液晶面板製造裝置和液晶面板製造方法

2023-05-30 13:55:41 2

專利名稱：液晶面板製造裝置和液晶面板製造方法
液晶面板制it^置和液晶面板制it^法脈領域本發明涉M晶面板制it^置及使用了這種液晶面板制it^置的液晶面板 製造方法。背景M液晶面板具有顯示品質高、能薄型4^^^^4匕等優點，所以被^jd於各 種M的用途中。特別是近年來，1^對*液晶電視等的大型液晶裝置的需 ,，多，對液晶面板的性fyM^W^提高。為了得到高性能的液晶面板，用於使液晶體取向在預定方向的取向膜的取 向控制是重要的。以往""feM)的A^布摩擦取向膜的"摩擦法"等。可是，若 採用摩擦法，存在有塵埃落著而產生汙祐粘附問題，以及由於靜電等而導致半"!M^元件破損等問題，因而^L^出現的被稱為"脈向法"的^^令人注目。 "棘向法"是一種在l^Ji形成具有it^性的高襯體，通it^、射紫外線等使高^"體產生化學^而使^^有取向功能的技術。如果#^'沐說，作為;5t^向法可利用的放電燈，目前已知的有例如添加4S^鉍的金屬蒸A改電燈 等(例如，可參照專利文獻l)。然而，由於紫外線的照射M和波長範圍等，會使製造出的液晶面板性能 和成品率等受到影響。特別是在採用iW向法實施的液晶面板製造i^呈中，若 較多地照射一定波長範圍以下的紫外線光，#^成為^^斤製造出的液晶面板性 負沐成品率等大幅降低的原因。專利文獻1日4^開平6^275234號^^艮發明內容發明所要解決的技術問題本發明是要提f種能抑制對液晶面板性能等帶來影響的波長範圍內的紫 外線照射，從而能製造出高性育tM/f線品，高的液晶面板的液晶面板制it^置、及使用了這種液晶面板制it^置的液晶面板製造方法。 解決技術問題的方案作為本發明的一種實施形式，本發明提供的液晶面板制錄置，具有處理內部封入有包含;5t^物質的液晶材料的^i^l:^ijWl的處理室，配置在處理形錄向部的多個燈，和與燈對向i經並至少能物制波長為320~360nm的 波長範圍的紫外線穿透的濾光片。作為>^發明的另一種實施形式，>^發明^^供的液晶面柘>製造方法，包括有 對於內部封入有包含it^I物質的液晶材料的淨狄^^，通i!E少能夠抑制 位于波長為320~360nm的波長範圍的紫外線穿透的濾光片照射紫外線，^ t ^物質產iA^，以/j^^h^S^L的內部形^向部的工序。 發明的技術^才娥本發明，可提^^種肯納制對液晶面板性能帶來影響的波長範圍內的 紫外線照射，從而能製造出高性肯LEL提高成品率的液晶面板的液晶面板制ii^ 置、及^^]了這種液晶面板制it^置的液晶面板製造方法。


圖1 A^示作為本發明-^t實施方式的,^^i^的一個判子的剖面圖。圖2&示如圖1所示的高W體18的一個^^例子的圖。 圖3是表示向圖1所示的淨^3Si^10照射紫外線後的液晶面板的一^h^ 子的剖面圖。圖4 ^^示圖3所示的取向部21的取向狀態的一^^子的it^L圖。 圖5狄示圖3所示的取向部21的上仰角度e的概略圖。 圖6 M示圖3所示的液晶面板的液晶體R態(M加電壓的場合)的剖 面圖。圖7是表示圖3所示的液晶面板的液晶#態(施加電壓時)的剖面圖。 圖8 a示作為本發明實施方式的液晶面板制^置4^結構的一個例子 的平面圖。圖9 M示圖8所示的液晶面板制it^置的動作的沐程圖。 圖10是詳細表示圖8所示的反,的概略圖。圖11是表示圖10所示的哀iNP的具^^動作例子的概^略圖。圖12是詳細表示圖8所示的檢^P的概略圖。圖13 &示圖12所示的檢^P的具體動作例子的概略圖。圖14是詳細表示圖8所示的UV照，的相t略圖。圖15S束示圖14所示的燈周ii^構的一個判子的概略圖。圖16是表示圖14所示的燈周邊結構的一個例子的概略圖。圖17^^示vMJ^向方向(軸向方向)觀察圖14所示的燈時的^t略圖。圖18是表示適合於圖17所示的第一照射計的照^H十光鐠靈^tl的曲線圖。圖19另點示適合於圖17所示的第2照浙計的照4ti十光鐠靈^L的曲線圖。圖20&示鉈系金屬囟化浙燈的光il^布的曲線圖。圖21是表示鐵系金屬卣化物燈的光^^布的曲線圖。曲線圖。圖23 A^示對鐵系金屬卣化物燈和7K銀tr的光"if^布的tb^的曲線圖。圖24 A^示鐵系金屬囟化物燈沿軸向方向的照^^布的曲線圖。圖25A4示圖14表示的燈的周邊部的剖面圖。圖26 A4示圖25表示的熱射線吸^慮光片的光iM4i率的曲線圖。圖27M示圖14表示的濾光片的A^"角度和透射率間的關係的曲線圖(其1) 。2) 。28是表示圖14表示的濾光片的A^角度和g率間的關係的曲線圖(其圖29;l^示圖14表示的燈控制裝置的一個M例子的框圖。圖30表示處理如圖1表示的衫^t^i^時的照度值、照射時間、聚合效果、劣化、生產效率間關係。圖31是說明涉"J^發明實施方式的勻稱度計算方法的曲線圖。圖32 A^示勻稱度和面板性能間的關係的表。圖33 ;i^示涉;M^發明實施方式的^HP板的平面圖。圖34是說明涉^L^發明實施方式的差^J顯度控制機構的示意圖。圖35是說明涉;M^發明實施方式的基^f多動控制機構的示意圖。圖36是沈明涉A^發明實施方式的液晶面板製造方法的一個例子的流艱圖。圖37是表示有害波長範圍(313nm)對^^t^l特性產生的影響的平面 圖，其中圖37(a)是表示照射時的MiSi^的平面圖，圖37(b);l^示照 ^f後的液晶面板的平面圖。圖38 ^^示照;l^面杉L劣^r之間的關係的表。M實施方式下面參照附圖，說明本發明的實施方式。在以下的附圖記載中，相同或類 似的部分付與相同或類似的符號。以下表示的實施方U以舉例方式說明^^ 發明的技木恩想^^化用的裝置和方法，然而本發明的技術思想並不樹艮於由 下述說明中所給出的特定結構零件的構造、配置方式等。下面說明能夠利用關於本發明實施方式的液晶面板制it^置進行處理的被 處^^L 10。如圖1例示的那樣，淨i^h^^L 10在玻璃制等的第一基fel 12和 第二基tl 14之間，至少封入有能夠利用施加電壓而使M有方位性的液晶體 17和具有ife^性的it^性物質(高襯體)18。作為液晶材料17例如可4M酯系列、姊系列、苯Uf己烯(PCH)系列、 環己烯系列、苯^J^系列、二氧雜環乙烷系列的M。 M最好是才緣用途 5fiC^^的物質。作為可以將驅動電壓減少的液晶材^H^P-酯系列，P-g系 列的材料等。可以作為耐高溫、食^I定動作的液晶材^H^S環系列、四環系 列等的糾。可以作為使響應性提高、適^/畫等顯示的液晶材^itPCH系 列或g系列的材料。作為高^f材料18使用例如具有圖2表示那樣的偶氮^r^物(偶氮苯)的高M材料。具有偶氣/ft^物的高^^材，iim射紫外線、特別是波長範圍為300~ 400nm的紫外線會產生聚合反應，形成交,it體。如圖1表示的那 樣，第一基板12和第二基板14之間還通過密封部19相互J^。在第一狄12的表面處糸剛多個薄膜電晶體(TFT)等的半^^元件U。 在多個半^^元件11的糸剛上形成有第一透明電極15。另一方面，在第二基 板14的表面上配置彩色濾光片13，在彩色濾光片13的表面上形成第二透明電 極16。7圖3表示的是向圖1所示的敗^110上照射紫外M^的處理中間倀液晶面板)20的"H^'J子。^MI後述的液晶面板制ii^置，例如當對圖i所示的 io "加了電壓的狀態下照射紫外線，則會分別在第一透明電極15、第二透明電極16的表面上形成突起狀的取向部21、 22。該取向部21、 22是如圖1所示的高襯體18利用itm射產生聚合^所 形成的交,造體，而且如圖4表示的那樣，它們相對第一J^12的一^向 分別被並行氺剛配置。如圖5表示的那樣，M^-it:明電極15的上面，JL^到的 取向部21的上仰角度e，例如可以通過控制^^Wt^^L 10上的電壓等 來實施變更。通it^第-Ht:明電極15、第二透明電極16的表面上分別配置取向部21、 22，如圖6及圖7例示的那樣，液晶體17進入取向部21、 22的間隙中(凹部 分)。因此，與在液晶面板20的內部不形g向部21、 22的場合相HS^，液晶 體17的取向限制力能夠變高，從而能夠提高刺口響應狄、絲率、對比度、 ^^錄性等液晶面板的糾性育^L特性。 -液晶面;^制^^^置-(*結構)關於實施方式的液晶面板制it^置如圖8 ^示的那樣，具有能收納多個4皮 處^tl 10的^v部2、使^在^A部2中的,i^t3S^ 10上下反轉的反 ,3、檢查^yjl轉部3 M出的淨^S^ 10的特'性的檢查郎4、對vy^r查 部4銜逸出的被處3Si^ 10照射紫外線的紫外線照射部(UV照射部)5和使 從UV照射部5縱出的照射了紫外^的淨狄i^110反轉的反,6。在^A^部2的內部配置有^ir^^幾器人25。 ^f幾器人25可以通iiS5置淨狄 ^^10用的工作檯的下面處所配置的計算機系統(省略圖示)來實施管理， 並向反4W 3輸送出作為處^t象的淨狄S^L 10。檢^p 4包含第一檢查裝置4a ^_=^查裝置4b。第一檢查裝置4a ^ ^r查裝置4b通it)Wtg板10施加電壓，檢查液晶體的取向狀態來檢查 ^^t3^板10是否滿足預定的品質基準。在圖8中例示了 2臺檢查裝置(第一 檢查裝置4a Af ^^r查裝置4b),但檢查裝置的數量可以根據圖8表示的液晶 面柘^制dt^置的處理能力而有相應個數。UV照射部5包含第一UV照射裝置5a^二UV照射裝置5b。第一UV照射裝置5a;5Lf二UV照納裝置5b)^狄^i4llO照射紫外線。UV照射 ^^置的ltjM^可以;UMS4狄^i^l0^yjM^3向檢^4、 UV照射部5、 >^#^6的,，可 以利用i^^E^J^P 3和反#^ 6之間^^Ji的^r^器人62進行。^f幾器 人62可通過iUW^器人62的5^聖下的計,系統(圖示省略)實施管 理。在裝置的夕卜側面Jiii可以配置有顯示裝置61。 ^MI顯示裝置61例如可進行 ^Ti!U'J檢^P4及UV照射部5處的艦^i4110的載置位置的校準等。另夕卜，還可以在液晶面板制ii^:置的內側面上，安^j^^電用的電離器63。 (處理過程)在利用圖8殺^示的、液晶面;fel制ii^JJi^亍處理時，如圖9的流程圖表示的 那樣，在步驟Sl， ^A部2涵艦3tt^ 10，並利用圖8所示的^i^器人 25樹狄iS^ 10 M^A部2 #T^1^#^ 3。在圖9所示的步驟S2，使圖1表示的^t3tt板10上下反轉，使形成有半 "^^元件11"H^的第一J^12位於上方，形*彩色濾光片m'J的第二基 板14位於下方。通itit種反轉處理，由於在UV照射部5中從形M半"!^l元 件11-~ 的第一狄12側照射出燈光，從而能物制彩色濾光片的損傷。並 且在第一基fcl 12位於上方時也可以不實施該反轉處理。在圖9的步驟s3中，賴riH^^人62 a^JHp 3向檢查郎4賴t^淨狄tt 板10。 4中利用顯示裝置61 ^ie^t^^110的位狄準，通過脅電壓使淨狄^i^L10內部的液晶體17進行取向，並判定^tS!^10是 否為狄。在步驟S3的檢查中，判^; r不良J的淨狄^^10，利用圖8 所示的輸i^幾器人62從檢查部4向裝置夕h^衞H。在步驟S3的檢查中，* 為r良療j的,狄3^仗10，利用^T^器人62從檢查郎4向UV照射部5 艇。在步驟S4,在UV照射部5中例如使位於340 ~400nm波長範圍的紫外線 比位於340nm以下波長範圍的紫外對目對多J4^的燈光向被處⑩板10照 射。由jH^吏封A^,狄^i^ 10內部的高W體產生it^ (聚合^),如 圖3表示的那樣，在處理中間體(液晶面板)20的內部形#向部21、 22。將 液晶面板20從UV照射部5向反轉部6輸送，並且在步驟S5，由反轉部6根據需要實^Ji下反轉。在步驟S6， ^^晶面板20從反轉部6向液晶面板製造 裝置的夕h"Wli。(反,圖10表示的g乂, 3的一^NN子的^t略圖。反柃郎3 M用於真空吸附 4i^l:^^LlO的第一吸附部31、第二吸附部32、第三吸附部33。第一吸附部 31配置在處理室30內的下部，可以通過與第一吸附部31連接的第一可動部34 上下移動。第二吸附部32被固定在配置於第一吸附部31上方的旋4HP 32上。 笫三吸附部33淨站己X^處理室的上部，並可以通過與第三吸附部33連接的第 ^^可動部36上下移動。在使^h^l^lO旋轉時，如圖11 (a)表示的那樣，首先將淨狄iS^ 10方 在第一吸附部31上。然後，用圖10表示的第一可動部34 (在圖11 (a) 中圖示省略)提升第一吸附部31,使淨狄^4110接i^二吸附部32。如圖 11 (b)表示的那樣，^^一吸附部31和第二吸附部32進一步接近，從而將被 處3S^ 10交#^第二吸附部32。如圖11 (c)表示的那樣，使旋,35旋 轉，將,狄3^板10配置在第二吸附部32的上方。然後如圖11 (d)表示的 那樣，用圖10表示的第二可動部36 (在圖11 (d)中圖示省略)拉4錄三吸附 部33，如圖11 (e)表示的那樣，將^^hi^板10吸附在第三吸附部33的下 方。C檢,圖12表示的是怍為檢查部4的一個例子的第一檢查裝置4a的概略圖。在 處理室40內配置有用於配置^ :*敗10的設置臺41，在設置臺41的上方 還配置有檢查淨狄3^j敗10的狀態用的CCD照3目機43。在設置臺41的下方 配置有背她照射部42。在用第一檢查裝置4a檢查^^taij板10時，如圖13U)表示的那樣，在 用^il^器人62把4fc^Sij敗10配置在設置臺41上後， 一面利用圖8所示的 顯示裝置61實施確認， 一面藉助圖12表示的CCD照相機43進^|狄^^ 10的位置調整(校準)。然後，如圖13 (b) ^示的那樣，將;^連接器44連 4^JJ^h3M^10。如圖13 (c)表示的那樣，用背她照射部42從3狄錄 板10的下方照射光。如圖13 (d)表示的那樣，^^p連接器44上連接電壓 口部45，由電y(E^a部^a上一定電壓。通過該電/Sife加，使^^t^l^UO內部的液晶沿一W向取向。然後，如圖13 (e)表示的那樣，適宜選^Wt 10內的測定範圍，利用CCD照相機43確認測定範圍內的液晶#^狀 態，以判定皿^^U0是^^l:不良。 (UV照射部) ^^結構-圖14表示的是怍為UV照射部5的一^H^j子的第一 UV照射裝置Sa的概略 圖。第一UV照射裝置5a具有處理M⑩板10的處理室50;配J^處理室22(參照圖3)用的多個燈52;以及與燈52對向設置著的、抑制波長位於340nm 以下的波長範圍的紫外^it^的濾光片53。在圖14中，多個燈52位於處理室 50的上方，但是tr 52的位置也可以##淨狄#板10的位置實;afeit宜變更。 在多個燈52的上方分別配置著能斷棘自燈52的照射光均勻化的^Jt鏡57。 如圖15表示的那樣，還可以^52和濾光片53之間配置多個輔助^*58。 在如圖15所示的例子中，，助0板58的內部配置有檢測照度用的傳 感器，從而可以^^傳感器的檢測結果，自由地變更輔助^SJt^58的角度。另 夕卜，多個燈52之間的配置間隔，當燈的夕卜徑為D且D為25mm以下時，通過 使多個燈52的中心間的間隔(燈間距)為5D~6D，能夠^i^t^i^ 10照 射照度強度不均勻性少的紫外線。而且，在D是20 33mm時，能夠使燈的間 距為3D 6D。在關於如圖14舉峭表示的實施形式的第一 UV照射裝置5a中，即4^燈 的外徑D為27.5mm時取燈的間距為7D ~8D，也能達到一定的技術目的。在 後述(參照圖25)的冷卻管100的夕卜徑D'為70mm的情況下，即使燈的間距 為4D時，也能照射出均勻的紫外線。如圖17表示的那樣，^AUT52的縱向方向(軸向方向)觀察時的燈52的 中心部附i^S&置有測量燈52的照度用的第一照度計55 ^二照度計56。如圖 14表示的那樣，第一照度計55 ^二照度計56分別負tjt多個燈52的各自上 方配置一個。第一照度計55 ^二照度計56被連接到燈控制裝置7,從而能 夠才NI第一照JL計55 ^二照度計56檢測出的照度值，控制提供給燈52的電 力。當然，也可以在燈52的上方只配置一種照s^計。作為第一照度計55例如能^f吏用在波長範圍340 ~370nm間具有峰值靈敏度的照度計。iM)這種構成形式，能更高精^4^測出後述的燈52的波長為 365nm的J^Wt，從而能更高精度iife^r測出適宜於使如圖1所示的淨狄^ 板10的高^"體18產生聚合、並抑制淨狄S^L 10的品質劣化的波長範圍的 照射值。圖18表示可作為第一照度計55所M的照度計的光i普靈^l的一個 例子(UV-35)。作為第二照渡計56能^^^^^第一m^計55不同的波長範圍、例如波 長範圍為305 320nm之間具有峰^^敏度的照度計。iM這種構成形式，能 更高精度^測出可能會P聘圖1的M3S^板10的高^體產生聚^H吏被 處3^板10的品質斷氐的波長的、例如為313nm的^J^H直。圖19表示作為 第二照度計56 所m的照度計的光鐠靈M的一^^子(UV-31 )。在圖14表示的處理室50的內部i^著配置淨狄Si^ 10用的載物臺51。 在載物臺5lJ^可以配置有^HN^t^^lO的^NP板54。另夕卜，為了控制 ^HP板54，進而控制由來自燈52的itm射而引起的淨狄^^10的溫jLh升， 還可以配置有1^U顯度控制裝置8。配置有使載物臺51沿^^h^i^ 10的縱 向方向移動的移動控制裝置9。進而處理室50中連接著^i^t^^L 10 電壓，以助^控制在^^tS^10內部形成的取向部21、 22 (參照圖3)的 形成用的電; i^控制裝置61 。才Mt後述的詳細構造能更明白，若使用圖14表示的第一 UV照射裝置5a， 能夠抑制對制it^的液晶面板性能帶來影響的波長範圍的紫外線照射，從而能 夠製造高性能、且使成品率提高的液晶面板。 -燈-作為如圖17表示的燈52可以利用例如在具有紫外線iMH生的石英制的氣 密'H^520的內部配置有^!^(W)等制的電極521、 522的、其外管徑為 27.5mm、 #>^為1.5mm、 ；^/^lL為1000nm、燈電壓值為1275V、燈電流 值為13.5A的紫外線燈等。在氣密'l!i^520的內部處封入有刺口氬(Ar)氣 體等的情性氣體。作為這樣的紫外線燈M為在氣密'1^H 520的內部封入有水銀(Hg)和 在波長範圍300~400nm中具有除7JC銀光i普以外的至少一個以上光鐠的發光的 金屬封入物的燈。例如，可以利用在氣密'^^520的內部封入有水4詠少量 的惰性氣體的高壓水4^T，或在氣密'1^H520的內部封入有7jO^滷^f^的金屬的金屬滷化浙燈等的高^Jb改電燈等'特別是作為在處理如圖1表示的被處^S^ 10時所優選的燈52，可使用在 氣密,^l!520的內部封入有7jc4^p滷^f^;的鉈系金屬滷^f^燈。例如，對於^^封入有7M艮1.6mg/cc、 ；f^^S (TU) 0.1mg/cc、氬1.33kPa左右的鉈系金 屬卣化物燈的場合，如圖20表示的那樣，在波長為352nm、 365nm、 378nm 附近具有大的^j b^，此時的電^f^錄示1250V、 14.0A左右。鉈(Tl)在352nm、 378nm的波長範圍內具有強亮線光鐠，具有能^fc^ 銀的狄強度減弱的絲。因此，例如能夠抑制313nm的7jc4MUt， ^f棘340 ~ 400nm波長範圍內的^J^目對較多的紫外^m由此，通過如圖14所示的液 晶面板制it^置中利用含有鉈的燈52，能夠斷樹圖3所示的液晶面板20的 特性帶來大影響的波長範圍為340nm以下的紫外線的照射。囟化鉈的封入量在燈的內徑D^30mm的場合，封入量M優選為從 0.01mg/cclM芻0.3mg/cc中選擇出的量。作為更優選的是在燈的內徑為 D^30mm、狄狄L為500mm^L舀2500mm的場合，水銀的封入量Hg 她為從0.9mg/cc芸Hg ^ 2.0mg/cc中選擇出的量，面^4S的封入量M絲為 從0.012mg/cc芸M^0.1mg/cc中選擇出的量。通過將卣化鉈的封入量M該艾為M^03mg/cc,由於相對燈52的軸向方向得到均勾的照度，所以能夠實現紫外^H^tai^io的均勻照射。另夕卜，參照圖20可以知道，能夠將^H^tS^ 10的特性帶來影響的波長為313nm的 照度峰值與波長為365nm的照度峰銜目比P^f^ 5%以下，所以能夠進一步提 高紫外線照射後的液晶面板的特性。另一方面，若卣^^;的封入量為0.3mg/cc 以上，由於封A^氣密'11^520內的樹目對燈52的縱向方向產生不均勻*， 因此產i^jt分離，燈的性能下降。作為燈52也能夠利用具有圖21表示那樣的光鐠的鐵系金屬滷4^燈。例 如，在氣密'It^ 520內封/v7K銀1.2mg/cc、鐵0.027mg/cc、 ^ ^(樣0.1mg/cc 的放電介質所形成的鐵系金屬卣^^燈，從圖21可以知道，在波長為365nm 處具有最大的^jb^值。如圖22表示的那樣，在t嫩了鐵系金屬卣化物燈和鉈系金屬滷^^燈時， 若是對^f吏圖1所示的淨狄^fel 10制絲的特性受到影響的波長為340mn 以下的照度波^^t^、分後比較，則可以知道鐵系金屬滷化物燈相對鉈系金屬囟^^燈的值多2倍以上。因而，對於 ^P制來自燈52的波長為340nm以下的波長範圍的;1^身的 場合，與鐵系金屬卣^^燈相比，^HM鉈系金屬卣化物燈。彭卜，由于波 長範圍為340nm以下的紫外線，肯誠it^述的濾光片53抑制其透射，所以在 想^fM發出可能照射的波長範圍相對廣的紫外線光的燈的場合，與鉈系金屬離 ^^燈相比，^f狄鐵系金屬滷^^燈。燈的光^^布的HS^例子。水^UT在365nm、 313nm、 303nm的波長範圍中具 有大的發jb^值。在關注365nm附^^度的場合，雖然鐵系金屬卣化浙燈表示 了比7K4^T低45%左右的照度，但在作為向^^t^i^10照射M的波長範 圍340nm ~ 380nm中，整^M"有tb^高的照度。7JC^由於^Ji^:mi^10的特性帶來變化的340nm以下的波長範圍中 有高iCib1^1，所以若考慮炎高淨狄iS^ 10的性能時，則與水4^T相比，最 ^fM鐵系金屬滷4緣燈。如圖24所示的例子表示的那樣，在用j^t長變L為1800mm的鐵系金屬滷 ^^燈ii^亍測^M度時，由於相對燈52的軸向方向能夠得到;kJt均勻的照度， 所以鐵系金屬^緣燈適合於將艦3g^110大型化的場合。另外在應用於圖 14表示的第一 UV照射裝置5a的場合，^fMrf^I^tM L為2500mm的 鐵系金屬囟^R^燈的情況下，，到和圖24實際J^目同的^。-燈的7JOHP構造一圖25表示的是如圖14所示的燈52的周邊部的示意圖。燈52被具有內管 101 W卜管102 X50^構造的轉管100包圍著。在內管101 W卜管102之間收 容著^HP燈52用的水(純^<0。另夕卜，在內管101W卜管102之間以包圍燈52 那樣的方式，配置著具有光iM性並能夠吸收來自燈52的^卜線用的熱吸》1^慮 光片103。作為熱吸收濾光片103優i^H用吸收紅外線並具有能夠使位於約300 ~ 400nm的波長範圍的紫外M選擇自射的光潮爭性的熱吸收濾光片103。例 如如圖26表示的那樣，可以釆用在260 ~400nm的波長範圍中具有光"if^t率 峰值的熱吸^慮光片。通地己置具有圖26表示的那樣的光i辨性的熱吸W慮光 片103，能4吏位於使,狄g板10內部的高^^體18進行有M應的波長範圍的紫外M射，並且能夠抑制成為^^hS^ 10加熱原因的^卜線的照射， 所以能夠進一步抑制,狄S^10的特性劣化，提高製造後的液晶面板的成品 率及性能。 -濾光片-作為圖14表示的濾光片53可以^^"英或玻璃制的基體中添加有吸收 物形成的吸收型光學濾光片、和在由石英或玻璃為基體的板的上面蒸鍍多層薄 膜形成的多層膜型濾光片。作為濾光片53的特徵而言，^^320 360nm的 波長範圍內有短波長的截止波長的低通濾光片。而且，在關於實施形式的濾光 片53中，所謂r ;^jh波長J是指用垂jlA^ (A4t角0°)時的波長定義的;IUL 波長。特別是在多層膜濾光片中，紫外線的A4t角變大時截止波長會向短波長 "-#訴多動。例如，對於為在340nmM^ih波長的多層膜的場合，通過i5^A 射角為30。、 60。，使^^波長為330nm、 310nm附近向短波長-~#1移動， A^j"角的截止波長的變化幅度變大。作為另"^，J子的濾光片，具有在截止波長 為320nm的某一吸收型濾光片中，即使紫外線的A4t角產生變化，截止波長也 確保320nm, ^A^t角為50。、 60。、 70。時365nm的透射率i^fM; 95%、 85%、 70%的棒性。為了^ii,狄ai^ 10內部的高W體18的聚合"，形g向部21、 22,斷氐製造後的液晶面板20的特性變化，作為控制紫外線照射用的濾光片 53，能^f^J在320 360nm的波長範圍內具有^jh波長，理想的是在330~ 350nm的波長範圍內具有^^波長，而且當紫外線的A^t角為0 ~60°時，肚 波長的變化N位於-15mrKN〈15nm的範圍內的多層膜濾光片，和在320~ 340nm具有截止波長的吸收型濾光片。 -燈控制裝置-圖14表示的燈控制裝置7，如圖29表示的那樣具有燈電力控制部71、照 度判定部72、累計光量判定部73和勻稱度判定部74。燈控制裝置7還可以設 置有^iH^t合於^Wt3M^ 10實^t理的照度值的i^t值等^t數據 用的^ft裝置75。燈電力控制部71能夠才娥照度判定部72、累計光量判定部73、勻稱度判 定部74的判定結果控制燈的電力。照度判定部72能夠讀出被4^^置75賴 的照度值的設定數據等，並能夠判定第一照度計55或第二照度計56檢測出的照;^lbi否^L預定的範圍內。圖30表示的;Ut理如圖1表示的初^hS^ 10時的照;1值、照射時間和 如圖3表示的取向部21、 22的取向狀態(聚M果)、劣化、生產效率間的關 系。"照度值"表示由作為第一照渡計55的、具有圖18表示的光諳靈4Jtl的照 度計^"測出的值。以下，"照射時間"表示脅52對圖1所示的艦3^i^ 10 ii4亍實際照射的時間。如圖30表示的那樣，當第一照度計55^"測出的照v^SA25mW/cm2以下 時，能夠得到圖1所示的高襯體18的聚合絲，但製造出的液晶面板20產 生劣化，生產效率變低。若照度紋40mW/cm2以上時，聚^W(f,生產效 林高，但若高於100mW/cm2時，對高^f"體的損傷變大，所以通過控制在 75mW/cm2,能夠得到聚合^，而且使製造出的液晶面板20 #於產生劣化。因此，照度判定部72在處理圖1所示的,狄^i^ 10時，判斷例如第一 照度計55的照度狄否是在25mW/cm2以上，優i^A否位於25 ~ 100mW/cm2 的範圍內，更^A否位於40 75mW/cm2的範圍內，並且可以條判定結果， M利用燈電力控制部71控制燈52的電壓或電流。""^i脈，燈52lt^fM壽命接近，光量有慢lt斷氐的傾向。因此，由第 一照度計55等檢測出的照度值也會l^"時間的流逝而變4氐。為了能夠對多個被 處^^L10分別以均勻的光量照射紫外線，在M"點亮時間長^K匕而燈52出 現劣化、照度斷氐的場合，希望提升電壓或電流，將照度^#在一定值以上。在圖14表示的液晶面板制it^置中，照度判定部72檯r測第一照度計55或 第二照度計56的照度值，當4f對燈52的點亮時間的第一照度計55或笫二照度 計56的照度值的變化量到# 10%以下時，能夠控制燈的電壓或電流， 度值返回到預定的值。所謂r點亮時間J表示的是實際使tr 52點亮的時間的累 計值。累計光量判定部73用於判定r累計光量J 3:否為一定值以上。所謂r累計 光量J可以用第一照度計55檢測出的照度值和燈52的照射時間的積束示。例 如，在處理圖1所示的-狄ig^ 10時，累計光量判定部73能夠判定累計光 量是否為2000mJ/cm2以上。通過使累計光量為2000mJ/cm2以上，得到淨狄理 基昧10內部的高W材料18的聚合效果，並JJ啦以產生圖3所示的液晶面板的特性劣化。另一方面，通過iU 2000mJ/cm2以下，由於不能充^i^行圖3 的液晶面板內部的取向部21、 22的形成，所以會引^^性能I^f氐。勻稱度判定部74用於判定依據第一照^^計55或第二M^計56檢測出的最 ^ 、度#最小照度值計算出的r勾稱度j是否為預定值以上。所謂r勻稱度j, 如圖31表示的那樣，在關注4狄^i^lO的縱向方向和照度間的關係時，為 iMJ由第一照度計55(或第二照度計56 )檢測出的照度值的最:U 、度值(MAX) 和最小照度值(MIN)，根據下式所表示出的照度均勻性比例。勻稱度(％ ) =(1- (MAX- MIN)/ (MAX+MIN)) x100如圖32表示的那樣，在處理圖1表示的M^J^ 10時，通過使當^^1 在波長範圍為340~ 370nm之間具有J^Hi^^l的照度計而計算出的勻稱^ 75%以上，能夠提高圖3所示的液晶面板20的響應逸變、itlt率、對比度、偏 振光(光)特性等糾性能。因而，絲勻稱度判定部74在處理圖1表示的被 處3tt^L10的場合，可以判^)第一照度計55計算出的勻稱JLA否是75。/o以 上，並且可以才 該判定的結果，用燈電力控制部71控制燈的電壓或電流。 -^*顯度控制城-圖33殺^示從Ji面觀廢圖14表示的^HP板54時的示意圖。*板54例如 可以為鋁等的金屬制，內部具有使*水流通的*水流路541。 ^HP7jC的流 ititJL既可以利用圖14表示的基J^顯度控制裝置實M制，也可以是恆^it 度。按照如圖14表示的那樣，JJ^上即^P、利用^P板54也能實施溫度控制， 但如圖34表示的那樣，nL可以在處理室50的內部i^冷風喻觜542，組合冷 J5MUi行冷卻。在圖34表示的例子中，冷風喻嘴542沿#狄^^ 10的縱向 方向配置，從冷風^ 542送出例如為5 15'C的冷風。絲這種構成形式， 可以將,A^g板10的Jjfe^l控制在70。C以下，伏選被控制在20 ~ 50°C。 而J^也可以ilE送冷風的K^, ^^^^L，542。4^h^i^ 10的內部封入的高^^體18和液晶體17，由於具有熱可塑 性，所以若暴絲高溫下，會引起特性惡化。特別是當通ii^H狄^i^ 10照 射波長為340nm以上的紫外線時，淨^tigi^10的基^U顯度可能^ii到200。C ，所以^f吏特性劣〗m象a^。才 圖34表示的第一UV照射裝置5a,通過具有冷風^^觜542和^HP板54,能夠將,i^taij仗10的溫度控制在一定的溫度以下，所以能斷氐高^"體18 和液晶體17的劣化，提高製造出的液晶面板的響應逸變、it^率、對比度、偏 振光(光)特性等^t特性。而且，冷風頓542和JHP板54的驅動能夠才^^狄^板10的大小實 ^i^擇。例如，在處理550mmx650mm大小的被處^ij板10時，只用冷風噴 嘴542也能實施充分冷卻，但L^E處理像iH11500mmxl800mm大小的,狄iS^ 板10等t嫩大的狄時，可以一併iMl冷風鋪542和^HP板54。另一方面，相A^titJMl吹冷風，在使淨^t3Si^L 10的表面溫度產生偏 差的場合，希望只驅動^HP板54。如圖34表示的那樣，也可以在處理室50內 iti測^fe顯度用的溫度傳感器543 ，也可以才娥溫yl傳感器543的檢測值， 由Jj^顯度控制裝置8 it棒lt^制^P板54和冷風^^觜542的驅動。 -1^多動控制輔-由於燈52^j狄iM^U0間的距離、以;5L^t^t光的^gJt情況，^f吏 照射到^C^:^^L10表面處的光量存材局部不均勻的情況。因錄圖35中， 在用實錄示的位置上，首先照射一定時間紫外^，利用移動控制裝置9將 栽物臺51沿淨狄g板10的縱向方向移動距離W。由此，與不移動載物臺51 實艦理的場合相t嫩，脅^^M射到狄^Li^lO的光更均勻化。距離W可以在來自燈52的照Jt^一定值以上的有^^射範圍內實施變更， 但若考慮剖燈52的棒性，^i^每次移動為燈間距的1/2左右些。例如，搭絲 5個M管外徑為27.5mm、 ^JM^Jt為1000mm的金屬卣化物燈作為燈52， 處理550mmx650mm大小的圖1表示的禍^h⑩板10時，可以按照^^波長 範圍340 ~370nm之間具有峰^MJt變的照度計(第一照度計55)的照度值為 75mW/cm2的方式，照射25秒，然後使^^t⑩板10沿皿的縱向方向移動 W-125mm左右，再在75mW/cm2條件下照射25秒。由此，能夠抑制液晶面 板20產生的反應偏差，從而能夠實現高性能液晶面板20的生產。 (使用紫外線照射裝置的液晶面板製造方法)如圖36中的步驟Sll表示的那樣，在用如圖14表示的第一 UV照射裝置 5a處理如圖1表示的,狄3^110時，可以首先進ffl己置。作為配置例如能 夠向^ft裝置(圖示省略)等輸A^I於驅動燈控制裝置7、 ;&^J顯度控制裝置8、 移動控制裝置9及電/^^P控制裝置61的^ti5^數據。另夕卜，在載物臺51上配置^^用的#狄^^ 10，以處理^Hf對處理室 50的內部進行後，導出M^^L 10表面的照度^H目對該照度的第一照度計 55^二照度計56的照度值間的關係。由此，可以根悟第一照度計55及第二 照;1計56的照JL值，計算出和淨狄^^10表面的實際照>1值之間的關係。當配置結束時，用圖8表示的^i^器人62扭進行實際處理的衫炎3Si^ 10配置在圖14所示的冷卻板54上，在步驟S12中，開始^H^t⑩板10實 ;a^HP。冷卻方法可以是才N^狄S^ 10的大小用5 ~ 15°C的冷風實施空冷， 也可以如圖34表示的那樣，利用溫度傳感器543^"測^^度，並用Jjfe顯度 控制裝置8控制輛板54或冷風，542 ，以^M^ijfe^顯JL例:H^制在70°C以 下。"^著在步驟S13, ^i^hJg^昧10^W定的電壓(例如，為0 30V)。 在步驟S14,在^^i^t^敗10施加了電壓的狀態下，在例如笫一照度計55 的照度值是75mW/cm2的條件下照射25秒的燈光。然後在步驟S15,使載物臺 51沿^^tig^lO的縱向方向移動，在步驟S16， ^)Wt^板10施加電 壓的狀態下，在例如第一照JL計55的照度M 75mW/cm2的*下照射25秒 的燈光。圖14所示的燈控制裝置7 <狄52 X^狄^!J^ 10照射紫外線，以使得在 第一照度計的照度M 40mW/cm2以上的條件下第一照度計55的照度值和燈 的照射時間的積為2000mJ/cm2以上。另夕卜在笫一照度計55的照度似目對燈的 照射時間的變化量是10%以下時，控制燈的電力。對勻稱度實施計算，按照使 勻稱度為75%以上的方^制燈的電力。處理後的MiM^ 10在步驟S17， 從圖14所示的處理室50搬出，用圖8所示的^i^器人62 ^i!Uij反飾6。通過涉及圖8表示的實施形式的UV照射部5 (第一 UV照射裝置5a )，由 於能夠抑制對製造出的液晶面板l"生能等帶來影響的波長範圍為340nm以下的紫 外線照射，所以能夠製造出高效能、高成品率的液晶面板。 (B實施方式)本發明已經才娘上述實施方式進行了說明，糊成該公開的一部分的M 及附圖均不能賄贈本發明的P艮定。^M頁域的技權員還能夠從^5iHf的內容 中獲得M代替的實施方式、實施例;ML用技術。 4害波長照度判定輸一在上述的實施方式中，是以圖29表示的照度判定部72根提第一照JL計55 的照度樹照度實^，j定，並劃NW判定結総制燈的電力為例進^t^明的。 但是，圖29表示的照x;l判定部72也可以才NI第二照^1計56的照度值，判定對 液晶面;^特性上帶來影響的波長(有害波長)的照度。如圖37 (a)表示的那樣，在處理圖1表示的被處⑩板10時，若)W1: ⑩板10的斜線部分照射波長為340nm或320nm以下的紫外線、特別M示 7K4艮的^b^值的波長為313nm的光，則^^沒有被記載的各^#的實施方式 等。因而，本發明的技術範圍是由依據上述說明形成的適當的^U，要求範圍所 決定的。
權利要求
1.一種液晶面板製造裝置，其特徵是具有對內部封入有包含光反應性物質的液晶體的被處理基板進行處理的處理室；配置在前述處理室內的、向前述被處理基板照射紫外線，使前述光反應性物質反應，以在前述被處理基板的內部形成取向部的多個燈；以及與前述燈相對、至少抑制波長為320～360nm的波長範圍的紫外線的透射的濾光片。
2. ^'J要求l記載的液晶面板制it^置，^ft徵是 前iiit^性物質為高襯。
3. ^'J要求l記載的液晶面板制it^j:, ^ft徵是 前iiit^性物質是偶氮^^。
4. ^N要求l記載的液晶面板制it^置，*#徵是前i^慮光片包含對於垂:lA^時所定義的a波長N位於320 ~ 360nm的 範圍內且紫外線相對前述濾光片的入射角為0° ~ 60。時的截止波長的變化在 -15nm<N<+15 nm的範圍內的濾光片。
5.權利要求1記載的液晶面板制ii^置，^#徵是還具有配置在前艦的上方處的、在波長範圍為340 ~370nm之間具有峰^IA城 的第一照度計；以及控制前逸tr的電力，以m述第一照度計的照度值為25 ~ 100mW/cm2的燈 控制裝置。
6. ^U'要求l記載的液晶面板制ii^置，*#徵是還具有 配置在前艦的上方處的、在波長範圍為340 ~370nm之間具有JW^Jtl的第一照度計；以及控制前逸tT的電力，以〗^Ji^一照;l計的照yl值為40 75mW/cm2的燈 控制裝置。
7. ;)5U，j要求5或6記載的液晶面板制it^置，*#徵^: 前述燈按照使前述第一照度計的照度值和前述燈的照射時間的積是2000mJ/cn^以上的方式，^W述,i^l:3Sijtl^射紫外線。
8. ^^要求5或6記栽的液晶面板制ii^置，*#徵&燈控制裝置控制前逸ir的電力，以使第一照度計的照度銜目對前逸tr的點亮時間的變化量是10%以下。
9. WJ^求l 6記載的液晶面板制it^置，*#徵1還具有向前述,iC^
10. —種液晶面板制妙法，^#徵是具有對內部封入有包含itgj^性物質的液晶體的MS^，經由濾光片照射紫外線，^Jii^^性物質產生^，以在前述皿isi^的內部形a向部的工序，其中前述濾光片至少抑制波長為320~360nm的波長範圍的紫外線 的絲。
全文摘要
一種能夠抑制對液晶面板性能帶來影響的波長範圍內的紫外線照射，從而能夠製造出高性能、高成品率的液晶面板的液晶面板製造裝置及液晶面板製造方法。所提供的液晶面板製造裝置具有處理內部封入有包含光反應性物質(18)的液晶體(17)的被處理基板(10)的處理室(50)；配置在處理室(50)內的、向被處理基板(10)照射紫外線，使光反應性物質(18)反應，以在被處理基板(10)的內部形成取向部(21、22)的多個燈(52)；以及與燈(52)相對、至少抑制波長為320～360nm的波長範圍的紫外線透射的濾光片(53)。
文檔編號G02F1/1333GK101236321SQ200710306699
公開日2008年8月6日 申請日期2007年11月1日 優先權日2006年11月2日
發明者八島誠, 宋孝先, 市村知佳子, 杉浦規生, 林美秀, 田內亮彥, 鄭德勝, 鈴木俊也 申請人:哈利盛東芝照明株式會社;友達光電股份有限公司