基於三相電容的感測的製作方法

2023-05-31 05:49:26 2

專利名稱：基於三相電容的感測的製作方法
基於三相電容的感測
背景技術：
採用電容微機電系統(MEMQ感測位置和加速度可能由於順從部件(compliant components)的不必要的運動以及這樣的部件的有限的運動範圍的原因而缺乏靈敏度和精確度。此外，傳感器的動態範圍(即，最大信號與最小信號的比值)可能受到用於將電容變化轉換成位置或加速度的方法的限制。


參考下述附圖本發明的很多方面能夠得到更透徹的理解。附圖中的部件未必是按比例繪製的，相反，附圖的重點在於清晰地表現出本發明的原理。此外，在附圖中，各個圖採用類似的附圖標記表示對應部分。圖1是根據本發明實施例的傳感器的示意圖；圖2是根據本發明實施例的圖1所示的傳感器中所採用的電極陣列的圖示；圖3是根據本發明實施例的圖1所示的傳感器中的對應電極之間的電氣耦合的示意圖；圖4是示出了根據本發明實施例的圖1所示的傳感器中的第一和第二電極陣列之間的交叉電容的等效電路的示意圖；圖5是根據本發明實施例的被具體化為生成解調輸出電壓的圖1所示的傳感器的示意圖；圖6和圖7是根據本發明的實施例的圖5所示的解調輸出電壓中的變化的圖解表示；圖8是根據本發明的實施例的包括用於以解調輸出電壓為基礎的反饋的控制器的圖5所示的傳感器的示意圖；圖9示出了根據本發明實施例的圖8所示的控制器的示範性實施例的操作；圖10是根據本發明實施例的圖8所示的傳感器的示範性實施例的示意圖；圖11示出了根據本發明實施例的圖9所示的控制器所採用的示範性32位位置字；以及圖12是示出了根據本發明的實施例的用於確定圖8所示的傳感器的第二電極陣列相對於第一電極陣列的位移的方法的流程圖。
具體實施例方式參考圖1，其示出了根據本發明實施例的傳感器100。例如，可以採用傳感器100檢測加速度，將對此予以說明。傳感器100包括三個層或「晶圓」。具體而言，傳感器100包括電子裝置晶圓103、檢測質量(proof mass)晶圓106和帽蓋晶圓109。CMOS電子裝置113 位於電子裝置晶圓100中，CMOS電子裝置113可以電氣耦合至檢測質量晶圓106和帽蓋晶圓109中的各種電氣部件。而且，CMOS電子裝置113可以提供用於耦合至傳感器100外的電子部件的輸出端子，這一點是可以意識到的。對於某些應用而言，CMOS電子裝置113內產生的熱可能是無法接受的，在這種情況下所述CMOS電子裝置可以位於分離但接近的電子裝置管芯等內。檢測質量晶圓106包括機械耦合到檢測質量塊119的支座116。儘管示出了傳感器100的截面圖，但是根據一個實施例，作為檢測質量晶圓106的部分的支座116仍然圍繞所述檢測質量塊119。因此，在一個實施例中，電子裝置晶圓103、支座116和帽蓋晶圓109 形成了使檢測質量塊119懸置於其內的腔室。根據本發明的各實施例，電子裝置晶圓103、支座116和帽蓋晶圓109—起提供了支撐結構，檢測質量塊119通過順從耦合附著至所述支撐結構。就此而言順從耦合可以包括高展弦比的撓曲懸置元件123。所述高展弦比撓曲懸置元件123可以是在(例如)2005 年4月19日授權的發明名稱為「Moveable Micro-Electromechanical Device」的美國專利No. 6882019中討論的元件。傳感器100還包括設置在檢測質量塊119上的第一電極陣列126。在一個實施例中，第一電極陣列126位於檢測質量塊119的與電子裝置晶圓103的上表面相對的表面上。 檢測質量塊119的在其上設置了第一電極陣列126的表面是基本平坦的表面，這一點是可以意識到的。第二電極陣列1 設置在電子裝置晶圓103的朝向與設置在檢測質量塊119上的第一電極陣列126相反的表面上。由於檢測質量塊1 懸置於電子裝置晶圓103之上的方式的原因，在第一電極陣列1 和第二電極陣列1 之間形成了基本均勻的縫隙133。縫隙 133的尺寸由距離d表示。例如，距離d可以包括1到3微米之間的任何值，或者其可以是任何其他的被認為適當的距離。檢測質量塊119以使得第一電極陣列1 和第二電極陣列1 基本落在相互平行的平面內的方式懸置於電子裝置晶圓103之上，使得縫隙133沿著第一和第二電極陣列126 和139之間的整個重疊區域都是基本均勻的。或者，如果認為適當，可以將電極陣列126、 129放置到電子裝置晶圓103或檢測質量塊119的其他表面或結構上。所述高展弦比撓曲懸置元件123提供了一定程度的順從性，其允許檢測質量塊 119相對於傳感器100的支撐結構移動。由於撓曲懸置元件123的設計的原因，檢測質量塊 119從定位位置發生的位移基本局限於與設置在電子裝置晶圓103的上表面上的第二電極陣列1 基本平行的方向。撓曲懸置元件123被配置為允許檢測質量塊119沿平行於第二電極陣列1 的方向發生預定量的移動，從而使縫隙133隨著整個運動過程最大可能程度地保持基本均勻。撓曲懸置元件123的設計實現了檢測質量塊119沿與第二電極陣列1 正交的方向具有最低的運動量，同時允許沿平行於第二電極陣列1 的方向具有預期的運動量。接下來，將提供傳感器100在(例如)加速度感測方面的操作的簡要討論。具體而言，將傳感器100固定到經歷著希望定量測量的加速度的結構或交通工具上。將傳感器 100固定到所述結構或交通工具上，從而使得加速度的方向與上文討論的由撓曲懸置元件 123提供的允許檢測質量塊119移動的方向保持一致。一旦所述結構或交通工具經歷加速度，檢測質量塊119就將如上文所述發生移動。由於將第一電極陣列1 和第二電極陣列 129設置到檢測質量塊119和電子裝置晶圓103上的原因，第一和第二電極陣列1 和1 之間的一個或多個電容於是將隨著所述陣列相對於彼此的移位而發生變化。
5
可以採用CMOS電子裝置113和/或外部電子裝置檢測或感測電極陣列1 和1 之間的電容的變化的程度。這樣的電路能夠基於所述的電容變化生成適當的與傳感器100 經歷的加速度成比例的信號。或者，可以採用閉合迴路使檢測質量塊119在加速過程中保持在預定位置上。這樣的電路包括基於來自第一和第二電極陣列1 和129的位置反饋施加激勵信號從而使檢測質量塊119停留在預定位置上的閉環，將對此予以說明。儘管檢測質量塊119的運動基本限制在與第二電極陣列1 基本平行的平面內， 但是如果給定撓曲懸置元件123實質上是順從性的，那麼檢測質量塊119有可能沿與第二電極陣列129正交的方向經歷相對於第二電極陣列129的位移。換言之，檢測質量塊119 可能發生不希望出現的移動，從而導致縫隙133的不符合要求的變化。對於文中描述的方法而言，對平面內運動的準確的電容性感測基本不受不希望出現的改變縫隙133的平面外運動的影響。接下來，參考圖2，其示出了根據本發明實施例的相應的第一和第二電極陣列1 和129的圖示。如圖所示，實際存在多個第一電極陣列1 和多個第二電極陣列129。例如，在所示的構造中，可以有四對第一和第二電極陣列1 和129。假定第一和第二電極陣列1 和1 具有如圖2所示的取向，可以沿與第二電極陣列1 平行的平面內的兩個維度感測檢測質量塊119的移動。因此，在一個實施例中，將撓曲懸置元件123配置為允許檢測質量塊119沿兩個維度移動。或者，可以將撓曲懸置元件配置成允許單一維度內的移動， 其中，所述第一和第二電極陣列1 和1 位於單一取向內，從而感測這樣的單維移動。每一個體電極陣列包括多個電極。具體而言，第一電極陣列1 每者由多個第一電極143構成，第二電極陣列129由多個第二電極146構成。對於第一電極陣列126中的每者而言，存在對應的第二電極陣列129。每一第一電極陣列1 的尺寸小於對應的第二電極陣列129，由此對第一電極陣列1 是可移動的這一事實做出解釋。因此，即使第一電極陣列1 相對於相應的第二電極陣列1 移動，也總是貫穿檢測質量塊119的整個運動範圍在對應的第一和第二電極陣列對1 之間存在基本相似的重疊。第一和第二電極143和146中的每者包括彼此相鄰設置的矩形導體。將相應的電極陣列的電極143和146中的每者中的公共點之間的距離稱為電極陣列的「間距」。儘管將電極143和146示為矩形導體，但是應當理解可以結合文中描述的原理根據預期採用其他形狀和尺寸的導體。而且，可以按照圖示的矩形陣列以外的構造設置電極。例如，可以將電極設置到圓形陣列內，以供角加速度和位移的檢測，這一點是能夠認識到的。之後，參考圖3，其示出了第一和第二電極陣列1 和129的部分的側視圖。此夕卜， 其還示出了相應的電極陣列1 和129中的相應的電極143和146之間的電氣連接。考慮到所述電氣連接，第一電極陣列126包括多個由電極143構成的第一圖案153。每一圖案 153包括電極143中的兩個。每一圖案153內的每一電極143與其他圖案153中的在其相應的圖案143中佔據相同位置的其他電極143相對應。也就是說，當第一個第一圖案153 內的第一個電極143和第二個第一圖案153中的第二個電極143 二者在其相應的圖案153 內佔據相同的位置時，第一個第一圖案153內的第一個電極143對應於第二個第一圖案153 中的第二個電極143。每一圖案153中的對應電極143相互電氣耦合。而且，第一圖案153 在第一電極陣列126內相對於彼此交錯(interdigitated)。第二電極陣列1 包括多個由電極146構成的第二圖案156。每一第二圖案156包括至少三個第二電極146。每一圖案156內的每一電極146與其他圖案156中的在其相應的圖案146中佔據相同位置的其他電極146相對應。也就是說，當第一個第二圖案156 內的第一個電極146和第二個第二圖案156中的第二個電極146 二者在其相應的圖案156 內佔據相同的位置時，第一個第二圖案156內的第一個電極146對應於第二個第二圖案156 中的第二個電極146。第二圖案156在第二電極陣列129內交錯。每一第二圖案156內的對應的第二電極146共同耦合。每一電極143和146在第一和第二電極陣列1 和129內均勻隔開。就此而言， 第一電極陣列126具有間距P1，其中，間距P1是第一電極陣列126內的指定電極上的點和下一相鄰電極上的相同點之間的距離。類似地，第二電極陣列1 具有間距P2。在傳感器 100的一個實施例的背景下，第一和第二電極陣列1 和1 具有組長度L，其中，L = 2Pi
—3Ρ2 ο根據本發明實施例，指定第一和第二電極陣列1 和129的間距Pi*P2，從而使第一電極陣列126的間距P1與第二電極陣列129的間距P2的比值基本等於1. 5。第一電極陣列1 的共同耦合的電極143要麼形成第一相位θ a，要麼形成第二相位9b。類似地，如圖所示，共同耦合的電極146形成了相位ΘΑ、θ。。通過這一構造產生了第二電極陣列129的間隔120度的相位。接下來參考圖4，其示出了說明第一電極陣列1 和第二電極陣列1 之間交叉電容的等效電路，所述交叉電容是第一電極陣列126相對於第二電極陣列129的位移δ的函數。儘管未示出，但是應當理解可能存在在圖4的示意圖中沒有考慮的與第一和第二電極陣列1 和1 相關的包括寄生電容在內的恆定和可變電容。儘管圖4所示的電容隨著兩個電極陣列126和129的相對位置發生變化，但是應當理解未示出的寄生電容可能不會經歷顯著的變化，或者可能是恆定的。接下來參考圖5，其示出了三相傳感器200的示意圖，其提供了根據本發明的實施例的傳感器100(圖1)的一個例子。三相傳感器200包括舉出單個圖案153作為例子(圖 3)的第一電極陣列126(示出了兩個電極)。此外，三相傳感器200還包括舉出單個圖案 156(圖3)作為例子的第二電極陣列129(示出了三個電極)。傳感器200包括用於提供電壓VA、VB和\的波形發生器210，所述電壓是施加至第二電極陣列1 的共同耦合電極146 的正弦電壓。在一個實施例中，電壓VA、VjP Ve是單個參考電壓Va。sin (on)的刻度表示， 其中，ω是角激勵頻率Qjifc)。將AC電壓源Va。Sin(on)的頻率指定為顯著高於閉環帶寬或者任何系統機械響應。在一個實施例中，可以通過相應的數字控制分壓網絡，例如但不限於R2R比值DAC(例如參考圖10)由公共電壓源生成電壓VA、VjPVc。儘管圖5的實施例示出了採用正弦電壓，但是也可以利用其他周期波形。第一電極陣列126中的共同耦合電極143中的每者均耦合至微分積分器220。三相傳感器200被配置成基於第一電極陣列1 和第二電極陣列1 之間的相到相電容生成解調輸出電壓Vp。通過第一電極陣列1 和第二電極陣列1 之間的交叉電容在第一電極 143處產生了施加至微分積分器220的信號。將微分積分器220的輸出耦合至相應的同步解調器230的輸入。此外，由波形發生器210將參考電壓VaxSin(Cot)提供給同步解調器 230。在AC激勵的條件下，進入同步解調器230的正弦信號的幅值隨著由於電極陣列126和1 相對於彼此移動而產生的電容變化發生改變。同步解調器230基於微分積分器 220的輸出和參考電壓生成解調輸出電壓Vp。為了獲得每單位位置變化的最大交叉電容變化(dC/dx)，將第一電極陣列126的間距與第一和第二電極陣列1 和1 之間的縫隙d的比值指定為基本等於1. 6，換言之， P1M= 1.6。在這種狀況下，可以由周期等於組長度L的單分量傅立葉展開充分表示交叉電容的變化。但是，應當理解，第一電極陣列的間距與縫隙d的比值也可以採用其他值。對於處於大約1到5的範圍內的P1M比值而言，電極陣列126和1 之間的針對三個相位A、 B、C的交叉電容項可以由下式表示C3a (d, δ，L, Ar) = Cs (d, L, Ar) sin (2 π δ /L+2 π /3) +C0 (d, L, Ar) (1)Cafi (d, δ，L, Ar) = Cs (d, L, Ar) sin (2 π δ /L+5 π /3) +C0 (d, L, Ar) (2)Cac (d，δ , L, Ar) = Cs (d, L, Ar) sin (2 π δ /L) +C0 (d, L, Ar)(3)CbA (d, δ，L, Ar) = Cs (d, L, Ar) sin (2 π δ/1+π) +C0 (d, L, Ar) (4)
CbB (d, δ，L，Ar) = Cs (d, L, Ar) sin (2 π δ /L—2 π /3) +C0 (d, L, Ar) (5)Cbc (d，δ , L, Ar) = Cs (d, L, Ar) sin (2 π δ /L+π /3)+C0 (d, L, Ar) (6)其中，Cs(d，L，Ar)是周期性的取決於位置的電容的幅值，Ctl(d，L，Ar)是與位置無關的電容項，該項取決於電極的間隔、縫隙d、組長度L和總陣列面積4。可以根據位置相位角θρ = 2π δ/L重寫上述等式，所述位置相位角是第一電極陣列1 相對於第二電極陣列129的位移δ的函數。
激勵時
例如，在第二電極陣列129的多個由電極146構成的第二圖案156受到下述電壓
Va = VacCos ( θ c+2 Ji /3) sin (ω t) (7) Vb = VacCos (θ c)sin(cot)以及(8)Vc = Vaccos ( θ c-2 Ji /3) sin (ω t) (9)其中，θ。是電相位角，解調輸出電壓Vp可以由下式給出Vp = VacCs (d, L, Ar) GdSin ( θ p+2 Ji /3) cos ( θ c+2 Ji /3) +VacCs (d, L, Ar) Gd sin ( θ p) cos ( θ c) +(10)
VacCs (d, L, Ar) Gd sin ( θ p-2 ji /3) cos ( θ p-2 ji /3)其中，(}d是微分積分器220和同步解調器230的增益，單位為伏/法。圖6和圖7 示出了位置相位角(θρ)和/或電相位角(Θ。)中的變化對解調輸出電壓(Vp)的影響。圖6是在電相位角等於零(θ c = 0)時隨著位置相位角從零弧度變為2 π弧度歸一化解調輸出電壓的圖解表示300。對於檢測質量塊119的任何給定位置而言，均存在解調輸出電壓為零的零值電壓位置。如圖6所示，第一電極陣列的零值電壓位置位於θρ = 0 處，並且具有士rin的間隔，其中，η= 1，2，3...如公式(10)所推算的，第一電極陣列1 相對於第二電極陣列1 的位移(δ)使歸一化解調輸出電壓在整個組長度(L)上正弦變化。可以通過改變所提供的電壓\、Vb和\對電相位角進行電掃描，並監測解調輸出電壓來找到參考位置的零值電壓位置。圖7是在將電相位角調整到θ。= 0和士 0. 3弧度的情況下隨著位置相位角從-π 弧度變化到+ η弧度時解調輸出電壓的另一圖解表示310。如圖7的曲線330所示，在Θ。 =0時，解調輸出電壓圍繞位於9D = 0處的零值電壓正弦變化。通過調整公式(10)中的θ。，可以通過調整θ。使零值電壓位置左右移動。如圖7的曲線320所示，可以使零值電壓位置向左移動，從而與-0.3弧度的位置相位角一致。可以通過調整根據公式(7-9)提供給第二電極陣列129的電壓(VA，％和&)的幅值實現這一零值電壓位置的偏移。通過將Θ。 設置為預期的零值電壓位置(例如，Θ。=-0.3弧度)，能夠確定用於產生這一偏移的電壓幅值。類似地，如圖7的曲線340所示，可以通過調整根據公式(7-9)提供給第二電極陣列 129的電壓(VA，VB*VC)使零值電壓位置向左移動，從而與+0.3弧度的位置相位角一致。 這一對零位進行電氣調整的能力允許調整由不嚴格的晶圓到晶圓鍵合對準引起的第一和第二電極陣列之間的失準。此外，如果動態完成了這一調整，就可以在僅由電極陣列1 和129的尺寸限定的任意動態範圍內跟蹤第一電極陣列1 相對於第二電極陣列 129的位置，進而跟蹤檢測質量塊119相對於支撐結構的位置。在本公開文本中描述的一些實施例能夠將所述動態範圍從當前的接近140dB的限制提高到接近200dB的值。此外，能夠貫穿所述動態範圍保持位移的高準確度。一些示範性實施例能夠使位置解析度的改善達到< 10fm，加速度解析度的改善達到低於InG。接下來參考圖8，傳感器250包括控制器M0，將其添加到圖5的傳感器200，以提供用於控制提供給第二電極陣列129的電壓(VA，VB* V。)的幅值的反饋信號。反饋信號的更新速度應當足夠快，以確保微分積分器220在其線性輸出範圍內工作。因而，能夠在檢測質量塊119從初始零值電壓位置開始移動超過士 π /2弧度之前對第一電極陣列的零值電壓位置進行更新或調整。通過提供反饋，從而採用對電相位角的調整迫使微分積分器的輸出基本為零(即，在DAC解析度允許的範圍內儘可能近地移動零值電壓位置)，可以在僅由電極陣列1 和129的尺寸限定的任意位移上跟蹤檢測質量塊119的位置。參考圖9，其示出了控制器MO的示範性實施例的操作。在圖9的實施例中，控制器240是數字控制器。在方框M2中採用模數轉換器(ADC)對解調輸出電壓(Vp)進行採樣，從而提供第i個解調輸出電壓樣本(Vp, 0。通過採用足夠高的採樣和更新頻率，能夠限制Vp的變化，從而利用ADC的滿量程和解析度。之後，在方框M4中根據Kv_p (微分積分器220和同步解調器230的增益，單位為位移/伏特)對Vp,i縮放，從而將解調輸出電壓轉換成位移的單位。對於Vp,i而言，可以通過下式給出在第i個樣本的時刻上第一電極陣列1 相對於第二電極陣列1 的位移
權利要求
1.一種傳感器，包括設置在檢測質量塊(119)上的第一電極陣列(126)；設置在支撐結構(103，116)的平面表面上的第二電極陣列(129)；所述檢測質量塊經由順從耦合(123)附著至所述支撐結構，使得所述第一電極陣列定位為基本平行於所述第二電極陣列並面對所述第二電極陣列，其中，所述檢測質量塊能夠相對於所述支撐結構發生位移，所述檢測質量塊在與所述第二電極陣列基本平行的方向上發生位移；所述第一電極陣列包括多個由電極(14 構成的第一圖案，每一所述第一圖案包括至少兩個第一電極；所述第二電極陣列包括多個由電極(146)構成的第二圖案，每一所述第二圖案包括至少三個第二電極，其中，第二圖案中的對應的第二電極共同耦合；以及電路010)，被配置為向每一所述第二圖案中的電極提供輸入電壓，從而為所述第一電極陣列生成零值電壓位置。
2.根據權利要求1所述的傳感器，其中，所述輸入電壓全都具有公共參考頻率，每一輸入電壓具有可獨立調整的幅值，其中，可以通過調整每一輸入電壓的幅值使所述零值電壓位置發生偏移。
3.根據權利要求1和2所述的傳感器，還包括被配置為生成輸出信號的電路，所述輸出信號對應於所述第一電極陣列相對於所述零值電壓位置的位移。
4.根據權利要求3所述的傳感器，其中，所述被配置為生成輸出信號的電路包括耦合至多個第一圖案中的電極的微分積分器O20)；以及耦合至所述微分積分器的同步解調器O30)，所述同步解調器被配置為從所述輸出信號解調參考頻率。
5.根據權利要求2和3所述的傳感器，還包括電路040，210)，所述電路(M0，210)被配置為基於所述輸出信號調整每一輸入電壓的幅值，從而使所述零值電壓位置發生偏移。
6.根據權利要求5所述的傳感器，其中，被配置為調整每一輸入電壓的幅值的電路包括查找表，所述查找表部分基於所述輸出信號提供對應於每一輸入電壓的更新幅度值。
7.根據權利要求5和6所述的傳感器，其中，所述更新幅度值是對應於每一輸入電壓的調整幅值的數字控制輸入。
8.根據權利要求3和4所述的傳感器，還包括被配置為基於所述輸出信號確定所述第一電極陣列相對於所述第二電極陣列的位置的電路(MO)。
9.根據權利要求8所述的傳感器，還包括被配置為基於所述第一電極陣列相對於所述第二電極陣列的位置確定所述檢測質量塊的加速度的電路(MO)。
10.根據權利要求1-8所述的傳感器，其中，所述第一電極陣列(126)的間距(P1)與所述第二電極陣列(129)的間距(P2)的比值基本等於1.5。
11.一種用於採用傳感器感測加速度的方法，所述傳感器具有設置在檢測質量塊 (119)上的第一電極陣列(126)和設置在支撐結構(103，116)的平面表面上的第二電極陣列(1 )，所述檢測質量塊經由順從耦合(123)附著至所述支撐結構，使得所述第一電極陣列定位為基本平行於所述第二電極陣列並面對所述第二電極陣列，其中，所述檢測質量塊能夠相對於所述支撐結構發生位移，所述檢測質量塊在基本平行於所述第二電極陣列的方向上發生位移，所述方法包括如下步驟向所述第二電極陣列施加輸入信號，從而為所述第一電極陣列生成零值電壓位置，所述第二電極陣列包括多個由電極(146)構成的第二圖案，每一所述第二圖案包括至少三個第二電極；基於所述第一電極陣列和所述第二電極陣列之間的相到相交叉電容生成輸出信號，所述第一電極陣列包括多個由電極(14 構成的第一圖案，每一所述第一圖案包括至少兩個第一電極，其中，所述第一圖案中的對應的第一電極共同耦合，其中，輸出信號對應於所述第一電極陣列相對於零值電壓位置的位移；以及基於所述輸出信號和所述零值電壓位置確定所述第一電極陣列相對於所述第二電極陣列的位移。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述輸入信號包括針對每一所述第二圖案中的電極的輸入電壓，所述輸入電壓全都具有公共參考頻率，每一輸入電壓具有可獨立調整的幅值，其中，可以通過調整每一輸入電壓的幅值使所述零值電壓位置發生偏移。
13.根據權利要求11和12所述的方法，還包括基於所述輸出信號調整每一輸入電壓的幅值，從而使所述零值電壓位置發生偏移。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，通過部分基於所述輸出信號提供對應於每一輸入電壓的更新幅度值，採用查找表調整每一輸入電壓的幅值。
15.根據權利要求11-13所述的方法，還包括基於所述第一電極陣列相對於所述第二電極陣列的位移確定所述檢測質量塊的加速度。
全文摘要
提供各種用於感測的系統和方法。在一個實施例中，提供了一種感測系統，其包括設置在檢測質量塊上的第一電極陣列和設置在支撐結構的平面表面上的第二電極陣列。所述檢測質量塊通過順從耦合附著至所述支撐結構，從而將第一電極陣列定位為基本平行於第二電極陣列並面對所述第二電極陣列，所述檢測質量塊能夠相對於所述支撐結構發生位移。所述第一電極陣列包括多個由電極構成的第一圖案，所述第二電極陣列包括多個由電極構成的第二圖案。所述感測系統還包括被配置為向每一第二圖案中的電極提供輸入電壓從而為第一電極陣列生成零值電壓位置的電路。
文檔編號G01P15/08GK102356323SQ200980158198
公開日2012年2月15日 申請日期2009年3月19日 優先權日2009年3月19日
發明者R·G·沃姆斯利 申請人:惠普開發有限公司