一種適用於90爐的大投料的熱場系統的製作方法

2023-05-31 04:54:06 2

專利名稱：一種適用於90爐的大投料的熱場系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及單晶矽製造領域，特別涉及一種適用於90爐的大投料的熱場系統。
背景技術：
矽(Si)是一種半導體元素，太陽能矽電池片利用矽的特性，在矽表面形成光伏特 效應，產生電能。為製備太陽能電池片，需要將單晶矽原料重熔後定向凝固，然後切片做成 電池片組件。為實現單晶矽的定向長晶凝固過程，需要一個能穩定長晶的熱場系統，該熱場 系統包括上爐室、位於中部的加熱器以及下爐室，所述上下爐室主要起保溫隔熱的作用，所 述加熱器主要是提供熱場系統升溫所需要的熱能。目前大部分使用的是80和85型號的單晶爐。就80和85型號的單晶爐要是還沒 有加大投料量，或降低能耗的情況下我想其利潤是看的見的，但目前80%的80型號的單晶 爐還是18寸的熱場投料量也就是在55-60KG之間，85型號的也是20寸熱場在70-80KG之 間，如果在生產過程中因種種因數發生的生產事故，導致你的有可能整爐料報廢。而專利號為200420079639申請公開了一種矽單晶的熱系統裝置，其系統裝置包 括石墨堝，加熱器，保溫罩，保溫蓋，保溫材料，熱系統上部設有導流筒和保溫蓋，下部設有 爐底護盤，爐底護盤的底部和周圍設有保溫材料，保溫罩及保溫罩外側的保溫材料支撐在 爐底護盤上，保溫蓋設置在石墨罩上面，導流設置在保溫蓋的蓋口內。在上述的傳統熱場系統中，其缺點是所述系統內部的供熱效果還不能令人滿意， 而且熱系統裝置在加料上也不足，這也導致產量少。

發明內容
本發明的目的是提供一種適用於90爐的大投料的熱場系統，可很好的實現供熱 和保溫，增加投料量。—方面，本發明提供一種用於太陽能單晶矽製造的熱場系統，包括上爐室、位於中 部的加熱器以及下爐室。採用本發明所述的一種適用於90爐的大投料的熱場系統，所述熱場系統的增加 投料量，降低製造成本。本發明的技術方案為一種用於太陽能單晶矽製造的熱場系統，包括單晶爐室，石 墨堝，託杆，加熱器，三瓣堝，導流筒，保溫筒，保溫蓋，其中單晶爐室內設置有保溫筒，保溫 筒設置保溫蓋，保溫筒內設置導流筒，導流筒與保溫蓋是連接在一起的，導流筒的上埠與 保溫蓋連接，下埠伸入石墨堝內，加熱器位於三瓣堝和保溫筒側壁之間，環繞三瓣堝設 置，三瓣堝下端設置有託杆，其中所述導流筒內徑範圍為0260到0300 mm，高度範圍為330 到410mm，所述加熱器的內徑範圍為0620到0680mm，所述三瓣堝內徑範圍為0538到0578 mmD所述導流筒分為導流筒內層.導流筒外層，導流筒內層的內徑範圍為0293到 03 33 mm，導流筒外層的內徑範圍為02 6 O到0300 mm。
所述保溫筒分上保溫筒.中保溫筒，下保溫筒，其中保溫筒底部有下保溫筒，中部 有中保溫筒和頂部有上保溫筒，上保溫桶筒的內徑範圍為0692到0732mm，中保溫筒的內徑 範圍為0704到0744 mm，下保溫筒的內徑範圍為0704到0744 mm。所述保溫蓋分上保溫蓋和下保溫蓋，其中上保溫筒上設置有下保溫蓋，導流筒上 設置有上保溫蓋，上保溫蓋的內徑為0522到0562mm，下保溫蓋的內徑為0493到0533mm。所 述託杆的外徑為0341到037 3 mm。本發明的有效效果為本發明通過調整系統內部的大小和結構，能提高供熱效果， 而且熱系統裝置在加料上也充分，產量增大。


圖1為本發明所述的熱場系統的結構圖；其中圖形標記為1.託杆2.加熱器3.三瓣堝4.導流筒內層5.導流筒外層6.上保溫桶筒7.中保 溫筒8.下保溫筒9.上保溫蓋10.下保溫蓋11.上爐室
具體實施例方式下面結合附圖和實施例進一步說明本發明的技術方案。參見圖1，圖1顯示了一種用於太陽能單晶矽製造的熱場系統，包括單晶爐室，石 墨堝，託杆1，加熱器2，三瓣堝3，導流筒內層4，導流筒外層5，上保溫桶筒6，中保溫筒7，下 保溫筒8，上保溫蓋9和下保溫蓋10，其中單晶爐室內設置有上保溫桶筒6，中保溫筒7和 下保溫筒8，上保溫桶筒6和下保溫筒8上分別設置有上保溫蓋9和下保溫蓋10，在上保溫 桶筒6，中保溫筒7和下保溫筒8內部都設置有導流筒內層4和導流筒外層5，導流筒外層 5分別於對應的上保溫蓋9和下保溫蓋10連接，導流筒外層5的上埠與上保溫蓋9和下 保溫蓋10連接，下埠伸入石墨堝內，加熱器2位於三瓣堝3和各保溫筒側壁之間，環繞三 瓣堝3設置，三瓣堝3下端設置有託杆1。下面介紹一下使用本發明取得的預期效果(本發明是對熱場系統的改進，故通過 改進前和改進後的對比進行說明)具體實施例1
在90-22內裝不同的石墨熱場，其中各個部件的尺寸大小如下
1.託杆外徑037 3 mm
2.加熱器內徑0644 mm,總高度655mm，發熱區500mm
3.三瓣堝外徑0608 mm，內徑0558 mm，高度412mm
4.導流筒內層內徑0313 mm，高度357mm
5.導流筒外層內徑下0300 mm，高度370mm
6.上保溫桶筒內徑0712 mm，總高度MOmm，子口高度IOmm
7.中保溫筒內徑0724mm，高度560讓
8.下保溫筒內徑0724謹，高度320謹
9.上保溫蓋內徑05 4 2 mm，外徑08 96 mm
10.下保溫蓋內徑0513 mm
具體實施例2 在90-22內裝不同的石墨熱場，其中各個部件的尺寸大小如下1.託杆夕卜徑036 O mm2.加熱器外徑0662謹，總高度655mm，發熱區500謹3.三瓣堝外徑0590_，內徑0540_，高度412_4.導流筒內層內徑0299mm,高度357_5.導流筒外層內徑下0285 _，高度370_6.上保溫桶筒內徑0698 _，總高度MOmm，子口高度10_7.中保溫筒內徑0712謹，高度560謹8.下保溫筒內徑0712謹，高度320謹9.上保溫蓋內徑0525匪，外徑0882匪10.下保溫蓋內徑0504mm具體實施例3 改進前與改進後具體實施例1的熱場系統的價格和成品率對比改進後成品率明 顯上升並穩定，提高了 60%，說明熱場改進後對正常生產提高產量起到了很大的改善。具體 參見表1和表2 表1 價格
規格熱場價格(元/套)石英坩堝價格(元/只)85爐 (18")95000155085爐 (20")122000255090爐 (22")2000004500表2:改進後成品率
規格石英坩堝規格實際投料量(Kg)85爐18"60(18")85爐 (20")20"7590爐 (22")22"120
5
改進前與改進後的實際產出合格長度和拉晶周期對比能耗
權利要求
1.一種用於太陽能單晶矽製造的熱場系統，包括單晶爐室，石墨堝，託杆，加熱器，三瓣 堝，導流筒，保溫筒，保溫蓋，其中單晶爐室內設置有保溫筒，保溫筒上設置保溫蓋，保溫筒 內設置導流筒，導流筒與保溫蓋是連接在一起的，導流筒的上埠與保溫蓋連接，下埠伸 入石墨堝內，加熱器位於三瓣堝和保溫筒側壁之間，環繞三瓣堝設置，三瓣堝下端設置有託 杆，其中所述導流筒內徑範圍為0260到0300mm，高度範圍為330到410mm，所述加熱器的內 徑範圍為06 2 0到06 8 0麵,所述三瓣堝內徑範圍為05 38到05 7 8 mm。
2.如權利要求1所述的熱場系統，其特徵在於，所述導流筒分為導流筒內層.導流筒外 層，導流筒內層的內徑範圍為0293到0333醒,導流筒外層的內徑範圍為0260到0300mm。
3.如權利要求1所述的熱場系統，其特徵在於，所述保溫筒分上保溫筒.中保溫筒.下 保溫筒.其中保溫筒底部有下保溫筒，中部有中保溫筒和頂部有上保溫筒，上保溫桶筒的 內徑範圍為0692到0732醒，中保溫筒的內徑範圍為0704到0744 mm，下保溫筒的內徑範 圍為0704到0744醒。
4.如權利要求1至3任一所述的熱場系統，其特徵在於，所述保溫蓋分上保溫蓋和下 保溫蓋，其中上保溫筒上設置有下保溫蓋，導流筒上設置有上保溫蓋，上保溫蓋的內徑為 05 2 2到05 6 2ηπη，下保溫蓋的內徑為04 9 3到05 3 3mm。
5.如權利要求1至3任一所述的熱場系統，其特徵在於，所述託杆的外徑為0341到 0373咖。
全文摘要
本發明揭示了一種用於太陽能單晶矽製造的熱場系統，包括單晶爐室，石墨堝，託杆，加熱器，三瓣堝，導流筒，保溫筒，保溫蓋，其中單晶爐室內設置有保溫筒，保溫筒上設置保溫蓋，保溫筒內設置導流筒，導流筒與保溫蓋是連接在一起的，導流筒的上埠與保溫蓋連接，下埠伸入石墨堝內，加熱器位於三瓣堝和保溫筒側壁之間，環繞三瓣堝設置，三瓣堝下端設置有託杆，其中所述導流筒內徑範圍為到高度範圍330-410mm，所述加熱器的內徑範圍為到所述三瓣堝內徑範圍為到本發明的熱場系統可促進爐室的保溫，增大投料量。
文檔編號C30B15/14GK102108545SQ20091026483
公開日2011年6月29日 申請日期2009年12月24日 優先權日2009年12月24日
發明者唐旭輝 申請人:江蘇聚能矽業有限公司