浪湧抑制裝置的製作方法
2023-05-29 19:20:26
專利名稱：浪湧抑制裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型有關於一種浪湧抑制裝置，特別是一種浪湧抑制裝置。
背景技術：
浪湧保護元件(surge protection device,通常簡稱為SPD)是一種常見的電子零件；浪湧保護元件用以抑制吸收浪湧。然而，浪湧保護元件受限於浪湧電流與鉗位電壓的關係；例如，當浪湧電流為200安培時，鉗位電壓為880伏特；換句話說，受保護的元件必須能承受880伏特。如果受保護的元件的承受電壓越高，則受保護的元件價格越高；如此將增加受保護的元件成本。
實用新型內容為改善上述公知技術的缺點，本實用新型的目的在於提供一種浪湧抑制裝置。為達成本實用新型的上述目的，本實用新型的浪湧抑制裝置應用於一交流電源供應裝置，該浪湧抑制裝置包含:一整流單元，電性連接至該交流電源供應裝置；及一第一瞬變電壓浪湧抑制器，電性連接至該整流單元。其中該整流單元包含:一第一二極體，電性連接至該交流電源供應裝置及該第一瞬變電壓浪湧抑制器；一第二二極體，電性連接至該交流電源供應裝置、該第一瞬變電壓浪湧抑制器及該第一二極體；一第三二極體，電性連接至該交流電源供應裝置、該第一瞬變電壓浪湧抑制器及該第一二極體；及一第四二極體，電性連接至該交流電源供應裝置、該第一瞬變電壓浪湧抑制器、該第二二極體及該第三二極體。上述的浪湧抑制裝置，還包含:一第一浪湧保護元件，電性連接至該第一二極體、該第二二極體及該第一瞬變電壓浪湧抑制器。
·[0007]上述的浪湧抑制裝置，還包含:一第一開關單元，電性連接至該第一二極體、該第二二極體及該第一浪湧保護元件。上述的浪湧抑制裝置，還包含:一第二浪湧保護元件，電性連接至該第三二極體、該第四二極體及該第一瞬變電壓浪湧抑制器。上述的浪湧抑制裝置，還包含:一第二瞬變電壓浪湧抑制器，電性連接至該第三二極體、該第四二極體及該第二浪湧保護元件。上述的浪湧抑制裝置，還包含:一第二開關單元，電性連接至該第三二極體、該第四二極體及該第二瞬變電壓浪湧抑制器。上述的浪湧抑制裝置，還包含:一開關控制器，電性連接至該第一開關單元及該第
二開關單元。上述的浪湧抑制裝置，還包含:一浪湧偵測電路，電性連接至該交流電源供應裝置及該開關控制器。上述的浪湧抑制裝置，該第一浪湧保護元件為一金屬氧化物變阻器、一避雷管或一電阻；該第二浪湧保護元件為一金屬氧化物變阻器、一避雷管或一電阻。上述的浪湧抑制裝置，其中該第一開關單元為一金屬氧化半導體場效電晶體、一絕緣柵極雙極性電晶體、一矽控整流器或一雙極性接面電晶體；該第二開關單元為一金屬氧化半導體場效電晶體、一絕緣柵極雙極性電晶體、一矽控整流器或一雙極性接面電晶體。本實用新型應用於一高電壓系統。本實用新型將浪湧電壓箝位為低電壓。同時本實用新型不使用保險絲，因此可自動恢復；再者，本實用新型可快速抑制吸收浪湧。
圖1為本實用新型的浪湧抑制裝置的第一實施例方塊圖；圖2為本實用新型的浪湧抑制裝置的第二實施例方塊圖；圖3為本實用新型的浪湧抑制裝置的第三實施例方塊圖；圖4為本實用新型的浪湧抑制裝置的第四實施例方塊圖；圖5為本實用新型的浪湧抑制裝置的第五實施例方塊圖；圖6為本實用新型的浪湧抑制裝置的第六實施例方塊圖；圖7為本實用新型的浪湧抑制裝置的第七實施例方塊圖。其中，附圖標記:浪湧抑制裝置10交流電源供應裝置20整流單元102第一開關單元104第一浪湧保護元件106第一瞬變電壓浪湧抑制器108第二浪湧保護元件110第二瞬變電壓浪湧抑制器112第二開關單元114開關控制器116浪湧偵測電路118第一二極體10202第二二極體10204第三二極體10206第四二極體10208
具體實施方式
請參考圖1，其為本實用新型的浪湧抑制裝置的第一實施例方塊圖。一浪湧抑制裝置10應用於一交流電源供應裝置20 ;該浪湧抑制裝置10包含一整流單元102及一第一瞬變電壓浪湧抑制器(transient voltage surge suppressor,通常簡稱為 TVSS) 108。該整流單元102包含一第一二極體10202、一第二二極體10204、一第三二極體10206及一第四二極體10208。該第一瞬變電壓浪湧抑制器108電性連接至該第一二極體10202、該第二二極體10204、該第三二極體10206及該第四二極體10208 ;該交流電源供應裝置20電性連接至該第一二極體10202、該第二二極體10204、該第三二極體10206及該第四二極體10208 ;該第一二極體10202電性連接至該第二二極體10204及該第三二極體10206 ;該第四二極體10208電性連接至該第二二極體10204及該第三二極體10206。該第一瞬變電壓浪湧抑制器108在沒有遇到浪湧時為高阻抗元件；該第一瞬變電壓浪湧抑制器108在遇到浪湧時為低阻抗元件。如果沒有浪湧時，該交流電源供應裝置20將提供電源給一電子裝置(圖1未示)。如果有浪湧時，該第一瞬變電壓浪湧抑制器108用以抑制吸收浪湧；該整流單元102用以對浪湧進行整流(因為該第一瞬變電壓浪湧抑制器108為一單向元件)。[0037]請參考圖2，其為本實用新型的浪湧抑制裝置的第二實施例方塊圖。圖2與圖1類似，故於此不再贅述。再者，該浪湧抑制裝置10更包含一第一浪湧保護元件106。該第一浪湧保護元件106可為但不限定為一金屬氧化物變阻器(metal oxide varistor,通常簡稱為MOV)、一避雷管(gas tube)或一電阻。請參考圖3，其為本實用新型的浪湧抑制裝置的第三實施例方塊圖。一浪湧抑制裝置10應用於一交流電源供應裝置20 ;該浪湧抑制裝置10包含一整流單元102、一第一開關單元104、一第一瞬變電壓浪湧抑制器108、一開關控制器116及一浪湧偵測電路118。該整流單元102包含一第一二極體10202、一第二二極體10204、一第三二極體10206及一第四二極體10208。該交流電源供應裝置20電性連接至該第一二極體10202、該第二二極體10204、該第三二極體10206、該第四二極體10208及該浪湧偵測電路118 ;該第一二極體10202電性連接至該第二二極體10204、該第三二極體10206及該第一瞬變電壓浪湧抑制器108 ;該第二二極體10204電性連接至該第四二極體10208及該第一瞬變電壓浪湧抑制器108 ;該第三二極體10206電性連接至該第四二極體10208及該第一開關單元104 ;該第四二極體10208電性連接至該第一開關單元104。該開關控制器116電性連接至該浪湧偵測電路118及該第一開關單元104 ;該第一開關單元104電性連接至該第一瞬變電壓浪湧抑制器108。
該第一瞬變電壓浪湧抑制器108在沒有遇到浪湧時為高阻抗元件；該第一瞬變電壓浪湧抑制器108在遇到浪湧時為低阻抗元件。該浪湧偵測電路118用以偵測浪湧並通知該開關控制器116 ;如果沒有浪湧時，該開關控制器116控制該第一開關單元104不導通；該交流電源供應裝置20將提供電源給一電子裝置(圖3未示)。如果有浪湧時，該開關控制器116控制該第一開關單元104導通；該第一瞬變電壓浪湧抑制器108用以抑制吸收浪湧；該整流單元102用以對浪湧進行整流(因為該第一瞬變電壓浪湧抑制器108為一單向元件)。再者，該第一開關單元104可為但不限定為一金屬氧化半導體場效電晶體(metaloxide semiconductor field effect transistor,通常簡稱為 M0SFET)、一絕緣柵極雙極性電晶體(insulation gate bipolar transistor,通常簡稱為IGBT)、一娃控整流器(silicon controlled rectifier,通常簡稱為SCR)或一雙極性接面電晶體(bipolarjunction transistor,通常簡稱為 BJT)。請參考圖4，其為本實用新型的浪湧抑制裝置的第四實施例方塊圖。一浪湧抑制裝置10應用於一交流電源供應裝置20 ;該浪湧抑制裝置10包含一第一瞬變電壓浪湧抑制器108及一第二瞬變電壓浪湧抑制器112。該交流電源供應裝置20電性連接至該第一瞬變電壓浪湧抑制器108及該第二瞬變電壓浪湧抑制器112 ;該第一瞬變電壓浪湧抑制器108電性連接至該第二瞬變電壓浪湧抑制器112。該第一瞬變電壓浪湧抑制器108及該第二瞬變電壓浪湧抑制器112在沒有遇到浪湧時為高阻抗元件；該第一瞬變電壓浪湧抑制器108及該第二瞬變電壓浪湧抑制器112在遇到浪湧時為低阻抗元件。[0049]如果沒有浪湧時，該交流電源供應裝置20將提供電源給一電子裝置(圖4未示)。如果有浪湧時，該第一瞬變電壓浪湧抑制器108及該第二瞬變電壓浪湧抑制器112用以抑制吸收浪湧；其中，該第二瞬變電壓浪湧抑制器112用以抑制吸收反向的浪湧。請參考圖5，其為本實用新型的浪湧抑制裝置的第五實施例方塊圖。圖5與圖4類似，故於此不再贅述。再者，該浪湧抑制裝置10更包含一第一浪湧保護元件106。該第一浪湧保護元件106可為但不限定為一金屬氧化物變阻器、一避雷管或一電阻。請參考圖6，其為本實用新型的浪湧抑制裝置的第六實施例方塊圖。一浪湧抑制裝置10應用於一交流電源供應裝置20 ;該浪湧抑制裝置10包含一第一開關單元104、一第一浪湧保護元件106、一第二開關單元114、一開關控制器116及一浪湧偵測電路118。該交流電源供應裝置20電性連接至該浪湧偵測電路118、該第一開關單元104及該第二開關單元114 ;該開關控制器116電性連接至該浪湧偵測電路118、該第一開關單元104及該第二開關單元114 ;該第一浪湧保護元件106電性連接至該第一開關單元104及該第二開關單元114。該浪湧偵測電路118用以偵測浪湧並通知該開關控制器116 ;如果沒有浪湧時，該開關控制器116控制該第一開關單元104及該第二開關單元114不導通；該交流電源供應裝置20將提供電源給一電子裝置(圖6未示)。如果有浪湧時，該開關控制器116控制該第一開關單元104及該第二開關單元114導通；該第一浪湧保護元件106用以抑制吸收浪湧。再者，該第一浪湧保護元件106可為但不限定為一金屬氧化物變阻器、一避雷管、一電阻或一瞬變電壓浪湧抑制器。該第一開關單元104可為 但不限定為一金屬氧化半導體場效電晶體、一絕緣柵極雙極性電晶體、一矽控整流器或一雙極性接面電晶體；該第二開關單元114可為但不限定為一金屬氧化半導體場效電晶體、一絕緣柵極雙極性電晶體、一矽控整流器或一雙極性接面電晶體。請參考圖7，其為本實用新型的浪湧抑制裝置的第七實施例方塊圖。一浪湧抑制裝置10應用於一交流電源供應裝置20 ;該浪湧抑制裝置10包含一整流單元102、一第一開關單元104、一第一浪湧保護元件106、一第一瞬變電壓浪湧抑制器108、一第二浪湧保護元件110、一第二瞬變電壓浪湧抑制器112、一第二開關單元114、一開關控制器116及一浪湧偵測電路118。該整流單元102包含一第一二極體10202、一第二二極體10204、一第三二極體10206及一第四二極體10208。該交流電源供應裝置20電性連接至該第一二極體10202、該第二二極體10204、該第三二極體10206、該第四二極體10208及該浪湧偵測電路118 ;該第一二極體10202電性連接至該第二二極體10204、該第三二極體10206及該第一開關單元104 ;該第二二極體10204電性連接至該第四二極體10208及該第一開關單元104 ;該第三二極體10206電性連接至該第四二極體10208及該第二開關單元114 ;該第四二極體10208電性連接至該第二開關單元114。該開關控制器116電性連接至該浪湧偵測電路118、該第一開關單元104及該第二開關單元114 ;該第一浪湧保護元件106電性連接至該第一開關單元104及該第一瞬變電壓浪湧抑制器108 ;該第二浪湧保護元件110電性連接至該第一瞬變電壓浪湧抑制器108及該第二瞬變電壓浪湧抑制器112 ;該第二瞬變電壓浪湧抑制器112電性連接至該第二開關單元114。該第一瞬變電壓浪湧抑制器108及該第二瞬變電壓浪湧抑制器112在沒有遇到浪湧時為高阻抗元件；該第一瞬變電壓浪湧抑制器108及該第二瞬變電壓浪湧抑制器112在遇到浪湧時為低阻抗元件。該浪湧偵測電路118用以偵測浪湧並通知該開關控制器116 ;如果沒有浪湧時，該開關控制器116控制該第一開關單元104及該第二開關單元114不導通；該交流電源供應裝置20將提供電源給一電子裝置(圖7未示)。如果有浪湧時，該開關控制器116控制該第一開關單元104及該第二開關單元114導通；該第一浪湧保護元件106、該第一瞬變電壓浪湧抑制器108、該第二浪湧保護元件110、及該第二瞬變電壓浪湧抑制器112用以抑制吸收浪湧；該整流單元102用以對浪湧進行整流(因為該第一瞬變電壓浪湧抑制器108為一單向元件)；該第二瞬變電壓浪湧抑制器112用以抑制吸收反向的浪湧。再者，該第 一浪湧保護元件106可為但不限定為一金屬氧化物變阻器、一避雷管或一電阻；該第二浪湧保護元件110可為但不限定為一金屬氧化物變阻器、一避雷管或一電阻。該第一開關單元104可為但不限定為一金屬氧化半導體場效電晶體、一絕緣柵極雙極性電晶體、一矽控整流器或一雙極性接面電晶體；該第二開關單元114可為但不限定為一金屬氧化半導體場效電晶體、一絕緣柵極雙極性電晶體、一矽控整流器或一雙極性接面電晶體。綜上所述，本實用新型應用於一高電壓系統(該交流電源供應裝置20可為但不限定為240伏特)；本實用新型將浪湧電壓箝位為低電壓(例如，公知技術的箝位為880伏特，本實用新型的箝位為650伏特)；本實用新型不使用保險絲，因此可自動恢復；再者，本實用新型可快速抑制吸收浪湧。然以上所述者，僅為本實用新型的較佳實施例，當不能限定本實用新型實施的範圍，即凡依本實用新型申請專利範圍所作的均等變化與修飾等，皆應仍屬本實用新型的專利涵蓋範圍意圖保護的範疇。綜上所述，當知本實用新型已具有產業利用性、新穎性與進步性，又本實用新型的構造亦未曾見於同類產品及公開使用，完全符合新型專利申請要件，於是依專利法提出申請。
權利要求1.一種浪湧抑制裝置，應用於一交流電源供應裝置，其特徵在於，該浪湧抑制裝置包含: 一整流單元，電性連接至該交流電源供應裝置 '及 一第一瞬變電壓浪湧抑制器，電性連接至該整流單元； 其中該整流單元包含: 一第一二極體，電性連接至該交流電源供應裝置及該第一瞬變電壓浪湧抑制器； 一第二二極體，電性連接至該交流電源供應裝置、該第一瞬變電壓浪湧抑制器及該第一二極體； 一第三二極體，電性連接至該交流電源供應裝置、該第一瞬變電壓浪湧抑制器及該第一二極體；及 一第四二極體，電性連接至該交流電源供應裝置、該第一瞬變電壓浪湧抑制器、該第二二極體及該第三二極體。
2.如權利要求1所述的浪湧抑制裝置，其特徵在於，還包含: 一第一浪湧保護元件，電性連接至該第一二極體、該第二二極體及該第一瞬變電壓浪湧抑制器。
3.如權利要求2所述的浪湧抑制裝置，其特徵在於，還包含: 一第一開關單元，電性連接至該第一二極體、該第二二極體及該第一浪湧保護元件。
4.如權 利要求3所述的浪湧抑制裝置，其特徵在於，還包含: 一第二浪湧保護元件，電性連接至該第三二極體、該第四二極體及該第一瞬變電壓浪湧抑制器。
5.如權利要求4所述的浪湧抑制裝置，其特徵在於，還包含: 一第二瞬變電壓浪湧抑制器，電性連接至該第三二極體、該第四二極體及該第二浪湧保護元件。
6.如權利要求5所述的浪湧抑制裝置，其特徵在於，還包含: 一第二開關單元，電性連接至該第三二極體、該第四二極體及該第二瞬變電壓浪湧抑制器。
7.如權利要求6所述的浪湧抑制裝置，其特徵在於，還包含: 一開關控制器，電性連接至該第一開關單元及該第二開關單元。
8.如權利要求7所述的浪湧抑制裝置，其特徵在於，還包含: 一浪湧偵測電路，電性連接至該交流電源供應裝置及該開關控制器。
9.如權利要求8所述的浪湧抑制裝置，其特徵在於，該第一浪湧保護元件為一金屬氧化物變阻器、一避雷管或一電阻；該第二浪湧保護元件為一金屬氧化物變阻器、一避雷管或一電阻。
10.如權利要求9所述的浪湧抑制裝置，其特徵在於，該第一開關單元為一金屬氧化半導體場效電晶體、一絕緣柵極雙極性電晶體、一矽控整流器或一雙極性接面電晶體；該第二開關單元為一金屬氧化半導體場效電晶體、一絕緣柵極雙極性電晶體、一矽控整流器或一雙極性接面電晶體。
專利摘要一種浪湧抑制裝置，應用於一交流電源供應裝置；該浪湧抑制裝置包含一整流單元及一第一瞬變電壓浪湧抑制器；該整流單元包含一第一二極體、一第二二極體、一第三二極體及一第四二極體。該第一瞬變電壓浪湧抑制器電性連接至該第一二極體、該第二二極體、該第三二極體及該第四二極體；該交流電源供應裝置電性連接至該第一二極體、該第二二極體、該第三二極體及該第四二極體；該第一二極體電性連接至該第二二極體及該第三二極體；該第四二極體電性連接至該第二二極體及該第三二極體。
文檔編號H02H9/04GK203119469SQ20132008089
公開日2013年8月7日 申請日期2013年2月22日 優先權日2013年2月22日
發明者陳俊吉, 黃韋舜 申請人:群光電能科技股份有限公司