有機電致發光元件、導電層疊體和顯示裝置的製作方法

2024-03-09 19:00:15

專利名稱：：有機電致發光元件、導電層疊體和顯示裝置的製作方法
技術領域：
：本發明涉及有機電致發光(EL)元件、導電層疊體、導電層疊體的製造方法、有機電致發光元件用電極基板和顯示裝置。
背景技術：
：有機EL元件是由陽極、陰極、在兩者之間保持的發光層構成。在發光層中包括通過由陽極提供的空穴和從陰極提供的電子的複合而發光的發光介質層。通常，為了促進由陽極提供的空穴的注入，空穴注入層或空穴輸送層被設置在陽極和發光介質層之間。另外，為了促進由陰極提供的電子的注入，電子注入層或電子輸送層被設置在陰極和發光介質層之間。為了將電荷有效地注入到發光層中，陽極和陰極比較重要，對其構成材料的研究非常盛行。關於空穴注入電極(陽極)，通常所使用的ITO(摻雜了錫的氧化銦)的功函數為4.65.0eV，以TPD(三苯基二胺)為代表的多種空穴輸送材料的電離電勢較大，為5.6eV。為此，當從ITO向TPD中注入空穴時，存在0.41.0eV的能量壘。因此，為了促進從陽極向空穴注入層的空穴注入，提高陽極表面的功函數的方法是有效的。作為提高ITO的功函數的方法，提出了使ITO表面富含氧的方法。例如，在特開平8—167479號公報中，公開了在室溫下制膜ITO之後在氧化性氣氛下加熱或者氧等離子照射的方法，4.65.0eV的功函數上升至5.16.0eV。另外，在特開2000—68073號公報中，公開了通過在ITO表面側使濺射氣氛氣體的組成富含氧而將功函數增加至5.06.0eV的透明電極。4但是，這些方法存在隨著時間的經過功函數降低的難點。因此，為了防止因在空氣中放置導致的功函數減少，在特幵2001—284060號公報中，公開了在ITO制膜後進行氧離子注入的方法。具體而言，使用通過高頻放電生成的氧等離子，在加速電壓5kV、15分鐘的條件下向ITO中進行離子注入，此時可以使其增加至5.2eV6.0eV。通過該方法，即使在注入氧離子60分鐘後放置於空氣中，也能保持較高的功函數6.0eV。但是，就該方法而言，產生高濃度的等離子，需要用於通過控制電極而將離子均勻地照射在基板上的裝置，並且不容易大面積地均勻照射氧離子，難以保證一定的質量。另一方面，在特開2001—043980號公報中，公幵了如果在陰極使用透明電極，陽極不需要為透明，材料的選擇範圍較寬。作為適合的材料，可以使用In—Zn—O、In—Sn—O、ZnO—Al、Zn—Sn—O等導電性氧化物，當然還可以使用Au、Pt、Ni、Pd等金屬，或者0203、Pr205、NiO、Mn205、Mn02等黑色的半導體氧化物。特別是該文獻中記載了如果使用Cr，即使功函數比較小即為4.5eV，也可以充分提供空穴，作為陽極材料較出色。但是，為了進一步提高空穴注入性，從原理上更優選功函數較高。艮P，如果能夠從陽極順利地將空穴注入到發光層中，能夠實現有機EL元件的驅動電壓的進一步低電壓化、以及通過低電壓驅動的有機EL元件的長壽命化。另一方面，關於有機EL元件的陰極，當從陰極側取出來自發光層的發光時，為了有效地取出到外部，要求陰極除了具有低電阻之外，還需要透明性高。為此，大多使用可見光區域的光線透過率等光學特性出色的銀(Ag)。例如，在特開2001—043980號公報中，公開了使用了由Mg—Ag合金構成的陰極的有機EL元件。但是，Ag是容易擴散(遷移migration)的金屬，因為在形成EL元件的發光層等中擴散，所以成為引起有機EL元件的劣化或短路等的原因。
發明內容本發明的目的在於，提供具有空穴注入性高的陽極、和/或不引起擴散等而穩定的陰極的有機EL元件和顯示裝置。如上所述，在特開2001—043980號公報中，公開了作為陽極，不使用功函數高的金屬(An、Pt、Ni、Pd等)，而能夠使用屬於功函數低的5族或6族的金屬(Cr、Mo、W、Ta、Pd等)。本發明人等發現，通過在這些屬於功函數低的5族或6族的金屬中加入從鑭、鈰、釹、釤、銪中選擇的至少一種以上的元素，在發揮5族、6族金屬特有的密接性或微細加工性的同時，使功函數升高，可以進一步提高空穴的注入效率(第一發明)。另外，還發現，以含有Ce的氧化物燒結體為靶，在特定的條件下、即在氧分壓為0.1Pa以下的濺射氣氛中，如果進行濺射，可以得到功函數大且空穴注入效率大的導電層疊體(第二發明)。進而，還發現，關於陰極，當在陰極層組合使用兩種金屬，且這些金屬的標準氧化還原電位滿足一定的關係時，可以抑制元件內的金屬原子的擴散(第三發明)。通過本發明，提供以下的有機EL元件、導電層疊體、導電層疊體的製造方法、有機電致發光元件用電極基板和顯示裝置。1.一種有機電致發光元件，由陰極、陽極、以及在上述陰極和陽極之間存在的發光層構成，上述陽極的至少與上述發光層接觸的部分含有從鑭、鈰、釹、釤、銪中選擇的至少一種以上的元素，和從鉻、鎢、鉭、鈮、銀、鈀、銅、鎳、鈷、鉬、鉑、矽中選擇的至少一種以上的元素。2.在上述1記載的有機電致發光元件中，從上述鑭、鈰、釹、釤、銪中選擇的至少一種以上的元素的總計濃度為0.150wt%。3.在上述1或者2記載的有機電致發光元件中，上述陽極的至少與發光層接觸的部分含有鈰。4.在上述13記載的任意有機電致發光元件中，上述陽極的至少與發光層接觸的部分的功函數為5.0eV以上。5.—種導電層疊體，具有電絕緣性的透明基材、在上述透明基材上形成的透明導電膜；上述透明導電膜包含至少含有鈰(Ce)的氧化物，在採用X射線光電子分光法對上述透明導電膜的表面的位於鈰3d軌道的電子的結合能進行測定而得到的曲線圖中，當將上述結合能為877eV922eV之間的總峰面積設為SA，將上述結合能為914eV920eV之間的總峰面積設為SB時，作為上述SA和上述SB的面積比的SB/SA的值滿足下述式(1)。SB/SA<0.13(1)6.在上述5記載的導電層疊體中，上述透明導電膜含有從由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、鎵(Ga)構成的金屬元素組中選擇的至少一種金屬元素，和鈰(Ce)以及氧(0)。7.—種導電層疊體的製造方法，是製造上述5或者6記載的導電層疊體的方法，上述透明導電膜通過濺射法形成，使濺射氣氛中的氧分壓為O.lPa以下。8.—種有機電致發光元件用電極基板，包括上述57中任意一項記載的導電層疊體、和在上述導電層疊體上設置的金屬導體，上述透明導電膜驅動有機電致發光層。9.一種有機龜致發光元件，包括上述8記載的有機電致發光元件用電極基板、在上述有機電致發光元件用電極基板上設置的有機電致發光層。10.—種有機電致發光元件，包括上述57任意一項記載的導電層疊體、和在上述導電層疊體上設置的有機電致發光層。11.一種有機電致發光元件，按順序至少層疊有陽極層、有機發光層和陰極層，上述陰極層至少含有第一金屬和第二金屬，上述第一金屬的25。C下的標準氧化還原電位(E(A))為一1.7(V)以上，上述第二金屬的25"下的標準氧化還原電位(E(B))滿足下述式(2)。E(A)—1.1^E(B)(2)12.—種有機電致發光元件，按順序至少層疊有陽極層、有機發光層、陰極層和透明導電層，上述陰極層至少含有第一金屬和第二金屬，上述第一金屬的25。C下的標準氧化還原電位(E(A))為一1.7(V)以上，上述第二金屬的25。C下的標準氧化還原電位(E(B))滿足下述式(2)。E(A)—1.1^E(B)(2)13.在上述11或者12記載的有機電致發光元件中，上述陰極層以上述第一金屬為主要成分。14.在上述1113記載的任意有機電致發光元件中，上述第一金屬是從A1、Cr、Ta、Zn、Fe、Ti、In、Co、Ni、Ge、Cu、Re、Ru、Ag、Pd、Pt、Au中選擇的金屬。15.在上述1114記載的任意有機電致發光元件中，上述第二金屬是從Bi、Te、Sn、V、Mo、Nd、Nb、Zr中選擇的金屬。16.在上述1115記載的任意有機電致發光元件中，上述陰極層含有鹼金屬或鹼土金屬0.1重量％5.0重量％。17.在上述1116記載的任意有機電致發光元件中，上述陰極層的波長380nm780nm處的光線透過率為10%以上。18.在上述1117記載的任意有機電致發光元件中，上述第一金屬是Ag。19.一種顯示裝置，是包括上述14、9、10和1421中任意一項記載的有機電致發光元件而構成。通過本發明，可以有效地將空穴從陽極注入到發光層中，實現有機EL元件的驅動電壓的進一步低電壓化，以及通過低電壓驅動的長壽命化。另外，本發明的導電層疊體和有機EL元件用電極基板具有高功函數，所以可以將導電層疊體或者有機EL元件用電極基板用作有機EL元件的電極，由此可以實現恆電流驅動時的電壓上升減小、長壽命且高亮度的有機EL元件。另外，通過本發明的導電層疊體的製造方法，可以有效得到上述導電層疊體。另外，本發明的有機EL元件可以抑制作為陰極層而使用的金屬在元件內的擴散，可以防止由金屬原子的擴散導致的元件的劣化或短路，所以可以實現EL元件的長壽命化。圖1是表示實施方式1的有機EL元件的圖。圖2是表示實施方式2的一個像素的等效電路的圖。圖3是表示實施方式2的有源矩陣型顯示裝置的圖。圖4是表示實施方式2的一個像素的截面結構的圖。圖5是表示實施方式3的有機EL元件的圖。圖7是表示不與本發明相當的鈰3d軌道的結合能譜的一例的曲線圖。圖8是表示實施方式4的有機EL元件的圖。圖9是表示透明導電基板的製造工序的說明圖。圖IO是表示實施例中的制膜材料的化學式的圖。具體實施例方式下面，參照附圖，詳細說明第一發明第三發明的實施方式，但本發明並不被這些實施方式所限定。[第一發明]實施方式1圖1是表示本發明的有機EL元件的一個實施方式的圖。在基板上形成陽極20、絕緣層30、發光層40、陰極50，發光層40由空穴注入層42、空穴輸送層44、發光介質層46構成，陰極50由金屬層22、透明導電層24構成。絕緣層30不是必不可少的層，但為了防止在陽極20—陰極50之間出現短路，所以優選設置該層。在發光介質層46中，由陽極20提供的空穴和由陰極提供的電子發生複合而發光。該發光通過陰極50從上面被取出。在本實施方式中，在陽極40的至少與空穴注入層42接觸的部分，含有從鑭、鈰、釹、釤、銪中選擇的至少一種以上的元素，和從鉻、鎢、鉭、鈮、銀、鈀、銅、鎳、鈷、鉬、鉑、矽中選擇的至少一種以上的元素。從鑭、鈰、釹、釤、銪中選擇的至少一種以上的元素的總計濃度，優選為該部分的全部元素的0.150wt^，更優選為l30wt^。在該陽極20中，通過在功函數比較低的元素中加入從鑭、鈰、釹、釤、銪中選擇的至少一種以上的元素，功函數增加。為此，空穴從陽極20向發光層40的注入效率提高。其結果，有機EL元件的驅動電壓降低，可以實現低電壓驅動引起的長壽命化。功函數優選為5.0eV以上。另外，在本實施方式中，由發光層40的發光介質層46產生的發光，一部分直接從陰極50向外部放出，另一部分朝向陽極20方向。陽極20由從鑭、鈰、釹、釤、銪中選擇的至少一種以上的元素，和從鉻、鎢、鉭、鈮、銀、鈀、銅、鎳、鈷、鉬、鉑、矽中選擇的至少一種以上的元素構成，由發光介質層46產生的發光被其與陽極20的界面反射一部分而逆行，從陰極50—側發射出來。因此，可以有效地從上面取出由發光層40產生的發光。另外，本實施方式的有機EL元件是頂部發射型，但陽極20還可以用於底部發射型的有機EL元件。另外，本實施方式在發光層中包括空穴注入層、空穴輸送層，但還可以省略這些層。另外，還可以包括電子注入層、電子輸送層、附著改善層、阻擋層等作為其他層。實施方式2圖2、3、4是表示使用了本發明的有機EL元件的顯示裝置的一個實施方式的圖。圖2是表示有源矩陣型顯示裝置的一個像素部分的等效電路的圖。在有源矩陣型顯示裝置中，將多個像素排列成矩陣狀，按照被提供的亮度信息控制每個像素的光強度，由此來顯示圖像。有源矩陣方式是通過設置在像素內部的有源元件(通常是作為絕緣柵型場效應電晶體的一種的薄膜電晶體(TFT))，控制在設置於各像素上的有機EL元件中流過的電流。像素PXL是由有機EL元件OLED、作為第一有源元件的薄膜電晶體TFT1、作為第二有源元件的薄膜電晶體TFT2以及保持電容Cs構成。有機EL元件在大多數情況下具有整流性，所以有時被稱為OLED(有機發光二極體)，圖中使用二極體的符號。在圖示的例子中，以TFT2的源極S為基準電位(接地電位)，OLED的陰極K連接在Vdd(電源電位)上，另一方面，陽極20連接在TFT2的漏極D上。另一方面，TFT1的柵極G連接在掃描線X上，源極S連接在數據線Y上，漏極D連接在保持電容Cs禾卩TFT2的柵極G上。為了使PXL進行工作，首先，當使掃描線X為選擇狀態，向數據線Y施加顯示亮度信息的數據電位Vdata時，TFT1導通，保持電容Cs被充電或放電，TFT2的柵極電位與數據電位Vdata—致。當使掃描線X為非選擇狀態時，TFT1斷開(OFF),TFT2從數據線Y被電斷開，但TFT2藉助TFT2流過有機EL元件OLED的電流成為與TFT2的柵極/源極間電壓Vgs對應的值，OLED以與TFT2所提供的電流量相對應的亮度持續發光。如上所述，在圖2所示的像素PXL的電路構成中，如果寫入一次Vdata，接著，OLED在一幀之間以一定的亮度持續發光直到Vdata被重寫。如果將多個這樣的像素PXL如圖3所示排列成矩陣狀，可以構成有源矩陣型顯示裝置。如圖3所示，就本顯示裝置而言，用於選擇像素PXL的掃描線X1XN、和提供用於驅動像素PXL的亮度信息(數據電位Vdata)的數據線Y被設置成矩陣狀。掃描線X1XN連接在掃描線驅動電路60上，另一方面，數據線Y連接在數據線驅動電路62上。通過掃描線驅動電路60順次選擇掃描線X1XN，同時通過數據線驅動電路62從數據線Y重複Vdata的寫入，由此可以顯示需要的圖像。相對於在簡單矩陣型的顯示裝置中，在各像素PXL中含有的發光元件只在所選擇的瞬間發光，在圖3所示的有源矩陣型顯示裝置中，在寫入結束後各像素PXL的有機EL元件仍持續發光，所以與簡單矩陣型相比，更可以降低有機EL元件的峰值亮度(峰值電流)，從上述等角度出發，在特別大型的高清晰度的顯示器中變得有利。圖4模式地表示圖2所示的像素PXL的截面結構。不過，為了容易圖示，只顯示OLED和TFT2。OLED按順序層疊有陽極20、發光層40和陰極50。陽極20按照每個像素分離，基本上為光反射性。陰極50在各像素之間被公共連接，基本上為光透過性。另一方面，TFT2包括在由玻璃等構成的基板70的上面形成的柵電極72、在其上面重疊的柵絕緣膜74、和藉助該柵絕緣膜74在柵電極72.的上面重疊的半導體薄膜76。該半導體薄膜76例如由多晶矽薄膜構成。TFT2具備成為被提供給OLED的電流的通路的源極S、溝道Ch和漏極D。溝道Ch位於柵電極72的正上方。該底部柵極結構的TFT2被層間絕緣膜78所覆蓋，在其上形成有源電極80和漏電極82。在它們的上面藉助其他層間絕緣膜84形成有上述的OLED膜。另外，本實施方式是有源矩陣方式，但還可以是簡單矩陣方式。另外，ii本發明的顯示裝置還可以採取公知的其他構成。[第二發明]實施方式3圖5是表示本發明的有機EL元件的一個實施方式的圖。有機EL元件134相當於在技術方案的範圍內記載的有機EL元件的一個例子。該有機EL元件134包括由玻璃基板110和透明導電膜112所構成的透明導電基板138、空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極132。在本實施方式中，其特徵在於，製造具有功函數大的透明導電膜112的透明導電基板138。另外，本實施方式的特徵還在於，通過使用這樣的透明導電基板138作為電極，製造恆電流驅動時的電壓上升小、長壽命且高亮度的有機EL元件134。下面，對各構成部件和製造方法進行說明。A.導電層疊體本發明的導電層疊體是具備電絕緣性的透明基材、和在上述透明基材上形成的透明導電膜的導電層疊體，上述透明導電膜包含至少含有鈰(Ce)的氧化物，在採用X射線光電子分光法(下面有時會記為XPS法)對位於上述透明導電膜的表面的鈰3d軌道的電子(下面有時會簡單地記為3d電子)的結合能進行測定而得到的曲線圖(下面有時稱為Ce3d峰值)中，當將上述結合能為877eV922eV之間的總峰面積設為SA，將上述結合能為914eV920eV之間的總峰面積設為SB時，作為上述SA/上述SB的面積比的SB/SA的值滿足下述式(1)。SB/SA<0.13(1)在這裡，作為上述SA的對象範圍的877eV922eV，表示Ce^和Ce4+的3d電子的結合能。作為上述SB的對象範圍的914eV920eV，表示Ce"的3d電子的結合能。因此，通過計算SA和SB的各自的結合能的峰面積的比，可以用SB/SA的值相對規定上述透明導電膜的Ce中的Ce"的濃度。艮P，可以較低地規定上述透明導電膜的Ce中的Ce"的濃度。在圖6和圖7中表示透明導電膜表面的基於XPS法的鈰3d軌道的結合能譜的一個例子。其中，圖6和圖7的橫軸表示Ce的3d電子的結合能的大小(eV)，縱軸表示任意的相對值。另外，就基於XPS法的Ce的3d電子的結合能譜的測定條件，用實施例進行詳細描述。在這些圖6和圖7中，在Ce的3d電子的結合能譜中，表示作為877eV922eV之間的總峰面積的SA、和作為914eV920eV之間的總峰面積的SB。在這裡，總峰面積是指在圖6和圖7所示的上述各範圍(877eV922eV、或者914eV920eV)內，由X軸和Ce的3d電子的結合能譜所包圍的面積。該面積等於圖6的Ce的3d電子的結合能譜中在877eV922eV(或者914eV920eV)之間積分的值。另外，圖6所示的"Ce的3d電子的結合能譜"相當於在技術方案的範圍內記載的"採用X射線光電子分光法對上述透明導電膜的表面的位於鈽3d軌道的電子的結合能進行測定而得到的曲線圖"的一個例子。在圖6中，表示在作為SB和SA的面積比的SB/SA的值不到0.13的情況下，鈰3d軌道的結合能譜的一個例子。另一方面，在圖7中，表示在作為SB和SA的面積比的SB/SA的值大於0.13的情況下，鈰3d軌道的結合能譜的一個例子。本發明的透明導電膜的特徵如圖6所示，作為SB和SA的面積比的SB/SA的值不到0.13。當透明導電膜滿足該條件時，具有高功函數。通過在有機EL元件(下面有時會記為有機電致發光元件)的陽極中使用包括用上述(O式規定的透明導電膜的導電層疊體，可以提供恆定電流驅動時的電壓上升小、長壽命且高亮度的有機EL元件。如上所述，導電層疊體的SB/SA的值可以不到0.13。但優選的值為不到0.08，更優選的值為不到0.03。在使用X射線光電子分光分析裝置(下面有時會記為XPS)，對透明導電膜表面的位於鈰3d軌道的電子的結合能進行測定而得到的曲線圖中，如果所測定的峰值滿足上述式(1)，被認為該透明導電膜表面的功函數為5.6eV以上。另外，該透明導電膜表面的功函數通過紫外光電子分光法來測定。另外，關於功函數的測定條件，用實施例詳細描述。在本發明的導電層疊體中，使通過紫外光電子分光法測定的功函數的值為5.6eV以上的理由在於，當導電層疊體具有功函數不到5.6eV的透明導電膜時，使用該導電層疊體製造的有機EL元件，除了發光亮度降低之外，有時會增高有機EL元件的驅動電壓，無法實現其壽命的延長。本發明提供一種導電層疊體，其特徵在於，上述透明導電膜包括從由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、鎵(Ga)構成的金屬元素組中選擇的至少一種金屬元素，和鈰(Ce)以及氧(O)。另外，在這裡，"包括的"的一個典型例子是透明導電膜含有上述金屬原子作為構成元素。B.導電層疊體的製造方法
技術領域：
：本發明提供一種導電層疊體的製造方法，是製造上述導電層疊體的方法，其特徵在於，採用濺射法形成透明導電膜，使濺射氣氛中的氧分壓為0.1Pa以下。本發明的導電層疊體中的透明導電膜，通過使用了濺射靶的濺射法形成透明基材上。此外，當進行通過該濺射法的制膜時，可以使用各種濺射裝置進行，但特別適合使用磁控濺射裝置。使用該磁控濺射裝置、在透明基材上對上述透明導電膜進行制膜時的條件如下所示。首先，等離子的輸出依據所使用的靶的表面積或層疊的透明導電膜的膜厚發生變動。在本發明中，優選使該等離子輸出在每lcm2靶表面積為0.34W的範圍。另外，此時，通過使制膜時間為5120分鐘，可以得到具有需要膜厚的透明導電膜。即，通過採用上述制膜時間，可以得到用於有機EL元件的適當膜厚。此時，作為濺射時的氣氛氣體，優選使用氬氣、氮氣、氦氣等惰性氣體，以及這些氣體與氧的混合氣體。另外，關於濺射壓力，根據濺射裝置的種類、透明基材一靶間的距離、透明基材的溫度等，最佳值發生改變，關於氧分壓，優選為0.1Pa以下，進一步優選為0.02Pa以下。像這樣使氧分壓為O.lPa以下的理由在於，當氧分壓超過O.lPa時，在透明導電膜中含有的C與Ce"相比減少，SB/SA的值變為0.13以上。另外，如上所述，在通過XPS對透明導電膜的表面進行測定而得到的Ce3d峰值中，SA是結合能為877eV922eV之間的總峰面積，SB是結合能為914eV920eV之間的總峰面積。另外，對該導電層疊體中的透明基材沒有特別限制，可以使用公知的由透明玻璃、石英、透明塑料、透明陶瓷等構成的板狀構件或薄膜狀構件。另外，作為上述透明玻璃的具體例子，可以舉出鈉鈣玻璃、鉛矽酸鹽14玻璃、硼矽酸鹽玻璃、矽酸鹽玻璃、高矽酸玻璃、無鹼玻璃、磷酸鹽玻璃、鹼性矽酸鹽玻璃、石英玻璃、鋁硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、鈉硼矽酸鹽玻璃等。另外，作為上述透明塑料的具體例子，可以舉出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯、聚苯乙烯、聚醚碸系樹脂、無定形聚烯烴、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺、聚磷腈、聚醚醚酮、聚醯胺、聚縮醛系樹脂等。作為上述透明陶瓷的具體例子，可以舉出藍寶石、PLZT、CaF2、MgF2、ZnS等。因此，就透明基材的材質或厚度等而言，根據目的導電性透明基材、即導電層疊體的用途、或該導電性透明基材所要求的透明性等進行適當選擇。在上述的透明基材上面，使用包含至少含有鈰(Ce)的氧化物的氧化物靶，採用濺射法製作透明導電膜。該氧化物靶例如優選由氧化物燒結體構成。在這裡，關於構成已製作的透明導電膜的組合物，需要在以往公知的透明導電性金屬氧化物(ln203、Sn02、ZnO、CdO、Cd—In—O系、Zn—Al—O系、In—Sn—0系、In—Zn—O系、Zn—Sn—O系、Cd—Sn—O系等)混合鈰。當將這樣得到的導電層疊體用作有機EL元件用的電極時，在該導電層疊體中的透明導電膜的導電性不夠高的情況下，通過在該透明導電膜上層疊金屬導體，降低驅動時的歐姆損失，提高導電性。特別是在為無源矩陣型的有機EL元件的情況下，採用通過順次掃描使顯示電極部發光的方式，所以與有源型的有機EL元件相比，被認為其效果更大。C.有機電致發光(EL)元件用電極基板本發明提供有機電致發光元件用電極基板，其包括上述導電層疊體、和在上述導電層疊體上設置的金屬導體，其特徵在於，上述透明導電膜驅動有機電致發光層。用於該金屬導體的金屬是層疊在透明導電膜上以使透明導電膜的導電性提高的金屬，只要是導電率比透明導電膜大的金屬，就沒有特別限制。不過，通過在透明導電膜和金屬的界面處的氧化還原反應，對透明導電膜上的金屬進行蝕刻之後的透明導電膜表面的功函數有時會減小。為此，用於金屬導體的金屬的功函數優選大致為4.0eV以上。另外，用於金屬導體的金屬的更優選的功函數為4.5eV以上。為了有效地取出來自有機發光層的光，金屬導體優選為細金屬線。下面，對該細金屬線進行說明。就細金屬線的製作方法而言，通常是在導電層疊體的透明導電膜的上面，通過濺射法或真空蒸鍍法等的真空過程進行金屬的制膜，然後通過蝕刻將已制膜的金屬加工成細線圖案。本發明採用該常用方法在透明導電膜的上面製作細金屬線。另外，對該金屬的蝕刻液沒有特別限制，但理想的是選擇對透明導電膜幾乎沒有損壞的蝕刻液，其中的透明導電膜位於被制膜的金屬的下方。這樣的蝕刻液例如是磷酸、醋酸、硝酸的混酸。另外，還優選在該混酸中添加磺酸、聚磺酸等。另外，該細金屬線的構成還優選為2層、3層等的多層結構，還優選由2種以上的合金構成。作為其多層結構的構成例子，可以舉出Ti/A1/Ti、Cr/Al/Cr、Mo/Al/Mo、In/Al/In、Zn/Al/Zn、Ti/Ag/Ti等。另外，作為2種以上的合金，可以舉出Al—Si、Al—Cu、Al—Nd、Cu—Zr、Cu—Ni、Cu—Cr、Mo—V、Mo—Nb、Ag—Au—Cu、Ag—Pd—Cu等。D.有機EL元件本發明是一種有機EL元件，其特徵在於，包括上述有機EL元件用電極基板、和在上述有機EL元件用電極基板上設置的有機電致發光層。另外，本發明還是一種有機EL元件，其特徵在於，包括上述導電層疊體、和在上述導電層疊體上設置的有機電致發光層。本發明的有機EL元件如上所述，含有功函數大的導電層疊體(或者有機EL元件用電極基板)。為此，該有機EL元件可望實現恆電流驅動時的電壓上升小、長壽命以及達到高亮度。另外，本發明的效果在要求瞬時的高亮度工作的無源驅動方式的有機EL元件中特別有效，但即使在有源驅動方式的有機EL元件中，也一樣可望實現高亮度、長壽命的效果。16[第三發明]本發明的有機EL元件具有按順序至少層疊了陽極層、有機發光層、陰極層的構成，陰極層至少含有第一金屬和第二金屬。在陰極層中使用的第一金屬的、在25'C下的標準氧化還原電位(E(A))，為一1.7(V)以上。作為第一金屬的優選例子，可以舉出A1、Cr、Ta、Zn、Fe、Ti、In、Co、Ni、Ge、Cu、Re、Ru、Ag、Pd、Pt、Au等。優選的是Ag、Cr、Cu、Pt或者Au，特別優選Ag。就第二金屬而言，其在25'C下的標準氧化還原電位(E(B))與第一金屬的關係滿足下述式(2)。E(A)—1.1SE(B)(2)第二金屬的標準氧化還原電位(E(B))，優選滿足E(A)—0.5^E(B)，更優選滿足E(A)—0.3^E(B)。第二金屬可以與第一金屬相適應而適當選擇。優選Bi、Te、Sn、Ni、V、Mo、Nd、Nb、Zr等金屬，特別優選Bi、Te、Ni或者Nb。在本發明中，通過組合使用上述的第一金屬和第二金屬，可以得到透明性出色且耐久性出色的陰極。因此，可以製造耐久性出色的有機EL元件。推測這是因為第一金屬的遷移或溶出被第二金屬所抑制。另外，在本說明書中，標準氧化還原電位是指在25'C、一個大氣壓下的水中的平衡電位(對標準氫電極)。陰極層優選以第一金屬為主要成分。"主要成分"是指第一金屬的量比陰極層中含有的第一金屬以外的配合成分的各配合量還多。第一金屬佔陰極層的量優選為60重量％99.9重量％，特別優選為80重量％99重量Q^。陰極層優選除了上述第一和第二金屬之外，還含有鹼金屬或鹼土金屬0.1重量％5.0重量％。由此，可以降低陰極層的功函數，電子向電子輸送層的注入變得順暢。鹼金屬或鹼土金屬在陰極層所佔的配合量優選為1重量％10重量％，特別優選為2重量％5重量％。在鹼金屬或鹼土金屬當中，特別優選Li、Mg、Ca或者Cs。17陰極層的在波長380nm780nm處的光線透過率優選為10%以上。如果光線透過率不到10%，無法充分取出在發光層產生的光，所以有可能出現元件的發光效率降低。光線透過率優選為20%以上，特別優選為30%以上。另外，在本說明書中，光線透過率是指在波長380nm780nm處的平均光線透過率。陰極層可以通過公知的方法、例如以一定的比率同時蒸鍍各金屬的方法、同時濺射個金屬等方法而形成。陰極層的厚度優選為0.110nm，更優選為0.15nm。在本發明的有機EL元件中，關於陽極層、有機發光層等其他構成要素，可以沒有特別限制地使用在有機EL元件中使用的公知部件。下面，對本發明的有機EL元件的具體例子進行說明。另外，本發明的有機EL元件並不限於該實施方式。實施方式4圖8是表示作為本發明的一個實施方式的有機EL元件的圖。有機EL元件90具有在基板91上按順序依次層疊陽極層92、空穴輸送層93、有機發光層94、電子輸送層95、陰極96、以及透明導電層97的結構。基板91支撐有機EL元件。陽極層92向元件內提供空穴，陰極層96和透明導電層97提供電子。空穴輸送層93是從陽極92接收空穴，有助於向有機發光層94輸送空穴的層。同樣，電子輸送層95是從陰極96接收電子，有助於向有機發光層94輸送電子的層。有機發光層94是通過電子和空穴的複合而產生光的層。在有機EL元件90中，具有含有上述的金屬的組合的陰極層96。在以往的EL元件中，用於陰極層96的金屬例如Ag等因元件的驅動而發生變質，擴散到電子輸送層95或有機發光層94等中，所以成為使有機層劣化、或與陽極層2的短路等的原因。在本發明的有機EL元件中，可以抑制在陰極層中使用的金屬的擴散，所以可以有效防止由金屬的擴散引起的元件的劣化。因此，可以實現元件的長壽命化。在有機EL元件90中，基板91可以使用玻璃、聚酯等高分子薄膜或非晶矽等o陽極層92使用氧化銦一氧化錫(ITO)、氧化銦—氧化鋅(IZO)等透明電極，使用Cr、Au等金屬。膜厚優選為100nm200nm。在空穴輸送層93中可以使用公知的物質，例如聚一N—乙烯咔唑衍生物、聚亞苯基亞乙烯基衍生物、聚亞苯基、聚噻吩、聚甲基苯基矽烷、聚苯胺、三唑衍生物、瞎、二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基鏈烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉一5—酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、咔唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴衍生物、腙衍生物、芪衍生物、卟啉衍生物(酞菁等)、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺衍生物、丁二烯化合物、聯苯胺衍生物、聚苯乙烯衍生物、三苯基甲垸衍生物、四苯基苯衍生物、星爆(star-burst)聚胺衍生物等。有機發光層94優選由主體化合物和摻雜劑構成。主體化合物輸送電子或空穴中的至少一方電荷。作為主體化合物的優選的例子，可以舉出公知的咔唑衍生物、具有含氮原子的縮合雜環骨架的化合物等。主體化合物可以是高分子化合物。作為成為主體的高分子化合物，可以舉出含有咔唑的單體、二聚體、三聚體等低聚物，具有咔唑基的高分子化合物等。在電子輸送層95中可以使用公知的噁二唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物、硝基取代芴酮衍生物、二氧化吡喃衍生物、二苯基醌衍生物、亞芴基甲垸衍生物、蒽酮衍生物、二萘嵌苯衍生物、8—羥基喹啉衍生物、喹啉衍生物等。透明導電層97中可以使用公知的透明導電材料，例如氧化錫、ITO、IZO等。另外，還可以使用聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、或它們的衍生物等有機材料。特別優選在15(TC以下的低溫下對IZO進行制膜。第一發明實施例1製造圖1所示的構成的有機EL元件。作為陽極20，使用鉻和鈰的合金(功函數5.3eV)。通過DC濺射在玻璃基板10上以200nm的膜厚使該合金成膜。濺射氣體，使用氬氣(Ar)，壓力為0.2Pa，DC輸出為300W。使用平版印刷技術，形成規定形狀的圖案，得到陽極20。作為蝕刻液，使用ETCH—1(三洋化成工業(株)制)。可以通過該蝕刻液高精度且高再現性地加工鉻。進而，在要求加工精度的情況下，還可以進行基於幹蝕刻的加工。作為蝕刻氣體，可以使用氯(Cl2)和氧(02)的混合氣體。特別是如果使用活性離子蝕刻(RIE)，可以進行高精度的加工，而且可以控制蝕刻面的形狀。如果在規定的條件下進行蝕刻，可以進行錐(taper)狀的加工，可以降低陰極50—陽極20之間的短路。接著，通過濺射在該基板10上形成膜厚為200nm的二氧化矽(Si02)膜，並用作絕緣層30。使用平版印刷技術，按照在陽極20上設置開口的方式加工Si02。在Si02的蝕刻中使用了氫氟酸和氟化胺的混合液。該開口部成為有機EL元件的發光部分。接著，將該玻璃基板IO放入真空蒸鍍裝置中，通過蒸鍍形成了發光層40和陰極50的金屬層52。關於發光層40，使用4，4，，4，4"一三(3—甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)作為空穴注入層42，使用雙(N—萘基)一N—苯基聯苯胺(a—NPD)作為空穴輸送層44，使用8—羥基喹啉鋁絡合物(Alq)作為發光介質層46。在陰極50的金屬層52中使用鎂和銀的合金(Mg:Ag)。屬於發光層40的各材料，分別以0.2g填充到電阻加熱用的舟皿中，安裝在真空蒸鍍裝置的規定電極上。關於金屬層52，將鎂0.1g、銀0.4g填充到舟皿中，安裝在真空蒸鍍裝置的規定電極上。在將真空室減壓至1.0X10—4Pa之後，向各舟皿施加電壓，順次加熱進行蒸鍍。通過使用金屬掩模，只在規定部分上蒸鍍發光層40和金屬層52。規定的部分是指在基板10上陽極20漏出的部分。由於不容易只在陽極20露出的部分進行高精度的蒸鍍，因此以覆蓋陽極20露出的全體部分的方式(到達絕緣層30的邊緣的方式)設計蒸鍍掩模。首先，蒸鍍30nm的MTDATA作為空穴注入層42，蒸鍍20nm的a—NPD作為空穴輸送層44，蒸鍍50nm的Alq作為發光介質層46。進而，共蒸鍍鎂和銀，在發光介質層46上成膜金屬層52。鎂和銀的成膜速度比為9:1，膜厚為IO譲。最後，移至其他真空室內，通過同樣的掩模，使In—Zn—O系的透明導電層54成膜。在成膜中使用DC濺射。就成膜條件而言，使用氬氣和氧的混合氣體(體積比Ar:02二1000:5)作為濺射氣體，壓力為0.3Pa，DC輸出為40W，膜厚為200nm。在玻璃基板10上使陽極20成膜，測定其反射率，結果在波長460nm處為65%。另外，測定波長460nm處層疊陰極50的透過率，結果為52%。在本實施例的有機EL元件的陽極一陰極之間施加25mA/cm2的電流，結果驅動電壓為7V，從陰極50側觀測930cd/n^的發光亮度。與朝向陽極20方向的發光相當的量被反射並逆行，從陰極50側發射出來。可以確認良好的載體注入特性和發光特性。另外，在發光面未見黑斑。如此得到的EL元件的評價結果如表1所示。另外，功函數使用理研計器(株)制AC—1進行測定。實施例2在玻璃基板IO上使鎘和鑭的合金(Cr:La=90:10)成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。實施例3在玻璃基板10上使銀和釹的合金(Ag:Nd=90:10)成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。實施例4在玻璃基板10上使鉬和釤的合金(Mo:Sm=95:5)成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。實施例5在玻璃基板10上使鎢和銪的合金(W:Eu=95:5)成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。實施例6在玻璃基板10上使銀、鈀、銅和鈰的合金(Ag:Pd:Cu:Ce二95:0.5:1:3.5)成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例211完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。實施例7在玻璃基板10上使鉭和釹(Ta:Nd=50:50)的合金成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。實施例8在玻璃基板IO上使鈮和鈰的合金(Nb:Ce二50:50)成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。實施例9在玻璃基板10上使鎳、鈷和鈰的合金(Ni:Co:Ce=60:20:20)成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。實施例10在玻璃基板10上使鉑和衫的合金(Pb:Sm二95:5)成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。實施例11在玻璃基板10上使矽和釹的合金(Si:Nd二90:10)成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。實施例12在玻璃基板10上，作為陽極20，釆用濺射法使銀成膜且膜厚為190nm，然後以膜厚10nm使氧化鉻和氧化鈰的合金(Cr02:CeO2=90:10)成膜，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表l。比較例1在玻璃基板10上，使透明導電膜的ITO成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。在如此製作的有機EL元件的陽極一陰極之間施加25mA/cn^的電流，結果驅動電壓為8.5V,來自陰極50側的發光亮度為250cd/m2，與實施例1的有機EL元件相比，較小。這表示向陽極20方向傳播的發光幾乎不發生反射，而向玻璃基板IO側射出。比較例2在玻璃基板10上使銀和鋁的合金(Ag:Al=50:50)成膜作為陽極20，並使膜厚為200nm，除此之外，與實施例1完全相同地製作EL元件。如此得到的EL元件的評價結果顯示於表1。表ltableseeoriginaldocumentpage23由表1可知，就實施例的有機EL元件而言，空穴的注入性高，所以驅動電壓低，元件的發熱受到抑制，所以認為發光亮度高。另外，因為可以有效地從上面取出在發光層40產生的發光，所以可以得到良好的上面發光。第二發明在有關本發明的實施例中，鈰3d軌道的結合能的測定是使用X射線光電子分光分析裝置(了/W:;/夕77,公司制，ESCA5400，X射線源Mg—Ka)而進行的。作為該X射線光電子分光分析裝置的檢測器，使用靜電半球型的檢測器，將該檢測器的通過能(passenergy)設定為35.75eV，峰值的基準是將Qs設定成284.6eV而測定的。另外，圖6和圖7所示的透明導電膜表面的鈰3d軌道的結合能譜也在該條件下進行測定。另外，在下述的實施例中測定的"透明導電膜表面的鈰3d軌道的結合能譜"，都相當於技術方案中記載的"採用X射線光電子分光法對上述透明導電膜的表面的位於鈰3d軌道的電子的結合能進行測定而得到的曲線圖"的一個例子。另外，在下述的任意實施例中，SA是指鈰3d軌道的結合能譜中的877eV922eV之間的總峰面積，SB是指該譜圖中的914eV920eV之間的總峰面積。另外，就透明導電膜的功函數的值而言，在對透明導電膜進行UV(紫外線)清洗之後，在空氣中用光電子分光裝置(理研計器公司制，AC—1)進行測定。實施例13(1)透明導電基板的製造準備(靶1的製作)按照如下所述的比率分別準備氧化銦、氧化錫、氧化鈰的粉末(所有粉末的平均粒徑為lpm以下)材料，並收容於溼式球磨機容器內，其比率是作為銦的摩爾比的In/(In+Sn+Ce)的值為0.9，作為錫的摩爾比的Sn/(In+Sn+Ce)的值為0.05，作為鈰的摩爾比的Ce/(In+Sn+Ce)的值為0.05。用72小時的時間對收容到該溼式球磨機容器內的上述粉末進行混合粉碎，得到粉碎物。另外，如上所述，當在數學式中使用Sn、In、Ce等元素符號時，各元素符號表示該元素的摩爾數。另外，在下述的實施例中，在數學式中使24用Zn、Ga等的情況下，同樣地，各元素符號表示該元素的摩爾數。接著，對得到的粉碎物進行造粒，然後壓製成形為直徑4英寸、厚5mm的尺寸，得到成形體。將該成形體收容到燒成爐中之後，在140(TC的溫度下加熱燒成36小時，製作透明導電膜112用的靶1。(2)透明導電基板的製造圖9是表示本實施例中的透明導電基板138的製造工序的說明圖。首先，在高頻濺射裝置的真空槽內配置厚度為l.lmm、縱長25mm、橫寬75mm的透明玻璃基板110、以及製作成的上述靶1。運轉高頻濺射裝置，在減壓到上述真空槽內的真空度達到5X10—卞a的狀態下，將氬氣和氧(其體積比為80:20)導入到上述真空槽內，使濺射壓力為0.1Pa。此時，氧氣的分壓為0.02Pa。圖9(1)表示該玻璃基板110的狀態，該玻璃基板110相當於技術方案範圍內的透明基材的一個例子。另外，這些濺射氣體的成分比和濺射氣體中的氧分壓顯示於表2中。tableseeoriginaldocumentpage26在上述氣氛下，在使真空槽內的玻璃基板110的溫度為20(TC、使接通電力為100W、制膜時間為14分鐘的條件下，使用上述靶l進行濺射。其結果，通過在玻璃基板110上形成厚110nm的透明導電膜112，得到導電層疊體136。其狀態如圖9(2)所示。接著，在氬氣中，使用AI靶，在透明導電膜112上形成厚120nm的由Al薄膜構成的金屬膜114。其狀態如圖9(3)所示。接著，使用由磷酸一硝酸一醋酸水溶液(磷酸硝酸醋酸二16:1:1)構成的蝕刻液，對透明導電膜112/金屬膜114進行蝕刻，使金屬膜114的寬度為2(Him，由此在透明導電膜112上形成由Al構成的細金屬線116。其狀態如圖9(4)所示。隨後，如圖9(5)所示，通過草酸水溶液，對使用上述靶1在玻璃基板110上製成的透明導電膜112進行蝕刻。通過該蝕刻，按照將一根由Al構成的細金屬線116配置在透明導電膜112的一端的方式進行構圖。下面，將這樣構圖而製作的細金屬線116和透明導電膜112總稱為圖案化電極118。另外，下面，將玻璃基板IIO、和該圖案化電極118總稱為透明導電基板138。該透明導電基板138相當於技術方案範圍中記載的有機電致發光元件用電極基板的一個例子。該透明導電基板138如圖9(5)所示。另外，使用耙l而製作的透明導電膜112的寬度為90jLim。另外，在上述蝕刻中得到的由Al構成的細金屬線116相當於技術方案範圍中記載的金屬導體的一個例子。在異丙醇中對該透明導電基板138進行超聲波清洗，進而在N2(氮氣)氣氛中使其乾燥，然後使用UV(紫外線)和臭氧，清洗IO分鐘。(3)透明導電基板的物性的測定結果對使用靶1進行制膜而成的透明導電膜112的比電阻進行測定，結果其值為5.4X1(T3Q'cm。另夕卜，對圖案化電極118的光透過率(波長550nm處的光透過率)進行測定，結果其值為89%。另外，使用光電子分光裝置(理研計器公司制、AC—1)對UV清洗後的透明導電基板138中的透明導電膜112的功函數進行測定，結果其值為5.6eV。另外，這些測定結果如表2所示。接著，使用XPS對上述圖案化電極118表面中的Ce3d峰值進行測定。該測定的結果是，作為上述SB和上述SA的面積比的SB/SA的值為0.12。該測定結果也如表2所示。(4)有機EL元件的形成在真空蒸鍍裝置的真空槽內的基板託架上，安裝透明導電基板138，接著，將該真空槽內減壓至lX10—6TOrr以下的真空度。在該狀態下，在透明導電基板138的圖案化電極118上，順次層疊空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極層132，得到有機EL元件134。其狀態顯示於圖5。另外，在從形成上述有機發光層128到形成上述陰極層132期間，在真空槽內維持真空狀態。如此，在本實施方式中，在一定的真空條件下進行制膜。另外，該有機EL元件134相當於技術方案範圍記載的有機電致發光元件的一個例子。關於通過真空蒸鍍法形成這樣的有機EL元件134時的條件(材料和順序)，在下面依次說明。首先，使用TBDB作為空穴輸送層126的材料，在透明導電基板138的透明導電膜112上真空蒸鍍60nm的空穴輸送層126。接著，使用DPVDPAN和Dl作為有機發光層128的材料，真空條件下在上述空穴輸送層126上共蒸鍍40nm的有機發光層128。此時的DPVDPAN的蒸鍍速度為40nm/s，Dl的蒸鍍速度為lnm/s。接著，使用Alq作為電子注入層130的材料，在上述有機發光層128上真空蒸鍍20nm的電子注入層130。最後，真空蒸鍍Al和Li，在電子注入層130上形成陰極層132，由此形成有機EL元件134。此時的Al的蒸鍍速度為lnm/s，Li的蒸鍍速度為0.01nm/s，Al/Li膜的厚度為200nm。另外，上述各層的材料以及它們的膜厚顯示於表2。另外，TBDB或DPVDPAN、Dl、Alq的化學式如圖IO所示。(5)所製造的有機EL元件的評價將得到的有機EL元件134中的陰極層132作為負極，將透明導電膜112作為正極，在兩電極之間施加5.0V的直流電壓。此時的電流密度為1.8mA/cm2，測定有機EL元件134的發光亮度，結果其值為141nit(cd/m2)。另外，確認其發光色為藍色。進而，作為耐久性評價，以10mA/cn^來恆電流驅動有機EL元件134，當以Vo作為最初的電壓，以V作為經過IOOO小時後的電壓時，電壓上升率(二V/Vo)被抑制在1.7。實施例14(1)透明導電基板的製造準備(靶2的製作)按照如下所述的比率準備氧化銦、氧化鈰的粉末(所有粉末的平均粒徑為lpm以下)並將各材料收容於溼式球磨機容器內，其比率是作為銦的摩爾比的In/(In+Ce)的值為0.95，作為鈰的摩爾比的Ce/(In+Ce)的值為0.05。用72小時的時間對收容到該溼式球磨機容器內的上述粉末進行混合粉碎，得到粉碎物。通過上述實施例13(1)相同的處理，對該粉碎物進行造粒，壓製成形，進行加熱燒成，由此製作透明導電膜112用的靶2。(2)透明導電基板的製造首先，在高頻濺射裝置的真空槽內配置與實施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶2。運轉高頻濺射裝置，在減壓到上述真空槽內的真空度達到5X10—卞a的狀態下，將氬氣導入到真空槽內，使濺射壓力為0.1Pa。圖9(1)表示該玻璃基板110的狀態。另外，此時，在上述真空槽內，濺射氣體的成分為氬氣100%，氧分壓為OPa(表2)。在上述氣氛下，在使真空槽內的玻璃基板110的溫度為20(TC、使接通電力為100W、制膜時間為14分鐘的條件下，使用上述靶2進行濺射。其結果，通過在玻璃基板110上形成厚110nm的透明導電膜12，得到導電層疊體136。其狀態如圖9(2)所示。接著，在氬氣中，使用Ag靶，在透明導電膜112上形成厚120nm的由Ag薄膜構成的金屬膜114。其狀態如圖9(3)所示。接著，使用由磷酸一硝酸一醋酸水溶液(磷酸硝酸醋酸=8:1:8)構成的蝕刻液，對透明導電膜112/金屬膜114進行蝕刻，使金屬膜114的寬度為20pm，由此在透明導電膜112上形成由Ag構成的細金屬線116。其狀態如圖9(4)所示。隨後，如圖9(5)所示，通過草酸水溶液，對使用上述靶2製作的透明導電膜112進行蝕刻，使圖案與實施例13相同，使其寬度為9(HJm。將這樣構圖而製作的細金屬線116和透明導電膜112總稱為圖案化電極118。另外，下面將玻璃基板110、和該圖案化電極118總稱為透明導電基板138。該透明導電基板138相當於技術方案範圍中記載的有機電致發光元件用電極基板的一個例子。該透明導電基板138如圖9(5)所示。另外，在上述蝕刻中得到的由Ag構成的細金屬線116相當於技術方案範圍中記載的金屬導體的一個例子。在異丙醇中對該透明導電基板138進行超聲波清洗，進而在N2(氮氣)氣氛中使其乾燥，然後使用UV(紫外線)和臭氧，清洗10分鐘。(3)透明導電基板的物性的測定結果對使用靶2進行制膜而成的透明導電膜112的比電阻進行測定，結果其值為7.7X10—4Q'cm。另外，對圖案化電極118的光透過率(波長550nm處的光透過率)進行測定，結果其值為89%。另外，使用光電子分光裝置(理研計器公司制、AC—1)對UV清洗後的透明導電基板138中的透明導電膜112的功函數進行測定，結果其值為5.8eV。另外，這些測定結果如表2所示。接著，使用XPS對上述圖案化電極118表面中的Ce3d峰值進行測定。該測定的結果是，作為上述SB和上述SA的面積比的SB/SA的值為0.02。該測定結果也如表2所示。(4)有機EL元件的形成如圖5所示，與實施例13—樣，在透明導電基板138的圖案化電極118上，順次層疊空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極層132，得到有機EL元件134。另外，該有機EL元件134相當於技術方案範圍記載的有機電致發光元件的一個例子。(5)所製造的有機EL元件的評價將得到的有機EL元件134中的陰極層132作為負極，將透明導電膜112作為正極，在兩電極之間施加5.0V的直流電壓。此時的電流密度為2.0mA/cm2，測定有機EL元件134的發光亮度，結果其值為160nit(cd/m2)。另外，確認其發光色為藍色。進而，作為耐久性評價，以10mA/cn^來恆定電流驅動有機EL元件134，當以Vo作為最初的電壓，以V作為經過IOOO小時後的電壓時，電壓上升率(=V/VQ)被抑制在1.4。實施例15(1)透明導電基板的製造準備(靶3的製作)按照如下所述的比率準備氧化銦、氧化鋅、氧化鈰的粉末(所有粉末的平均粒徑為l)im以下)並將各材料收容於溼式球磨機容器內，其比率是作為銦的摩爾比的In/(In+Zn+Ce)的值為0.90，作為鋅的摩爾比的Zn/(In+Zn+Ce)的值為0.05，作為鈽的摩爾比的Ce/(In+Zn+Ce)的值為0.05。用72小時的時間對收容到該溼式球磨機容器內的上述粉末進行混合粉碎，得到粉碎物。通過上述實施例13(1)相同的處理，對該粉碎物進行造粒，壓製成形，進行加熱燒成，由此製作透明導電膜112用的靶3。(2)導電層疊體的製造首先，在高頻濺射裝置的真空槽內配置與實施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶3。運轉高頻濺射裝置，在減壓到上述真空槽內的真空度達到5X10—4Pa的狀態下，將氬氣和氧(其體積比為95:5)導入到上述真空槽內，使濺射壓力為0.1Pa。此時，氧氣的分壓為0.005Pa。圖9(1)表示該玻璃基板110的狀態。另外，這些濺射氣體的成分比和濺射氣體中的氧分壓顯示於表2中。在上述氣氛下，在使真空槽內的玻璃基板110的溫度為20(TC、使接通電力為100W、制膜時間為14分鐘的條件下，使用上述靶3進行濺射。其結果，通過在玻璃基板110上形成厚110nm的透明導電膜112，得到導電層疊體136。其狀態如圖9(2)所示。隨後，通過草酸水溶液，對使用上述靶3進行制膜的透明導電膜112進行蝕刻，並使其寬度為90|Jm。將按照使其寬度為90pm的方式構圖而製作的透明導電膜112稱為圖案化電極118。另夕卜，將玻璃基板110、和該圖案化電極118總稱為導電層疊體136。該導電層疊體136相當於技術方案範圍中記載的導電層疊體的一個例子。在異丙醇中對該導電層疊體136進行超聲波清洗，進而在N2(氮氣)氣氛中使其乾燥，然後使用UV(紫外線)和臭氧，清洗10分鐘。(3)導電層疊體的物性的測定結果31對使用靶3進行制膜而成的透明導電膜112的比電阻進行測定，結果其值為4.9X1(T4Qvm。另外，對圖案化電極118的光透過率(波長550nm處的光透過率)進行了測定，結果其值為89%。另外，使用光電子分光裝置(理研計器公司制、AC—1)對UV清洗後的導電層疊體136中的透明導電膜112的功函數進行了測定，結果其值為5.9eV。另外，這些測定結果如表2所示。接著，使用XPS對上述圖案化電極118表面中的Ce3d峰值進行測定。該測定的結果是，作為上述SB和上述SA的面積比的SB/SA的值為0.025。該測定結果也如表2所示。(4)有機EL元件的形成與實施例13—樣，在透明導電基板138的圖案化電極118上，順次層疊空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極層132，得到有機EL元件134。另夕卜，該有機EL元件134相當於技術方案範圍記載的有機電致發光元件的一個例子。(5)所製造的有機EL元件的評價將得到的有機EL元件134中的陰極層132作為負極，將透明導電膜112作為正極，在兩電極之間施加5.0V的直流電壓。此時的電流密度為1.0mA/cm2，測定有機EL元件134的發光亮度，結果其值為160nit(cd/m2)。另外，確認其發光色為藍色。進而，作為耐久性評價，以10mA/cn^來恆定電流驅動有機EL元件134，當以Vo作為最初的電壓，以V作為經過1000小時後的電壓時，電壓上升率(二V/Vo)被抑制在1.6。實施例16(1)透明導電基板的製造準備(靶4的製作)按照如下所述的比率準備氧化銦、氧化錫、氧化鈰的粉末(所有粉末的平均粒徑為ljim以下)並將各材料收容於溼式球磨機容器內，其比率是作為銦的摩爾比的In/(In+Sn+Ce)的值為0.90，作為錫的摩爾比的Sn/(In+Sn+Ce)的值為0.05，作為鈰的摩爾比的Ce/(In+Sn+Ce)的值為0.05。用72小時的時間對收容到該溼式球磨機容器內的上述粉末進行混合粉碎，得到粉碎物。通過上述實施例13(1)相同的處理，對該粉碎物進行造粒，壓製成形，進行加熱燒成，由此製作透明導電膜112用的靶4。(2)透明導電基板的製造首先，在高頻濺射裝置的真空槽內配置與實施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶4。運轉高頻濺射裝置，在減壓到上述真空槽內的真空度達到5X10—^a的狀態下，將氬氣導入到真空槽內，使濺射壓力為0.1Pa。圖9(1)表示該玻璃基板110的狀態。另外，此時，在上述真空槽內，濺射氣體的成分為氬氣100%，氧分壓為OPa(表2)。在上述氣氛下，在使真空槽內的玻璃基板110的溫度為20(TC、使接通電力為100W、制膜時間為14分鐘的條件下，使用上述靶4進行濺射。其結果，通過在玻璃基板110上形成厚110nm的透明導電膜112，得到導電層疊體136。其狀態如圖9(2)所示。接著，在氬氣中，使用Mo靶，在透明導電膜112上形成厚120nm的由Mo薄膜構成的金屬膜114。其狀態如圖9(3)所示。接著，使用六氰和鐵(III)酸鉀和氫氧化鈉的水溶液，對透明導電膜112/Mo薄膜114進行蝕刻，在透明導電膜112上形成寬20|Jm的由Mo構成的細金屬線116。其狀態如圖9(4)所示。隨後，如圖9(5)所示，通過草酸水溶液，對使用上述靶4進行制膜的透明導電膜112進行蝕刻，並使圖案與實施例13相同，使其寬度為9(HJm。將這樣構圖而製作的細金屬線116和透明導電膜112總稱為圖案化電極118。另外，下面，將玻璃基板110、和該圖案化電極118總稱為透明導電基板138。該透明導電基板138相當於技術方案範圍中記載的有機電致發光元件用電極基板的一個例子。該透明導電基板138如圖9(5)所示。另外，在上述蝕刻中得到的由Mo構成的細金屬線116相當於技術方案範圍中記載的金屬導體的一個例子。在異丙醇中對該透明導電基板138進行超聲波清洗，進而在N2(氮氣)氣氛中使其乾燥，然後使用UV(紫外線)和臭氧，清洗10分鐘。(3)透明導電基板的物性的測定結果對使用靶4進行制膜而成的透明導電膜112的比電阻進行測定，結果其值為5.0X10—4Qwm。另外，對圖案化電極118的光透過率(波長550nm處的光透過率)進行了測定，結果其值為89%。另外，使用光電子分光裝置(理研計器公司制、AC—1)對UV清洗後的透明導電基板138中的透明導電膜112的功函數進行了測定，結果其值為5.6eV。另外，這些測定結果如表2所示。接著，使用XPS對上述圖案化電極118表面中的Ce3d峰值進行測定。該測定的結果是，作為上述SB和上述SA的面積比的SB/SA的值為0.029。該測定結果也如表2所示。(4)有機EL元件的形成如圖5所示，與實施例13—樣，在透明導電基板138的圖案化電極118上，順次層疊空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極層132，得到有機EL元件134。另外，該有機EL元件134相當於技術方案範圍記載的有機電致發光元件的一個例子。(5)所製造的有機EL元件的評價將得到的有機EL元件134中的陰極層132作為負極，將透明導電膜112作為正極，在兩電極之間施加5.0V的直流電壓。此時的電流密度為2.0mA/cm2，測定有機EL元件134的發光亮度，結果其值為Mlnit(cd/m2)。另外，確認其發光色為藍色。進而，作為耐久性評價，以10mA/cm2來恆定電流驅動有機EL元件134，當以V。作為最初的電壓，以V作為經過1000小時後的電壓時，電壓上升率(二V/Vo)被抑制在1.7。實施例17(1)透明導電基板的製造準備(靶5的製作)按照如下所述的比率準備氧化銦、氧化鋯、氧化鈰的粉末(所有粉末的平均粒徑為l)am以下)並將各材料收容於溼式球磨機容器內，其比率是作為銦的摩爾比的In/(In+Zr+Ce)的值為0.90，作為鋯的摩爾比的Zr/(In+Zr+Ce)的值為0.05，作為鈰的摩爾比的Ce/(In+Zr+Ce)的值為0.05。用72小時的時間對收容到該溼式球磨機容器內的上述粉末進行混合粉碎，得到粉碎物。通過上述實施例13(1)相同的處理，對該粉碎物進行造粒，壓製成200810185629.2形，進行加熱燒成，由此製作透明導電膜112用的靶5。(2)透明導電基板的製造首先，在高頻濺射裝置的真空槽內配置與實施例13相同的玻璃基板110、以及上述耙5。運轉高頻濺射裝置，在減壓到上述真空槽內的真空度達到5X10—a的狀態下，將氬氣導入到真空槽內，使濺射壓力為0.1Pa。圖9(1)表示該玻璃基板110的狀態，相當於技術方案範圍內記載的透明基材的一個例子。另外，此時，在上述真空槽內，濺射氣體的成分為氬氣100%，氧分壓為OPa(表2)。在上述氣氛下，在使真空槽內的玻璃基板110的溫度為20(TC、使接通電力為100W、制膜時間為14分鐘的條件下，使用上述靶5進行濺射。其結果，通過在玻璃基板110上形成厚110nm的透明導電膜112，得到導電層疊體136。其狀態如圖9(2)所示。接著，在氬氣中，使用Cr靶，在透明導電膜112上形成厚120nm的由Cr薄膜構成的金屬膜114。其狀態如圖9(3)所示。接著，使用硝酸高鈰銨和高氯酸的水溶液，對透明導電膜112/Cr薄膜114進行蝕刻，使金屬膜114的寬度為20jLim，由此在透明導電膜112上形成由Cr構成的細金屬線116。其狀態如圖9(4)所示。隨後，如圖9(5)所示，通過草酸水溶液，對使用上述靶5制膜形成的透明導電膜112進行蝕刻，使圖案與實施例13相同，其寬度為90pm。將這樣進行構圖而製作的細金屬線116和透明導電膜112總稱為圖案化電極118。另外，下面，將玻璃基板IIO、和該圖案化電極118總稱為透明導電基板138。該透明導電基板138相當於技術方案範圍中記載的有機電致發光元件用電極基板的一個例子。該透明導電基板138如圖9(5)所示。另外，在上述蝕刻中得到的由Cr構成的細金屬線116相當於技術方案範圍中記載的金屬導體的一個例子。在異丙醇中對該透明導電基板138進行超聲波清洗，進而在N2(氮氣)氣氛中使其乾燥，然後使用UV(紫外線)和臭氧，清洗10分鐘。(3)透明導電基板的物性的測定結果對使用靶5進行制膜而成的透明導電膜112的比電阻進行測定，結果35其值為5.0X10—4Q-11。另夕卜，對圖案化電極118的光透過率(波長550nm處的光透過率)進行了測定，結果其值為89。X。另外，使用光電子分光裝置(理研計器公司制、AC—1)對UY清洗後的透明導電基板138中的透明導電膜112的功函數進行了測定，結果其值為5.6eV。另外，這些測定結果如表2所示。接著，使用XPS對上述圖案化電極118表面中的Ce3d峰值進行了測定。該測定的結果是，作為上述SB和上述SA的面積比的SB/SA的值為0.029。該測定結果也如表2所示。(4)有機EL元件的形成如圖5所示，與實施例13—樣，在透明導電基板138的圖案化電極118上，順次層疊空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極層132，得到有機EL元件134。另外，該有機EL元件134相當於技術方案範圍記載的有機電致發光元件的一個例子。(5)所製造的有機EL元件的評價將得到的有機EL元件134中的陰極層132作為負極，將透明導電膜112作為正極，在兩電極之間施加5.0V的直流電壓。此時的電流密度為2.0mA/cm2，測定有機EL元件134的發光亮度，結果其值為140nit(cd/m2)。另外，確認其發光色為藍色。進而，作為耐久性評價，以10mA/cm2恆定電流驅動有機EL元件134，當以最初的電壓為VQ，以經過1000小時後的電壓為V時，電壓上升率(=V/VQ)被抑制在1.4。實施例18(1)透明導電基板的製造準備(靶6的製作)按照如下所述的比率準備氧化銦、氧化鎵、氧化鈰的粉末(所有粉末的平均粒徑為lpm以下)並將各材料收容於溼式球磨機容器內，其比率是作為銦的摩爾比的In/(In+Ga+Ce)的值為0.90，作為鎵的摩爾比的Ga/(In+Ga+Ce)的值為0.05，作為鈽的摩爾比的Ce/(In+Ga+Ce)的值為0.05。用72小時的時間對收容到該溼式球磨機容器內的上述粉末進行混合粉碎，得到粉碎物。通過上述實施例13(1)相同的處理，對該粉碎物進行成形，加熱燒36成，製作透明導電膜112用的靶6。(2)透明導電基板的製造首先，在高頻濺射裝置的真空槽內配置與實施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶6。運轉高頻濺射裝置，在減壓到上述真空槽內的真空度達到5X10—卞a的狀態下，將氬氣導入到真空槽內，使濺射壓力為0.1Pa。圖9(1)表示該玻璃基板110的狀態。另外，此時，在上述真空槽內，濺射氣體的成分為氬氣100%，氧分壓為OPa(表3)。tableseeoriginaldocumentpage38在上述氣氛下，在使真空槽內的玻璃基板110的溫度為20(TC、使接通電力為100W、制膜時間為14分鐘的條件下，使用上述耙6進行濺射。其結果，通過在玻璃基板110上形成厚110nm的透明導電膜112，得到導電層疊體136。其狀態如圖9(2)所示。接著，在氬氣中，使用Mo靶和Al靶，形成Mo(10nm)/AKl00nm)/Mo(10nm)的金屬膜114。接著，使用六氰和鐵(III)酸鉀和氫氧化鈉的水溶液，對Mo薄膜進行蝕刻，使用磷酸一硝酸一醋酸水溶液(磷酸硝酸醋酸=16:1:1),對A1薄膜進行蝕刻，使(Mo/Al/Mo)的金屬膜14的寬度為20pm，由此在透明導電膜112上形成由(Mo/Al/Mo)構成的細金屬線116。隨後，為了使圖案與實施例13相同，利用草酸水溶液，對使用該耙6形成的透明導電膜112進行蝕刻，使其寬度為90[Jin。將這樣構圖而製作的細金屬線116和透明導電膜112總稱為圖案化電極118。另外，下面，將玻璃基板110、和該圖案化電極118總稱為透明導電基板138。該透明導電基板138相當於技術方案範圍中記載的有機電致發光元件用電極基板的一個例子。另外，在上述蝕刻中得到的由(Mo/Al/Mo構成的細金屬線116相當於技術方案範圍中記載的金屬導體的一個例子。在異丙醇中對該透明導電基板138進行超聲波清洗，進而在N2(氮氣)氣氛中使其乾燥，然後使用UV(紫外線)和臭氧，清洗10分鐘。(3)透明導電基板的物性的測定結果對使用靶6進行制膜而成的透明導電膜112的比電阻進行測定，結果其值為5.0X10—4Q*cm。另夕卜，對圖案化電極118的光透過率(波長550nm處的光透過率)進行了測定，結果其值為90%。另外，使用光電子分光裝置(理研計器公司制、AC—1)對UV清洗後的透明導電基板138中的透明導電膜112的功函數進行了測定，結果其值為5.6eV。另外，這些測定結果如表3所示。接著，使用XPS對上述圖案化電極118表面中的Ce3d峰值進行測定。該測定的結果是，作為上述SB和上述SA的面積比的SB/SA的值為0.029。該測定結果也如表3所示。(4)有機EL元件的形成與實施例13—樣，在透明導電基板138的圖案化電極118上，順次層疊空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極層132，得到有機EL元件134。另外，該有機EL元件134相當於技術方案範圍記載的有機電致發光元件的一個例子。(5)所製造的有機EL元件的評價將得到的有機EL元件134中的陰極層132作為負極，將透明導電膜112作為正極，在兩電極之間施加5.0V的直流電壓。此時的電流密度為2.0mA/cm2，測定有機EL元件134的發光亮度，結果其值為135nit(cd/m2)。另外，確認其發光色為藍色。進而，作為耐久性評價，以10mA/cr^恆定電流驅動有機EL元件134，當以最初的電壓為Vo，以經過1000小時後的電壓為V時，電壓上升率(=V/V。)被抑制在1.4。實施例19(1)透明導電基板的製造準備(靶7的製作)按照如下所述的比率準備氧化銦、氧化錫、氧化鈰的粉末(所有粉末的平均粒徑為l)Lim以下)並將各材料收容於溼式球磨機容器內，其比率是作為銦的摩爾比的In/(In+Sn+Ce)的值為0.90，作為錫的摩爾比的Sn/(In+Sn+Ce)的值為0.05，作為鈰的摩爾比的Ce/(In+Sn+Ce)的值為0.05。用72小時的時間對收容到該溼式球磨機容器內的上述粉末進行混合粉碎，得到粉碎物。通過與上述實施例13(1)相同的處理，對該粉碎物進行造粒，壓製成形，進行加熱燒成，由此製作透明導電膜112用的靶7。(2)透明導電基板的製造首先，在高頻濺射裝置的真空槽內配置與實施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶7。運轉高頻濺射裝置，在減壓到上述真空槽內的真空度達到5X10—，a的狀態下，將氬氣和氧(其體積比為80:20)導入到上述真空槽內，使濺射壓力為0.5Pa。此時，氧分壓為0.1Pa。圖9(1)表示該玻璃基板110的狀態。另外，這些濺射氣體的成分比和濺射氣體的氧分壓顯示於表3中。在上述氣氛下，在使真空槽內的玻璃基板110的溫度為20(TC、使接通電力為100W、制膜時間為14分鐘的條件下，使用上述靶7進行濺射。其結果，通過在玻璃基板110上形成厚110nm的透明導電膜112，得到導電層疊體136。其狀態如圖9(2)所示。接著，在氬氣中，使用A1靶，在透明導電膜112上形成厚120nm的由Al薄膜構成的金屬膜114。其狀態如圖9(3)所示。接著，使用磷酸一硝酸一醋酸水溶液(磷酸硝酸醋酸二16:1:1)，對透明導電膜112/金屬膜114進行蝕刻，使金屬膜114的寬度為20]Lim，由此在透明導電膜112上形成由Al構成的細金屬線116。其狀態如圖9(4)所示。隨後，如圖9(5)所示，為使圖案與實施例13相同，利用草酸水溶液，對使用該靶7形成的透明導電膜112進行蝕刻，並使其寬度為90pm。將這樣構圖而製作的細金屬線116和透明導電膜112總稱為圖案化電極118。另外，下面，將玻璃基板IIO、和該圖案化電極118總稱為透明導電基板138。該透明導電基板138相當於技術方案範圍中記載的有機電致發光元件用電極基板的一個例子。該透明導電基板138如圖9(5)所示。另外，在上述蝕刻中得到的由Al構成的細金屬線116相當於技術方案範圍中記載的金屬導體的一個例子。在異丙醇中對該透明導電基板138進行超聲波清洗，進而在N2(氮氣)氣氛中使其乾燥，然後使用UV(紫外線)和臭氧，清洗10分鐘。(3)透明導電基板的物性的測定結果對使用靶7進行制膜而成的透明導電膜112的比電阻進行測定，結果其值為5.0X10—3Q'cm。另外，對圖案化電極118的光透過率(波長550nm處的光透過率)進行測定，結果其值為89%。另外，使用光電子分光裝置(理研計器公司制、AC—O對UV清洗後的透明導電基板138中的透明導電膜112的功函數進行測定，結果其值為5.6eV。另外，這些測定結果如表3所示。接著，使用XPS對上述圖案化電極118表面中的Ce3d峰值進行測定。該測定的結果是，作為上述SB和上述SA的面積比的SB/SA的值為0.12。該測定結果也如表3所示。41(4)有機EL元件的形成如圖5所示，與實施例13—樣，在透明導電基板138的圖案化電極118上，順次層疊空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極層132，得到有機EL元件134。另外，該有機EL元件134相當於技術方案範圍記載的有機電致發光元件的一個例子。(5)所製造的有機EL元件的評價將得到的有機EL元件134中的陰極層132作為負極，將透明導電膜112作為正極，在兩電極之間施加5.0V的直流電壓。此時的電流密度為1.6mA/cm2，測定有機EL元件134的發光亮度，結果其值為108nit(cd/m2)。另外，確認其發光色為藍色。進而，作為耐久性評價，以10mA/cmM亙定電流驅動有機EL元件134，當以最初的電壓為VQ，以經過1000小時後的電壓為V時，電壓上升率(=V/VQ)被抑制在1.9。比較例3(1)透明導電基板的製造準備(靶8的製作)按照如下所述的比率準備氧化銦、氧化鈰的粉末(所有粉末的平均粒徑為lpm以下)並將各材料收容於溼式球磨機容器內，其比率是作為銦的摩爾比的In/(In+Ce)的值為0.95，作為鈰的摩爾比的Ce/(In+Ce)的值為0.05。用72小時的時間對收容到該溼式球磨機容器內的上述粉末進行混合粉碎，得到粉碎物。通過上述實施例13(1)相同的處理，對該粉碎物進行造粒，壓製成形，進行加熱燒成，由此製作透明導電膜112用的靶8。(2)透明導電基板的製造首先，在高頻濺射裝置的真空槽內配置與實施例13相同的玻璃基板110、以及上述耙8。運轉高頻濺射裝置，在減壓到上述真空槽內的真空度達到5X10—卞a的狀態下，將氬氣和氧(其體積比為70:30)導入到上述真空槽內，使濺射壓力為0.5Pa。此時，氧的分壓為0.15Pa。圖9(1)表示該玻璃基板110的狀態。另外，這些濺射氣體的成分比和濺射氣體中的氧分壓顯示於表3中。在上述氣氛下，在使真空槽內的玻璃基板110的溫度為20(TC、使接42通電力為100W、制膜時間為14分鐘的條件下，使用上述靶8進行濺射。其結果，通過在玻璃基板110上形成厚110nm的透明導電膜112，得到導電層疊體136。其狀態如圖9(2)所示。接著，在氬氣中，使用A1靶，在透明導電膜112上形成厚120nm的由Al薄膜構成的金屬膜114。其狀態如圖9(3)所示。接著，使用磷酸一硝酸一醋酸水溶液(磷酸硝酸醋酸=16:h1)，對透明導電膜112/金屬膜114進行蝕刻，使金屬膜114的寬度為20)um，由此在透明導電膜112上形成由Al構成的細金屬線116。其狀態如圖9(4)所示。隨後，如圖9(5)所示，對利用該靶8製成的透明導電膜112，利用草酸水溶液進行蝕刻，以使其圖案與實施例13相同。將這樣構圖而製作的細金屬線116和透明導電膜112總稱為圖案化電極118。另外，下面，將玻璃基板IIO、和該圖案化電極118總稱為透明導電基板138。該透明導電基板138如圖9(5)所示。在異丙醇中對該透明導電基板138進行超聲波清洗，進而在N2(氮氣)氣氛中使其乾燥，然後使用UV(紫外線)和臭氧，清洗10分鐘。(3)透明導電基板的物性的測定結果對使用靶8進行制膜而成的透明導電膜112的比電阻進行測定，結果其值為8.0X10—3Q'cm。另外，對圖案化電極118的光透過率(波長550nm處的光透過率)進行測定，結果其值為89%。另外，使用光電子分光裝置(理研計器公司制、AC—1)對UV清洗後的透明導電基板138中的透明導電膜112的功函數進行測定，結果其值為4.9eV。另外，這些測定結果如表3所示。接著，使用XPS對上述圖案化電極118表面中的Ce3d峰值進行測定。該測定的結果是，作為上述SB和上述SA的面積比的SB/SA的值為0.13。該測定結果也如表3所示。(4)有機EL元件的形成如圖5所示，與實施例13—樣，在透明導電基板138的圖案化電極118上，順次層疊空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極層132，得到有機EL元件134。(5)所製造的有機EL元件的評價將得到的有機EL元件134中的陰極層132作為負極，將透明導電膜112作為正極，在兩電極之間施加5.0V的直流電壓。此時的電流密度為1.3mA/cm2，測定了有機EL元件134的發光亮度，結果其值為60nit(cd/m2)。另外，確認其發光色為藍色。進而，作為耐久性評價，以10mA/cr^恆定電流驅動有機EL元件134，當以最初的電壓為VQ，以經過1000小時後的電壓為V時，電壓上升率(=V/V。)為3.0，變化較大。比較例4(1)透明導電基板的製造準備(靶9的製作)按照如下所述的比率準備氧化銦、氧化錫的粉末(所有粉末的平均粒徑為lpm以下)並將各材料收容於溼式球磨機容器內，其比率是作為銦的摩爾比的In/(In+Sn)的值為0.95，作為錫的摩爾比的Sn7(In+Sn)的值為0.05。用72小時的時間對收容到該溼式球磨機容器內的上述粉末進行混合粉碎，得到粉碎物。通過上述實施例13(1)相同的處理，對該粉碎物進行造粒，壓製成形，進行加熱燒成，由此製作透明導電膜112用的靶9。(2)透明導電基板的製造首先，在高頻濺射裝置的真空槽內配置與實施例13相同的玻璃基板110、以及上述耙9。運轉高頻濺射裝置，在減壓到上述真空槽內的真空度達到5X10—Va的狀態下，將氬氣和氧(其體積比為90:10)導入到上述真空槽內，使濺射壓力為0.1Pa。此時，氧的分壓為0.01Pa。圖9(1)表示該玻璃基板110的狀態。另外，這些濺射氣體的成分比和濺射氣體的氧分壓顯示於表3中。在上述氣氛下，在使真空槽內的玻璃基板110的溫度為20(TC、使接通電力為100W、制膜時間為14分鐘的條件下，使用上述靶9進行濺射。其結果，通過在玻璃基板110上形成厚110nm的透明導電膜112，得到導電層疊體136。其狀態如圖9(2)所示。接著，在氬氣中，使用A1靶，在透明導電膜112上形成厚120nm的由Al薄膜構成的金屬膜114。其狀態如圖9(3)所示。接著，使用磷酸一硝酸一醋酸水溶液(磷酸硝酸醋酸=16:1:1)，對透明導電膜112/金屬膜114進行蝕刻，使金屬膜114的寬度為20prn，由此在透明導電膜112上形成由Al構成的細金屬線116。其狀態如圖9(4)所示。隨後，如圖9(5)所示，對利用該靶9製成的透明導電膜112，禾U用草酸水溶液進行蝕刻，以使其圖案與實施例13相同。將這樣構圖而製作的細金屬線116和透明導電膜112總稱為圖案化電極118。另外，下面，將玻璃基板110、和該圖案化電極118總稱為透明導電基板138。該透明導電基板138如圖9(5)所示。在異丙醇中對該透明導電基板138進行超聲波清洗，進而在N2(氮氣)氣氛中使其乾燥，然後使用UV(紫外線)和臭氧，清洗10分鐘。(3)透明導電基板的物性的測定結果對使用耙9進行制膜而成的透明導電膜112的比電阻進行測定，結果其值為2.0X10"Q'cm。另夕卜，對圖案化電極118的光透過率(波長550nm處的光透過率)進行測定，結果其值為91%。另外，使用光電子分光裝置(理研計器公司制、AC—1)對UV清洗後的透明導電基板138中的透明導電膜112的功函數進行測定，結果其值為4.8eV。另外，這些測定結果如表3所示。另外，因為在該透明導電膜112中不含Ce，所以沒有實施XPS的測定。(4)有機EL元件的形成如圖5所示，與實施例13—樣，在透明導電基板138的圖案化電極118上，順次層疊空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極層132，得到有機EL元件134。(5)所製造的有機EL元件的評價將得到的有機EL元件134中的陰極層132作為負極，將透明導電膜112作為正極，在兩電極之間施加5.0V的直流電壓。此時的電流密度為1.4mA/cm2，測定了有機EL元件134的發光亮度，結果其值為80nit(cd/m2)。另外，確認其發光色為藍色。進而，作為耐久性評價，以10mA/cn^恆定電流驅動有機EL元件134，當以最初的電壓為V。，以經過1000小時後的電壓為V時，電壓上升率(=V/Vo)成為1.5。比較例5(1)透明導電基板的製造準備(靶10的製作)按照如下所述的比率準備氧化銦、氧化鋅的粉末(所有粉末的平均粒徑為lpm以下)並將各材料收容於溼式球磨機容器內，其比率是作為銦的摩爾比的In/(In+Zn)的值為0.93，作為鋅的摩爾比的Zn/(In+Zn)的值為0.03。用72小時的時間對收容到該溼式球磨機容器內的上述粉末進行混合粉碎，得到粉碎物。通過上述實施例13(1)相同的處理，對該粉碎物進行造粒，壓製成形，進行加熱燒成，由此製作透明導電膜112用的靶10。(2)透明導電基板的製造首先，在高頻濺射裝置的真空槽內配置與實施例13相同的玻璃基板110、以及上述靶IIO。運轉高頻濺射裝置，在減壓到上述真空槽內的真空度達到5X10—^a的狀態下，將氬氣導入到上述真空槽內，使濺射壓力為O.lPa。圖9(1)表示該玻璃基板110的狀態。另外，此時，在上述真空槽內，濺射氣體的成分為氬氣100%，氧分壓為OPa(表3)在上述氣氛下，在使真空槽內的玻璃基板110的溫度為20(TC、使接通電力為100W、制膜時間為14分鐘的條件下，使用上述靶IIO進行濺射。其結果，通過在玻璃基板110上形成厚110nm的透明導電膜112，得到導電層疊體136。其狀態如圖9(2)所示。接著，在氬氣中，使用A1靶，形成厚120nm的由Al薄膜構成的金屬膜114。其狀態如圖9(3)所示。接著，使用磷酸—硝酸一醋酸水溶液(磷酸硝酸醋酸=16:1:1)，對透明導電膜112/金屬膜114進行蝕刻，使金屬膜114的寬度為20)am，由此在透明導電膜112上形成由Al構成的細金屬線116。其狀態如圖9(4)所示。隨後，如圖9(5)所示，對利用該靶10製成的透明導電膜112，利用草酸水溶液進行蝕刻，以使其圖案與實施例13相同。將這樣構圖而製作的細金屬線116和透明導電膜112總稱為圖案化電極118。另外，下面，將玻璃基板IIO、和該圖案化電極118總稱為透明導電46基板138。該透明導電基板138如圖9(5)所示。在異丙醇中對該透明導電基板138進行超聲波清洗，進而在N2(氮氣)氣氛中使其千燥，然後使用UV(紫外線)和臭氧，清洗10分鐘。(3)透明導電基板的物性的測定結果對使用靶10進行制膜而成的透明導電膜112的比電阻進行測定，結果其值為4.0X10—4Q'cm。另外，對圖案化電極118的光透過率(波長550nm處的光透過率)進行測定，結果其值為89%。另外，使用光電子分光裝置(理研計器公司制、AC—1)對UV清洗後的透明導電基板138中的透明導電膜112的功函數進行測定，結果其值為4.9eV。另外，這些測定結果如表3所示。另夕卜，因為在該透明導電膜112中不含Ce，所以沒有實施XPS的測定。(4)有機EL元件的形成如圖5所示，與實施例13—樣，在透明導電基板138的圖案化電極118上，順次層疊空穴輸送層126、有機發光層128、電子注入層130、陰極層132，得到有機EL元件134。(5)所製造的有機EL元件的評價將得到的有機EL元件134中的陰極層132作為負極，將透明導電膜112作為正極，在兩電極之間施加5.0V的直流電壓。此時的電流密度為1.4mA/cm2，測定有機EL元件134的發光亮度，結果其值為90nit(cd/m2)。另外，確認其發光色為藍色。進而，作為耐久性評價，以10mA/cr^恆定電流驅動有機EL元件134，當以最初的電壓為VQ，以經過1000小時後的電壓為V時，電壓上升率(=V/Vo)成為1.5。第三發明實施例20按照如下所示的步驟製造圖8所示的有機EL元件。使用厚1.1mm的玻璃作為基板91，在其上通過濺射使50nm的Cr成膜，作為陽極層92。在異丙醇中對該帶Cr的玻璃進行超聲波清洗5分鐘，然後用純水清洗5分鐘，最後再次用異丙醇進行5分鐘的超聲波清洗。將清洗後的基板固定在市售的真空蒸鍍裝置(日本真空技術(株)制)的基板託架上，在鉬制電阻加熱舟皿中放入N，N，一二苯基一N，N，一雙一(3—甲基苯基)一(1，1'一聯苯基)一4，4，一二胺(下面，成為TPDA)200mg，另夕卜，還在其他鉬制電阻加熱舟皿中放入4，4，一(2，2—二苯基乙烯基)聯苯(下面，稱為DPVBi)，將真空室內減壓至1X10-4Pa。.接著，將已放入了TPDA的上述電阻加熱舟皿加熱至215220°C，以0.10.3nm/sec的蒸鍍速度在帶Cr的玻璃基板上堆積TPDA，形成膜厚60nm的空穴輸送層93。此時的基板溫度為室溫(約25'C)。不將其從真空室中取出，而是將已放入DPVBi的上述鉬制電阻加熱舟皿加熱至220°C，以0.10.2nm/sec的蒸鍍速度在空穴輸送層93上堆積DPVBi，使膜厚40nm的有機發光層94成膜。此時的基板溫度也為室溫。如上所述，從真空室中取出順次有陽極層92、空穴輸送層93、有機發光層94成膜的基板，在上述發光層的上面設置不鏽鋼製的掩模，然後再固定在基板託架上。接著，在鉬制電阻加熱舟皿中放入鋁鰲合絡合物(Alq:(8—羥基喹啉)鋁)200mg，並安裝到真空室內。進而，向包覆氧化鋁的鎢制筐(basket)中放入銀(Ag)錠8g，另夕卜，在另外的鉬制舟皿中放入鉍(Bi)帶lg，進而還在另外鉬制舟皿中放入鎂(Mg)lg。然後將真空室內減壓至2X10—4Pa，首先，將己放入Alq的舟皿通電加熱至280°C，以0.3nm/sec的蒸鍍速度將Alq蒸鍍20nm，使電子輸送層95成膜。接著，將Ag以9nm/sec的速度、將Bi以0.8nm/sec的速度、將Mg以0.2nm/sec的速度，分別同時蒸鍍，得到膜厚2nm的由Ag—Bi—Mg蒸鍍膜構成的陰極層96。通過高頻感應等離子發光分光分析裝置(ICP)對Ag、Bi、Mg在陰極層中所佔的含量進行測定，其結果分別為90重量％、8重量％、2重量％。最後，作為透明導電層97，採用常規的濺射法形成膜厚150nm的ITO，製作圖8所示的有機EL元件。實施例21實施例34、和比較例6比較例8除了如表46所示更改陰極層的構成之外，與實施例20—樣製作有48機EL元件。關於在實施例21實施例34、和比較例6比較例8中製作的有機EL元件，陰極層的組成、各金屬的標準氧化還原電位、陰極層的光線透過率、和性能評價的結果如表46所示。另外，評價通過以下的方法進行。(1)金屬的標準氧化還原電位以與在各實施例中製作的陰極層相同的條件，在玻璃基板上蒸鍍金屬。將該試樣浸漬在通過鹽橋與標準氫電極(半電池)連接的0.1M高氯酸鋰的水溶液中，用恆電位儀(北鬥電工公司制)進行電位測定。(2)陰極層的光線透過率在形成有機EL元件時，在E1基板託架的附近設置玻璃基板，僅在陰極成膜時打開光閘(shutter),由此以單層膜(2nm)在玻璃基板上形成Ag—Bi—Mg蒸鍍膜。使用分光光度計(UV—3100:島津製作所制)測定該帶蒸鍍膜的基板在380nm780nm處的光線透過率，評價該波長區域的平均光線透過率。(3)發光強度通過CS—1000(S乂小夕制)，對使電極間的電流為30mA/cm2時的、元件的初始發光亮度進行測定。(4)壽命試驗在(3)的條件下，對元件在室溫下連續驅動2000小時後的元件發光強度進行評價。(5)元件的劣化評價關於(4)的壽命試驗後的元件，用光學顯微鏡(倍率20倍)從陰極側觀察元件的表面，評價試驗前後的外觀變化。(6)評價當壽命試驗後的發光強度為初始發光強度的0.5倍以上，而且在劣化評價中金屬電極幾乎沒有出現變化時，評價為〇，在其以外時，評價為X。49tableseeoriginaldocumentpage50tableseeoriginaldocumentpage51*1:表中的數字是第一金屬或第二金屬的標準氧化還原電位(Vvs.NHE)。表6tableseeoriginaldocumentpage52*1:表中的數字是第一金屬或第二金屬的標準氧化還原電位(Vvs.NHE)。由表46的結果可以確認，本發明的有機EL元件抑制陰極層的劣化，與比較例的元件相比，壽命更長。產業上的可利用性本發明的有機EL元件和顯示裝置，可以用作各種民用工業用的顯示器，具體而言可以用作行動電話、PDA、導航裝置、監視器、TV等的顯不器o權利要求1.一種有機電致發光元件，按順序至少層疊有陽極層、有機發光層和陰極層，其中上述陰極層至少含有第一金屬和第二金屬，上述第一金屬的25℃下的標準氧化還原電位(E(A))為—1.7(V)以上，上述第二金屬的25℃下的標準氧化還原電位(E(B))滿足下述式(2)；E(A)—1.1≦E(B)(2)。2.—種有機電致發光元件，按順序至少層疊有陽極層、有機發光層、陰極層和透明導電層，其中上述陰極層至少含有第一金屬和第二金屬，上述第一金屬的25。C下的標準氧化還原電位(E(A))為一1.7(V)以上，上述第二金屬的25'C下的標準氧化還原電位(E(B))滿足下述式(2);E(A)—1.1芸E(B)(2)。3.如權利要求1或者2所述的有機電致發光元件，其中，上述陰極層以上述第一金屬為主要成分。4.如權利要求1或者2所述的有機電致發光元件，其中，上述第一金屬是從A1、Cr、Ta、Zn、Fe、Ti、In、Co、Ni、Ge、Cu、Re、Ru、Ag、Pd、Pt、Au中選擇的金屬。5.如權利要求1或者2所述的有機電致發光元件，其中，上述第二金屬是從Bi、Te、Sn、V、Mo、Nd、Nb、Zr中選擇的金屬。6.如權利要求1或者2所述的有機電致發光元件，其中，上述陰極層含有鹼金屬或鹼土金屬0.1重量％5.0重量％。7.如權利要求1或者2所述的有機電致發光元件，其中，上述陰極層的波長380nm780ran處的光線透過率為10%以上。8.如權利要求1或者2所述的有機電致發光元件，其中，上述第一金屬是Ag。9.一種顯示裝置，包括權利要求18中任意一項所述的有機電致發光元件而構成。全文摘要本發明提供一種有機電致發光元件，其由陰極(50)、陽極(20)、以及在上述陰極(50)和陽極(20)之間存在的發光層(40)構成，陽極(20)的至少與發光層(40)接觸的部分含有從鑭、鈰、釹、釤、銪中選擇的至少一種以上的元素，和從鉻、鎢、鉭、鈮、銀、鈀、銅、鎳、鈷、鉬、鉑、矽中選擇的至少一種以上的元素。通過該元件，可以有效地從陽極將空穴注入到發光層中，實現有機EL元件的驅動電壓的進一步低電壓化，以及基於低電壓驅動的長壽命化。文檔編號H01L51/50GK101447556SQ200810185629公開日2009年6月3日申請日期2004年12月8日優先權日2003年12月19日發明者井上一吉,松原雅人,渋谷忠夫,笘井重和,酒井俊男申請人:出光興產株式會社