抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法
2023-05-26 16:19:41
專利名稱：：抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法
技術領域：
：本發明涉及花卉育種
技術領域：
，尤其是一種抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法。
背景技術：
：大花蕙蘭是蘭科蘭屬中大花附生種類，其通常由大花類原種雜交而成。大花蕙蘭由於具有花數多、色澤鮮豔及植物高大等特點，深受花卉愛好者的喜愛。當前，我國對大花蕙蘭的研究，主要還停留在栽培技術、催花技術和快速繁殖技術上，而對大花蕙蘭新品種培育技術還缺乏深入研究。大花蕙蘭原產我國西南部，喜冬季溫暖和夏季涼爽氣候，喜高溼強光，生長適溫為1(TC至25。C。夜間溫度以1(TC左右為宜，尤其是開花期將溫度維持在5。C以上、15。C以下可以延長花期到4至5個月。我國北方氣候乾燥且四季分明，夏季非常炎熱、而冬季又異常寒冷，由於大花蕙蘭喜溫暖、溼潤和半陰的環境，因此其在北方種植會出現不能正常生長、開花少、花期短等現象，不能滿足廣大的北方花卉愛好者的需求。
發明內容本發明的目的在於克服現有技術的不足，提供一種大花蕙蘭新品種培育新方法。用本方法培育出的大花蕙蘭新品種具有抗幹耐熱、能夠正常生長和開花等優點。本發明解決其技術問題是通過以下技術方案實現的一種抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，其特徵在於其選育方法包括以下步驟(1)、按照抗幹耐熱標準對種源進行篩選和親本選擇；(2)、將步驟(l)所篩選出的具有抗幹耐熱特性的親本進行雜交；(3)、種子無菌培養；(4)、子代培養；(5)、按照抗幹耐熱標準對子代進行品種篩選，即完成選育。而且，所述步驟(l)中的抗幹標準為空氣相對溼度不高於20%時，正常生長持續時間不低於45天；耐熱標準為當溫度為35"C時，正常生長持續時間不低於45天；當溫度高於35"C、不超過4rC時，3正常生長持續時間不低於45天。而且，步驟(2)中親本所進行的雜交為正交或反交，即將人工輔助授粉後的親本進行正交或反交，環境溫度不低於18°C，相對溼度不低於15%。而且，步驟(2)中人工輔助授粉完成後，當蒴果呈現微黃時，即可剪下進行無菌播種。而且，所述步驟(3)的具體步驟為使用70%的酒精擦洗蒴果表面，在無菌環境下切開，取出種子；用0.1%的升汞滅菌20~25分鐘，無菌水衝洗3次，將種子接種在預先配製好的培養基上，放培養室中培養，培養條件溫度2026。C，溼度不超過70%，光照強度7000LUX，培養基MS+6-BA1.0+IBA0.1。而且，所述步驟(4)包括分瓶，隨植株生長不斷分瓶繼代；移栽，培養瓶內苗高頂到瓶蓋即為812cm時，進行煉苗移栽；煉苗，培養瓶蓋半開，在1000LUX光照下培養5~7天，揭去瓶蓋，再煉苗23天；移栽；洗淨粘著在小植株上的培養基，放入預先備好的基質中；基質松樹皮+百菌清800倍液，前1520天在4000Lux光照下培養，以後逐漸增加光照強度，以不超過20000Lux為宜。本發明的優點和有益效果為1.採用本發明所述方法培育出來的大花蕙蘭新品種能夠抵抗冬季和春季空氣乾燥，還可以抵抗夏季高溫，比現有品種對冬春季空氣乾旱和夏季高溫具有更強的耐性，能夠適應華北地區的自然天氣條件，可以正常生長、開花且花期長。2.按照本發明所採用的方法培育出的新品種植株高大、花朵大、花色鮮豔，紅色品種象徵喜慶吉祥，黃色品種象徵高貴典雅，特別適合我國春節市場消費習慣。3.本發明的培育方法對雜交親本進行選擇時，認真考察親本的親緣關係，從親本這一代算起，上推到6代，從而避免了親本選擇失誤所可能帶來的一些不利效應，如自交衰退、嚴重病害的傳遞、不良性狀的再生和整體抗病能力的降低等等，有效保證了新大花蕙蘭的品種優良。4.本發明中無菌播種步驟所採用的培養基配方發芽率高、分化率高，第二次轉接分化率可以達到45倍，超度含水態苗發生率低，僅為2%，因此可以極大地提高大花蕙蘭的栽培成活率。5.本發明是一種抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，運用本發明所述方法可以充分利用國內外大花蕙蘭資源，培育出具有自主智慧財產權的大花蕙蘭新品種。這種新的大花蕙蘭具有抗乾燥、耐高溫，適宜在我國北方種植的優點。圖l是本發明的培育流程圖。具體實施例方式下面通過具體實施例對本發明作進一步詳述，以下實施例只是描述性的，不是限定性的，不能以此限定本發明的保護範圍。一種抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，其選育方法包括以下步驟(1)、按照抗幹耐熱標準對種源進行篩選和親本選擇搜集種源，將搜集到的種源按照抗幹耐熱標準進行篩選，選擇親本。抗幹是指抗空氣乾燥，即空氣相對溼度低於20%時，正常生長持續時間不低於45天。耐熱主要是指夏季抵抗高溫的能力，即當溫度為35'C時，正常生長持續時間不低於45天(間歇性處理)；當溫度高於35°C、不超過41。C時(間歇性處理)，正常生長持續時間不低於45天。另外還要考慮5對性狀，即花色、花大小、植株高度、葉片長度和假球莖體積。花色，優先選擇白色、紅色和黃色品種。花直徑大於12釐米，株高大於1.0米。葉片直立或近直立，假球莖突出明顯，體積大。(2)、將步驟(l)所篩選出的具有抗幹耐熱特性的親本進行雜交對選出的親本進行正交或反交，以期獲得種子，並檢驗親本做為父本或母本的特性。選擇綻放1015天的花朵，用削尖的牙籤把花帽挑掉，將花粉塊挑出，粘連在蕊柱頂部分泌粘液的柱頭上。掛上標籤，註明時間和親本名稱，放溫室內培養。控制好溫室的溫溼度環境，保證親本的正常生長。溫度18"C27'C，相對溼度不低於20%。(3)、種子無菌培養人工輔助授粉後，注意觀察子房變化情況，當蒴果呈現微黃時，即可剪下進行無菌播種。用70%的酒精擦洗蒴果表面，在無菌環境下(超淨工作檯)切開，取出種子。用0.1%的升汞滅菌2025分鐘，無菌水衝洗3次，將種子接種在預先配製好的培養基上，放培養室中培養。培養條件溫度2026°C，溼度不超過70%,光照強度7000LUX。培養基MS+6-BA1.0+IBA0.1。(4)、子代培養分瓶種子變綠，小原球莖上芽高23cm時，即進行分瓶。每瓶留小植株58個。隨植株生長不斷分瓶繼代。移栽培養瓶內苗高頂到瓶蓋時(812cm)，進行煉苗移栽。煉苗培養瓶蓋半開，置較強光照下(1000LUX)培養5~7天。揭去瓶蓋，再煉苗23天，移栽。洗淨粘著在小植株上的培養基，放入預先備好的基質中。基質松樹皮+百菌清800倍液。前1520天放較弱光照(4000Lux)下培養。以後逐漸增加光照強度，以不超過20000Lux為宜。(5)、按照抗幹耐熱標準對子代進行品種篩選。定期觀測子代植株生長情況，記載和評價子代表現。按照抗幹耐熱標準，重點觀測植株對溫度、溼度的抗性和適應性，最後選出符合標準的品種。實施例1:(1)、按照抗幹耐熱標準對種源進行篩選和親本選擇搜集種源，將搜集到的種源按照抗幹耐熱標準進行篩選，選擇親本。選擇親本為至愛Cym.Ly510EnzanMoon'AiNair'和新月Cym.Lovelymooncrescent。抗幹是指抗空氣乾燥，即空氣相對溼度不高於20%時，正常生長持續時間不低於45天。耐熱主要是指夏季抵抗高溫的能力，即當溫度為35"C時，正常生長持續時間不低於45天(間歇性處理)；當溫度高於35°C、不超過4rC時(間歇性處理)，正常生長持續時間不低於45天。另外還要考慮5對性狀，即花色、花大小、植株高度、葉片長度和假球莖體積。花色，優先選擇白色、紅色和黃色品種。花直徑大於12釐米，株高大於1.0米。葉片直立或近直立，假球莖突出明顯，體積大。(2)、將步驟(l)所篩選出的具有抗幹耐熱特性的親本進行雜交對選出的親本進行正交，以期獲得種子。正交:至愛Cym.Ly510EnzanMoon'AiNair'X親萬月Cym.Lovelymooncr6scsnt6選擇綻放10天的花朵，用削尖的牙籤把花帽挑掉，將花粉塊挑出，粘連在蕊柱頂部分泌粘液的柱頭上。掛上標籤，註明時間和親本名稱，放溫室內培養。控制好溫室的溫溼度環境，保證親本的正常生長。溫度為18。C，相對溼度不低於20%。(3)、種子無菌培養人工輔助授粉後，注意觀察子房變化情況，當蒴果呈現微黃時，即可剪下進行無菌播種。用70%的酒精擦洗蒴果表面，在無菌環境下(超淨工作檯)切開，取出種子。用0.1%的升汞滅菌20分鐘，無菌水衝洗3次，將種子接種在預先配製好的培養基上，放培養室中培養。培養條件溫度20。C，溼度不超過70%，光照強度7000LUX。培養基MS+6-BA1.0+IBA0.1。(4)、子代培養分瓶種子變綠，小原球莖上芽高2cm時，即進行分瓶。每瓶留小植株5個。隨植株生長不斷分瓶繼代。移栽培養瓶內苗高頂到瓶蓋時(8cm)，進行煉苗移栽。煉苗培養瓶蓋半開，置較強光照下(10000LUX)培養5天。揭去瓶蓋，再煉苗2天，移栽。洗淨粘著在小植株上的培養基，放入預先備好的基質中。基質松樹皮+百菌清800倍液。前15~20天放較弱光照(4000Lux)下培養。以後逐漸增加光照強度，以不超過20000Lux為宜。(5)、按照抗幹耐熱標準對子代進行品種篩選。定期觀測子代植株生長情況，記載和評價子代表現。按照抗幹耐熱標準，重點觀測植株對溫度、溼度的抗性和適應性，最後選出符合標準的品種。實驗數據表格:tableseeoriginaldocumentpage7注空氣溫度為交替處理，上午10時至下午3時為35。C4lGC，下午3時至第二天上午10時為20°C25GC。空氣溼度也為交替處理，上午10時至下午3時為15%或5%，下午3時至第二天上午10時為60%70%。實施例2:(1)、按照抗幹耐熱標準對種源進行篩選和親本選擇搜集種源，將搜集到的種源按照抗幹耐熱標準進行篩選，選擇親本。選擇親本為至愛Cym丄y510EnzanMoon'AiNair'和新月Cym.Lovelymooncrescent。抗幹是指抗空氣乾燥，即空氣相對溼度不高於15%時，正常生長持續時間不低於45天。耐熱主要是指夏季抵抗高溫的能力，即當溫度為35'C時，正常生長持續時間不低於45天(間歇性處理)；當溫度高於35°C、不超過41'C時(間歇性處理)，正常生長持續時間不低於45天。另外還要考慮5對性狀，即花色、花大小、植株高度、葉片長度和假球莖體積。花色，優先選擇白色、紅色和黃色品種。花直徑大於12釐米，株高大於1.0米。葉片直立或近直立，假球莖突出明顯，體積大。(2)、將步驟(l)所篩選出的具有抗幹耐熱特性的親本進行雜交對選出的親本進行反交，以期獲得種子。反交新月Cym.LovelymooncrescentX至愛Cym.Ly510EnzanMoon'AiNair'選擇綻放15天的花朵，用削尖的牙籤把花帽挑掉，將花粉塊挑出，粘連在蕊柱頂部分泌粘液的柱頭上。掛上標籤，註明時間和親本名稱，放溫室內培養。控制好溫室的溫溼度環境，保證親本的正常生長。溫度為27"C，相對溼度不低於20%。(3)、種子無菌培養人工輔助授粉後，注意觀察子房變化情況，當蒴果呈現微黃時，即可剪下進行無菌播種。用70%的酒精擦洗蒴果表面，在無菌環境下(超淨工作檯)切開，取出種子。用0.1%的升汞滅菌25分鐘，無菌水衝洗3次，將種子接種在預先配製好的培養基上，放培養室中培養。培養條件溫度為26"C，溼度不超過70%，光照強度7000LUX。培養基MS+6-BA1.0+IBA0.1。(4)、子代培養分瓶種子變綠，小原球莖上芽高3cm時，即進行分瓶。每瓶留小植株8個。隨植株生長不斷分瓶繼代。移栽培養瓶內苗高頂到瓶蓋時(12cm)，進行煉苗移栽。煉苗培養瓶蓋半開，置較強光照下(10000LUX)培養7天。揭去瓶蓋，再煉苗3天，移栽。洗淨粘著在小植株上的培養基，放入預先備好的基質中。基質:松樹皮+百菌清800倍液。前15天放較弱光照(4000Lux)下培養。以後逐漸增加光照強度，以不超過20000Lux為宜。(5)、按照抗幹耐熱標準對子代進行品種篩選。定期觀測子代植株生長情況，記載和評價子代表現。按照抗幹耐熱標準，重點觀測植株對溫度、溼度的抗性和適應性，最後選出符合標準的品種。實驗數據表格:tableseeoriginaldocumentpage9實施例3:(1)、按照抗幹耐熱標準對種源進行篩選和親本選擇搜集種源，將搜集到的種源按照抗千耐熱標準進行篩選，選擇親本。選擇親本為甜月光Cym.Organdy'Moonlight'和新月Cym.Lovelymooncrescent抗幹是指抗空氣乾燥，即空氣相對溼度不高於15%時，正常生長持續時間不低於45天。耐熱主要是指夏季抵抗高溫的能力，即當溫度為35'C時，正常生長持續時間不低於45天(間歇性處理)；當溫度高於35°C、不超過41'C時(間歇性處理)，正常生長持續時間不低於45天。另外還要考慮5對性狀，即花色、花大小、植株高度、葉片長度和假球莖體積。花色，優先選擇白色、紅色和黃色品種。花直徑大於12釐米，株高大於1.0米。葉片直立或近直立，假球莖突出明顯，體積大。(2)、將步驟(l)所篩選出的具有抗幹耐熱特性的親本進行雜交對選出的親本進行正交，以期獲得種子。正交甜月光Cym.Organdy'Moonlight'X新月Cym.Lovelymooncresc6nt選擇綻放12天的花朵，用削尖的牙籤把花帽挑掉，將花粉塊挑出，粘連在蕊柱頂部分泌粘液的柱頭上。掛上標籤，註明時間和親本名稱，放溫室內培養。控制好溫室的溫溼度環境，保證親本的正常生長。溫度為22t:，相對溼度不低於20%。(3)、種子無菌培養人工輔助授粉後，注意觀察子房變化情況，當蒴果呈現微黃時，即可剪下進行無菌播種。用70%的酒精擦洗蒴果表面，在無菌環境下(超淨工作檯)切開，取出種子。用0.1%的升汞滅菌23分鐘，無菌水衝洗3次，將種子接種在預先配製好的培養基上，放培養室中培養。培養條件溫度為24。C，溼度不超過70%，光照強度7000LUX。培養基MS+6-BA1.0+IBA0.1。(4)、子代培養分瓶種子變綠，小原球莖上芽高2.5cm時，即進行分瓶。每瓶留小植株6個。隨植株生長不斷分瓶繼代。移栽培養瓶內苗高頂到瓶蓋時(10cm)，進行煉苗移栽。煉苗培養瓶蓋半開，置較強光照下(10000LUX)培養6天。揭去瓶蓋，再煉苗2天，移栽。洗淨粘著在小植株上的培養基，放入預先備好的基質中。基質松樹皮+百菌清800倍液。前15~20天放較弱光照(4000Lux)下培養。以後逐漸增加光照強度，以不超過20000Lux為宜。(5)、按照抗幹耐熱標準對子代進行品種篩選。定期觀測子代植株生長情況，記載和評價子代表現。按照抗幹耐熱標準，重點觀測植株對溫度、溼度的抗性和適應性，最後選出符合標準的品種。實驗數據表格:tableseeoriginaldocumentpage10實施例4:a)、按照抗幹耐熱標準對種源進行篩選和親本選擇搜集種源，將搜集到的種源按照抗幹耐熱標準進行篩選，選擇親本。選擇親本為甜月光Cym.Organdy'Moonlight'和新月Cym.Lovelymooncrescent抗幹是指抗空氣乾燥，即空氣相對溼度不高於15%時，正常生長持續時間不低於45天。耐熱主要是指夏季抵抗高溫的能力，即當溫度為35。C時，正常生長持續時間不低於45天(間歇性處理)；當溫度高於35°C、不超過4rC時(間歇性處理)，正常生長持續時間不低於45天。另外還要考慮5對性狀，即花色、花大小、植株高度、葉片長度和假球莖體積。花色，優先選擇白色、紅色和黃色品種。花直徑大於12釐米，株高大於1.0米。葉片直立或近直立，假球莖突出明顯，體積大。(2)、將步驟(l)所篩選出的具有抗幹耐熱特性的親本進行雜交對選出的親本進行正交，以期獲得種子。反交新月Cym.LovelymooncrescentX甜月光Cym.Organdy'Moonlight'選擇綻放1015天的花朵，用削尖的牙籤把花帽挑掉，將花粉塊挑出，粘連在蕊柱頂部分泌粘液的柱頭上。掛上標籤，註明時間和親本名稱，放溫室內培養。控制好溫室的溫溼度環境，保證親本的正常生長。溫度為1827'C，相對溼度不低於20%。(3)、種子無菌培養人工輔助授粉後，注意觀察子房變化情況，當蒴果呈現微黃時，即可剪下進行無菌播種。用70%的酒精擦洗蒴果表面，在無菌環境下(超淨工作檯)切開，取出種子。用0.1%的升汞滅菌2025分鐘，無菌水衝洗3次，將種子接種在預先配製好的培養基上，放培養室中培養。培養條件溫度為20~26°C，溼度不超過70%,光照強度7000LUX。培養基MS+6-BA1.0+IBA0.1。(4)、子代培養分瓶種子變綠，小原球莖上芽高23cm時，即進行分瓶。每瓶留小植株58個。隨植株生長不斷分瓶繼代。移栽培養瓶內苗高頂到瓶蓋時(812cm)，進行煉苗移栽。煉苗培養瓶蓋半開，置較強光照下(10000LUX)培養57天。揭去瓶蓋，再煉苗23天，移栽。洗淨粘著在小植株上的培養基，放入預先備好的基質中。基質松樹皮+百菌清800倍液。前1520天放較弱光照(4000Lux)下培養。以後逐漸增加光照強度，以不超過20000Lux為宜。ii(5)、按照抗幹耐熱標準對子代進行品種篩選。定期觀測子代植株生長情況，記載和評價子代表現。按照抗幹耐熱標準，重點觀測植株對溫度、溼度的抗性和適應性，最後選出符合標準的品種。實驗數據表格:相對溼度空氣溫度數量生長時間成活率20%35。C41。C3090天97%15%35。C41。C3045天91%5%35。C41。C3090天45%實施例5:採用白公主Cym.EnzanVintage'Shiranui'禾卩幸運之星Cym.Luckygloriafukunokami正交。其他同於實施例1。實施例6採用白公主Cym.EnzanVintage'Shiranui'禾口幸運之星Cym.Luckygloriafukunokami反交。其他同於實施例3。本發明也可採用其它蘭科蘭屬中的大花亞屬親本互相進行雜交，如仲夏Cym.EnzanSummer'Pious'、幸運之星Cym.Luckygloriafbkunokami、凱妮Cym.Kennywinecolor、白公主Cym.EnzanVintage'Shiranui'等。其它親本雜交選育過程與上述過程大體相同，在此不再重複。1權利要求1、一種抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，其特徵在於其選育方法包括以下步驟(1)、按照抗幹耐熱標準對種源進行篩選和親本選擇；(2)、將步驟(1)所篩選出的具有抗幹耐熱特性的親本進行雜交；(3)、種子無菌培養；(4)、子代培養；(5)、按照抗幹耐熱標準對子代進行品種篩選，即完成選育。2.根據權利要求1所述的抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，其特徵在於所述步驟(l)中的抗幹標準為空氣相對溼度不高於20%時，正常生長持續時間不低於45天；耐熱標準為當溫度為35"時，正常生長持續時間不低於45天；當溫度高於35"C、不超過4rC時，正常生長持續時間不低於45天。3.根據權利要求1所述的抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，其特徵在於步驟(2)中親本所進行的雜交為正交或反交，即將人工輔助授粉後的親本進行正交或反交，環境溫度不低於18"C，相對溼度不低於15%。4.根據權利要求3所述的抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，其特徵在於步驟(2)中人工輔助授粉完成後，當蒴果呈現微黃時，即可剪下進行無菌播種。5.根據權利要求1所述的抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，其特徵在於所述步驟(3)的具體步驟為使用70%的酒精擦洗蒴果表面，在無菌環境下切開，取出種子；用0.1%的升汞滅菌20~25分鐘，無菌水衝洗3次，將種子接種在預先配製好的培養基上，放培養室中培養，培養條件溫度2026"C，溼度不超過70%，光照強度7000LUX，培養基MS+6-BA1.0+IBA0.1。6.根據權利要求1所述的抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，其特徵在於所述步驟(4)包括分瓶，隨植株生長不斷分瓶繼代；移栽，培養瓶內苗高頂到瓶蓋即為812cm時，進行煉苗移栽；煉苗，培養瓶蓋半開，在1000LUX光照下培養57天，揭去瓶蓋，再煉苗23天；移栽；洗淨粘著在小植株上的培養基，放入預先備好的基質中；基質松樹皮+百菌清800倍液，前1520天在4000Lux光照下培養，以後逐漸增加光照強度，以不超過20000Lux為宜。全文摘要本發明涉及一種抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，其步驟為(1)按照抗幹耐熱標準對種源進行篩選和親本選擇；(2)將步驟(1)所篩選出的具有抗幹耐熱特性的親本進行雜交；(3)種子無菌培養；(4)子代培養；(5)按照抗幹耐熱標準對子代進行品種篩選，即完成選育。本發明是一種抗幹耐熱大花蕙蘭選育方法，運用本發明所述方法可以充分利用國內外大花蕙蘭資源，培育出具有自主智慧財產權的大花蕙蘭新品種。這種新的大花蕙蘭具有抗乾燥、耐高溫，適宜在我國北方種植的優點。文檔編號A01H1/04GK101485288SQ20091006800公開日2009年7月22日申請日期2009年3月2日優先權日2009年3月2日發明者楊傳貴申請人:天津城市建設學院