半導體裝置中形成為金屬線互連件的凸塊接合件的製作方法

2023-05-31 00:26:36 1

本申請案主張於2014年5月22日提出申請的第62/002,164號美國臨時申請案的權益，所述美國臨時申請案的全文併入本文中。

技術領域

本發明涉及半導體裝置(例如，功率FET或其它半導體功率裝置)，且更特定來說涉及使用充當單獨金屬線之間的互連件的凸塊接合件將半導體功率裝置製作到引線框架。

半導體功率裝置通常在高電流密度下操作，且因此，需要具有足夠低接觸電阻的載流導體來充分地運送去往及來自裝置的電流。然而，在半導體功率裝置的製作期間存在對金屬沉積厚度的限制。此金屬沉積厚度限制使必須在半導體功率裝置(例如，功率場效應電晶體(功率FET))的前側及背側兩者上沉積金屬導體成為必要。但必須使用裝置的功率元件的背側觸點(例如，漏極)需要大量處理來消除半導體襯底的串聯電阻，因而給最終半導體功率產品增加顯著成本。

技術實現要素：

因此，期望減少製造半導體功率裝置的處理步驟，且藉此減少其製造成本。

根據一實施例，一種半導體功率晶片可包括形成於半導體裸片上的半導體功率裝置；其中所述半導體功率裝置包括：導電接觸元件陣列；鈍化層，其形成於所述多個導電接觸元件上方，所述鈍化層包括多個所述導電接觸元件上方的鈍化開口；及導電凸塊陣列，其包含一或多個互連凸塊，其中每一互連凸塊形成於所述鈍化層上方並延伸到所述鈍化開口中的至少兩者中且與至少兩個下伏導電接觸元件接觸，以藉此提供所述至少兩個下伏導電接觸元件之間的導電耦合。

根據另一實施例，所述導電接觸元件陣列可包括至少一個柵極接觸元件、至少一個源極接觸元件及至少一個漏極接觸元件。根據另一實施例，所述導電接觸元件陣列可包括平行布置的多個細長接觸條帶。根據另一實施例，多個鈍化開口可布置於每一源極及漏極接觸元件上方。根據另一實施例，所述一或多個互連凸塊可包括提供至少兩個經電隔離源極區之間的導電耦合的至少一個源極互連凸塊。根據另一實施例，所述一或多個互連凸塊可包括提供至少兩個經電隔離漏極區之間的導電耦合的至少一個漏極互連凸塊。根據另一實施例，所述半導體功率晶片可進一步包括引線框架，所述引線框架耦合到所述導電凸塊陣列，使得所述一或多個互連凸塊提供所述導電接觸元件陣列的至少一部分與所述引線框架之間的導電耦合。根據另一實施例，所述半導體功率裝置可僅包括單個金屬互連層，所述單個金屬互連層包含所述導電接觸元件陣列。根據另一實施例，所述導電凸塊陣列可包含一或多個非互連凸塊，每一非互連凸塊延伸成僅與單個下伏導電觸點接觸。根據另一實施例，所述導電凸塊陣列可僅包含互連凸塊。

根據另一實施例，一種半導體功率裝置可包括如上文所描述的半導體功率晶片且可進一步包括：引線框架，其具有包括柵極、源極及漏極引線指形件的區域，所述柵極、源極及漏極引線指形件適於與所述導電凸塊陣列相匹配以連接到所述至少一個柵極接觸元件、所述多個源極接觸元件及所述多個漏極接觸元件中的每一者；及外殼，其環繞所述半導體功率晶片及所述引線框架。

根據另一實施例，一種半導體功率裝置可包括至少第一及第二半導體功率晶片(每一半導體功率晶片如上文所描述而形成)且可進一步包括：引線框架，其具有第一及第二區域，每一第一及第二區域包括柵極、源極及漏極引線指形件，所述柵極、源極及漏極引線指形件適於與所述導電凸塊陣列相匹配以分別連接到所述第一及第二半導體晶片的所述至少一個柵極接觸元件、所述多個源極接觸元件及所述多個漏極接觸元件中的每一者；及外殼，其環繞所述第一及第二半導體功率晶片以及所述引線框架。

根據另一實施例，一種半導體裝置可包括如上文所描述的半導體功率晶片且進一步包括：另一晶片；引線框架，其具有：第一區域，其包括柵極、源極及漏極引線指形件，所述柵極、源極及漏極引線指形件適於與所述導電凸塊陣列相匹配以連接到所述半導體功率晶片的所述至少一個柵極接觸元件、所述多個源極接觸元件及所述多個漏極接觸元件中的每一者；及第二區域，經配置以用於對所述另一晶片進行導線接合；及外殼，其環繞所述半導體功率晶片、所述另一晶片及所述引線框架。

根據另一實施例，所述另一晶片可為可操作以控制所述半導體功率晶片的微控制器晶片。根據另一實施例，所述另一晶片可為可操作以控制所述半導體功率晶片的脈衝寬度調製晶片。根據另一實施例，所述另一晶片可以倒裝晶片方式安裝。根據另一實施例，所述引線框架可經設計以提供所述另一晶片與所述半導體功率晶片之間的連接。

根據另一實施例，一種半導體裝置可包括至少第一及第二半導體功率晶片(每一半導體功率晶片如上文所描述而形成)且進一步包括：第三晶片；引線框架，其具有第一及第二區域，每一第一及第二區域包括柵極、源極及漏極引線指形件，所述柵極、源極及漏極引線指形件適於與所述導電凸塊陣列相匹配以分別連接到所述第一及第二半導體晶片的所述至少一個柵極接觸元件、所述多個源極接觸元件及所述多個漏極接觸元件中的每一者；及第三區域，其經配置以用於對所述另一晶片進行導線接合；及外殼，其環繞所述第一及第二半導體功率晶片、所述第三晶片及所述引線框架。

根據另一實施例，所述第三晶片可為可操作以控制所述半導體功率晶片的微控制器晶片。根據另一實施例，所述第三晶片可為可操作以控制所述半導體功率晶片的脈衝寬度調製晶片。根據另一實施例，所述第三晶片可以倒裝晶片方式安裝。

根據另一實施例，所述引線框架可經設計以提供所述第三晶片與所述第一及第二半導體功率晶片之間的連接。

根據另一實施例，一種半導體功率裝置可包括：外殼；半導體功率裝置，其包括以倒裝晶片配置布置於所述外殼內的半導體裸片及引線框架，其中所述半導體裸片包括：導電接觸元件陣列，所述導電接觸元件陣列包括至少一個柵極接觸元件、至少一個源極接觸元件及至少一個漏極接觸元件；及鈍化層，其形成於所述多個導電接觸元件上方，所述鈍化層包括多個所述導電接觸元件上方的鈍化開口；導電凸塊陣列，其包含一或多個互連凸塊，其中每一互連凸塊形成於所述鈍化層上方並延伸到所述鈍化開口中的至少兩者中且與至少兩個下伏導電接觸元件接觸，以藉此提供所述至少兩個下伏導電接觸元件之間的導電耦合，且其中所述引線框架具有包括柵極、源極及漏極引線指形件的區域，所述柵極、源極及漏極引線指形件適於與所述導電凸塊陣列相匹配以連接到所述至少一個柵極接觸元件、所述多個源極接觸元件及所述多個漏極接觸元件中的每一者。

根據另一實施例，所述導電接觸元件陣列可包括平行布置的多個細長接觸條帶。根據另一實施例，多個鈍化開口可布置於每一源極及漏極接觸元件上方。根據另一實施例，所述一或多個互連凸塊可包括提供至少兩個經電隔離源極區之間的導電耦合的至少一個源極互連凸塊。根據另一實施例，所述一或多個互連凸塊可包括提供至少兩個經電隔離漏極區之間的導電耦合的至少一個漏極互連凸塊。

附圖說明

圖1A、1B、1C展示具有鈍化開口陣列、焊料凸塊的常規半導體裸片及引線框架；

圖2A、2B展示常規功率電晶體裸片及相關聯引線框架；

圖3及4展示凸塊在功率電晶體裸片上的常規布置；

圖5展示以倒裝晶片技術安裝於引線框架上的常規功率電晶體裸片的沿著圖3及4的線5-5的截面圖；

圖6展示常規功率電晶體裸片的金屬層的俯視圖；

圖7A、7B、7C展示根據各種實施例的具有鈍化開口陣列、相關聯焊料凸塊的半導體裸片及引線框架；

圖8展示根據各種實施例的功率電晶體晶片的俯視圖；

圖9展示沿著圖8的線9-9的截面圖；

圖10到12展示根據某一實施例的引線框架與功率電晶體的實例；

圖13及14展示根據一些實施例的引線框架與功率電晶體晶片布置；

圖15展示根據另一實施例的功率電晶體；

圖16及17展示微控制器晶片及以倒裝晶片技術在引線框架上的放置；

圖18展示根據一實施例的引線框架的照片；

圖19展示根據一實施例的具有經安裝晶片的引線框架的照片；

圖20展示根據一實施例的呈俯視圖及仰視圖的多裸片集成電路的照片；

圖21展示經設計以接納如圖20中所展示的集成電路的印刷電路板的示範性布局。

具體實施方式

如在於2011年11月3日提出申請且公開為US 2012/0126406的同在申請中的申請案13/288,108(在下文中稱為「『108申請案」)(所述申請案的全部內容以引用方式併入本文中)中所揭示，半導體功率晶片可具有半導體裸片，所述半導體裸片具有製作於其襯底上的功率裝置，所述功率裝置通過凸塊接合件(例如，球形凸塊或條形凸塊)陣列來導電地連接到對應引線框架。舉例來說，半導體功率晶片可具有半導體裸片，所述半導體裸片具有製作於其襯底上的功率裝置，其中所述功率裝置具有布置於所述半導體裸片的頂部上的多個柵極金屬接觸區、源極金屬接觸區及漏極金屬接觸區。可將多個球形凸塊或一條形凸塊安置於每一金屬接觸區上，且引線框架具有包括柵極、源極及漏極引線指形件的區域，所述柵極、源極及漏極引線指形件與所述多個球形凸塊或所述條形凸塊相匹配以連接到所述金屬接觸區中的每一者。

如在『108申請案中所論述，使用凸塊或條塊陣列來分配半導體功率裝置的元件與厚得多的引線框架之間的電流消除了對單獨背側觸點及後續處理步驟的需要。所述凸塊或條塊陣列可包括以「凸起條塊」配置布置於半導體元件中的每一者上的單個條形凸塊或多個球形凸塊。接著可使用倒裝晶片球接合技術將半導體功率裝置附接到引線框架。此產生半導體功率裝置的較低處理及製造成本以及較小外形規格。不需要低電阻襯底，且消除了外延矽生長步驟。可在外殼內將此經安裝功率裝置組合併連接到第二晶片，其中所述第二晶片可包括微控制器或脈衝寬度調製控制器。

本發明提供對『108申請案中所揭示的概念的進一步發明性改進。舉例來說，本發明提供用於形成凸塊接合件(「凸塊」)的方法，所述凸塊接合件不僅允許將半導體裝置連接到引線框架，而且還充當單獨製作金屬線之間的互連件。另外，所述凸塊可用於將多個引線框架跡線互連到單個製作金屬線。在相關現有技術的論述之後，在下文中論述這些概念。

圖1A展示具有形成於鈍化層中的鈍化開口12的陣列的半導體裸片10的大體示意性平面圖，每一鈍化開口12向下伏金屬接觸區(例如，柵極、源極或漏極金屬接觸區)打開。圖1B展示具有形成於每一鈍化開口12中的導電凸塊14的圖1A的半導體裸片10。圖1C展示引線框架20，所述引線框架具有待連接到圖1B中所展示的凸塊12的對應圖案，藉此在半導體裸片10的下伏金屬接觸區與引線框架20之間形成觸點。

圖2A及2B分別展示(例如)根據『108申請案的半導體功率裝置的示意性平面圖及對應引線框架的平面圖。如圖2A中所展示，功率半導體裸片102可包括一柵極(G)金屬接觸區110A、若干漏極(D)金屬接觸區110B及若干源極(S)金屬接觸區110C。細長金屬接觸區110可稱為「指形件」。凸塊金屬指形件110可通過沉積於互連金屬層的頂部上(舉例來說，第二金屬層的頂部上)的經圖案化金屬層而形成。舉例來說，可將源極區及漏極區連接到第一金屬層上的金屬流道，接著第二金屬層可形成較寬金屬流道，所述較寬金屬流道將為將沉積頂部觸點的凸塊金屬的位置。

如圖2B中所展示，具有導電框架及引線指形件的對應引線框架104適於以「倒裝晶片」配置經由布置於各種金屬接觸區110A、110B及110C上的多個導電凸塊而耦合到半導體功率裝置，如下文所論述。以「最終狀態」描繪圖1中所展示的引線框架104，換句話說，已移除指形件之間的任何支撐接頭。

圖3展示形成於圖2A的裸片102上的半導體功率裝置，其中球形凸塊120A、120B及120C分別形成於金屬接觸區110A、110B及110C上。球形凸塊可包括焊料球形凸塊、導電環氧樹脂球形凸塊等等。可以「倒裝晶片」配置將引線框架104布置於半導體裸片102上方，其中引線框架104的指形件接觸半導體裝置上的相應球形凸塊120A、120B及120C。因此，柵極引線指形件連接到柵極球形凸塊110A，漏極引線指形件連接到漏極球形凸塊110B且源極引線指形件連接到源極球形凸塊110C，例如，如『108申請案中所論述。

圖4展示形成於圖2A的裸片102上的半導體功率裝置，其中細長凸塊120A』、120B』及120C』(作為對圖3中所展示的球形凸塊的替代方案)分別形成於金屬接觸區110A、110B及110C上。可以如上文所論述的類似方式將引線框架104耦合到細長凸塊120A』、120B』及120C』。

圖5是穿過圖3或圖4中的線「5-5」所截取的經組裝引線框架與半導體功率裝置的橫截面圖。如所展示，半導體功率裝置包含形成於包含源極金屬1線130C(以及並未在此視圖中展示的漏極金屬1線及柵極金屬1線)的第一金屬層上方的第二金屬層(包含源極金屬2線110C、漏極金屬2線110B及柵極金屬2線110A)，其中第二金屬層的源極金屬2線110C通過導電通孔140連接到下伏於所述第二金屬層下的源極金屬1線130C。形成於第二金屬層上方的鈍化層150包含鈍化開口152，凸塊120或120』穿過所述鈍化開口延伸成與第二金屬層的相應下伏金屬接觸區(在此視圖中，源極金屬2線110C)接觸。最後，將引線框架104布置成與凸塊120或120』接觸，藉此將所述引線框架導電地連接到半導體功率裝置。

圖6展示圖5的實例性雙金屬層半導體功率裝置的示意性平面圖，所述示意性平面圖展示第二金屬層在第一金屬層上方的布置且展示第一金屬層的源極金屬1線130C及漏極金屬1線130B兩者。圖6中並未展示連接相應金屬1層及金屬2層的通孔140。

圖7A到7C展示根據各種實施例的使用凸塊來互連半導體裝置的單獨金屬接觸區/線，同時提供到引線框架的連接的實例。圖7A展示具有形成於鈍化層中的鈍化開口12的陣列的半導體裸片10的示意性平面圖，每一開口向下伏金屬接觸區打開(例如，如在上文中關於圖1A所論述)。在半導體內，可不連接下伏於開口12下的金屬層。因此，常規裝置將需要額外金屬層。根據各種實施例，可避免此類額外層。

圖7B展示圖1A的半導體裸片10，其中球形凸塊200形成於一些鈍化開口12中，且互連凸塊200a』、200c』、200e』形成於其它鈍化開口12a到12f中且在鈍化層上方延伸以連接兩個或兩個以上下伏金屬接觸區。因此，互連凸塊200a』穿過鈍化層開口12a及12b連接兩個金屬層。互連凸塊200c』穿過鈍化層開口12c及12d連接兩個金屬層，且互連凸塊200e』穿過鈍化層開口12e及12f連接兩個金屬層。根據其它實施例，其它配置是可能的，且互連凸塊200』還可連接兩個以上下伏金屬層。

圖7C展示引線框架20，所述引線框架具有待連接到凸塊200及200』的對應圖案，藉此在半導體裸片10的下伏金屬接觸區與引線框架20之間形成觸點。每一互連凸塊200』可連接任何適合數目個下伏金屬接觸區，例如，兩個、三個、四個或更多接觸區。而且，特定配置可包含互連凸塊200』及非互連凸塊200(例如，圖7B中所展示的球形凸塊)兩者，或可僅包含互連凸塊200』。

因此，互連凸塊200』可在可替代一個金屬互連層的凸塊層中提供布線。因此，在一些實施例中，半導體裝置可僅需要單個金屬互連層，而非包含於圖5及6的設計中的兩個金屬層，其中減少金屬層可減少製作成本。另外，如與圖5及6的設計相比，此類互連凸塊200』的使用可提供具有較低電阻的「頂部金屬層」。

圖8展示根據一個實例性實施例的互連凸塊200』在單金屬互連層半導體裝置210(例如，功率FET裝置)上的實例性布置的示意性平面圖。如所展示，裝置210包含單個金屬互連層，所述金屬互連層包含柵極金屬線230A、漏極金屬線230B及源極金屬線230C。凸塊200A經由對應鈍化開口260形成於柵極金屬線230A上方並與其連接。可取決於相應金屬線230A、230B、230C的大小而調適鈍化開口260的大小。多個漏極互連凸塊200B』經形成以經由相應鈍化開口互連單獨漏極金屬線230B，且多個源極互連凸塊200C』經形成以經由相應鈍化開口互連單獨源極金屬線230C。

圖9是穿過圖8中所展示的線「9-9」所截取的圖8的半導體功率裝置210的橫截面圖，且所述橫截面圖展示以倒裝晶片安裝配置組裝到半導體功率裝置210的引線框架104。如所展示，半導體功率裝置210包含單個金屬互連層，所述金屬互連層包含形成於半導體裸片240上的源極金屬1線230C、漏極金屬1線230B及柵極金屬2線(未展示)。形成於金屬互連層上方的鈍化層250包含鈍化開口252，源極互連凸塊200C』穿過所述鈍化開口延伸成與多個單獨下伏源極金屬1線230C接觸，使得每一源極互連凸塊200C』將多個源極金屬1線230C連接到引線框架，藉此在凸塊層中提供布線，並允許消除第二金屬互連層，如上文所論述。

圖10展示如上文所解釋安裝於引線框架510上的晶片530的第一實例。引線框架可具有多個外部引腳570，其在所展示的實例中具有8個引腳。所展示的功率電晶體晶片530使用四個引腳570用於漏極連接且使用三個引腳570用於源極連接。單個引腳用於柵極連接。出於安裝目的且在囊封之前，引線框架可包括多個支撐連接件，所述支撐連接件中的三個支撐連接件通過參考符號540參考。用於外部連接的引腳570可為單獨引腳或形成如圖10中所展示的經連接引腳的群組。因此，在群組內這些引腳之間的任一支撐連接件可保留。而且，根據其它實施例，較寬引腳可用於源極漏極連接以支持較高電流。

特定控制電路應用(特定來說，微控制器應用)需要對功率電晶體的控制，舉例來說，開關模式電力供應控制器、降壓轉換器或電動機控制應用。因此此類應用通常使用單獨離散功率電晶體。根據各種實施例，脈衝寬度調製器或甚至微控制器可與如上文所描述的功率電晶體封裝在一起。

圖11展示引線框架610的實例，所述引線框架可支撐以常規接合技術耦合到引線框架610的第一晶片620(舉例來說，微控制器晶片)及包括如上文所描述的一個功率電晶體且使用上文所提及的倒裝晶片凸塊接合技術安裝到所述引線框架的第二晶片530。參考符號570同樣指示引線框架510的外部引腳。此外在圖11中展示具有多個支撐連接件的引線框架610，所述支撐連接件中的四個支撐連接件通過參考符號540指示。如上文所提及，在將裝置圍封於外殼中之前切除這些支撐結構以消除框架中及到指定引腳570的恰當連接中的任何非想要短路。如所展示，第一晶片620可在引線框架610上的適當連接點處互連到源極、漏極及柵極指形件中的至少一者。在第一晶片620針對到接合墊650的每一連接使用單獨引腳570時，引線框架的用於第二晶片的區段可同樣將多個引腳570連接到每一源極及漏極連接以提供低電阻並支持高電流。然而，根據各種實施例，其它外部引腳(舉例來說，較寬引腳)可用於第二晶片530的源極及/或漏極觸點。如上文所提及，第一晶片520可為可操作以與功率電晶體直接介接的脈衝寬度調製裝置、控制器或微控制器。為此，這些裝置具有能夠直接驅動功率電晶體的柵極的集成驅動器。

圖12展示包括引線框架710與通過標準導線接合而連接的微控制器晶片620及以如上文所解釋的倒裝晶片技術安裝的兩個功率電晶體晶片720及730的另一實施例。右側的區段包括兩個功率電晶體。此處，與圖11相比，提供額外外部引腳710以經由接合導線750與經互連源極-漏極區段310耦合。兩個電晶體晶片720、730的任一源極、漏極及/或柵極可經由微控制器晶片620的接合導線740連接到接合墊650，如圖12中所示範性展示。再次，圖12展示將在囊封之前被移除的多個支撐結構540。

圖13展示包括引線框架810與微控制器晶片820或適合的任何其它控制單元以及兩個功率電晶體晶片830及840的另一實施例。在此實施例中，以如上文所解釋的倒裝晶片技術安裝所有晶片。如在此實施例中可見，根本不使用接合導線。因此，還以倒裝晶片技術設計控制器晶片820。引線框架810用於提供微控制器晶片820與兩個功率電晶體830及840之間的互連。控制器晶片820使用重分布層，且接著用凸塊連接到引線框架810。接著將所述控制器晶片放置於引線框架上並蝕刻所述引線框架以提供布線。

如在圖13中可見，在此實施例中，功率電晶體840是功率電晶體830的大小的兩倍。對於一些應用來說，下部FET(其中其源極連接到接地)是與供應電壓Vin耦合的上部FET的兩倍。舉例來說，在開關模式電力供應器中此應用可使用12V輸入的供應電壓及0.8到2.5輸出電壓Vout。然而，可挑選FET的其它尺寸，且圖13僅展示一個可能布置。

圖14僅單獨展示圖13的引線框架810，其中最後將暴露於經封裝集成電路中的部件910被加陰影為比所述引線框架的其它部件920暗。因此，僅將較暗陰影區域910向下焊接於印刷電路板上。較亮綠色區域920仍為引線框架，但其僅暴露於其中相應裸片將被翻轉到其上的封裝內部，或其用於路由信號，特定來說用於微控制器晶片820。

因此，相應連接指形件的細長條帶及部件用於給功率電晶體830及840提供適合於載運大電流的大外部連接區域，其中給微控制器晶片820提供小正方形連接墊。編號930展示到相應電晶體830及840的柵極連接以及到控制器晶片820的相應連接。所述柵極連接還可通過在此處與控制器晶片820相關聯的相應小墊940而外部接達。

圖15展示可如何以倒裝晶片技術將功率電晶體晶片830安裝並連接於封裝內的另一實例。垂直線1010為製作金屬1線，橢圓1020、1040為凸塊且較小正方形1030為鈍化開口。因此，圖15展示在一個可能布置中凸塊如何互連個別金屬1線。如在此實施例中可見，與漏極或源極指形件相關聯的每一凸塊1020連接多個指形件(舉例來說，5個指形件)，其中凸塊1040僅使用單個開口1030來連接到相應柵極指形件。接著將此晶片830向上翻轉到如圖13中所展示的相關聯引線框架810的條帶上。

圖16展示僅展示有連接墊1050的微控制器晶片820的仰視圖。圖17展示具有放置於引線框架上的微控制器的圖13的經放大區段。類似於圖17中所展示，晶片820到840經指示布置於引線框架810下方。

圖18展示在安裝之前引線框架本身的實際圖片。區域為經暴露以用於外部連接的區域。圖19展示具有翻轉並安裝於其上的3個半導體晶片的引線框架。圖20展示兩個最終集成電路封裝的俯視圖，其中與硬幣相比，一個晶片已經上下倒置。圖21展示如在相應CAD程序中所展示的印刷電路板的示範性設計。如可見，提供大連接區域1110及1120以連接到經提供用於下部FET 840的源極及漏極的引線框架區域。

如圖13到20的實施例中所展示的控制器晶片及功率電晶體的原理布置還可應用到如圖11中所展示的控制器及單個功率電晶體。各種圖中所展示的實施例並不限於場效應電晶體，而且還可用於任何類型的雙極電晶體結構。

儘管已參考本發明的實例性實施例描繪、描述及界定了本發明的實施例，但此類參考並不暗示對本發明的限制，且不應推斷出存在此限制。所揭示的標的物能夠在形式及功能上具有大量修改、更改及等效形式，相關領域中並受益於本發明的一般技術人員將會想到這些修改、更改及等效形式。