紅色螢光體和發光元件的製作方法
2023-05-26 14:16:41
紅色螢光體和發光元件的製作方法
【專利摘要】本發明為了提供改善了耐溼性的新的CaS:Eu系紅色螢光體，提出了在通式CaS:Eu表示的紅色螢光體中含有相對於CaS為0.001～1.00摩爾%的Ba而成的紅色螢光體。
【專利說明】紅色螢光體和發光元件
【技術領域】
[0001]本發明涉及紅色螢光體，詳細地說，涉及可用於白色LED光源、螢光顯示管(VFD)、電場放射型顯示器(FED)、電致發光(EL)等中的紅色螢光體；以及使用該紅色螢光體的發光元件。
【背景技術】
[0002]作為現有的紅色螢光體，出於化學穩定等理由，主要使用ZnCdS:Ag，Cl螢光體等。但是，從環境問題等出發，Cd的使用受到限制，要求開發出不含Cd的新的紅色螢光體，人們正在開發新的紅色螢光體。
[0003]例如，專利文獻I和專利文獻2中，公開了一種紅色螢光體，其通過含有硫化鈣作為母體；Eu作為發光中心(活化劑)；Mn、L1、Cl、Ce、Gd等作為敏化劑(共活化劑)而成。
[0004]並且，專利文獻3中，作為即使在低速電子激發下也能得到高的色純度以及良好的亮度和效率的紅色螢光體，公開了以通式(Ca，Sr)S:Eu，A，F..(I)、(Ca, Sr)S:Eu，Rb，F..(2)、或(Ca, Sr) S:Eu, A, Rb, F..(3)中的任一式表示的紅色螢光體(其中，上述式(I)~(3)中的A為選自Al、Ga、In中的至少一種，含有0.01~5摩爾％ ;Rb含有0.01~2摩爾%)。
[0005]專利文獻4中，公開了一種橙色螢光體，其被近紫外線至可見區域的光所激發，其特徵在於，其具有與Eu2SiS4相同的單斜晶系的結晶結構，由設Eu濃度為X時的通式(CaBa) ^xEuxSiS4 表不。
[0006]專利文獻5中，作為用於改善以硫化鍶、硫化鋇及硫化鈣等鹼土硫化物為基礎的紅色螢光體的耐溼性的方法，公開了通過在以低濃度含有反應性氟化物的醇等無水極性溶劑中分散紅色發光的螢光體顆粒來對顆粒實施透明的氟化物被覆的方法。
[0007]現有技術文獻
[0008]專利文獻
[0009]專利文獻1:日本特開2002-80845號公報
[0010]專利文獻2:日本特開2003-41250號公報
[0011]專利文獻3:日本特開2005-146190號公報
[0012]專利文獻4:日本特開2010-215728號公報
[0013]專利文獻5:日本特表2002-527570號公報
【發明內容】
[0014]發明所要解決的課題
[0015]上述專利文獻3所公開的CaS = Eu系紅色螢光體由於半峰寬窄、可顯示深紅色，因而非常適於例如背光源用螢光體等。但是，這種CaS:Eu系紅色螢光體易於與水反應，因此在大氣中保存或使用時，與大氣中的水分等反應而水解，出現螢光體劣化、發光強度降低的問題。因此，難以作為例如LED用螢光體進行實用化。[0016]另外，對於CaS等含硫的螢光體，該硫與水反應而產生硫化氫氣體，該硫化氫氣體特別是在用於白色LED元件的情況中，被指出了下述問題:其阻礙與螢光體混合的矽酮樹脂的固化，或者腐蝕用於提高引線框的反射率而實施的Ag鍍膜(下文中稱為「Ag反射膜」)等元件內部的金屬部件從而使其反射性能降低，或者導致斷線等電氣不良，等等。
[0017]因此，本發明的目的在於提供一種改善了耐溼性的新的CaS:Eu系紅色螢光體；進一步優選也可有效抑制硫化氫氣體的不良影響的新的CaS = Eu系紅色螢光體。
[0018]解決課題的手段
[0019]本發明提出了一種紅色螢光體，其是在通式CaS: Eu或通式(Cai_xSrx) S: Eu (式中0<x ^ I)表示的紅色螢光體中含有相對於CaS或(CapxSrx) S為0.001~1.00摩爾％的Ba而成的，換言之，其是在以CaS或(CahSrx) S (式中0〈x ^ I)為母體、Eu為發光中心(活化劑)的紅色螢光體中按照相對於CaS或(CahSrx) S以0.001~1.00摩爾％的濃度含有Ba的方式進行摻雜而成的。
[0020]本發明進一步提出了一種紅色螢光體，其具備在上述紅色螢光體顆粒表面存在金屬氧化物或含金屬氧化物的金屬氧化物層而成的構成。
[0021]發明效果
[0022]在CaS = Eu或(CapxSrx) S:Eu (式中0〈x含I)表示的紅色螢光體中摻雜了微量的Ba，結果表明可改善耐溼性。根據現有的螢光體的常識，通常摻雜10摩爾％左右的離子半徑不同的物質以調整顯色等。相對於此，如本發明，通過摻雜1.00摩爾％以下這樣極微量的Ba可改善耐溼性不僅不為人們所知，而且也無法預想。即，根據化學便覽(修訂4版)基礎編 2，記載了 BaS 和 CaS 的溶解度分別為 9.40g/100g 水(30°C )、1.98g/ldm3 水(30°C )，如該記載所示，BaS的溶解度遠高於CaS，具有易吸溼劣化的性質。因此，本領域技術人員在以現有的公知技術為基礎進行設計時，會認為摻雜了更容易吸溼的Ba的螢光體的耐溼性當然會劣化，因此，耐溼性得到改善這樣的本申請發明的效果完全在預料之外。
[0023]金屬氧化物具有化學吸附硫的特性，因此，金屬氧化物或金屬氧化物層存在於螢光體顆粒的表面時，即使產生例如CaS或(Ca，Sr) S的S (硫)、以及硫與空氣中的水分發生反應而產生硫化氫氣體，由於螢光體表面的金屬氧化物將其吸收，因此可有效抑制硫化氫氣體的不良影響。
[0024]如上所述，本發明提出的紅色螢光體改善了耐溼性，進一步優選硫化氫氣體的不良影響也得到有效抑制，因此，特別適合作為用於例如白色LED光源、螢光顯示管(VFD)、電場放射型顯示器(FED)、電致發光(EL)等中的紅色螢光體以及發光元件。
【具體實施方式】
[0025]以下對本發明的實施方式進行詳細說明。但是，本發明的範圍並不限定於以下說明的實施方式。
[0026]
[0027]本發明的第I實施方式的紅色螢光體(以下稱為「本紅色螢光體I」)是在以CaS或(Ca，Sr) S為母體、Eu為發光中心(活化劑)的紅色螢光體中按照相對於CaS或(Ca，Sr)S以0.001~1.00摩爾％的濃度含有Ba的方式進行摻雜而成的紅色螢光體。
[0028]本紅色螢光體I的母體可由CaS或(CapxSrx) S表示。[0029]在(CahSrx)S中，通過調整鍶的含量(X)，可調整最大發光波長(發光峰值波長)。即，由於CaS:Eu的最大發光波長為660nm、SrS:Eu的最大發光波長為610nm,因此可以通過調整鈣與銀的含有比例，在上述最大發光波長之間(610nm~660nm)任意控制發光波長。
[0030]鍶的含有比例(X)根據用途調整在大於0且為I以下的範圍即可，從例如視見度的方面出發，優選為0.5~1、特別是更優選為0.8~I。並且，從紅色純度的方面出發，優選為0~0.5、特別是更優選為0~0.2。
[0031]本紅色螢光體I的發光中心優選為2價的Eu2+。3價(Eu3+)的情況下，Eu不固溶在母體中，紅色亮度會降低。
[0032]Eu的含有比例相對於CaS或(Ca，Sr) S優選為0.01~5mol%，特別優選為0.05mol%以上或2mol%以下。
[0033]從耐溼性改善效果的方面出發，重要的是本紅色螢光體I中的Ba含量(濃度)相對於CaS或(Ca, Sr) S為0.001~1.00摩爾％。無論是少於0.001摩爾％時，還是多於1.00摩爾％時，都不能得到耐溼性改善效果。
[0034]從上述方面考慮，本紅色螢光體中的Ba含量(濃度)即使在上述範圍中也優選為0.002摩爾％以上或0.400摩爾％以下，其中更進一步優選為0.004摩爾％以上或0.300摩爾％以下。
[0035]需要說明的是，以往為了調整色調而添加Ba，如非專利文獻I (螢光體同學會編「螢光體手冊」0hmsha，昭和62年12月25日)的第137頁表2 ? 2 ? 167 ;專利文獻6 (日本特開2007-224148號公報)的第 [0009]段等所示，用於變化顏色的添加量至少為5mol左右、即5mol/%，因此，添加量完全不同，從耐溼性改善效果的方面出發來添加0.001~1.00摩爾％Ba在技術上的意義是不同的。
[0036]該專利文獻6中添加取代至晶格位點這麼多的Ba的目的在於，使成為了母相的螢光體的最大發光波長(發光峰值波長)發生位移。另一方面，若為本申請發明的Ba的添加量，則Ba原子侵入至螢光體的晶格內部，或存在於晶格之外，Ba沒有取代至螢光體的晶格位點，完全確認不到使螢光體的最大發光波長位移的效果。根據本申請發明可以認為，添加的Ba以BaSO4等化合物的形式存在於螢光體的表層。
[0037]本紅色螢光體I可以為粉體，也可以為成型體。粉體的情況下，從分散性的方面出發，根據雷射衍射散射式粒度分布測定法測定得到的體積基準粒度分布下的中心粒徑(D50)優選為0.1 ii m~100 ii m、更優選為I y m以上或50 y m以下、特別優選為2 y m以上或20iim以下。D50為0.1iim以上時，發光效率沒有降低的傾向，並且螢光體顆粒也不會凝集。另外，D50為100 ii m以下時,可維持分散性，防止塗布不均、分配器(dispenser)等的堵塞。
[0038]需要說明的是，本紅色螢光體I的中心粒徑(D50)由於可通過調整母體的原料、即Ca原料的粒度來進行調整，因此其根據用途進行調整即可。
[0039](製造方法)
[0040]下面說明本紅色螢光體I的優選製造方法的一例。但是，並非限定於下述說明的製造方法。
[0041]本紅色螢光體I如下得到:例如將Ca原料和Ba原料、或進一步將Sr原料分別稱量，混合上述原料，根據需要進行乾燥處理後，在硫化氫氣體氣氛中進行第I燒制，接著添加Eu原料，在還原氣氛中進行第2燒制，根據需要進行退火，從而得到本紅色螢光體I。
[0042]作為上述的Sr原料和Ca原料，除金屬單質外，還可以舉出它們各自的氧化物、硫化物、複合氧化物、碳酸鹽等，優選為硫化物。
[0043]作為Eu原料，可以舉出EuS、Eu2O3> Eu等的銪化合物(Eu鹽)。
[0044]作為Ba原料，可以舉出Ba的氧化物、硫化物、複合氧化物、碳酸鹽等，優選為硫化物。 [0045]原料的混合可以以乾式、溼式中的任一種進行。
[0046]乾式混合的情況下，其混合方法沒有特別限定，例如可以將氧化鋯球用於介質並利用塗料搖擺器、球磨機等進行混合(例如90分鐘左右)，根據需要進行乾燥，來得到原料混合物。
[0047]溼式混合的情況下，可以使用非水系溶劑將原料製成懸浮液的狀態，與上述同樣地將氧化鋯球用於介質並利用塗料搖擺器、球磨機等進行混合後，用篩等分離介質，通過減壓乾燥、真空乾燥等適宜的乾燥法來從懸浮液中除去溶劑，來得到乾燥原料混合物。
[0048]燒制前，可以根據需要對上述得到的原料混合物實施粉碎、分級、乾燥。但是可以不必一定實施粉碎、分級、乾燥。
[0049]另外，所得到的粉末可以根據需要進行成型。例如，可以在(p20mm、約620kg/cm2的條件下進行成型。
[0050]第I燒制優選在硫化氫氣體氣氛中於700~1100°C燒制I小時~24小時。
[0051]另一方面，第2燒制優選在還原性氣氛或非氧化性氣氛中於900~1300°C燒制I小時~24小時。
[0052]作為第2燒制的氣氛,可以米用気氣、氮氣、硫化氫氣體、含少量氫氣的氮氣氣氛、含一氧化碳的二氧化碳氣氛等還原氣氛。其中，優選在氬氣、氮氣等惰性氣體氣氛下燒制。
[0053]若第2燒制的溫度為900°C以上，則在原料中使用碳酸鹽的情況下，也能夠充分進行二氧化碳的分解，並且能充分得到Eu向CaS母體中的擴散效果。另一方面，若為1300°C以下，則不會引起異常粒生長，可得到均勻的微粒。並且，燒制時間為I小時以上時，可得到物質特性的再現性，為24小時以內時，可抑制物質飛散的增加，可抑制組成變動。
[0054]第I燒制或第2燒制後可以根據需要通過粉碎和分級來調整粒度。
[0055]而且，在燒制或粉碎後，可以根據需要進行退火(anneal)。此時，作為退火條件，優選在氬氣、氮氣等惰性氣體氣氛、氫氣氛、硫化氫氣氛、氧氣氛、空氣氣氛中於400~1300°C進行加熱。
[0056]〈第2實施方式>
[0057]本發明的第2實施方式的紅色螢光體(以下稱為「本紅色螢光體2」)是具備在上述本紅色螢光體I的顆粒表面存在金屬氧化物、或含金屬氧化物的金屬氧化物層而成的構成。
[0058](金屬氧化物)
[0059]作為上述的金屬氧化物，可以舉出例如矽、鎂、鋁、鋅、鈦、硼、鍶、鈣、鋇、錫、磷、釔、鋯、釓、銦、鑥、鑭等的氧化物。這些氧化物可以以結晶化的狀態存在，還可以以玻璃化的狀態存在。
[0060]這樣的金屬氧化物具有與硫化氫氣體反應的特徵；以及不吸收LED等光而不會對顏色產生影響、即為白色透明的特徵。
[0061]根據至此的各種試驗結果可知，上述的金屬氧化物若在含硫螢光體的表面以鋅氧化合物微粒等這樣的金屬氧化物微粒的形式存在，則可減輕硫化氫氣體的影響。此時，作為金屬氧化物顆粒連續連接而成的金屬氧化物層，確認到無需其覆蓋含硫螢光體的表面。因此，含硫突光體的表面可以存在未附著有金屬氧化物的部分。
[0062]但是，作為金屬氧化物顆粒連續連接而成的金屬氧化物層，當然也可以覆蓋含硫螢光體的表面，並且覆蓋含硫螢光體的表面是優選的方式。需要說明的是，這樣的金屬氧化物層可以含有該金屬氧化物顆粒以外的成分。
[0063]並且，優選金屬氧化物與螢光體的硫未化學鍵合。這是因為，若未化學鍵合，則會阻礙與硫化氫氣體的反應。因此，金屬氧化物物理附著在含硫螢光體的表面即可。
[0064]上述的金屬氧化物中，從與硫化氫氣體的反應性以及不吸收LED等光而不會對顏色產生影響的方面考慮，特別優選鋅氧化物、即含有Zn和0的鋅氧化合物。
[0065]關於鋅氧化合物，並非限定其具體的組成。可以舉出例如選自由ZnO、Zn(OH)2,ZnSO4 ? nH20(0きnき7)、ZnAl2O4和ZnGa2O4組成的組中的ー種或兩種以上的結晶性微粒，也可以為其它的組成。
[0066]進ー步還可以為硬脂酸鋅等有機酸鋅鹽。
[0067]金屬氧化物、特別是鋅氧化合物優選為SEM或TEM觀察下的平均粒徑為0.3 ii m以下的微粒、特別是更優選該平均粒徑為Inm以上、或IOOnm以下的微粒。平均粒徑若為
0.3 ii m以下，則鋅氧化合物顆粒不使由LED發出的光散射，不妨礙螢光體吸收由LED發出的光，因此優選平均粒徑為0.3 ·y m以下。另外，被覆鋅氧化合物的目的是為了吸附硫化氫氣體，因此，從該方面也可以說，優選鋅氧化合物的比表面積大，平均粒徑為IOOnm以下時是更進ー步優選的。
[0068]需要說明的是，SEM或TCM觀察下的平均粒徑是在任意10個視野中觀測到的任意100個顆粒的平均粒徑，顆粒具有長寬比的情況下，將長徑與短徑的平均值設為該顆粒的粒徑。
[0069]本紅色螢光體I與表面的金屬氧化物的質量比例優選為本紅色螢光體1:金屬氧化物=1:0.005~1:1。金屬氧化物的比例若在上述範圍內，則不僅能得到硫化氫氣體吸附效果，還不會妨礙螢光體吸收由LED發出的光並發光，可維持螢光體的發光效率。從上述方面考慮，進ー步特別優選為含硫突光體:金屬氧化物=1:0.01~1:0.5,其中，更進ー步特別優選為1:0.02~1:0.3。
[0070]作為使金屬氧化物存在於本紅色螢光體I的表面的製法，可以如下製作:將金屬氧化物粉末加到溶劑(例如こ醇)中進行超聲波分散，在其中添加本紅色螢光體I粉末並攪拌，然後使溶劑蒸發，從而使金屬氧化物附著並存在於含硫螢光體顆粒的表面。
[0071]另外，通過使用攪拌機等將本紅色螢光體I和金屬氧化物粉末進行乾式混合，也能夠使金屬氧化物附著並存在於本紅色螢光體I顆粒的表面。
[0072]需要說明的是，可以在使金屬氧化物附著於本紅色螢光體I顆粒的表面上之後進行燒制。但是，不必進行至少加熱至500°C以上的燒制。
[0073]另外，作為在本紅色螢光體I的表面形成金屬氧化物層的製法，可以舉出例如化學氣相反應法等方法。[0074](玻璃塗層)
[0075]本紅色螢光體2若進ー步具備含有玻璃組合物的玻璃層，則可進一步提高耐水性。
[0076]作為本紅色螢光體2具備玻璃層的形態，可以以例如在本紅色螢光體I的表面存在金屬氧化物並將該金屬氧化物被覆的方式具備玻璃層，並且也可以在本紅色螢光體I的表面形成玻璃層，在玻璃層的表面形成金屬氧化物層。進ー步，本紅色螢光體I具備的被覆層可以為3層以上，其任意ー個層可以為玻璃層，其它任意層可以為金屬氧化物層。
[0077]玻璃層含有玻璃組合物即可，作為該玻璃組合物，可以舉出例如Si02、B2O3-SiO2,Ma2O-MbO-B2O3-SiO2 (Ma為鹼金屬、Mb為鹼土金屬或Zn)等的組成的玻璃，並不限於這些。
[0078]作為玻璃層的塗布方法，例如，準備含有玻璃塗層的前體、水和溶劑的前體混合物，混合前體混合物和螢光體顆粒，誘導溶膠-凝膠反應，在本紅色螢光體I的表面塗布玻璃，接著，通過過濾，僅 分離得到形成有玻璃塗層的螢光體顆粒，然後將該螢光體顆粒乾燥和熱處理即可。
[0079]並且，也可以將本紅色螢光體I顆粒和玻璃組合物的粉末混合，以玻璃組合物的粉末熔融並包圍螢光體顆粒的方式對玻璃組合物的粉末與螢光體顆粒的混合物進行熱處理後，將該混合物進行冷卻。
[0080]此外，也可以採用通過化學氣相反應法來被覆螢光體顆粒的表面的方法、使金屬化合物的顆粒附著的方法等。
[0081]在維持螢光體的發光方面，更優選玻璃層為緻密且連續的。但是若為緻密且連續的玻璃層，則可以存在螢光體的表面的一部分未附著有玻璃層而使螢光體表面露出的部分。
[0082]需要說明的是，玻璃層僅ー層也可防止Ag反射膜的腐蝕，但也可以在紅色螢光體的表面形成與金屬氧化物層組合成的層。通過形成如此組合成的2層以上的結構，可進一步提高Ag反射膜的腐蝕抑制效果。
[0083]需要說明的是，是否具有本紅色螢光體1、2的組成，可通過使用螢光X射線分析裝置(XRF)、或用鹽酸等進行全溶解後使用ICP發光分析裝置等測定各元素量來進行判斷。
[0084]
[0085]本紅色螢光體1、2被紫外區域~可見光區域的波長(250nm~610nm左右)的光、特別是近紫外區域~藍色區域的波長(300nm~510nm左右)的光所激發，發出可見光區域的光、特別是紅色光。
[0086]對於本紅色螢光體1、2的發光光譜，在波長300nm~610nm左右的光激發下，在波長610nm~660區域具有發光峰。
[0087]
[0088]本紅色螢光體I和2通過配置在例如LED、雷射器或二極體等發光光源的附近而構成發光元件或裝置，可用於各種用途。以直接或通過粘著剤、接合劑來間接接觸的方式配置在例如LED上即可。
[0089]如此通過將本紅色螢光體I和2配置在LED的附近，除了例如照明裝置、特殊光源以外，還可用於液晶顯示裝置等圖像顯示裝置的背光源等。並且，通過在本紅色螢光體I和2的附近配置電場源、電子源，並配置在其附近，可用於EL、FED、CRT等顯示裝置。發光體的附近是指可接受該發光體發出的光的位置。
[0090]更具體地說，例如，可構成波長轉換型發光元件(其具備至少I個LED晶片和本紅色螢光體I或2，螢光體吸收由LED發出的光的至少一部分，得到由LED發出的光與由螢光體發出的光混合後的光)，可將該發光元件用作照明裝置、圖像顯示裝置的發光元件。
[0091]本紅色螢光體1、2如上所述被紫外區域~可見光區域的波長(250nm~610nm左右)的光所激發，發出可見光區域的光、特別是紅色光，因此，本紅色螢光體1、2通過利用該特性可用於太陽能發電裝置。
[0092]例如，可構成太陽能發電裝置，其具備:接受太陽光中的至少包含紫外區域的光或近紫外區域的光的光並發出可見光區域的光的本紅色螢光體1、2 ;和接受由該本紅色螢光體1、2發出的可見光區域的光井將其轉換為電信號的太陽能電池。
[0093]由單晶矽等構成的太陽能電池的情況下，若接受可見光區域的光則激發，但是通常該太陽能電池接受紫外區域的光或近紫外區域的光時不激發，因此，利用螢光體將紫外區域的光或近紫外區域的光轉換為可見光，並供給至太陽能電池，從而可提高發電效率。
[0094]由此，可構成例如具備濾光鏡；本紅色螢光體1、2 ;半導體熱電元件和太陽能電池的太陽能發電裝置，可通過如下方式構成太陽能發電裝置:利用濾光鏡將太陽光分光為紅外區域(例如1000nm以上)、可見光?近紅外區域(例如450~1000nm)、以及紫外?藍色區域(250~450nm)，該紅外區域的光照射至半導體熱電元件對其加熱，該紫外?藍色區域的光照射至本紅色螢光體1、2並轉換為可見光區域的光，與利用濾光鏡分光後的上述可見光區域的光一同照射至太陽能電池。
[0095]此時，紅色熒 光體塗布在聚光面和/或聚熱管上形成螢光體。
[0096]〈術語的說明〉
[0097]本發明中，「發光元件」是指，具備至少紅色螢光體等螢光體和作為其激發源的發光光源或電子源的、發出光的發光器件，「發光裝置」是指，發光元件中的至少具備螢光體和作為其激發源的發光光源或電子源的、比較大型的發出光的發光器件。元件或裝置內部中的螢光體的配置、激發源與螢光體的位置關係均不限於特定的配置、位置關係。螢光體是指將從激發源接受的光進行轉換而使用的發光器件。
[0098]本發明中，表達為「X~Y」(X、Y為任意數字)時，只要沒有特別說明，其包含「 X以上Y以下」的含義的同時，也包含「優選大於X」和「優選小於Y」的含義。
[0099]另外，本發明中，表達為「X以上」 (X為任意數字)時，只要沒有特別說明，包含「優選大於X」的含義，表達為「Y以下」(Y為任意數字)時，只要沒有特別說明，包含「優選小於Y 」的含義。
[0100]實施例
[0101]以下示出實施例，但本發明並非限定於這些實施例進行解釋。
[0102]
[0103]關於實施例和比較例中得到的螢光體粉末，如下測定外部量子效率。
[0104]使用分光螢光光度計FP-6500、積分球單元ISF_513(日本分光株式會社製造)，按照固體量子效率計算程序進行測定。需要說明的是，分光螢光光度計使用副標準光源和若丹明B進行校正。
[0105]激發光為466nm的情況下的螢光體的外部量子效率的計算式(式I)如下所示。[0106]式I
[0107]P1 ( A )為標準白板光譜、P2O)為試樣光譜、P3O)為間接激發試樣光譜。
[0108]將光譜P1ひ)被激發波長範圍451nm~481nm所圍起的面積L1作為激發強度。
[0109]
【權利要求】
1.一種紅色螢光體，其是在通式CaS:Eu表示的紅色螢光體中含有Ba而成的，相對於CaS, Ba為0.0Ol摩爾%~1.00摩爾％。
2.一種紅色螢光體，其是在通式(CahSrx) S表示的紅色螢光體中含有Ba而成的，相對於(CahSrx) S，Ba 為 0.001 摩爾 ％~1.00 摩爾 ％，通式(CahSrx)SmiCKx^ I。
3.如權利要求1或2所述的紅色螢光體，其中，所述紅色螢光體具備在螢光體顆粒表面存在金屬氧化物或含金屬氧化物的金屬氧化物層而成的構成。
4.如權利要求1或2所述的紅色螢光體，其中，所述紅色螢光體具備在螢光體顆粒表面存在鋅氧化合物或鋅氧化合物層而成的構成，所述鋅氧化合物含有Zn和O，所述鋅氧化合物層包含含有Zn和O的鋅氧化合物。
5.一種發光兀件，其具備: 產生激發光的光源、和 權利要求1~4的任一項所述的紅色螢光體。
6.一種發光兀件，其具備: 產生激發光的光源、 權利要求1~4的任一項所述的紅色螢光體、以及 藍色或綠色螢光體。·
7.一種太陽能發電裝置，其具備權利要求1~4的任一項所述的紅色螢光體和太陽能電池，所述紅色螢光體接受太陽光中的至少包含紫外區域的光或近紫外區域的光的光並發出可見光區域的光，所述太陽能電池接受由該紅色螢光體發出的可見光區域的光並將該可見光區域的光轉換為電信號。
8.如權利要求7所述的太陽能發電裝置，其中，該太陽能發電裝置具備在聚光面和/或聚熱管上塗布權利要求1~4的任一項所述的紅色螢光體而成的構成。
【文檔編號】H01L33/50GK103597054SQ201280026399
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年8月7日 優先權日:2011年8月11日
【發明者】篠倉明日香, 伊東純一, 稻村昌晃, 熊谷彰記, 清水春香 申請人:三井金屬礦業株式會社