄、有機存儲器件、配向層中或用於檢測和辨別DNA序列的用途。10.包含根據權利要求1至8—項或多項的聚合物、半導體或電荷輸送材料、部件或器件的光學、光電學或電子器件、FET、IC、TFT、OLED或RFID標籤。11.通過用坑基格氏試劑處理2，5-二卣代-3-取代硒吩並添加過渡金屬催化劑來使所得中間體混合物聚合來製備根據權利要求1至7一項或多項的聚合物的方法。全文摘要本發明涉及區域規整的聚硒吩、涉及其作為半導體或電荷輸送材料在光學器件、光電器件或電子器件中的用途，並涉及包含它們的器件、光電器件或電子器件。文檔編號C08G61/12GK101316876SQ200680044176公開日2008年12月3日申請日期2006年10月30日優先權日2005年11月24日發明者D·克勞奇,I·麥卡洛克,M·希尼,P·斯卡巴拉,S·希金斯,W·迪菲申請人:默克專利股份有限公司