半導體晶片蝕刻輔助裝置製造方法
2023-05-30 21:25:51
半導體晶片蝕刻輔助裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導體晶片蝕刻輔助裝置，包括下盤（2）和設置在下盤（2）上的多個晶片放置凹孔（1）；還包括在所述下盤（2）上的多個晶片放置凹孔（1）的底部邊緣開設的防移動卡槽（40），以及用於固定晶片（3）的蓋狀裝置（4）；所述蓋狀裝置（4）的上表面直徑小於所述蓋狀裝置（4）主體的直徑，並在所述蓋狀裝置（4）的上表面邊緣處開設有拆分凹槽（44），在所述蓋狀裝置（4）的底部邊緣處安裝有密封部（41），在所述蓋狀裝置（4）上開設有多個導氣孔（43）。本半導體晶片蝕刻輔助裝置在保證晶片蝕刻穩定性和密封性的同時，顯著縮短了對晶片進行蝕刻的作業時間，有效提高作業效率和產品合格率。
【專利說明】半導體晶片蝕刻輔助裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體晶片的加工裝置，具體是一種半導體晶片蝕刻輔助裝置。
【背景技術】
[0002]目前，半導體製造領域普遍採用在晶片表面形成薄膜，通過等離子體的化學氣相沉積來進行蝕刻，進而刻畫出所需的圖形。
[0003]為了確保產能，一次要處理多片晶片產品，以往的半導體晶片蝕刻輔助裝置是直徑為320_的圓盤，採用小尺寸的藍寶石襯底，如圖1所示，這種傳統半導體晶片蝕刻輔助裝置包括下盤2，在下盤2上設有多個具有一定深度的晶片放置凹孔1，在晶片放置凹孔I上放置晶片3，然後將上盤6扣壓在下盤2上，通過多個螺栓42和連接孔7將下盤2和上盤6進行緊固；在上盤6上設有與晶片放置凹孔I 一一對應的上盤通孔8，在上盤通孔8的內偵牝朝向上盤通孔8的中心方向均勻設有多個頂壓式防移動裝置5，該頂壓式防移動裝置5在下盤2和上盤6結合時，將頂壓住晶片放置凹孔I中的晶片3，以達到防止晶片3移動的目的。進而將結合好的下盤2和上盤6放入設備內對晶片3進行蝕刻加工。
[0004]上述現有技術的半導體晶片蝕刻輔助裝置存在以下問題:
[0005]I)下盤2和上盤6若要緊密連接需要很多數量的螺栓42，作業完畢後需要拆開下盤2和上盤6，拆卸螺栓42，再分解下盤2和上盤6，整體作業時間會較長，而導致作業效率低下；
[0006]2)使用螺栓42對下盤2和上盤6進行緊固會帶來汙染物質，因此導致產品出現次品的概率增大，產品合格率受到影響；
[0007]3)使用螺栓42固定下盤2和上盤6時，都需要擰動螺栓42的動作，由於力道的差異，將會使得晶片3的受力均衡性較差，在後續蝕刻過程中極易導致問題產品的出現；
[0008]4)頂壓式防移動裝置5直接接觸晶片3的上表面中的一部分，在後續蝕刻過程中，頂壓式防移動裝置5會損傷到與晶片3的接觸部位，將會形成沒有圖形的區域，該區域如果較大的話就將導致問題產品的出現。
實用新型內容
[0009]針對上述現有技術問題，本實用新型提供一種半導體晶片蝕刻輔助裝置，能夠完全避免現有技術問題存在的缺陷，顯著縮短作業時間，提高作業效率和產品合格率。
[0010]為了實現上述目的，本半導體晶片蝕刻輔助裝置包括下盤和設置在下盤上的多個晶片放置凹孔；
[0011]還包括在所述下盤上的多個晶片放置凹孔的底部邊緣開設的防移動卡槽，以及用於固定晶片的蓋狀裝置；
[0012]所述蓋狀裝置的上表面直徑小於所述蓋狀裝置主體的直徑，並在所述蓋狀裝置的上表面邊緣處開設有拆分凹槽，在所述蓋狀裝置的底部邊緣處安裝有密封部，在所述蓋狀裝置上開設有多個導氣孔。
[0013]進一步，所述防移動卡槽為階梯式結構。
[0014]進一步，所述密封部為密封圈。
[0015]與現有技術相比，本半導體晶片蝕刻輔助裝置將現有的上、下盤拼接式的半導體晶片蝕刻輔助裝置改造為單孔蓋狀裝置對晶片進行固定，採用在晶片放置凹孔的底部邊緣開設的防移動卡槽，以及在蓋狀裝置上設置密封部、拆分凹槽和導氣孔的方式，在保證晶片蝕刻穩定性和密封性的同時，顯著縮短了對晶片進行蝕刻的作業時間，有效提高了作業效率和產品合格率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1是現有技術的結構示意圖；
[0017]圖2是本實用新型的安裝結構示意圖；
[0018]圖3是單孔安裝狀態放大示意圖；
[0019]圖4是蓋狀裝置放大示意圖。
[0020]圖中:1、晶片放置凹孔，2、下盤，3、晶片，4、蓋狀裝置，5、頂壓式防移動裝置，6、上盤，7、連接孔，8、上盤通孔，40、防移動卡槽，41、密封部，42、螺栓，43、導氣孔，44、拆分凹槽。
【具體實施方式】
[0021]下面結合附圖對本實用新型做進一步說明。
[0022]如圖2、圖3和圖4所示，本半導體晶片蝕刻輔助裝置包括下盤2和設置在下盤2上的多個晶片放置凹孔I ;
[0023]還包括在所述下盤2上的多個晶片放置凹孔I的底部邊緣開設的防移動卡槽40，以及用於固定晶片3的蓋狀裝置4 ；
[0024]所述蓋狀裝置4的上表面直徑小於所述蓋狀裝置4主體的直徑，並在所述蓋狀裝置4的上表面邊緣處開設有拆分凹槽44，在所述蓋狀裝置4的底部邊緣處安裝有密封部41，在所述蓋狀裝置4上開設有多個導氣孔43。
[0025]進一步，所述防移動卡槽40為階梯式結構，原理與按扣相似，能夠將晶片3和密封部41卡緊，有效地防止了晶片3在蝕刻過程中發生移動的現象，保證了晶片3的蝕刻質量。
[0026]進一步，所述密封部41為密封圈，簡單實用，能夠有效起到密封的作用，防止晶片3與防移動卡槽40之間的間隙出現氣體洩漏。
[0027]本半導體晶片蝕刻輔助裝置在安裝時，首先將晶片3所需蝕刻的表面朝下放入下盤2上的晶片放置凹孔I中，並將晶片3緊密卡入階梯式防移動卡槽40的底部；接著將蓋狀裝置4也放入晶片放置凹孔I，通過階梯式的防移動卡槽40卡緊，保證蓋狀裝置4的底部邊緣處安裝的密封部41與晶片3緊密結合。安裝完畢後，將整塊下盤2翻轉，使晶片3所需蝕刻的表面朝上，蓋狀裝置4朝下放入蝕刻設備中即可；蓋狀裝置4上開設有多個導氣孔43，用於實現氣體的熱傳導。
[0028]在晶片3蝕刻完成後，再將整塊下盤2翻轉，使蓋狀裝置4朝上，由於蓋狀裝置4的上表面直徑小於所述蓋狀裝置4主體的直徑，並在所述蓋狀裝置4的上表面邊緣處開設有拆分凹槽44，因此通過撬動拆分凹槽44，即可以方便地將蝕刻完成的晶片3取出。[0029]本實用新型將現有的上、下盤拼接式結構改造為單孔蓋狀裝置4對晶片3進行固定，採用在晶片放置凹孔I的底部邊緣開設的防移動卡槽40，以及在蓋狀裝置4上設置密封部41、拆分凹槽44和導氣孔43的方式，在保證晶片3的蝕刻穩定性和密封性的同時，顯著縮短了對晶片3進行蝕刻的整體作業時間，有效提高了作業效率和產品合格率。
【權利要求】
1.一種半導體晶片蝕刻輔助裝置，包括下盤(2)和設置在下盤(2)上的多個晶片放置凹孔(I)； 其特徵在於，還包括在所述下盤(2)上的多個晶片放置凹孔(I)的底部邊緣開設的防移動卡槽(40)，以及用於固定晶片(3)的蓋狀裝置(4)； 所述蓋狀裝置(4)的上表面直徑小於所述蓋狀裝置(4)主體的直徑，並在所述蓋狀裝置(4)的上表面邊緣處開設有拆分凹槽(44)，在所述蓋狀裝置(4)的底部邊緣處安裝有密封部(41)，在所述蓋狀裝置(4)上開設有多個導氣孔(43)。
2.根據權利要求1所述的一種半導體晶片蝕刻輔助裝置，其特徵在於，所述防移動卡槽(40)為階梯式結構。
3.根據權利要求1所述的一種半導體晶片蝕刻輔助裝置，其特徵在於，所述密封部(41)為密封圈。
【文檔編號】H01J37/20GK203631484SQ201320849382
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年12月20日 優先權日:2013年12月20日
【發明者】崔相玉 申請人:徐州同鑫光電科技有限公司