光刻膠的去除方法、曝光裝置以及顯示基板的製造方法
2023-06-17 00:40:21 3
光刻膠的去除方法、曝光裝置以及顯示基板的製造方法
【專利摘要】本發明實施例公開了一種涉及顯示【技術領域】，尤其涉及光刻膠的去除方法、曝光裝置以及顯示基板的製造方法，以解決現有技術中，對光刻膠進行剝離處理時，需要配置剝離設備，對光刻膠進行灰化處理時，需要配置高功率設備以及化學氣體，增加了設備投入，提高了生產成本的問題。本發明實施例採用對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；通過顯影處理去除曝光處理後的光刻膠；避免了現有技術中，對光刻膠進行剝離處理時，需要配置剝離設備，對光刻膠進行灰化處理時，需要配置高功率設備以及化學氣體的問題，節約了設備成本，同時也降低了生產成本。
【專利說明】光刻膠的去除方法、曝光裝置以及顯示基板的製造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及光刻膠的去除方法、曝光裝置以及顯示基板的製造方法。
【背景技術】
[0002]Array基板的製作過程通常採用光刻技術，具體製作過程如下:在基板上塗覆一層光刻膠；對光刻膠進行曝光和顯影處理，形成所需圖形；根據形成的圖形對基板進行刻蝕處理；通過剝離設備對剩餘的光刻膠進行剝離處理，形成Array基板。剝離設備對基板上光刻膠的剝離原理是，通過剝離設備的剝離液對光刻膠進行溶解，以達到剝離光刻膠的目的。因此在實際生產過程中，需要單獨配備剝離設備對光刻膠進行剝離處理。
[0003]在TFT陣列基板的製作過程中，溝道主要採用灰化工藝進行製作，灰化工藝流程如下:在基板上塗覆一層光刻膠；對光刻膠進行半曝光處理和顯影處理，去除設定厚度的溝道圖形位置對應的光刻膠；然後採用高功率設備使化學氣體與溝道圖形位置對應的剩餘光刻膠反應，去除溝道圖形位置對應的剩餘光刻膠，形成所需的溝道圖形；通過剝離設備對溝道圖形以外的光刻膠進行剝離處理，形成TFT陣列基板的溝道。因此在灰化工藝中，需要配置高功率設備，並需要通過高功率設備將化學氣體與光刻膠反應，去除所需厚度的光刻膠，使設備投入成本升高，並且高功率設備耗能較大,增加了生產成本。
[0004]因此現有技術中，需要配置剝離設備對光刻膠進行剝離處理，配置高功率設備進行灰化工藝處理時，增加了設備投入，提高了生產成本。
【發明內容】
[0005]本發明實施例提供了一種光刻膠的剝離方法，以解決現有技術中，對光刻膠進行剝離處理時，需要配置剝離設備，對光刻膠進行灰化處理時，需要配置高功率設備以及化學氣體，增加了設備投入，提高了生產成本的問題。
[0006]本發明實施例提供了一種光刻膠的剝離方法，用於對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除，該方法包括:
[0007]對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；
[0008]通過顯影處理去除曝光處理後的光刻膠。
[0009]上述實施例中由於對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光和顯影處理，無需配置剝離設備，或高功率設備對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行剝離或灰化處理,節約了設備成本。
[0010]較佳地，根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的曝光能量；根據所述確定的曝光處理的曝光能量，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理。
[0011]對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除，是對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行整體剝離處理，需要去除的光刻膠的厚度為構圖工藝處理後的基板上的光刻膠的最大厚度。
[0012]對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除，是對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行灰化處理，需要去除的光刻膠的厚度為構圖工藝處理後的基板上的光刻膠厚度的一部分。
[0013]根據不同的工藝要求，確定對所述光刻膠進行曝光處理的曝光能量，使去除的光刻膠的厚度達到設定的厚度，工藝調整靈活，能適應不同的工藝要求。
[0014]較佳地，根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的曝光強度；根據所述確定的曝光處理的曝光強度，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；或根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的時間長度；根據所述確定的曝光處理的時間長度，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理。
[0015]本發明實施例中，根據需要去除的光刻膠的厚度確定對光刻膠進行曝光處理的能量，其中曝光能量可以根據曝光強度確定，也可以根據曝光時間時長進行確定，去除相同厚度的光刻膠，曝光強度越大，曝光時間越短，曝光強度越小，曝光時長越長，曝光的強度和曝光的時長與光刻膠的成分也有一定的關係。
[0016]進一步的，通過曝光光源對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理。曝光光源包括:白光光源，紫外光源。
[0017]當所述光源為條狀光源時，所述條狀光源沿與基板平行的方向勻速照射基板，使所述基板上的光刻膠的曝光程度相同。當所述光源為平面狀光源時，所述光源垂直照射在基板上，使所述基板上的光刻膠的曝光程度相同。通過短波光源對所述光刻膠進行曝光處理，得到所需厚度的曝光後的光刻膠。
[0018]本發明實施例還提供了一種顯示基板的製造方法，包括利用光刻膠通過構圖工藝在襯底基板上形成器件圖形，以及對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除的步驟，該方法包括:對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除的步驟包括上述任意一種光刻月父去除方法。
[0019]上述實施例中由於對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光和顯影處理，無需配置剝離設備，或高功率設備對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行剝離或灰化處理,節約了設備成本。
[0020]利用光刻膠通過構圖工藝在襯底基板上形成器件圖形，包括:在襯底基板上形成所述器件的材料膜層；在器件的材料膜層上形成光刻膠膜層；對光刻膠膜層進行掩膜曝光、顯影，除去一部分光刻膠，剩餘構圖工藝處理後的基板上的光刻膠，並露出所述材料膜層的一部分；對材料膜層的一部分進行刻蝕，形成器件圖形。
[0021]上述實施例能夠根據不同的工藝要求，確定對所述光刻膠進行曝光處理的時間，並且可以根據工藝要求，調整曝光處理的時間，或調整曝光處理的曝光強度，使去除的光刻膠的厚度達到設定的厚度，工藝調整靈活，能適應不同的工藝要求。
[0022]顯示基板為薄膜電晶體陣列基板，薄膜電晶體陣列基板包括薄膜電晶體、像素電極、柵線以及數據線；器件圖形為薄膜電晶體中的柵極、有源層、源漏電極、像素電極、柵線或數據線的圖形。
[0023]本發明實施例還提供了一種曝光裝置，包括曝光光源，曝光光源包括掩膜曝光光源和光刻膠去除曝光光源，其中，掩膜曝光光源用於在利用掩膜版對基板上的膜層進行掩膜曝光處理時對膜層進行照射；光刻膠去除曝光光源用於在利用光刻膠去除方法或顯示基板的製造方法中的任意一種方法中，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除時對所述構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行照射。
[0024]本發明實施例採用對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；通過顯影處理去除曝光處理後的光刻膠；由於採用對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理和顯影處理的方式去除光刻膠，因此對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行剝離處理，不需要配置剝離設備，或灰化處理時，不需要配置高功率設備以及化學氣體，節約了設備成本，同時也降低了生產成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]圖1為本發明實施例中一種光刻膠的剝離方法的流程示意圖；
[0026]圖201為本發明實施例中構圖工藝處理後的基板的示意圖；
[0027]圖202為本發明實施例中構圖工藝處理後的基板上的光刻膠全部被曝光的示意圖；
[0028]圖203為本發明實施例中構圖工藝處理後的基板上的光刻膠剝離後的示意圖；
[0029]圖3為本發明實施例中一種基板的製作方法的流程示意圖；
[0030]圖401為本發明實施例中塗覆光刻膠的基板的示意圖；
[0031]圖402為本發明實施例中對基板上的光刻膠薄膜進行曝光處理後的基板的示意圖；
[0032]圖403為本發明實施例中在光刻膠薄膜上形成所需圖案後的基板的示意圖；
[0033]圖404為本發明實施例中對基板上的金屬薄膜進行刻蝕處理後形成所需圖形的基板的不意圖；
[0034]圖405為本發明實施例中對未曝光的光刻膠薄膜曝光處理後的基板的示意圖；
[0035]圖406為本發明實施例中利用顯影液去除光刻膠的基板的示意圖；
[0036]圖501為本發明實施例中在構圖工藝處理後的基板上形成第一溝道圖案後的基板的不意圖；
[0037]圖502為本發明實施例中對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠第一次曝光處理後的基板的不意圖；
[0038]圖503為本發明實施例中在構圖工藝處理後的基板上形成第二溝道圖案後的基板的不意圖；
[0039]圖504為本發明實施例中根據第二溝道圖案對基板進行刻蝕處理形成溝道圖形的基板的不意圖；
[0040]圖6為本發明實施例中一種含有溝道的基板的製作方法的流程示意圖；
[0041]圖701為本發明實施例中一種製作含有溝道的基板中塗覆光刻膠的基板的示意圖；
[0042]圖702為本發明實施例中一種製作含有溝道的基板中含有第一溝道圖案的基板的不意圖；
[0043]圖703為本發明實施例中一種製作含有溝道的基板中對含有第一溝道圖案的基板上的光刻膠進行第二次曝光處理後的基板的示意圖；[0044]圖704為本發明實施例中一種製作含有溝道的基板中含有第二溝道圖案的基板的不意圖；
[0045]圖705為本發明實施例中一種製作含有溝道的基板中對基板進行刻蝕處理形成所需圖形後的基板的示意圖；
[0046]圖706為本發明實施例中一種製作含有溝道的基板中對未曝光的光刻膠薄膜曝光處理後的基板的不意圖；
[0047]圖707為本發明實施例中一種製作含有溝道的基板中去除光刻膠的基板的示意圖；
[0048]圖8為本發明實施例中含有短波光線的光源為條狀光源時，對基板上的光刻膠進行曝光處理的示意圖；
[0049]圖9為本發明實施例中含有短波光線的光源為面狀光源時，對基板上的光刻膠進行曝光處理的示意圖；
[0050]圖10為本發明實施例中顯示基板利用光刻膠通過構圖工藝在襯底基板上形成器件圖形的方法的示意圖。
【具體實施方式】
[0051]本發明實施例採用對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；通過顯影處理去除曝光處理後的光刻膠；避免了現有技術中，對光刻膠進行剝離處理時，需要配置剝離設備，對光刻膠進行灰化處理時，需要配置高功率設備以及化學氣體的問題，節約了設備成本，同時也降低了生產成本。
[0052]如圖1所示，為本發明實施例提供了一種光刻膠的剝離方法，用於對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除，該方法包括:
[0053]步驟101:對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；
[0054]步驟102:通過顯影處理去除曝光處理後的光刻膠，即，利用顯影液等顯影製品對曝光處理後的光刻膠進行去除。
[0055]本發明實施例中構圖工藝處理後的基板上的光刻膠是指經過構圖工藝中的曝光、顯影和刻蝕處理之後的、已經具有圖形結構的光刻膠，如在襯底基板上形成柵極圖形時，在襯底基板上塗覆形成柵極材料薄膜，在柵極材料薄膜上塗覆一層光刻膠，形成光刻膠薄膜，根據預期的柵極圖形對光刻膠薄膜進行曝光和顯影處理，形成柵極圖形形狀的光刻膠，然後再對露出的柵極材料進行刻蝕，形成柵極的圖形；其中，根據柵極圖形對光刻膠薄膜進行曝光和顯影處理的步驟後，剩餘的未曝光的光刻膠就是本發明實施例中構圖工藝處理後的基板上的光刻膠。
[0056]構圖工藝通常可包括在襯底基板上形成圖形材料薄膜、在圖形材料薄膜上塗覆光刻膠、根據所需圖形對光刻膠進行曝光處理、顯影處理、根據曝光和顯影處理後形成的光刻膠圖案對所述圖形材料薄膜進行刻蝕等工藝中的一種或幾種。
[0057]需說明的是，以上所例舉的構圖工藝所包括的內容僅為優選的實施例，本發明實施方式中所述的構圖工藝並不限於這些實施例，還可以包括其他任意類型的可以形成圖形結構的構圖方式，例如通過3D列印等技術形成圖形結構的構圖方式，也涵蓋在本發明的保護範圍之內。[0058]本發明實施例中所述的顯影處理是指:對於正性光刻膠來說，對光刻膠進行曝光處理後，利用顯影液將被曝光的光刻膠溶解，去除了被曝光的光刻膠，未被曝光的光刻膠被留下；負性光刻膠與之相反，即對光刻膠進行曝光處理後，利用顯影液將未曝光的光刻膠去除，曝光的光刻膠被留下。
[0059]其中，步驟101中對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理具體包括:根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的曝光能量；根據確定的進行曝光處理的曝光能量，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；其中影響曝光能量的因素包括但不限於下列因素:曝光強度，曝光時長。也就是說，可以根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的曝光強度；根據確定的曝光處理的曝光強度，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；或根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的時間長度；根據確定的曝光處理的時間長度，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理。
[0060]其中曝光處理的時間長度和曝光處理的曝光強度與被曝光的光刻膠的厚度成正t匕，組成成分相同的光刻膠，曝光處理的時間越長，曝光強度越大，被曝光的光刻膠的厚度越厚。組成成分不同的光刻膠光感度不同，曝光處理的時間相同，或曝光強度相同，被曝光的光刻膠的厚度可能不同。因此，需要根據光刻膠的組成成分，以及需要曝光的光刻膠的厚度，共用確定曝光處理的時間長度或曝光強度。
[0061]根據需要去除的光刻膠的厚度，可以將曝光處理分為兩種情況，一種情況是需要對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行剝離處理，另一種情況是需要對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行灰化處理，下面對兩種情況分別進行介紹。
[0062]情況一、需要對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行剝離處理。
[0063]如圖201所示為構圖工藝處理後的基板，其中21為基板，22為金屬膜，23為待去除的光刻膠；通過曝光光源對基板上的光刻膠23進行曝光處理，如圖202所示基板上的光刻膠受到曝光光源照射後全部被曝光，24為曝光處理後的待去除的光刻膠，將曝光處理後的基板例如浸入顯影液中，進行顯影處理，去除構圖工藝處理後的基板上的光刻膠24，形成如圖203所示的基板，實現了光刻膠的剝離，避免了為剝離光刻膠而專門配置光刻膠剝離設備。
[0064]優選地，當對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行整體剝離處理，且基板上不同位置的光刻膠厚度不相同時，需要去除的光刻膠的厚度為構圖工藝處理後的基板上的光刻膠的最大厚度；此時曝光處理的時間長度或曝光強度，可以根據基板上的光刻膠的最大厚度進行設定，也可以根據基板上不同位置的光刻膠的厚度進行調節。
[0065]圖3所示，為本發明實施例中一種基板的製作方法，該方法包括:
[0066]步驟301:在基板上塗覆一層光刻膠，形成光刻膠薄膜，塗覆光刻膠的基板如圖401所不,其中41為基板,42為金屬薄膜,43為光刻膠；
[0067]步驟302:根據設定的圖案通過掩膜工藝對基板上的光刻膠薄膜進行曝光處理，曝光處理後的基板如圖402所示，其中，43為未曝光的光刻膠，44為根據設定的圖案在構圖工藝中需曝光的光刻膠；
[0068]步驟303:通過顯影處理去除被曝光的光刻膠，在光刻膠薄膜上形成所需圖案，在光刻膠薄膜上形成所需圖案的基板如圖403所示；[0069]步驟304:根據光刻膠薄膜上形成的圖案對基板上的金屬薄膜進行刻蝕處理，在基板上形成所需圖形，形成所需圖形後的基板如圖404所示；
[0070]以下的步驟為本實施方式所提供的去除光刻膠的方法步驟:
[0071]步驟305:通過曝光光源對未曝光的光刻膠進行曝光處理，使被曝光的光刻膠薄膜的厚度為基板上光刻膠薄膜的最大厚度，對未曝光的光刻膠薄膜曝光處理後的基板如圖405所示，其中45為曝光後的光刻膠；
[0072]步驟306:利用顯影液，例如通過將曝光處理後的基板浸入顯影液中或向基本噴灑顯影液的方式，去除基板上的光刻膠，去除光刻膠的基板如圖406所示。
[0073]情況二、對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行灰化處理。
[0074]本發明實施例以對形成溝道圖形的基板上的光刻膠進行灰化處理為例，如圖501所示為構圖工藝處理後，在光刻膠上形成第一溝道圖案的基板，其中，51為基板，52為金屬薄膜，53為光刻膠，54為第一溝道圖案；此時第一溝道圖案54處，還留有一定厚度的光刻膠，傳統工藝去除第一溝道圖案54處剩餘的光刻膠的方法如下:通過高效率的設備噴發化學氣體，使化學氣體刻蝕掉第一溝道圖案54處剩餘的光刻膠，以及基板上未形成第一溝道圖案的其他區域的光刻膠，其中刻蝕掉的基板上未形成第一溝道圖案的其他區域的光刻膠的厚度，與刻蝕掉第一溝道圖案54處剩餘的光刻膠的厚度相同；本發明實施例中去除第一溝道圖案54處剩餘的光刻膠的方法如下:通過曝光光源對基板上的光刻膠進行第一次曝光處理，使基板上的光刻膠曝光的厚度為第一溝道圖案54處剩餘的光刻膠的厚度，圖502中55為第一次曝光處理後曝光的光刻膠。
[0075]對第一次曝光處理後的基板進行顯影處理，去除曝光的光刻膠，在基板的光刻膠上形成第二溝道圖案56，形成第二溝道圖案的基板如圖503所示；根據形成的第二溝道圖案對基板進行刻蝕處理，在基板上形成溝道圖形，形成溝道圖形的基板如圖504所示。
[0076]如圖6所示，為本發明實施例中一種含有帶有溝道區域的薄膜電晶體的陣列基板的製作方法，該方法包括:
[0077]步驟601:在基板上塗覆一層光刻膠，形成光刻膠薄膜，塗覆光刻膠的基板如圖701所示，其中71為基板，72為金屬薄膜，73為光刻膠；
[0078]步驟602:根據設定的溝道圖案對基板上的光刻膠薄膜進行第一次曝光和顯影處理處理，形成第一溝道圖案74，含有第一溝道圖案74的基板如圖702所示；
[0079]步驟603:對含有第一溝道圖案74的基板上的光刻膠進行第二次曝光處理，曝光的光刻膠的厚度為基板上第一溝道圖案處剩餘的光刻膠的厚度，如圖703所示，75為曝光處理後的光刻膠，73為未曝光的光刻膠；
[0080]步驟604:去除基板上第一溝道圖案74處剩餘的光刻膠，以及其他區域曝光處理後的光刻膠，在基板的光刻膠薄膜上形成第二溝道圖案76，含有第二溝道圖案的基板如圖704所示；
[0081]步驟605:根據光刻膠薄膜上形成的第二溝道圖案76對基板進行刻蝕處理，在基板上形成所需圖形，形成所需圖形後的基板如圖705所示；
[0082]步驟606:通過曝光光源對未曝光的光刻膠薄膜進行曝光處理，使被曝光的光刻膠薄膜的厚度與基板上剩餘的光刻膠薄膜的厚度相同，對未曝光的光刻膠薄膜曝光處理後的基板如圖706所不；[0083]步驟607:將曝光處理後的基板浸入顯影液中，去除基板上的光刻膠，去除光刻膠的基板如圖707所示。
[0084]本發明實施例中的曝光光線的光源是指能夠對光刻膠進行曝光處理的光源，優選的是短波光源，本發明實施方式中所述的曝光光源並不限於本發明實施例，還可以包括其他任意類型的可以對光刻膠進行曝光處理的光源，也涵蓋在本發明的保護範圍之內。
[0085]本發明實施例中的曝光光源包括但不限於下列光源:白光光源、紫外光光源。其中含有短波光線的光源可以是條狀光源，也可以是面狀光源，或者其他任意形狀的光源，使基板上的光刻膠受到的光照強度相同。如圖8所示，當曝光光源為條狀光源時，使光源沿著與基板平行的方向勻速照射基板，使基板上的光刻膠的曝光程度相同；其中81為曝光光源，82為光刻膠，83為基板。當曝光光源為面狀光源，且面狀短波光源的面積與基板面積相同時，光源與基板平行，光源發出的光垂直照射在基板上，使基板上的光刻膠的曝光程度相同；當面狀曝光光源的面積小於基板面積時，曝光光源對基板上不同區域的光刻膠分別進行曝光，使基板上的光刻膠的曝光程度相同。如圖9所示，為曝光光源為面狀光源，曝光光源對基板上的光刻膠進行曝光的示意圖，其中91為曝光光源，92為光刻膠，93為基板。
[0086]本發明實施例中以4mask工藝為例，但本發明不局限於上述實施例，任何次數的構圖工藝，只要涉及到光刻膠的去除方法，都可以應用本發明實施例。
[0087]本發明實施例還提供了一種顯示基板的製造方法，該方法包括利用光刻膠通過構圖工藝在襯底基板上形成器件圖形，以及對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除的步驟，其中對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除的步驟包括上述任意一種光刻膠去除方法。顯示基板的製造方法中具體包括:對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；通過顯影處理去除曝光處理後的光刻膠。
[0088]其中，顯示基板為薄膜電晶體陣列基板，薄膜電晶體陣列基板包括薄膜電晶體、像素電極、柵線以及數據線；
[0089]器件圖形為薄膜電晶體中的柵極、有源層、源漏電極、像素電極、柵線或數據線的圖形。
[0090]對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理具體包括:根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的曝光能量；根據確定的進行曝光處理的曝光能量，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；其中影響曝光能量的因素包括但不限於下列因素:曝光強度，曝光時長。也就是說，可以根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的曝光強度；根據確定的曝光處理的曝光強度，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；或根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的時間長度；根據確定的曝光處理的時間長度，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理。
[0091]其中曝光處理的時間長度和曝光處理的曝光強度與被曝光的光刻膠的厚度成正t匕，組成成分相同的光刻膠，曝光處理的時間越長，曝光強度越大，被曝光的光刻膠的厚度越厚。組成成分不同的光刻膠光感度不同，曝光處理的時間相同，或曝光強度相同，被曝光的光刻膠的厚度可能不同。因此，需要根據光刻膠的組成成分，以及需要曝光的光刻膠的厚度，共用確定曝光處理的時間長度或曝光強度相同。
[0092]根據需要去除的光刻膠的厚度，可以將曝光處理分為兩種情況，一種情況是需要對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行剝離處理，另一種情況是需要對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行灰化處理；上述兩種情況已在光刻膠的去除方法中詳細介紹，在此不再贅述。
[0093]如圖10所示，為本發明實施例中顯示基板利用光刻膠通過構圖工藝在襯底基板上形成器件圖形的方法，該方法包括:
[0094]步驟1001:在襯底基板上形成所需器件的材料膜層；
[0095]步驟1002:在器件的材料膜層上形成光刻膠膜層；
[0096]步驟1003:對光刻膠膜層進行掩膜曝光、顯影處理，除去一部分光刻膠，剩餘構圖工藝處理後的基板上的光刻膠，並露出器件的材料膜層的一部分；
[0097]步驟1004:對材料膜層的一部分進行刻蝕，形成所需的器件圖形。
[0098]本發明實施例還提供了一種曝光裝置，可用於在上述方法中對光刻膠進行去除，所述裝置包括曝光光源，曝光光源包括掩膜曝光光源和光刻膠去除曝光光源，其中，掩膜曝光光源用於在利用掩膜版對基板上的膜層進行掩膜曝光處理時對膜層進行照射；光刻膠去除曝光光源用於在利用光刻膠去除方法或顯示基板製造方法對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除時對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行照射。
[0099]其中光刻膠去除曝光光源是指能夠對光刻膠進行曝光處理的光源，優選的是短波光源，本發明實施方式中所述的曝光光源並不限於本發明實施例，還可以包括其他任意類型的可以對光刻膠進行曝光處理的光源，也涵蓋在本發明的保護範圍之內。
[0100]本發明實施例中的曝光光源包括但不限於下列光源:白光光源、紫外光光源。其中光刻膠去除曝光光源可以是條狀光源，也可以是面狀光源，或者其他任意形狀的光源，使基板上的光刻膠受到的光照強度相同。如圖8所示，當曝光光源為條狀光源時，使光源沿著與基板平行的方向勻速照射基板，使基板上的光刻膠的曝光程度相同；其中81為曝光光源，82為光刻膠，83為基板。當曝光光源為面狀光源，且面狀短波光源的面積與基板面積相同時，光源與基板平行，光源發出的光垂直照射在基板上，使基板上的光刻膠的曝光程度相同；當面狀曝光光源的面積小於基板面積時，曝光光源對基板上不同區域的光刻膠分別進行曝光，使基板上的光刻膠的曝光程度相同。如圖9所示，為曝光光源為面狀光源，曝光光源對基板上的光刻膠進行曝光的示意圖，其中91為曝光光源，92為光刻膠，93為基板。
[0101]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和範圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬於本發明權利要求及其等同技術的範圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種光刻膠去除方法，用於對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除，其特徵在於，該方法包括: 對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理； 通過顯影處理去除曝光處理後的光刻膠。
2.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理，包括: 根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的曝光能量； 根據所述確定的曝光處理的曝光能量，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理。
3.如權利要求2所述的方法，其特徵在於，所述對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除，是對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行整體剝離處理，所述需要去除的光刻膠的厚度為所述構圖工藝處理後的基板上的光刻膠的最大厚度。
4.如權利要求2所述的方法，其特徵在於，所述對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除，是對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行灰化處理，所述需要去除的光刻膠的厚度為所述構圖工藝處理後的基板上的光刻膠厚度的一部分。
5.如權利要求1或2任一所述的方法，其特徵在於，所述對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理，包括: 根據需要去除的光刻膠的厚 度，確定對光刻膠進行曝光處理的曝光強度；根據所述確定的曝光處理的曝光強度，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理；或 根據需要去除的光刻膠的厚度，確定對光刻膠進行曝光處理的時間長度；根據所述確定的曝光處理的時間長度，對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理。
6.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理，包括: 通過曝光光源對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行曝光處理。
7.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，所述曝光光源為條狀光源，所述條狀光源沿與基板平行的方向勻速照射基板，使所述基板上的光刻膠的曝光程度相同。
8.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，所述曝光光源為平面狀光源，所述光源垂直照射在基板上，使所述基板上的光刻膠的曝光程度相同。
9.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，所述曝光光源包括:白光光源，紫外光源。
10.一種顯示基板的製造方法，包括利用光刻膠通過構圖工藝在襯底基板上形成器件圖形，以及對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除的步驟，其特徵在於，所述對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除的步驟包括如權利要求1-9中任一項所述的光刻月父去除方法。
11.如權利要求10所述的方法，其特徵在於，所述利用光刻膠通過構圖工藝在襯底基板上形成器件圖形，包括: 在所述襯底基板上形成所述器件的材料膜層； 在所述器件的材料膜層上形成光刻膠膜層； 對所述光刻膠膜層進行掩膜曝光、顯影，除去一部分光刻膠，剩餘所述構圖工藝處理後的基板上的光刻膠，並露出所述材料膜層的一部分；對所述材料膜層的一部分進行刻蝕，形成所述器件圖形。
12.如權利要求11所述的方法，其特徵在於，所述顯示基板為薄膜電晶體陣列基板，所述薄膜電晶體陣列基板包括薄膜電晶體、像素電極、柵線以及數據線； 所述器件圖形為所述薄膜電晶體中的柵極、有源層、源漏電極、所述像素電極、所述柵線或所述數據線的圖形。
13.—種曝光裝置,包括曝光光源，其特徵在於，所述曝光光源包括掩膜曝光光源和光刻膠去除曝光光源，其中，所述掩膜曝光光源用於在利用掩膜版對基板上的膜層進行掩膜曝光處理時對所述膜層進行照射；所述光刻膠去除曝光光源用於在利用權利要求1-9中任一項所述方法對構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行去除時對所述構圖工藝處理後的基板上的光刻膠進行照射。
【文檔編號】H01L21/027GK103472694SQ201310446586
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月26日 優先權日:2013年9月26日
【發明者】張治超, 郭總傑, 劉正 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司