在襯底上形成圖案的方法以及利用該方法製作液晶顯示器的方法
2023-05-30 14:16:56 1
專利名稱：在襯底上形成圖案的方法以及利用該方法製作液晶顯示器的方法
技術領域：
本發明涉及一種在襯底上形成圖案的方法以及利用該方法製作液晶顯示器的方法。
背景技術：
一般，液晶顯示器(LCD)包括兩個設置有電極的面板和一個夾在兩面板之間的液晶層。電極產生要施加到夾在兩面板之間的液晶層上的電場，LCD通過調節電場強度以控制穿過面板的光的透射率來顯示圖像。
通過利用步進器或校準器的光束曝光進行光蝕刻過程，從而在LCD的面板上形成各種圖案。
步進器採用一個適合於其設備特性的小掩模，通過在步進器的掩模之下向上和向下以及向左和向右移動面板的同時將板分隔成幾個拍攝區(shot)並將拍攝區暴露於光線來進行曝光。通過對齊步進器和掩模並對齊面板和步進器來對齊步進器的掩模與面板。
校準器根據設備特性以一個拍攝區利用一個較大掩模地將面板的整個區域暴露於光線。此時，在校準器的掩模與校準器對齊之後，面板與校準器的掩模對齊。在製作LCD時，採用有利於製造大尺寸面板的生產線的校準器。
但是，因為要製作的LCD面板太大而不能使用傳統的校準器，所以要通過一個拍攝區使用一個掩模地對大的LCD曝光就變得很困難。要通過反覆地進行分區曝光(divisional light exposure)來完成掩模曝光。一個分區曝光單元或區域稱作一個拍攝區。
因為在曝光期間會產生平移、轉動、畸變等，所以不能精確地對齊拍攝區。於是，在導線和象素電極之間產生的寄生電容依據拍攝區而不同，並且這造成拍攝區之間的亮度差異，這可以在位於拍攝區之間邊界處的像素中觀察到。因此，由於拍攝區之間亮度的不連續性而在LCD的顯示屏上產生壓合缺陷(stitch defect)。
因此，當由一個較大的面板製作一個較大的LCD時，即使利用校準器進行曝光過程也不可避免壓合缺陷。特別是，形成LCD各個圖案的曝光過程採用給出相同拍攝區的各自掩模。因此，各個圖案的拍攝區的邊界重合，多次產生顯示器的壓合缺陷。
發明內容
本發明的一個目的在於提供一種形成圖案的方法以及利用該方法製作LCD面板的方法，該方法可以減少壓合缺陷。
為了實現這個目的，在用於形成各自圖案的曝光過程中的拍攝區之間的邊界彼此並不重疊。
尤其是在根據本發明實施例形成圖案的方法中，在首先形成第一材料層之後，通過在第一材料層上執行第一光蝕刻形成第一圖案，其中第一光蝕刻包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光。隨後，在第一圖案上形成第二材料層之後，通過在第二材料層上執行第二光蝕刻形成一個第二圖案，其中第二光蝕刻包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個拍攝區進行分區曝光，在第二光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線與第一光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線隔開。
本發明還包括在第一和第二圖案上形成一個材料層，以及通過在材料層上進行包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個拍攝區分區曝光的光蝕刻而形成圖案，光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線與第一光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線以及第二光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線隔開。可以重複形成材料層和圖案以形成多個圖案。
在根據本發明的另一實施例的製作液晶顯示器的方法中，在第一金屬層首先形成在襯底上之後，通過在第一金屬層上執行第一光蝕刻而形成包括柵極線和柵電極的柵極布線，其中第一光蝕刻包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光。隨後，在柵極布線上形成一個柵極絕緣膜。在柵極絕緣層上形成半導體層之後，通過在半導體層上執行第二光蝕刻而形成半導體圖案，其中第二光蝕刻包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個拍攝區進行分區曝光，至少一個第二拍攝區邊界線與至少一個第一拍攝區邊界線隔開。接下來，在柵極絕緣膜和半導體圖案上形成第二金屬層之後，通過在第二金屬層上執行第三光蝕刻而形成包括數據線、源電極和漏電極的數據布線，其中第三光蝕刻包括對在至少一個第三拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進分區曝光，至少一個第三拍攝邊界線與至少一個第一和第二邊界線隔開。在半導體圖案和數據布線上形成一個鈍化膜之後，通過在鈍化膜上進行第四光蝕刻而形成一個暴露出漏電極的接觸孔，其中第四光蝕刻包括對在至少一個第四拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光，至少一個第四拍攝區邊界線與至少一個第一至第三邊界線隔開。隨後，在鈍化膜和漏電極上形成一個透明導電層並通過在透明導電層上執行第五光蝕刻而形成一個連接到漏電極上的象素電極之後，其中第五光蝕刻包括對在至少一個第五拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光，至少一個第五拍攝區邊界線與至少一個第一至第四邊界線隔開。
第一至第五光蝕刻中每一個可以通過利用一個掩膜進行。該掩膜可以包括在襯底的中心部分限定一個曝光區的第一掩膜圖案，以及分別在左、右部分限定曝光區的第二和第三掩膜圖案。根據本發明的實施例，在至少兩個掩膜上的第一至第三掩膜圖案中的至少兩個的寬度不同。根據本發明的另一實施例，利用第一掩膜圖案在第一至第五光蝕刻中的至少兩個光蝕刻中進行曝光的拍攝區數量不同。根據本發明的另一實施例，在至少兩個掩膜中的第一至第三掩膜圖案中的至少一個具有至少兩個子掩膜圖案。
優選地，通過在面對所述襯底的相對襯底上形成用於黑矩陣(blackmatrix)的材料層並然後在該黑矩陣的材料層上執行第六光蝕刻而形成一個黑矩陣，其中第六光蝕刻包括對在至少一個第六拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域分區曝光，至少一個第六拍攝區邊界線與至少一個第一至第五邊界線隔開。
優選的是，通過在面對所述襯底的相對襯底上形成一個透明導體層並然後在該透明導體層上執行第六光蝕刻而形成一個公共電極，其中第六光蝕刻包括對在至少一個第六拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光，至少一個第六拍攝區邊界線與至少一個第一至第五邊界線隔開。
圖1A至1E是LCD面板的布局圖，示出根據本發明第一實施例的製作方法中對於各個圖案層的各分割區之間的拍攝區邊界；圖2是LCD面板的示意圖，示出根據本發明第二實施例的製作方法中各分割區之間的所有邊界線；圖3是LCD面板的示意圖；圖4根據本發明第三、第四和第五實施例的LCD製作方法中用於曝光過程的第一掩膜的示意圖；圖5是根據本發明第三實施例的LCD製作方法中用於曝光過程的第二掩膜的示意圖；圖6是LCD面板的示意圖，示出根據本發明第三實施例的LCD製作方法的曝光過程中通過第一和第二掩膜的各曝光區之間的邊界線；圖7是根據本發明第四實施例的LCD製作方法中用於曝光過程的第三掩膜示意圖；圖8是LCD面板的示意圖，示出在根據本發明第四實施例的LCD製作方法的曝光過程中通過第一和第三掩膜的各曝光區之間邊界線；圖9是根據本發明第五實施例的LCD製作方法中用於曝光過程的第四掩膜的示意圖；以及圖10是LCD面板的示意圖，示出在根據本發明第五實施例的LCD製作方法的曝光過程中通過第一和第四掩膜的各曝光區之間的邊界線。
具體實施例方式
下面參考附圖對本發明的實施例進行描述。
圖1A至1E是LCD面板的布局圖，示出在根據本發明第一實施例的製作方法中的各個圖案層的分割區之間的拍攝區邊界。本實施例執行五次曝光過程形成圖案層。
如圖1A所示，柵極金屬層沉積在絕緣襯底10上，並通過第一光蝕刻步驟對該柵極金屬層構圖，從而形成包括多條柵極線22、多個柵極焊盤24和多個柵電極26的柵極布線。
在第一光蝕刻步驟中，光致抗蝕膜施加在柵極金屬層的整個表面上，並使用一個柵極掩膜由至少兩個拍攝區對光致抗蝕膜進行分區曝光。根據各個拍攝區中的暴露於光線的各分割區的大小決定各分割區之間的拍攝區邊界線S1的位置。
在邊界線S1兩側的彼此相鄰的各個分割的曝光區s11和s12中的柵極布線22、24和26彼此之間可能不匹配，造成失準誤差(misalignment error)的可能性很大。這是由於兩個拍攝區未對齊。
如圖1B所示，在帶有柵極布線22、24和26的絕緣襯底上沉積柵極絕緣膜(未示出)。之後，在柵極絕緣膜上沉積一個非晶矽層，並通過第二光蝕刻步驟對非晶矽層構圖，由此形成多個半導體圖案42。
在第二光蝕刻步驟中，塗覆在襯底整個表面上的光致抗蝕膜利用半導體圖案掩膜以至少兩個拍攝區經歷分區曝光。此時，該半導體圖案的拍攝區邊界線S2不與柵極布線的拍攝區邊界線S1重疊。
在邊界線S2兩側的彼此相鄰的各個分割的曝光區s21和s22中的半導體圖案42可能彼此不匹配，造成導致失準誤差的可能性很大。另外，在邊界線S2兩側的各個分割的曝光區s21和s22中半導體圖案42和柵極線22之間產生的耦合電容也很可能不同。
如圖1C所示，數據金屬層沉積在帶有半導體圖案42的襯底上並通過第三光蝕刻步驟構圖，從而形成包括多條數據線62、多個數據焊盤64、多個源電極65以及多個漏電極66的數據布線。
在第三光蝕刻步驟中，塗覆在襯底整個表面上的光致抗蝕膜利用一個數據掩膜以至少兩個拍攝區經歷分區曝光。此時，數據布線的邊界線S3不與柵極布線的拍攝區邊界線S1以及半導體圖案的拍攝區邊界線S2重疊。
在邊界線S3兩側的彼此相鄰的各個分割的曝光區s31和s32中的數據布線62、64、65和66可能彼此不匹配，造成失準誤差的可能性很大。另外，在邊界線S3兩側的各個分割的曝光區s31和s32中數據線62、柵極線22和柵電極26之間產生的耦合電容以及在數據線62和半導體圖案42之間產生的耦合電容也可能不同。
如圖1D所示，在帶有數據布線62、64、65和66的襯底上沉積一個鈍化膜(未示出)，並且鈍化膜和柵極絕緣膜通過第四光蝕刻步驟構圖，從而形成多個分別暴露出漏電極66、數據焊盤64和柵極襯底24的接觸孔72、74和76。
在第四光蝕刻步驟中，塗覆在襯底整個表面上的光致抗蝕膜利用一個接觸孔掩膜以至少兩個拍攝區經歷分區曝光。此時，接觸孔的拍攝區邊界線S4不與柵極布線的拍攝區邊界線S1、半導體圖案的拍攝區邊界線S2以及數據布線的拍攝區邊界線S3重疊。在邊界線S4兩側的彼此相鄰的各個分割的曝光區s41和s42中的接觸孔72、74和76的圖案可能彼此不匹配，造成失準誤差的可能性很大。
如圖1E所示，象素導體層沉積在帶有接觸孔72、74和76的襯底上，並通過第五光蝕刻步驟構圖，從而形成包括多個象素電極82、多個輔助數據焊盤84和多個輔助柵極焊盤86的象素布線。
在第五光蝕刻步驟中，塗覆在襯底整個表面上的光致抗蝕膜利用一個象素掩膜以至少兩個拍攝區經歷分區曝光。此時，象素布線的拍攝區邊界線S5不與柵極布線的拍攝區邊界線S1、半導體圖案的拍攝區邊界線S2、數據布線的拍攝區邊界線S3以及接觸孔的拍攝區邊界線S4重疊。
在邊界線S5兩側的彼此相鄰的各個分割的曝光區s51和s52中的象素布線82、84和86的圖案可能彼此不匹配，造成失準誤差的可能性很大。
根據本發明的第一實施例，通過在用於形成各個圖案的曝光過程中散布拍攝區邊界線而使之彼此不重疊，而將壓合誤差分散在整個顯示區上。因此，避免了由於壓合缺陷的集中而導致圖像質量下降。
如上所述的根據本發明第一實施例製作LCD的方法包括示例性的五個光蝕刻步驟。但是，分布用於形成各個圖案的光蝕刻步驟的拍攝區邊界線可以在用於形成任何圖案的光蝕刻步驟中採用。例如，用於在LCD的上襯底上形成黑矩陣的光蝕刻過程中拍攝區之間的邊界線不與下襯底中的拍攝區邊界線重疊。這項技術可以用於在上面板的公共電極中形成切口的步驟中，以便在液晶分子垂直於面板排列的垂直排列式LCD中獲得很寬的視角。
圖2是LCD面板的示意圖，示出根據本發明第二實施例的製作方法中在用於所有圖案的分割區之間的邊界線。
當LCD面板100經歷分區曝光時，用於形成各個圖案的拍攝區邊界線S1、S2、S3、S4和S5彼此不重疊。
因此，本發明的實施例通過在整個顯示區上分散壓合誤差、使得在用於形成各個圖案的曝光過程中拍攝區邊界線彼此不重疊而將圖像質量的下降減到最小。
另外，可以在一個掩膜上形成多個掩膜圖案，並且通過掩膜圖案限定曝光區的大小。
如圖3所示，LCD具有一個佔據LCD面板100大部分面積的顯示區20，並且柵極驅動電路區300和數據驅動電路區分別位於顯示區200的左側和上側。
具有相同圖案的多個象素區在顯示區200上以矩陣分布，並且具有相同圖案的多個電路圖案重複地分布在柵極驅動區300和數據驅動電路區400上。
根據本發明的一個實施例，曝光過程中的曝光區由LCD的上述圖案決定。
參見圖3，在根據本發明第三至第五實施例的LCD製作方法中，LCD的襯底分成中心部分I，左側部分II和右側部分III，它們利用不同的掩膜圖案經歷曝光。對於具有重複形成的相同圖案的中心部分I，曝光過程包括多次利用寬度小於中心部分I的掩膜圖案重複進行的拍攝。但是，對於左側部分II和右側部分III，每個曝光過程只包括一次利用寬度等於掩膜圖案的掩膜圖案進行的拍攝。中心部分I、左側部分II和右側部分III的大小通過曝光過程中曝光條件適當地決定。
在一個掩膜上設置用於在LCD面板的中心部分I、左側部分II和右側部分III上形成圖案的掩膜圖案，並由此利用一個掩膜執行大尺寸LCD面板的曝光過程。
圖4、5和6表示根據本發明的第四實施例製作LCD面板的曝光過程。圖4和圖5分別表示用於製作LCD的曝光過程的第一和第二掩膜的示意圖，圖6是LCD面板的示意圖，示出分別由圖4和圖5所示的第一和第二掩膜限定的曝光區。
下面參見圖3至圖6描述根據本發明第三實施例的製作LCD面板的示例方法中的曝光過程。
為了描述方便，該示例方法中在一個襯底10上形成兩個圖案層以製作一個LCD面板100。
這個實施例確定掩膜圖案的寬度以使得用於各層的拍攝區數量彼此相等以分散拍攝區邊界線。
用於圖4中所示的第一層的第一掩膜MA具有分別用於LCD面板100的中心部分I、左側部分II和右側部分III的第一到第三掩膜圖案A1、A2和A3。
各個掩膜圖案A1、A2和A3的寬度優選地確定成除了由第二和第三掩膜圖案A2和A3限定的第二和第三曝光區a2和a3之外的LCD面板的寬度等於由第一掩膜圖案A1限定的第一曝光區a1寬度的倍數。在此實施例中，各個掩膜圖案的寬度確定成形成三個第一曝光區a1。
當利用第一掩膜MA對襯底10曝光時，在形成如圖6所示的三個第一曝光區a1的同時形成一個第二曝光區a2、一個第三曝光區a3。實線表示利用第一掩膜MA形成的曝光區之間的邊界線。
用於圖5所示的第二層的第二掩膜具有分別用於LCD面板100的中心部分I、左側部分II和右側部分III的第一至第三掩膜圖案B1、B2和B3。
各個掩膜圖案B1、B2和B3的寬度優選地確定成除了由第二和第三掩膜圖案B2和B3限定的第二和第三曝光區b2和b3以外的LCD面板10的寬度等於由第一掩膜圖案B1限定的第一曝光區b1寬度的倍數。
在此實施例中，各個掩膜圖案的寬度確定成形成三個第一曝光區a1。
第二掩膜MB中的第一至第三掩膜圖案B1、B2和B3的寬度以及第一掩膜MA中第一至第三掩膜圖案A1、A2和A3的寬度適當確定，使得對於各個層的拍攝區數量彼此相等，從而分散拍攝區邊界線。
例如，第一和第二掩膜MA和MB中掩膜圖案A1、A2和A3以及B1、B2和B3的寬度確定成使得第一掩膜MA中的掩膜圖案A1、A2和A3的寬度小於、等於或大於第二掩膜MB中掩膜圖案B1、B2和B3的寬度。很顯然，第一掩膜MA中掩膜圖案A1、A2和A3的寬度不能分別等於第二掩膜MB中的掩膜圖案B1、B2和B3的寬度。
在此實施例中，第二掩膜MB中第一掩膜圖案B1的寬度大於第一掩膜MA中第一掩膜圖案A1的寬度，而第二和第三掩膜圖案B2和B3的寬度分別小於第一掩膜MA中的第二和第三掩膜圖案A2和A3的寬度。
當利用第二掩膜MB對襯底10曝光時，在如圖6所示形成三個第一曝光區b1的同時形成一個第二曝光區b2和一個第三曝光區b3。虛線表示利用第二掩膜MB形成的曝光區之間的邊界線。
利用第二掩膜MB在襯底10上形成的拍攝區數量等於利用第一掩膜MA的。
但是，因為第二掩膜MB中第一至第三掩膜圖案B1、B2和B3的寬度不同於第一掩膜MA中第一至第三掩膜圖案A1、A2和A3的寬度，所以即使利用相同數量的各個掩膜進行曝光過程，也可分散曝光區之間的邊界線。
雖然為了方便起見以上示例描述為形成兩個圖案層，但本發明也適合於形成三個圖案層的曝光過程。總而言之，本發明的第三實施例使掩膜圖案的寬度有差異，從而對於不同圖案層的各個曝光過程中的拍攝區邊界線彼此不匹配。
圖7和8表示根據本發明的第四實施例製作LCD面板的曝光過程。圖7是用於製作LCD的曝光過程的第三掩膜的示意圖，圖8是LCD面板的示意圖，示出由分別如圖4和圖7所示的第一和第二掩膜限定的曝光區。
下面參見圖3、4、7和8描述根據本發明第四實施例製作LCD面板的示例方法中的曝光過程。
為了描述方便，該示例方法在一個襯底10上形成兩個圖案層以製作一個LCD面板100。
本實施例將掩膜圖案的寬度確定成使得針對各個層的拍攝區數量彼此相等以分散拍攝區邊界線。
如在本發明的第三實施例中描述的，利用第一掩膜MA形成圖案的第一層。實線表示利用第一掩膜MA形成的襯底10的曝光區a1、a2和a3。
圖7中所示的第三掩膜MC用於形成第二層圖案。第三掩膜MC具有分別用於LCD面板100的中心部分I、左側部分II和右側部分III的第一至第三掩膜圖案C1、C2和C3。
各個掩膜圖案C1、C2和C3的寬度優選地確定成除了由第二和第三掩膜圖案C2和C3限定的第二和第三曝光區c2和c3以外的LCD面板的寬度等於由第一掩膜圖案C1限定的第一曝光區c1寬度的倍數。在此實施例中，將各個掩膜圖案的寬度確定成形成四個第一曝光區a1。
第三掩模MC中第一至第三掩模圖案C1、C2和C3的寬度與第一掩模MA中第一至第三掩模圖案A1、A2和A3的寬度不同。
在此實施例中，掩模MC中第一掩模圖案C1的寬度小於第一掩模MA中第一掩模圖案A1的寬度。
如圖8所示，當利用第三掩模MC對襯底10曝光時，在形成四個第一曝光區c1的同時形成一個第二曝光區c2和一個第三曝光區c3。虛線表示利用第三掩模MC形成的曝光區之間的邊界線。
利用第三掩模MC形成的拍攝區數量不同於利用第一掩模MA的。因為第三掩模MC中第一至第三掩模圖案C1、C2和C3的寬度不同於第一掩模MA中第一至第三掩模圖案A1、A2和A3的寬度，所以拍攝區邊界線被分散。
雖然為了簡便起見以上的示例描述了形成兩個圖案層的情形，但本發明也適合於形成三層圖案層的曝光過程。總而言之，本發明的第四實施例使掩膜圖案的寬度有差異，從而使得在對於不同圖案層的各個曝光過程中的拍攝區邊界線彼此不匹配。
圖9和10示出根據本發明的第五實施例製作LCD面板的曝光過程。圖9是用於製作LCD的曝光過程的第四掩膜的示意圖，圖10是LCD面板的示意圖，示出由圖4和圖9所示的第一和第四掩膜限定的曝光區。
下面參見圖3、4、9和10描述根據本發明第五實施例的製作LCD面板的示例方法中的曝光過程。
為了描述方便，該示例方法在一個襯底10上形成兩個圖案層以製作一個LCD面板100。
本實施例使設置在不同掩模上的掩模圖案的數量不同，從而分散邊界線。
在本發明的第三實施例中已經指出，利用第一掩膜MA形成圖案的第一層。實線表示利用第一掩膜MA形成的襯底10的曝光區a1、a2和a3。
圖9中所示的第四掩膜MD用於形成第二層圖案。第四掩膜MD具有用於LCD面板100的中心部分I的第一掩模圖案D1、用於左側部分II的第一類型的第二掩模圖案D21和第二類型的第二掩模圖案D22以及用於LCD的右側部分III的第三掩膜圖案D3。用於對左側部分II曝光的第四掩模圖案MD的掩模圖案被分成兩個子掩模圖案D21和D22。
此時，各個掩膜圖案D1、D21、D22和D3的寬度優選地確定成除了由第一和第二類型的第二掩膜圖案D21和D22以及第三掩模圖案D3限定的第一和第二類型的第二曝光區d21和d22以及第三曝光區d3以外的LCD面板100的寬度等於由第一掩膜圖案D1限定的第一曝光區d1寬度的倍數。在此實施例中，各個掩膜圖案的寬度確定成形成四個第一曝光區d1。
如圖10所示，當利用第四掩模MD對襯底10曝光時，在形成四個第一曝光區d1的同時形成一個第一類型的第二曝光區d21、一個第二類型的第二曝光區d22和一個第三曝光區d3。虛線表示利用第四掩模MD形成的曝光區之間的邊界線。
利用第四掩模MD形成的拍攝區數量不同於利用第一掩模MA的。因為第三掩模MD中掩模圖案的數量不同於第一掩模MA的，所以拍攝區邊界線被分散。
雖然為了方便起見以上示例描述為形成兩層圖案層，但本發明也適合於形成三個圖案層的曝光過程。總而言之，本發明的第五實施例使掩膜圖案的數量有差異，使得對於不同圖案層的各個曝光過程中的拍攝區數量和拍攝區邊界線彼此不匹配。
本發明第五實施例在用於對左側部分II曝光的掩模圖案所處的部分上設置兩個子掩模圖案。但是，根據本發明子掩模圖案的數量不受限制。可以在用於對中心部分I或右側部分II曝光的掩模圖案所處的位置處形成多個子掩模圖案。
在用於形成各個圖案層的曝光過程中拍攝區邊界線的分散可以適用於形成任何圖案的光蝕刻步驟。例如用於在LCD的上襯底上形成黑矩陣的光蝕刻過程中拍攝區之間的邊界線不與下襯底中的拍攝區邊界線重疊。本發明可以採用在上襯底的公共電極中形成切口的步驟中，以便在具有垂直於面板排列的液晶分子的垂直排列式多疇LCD中獲得很寬的視角。
如上所述，本發明避免了光蝕刻過程中各個圖案層的曝光區之間拍攝區邊界的重疊。因此，通過減小由拍攝區邊界重疊所致的壓合缺陷而提高圖像質量。
權利要求
1.一種形成圖案的方法，包括形成第一材料層；通過在第一材料層上執行第一光蝕刻形成第一圖案，其中第一光蝕刻包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光；在第一圖案上形成第二材料層；以及通過在第二材料層上執行第二光蝕刻形成第二圖案，其中第二光蝕刻包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個拍攝區進行分區曝光，第二光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線與第一光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線隔開。
2.如權利要求1所述的方法，還包括在第一和第二圖案上形成一個材料層；以及通過包括在材料層上進行對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個拍攝區分區曝光的光蝕刻而形成圖案，在光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界與第一光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線以及第二光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線隔開。
3.如權利要求2所述的方法，其中，重複材料層的形成和圖案的形成以形成多個圖案。
4.一種製作液晶顯示器的方法，包括在襯底上形成第一金屬層；通過在第一金屬層上執行第一光蝕刻而形成包括柵極線和柵電極的柵極布線，其中第一光蝕刻包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光；在柵極布線上形成一個柵極絕緣膜；在柵極絕緣層上形成半導體層；通過在半導體層上執行第二光蝕刻而形成半導體圖案，其中第二光蝕刻包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個拍攝區進行分區曝光，至少一個第二拍攝區邊界線與至少一個第一拍攝區邊界線隔開；在柵極絕緣膜和半導體圖案上形成第二金屬層；通過在第二金屬層上執行第三光蝕刻形成包括數據線、源電極和漏電極的數據布線，其中第三光蝕刻包括對在至少一個第三拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進分區曝光，至少一個第三拍攝區邊界線與至少一個第一和第二邊界線隔開；在半導體圖案和數據布線上形成一個鈍化膜；通過在鈍化膜上進行第四光蝕刻而形成暴露出漏電極的接觸孔，其中第四光蝕刻包括對在至少一個第四拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光，至少一個第四拍攝區邊界線與至少一個第一至第三邊界線隔開；在鈍化膜和漏電極上形成透明導電層；以及通過在透明導電層上執行第五光蝕刻而形成連接到漏電極的象素電極，其中第五光蝕刻包括對在至少一個第五拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光，至少一個第五拍攝區邊界線與至少一個第一至第四邊界線隔開。
5.如權利要求4所述的方法，其中，第一至第五光蝕刻中的每一個通過利用一個掩膜進行。
6.如權利要求5所述的方法，其中，所述掩膜包括在襯底的中心部分限定一個曝光區的第一掩膜圖案，以及分別在左側部分和右側部分限定曝光區的第二和第三掩膜圖案。
7.如權利要求6所述的方法，其中，至少兩個掩膜上的第一至第三掩膜圖案中的至少兩個的寬度不同。
8.如權利要求6所述的方法，其中，對於第一到第五光蝕刻中的至少兩個，在利用第一掩膜圖案的曝光中的拍攝區數量不同。
9.如權利要求6所述的方法，其中，至少兩個掩膜中的第一至第三掩膜圖案中的至少一個具有至少兩個子掩膜圖案。
10.如權利要求4所述的方法，還包括在面對所述襯底的相對襯底上形成用於黑矩陣的材料層；以及通過對用於黑矩陣的材料層執行第六光蝕刻而形成黑矩陣，其中第六光蝕刻包括對在至少一個第六拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光，至少一個第六拍攝區邊界線與至少一個第一至第五邊界線隔開。
11.如權利要求4所述的方法，還包括在面對所述襯底的相對襯底上形成一個透明導體層；以及通過在該透明導體層上執行第六光蝕刻而形成一個公共電極，其中第六光蝕刻包括對在至少一個第六拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光，至少一個第六拍攝區邊界線與至少一個第一至第五邊界線隔開。
全文摘要
本發明涉及一種在襯底上形成圖案的方法以及利用該方法製作液晶顯示板的方法。為了減少壓合缺陷，各個圖案層的拍攝區邊界線彼此不重疊以分散。具體地說，根據本發明形成圖案的方法，在首先形成第一材料層之後，通過在第一材料層上執行第一光蝕刻形成第一圖案，其中第一光蝕刻包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個區域進行分區曝光。隨後，在第一圖案上形成第二材料層之後，通過在第二材料層上執行第二光蝕刻形成一個第二圖案，其中第二光蝕刻包括對在至少一個拍攝區邊界線兩側的至少兩個拍攝區進行分區曝光，在第二光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線與第一光蝕刻中的至少一個拍攝區邊界線隔開。通過利用此形成方法製作一種液晶顯示板。
文檔編號G02F1/1362GK1500227SQ02807476
公開日2004年5月26日 申請日期2002年3月5日 優先權日2001年12月11日
發明者卓英美, 樸雲用, 李庭鎬, 洪雯杓, 丁奎夏 申請人:三星電子株式會社