動態度量採樣方法
2023-05-30 19:42:01
專利名稱：動態度量採樣方法
技術領域：
本發明大體上涉及適應性度量採樣技術的領域，且尤其涉及可應用於監控各工藝中的用於適應性度量採樣計劃的多種方法以及系統。
背景技術：
所有的工藝環境事實上都需要取得度量數據以確保各種工藝都按照期望和需要操作。在理想控制的情況下，所有的工件或材料工藝都需要度量。然而，在現實中，此種詳盡的度量採樣計劃並不實際。度量數據的增加沒有為工件或材料處理增添任何價值。不僅如此，度量數據的增加造成時間的浪費而且必須使用昂貴的度量工具和珍貴的度量技術人員或工程師。如此，基於商業的需求必須將採樣數限制在最小的水平，以提供實用的信息來監視和控制各種工藝。
在整個半導體工藝操作中，度量採樣的執行就如同對被採樣的多批晶片的固定獨立規則一般。舉例來說，先前的採樣系統大部分牽涉到以下的採樣基礎以經過工具或工藝操作的工件(或多批)的固定百分比做採樣，如20％；或以預設的圖形(pre-setpattern)做採樣，如每隔一批(X-X-X)；或每四批對其第一批工件做測量(X---X---)。此外，在工程部門的考慮下有時也會做出特定採樣決定，造成在特定工具或工具組中提高了採樣水平。在如此多重的影響下，不協調的採樣輸入會造成生產線的過採樣。
為降低過採樣的風險，一般的處理方式是降低採樣規則並以低比率只讓關鍵處理工具(key process tools)使用。通過這種處理方式，來自於特定決定或其它來源所造成的額外採樣就不會使度量工具和人員的承受力超載。然而，此種採樣方式造成了風險，即其可能因為缺乏對非關鍵處理工具的特定採樣規則而造成該非關鍵處理工具的問題繼續存在而未被檢測出來。
舉例來說，在整個半導體工藝操作中，需要設定度量採樣計劃以調查潛在的蝕刻缺陷。造成此種缺陷的衝擊可能來自於四個蝕刻工具和五個溶劑槽(用於在蝕刻工藝執行後除去光刻膠掩膜材料)等處理工具。典型的採樣規則是指定通過該四個蝕刻工具的每個工具處理的批需有30％接受度量測試。然而，實際的度量測試會一直到該確認的批通過一個蝕刻工具和五個溶劑槽之一後才開始執行。為採用此種處理方式，因為隨機的關係，必須假設該溶劑槽工具也同時有適當地採樣。然而，實際上，此種度量可能無法對非關鍵處理工具提供適當的採樣，如該溶劑槽。此即，因為隨機選擇，這些在蝕刻工具中加工後的批，當它們順流進入溶劑槽中處理時無法被平均的分配。如此一來，有些溶劑槽工具可能會超採樣，而其它的溶液槽工具可能會採樣不足。
此種假設所有需要的工具都被適當採樣的度量採樣計劃，很多工藝都不能接受。依靠此種假設可能會導致特定處理工具並未產生可接受的結果，但在一段時間內沒有被檢測出來。如此一來，工藝花費會提高而工藝效率和產品合格率將會降低。一般來說，這裡所需要的是一種度量採樣方法論，其可以使工件的採樣數達到最小，且依然對需要採樣的處理工具和操作做適當的採樣，其中該工件可例如為批、晶片。
本發明關注各種可以解決、或至少減少一些或全部的上述問題的方法和系統。
發明內容
本發明通常涉及可以採用適應性度量採樣計劃以便監控多種工藝的多種方法以及系統。在一個示意性實施例中，此方法包含產生多個度量採樣規則、為每個該度量採樣規則分配採樣加權值(weightvalue)、確認滿足至少一個該度量採樣規則的至少一個工件、使每個滿足的度量採樣規則的採樣加權值與該確認的滿足規則的工件相關聯，且當該採樣加權值總合累積到至少等於預設觸發值時，指示應被執行的度量操作。
在另一示意性實施例中，此方法包含產生多個度量採樣規則、為每個該度量採樣規則分配採樣加權值、確認滿足至少一個該度量採樣規則的至少一個工件、使每個滿足的度量採樣規則的採樣加權值與該確認的滿足規則的工件相關聯，當該度量採樣加權規則之一的採樣加權值總合累積到至少等於預設觸發值時，指示應被執行的度量操作。
在更進一步揭露的實施例中，此方法包含產生多個度量採樣規則、為每個該度量採樣規則分配採樣加權值、確認滿足至少一個該度量採樣規則的至少一個工件、使每個滿足的度量採樣規則的採樣加權值與該確認的滿足規則的工件相關聯，當該工件之一的採樣加權值總合累積到至少等於預設觸發值時，指示應被執行度量操作。
通過參照所附圖可更了解本發明上述的說明，附圖中類似組件標有類似的參考標記，且其中表1至6描述了本發明的一個示意性實施例；以及圖1是可以採用本發明的系統的一個示意性實施例的示意圖。
本發明容許各種修改和替代的形式，此處，在附圖中呈現的特定的實施例和詳細的敘述僅作為舉例之用。然而，在此應該要了解，特定實施例的描述並非意圖將本發明限制在特定揭露的形式中，也就是說，其意圖在於涵蓋在附加的權利要求的精神與範圍內所做的修改、等效替換。
具體實施例方式
下面說明本發明的示意性實施例。為求明晰，並非所有的實際達成的特點都在本說明書中敘述。在此必然要理解，任何這種實際實施例的發展中，必須進行許多特定的實施決定以達成開發者的特定目標，如符合系統相關和商業相關的限制，會因不同的實施而有不同的決定。此外，還必須知道此種開發成就可能是既複雜且耗時的，然而對於從此公開獲益的相關領域技術人員來說則是例行公事。
本說明書所用的詞彙與專有名詞應當與此相關領域的技術人員所認知的意義和說明相一致。在此使用的專業術語和專有名詞都是前後一致的，且沒有特殊的定義，即，與該相關領域的技術人員所認知的普通和常用的意義相同。至於專業用語或專有名詞有特殊涵義的部分(即與相關領域的技術人員所認知的意義有不同的)，將特別置於說明書前，以定義的方式直接且明確地提供該專業用詞或專業術語的特殊定義。
以下的敘述僅做舉例說明之用，本發明將聯繫集成電路器件的所謂「金屬(metal one)」層的特性結構對產生適應性採樣計劃的過程進行討論。典型地，在實際半導體器件上會形成多個導電接點(conductivecontacts)以提供電連接，如溝渠(trench)。在集成電路器件中，導電互連的金屬層(metal one level)一般是指與先前形成的導電接點耦合的第一層級的導電線路。在一些應用中，在金屬層形成此種特徵是包含以下步驟形成金屬層；使用步進器(stepper tool)在該金屬層上形成光刻膠(光掩膜)圖形層；使用蝕刻工具在此金屬層上執行蝕刻工藝；以及，使用溶劑移除(solvent-strip)工具在蝕刻工藝之後移除剩餘的光刻膠掩膜。一般來說，與處理操作相關的該特徵的臨界尺寸(critical dimension)和/或微粒缺陷(particle defects)的數目為度量操作的主要對象，用以決定所用工藝的效力和產生出的特徵的接受度。然而，相關領域的技術人員閱讀完本應用之後，將理解本發明並非限制於特定討論的範例。當然，本發明可用於各種不同的製造操作、工具和裝置中。因此，本發明不應該被認為是限制於任何特定的工藝操作或半導體製造操作中，除非此種限制被明確地界定於所附的權利要求書中。
表1至6是用於描述如何利用本發明的方法的一種示意性示例。度量採樣可理解成兩個構成要素—一組描述何時實施採樣規則的邏輯敘述(logical statement)以及當該採樣規則需要使用時該做些什麼。為求方便，規則編號和規則名稱將與各規則相關聯以使其容易參照不同的採樣規則。表1描述7個已編號的規則和他們相關的規則名稱。此邏輯敘述描述何時實施該採樣規則以作為匹配規則設定。在表1中列出了各規則的該匹配規則設定。
當決定某一批是否應該標記或標示起來以做採樣時，在這就出現了關於該批(如路線、操作、產品等)的信息，一般將其理解成批過程信息(lot context information)。此外，此批將依照慣例擁有工藝歷史，例如哪個實體在特定工藝操作時用於處理該批的實體，其中，該實體即工藝工具，該特定工藝操作如蝕刻操作、掩膜操作(maskingoperation)、光刻膠移除操作(photoresist strip operation)等。在一些情況中，在匹配規則設定中的邏輯敘述可能將這些來源的信息結合。若在此匹配規則設定中的所有邏輯敘述都被滿足，即為真(true)，則此規則適用於該批。
此匹配規則設定可能是非常簡單也可能是相當複雜，完全視所需規則以及待分析的工藝或產品而定。如上所述，表1描述了一些匹配規則設定的簡單示例。前五項為依據歷史信息所定義的規則組的示例，即在先前操作中曾使用的實體。第6項規則以該批的過程信息做根據，即，在該批中製造出何種產品。第7項規則以批過程和批歷史信息的結合做根據。
前述表1中特定的程序和規則名稱是簡單的示例。實際上，這種特定代碼和名稱可依特定應用量身訂做或作修改。舉例來說，該第一條規則的規則名稱(E40M1CD)是與該第一金屬層(metal one)的臨界尺寸(M1CD)度量工藝(操作5305)和該蝕刻工具編號40(ET40)相關聯。若實體是在金屬蝕刻工藝(操作5230)的蝕刻工具編號40(ET40)，則滿足該匹配規則設定。相似的敘述命名也應用於其它規則中。例如，第2項規則(E40M1FI)表示該最後檢查(FI)度量工藝。此最後檢查度量工藝在蝕刻工藝完成且掩膜移除後執行。該操作5315表示最後檢查度量操作。在表1中，該名稱編號的前綴為「E39」與關於蝕刻工具編號39相關。規則編號5的前綴為「STP64」是關係於步進器編號64和該操作5170(在相關規則組中)表示該金屬掩膜操作。因此，當步進器編號64用於該金屬掩膜層工藝(5170)時則滿足該規則編號5的規則組。該第6項規則(RO2DM1CD)是針對特定產品(98RO2D)，且當確認產品在該工藝批中則滿足該規則組。
第7項規則(我的規則(My Rule))是包含批過程和批歷史信息的結合。當製造出產品98M16B、在金屬掩膜工藝(操作5170)使用步進器64以及在金屬蝕刻工藝(操作5230)時使用蝕刻工具38，則滿足例示的第7項規則的規則組。可能會由各種不同的邏輯敘述結合而達成一組特定規則組。例如涉及其它比較而造成的複雜敘述皆可與規則組定義相結合，其它比較可例如小於等於(≤)、大於等於(≥)；額外的邏輯運算符，如或(OR)、異或(XOR)、非(NOT)等；或是通配符(wild cards)，如98RO2*。此外，該規則組可應用於不止一個度量操作，如金屬臨界尺寸度量(操作5305)和金屬層二個臨界尺寸度量(操作6585)。
在各規則組定義之後，各規則都分配到一個採樣加權，如表2所示。此採樣加權並非採樣百分比或採樣圖形。雖然可能會有此種狀況外的情況發生，但幾乎每個規則都可能會有關聯的加權。採樣加權為正數。採樣加權越大，批因該規則而被標記來採樣的機率就越高。
本發明的另一方面是關於該採樣規則的「狀態(state)」。此狀態涉及批應該被採樣的累積機率。只要批滿足採樣規則的匹配規則設定，該規則的加權就會累加至規則狀態。表3與表4提供了本發明的此方面的簡化示例。表3表示多種批的工藝歷史。例如批J10包含產品98RO2D和當金屬蝕刻工藝(5230)通過蝕刻工具39(ET39)執行時由步進器編號65(STP65)所執行的金屬掩膜操作(5170)。表4描述了當表3中所確認的批依序處理後多種規則的狀態。為求簡明以及容易解釋，在此只敘述金屬臨界尺寸度量工藝(操作5305)的規則。在表4(規則狀態的表)中的破折號(「—」)表示該規則的匹配規則設定並不適於所分析的批。基本上，表4為累積的加權計數(counter)，敘述對滿足給定規則的匹配規則的批上執行度量採樣工藝共經過多少時間。
表4中所描述的規則狀態被拿來與度量觸發值做比較，以決定是否應該標示或標記來做度量採樣。各度量操作都給定一個數字形式的觸發值，用於與該規則狀態做比較。若該規則狀態大於或等於該度量觸發值，則該標記該批以做採樣。表5描述了各度量操作的觸發值並指出度量採樣是否應該依不同規則狀態(來自表4)執行。如表所示，因為該規則狀態超過用以指定金屬層臨界尺寸度量工藝的觸發值，所以度量採樣指示應該對J60、J70和J80做採樣。例如，因為第6項規則(RO2M1CD)的狀態(50)等於觸發值50，而應該對批J60做採樣，因為第3項規則(E39M1CD)的狀態(60)超過觸發值50，而對該批J70做採樣。因為該第6項規則(RO2M1CD)的狀態(60)超過觸發值50，而對該批J80做採樣。
將個別規則狀態與觸發值做比較的替代方法可以用於將全部規則的總合對度量觸發值做比較。舉例來說，在此方法下，將會對批J30做標示以作為採樣之用，因為其兩個適用的規則狀態第3項規則(E39M1CD)為30以及第6項規則(RO2M1CD)為30，其總合為60，大於觸發值50。此種方法將會有好處，即所選取來度量採樣的批將會典型地為滿足大量的採樣規則。然而，因為決定適當的觸發值時有相當的困難度而導致這種方法可能難以執行。在所有的狀態都加在一起且與觸發值做比較的方法下，加入任何額外規則將有效地減低先前所述的觸發值。例如，依據額外的實體型態定義額外的規則將加在蝕刻器和步進器所定義的狀態。只要新規則一加入，所有可能受影響的度量觸發值將需要重新評估。因此，在本發明的實施例中，各規則狀態都獨立與度量觸發值做比較，以定義是否準許度量採樣。
本發明的另一個方面是關於重置該規則狀態。當對批做標式以為採樣之用時，每個滿足匹配規則設定的規則狀態都被重置。在此重置過程中，該規則的狀態將減少一個等於觸發值的數，最小減至零。在重置過程中，實際上，將採樣決定從一個規則分配至所有規則。表6表示在度量採樣決定後的規則狀態。其中，對批做標示以做度量採樣之用，提供了兩個規則狀態(粗體字部分)。該第一值是在採樣決定前的規則狀態，而第二個值為重置過程後的規則狀態。
在此規則中還需注意，第1項和第6項規則的批J80值同時也被降至10。這反應了特定規則，如第6項規則，在重置過程中被重置為零(因為批J60)。因此，下一次批J80滿足第6項規則時，就給定一個採樣加權值10。類似的情況發生在批J80和第1項規定。
還有許多可行的方法能夠重置觸發值。例如只有狀態值超過度量採樣觸發值的規則能夠受到重置。然而，在此方法下，不同的規則將獨立的分派且可能導致超採樣或不適當的定義規則組，以確保對所有的工具類型做採樣。另一個方法可能代替減去觸發值而將所有適用的規則狀態重置至零。此種方法有效地淘汰與採樣率「1/n」不同的所有採樣率，1/n如1/2、1/3、1/4等。不僅如此，規則狀態超過了該觸發值的總額表示該採樣「逾期(overdue)」的總額。此信息保存在前述的方法中。另一個可能的替代方式是從該規則狀態減去觸發值且不設定最低限制為零。然而，這種方法可能潛在地產生一種狀況，造成比預期更多的未採樣的材料被處理。
在此敘述的方法和系統相當具有彈性且可用於各種不同規則形式。例如，本發明可使用標準規則、絕對規則和/或暫時規則。標準規則可能為依據該批過程和/或批工藝歷史所做的度量採樣決定。例如這種規則可能依據所欲採樣的工藝工具或產品某個百分比做採樣。這種標準規則並未限制於工具的形式，其可包括任何系統可用的信息—設備辨識、產品名稱、線路、批特性值或這些信息項目的結合。這種標準規則將包括匹配規則設定和採樣加權。此同時也需要度量採樣的絕對規則，例如特定產品的每批都必須測量、所有通過定操作的批都須測量、有某種優先權的每個批永遠都不需測量等等。因此種絕對規則不具有其所屬的採樣加權，他們應該合併在系統中，如此一來其它適於該批的規則狀態將可適當地做更新。絕對規則可以合併在系統中，因應歸於絕對規則的批測量可能同時滿足標準規則。舉例來說，絕對規則可能界定每個通過掩膜操作(5170)中步進器STP67的批應該做標記以便於操作5305的度量。這些批將通過一些蝕刻工具(如ET40)在金屬蝕刻操作(5230)的工藝。若忽略所有應歸於絕對規則的批，則某些在蝕刻工具ET40(第1項規則)工藝的批將被忽略。此將導致該蝕刻工具40在第1項規則下的採樣率超過預期。然而，若此絕對規則併入更新，則第1項規則將會更為適當。
在某些情況下，希望加入一些本質上為暫時性的規則。例如希望對24小時時間內所有工藝的批標記以做測量。此種暫時性規則不一定能具有與該規則相關的採樣加權。從以上敘述應該要清楚了解，本發明所用的各種規則示範鑑別並非僅有所列的範圍。因此，本發明不應只限於任何特定的規則形式，除非此種限制明確地記載於所附的權利要求書中。
本發明的另一個放面涉及採樣決定的時機。在一實施例中，執行度量採樣的決定通常被儘可能地延長，因為該採樣規則可能是依據歷史信息做決定。更實際的說法即批是否應該做採樣的決定應該要正好延遲至該批將移入度量操作前。在任何其它時間內，可能沒有足夠的信息來決定所有可能實行的規則。
將採樣決定做此延長可能帶來其它的問題。在現行採樣系統中，當批在工藝工具上處理時被標記以做採樣，工藝工具可例如蝕刻工具或步進器。此方法確保批在工藝時在同樣的順序下做採樣決定。例如，經過特定蝕刻器工藝的每十個批中的其中一個將被標示以做採樣。在本發明中，通過度量操作工藝的批與通過工藝操作的批將會有不同的順序。有可能會定義出類似的規則以確保每十個通過特定工藝工具處理的批其中之一會被標記以做採樣，但其不同點在於可能是每十個進入該度量操作的批之一取代每十個離開該工藝工具的批之一。此將可以批處理的順序保持在各工具工藝的批清單。此信息可用於改組用於採樣決定的工藝順序。
為維持存取的彈性與容易度，大部分的系統信息，如規則定義、觸發值等，會維持在資料庫中。此資料庫具有允許對此系統中的任何零件和數值做手動或自動更新的接口。例如其需要為特定度量操作做觸發值更新。或者，自動控制應用可用於更新給定規則的採樣加權以適當地做多些或少些的採樣。此資料庫的實際結構和相關的接口可為不同的形態。
此系統的好處之一是通過更新觸發值可相當輕易地將百分比或採樣形式移動至加權和觸發以修改採樣率。大部分現行的系統有效地通過採樣形式或百分比，如70％，來定義觸發值。這些觸發值不容易改變。為了在操作中改變採樣率，每一個獨立的規則必須更新。在此系統中，可改變單一的觸發值以調整該採樣率。舉例來說，若此現行採樣觸發設在100，則將其改變至200將有效地將採樣率降至一半。未來的工作可自動依據工廠的可用度量容量來調整觸發值。例如，若微距量測掃瞄式電子顯微鏡(CD-SEM)的度量工具之一從生產線上被移除，則此觸發值將自動為CD-SEM度量操作做調整以確保工件不會使剩餘的工具超載。
此系統的加權和觸發值同時也可作為調度隊列中優先批的要素。批的最高規則狀態與度量步驟的觸發值的比率可作為優先權的指示。此比率越高，則此採樣越需要滿足採樣規則。舉例來說，若兩個批都被標記以做採樣。該第一批在觸發值100的操作中有累積加權150，該第二批在觸發值200的操作中有累積加權210。第一批的比率為1.5而第二批的比率為1.05。其餘的條件都相同，該第一批應在此調度隊列中有較高的優先權。
圖1為例示工藝操作10的概要描述，其中使用多個工藝工具12。在圖1中概要地描述一個或多個控制器14的其中一個，可控制執行在工藝工具12中一個方面以上的各種工藝合/或執行適當的採樣計劃和此處所提及的方法。在此必須了解一點，在圖1中所描述的該工藝工具12是作為例示之用，實際上其可表現為可用於執行任何工藝的任何工具形式。當然，此工藝工具12可各自執行不同類型的製造操作。不僅如此，工件可在任何順序中通過工具12的工藝，且某些工具12可以執行一些必須先於其它工具12所執行的工藝操作。在此半導體製造操作中的過程中，該通稱的工藝工具12可為步進器、蝕刻工具、沉積工具、離子注入工具、爐等工具的組合。
圖1中同時也敘述了多個例示用的度量工具16。實際上度量工具16可表現為可用於執行任何度量工藝的任何工具形式。此度量工具16可取得與一個以上的工藝工具12的產品或由工具12所產生的產品或特徵的產品相關的度量數據。在此半導體製造操作的過程中，此度量工具16可取得與步進器曝光工藝、蝕刻工藝、沉積工藝、化學機械研磨工藝、離子注入工藝或退火工藝的影響相關的臨界尺寸數據、厚度數據、微粒缺陷數據、電子性能數據、光刻覆蓋測量(photolithographyoverlay measurement)、薄膜沉積性質(如電阻率、應力、光學性質)、表面輪廓(surface profile)數據等。在此示例中，用於半導體製造操作的度量工具16包括掃描式電子顯微鏡、橢圓偏光計、測表面計(profilometers)、四點探針、覆蓋工具等，此為舉例實際上並非僅限於此。
控制器18可有效地耦合於離子注入工具10且可為任何可執行命令的裝置形式。在某些實施例中，該控制器18可為微處理器或計算器。該控制器18可存在在離子注入工具10上，其可為獨立裝置，或為整體計算器系統的某部分，此計算器系統是用以控制執行在集成電路工藝設備中的一個方面以上的操作。此控制器18可用於執行此述的各種功能。此由控制器18所執行的功能可由多計算資源執行。
本發明的部分和相關細節的描述在計算器存儲器中的數據位上以軟體或算法以及操作的符號圖像表現。這些描述和圖像對於該相關領域中的技術人員能對與此相關領域中其它相關人員有效地傳達他們工作的要義。如同在此使用且一般常用的算法，其被視為有條理的序列步驟能導引至所需的結果。此步驟需要物理量的物理控制。通常，雖非必要，這些量以光、電、或磁信號的形式儲存、傳送、結合、比較、以及其它方面的操作。其已被證實對於一般用法有時候在理論上將其參照為位、數值、元素、符號、性質、專有名詞、數字或其它類似的物是方便的。
然而，在此需謹記，這些和相似專有名詞是關聯於適當的物理量且只是用於這些量的方便符號。除非特別聲明，或如討論中顯而易見，專有名詞像是「工藝(processing)」、「計算(computing)」、「估算(calculating)」、「確認(determining)」、「顯示(displaying)」或其它指稱計算器系統或類似電子計算裝置的行為和處理等相似的詞，在計算器緩存器和存儲器中執行和轉換以物理或電子量形式表現的數據成為在計算器存儲器或緩存器中或其它此類數據儲存、傳送或顯示裝置中其它類似以物理量表現的數據。
適於製造系統10的示範性信息交換以及工藝控制架構為先進工藝控制(APC)架構，其可由美國科磊公司(KLA-Tencor，Inc.)所提供的「觸媒」系統(Catalyst system)執行。此觸媒系統使用半導體設備與材料協會(SEMI)計算器整合製造(CIM)架構兼容系統技術並且以APC架構為基礎。CIM(SEMI E81-0699-對CIM架構域結構的臨時說明書)以及APC(SEMI E93-0999-對CIM架構先進工藝控制零件的臨時說明書)說明書可由總部位於加州山景區(Mountain View)的SEMI公開取得。
本發明是針對各種用於監控各工藝的方法與系統給予適應性度量採樣計劃。在一個實施例中，此方法包含產生多個度量採樣規則；為各該度量採樣規則分配採樣加權值，確認滿足至少一個該度量規則的至少一個工件，使各滿足度量採樣規則的採樣加權值與該確認的滿足規則的工件相關聯，且當該採樣加權值總合累積至至少等於預設觸發值時，指示應予執行的度量操作。在另一實施例中，此方法包含當該採樣加權規則之一的採樣加權值總合累積至至少等於預設觸發值時，指示應予執行的度量操作。在另一實施例中，此方法包含當該工件之一的採樣加權值總合累積至至少等於預設觸發值時，指示應予執行的度量操作。在半導體工藝操作的過程中，此工件為半導體晶片批。
上述揭露的特定實施例僅為例示之用，從上述教示而獲得益處的相關領域技術人員明顯地可以不同但等效的方法做修改和施行。舉例來說，上述的工藝可以不同的順序執行。再者，此處結構與設計的詳述並非意圖將本發明限制在與後述的權利要求書相異之處。換言之，上述揭露的特定實施例可在本發明的領域與精神下作各種等效的改變及修改。因此，本發明的權利範圍是界定於後述的權利要求中。
權利要求
1.一種方法，包括產生多個度量採樣規則；將採樣加權值分配給該多個度量採樣規則的每一個度量採樣規則；確認滿足該多個度量採樣規則中的至少一個度量採樣規則的至少一個工件；使各該滿足度量採樣規則的採樣加權值與各滿足該規則的確認的工件相關聯；以及當該採樣加權值的累積總合至少等於預定的觸發值時，指示應執行的度量操作。
2.如權利要求1所述的方法，其中，該多個度量採樣規則有不同的採樣加權值。
3.如權利要求1所述的方法，其中，該多個度量採樣規則中的至少一部分有相同的採樣加權值。
4.如權利要求1所述的方法，其中，該工件為一批的半導體晶片。
5.如權利要求1所述的方法，其中，該度量操作為臨界尺寸測量操作以及缺陷檢查度量操作中的至少一個。
6.如權利要求1所述的方法，其中，該至少一個工件是在半導體製造設備中處理。
7.如權利要求1所述的方法，其中，指示應執行的度量操作包括當該多個度量採樣加權規則之一的採樣加權值累加總合至少等於預設的觸發值時，指示應執行的該度量操作。
8.如權利要求1所述的方法，其中，指示應執行的度量操作包括當該工件之一的加權值累加總合至少等於該預定的觸發值時，指示應執行的該度量操作。
9.如權利要求4所述的方法，其中，該多個度量採樣規則是依據批過程信息以及批歷史信息的至少一個。
10.如權利要求1所述的方法，進一步包括當指示該度量操作應執行時，將該採樣加權累積總合減去該觸發值。
11.如權利要求1所述的方法，進一步包括當指示該度量操作應執行時，將該採樣加權累積總合減去該觸發值至最小值為零。
12.如權利要求1所述的方法，進一步包括執行該指示的度量操作。
全文摘要
本發明涉及用於適應性度量採樣計劃的多種方法以及系統，是可應用於監控多種工藝中。例如，此方法包含產生多個度量採樣規則，將採樣加權值分配給各該度量採樣規則，確認滿足至少一個該度量採樣規則的至少一個工件，當確認的工件滿足該規則時將該採樣加權值分配給各該滿足的度量採樣規則，以及當該採樣加權值總合累積至至少等於預設觸發值時指示應予執行的度量操作。在進一步實施例中，此方法包含當該採樣加權規則之一的採樣加權值總合累積至至少等於預設觸發值時，指示應予執行的度量操作，或當該工件之一的採樣加權總合累積至至少等於預設觸發值時，指示應予執行的度量操作。
文檔編號G05B19/418GK1830075SQ200480021580
公開日2006年9月6日 申請日期2004年6月4日 優先權日2003年8月4日
發明者M·A·珀迪 申請人:先進微裝置公司