等離子體顯示板的開關裝置和驅動設備的製作方法
2023-05-26 00:41:41 2
專利名稱：等離子體顯示板的開關裝置和驅動設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及等離子體顯示板(PDP)的開關裝置。更具體地，本發明涉及便於在高壓時操作的PDP開關裝置。
背景技術：
已經研發了各種平板顯示器，例如液晶顯示器(LCD)、場發射顯示器(FED)、以及PDP。在這些顯示器中，PDP與其它平板顯示器相比，具有更高的解析度、更高速的發射效率、和更寬的視角。因此，PDP作為對超過40英寸的大尺寸顯示器的傳統陰極射線管(CRT)的替代顯示器，PDP很突出。
PDP使用由氣體放電生成的等離子體來顯示字符或圖像，並且其包括以矩陣形式排列的數十萬乃至上百萬個像素。根據施加的驅動電壓的波形和放電單元結構，PDP可分為直流(DC)PDP和交流(AC)PDP。
圖1表示AC PDP的部分透視圖。
如圖1所示，在第一玻璃襯底1上形成成對的彼此平行的掃描電極4和維持電極5，並且由介電層2和保護膜3覆蓋這些掃描電極4和維持電極5。在第二玻璃襯底6上形成多個尋址電極8，該尋址電極8由絕緣層7覆蓋。在絕緣層7上形成在尋址電極8之間並與尋址電極8平行的屏蔽條(barrierrib)9，並在絕緣層7的表面上和屏蔽條9的兩側上形成螢光體(phosphor)10。第一和第二玻璃襯底1和6密封在一起，以在其間形成放電空間11，使得掃描電極4和維持電極5與尋址電極8正交。尋址電極8與一對掃描電極4和維持電極5的交叉點的一部分放電空間11形成放電單元12。
圖2簡略地示出AC PDP的典型電極配置。
如圖2所示，這些電極包括m×n矩陣。沿列方向安排尋址電極A1至Am， 並沿行方向交替排列掃描電極Y1至Yn和維持電極X1至Xn。放電單元12對應於圖1中的放電單元12。
驅動AC PDP的傳統方法包括復位周期、尋址周期、和維持周期。
在復位周期中，對單元初始化，用於正確的尋址操作。在尋址周期中，對將導通的單元(尋址單元)施加尋址電壓，其在這些尋址單元中積累壁電荷。在維持周期中，在尋址單元中發生維持放電，以在PDP上顯示圖像。
利用該方法，可在復位、尋址、和維持周期內由多個開關裝置施加期望的電壓。但由於施加的脈衝型電壓，所以窄脈衝型電流可在尋址周期和維持周期內快速流過開關裝置。具有快開關速度的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)通常用於開關裝置。可是，當MOSFET的耐壓增加時，在MOSFET導通時，其漏極和源極之間的電阻Ron急劇增加。因此，隨著脈衝型電流的流動，MOSFET的均方根值(RMS)可能非常高。因此，MOSFET可能具有高傳導損耗並可能產生大量熱。
通過使用如圖3所示的並聯的多個MOSFET來進行開關的方法可用於解決上述問題。然而，增加輸入到PDP的Xe氣體的局部壓力可能是有利的，由於該增加的局部壓力使得必須有較高的驅動電壓，因此需要更多並聯的MOSFET。但是增加MOSFET的數量可能增加成本、驅動板的尺寸、以及驅動電路的數量。
發明內容
本發明的優點在於提供了一種降低成本並提高效率的用於等離子體顯示板的開關裝置。
本發明的其它特徵將在隨後的描述中闡明，並部分根據該描述而清楚，或可通過實踐本發明而得知。
本發明公開了一種用於驅動等離子體顯示板的開關裝置，該等離子體顯示板具有多個尋址電極、成對排列的多個掃描電極和多個維持電極、以及位於多個尋址電極之間、多個掃描電極和多個維持電極之間的面板電容。該開關裝置包括第一絕緣柵雙極電晶體，用於通過施加到該第一絕緣柵雙極電晶體的柵極的電壓而執行導通或關斷操作；以及第二絕緣柵雙極電晶體，其與第一絕緣柵雙極電晶體並聯，用於通過施加到該第二絕緣柵雙極電晶體的柵極的電壓而執行導通或關斷操作。
本發明還公開了一種用於驅動等離子體顯示板的開關裝置，該等離子顯示板具有多個尋址電極、成對安排的多個掃描電極和多個維持電極、以及位於多個尋址電極之間、以及多個掃描電極和多個維持電極之間的面板電容。該開關裝置包括第一金屬氧化物半導體場效應電晶體，用於通過施加到該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體的柵極的電壓而執行導通或關斷操作；以及第一絕緣柵雙極電晶體，其與該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體並聯，用於通過施加到該第一絕緣柵雙極電晶體的柵極的電壓而執行導通或關斷操作。
本發明還公開了一種用於驅動等離子體顯示板的設備，其中由多個第一電極和多個第二電極形成放電空間，該設備包括第一開關，耦接在多個第一電極和提供第一電壓的第一電源之間；以及第二開關，耦接在多個第一電極和提供第二電壓的第二電源之間。第一開關和第二開關包括並聯連接的至少兩個絕緣柵雙極電晶體。第一電壓在維持周期內施加維持電壓，該維持電壓是第一電壓和第二電壓之間的電壓差。
本發明還公開了一種用於驅動等離子體顯示板的設備，其中由多個第一電極和多個第二電極形成放電空間，該設備包括第一開關，耦接在多個第一電極和提供第一電壓的第一電源之間；第二開關，耦接在多個第一電極和提供第二電壓的第二電源之間。所述第一開關和第二開關包括並聯連接的金屬氧化物半導體場效應電晶體和絕緣柵雙極電晶體。第一電壓在維持周期內施加維持電壓，該維持電壓是第一電壓和第二電壓之間的電壓差。
應理解前面的一般描述和後面的詳細描述是示範性的和解釋性的，並意欲提供權利要求所示的對本發明的進一步解釋。
包括在內以提供對本發明的進一步理解並合併和構成說明書的一部分的附示本發明的實施例，並和說明書一起用來解釋本發明的原理。
圖1表示AC PDP的部分透視圖。
圖2表示AC PDP的典型電極設置。
圖3是表示PDP的傳統開關裝置的示意圖。
圖4是表示根據本發明第一示範實施例的PDP的開關裝置的示意圖。
圖5是MOSFET和絕緣柵雙極電晶體(IGBT)電流和電壓特性的曲線圖。
圖6A和圖6B是表示IGBT的Vce電壓和Ic電流之間的關係的曲線圖。
圖7是表示根據本發明第二示範實施例的PDP的開關裝置的示意圖。
圖8A是表示IGBT的Vce電壓和Ic電流之間的關係的曲線圖。圖8B是表示當MOSFET和IGBT並聯時，Vce電壓和Ic電流之間關係的曲線圖。
圖9是表示根據本發明第三示範實施例的PDP的開關裝置的示意圖。
圖10表示根據本發明第一示範實施例的當IGBT並聯時可消除的驅動電路。
圖11A和圖11B是表示根據本發明第一和第二示範實施例的PDP的驅動設備的示意圖。
具體實施例方式
以下詳細描述僅示出和描述了本發明的優選實施例，作為對執行本發明的發明人預期的最佳模式的圖示。正如將認識到的那樣，可以在不脫離本發明的情況下對本發明的各種明顯的方面進行改進。因此附圖和說明被認為是本質上的解釋，而不是限制。為了清楚地闡述本發明，在說明書中沒有描述的部件將被忽略，並且提供有相似描述的部件具有相同的附圖標記。
圖4是表示根據本發明第一示範實施例的PDP的開關裝置的示意圖。
如圖4所示，根據本發明第一示範實施例的PDP的開關裝置包括絕緣柵雙極電晶體(IGBT)Z1和Z2以及二極體D1。IGBT Z1、IGBT Z2與二極體D1並聯。由於IGBT Z1和Z2不具有主體二極體(body diode)，因此二極體D1與IGBT Z1和Z2並聯，以允許反向電流流過。
在驅動操作期間，IGBT Z1和Z2將電壓施加到PDP。當驅動電流很大並且電流容量增加時，多個IGBT可並聯。IGBT Z1和Z2提供在PDP的驅動電路中，並且執行開關操作，以操作復位周期、尋址周期、和維持周期。
圖5是表示當MOSFET和IGBT導通時，在25℃和125℃溫度下的電流和電壓特性的曲線圖。如圖5所示，IGBT在高電流區域工作性能優於MOSFET。換言之，當相同電流在高電流區域中流動時，IGBT的電壓小於MOSFET的電壓。比較MOSFET具有25℃溫度和IGBT具有125℃溫度時的電流和電壓，125℃的IGBT具有較顯著的特性。因此，IGBT的溫度特性比MOSFET的溫度特性更顯著。由此，因為當施加相同電流時IGBT的電壓小於MOSFET的電壓，因此IGBT的電壓損耗小於MOSFET的電壓損耗。
當IGBT導通時，該IGBT是二極體連接(IGBT是雙極電晶體，當IGBT導通時，IGBT變成二極體連接)。因此，將作為集電極和發射極之間的電壓的二極體電壓Vce施加到IGBT。當電流增加時，二極體電壓Vce並不增加。因此，當PDP放電產生的脈衝放電電流流過時，IGBT的傳導損耗可能比MOSFET的傳導損耗小得多。如上所述，由於當MOSFET導通時，MOSFET等效於Ron，因此其傳導損耗隨著更高的脈衝電流而增加。由於其結構，在相同的耐壓，IGBT的單位面積的電流傳導性能比MOSFET的單位面積的電流傳導性能好。由此，可降低半導體晶片的尺寸和開關裝置的成本。
在PDP中，當通過導通開關裝置進行放電點火操作時，高和窄脈衝型電流可流過併到達0。然後，開關裝置關斷。由此，由於當電流到達0時，沒有很快關斷的IGBT執行關斷操作，因此可以高速驅動該PDP。這樣，IGBT的弱關斷性質在驅動PDP中並不成為問題。
然而，當IGBT並聯並用於根據本發明第一示範實施例的開關裝置時，在IGBT導通時電壓Vce可具有正溫度係數，並且負載電流可聚集到一側。圖6A和6B是表示在25℃和125℃溫度下的IGBT的Vce電壓和Ic電流之間的關係的曲線圖。圖6A和6B所示的15V、13V、11V、9V、7V、和5V電壓分別代表柵極-發射極電壓。Vce電壓代表當IGBT導通時在集電極和發射極之間的電壓，而Ic電流代表當IGBT導通時的集電極電流。如圖6A和6B的圓圈區域所示，當提供了相同條件的電壓Vce時，在圖6B中較高的溫度下流過較高的電流Ic。由此，隨著IGBT的溫度增加，較高電流流到IGBT Z1，這有問題地在一個IGBT處聚集負載電流並產生熱。所以，當用圖5所示的並聯IGBT形成開關裝置時，由於在導通該開關的早期和已減少電流的期間的壓降大於MOSFET的壓降，因此在高電流區域得到的效率降低。
下面描述可解決本發明第一示範實施例的問題的PDP的開關裝置。
圖7是表示根據本發明第二示範實施例的PDP的開關裝置的示意圖。
如圖7所示，根據本發明第二示範實施例的PDP的開關裝置包括與IGBTZ3並聯的MOSFET M3。多於一個MOSFET和多於一個IGBT可用於需要高電流容量的大PDP的開關裝置。
MOSFET M3可用於低電流區域中的開關裝置，並且IGBT Z3可用於高電流區域中的開關裝置。由於如圖5所示，IGBT Z3在低電流區域具有高壓降，因此IGBT Z3可用於高電流區域中的開關裝置，這降低效率。由於MOSFET M3等效於Ron並不會產生高壓降，因此MOSFET M3可用於低電流區域中的開關裝置，這導致比IGBT高的效率。
圖8A是表示當IGBT Z3導通並用於開關裝置時，電壓Vce和電流Ic之間的關係的曲線圖。圖8B是表示當並聯的MOSFET M3和IGBT Z3導通並用於開關裝置時，電壓Vce和電流Ic之間的關係的曲線圖。圖8A和8B所示的電壓15V、13V、11V、9V、7V、和5V分別代表柵極-發射極電壓。在圖8A的圓圈標註區域中，在低電流區域中的IGBT的壓降可能高。然而，在圖8B的圓圈標註區域中，當MOSFET M3和IGBT Z3並聯時，可存在Ic電流和Vce電壓之間的比例關係，並且MOSFET M3在低電流區域中工作，這可提供相同電流Ic條件下的較低壓降。換言之，當MOSFET M3在低電流區域中工作時，由於當MOSFET導通時MOSFET等效於Ron，因此如圖8B圈形標註所示給出了比例關係，並且減少了壓降。由此，可提高開關裝置的效率。如圖8B所示，IGBT Z3可在高電流區域內(圈形標註區域的外部)工作。由於當IGBT Z3導通時IGBT Z3的電壓變成Vce，因此當電流增加時電壓維持在一恆定值。由於IGBT Z3在高電流區域工作，並且當脈衝放電電流流過時IGBT Z3的電壓變成電壓Vce，因此開關裝置的效率可進一步改善。結果，通過利用低電流區域中的MOSFET M3和高電流區域中的IGBT Z3，可提高開關裝置的效率。
可以不需要與IGBT並聯的二極體D1。當IGBT Z3與MOSFET M3並聯時，由於當MOSFET M3和IGBT Z3用作開關裝置時，MOSFET M3包括主體二極體並且傳導反向電流，因此二極體D1可以不是必須的。
圖9是表示根據本發明第三示範實施例的PDP的開關裝置的示意圖。圖9所示的開關裝置可解決根據本發明第一示範實施例的開關裝置的問題，其中由於正溫度係數特性而使得負載電流聚集在該裝置的一側。
如圖9所示，IGBT Z1的集電極和IGBT Z2的集電極分別和傳感器1和傳感器2耦接，並且IGBT Z1的柵極和IGBTZ2的柵極分別與補償器1和補償器2耦接。當開關裝置導通時，傳感器1和傳感器2測量電流，並且補償器1和補償器2補償施加給開關裝置的柵極電壓。電源V1代表施加至IGBTZ1和Z2的柵極用於導通和關斷IGBT Z1和Z2的電源。
傳感器1和2測量流過IGBT Z1和Z2的集電極的電流，並將該負載電流的測量值傳輸給補償器1和2。補償器1和2使用由傳感器1和2傳輸的負載電流以補償IGBT Z1和IGBT Z2的柵極驅動電壓，由此建立通過IGBT Z1和Z2的相等負載電流，並解決負載電流聚集在一側上的問題。當附加電流流過IGBT Z1時，補償器1通過減少施加至IGBT Z1的柵極的電壓而減少該電流。補償器1和補償器2可使用變壓器或信號放大器來調整柵極電源V1的電壓。
圖10表示根據本發明第一示範實施例的當IGBT Z1和Z2並聯時，沒有二極體D1的開關裝置的示意圖。這個結構可以允許消除用於驅動開關裝置的電路。
圖10A表示可用作具有並聯的MOSFET M1和M2的傳統開關的驅動電路的推挽式柵極驅動電路的示意圖。電源V2代表柵極驅動電源，而電源17V代表推挽式柵極驅動電路中電晶體Q1和Q2的偏壓電源。該推挽式柵極驅動電路對於驅動由並聯的MOSFETM1和M2形成的開關裝置是必須的。然而，如圖10B所示，根據本發明示範實施例的開關裝置可被導通和關斷，而無需推挽式柵極驅動電路。該IGBT形成有這樣的結構，其中柵極被絕緣並以與MOSFET類似的方式被劃分，並且當施加柵極驅動電壓V2時，電荷聚集到柵極。然而，由於IGBT的半導體晶片的尺寸可能小於MOSFET的半導體晶片的尺寸，因此將被充電至柵極的電荷Qq的數量可能小於將被充電至MOSFET的電荷數量。因此，由於可能需要減少數量的電荷Qq，因此通過使用柵極驅動電源V2可執行IGBT Z1和Z2的開關操作，而不用使用推挽式驅動電路。
由於在消耗很多功率的維持周期內非常頻繁地進行開關操作，因此最好將圖4和圖7所示的開關裝置用於給PDP的面板電容施加維持電壓。該維持電壓代表施加到維持電極X1-Xn的電壓與施加到掃描電極Y1-Yn的電壓之間的差，並且它可對應於在尋址周期中用於對選擇的單元進行放電的電壓。
圖11A和圖11B表示根據本發明示範實施例的用於施加維持電壓Vs的PDP的驅動設備。
如圖11A和圖11B所示，PDP的驅動設備包括用於電源恢復的電容Cr、開關S1、S2、S3和S4、電感器L、面板電容Cp、以及二極體D1和D2。用電壓Vs/2對電容Cr充電。用如本發明第一和第二示範實施例所示的並聯的多個IGBT或並聯的IGBT和MOSFET形成開關S1、S2、S3和S4。面板電容Cp的一端可對應於掃描電極或維持電極。當面板電容Cp的一端對應於尋址電極時，面板電容Cp的另一端(表示為0V)對應於維持電極，反之亦然。將用於在尋址周期內對選擇的單元進行放電的與面板電容Cp的兩端電壓對應的電壓施加到面板電容Cp的另一端，其上施加了維持電壓Vs。換言之，在維持放電周期期間，維持電壓Vs可交替施加到維持電極和掃描電極。在圖11A和11B中，為了方便，假設維持電壓Vs為地電壓0V。
開關S1通過使用LC共振而使面板電容Cp的端電壓增加至接近電壓Vs，並且開關S3將面板電容Cp的端電壓箝位至電壓Vs。開關S2通過使用LC共振使面板電容Cp的端電壓減少至接近於電壓0V，並且開關S4將面板電容Cp的端電壓箝位至電壓0V。當對面板電容進行LC充電/放電時，二極體D1和D2截取反向電流。在圖11A和圖11B中表示出用於執行能量恢復操作的PDP的驅動設備。然而，通過使用開關S3和S4而不使用其它，在維持周期中恰當地施加維持電壓Vs。
用於驅動PDP的傳統方法包括復位周期、尋址周期、和維持周期。圖11A和圖11B所示的電路可用於在維持周期中對放電單元進行維持放電，這可解決由於開關S1、S2、S3和S4的大量必需的開關操作的發熱和耐壓引起的問題。當PDP具有需要更高驅動電壓的增加壓力的Xe氣體時，該電路可增加PDP的效率。
本發明示範實施例的開關裝置也可用作在尋址周期內施加尋址電壓Va的電路中的開關裝置。尋址電壓Va表示施加給用於選擇放電單元的尋址電極的電壓。除了用尋址電壓Va代替維持電壓Vs外，用於施加尋址電壓Va的電路可和圖11A和圖11B所示的電路相同，並且面板電容Cp的一端可對應於尋址電極。由於施加尋址電壓Va需要大量的開關操作，因此在尋址周期中，也會發生發熱和耐壓的問題。因此，當增加Xe氣體的局部壓力時，可以更有效地使用本發明第一和第二示範實施例的開關裝置，這需要增加的驅動電壓。
如上所述，當用多於一個並聯的IGBT形成開關裝置時，可增加PDP的效率。由於可減少半導體的尺寸，因此可減少成本。當IGBT和MOSFET並聯時，MOSFET可用於低電流區域中的開關裝置，IGBT可用於高電流區域中的開關裝置。因此，這可避免當使用兩個IGBT時電流聚集在一側，並可提高效率。
本領域技術人員應明白，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可對本發明進行各種修改和變形。由此，本發明旨在覆蓋包括在所附權利要求及其等效物的範圍內的本發明的修改和變形。
權利要求
1.一種用於驅動等離子體顯示板的開關裝置，該等離子體顯示板具有多個尋址電極、成對安排的多個掃描電極和多個維持電極、以及位於多個尋址電極之間、以及多個掃描電極和多個維持電極之間的面板電容，該開關裝置包括第一絕緣柵雙極電晶體，用於通過施加到該第一絕緣柵雙極電晶體的柵極的電壓而執行導通或關斷操作；以及第二絕緣柵雙極電晶體，其與第一絕緣柵雙極電晶體並聯，用於通過施加到該第二絕緣柵雙極電晶體的柵極的電壓而執行導通或關斷操作。
2.如權利要求1所述的裝置，其中該PDP的開關裝置為面板電容提供維持電壓。
3.如權利要求1所述的裝置，其中該PDP的開關裝置為面板電容提供尋址電壓。
4.如權利要求1所述的裝置，進一步包括多個絕緣柵雙極電晶體，與第一絕緣柵雙極電晶體和第二絕緣柵雙極電晶體並聯。
5.如權利要求1所述的裝置，進一步包括二極體，與第一絕緣柵雙極電晶體和第二絕緣柵雙極電晶體並聯，其中該二極體流動在驅動該PDP時產生的反向電流。
6.如權利要求2所述的裝置，進一步包括第一傳感器，用於測量第一絕緣柵雙極電晶體的集電極電流；第一補償器，用於根據第一傳感器測量的集電極電流而控制施加到第一絕緣柵雙極電晶體的柵極的電壓；第二傳感器，用於測量第二絕緣柵雙極電晶體的集電極電流；和第二補償器，用於根據第二傳感器測量的集電極電流而控制施加到第二絕緣柵雙極電晶體的柵極的電壓。
7.一種用於驅動等離子體顯示板(PDP)的開關裝置，該等離子顯示板具有多個尋址電極、成對安排的多個掃描電極和多個維持電極、以及位於多個尋址電極之間、以及多個掃描電極和多個維持電極之間的面板電容，該開關裝置包括第一金屬氧化物半導體場效應電晶體，用於通過施加到該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體的柵極的電壓而執行導通或關斷操作；以及第一絕緣柵雙極電晶體，其與該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體並聯，用於通過施加到該第一絕緣柵雙極電晶體的柵極的電壓而執行導通或關斷操作。
8.如權利要求7所述的裝置，其中該PDP的開關裝置為面板電容提供維持電壓。
9.如權利要求7所述的裝置，其中該PDP的開關裝置為面板電容提供尋址電壓。
10.如權利要求7所述的裝置，進一步包括多個絕緣柵雙極電晶體，與第一金屬氧化物半導體場效應電晶體和第一絕緣柵雙極電晶體並聯。
11.如權利要求10所述的裝置，進一步包括多個金屬氧化物半導體場效應電晶體，與第一金屬氧化物半導體場效應電晶體和第一絕緣柵雙極電晶體並聯。
12.如權利要求7所述的裝置，其中該第一金屬氧化物半導體場效應電晶體在第一電流區域中工作，以允許當PDP工作時有第一電流流過，並且其中該第一絕緣柵雙極電晶體在第二電流區域中工作，以允許當PDP工作時有第二電流流過。
13.一種用於驅動等離子體顯示板的設備，其中由多個第一電極和多個第二電極形成放電空間，該設備包括第一開關，耦接在多個第一電極和提供第一電壓的第一電源之間；以及第二開關，耦接在多個第一電極和提供第二電壓的第二電源之間，其中第一開關和第二開關包括並聯連接的至少兩個絕緣柵雙極電晶體，並且其中第一電壓在維持周期內施加維持電壓，該維持電壓是第一電壓和第二電壓之間的電壓差。
14.如權利要求13所述的設備，其中該等離子體顯示板進一步包括與多個第一電極和多個第二電極正交形成的多個第三電極，該設備還包括第三開關，耦接在多個第三電極和提供第三電壓的第三電源之間，其中該第三開關包括並聯連接的至少兩個絕緣柵雙極電晶體，並且該第三電壓在尋址周期中將尋址電壓施加給所述多個第三電極。
15.一種用於驅動等離子體顯示板的設備，其中由多個第一電極和多個第二電極形成放電空間，該設備包括第一開關，耦接在多個第一電極和提供第一電壓的第一電源之間；第二開關，耦接在多個第一電極和提供第二電壓的第二電源之間，其中所述第一開關和第二開關包括並聯連接的金屬氧化物半導體場效應電晶體和絕緣柵雙極電晶體；以及其中第一電壓在維持周期內施加維持電壓，該維持電壓是第一電壓和第二電壓之間的電壓差。
16.如權利要求15所述的設備，其中該等離子體顯示板進一步包括與多個第一電極和多個第二電極正交形成的多個第三電極，該設備還包括第三開關，耦接在多個第三電極和提供第三電壓的第三電源之間，其中該第三開關包括並聯連接的金屬氧化物半導體場效應電晶體和絕緣柵雙極電晶體，並且其中該第三電壓在尋址周期中將尋址電壓施加給所述多個第三電極。
全文摘要
一種便於在高壓下操作的等離子體顯示板的開關裝置。該開關裝置可由並聯連接的至少一個絕緣柵雙極電晶體(IGBT)形成。該開關裝置還可以由並聯連接的絕緣柵雙極電晶體以及金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)形成。該MOSFET可用作低電流區域中的開關裝置，而IGBT可用作高電流區域中的開關裝置。
文檔編號G09G3/291GK1609934SQ200410100
公開日2005年4月27日 申請日期2004年10月18日 優先權日2003年10月16日
發明者李東映 申請人:三星Sdi株式會社