一種模擬加法器及電流型升壓變壓器的製作方法
2023-05-26 02:04:11 2
專利名稱：一種模擬加法器及電流型升壓變壓器的製作方法
技術領域：
本申請涉及模擬加法器技術領域，特別是涉及一種模擬加法器及電流型升壓變壓器。
背景技術：
應用於電流型升壓變壓器中的模擬加法器，用於將失調電壓、補償斜波電壓、傳感電壓進行累加，請參見圖1，示出了傳統的模擬加法器的電路原理圖，如圖所示，P管 107-110，N管112-114，以及偏置電流源104、電阻115和116構成的跨導運算放大器，電阻 115的一端作為跨導運算放大器的反相輸入端，且該反相輸入端接地；電阻116的一端作為該跨導運算放大器的同相輸入端，且該同相輸入端輸入傳感電壓VSN，P管110上的電流為跨導運算放大器的輸出電流，P管111上電流即跨導運算放大器的輸出的電流，該電流為 VSN/R115 ；P管111和N管114為該跨導運算放大器的反饋迴路，將該跨導運算放大器的輸出電流經電阻R115反饋至跨導運算放大器的反相輸入端；電流源105為最小失調電流，失調電壓為1105 X Rl 18 ；電流源1106為補償斜波電流，補償斜波電壓為1106 X (R117+R118)，該模擬加法器輸出的電壓VADD具體為VADD = (VSN/R115) X Rl 18+1105 X Rl 18+1106 X (R117+R118)(式 1)假設一個周期的時間為T，佔空比為D，在0彡t彡DT的時間內，傳感電壓VSN(t) ={IL,minXRSN+(VIN/L) XRsnX t} Xu(t)，其中，Lmin指的是峰值電感電流的最小值。當電流型升壓變壓器工作在CCM(Continuous Conduction Mode，連續導通狀態)工作模式下時，Iumin是大於0的值；當電流型升壓變壓器工作在DCM(Discontinuous Conduction Mode，非連續導通狀態)工作模式下時，L min等於0 ；當電流型升壓變壓器工作在臨界工作模式或者DCM工作模式時，傳感電壓VSN可以簡化為VSN(t) = (VIN/ L) *RSN*t*u (t)，0 彡 t 彡 DT，當 t = 0 時，VSN(O) = 0。對於圖1所示的模擬加法器，P管108和109對稱，N管112和113對稱，電阻R115 和116相等，當輸入的傳感電壓VSN為0時，流過N管114上的電流為0，即N管114處於截止區，當VSN增大時，N管114從截止區過渡到亞閾值區，最終到飽和區，由於當N管114從截至區過渡到亞閾值區時，流過114上的電流很小，跨導也很小，是一個接近或略大於0的值，其開環增益AD。,。pm 0帶寬 0，即當輸入的傳感電壓VSN很小時，該模擬加法器的輸出電流不能很好地跟隨輸入信號變化，換言之，傳統的模擬加法器的響應速度慢，匹配性差， 不能很好地應用於電流負載頻繁開關的電流型升壓變壓器中，也不能很好地應用於工作在 CCM、臨界工作模式或DCM三種工作模式下的電流型升壓變壓器中。
發明內容
為解決上述技術問題，本申請實施例提供一種模擬加法器及電流型升壓變壓器， 以實現在不改變模擬加法器的匹配特性的前提下，提高響應速度，技術方案如下一種模擬加法器，包括跨導運算放大器、失調電流源、補償斜波電流源、第一輸出電阻和第二輸出電阻，其中跨導運算放大器的反相輸入端接地，同相輸入端為該模擬加法器的輸入端，輸出端經過第一 MOS管連接至所述第二輸出電阻的高電位端，所述第二輸出電阻的另一端接地；失調電流源與所述跨導運算放大器的輸出級中的第五MOS管的柵極相連；補償斜波電流源通過第一輸出電阻與所述第二輸出電阻高電位端相連，且所述第一輸出電阻的高電位端為該模擬加法器的輸出端。優選的，所述跨導運算放大器包括第一共源共柵偏置單元、與所述輸出級連接的輸入級，以及反饋迴路，其中所述第一共源共柵偏置單元與所述輸入級的MOS管相連，用於為所述輸入級的 MOS管提供偏置電流；所述輸入級包括第二 MOS管、第三MOS管、連接在所述第二 MOS管源極的反饋電阻，以及連接在所述第三MOS管源極的第二輸入電阻，構成的鏡像電流源；所述輸出級還包括與所述第五MOS管串聯連接的第四MOS管，其中，所述第五 MOS管的漏極連接第四MOS管，所述第五MOS管的柵極與所述第三MOS管的漏極相連，且該第五MOS管的柵極連接所述失調電流源；所述反饋迴路包括所述第一 MOS管和第五MOS管，所述第一 MOS管的柵極連接所述第五MOS管的漏極，所述第五MOS管的源極連接至所述反饋電阻的高電位端。優選的，所述第一共源共柵偏置單元包括偏置電流源、第六MOS管、第七MOS管、 第八MOS管，其中所述第六MOS管的源極連接直流正電源，漏極連接所述偏置電流源的負輸出端， 所述偏置電流源的正輸出端接地；所述第七MOS管的柵極連接所述第六MOS管的柵極，所述第七MOS管的源極連接所述直流正電源，所述第七MOS管的漏極連接所述第二 MOS管的漏極；所述第八MOS管的柵極連接所述第六MOS管的柵極，所述第八MOS管的源極連接所述直流正電源，所述第八MOS管的漏極連接所述第三MOS管的漏極。優選的，所述輸出級中的第四MOS管的源極連接直流正電源，所述第四MOS管的柵極連接該第四MOS管的漏極，該第四MOS管的漏極連接所述第五MOS管的漏極，所述第五 MOS管的源極連接所述反饋電阻的高電位端，所述第五MOS管的柵極連接所述第三MOS管的漏極，且該第五MOS管的柵極與所述失調電流源相連。優選的，所述第一 MOS管的柵極連接所述第四MOS管的柵極，所述第一 MOS管的源極連接直流正電源，所述第一 MOS管的漏極連接所述第二輸出電阻的高電位端。優選的，上述的模擬加法器，還包括連接在所述第一共源共柵偏置單元和所述輸入級之間的第二共源共柵偏置單元， 其中所述第二共源共柵偏置單元包括第九MOS管、第十MOS管、第十一 MOS管，以及第二偏置電流源，其中所述第九MOS管的柵極和漏極連接，且該漏極連接所述第二偏置電源；所述第十MOS管串接在所述第七MOS管和第二 MOS管之間，且所述第十MOS管的柵極與所述第九MOS管的柵極連接；所述第i^一 MOS管串接所述第八MOS管和第三MOS管之間，且所述第i^一 MOS管的柵極與所述第九MOS管的柵連接。優選的，所述第二 MOS管、所述第三MOS管及所述第五MOS管為NMOS管；優選的，所述第一 MOS管、所述第四MOS管、所述第六MOS管、所述第七MOS管、所述第八MOS管、所述第九MOS管、所述第十MOS管和所述第i^一 MOS管為PMOS管。本申請實施例還提供一種電流型升壓變壓器工作在CCM臨界工作模式或DCM三種工作模式時，減小失真優化性能，技術方案如下一種電流型升壓變壓器，包括誤差放大器、脈衝寬度調製PWM比較器、PWM控制電路和開關管，其特徵在於，還包括權利要求1-6任一項所述的模擬加法器，該模擬加法器的傳感電壓輸入端連接至所述開關管的源極，該模擬加法器的輸出端連接至所述PWM比較器的同相輸入端。由以上本申請實施例提供的技術方案可見，該模擬加法器將失調電流源連接在跨導運算放大器的輸入級和輸出級之間，由於輸入級中的兩個MOS管的特性匹配，流過此兩管的電流相同，又由於所述失調電流源流過所述兩個MOS管的一隻MOS管，輸出級的MOS管上的電流作為反饋電流流過另一隻MOS管，而且輸入級的兩隻MOS管的偏置電流相等，則失調電流源的電流與輸出級中的第五MOS管上電流相等，即失調電流源上的電流信號反映到所述輸出級的第五MOS管上，因此，當傳感電壓VSN輸入為0時，流過輸出級的電流為失調電流源的輸出的電流，從而能夠使輸出級的MOS管工作在飽和區，進而使模擬加法器中的MOS管都工作在飽和區，在輸入的傳感電壓VSN在0附近時，使得該模擬加法器的輸出信號能夠很好的跟隨輸入的傳感電壓變化而變化，即提高了該模擬加法器的響應速度，尤其適用於電流負載頻繁開關的電流型升壓變壓器中，以及有可能工作在CCM、臨界工作模式或 DCM三種模式下的電流型升壓變壓器中。
為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下， 還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為傳統的模擬加法器的電路原理示意圖；圖2為本申請實施例一種模擬加法器的電路原理框圖；圖3為本申請實施例一種模擬加法器的電路結構示意圖；圖4為本申請實施例模擬加法器的輸入輸出波形示意圖；圖5為本申請實施例一種電流型升壓變壓器的電路原理圖。
具體實施例方式為了使本技術領域的人員更好地理解本申請中的技術方案，下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬於本申請保護的範圍。請參見圖2，示出了本申請實施例一種模擬加法器的電路原理示意圖，該模擬加法器主要包括跨導運算放大器100、失調電流源121、補償斜波電流源122、第一 MOS管Ml、第一輸出電阻R1、第二輸出電阻R2，其中跨導運算放大器100包括輸入級和輸出級，具體的，輸入級的同相輸入端作為該模擬加法器的輸入端，輸入有所述傳感電壓VSN，反相輸入端接地，其中，電阻R103和電阻 R104的作用是限流，防止跨導運算放大器100的輸入的電流過大。MOS管105和MOS管106為該跨導運算放大器100的輸出級，且MOS管106的柵極連接至第一 MOS管Ml的柵極，該跨導運算放大器100的輸出電流經過MOS管105和MOS 管106傳遞至第一 MOS管Ml。同時MOS管106的源極連接至該跨導運算放大器的反相輸入端，形成反饋迴路，從而保證跨導運算放大器100正常工作。第一 MOS管Ml的漏極通過第二輸出電阻R2接地，第一 MOS管Ml的源極連接直流正電源VDD。補償斜波電流源122通過第一輸出電阻Rl連接至所述第二輸出電阻R2的高電位端，且第一輸出電阻Rl的高電位端為該模擬加法器的輸出端。失調電流源121與跨導運算放大器的輸入級和輸出級之間，具體的，連接在所述輸出級的MOS管106的柵極，此時，跨導運算放大器100的輸出級的MOS管上流過的電流等於失調電流源上的電流。本實施例提供的模擬加法器，將失調電流源連接在跨導運算放大器的輸入級和輸出級之間，由於輸入級中的兩個MOS管的特性匹配，流過此兩MOS管的電流相同，又由於所述失調電流源流過所述兩個MOS管的一隻MOS管，輸出級的MOS管上的電流作為反饋電流流過另一隻MOS管，而且輸入級的兩隻MOS管的偏置電流相等，則失調電流源的電流與輸出級的MOS管上電流相等，即失調電流源上的電流信號反映到所述輸出級的MOS管上，因此， 當傳感電壓VSN輸入為0時，流過輸出級的電流為失調電流源的輸出的電流，從而，能夠使輸出級的MOS管工作在飽和區，進而使模擬加法器中的MOS管都工作在飽和區，在輸入的傳感電壓VSN在0附近時，使得該模擬加法器的輸出信號能夠很好的跟隨輸入的傳感電壓變化而變化，即提高了該模擬加法器的響應速度，尤其適用於電流負載頻繁開關的電流型升壓變壓器中，以及有可能工作在CCM、臨界工作模式或DCM三種模式下的電流型升壓變壓器中。請參見圖3，示出了本申請實施例提供的模擬加法器的具體電路示意圖，是圖2 對應實施例的一種具體的實施方式，該模擬加法器包括跨導運算放大器100、失調電流源 121，補償斜波電流源122，第一輸出電阻Rl和第二輸出電阻R2，第一 MOS管M1，其中，所述補償斜波電流源122，是從0開始以一定斜率上升，直到PWM控制電路輸出的控制信號為低電平，開關管Ml截止，所述的一定斜率與電感L上的電流下降斜率，OSC時鐘信號的周期等有關；然後，補償斜波電流源122降為0。跨導運算放大器100的作用是將同相輸入端輸入的電壓信號即傳感電壓VSN，轉換為電流信號輸出，所述跨導運算放大器100包括輸入級、輸出級、反饋迴路及第一共源共柵偏置單元110。跨導運算放大器輸出的電流與所述失調電流源121以及補償斜波電流源122在第
7二輸出電阻R2上產生的電壓疊加，從而得到該模擬加法器的輸出信號。所述第一共源共柵偏置單元110包括第一偏置電流源111，第六MOS管112、第七 MOS管113和第八MOS管114，其中所述第一偏置電流源111通過第七MOS管113為第二 MOS管101提供偏置電流， 同時，第一偏置電流源111通過第八MOS管114為第三MOS管102提供偏置電流，從而保證第二 MOS管101和第三MOS管102的工作在飽和區。具體的，第一偏置電流源111 一端接地，另一端連接至所述第六MOS管112的漏極，同時，第六MOS管112的漏極連接至該第六MOS管112的柵極，第六MOS管112的柵極連接至所述第七MOS管113的柵極，第七MOS管113的漏極連接所述第二 MOS管101的漏極，第七MOS管113的源極連接直流正電源VDD ；第八MOS管114的柵極連接第六MOS管112 的柵極，第八MOS管114的源極連接直流正電源VDD，第八MOS管114的漏極連接所述第三 MOS管102的漏極。所述輸入級包括第二 MOS管101、第三MOS管102、反饋電阻R103、第二輸入電阻 R104。具體的，第二 MOS管101的漏極與柵極相連，同時，第二 MOS管101的漏極與第七 MOS管113的漏極相連，第二 MOS管101的源極作為該跨導運算放大器的反相輸入端，通過反饋電阻R103接地；第三MOS管102的漏極與柵極相連，同時該第三MOS管102的漏極與第八MOS管 114的漏極相連，第三MOS管102的源極作為該跨導運算放大器的同相輸入端，通過第二輸入電阻R104輸入有所述傳感電壓VSN。所述輸出級包括串聯連接的第四MOS管105和第五MOS管106，具體的，第四MOS 管105的柵極連接該第四MOS管105的漏極，第四MOS管105的源極連接直流正電源VDD， 第四MOS管105的漏極連接所述第五MOS管106的漏極，所述第五MOS管106的源極連接所述第二 MOS管101和反饋電阻R103的公共端，第五MOS管106的柵極連接所述第三MOS 管102的漏極，同時所述失調電流源121連接至第五MOS管106的柵極，第四MOS管105和第五MOS管106上流過的電流相等，且為該跨導運算放大器的輸出電流，第四MOS管105上的電流通過電阻R103反饋至該跨導運算放大器的反相輸入端，形成一個閉環系統。當傳感電壓VSN為0時，流過第五MOS管106的電流為失調電流源121的電流；當傳感電壓VSN為大於0的電壓信號時，跨導運算放大器輸出電流即第五MOS管106上流過的電流為 IDa。6 = I121+VSN/R104o在傳感電壓VSN為0時，合理設置第一偏置電流源111，而且對第五MOS管106選取合適的寬長比，這樣能夠保證跨導運算放大器中的所有的MOS管都工作在飽和區。跨導運算放大器的輸出端連接至第一 MOS管Ml的柵極，該第一 MOS管Ml的源極連接直流正電源VDD，漏極連接第二輸出電阻R2的高電位端，第二輸出電阻R2的另一端接地，補償斜波電流源122通過第一輸出電阻Rl連接至第二輸出電阻R2的高電位端，則補償斜波電壓為122 X (R1+R2)。第一輸出電阻Rl的高電位端即該模擬加法器的輸出端VADD，假設第四M0S105管與第一MOS管Ml的寬長比均為1 1，在電流負載頻繁開關的電流型升壓變壓器中，補償斜波電流源122從0開始遞增，故假設補償斜波電流源122為0，則該模擬加法器輸出的電壓為VADD = (VSN/R104+I121) XR2+I122X (R1+R2) = (VSN/R104+I121) XR2。請參見圖4所示的本實施例對應的模擬加法器的輸入輸出波形示意圖，圖中的 VSN即輸入信號VSN對應的波形，VADD即輸出信號VADD對應的波形。在電流型升壓變壓器工作在臨界工作模式時，補償斜波電流源122為0，且失調電流源121與第一偏置電流源111相等，反饋電阻R103、第二輸入電阻R104以及第二輸出電阻R2的阻值均相等，即R103 = R104 = R2。模擬加法器的輸入信號VSN，在500ns內從OmV 上升到50mV，在t = 0時刻，VADD = I121XR2,由此可知，模擬加法器的輸出信號VADD能夠很好的跟隨輸入信號VSN變化。而且，在輸入的傳感電壓VSN初值是0的階躍響應中，本實施例提供的模擬加法器的響應速度明顯快於現有的模擬加法器的階躍響應速度，因為，在輸入的傳感電壓VSN初始值附件，本實施例提供的模擬機發起的帶寬遠遠大於現有技術中模擬加法器的帶寬。需要說明的是，上述實施例中的所述第一 MOS管、所述第四MOS管、所述第六MOS 管、所述第七MOS管和所述第八MOS管均為PMOS管。綜上可知，本實施例提供的模擬加法器，通過將失調電流源連接在跨導運算放大器的內部，從而可以使跨導運算放大器內所有的MOS管均工作在飽和區，從而提高了該模擬加法器的響應速度快，使得該模擬加法器能夠適用於電流負載頻繁開關的電流型升壓變壓器中，以及有可能工作在CCM、臨界工作模式或DCM三種模式下的電流型升壓變壓器中。優選的，參見圖3，本申請實施例提供的模擬加法器還包括第二共源共柵偏置單元130，作用是提高跨導運算放大器中的主要由第二 MOS管101和第三MOS管102組成的鏡像電流源的輸出阻抗，以便於後續採用公式計算分析該模擬加法器的性能。該單元主要包括第九MOS管131、第十MOS管132、第i^一 MOS管133，以及第二偏置電流源134，其中所述第九MOS管131的柵極和漏極連接，且該漏極連接所述第二偏置電源134，源極連接直流正電源VDD。所述第十MOS管132串接在所述第七MOS管113和第二 MOS管101之間，第十MOS 管132的源極連接所述第七MOS管113的漏極，第十MOS管132的漏極連接所述第二 MOS 管101的漏極，且該第十MOS管132的柵極與所述第九MOS管131的柵極連接；所述第i^一 MOS管133串接所述第八MOS管和第三MOS管之間，第i^一 MOS管133 的源極連接所述第八MOS管114的漏極，第十一 MOS管133的漏極連接所述第三MOS管102 的漏極，且該第十一 MOS管133的柵極與所述第九MOS管131的柵連接。電容135表示a點的寄生電容的總和，其值為Cp 。跨導運算放大器100的輸出是第四MOS管105上的電流信號，通過反饋電阻R103 反饋到跨導運算放大器100的反相輸入端，形成一個電壓輸入，電流輸出的閉環系統。為了運算方便，把所述閉環系統的輸入信號看作是輸出電流流過反饋電阻R103 上的電壓值，這樣就是一個電壓輸入，電壓輸出的系統。對於電壓輸入電壓輸出的系統而言，主極點位置不變，開環增益等於跨導運算放大器100的開環輸出跨導與反饋電阻R103 的乘積。假設所述第一共源共柵偏置單元和第二共源共柵單元的輸出阻抗遠遠大於從第三MOS管102管的漏端看進去的阻抗，即從a點看進去的阻抗，而且所述輸出阻抗與所述從 a點看進去的阻抗並聯，則在計算分析從點a看進去的輸出阻抗時可以忽略所述輸出阻抗的影響。該跨導運算放大器的開環增益為
權利要求
1.一種模擬加法器，其特徵在於，包括跨導運算放大器、失調電流源、補償斜波電流源、第一輸出電阻和第二輸出電阻，其中跨導運算放大器的反相輸入端接地，同相輸入端為該模擬加法器的輸入端，輸出端經過第一 MOS管連接至所述第二輸出電阻的高電位端，所述第二輸出電阻的另一端接地；失調電流源與所述跨導運算放大器的輸出級中的第五MOS管的柵極相連；補償斜波電流源通過第一輸出電阻與所述第二輸出電阻高電位端相連，且所述第一輸出電阻的高電位端為該模擬加法器的輸出端。
2.根據權利要求1所述的模擬加法器，其特徵在於，所述跨導運算放大器包括第一共源共柵偏置單元、與所述輸出級連接的輸入級，以及反饋迴路，其中所述第一共源共柵偏置單元與所述輸入級的MOS管相連，用於為所述輸入級的MOS管提供偏置電流；所述輸入級包括第二MOS管、第三MOS管、連接在所述第二MOS管源極的反饋電阻，以及連接在所述第三MOS管源極的第二輸入電阻，構成的鏡像電流源；所述輸出級還包括與所述第五MOS管串聯連接的第四MOS管，其中，所述第五MOS管的漏極連接第四MOS管，所述第五MOS管的柵極與所述第三MOS管的漏極相連，且該第五 MOS管的柵極連接所述失調電流源；所述反饋迴路包括所述第一 MOS管和第五MOS管，所述第一 MOS管的柵極連接所述第五MOS管的漏極，所述第五MOS管的源極連接至所述反饋電阻的高電位端。
3.根據權利要求2所述的模擬加法器，其特徵在於，所述第一共源共柵偏置單元包括 偏置電流源、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管，其中所述第六MOS管的源極連接直流正電源，漏極連接所述偏置電流源的負輸出端，所述偏置電流源的正輸出端接地；所述第七MOS管的柵極連接所述第六MOS管的柵極，所述第七MOS管的源極連接所述直流正電源，所述第七MOS管的漏極連接所述第二 MOS管的漏極；所述第八MOS管的柵極連接所述第六MOS管的柵極，所述第八MOS管的源極連接所述直流正電源，所述第八MOS管的漏極連接所述第三MOS管的漏極。
4.根據權利要求3所述的模擬加法器，其特徵在於所述輸出級中的第四MOS管的源極連接直流正電源，所述第四MOS管的柵極連接該第四MOS管的漏極，該第四MOS管的漏極連接所述第五MOS管的漏極，所述第五MOS管的源極連接所述反饋電阻的高電位端，所述第五MOS管的柵極連接所述第三MOS管的漏極，且該第五MOS管的柵極與所述失調電流源相連。
5.根據權利要求4所述的模擬加法器，其特徵在於，所述第一MOS管的柵極連接所述第四MOS管的柵極，所述第一 MOS管的源極連接直流正電源，所述第一 MOS管的漏極連接所述第二輸出電阻的高電位端。
6.根據權利要求5所述的模擬加法器，其特徵在於，還包括連接在所述第一共源共柵偏置單元和所述輸入級之間的第二共源共柵偏置單元，其中所述第二共源共柵偏置單元包括第九MOS管、第十MOS管、第十一 MOS管，以及第二偏置電流源，其中所述第九MOS管的柵極和漏極連接，且該漏極連接所述第二偏置電源；所述第十MOS管串接在所述第七MOS管和第二 MOS管之間，且所述第十MOS管的柵極與所述第九MOS管的柵極連接；所述第十一 MOS管串接所述第八MOS管和第三MOS管之間，且所述第十一 MOS管的柵極與所述第九MOS管的柵連接。
7.根據權利要求6所述的模擬加法器，其特徵在於，所述第二MOS管、所述第三MOS管及所述第五MOS管為NMOS管。
8.根據權利要求6所述的模擬加法器，其特徵在於，所述第一MOS管、所述第四MOS管、 所述第六MOS管、所述第七MOS管、所述第八MOS管、所述第九MOS管、所述第十MOS管和所述第i^一 MOS管為PMOS管。
9.一種電流型升壓變壓器，包括誤差放大器、脈衝寬度調製PWM比較器、PWM控制電路和開關管，其特徵在於，還包括權利要求1-8任一項所述的模擬加法器，該模擬加法器的傳感電壓輸入端連接至所述開關管的源極，該模擬加法器的輸出端連接至所述PWM比較器的同相輸入端。
全文摘要
本申請公開了一種模擬加法器及電流型升壓變壓器，該模擬加法器包括跨導運算放大器、失調電流源、補償斜波電流源、第一輸出電阻和第二輸出電阻，其中失調電流源與跨導運算放大器的輸出級的MOS管柵極相連。失調電流源的電流反映在跨導運算放大器的輸出級中的第五MOS管上，在傳感電壓VSN為0時，保證輸出級的MOS管工作在飽和區使模擬加法器中的MOS管都工作在飽和區，在輸入的傳感電壓VSN在0附近時，使得該模擬加法器的輸出信號，能夠很好的跟隨輸入的傳感電壓變化而變化，提高了模擬加法器的響應速度，尤其適用於電流負載頻繁開關的電流型升壓變壓器中，以及工作在CCM、臨界工作模式或DCM三種模式下的電流型升壓變壓器中。
文檔編號H02M3/157GK102231100SQ201110183130
公開日2011年11月2日 申請日期2011年6月30日 優先權日2011年6月30日
發明者孫建波, 張錚棟, 朱穎, 章莉 申請人:上海新進半導體製造有限公司