被覆有螢光體層的led、其製造方法以及led裝置製造方法
2023-06-15 20:58:21
被覆有螢光體層的led、其製造方法以及led 裝置製造方法
【專利摘要】本發明涉及被覆有螢光體層的LED、其製造方法以及LED裝置，所述製造方法包括如下工序：LED配置工序，在支撐片的厚度方向的一個面上配置LED；層配置工序，以被覆LED的方式在支撐片的厚度方向的一個面上配置螢光體層，所述螢光體層由含有通過活性能量射線的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂以及螢光體的螢光樹脂組合物形成；固化工序，對螢光體層照射活性能量射線，使螢光體層固化；裁切工序，與LED對應地裁切螢光體層，從而得到具備LED、和被覆LED的螢光體層的被覆有螢光體層的LED；以及LED剝離工序，在裁切工序之後，將被覆有螢光體層的LED從支撐片剝離。
【專利說明】被覆有螢光體層的LED、其製造方法以及LED裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及被覆有螢光體層的LED、其製造方法以及LED裝置，詳細而言，涉及被覆有螢光體層的LED的製造方法、通過該製造方法得到的被覆有螢光體層的LED、以及具備被覆有螢光體層的LED的LED裝置。
【背景技術】
[0002]迄今為止，已知發光二極體裝置(以下簡寫為LED裝置。)是通過如下方式製造的:首先，在基板上安裝多個發光二極體元件(以下簡寫為LED。)，接著，以被覆多個LED的方式設置螢光體層，然後單片化為各LED。
[0003]然而，在多個LED之間，發光波長、發光效率會產生不均，因此在安裝有這樣的LED的LED裝置中，存在多個LED之間發光產生不均的缺陷。
[0004]為了消除上述缺陷，例如，研究了製作用螢光體層被覆多個LED的被覆有螢光體層的LED後，根據發光波長、發光效率對被覆有螢光體層的LED進行挑選，然後安裝在基板上的方案。
[0005]例如，提出了一種LED，其是通過下述方式獲得的:在粘合片上配置LED，接著，在粘合片上以被覆LED的方式塗布分散混入有突光體的陶瓷墨水(ceramic ink),進行加熱，從而使陶瓷墨水暫時固化後，對應LED對陶瓷墨水進行切割，然後，在高溫(160°C)下對陶瓷墨水進行加熱處理而使其完全固化並玻璃化，由此獲得(例如參照日本特開2012-39013號公報。)。然後，將LED安裝在基板上，得到LED裝置。
【發明內容】
[0006]然而，在日本特開2012-39013號公報所記載的方法中，陶瓷墨水內的螢光體會隨著時間的流逝而沉澱，螢光體未均勻地分散在LED的周圍，因此，存在無法充分消除發光不均這樣的缺陷。
[0007]而且，在日本特開2012-39013號公報所記載的方法中，通過高溫的加熱處理而使被塗布在粘合片上的陶瓷墨水完全固化，因此，存在粘合片會損傷這樣的缺陷。
[0008]本發明的目的在於提供螢光體均勻配置在LED的周圍、可以防止損傷地利用各種支撐片的被覆有螢光體層的LED的製造方法、通過該製造方法得到的被覆有螢光體層的LED、以及具備該被覆有螢光體層的LED的LED裝置。
[0009]本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的特徵在於，包括如下工序:LED配置工序，在支撐片的厚度方向的一個面上配置LED ;層配置工序，以被覆前述LED的方式在前述支撐片的前述厚度方向的一個面上配置螢光體層，所述螢光體層由含有通過活性能量射線的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂以及螢光體的螢光樹脂組合物形成；固化工序，對前述螢光體層照射活性能量射線，使前述螢光體層固化；裁切工序，與前述LED對應地裁切前述螢光體層，從而得到具備前述LED、和被覆前述LED的前述螢光體層的被覆有螢光體層的LED ；以及LED剝離工序，在前述裁切工序之後，將前述被覆有螢光體層的LED從前述支撐片剝離。
[0010]另外，在本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法中，適宜的是，前述螢光體層由螢光體片形成。
[0011]另外，在本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法中，適宜的是，前述支撐片能夠在相對於前述厚度方向的正交方向上拉伸，在前述LED剝離工序中，一邊使前述支撐片在前述正交方向上拉伸，一邊將前述被覆有螢光體層的LED從前述支撐片剝離。
[0012]另外，在本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法中，適宜的是，前述支撐片是通過加熱而粘合力降低的熱剝離片，在前述LED剝離工序中，對前述支撐片進行加熱，將前述被覆有螢光體層的LED從前述支撐片剝離。
[0013]另外，在本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法中，適宜的是，前述螢光體層具備:被覆前述LED的被覆部、和含有光反射成分並以包圍前述被覆部的方式形成的反射部。
[0014]另外，本發明的被覆有螢光體層的LED的特徵在於，通過包括以下工序的被覆有螢光體層的LED的製造方法獲得:LED配置工序，在支撐片的厚度方向的一個面上配置上述LED ;層配置工序，以被覆前述LED的方式在前述支撐片的前述厚度方向的一個面上配置螢光體層，所述螢光體層由含有通過活性能量射線的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂以及螢光體的螢光樹脂組合物形成；固化工序，對前述螢光體層照射活性能量射線，使前述螢光體層固化；裁切工序，與前述LED對應地裁切前述螢光體層，從而得到具備前述LED、和被覆前述LED的前述螢光體層的被覆有螢光體層的LED ；以及LED剝離工序，在前述裁切工序之後，將前述被覆有螢光體層的LED從前述支撐片剝離。
[0015]另外，本發明的LED裝置的特徵在於，具備基板和安裝在前述基板上的被覆有螢光體層的LED，前述被覆有螢光體層的LED是通過包括如下工序的被覆有螢光體層的LED的製造方法獲得的:LED配置工序，在支撐片的厚度方向的一個面上配置LED ;層配置工序，以被覆前述LED的方式在前述支撐片的前述厚度方向的一個面上配置螢光體層，所述螢光體層由含有通過活性能量射線的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂以及螢光體的螢光樹脂組合物形成；固化工序，對前述螢光體層照射活性能量射線，使前述螢光體層固化；裁切工序，與前述LED對應地裁切前述螢光體層，從而得到具備前述LED、和被覆前述LED的前述螢光體層的被覆有螢光體層的LED ;以及LED剝離工序，在前述裁切工序之後，將前述被覆有螢光體層的LED從前述支撐片剝離。
[0016]在本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法中，以被覆LED的方式在支撐片的厚度方向的一個面上層疊螢光體層，對螢光體層照射活性能量射線，通過螢光體層來封裝LED，其中，所述螢光體層由含有通過活性能量射線的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂以及螢光體的螢光樹脂組合物形成。因此，可以一邊抑制由支撐片的加熱而引起的損傷一邊封裝LED，使螢光體均勻分散在LED的周圍。
[0017]另外，與LED對應地裁切螢光體層，從而得到具備LED、和被覆LED的螢光體層的被覆有螢光體層的LED，然後將被覆有螢光體層的LED從支撐片剝離。因此，可以以優異的尺寸穩定性對損傷得到抑制的支撐片所支撐的螢光體層進行裁切，得到尺寸穩定性優異的被覆有螢光體層的LED。
[0018]因此，本發明的被覆有螢光體層的LED的尺寸穩定性優異。[0019]另外，本發明的LED裝置由於具備尺寸穩定性優異的被覆有螢光體層的LED而可靠性優異，因此發光效率得到提高。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]圖1為表示本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的第I實施方式的工序圖，
[0021]圖1的(a)表示在支撐片的上表面配置LED的LED配置工序，
[0022]圖1的(b)表示在支撐片上配置螢光體片的片配置工序，
[0023]圖1的(c)表示對螢光體片照射活性能量射線而使螢光體片固化，通過所述螢光體片封裝LED的封裝工序，
[0024]圖1的(d)表示裁切螢光體片的裁切工序，
[0025]圖1的(e)表示將被覆有螢光體層的LED從支撐片剝離的LED剝離工序，
[0026]圖1的(e』)為詳細說明在圖1的(e)的LED剝離工序中使用拾取裝置將被覆有螢光體層的LED從支撐片剝離的狀態的工序圖，
[0027]圖1的(f )表示在基板上安裝被覆有螢光體層的LED的安裝工序。
[0028]圖2為表示本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的第2實施方式的工序圖，
[0029]圖2的(a)表示在支撐片上配置LED的LED配置工序，
[0030]圖2的(b)表示在支撐片上配置埋設-反射片的片配置工序，
[0031]圖2的(C)表示對埋設-反射片照射活性能量射線而使埋設部固化，並通過所述埋設部封裝LED的封裝工序，
[0032]圖2的(d)表示對反射部進行裁切的裁切工序，
[0033]圖2的(e)表示將設置了反射部的被覆有螢光體片的LED從支撐片剝離的LED剝
離工序，
[0034]圖2的(e』)為詳細說明在圖2的(e)的LED剝離工序中使用拾取裝置將被覆有螢光體片的LED從支撐片剝離的狀態的工序圖，
[0035]圖2的(f)為在基板上安裝設置了反射部的被覆有螢光體片的LED的安裝工序。
[0036]圖3表不圖2的(d)所不的埋設有突光體片的LED的俯視圖。
[0037]圖4為圖2的(a)所示的埋設-反射片的製造方法的工序圖，
[0038]圖4的(a)表示在壓制裝置上配置反射片的工序，
[0039]圖4的(b)表示對反射片進行壓制而形成反射部的工序，
[0040]圖4的(C)表示在反射部上配置螢光體片的工序，
[0041]圖4的(d)表示對螢光體片進行壓制而形成埋設部的工序，
[0042]圖4的(e)表示將埋設-反射片從剝離片剝離的工序。
[0043]圖5為本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的第3實施方式所使用的埋設-反射片的製造方法的工序圖，
[0044]圖5的(a)表示在壓制裝置上配置反射片的工序，
[0045]圖5的(b)表示對反射片進行壓制而形成反射部的工序，
[0046]圖5的(C)表示在貫通孔灌封螢光樹脂組合物的清漆的工序，[0047]圖5的(d)表示將埋設-反射片從剝離片剝離的工序。
[0048]圖6為表示本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的第4實施方式的工序圖，
[0049]圖6的(a)表示在支撐片上配置LED的LED配置工序，
[0050]圖6的(b)表示在支撐片上配置埋設-反射片的片配置工序，
[0051]圖6的(C)表示對埋設-反射片照射活性能量射線而使埋設部固化，並通過所述埋設部封裝LED的封裝工序，
[0052]圖6的(d)表示對反射部進行裁切的裁切工序，
[0053]圖6的(e)表示將設置了反射部的被覆有螢光體片的LED從支撐片剝離的LED剝
離工序，
[0054]圖6的(e』)為詳細說明在圖6的(e)的LED剝離工序中使用拾取裝置將被覆有螢光體片的LED從支撐片剝離的狀態的工序圖，
[0055]圖6的(f)表示在基板上安裝設置了反射部的被覆有螢光體片的LED的安裝工序。
[0056]圖7為表示本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的第5實施方式的工序圖，
[0057]圖7的(a)表示在支撐片上配置LED的LED配置工序，
[0058]圖7的(b)表示在支撐片上配置埋設-反射片的片配置工序，
[0059]圖7的(C)表示通過埋設部來埋設LED的片配置工序，
[0060]圖7的(d)表示通過埋設部封裝LED的封裝工序，以及對反射部進行裁切的裁切
工序，
[0061]圖7的(e)表示將設置了反射部的被覆有螢光體片的LED從支撐片剝離的LED剝
離工序，
[0062]圖7的(e』)為詳細說明在圖7的(e)的LED剝離工序中使用拾取裝置將被覆有螢光體片的LED從支撐片剝離的狀態的工序圖，
[0063]圖7的(f)表示在基板上安裝設置了反射部的被覆有螢光體片的LED的安裝工序。
[0064]圖8為圖7的(a)所示的埋設-反射片的製造方法的工序圖，
[0065]圖8的(a)表示在衝裁裝置上配置反射片的工序，
[0066]圖8的(b)表示衝裁反射片而形成反射部的工序，
[0067]圖8的(C)表示在反射部上配置螢光體片的工序，
[0068]圖8的(d)表示對螢光體片進行壓制而形成埋設部的工序，
[0069]圖8的(e)表示將埋設-反射片從剝離片剝離的工序。
[0070]圖9為本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的第6實施方式所使用的埋設-反射片的製造方法的工序圖，
[0071]圖9的(a)表示在衝裁裝置上配置反射片的工序，
[0072]圖9的(b)表示衝裁反射片而形成反射部的工序，
[0073]圖9的(C)表示在貫通孔灌封螢光樹脂組合物的工序，
[0074]圖9的(d)表示將埋設-反射片從剝離片剝離的工序。[0075]圖10為表示本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的第7實施方式的工序圖，
[0076]圖10的(a)表示在支撐片上配置LED的LED配置工序，
[0077]圖10的(b)表示在支撐片上配置被覆-反射片的片配置工序，
[0078]圖10的(C)表示使被覆部固化的固化工序，
[0079]圖10的(d)表示對反射部進行裁切的裁切工序，
[0080]圖10的(e)表示將設置了反射部的被覆有螢光體片的LED從支撐片剝離的LED剝
離工序，
[0081]圖10的(e』)為詳細說明在圖10的(e)的LED剝離工序中使用拾取裝置將被覆有螢光體片的LED從支撐片剝離的狀態的工序圖，
[0082]圖10的(f)表示在基板上安裝設置了反射部的被覆有螢光體片的LED的安裝工序。
[0083]圖11為表示本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的第8實施方式的工序圖，
[0084]圖11的(a)表示在支撐片上配置LED的LED配置工序，
[0085]圖11的(b)表示以被覆LED的側面的方式在支撐片上配置螢光體片的片配置工序，
[0086]圖11的(C)表示使螢光體片固化的固化工序，
[0087]圖11的(d)表不對突光體片進行裁切的裁切工序，
[0088]圖11的(e)表示將被覆有螢光體片的LED從支撐片剝離的LED剝離工序，
[0089]圖11的(e』)為詳細說明在圖11的(e)的LED剝離工序中使用拾取裝置將被覆有螢光體層的LED從支撐片剝離的狀態的工序圖，
[0090]圖11的(f )表示在基板上安裝被覆有螢光體片的LED的安裝工序。
[0091]圖12表示本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的第9實施方式所使用的分配器(dispenser)的立體圖。
【具體實施方式】
[0092]第I實施方式
[0093]在圖1中，將紙面的上下方向設為上下方向(第I方向、厚度方向)，將紙面的左右方向設為左右方向(第2方向、與第I方向正交的方向)，將紙面的紙的厚度方向設為前後方向(第3方向、與第I方向和第2方向正交的方向)。圖2及其之後的各圖以上述方向以及圖1的方向箭頭為基準。
[0094]圖1為表示本發明的被覆有螢光體層的LED的製造方法的第I實施方式的工序圖。
[0095]作為該被覆有螢光體層的LED的一個例子的被覆有螢光體片的LEDlO的製造方法如圖1的(a)?圖1的(e)所示，包括如下工序:LED配置工序，在支撐片12的上表面(厚度方向的一個面)配置LED4(參照圖1的(a));片配置工序，以被覆LED4的方式在支撐片12的上表面(厚度方向的一個面)配置螢光體片5 (層配置工序的一個例子，參照圖1的(b));封裝工序，對螢光體片5照射活性能量射線，通過螢光體片5封裝LED4(固化工序的一個例子，參照圖1的(C));裁切工序，與LED4對應地裁切螢光體片5 (參照圖1的(d));以及LED剝離工序，將被覆有螢光體片的LEDlO從支撐片12剝離(參照圖1的(e))。
[0096]以下對各工序進行詳細敘述。
[0097]LED配置工序
[0098]如圖1的(a)所示，在LED配置工序中，支撐片12形成為在面方向(相對於厚度方向的正交方向、即左右方向和前後方向)拉伸的片狀，形成為與接下來說明的螢光體片5相同或更大的俯視大致片形狀，具體而言，形成為俯視大致矩形的片狀。
[0099]支撐片12不需要對後述的螢光體片5的加熱固化的耐熱性，因此也可以從耐熱性低的片材中選擇。作為這樣的支撐片12，可以支撐LED4，並且可以在面方向上拉伸。另外，支撐片12例如也可以為通過加熱而粘合力降低的熱剝離片(具體而言為REVALPHA(日東電工株式會社製造)等熱剝離片)、或者通過活性能量射線(例如紫外線、電子束等)的照射而粘合力降低的活性能量射線照射剝離片(具體而言為日本特開2005-286003號公報等記載的活性能量射線照射剝離片)。其中，支撐片12為活性能量射線照射剝離片時，選擇活性能量射線固化性樹脂、照射條件，以使得不會因活性能量射線對螢光體片5的照射而導致支撐片12的粘合力降低。
[0100]關於支撐片12的尺寸,最大長度為例如IOmm以上且300mm以下。
[0101]支撐片12在23°C下的拉伸彈性模量例如為I X IO4Pa以上、優選為I X IO5Pa以上，另外，例如還在IXlO9Pa以下。支撐片12的拉伸彈性模量為上述下限以上時，可以保證支撐片12在面方向的拉伸性，順利地實施後述支撐片12的面方向的拉伸(參照圖1的(e))。
[0102]支撐片12的厚度例如為0.1mm以上、優選為0.2mm以上，另外，例如還在Imm以下、優選為0.5mm以下。
[0103]LED4例如形成為厚度比面方向長度(最大長度)短的剖視大致矩形形狀及俯視大致矩形形狀。另外，LED4的下表面由未圖示的凸塊形成。作為LED4，例如可列舉出發出藍色光的藍色二極體元件。
[0104]LED4的面方向的最大長度例如為0.1mm以上且3mm以下。另外，LED4的厚度例如為0.05mm以上且Imm以下。
[0105]在LED配置工序中，例如，在支撐片12的上表面排列配置多個LED4。具體而言，在支撐片12的上表面配置LED4，以使得多個LED4在俯視時前後左右相互隔著相等的間隔。另外，以未圖示的凸塊與支撐片12的上表面相對的方式在支撐片12的上表面粘貼LED4。由此，LED4以維持其排列狀態的方式支撐(壓敏粘接)在支撐片12的上表面。
[0106]各LED4間的間隔例如為0.05mm以上且2mm以下。
[0107]片配置工序
[0108]片配置工序在LED配置工序之後實施。
[0109]在圖1的(b)所示的片配置工序中，螢光體片5由含有活性能量射線固化性樹脂以及螢光體的螢光樹脂組合物形成為片狀。
[0110]活性能量射線固化性樹脂是通過活性能量射線的照射而固化的固化性樹脂，具體而言，可列舉出有機矽半固化體，這種有機矽半固化體是通過對第I有機矽樹脂組合物或第2有機矽樹脂組合物進行加熱而以片的形式獲得的。
[0111]以下，分別對第I有機矽樹脂組合物和第2有機矽樹脂組合物進行詳細敘述。[0112]第I有機矽樹脂組合物
[0113]第I有機矽樹脂組合物例如含有第I聚矽氧烷和第2聚矽氧烷，所述第I聚矽氧烷含有可通過加熱而縮合的至少一對可縮合取代基和可利用活性能量射線而加成的至少一個可加成取代基，所述第2聚矽氧烷含有可通過活性能量射線而加成的、與第I聚矽氧烷的可加成取代基成一對的至少一個可加成取代基。
[0114]作為一對可縮合取代基，可列舉出例如:選自由羥基(-0H)、烷氧基、醯氧基、氨基(-nh2)、烷基氨基、烯基氧基以及滷素原子組成的組中的至少一個取代基與羥基的組合(第I組合組)。
[0115]烷氧基以-OR1表示。R1表示烷基或環烷基。作為烷基，可列舉出例如:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戍基、己基等直鏈狀或支鏈狀的碳數I以上且20以下的烷基。可優選列舉出碳數I以上的烷基、另外優選列舉出碳數10以下的烷基、更優選列舉出碳數6以下的烷基。作為環烷基，可列舉出例如:環戊基、環己基等碳數3以上且6以下的環烷基。
[0116]作為烷氧基，可列舉出例如:甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、戊氧基、己氧基等具有碳數I以上且20以下的直鏈狀或支鏈狀的烷基的烷氧基等。
[0117]另外，作為烷氧基，還可以列舉出例如環戊氧基、環己氧基等具有碳數3以上且6以下的環烷基的烷氧基等。
[0118]作為烷氧基，從製備的容易程度、熱穩定性的觀點出發，可優選列舉出具有碳數I以上的烷基的烷氧基、另外可優選列舉出具有碳數10以下的烷基的烷氧基、更優選列舉出具有碳數6以下的烷基的烷氧基、進一步優選列舉出甲氧基。
[0119]醯氧基以-OCOR1表示。R1表示上述的烷基或環烷基。作為R1，可優選列舉出烷基。
[0120]作為醯氧基，可列舉出例如:乙醯氧基(-0C0CH3)、-0C0C2H5、-OCOC3H7等。可優選列
舉出乙醯氧基。
[0121]烷基氣基包括單烷基氣基和二烷基氣基。
[0122]單烷基氨基以-NR2H表示。R2表示烷基或環烷基。作為R2，可優選列舉出烷基。作為單烷基氣基，可列舉出例如:甲基氣基、乙基氣基、正丙基氣基、異丙基氣基等N取代烷基的碳數為I以上且10以下的單烷基氨基。
[0123]二烷基氨基以-NR22表示。R2表示可以相同或不同的烷基或環烷基。R2與上述含義相同。作為二烷基氨基，可列舉出例如:二甲基氨基、二乙基氨基、二正丙基氨基、二異丙基氣基、乙基甲基氣基、甲基正丙基氣基、甲基異丙基氣基等N, N取代烷基的碳數為I以上且10以下的二烷基氣基。
[0124]作為烷基氨基，可優選列舉出二烷基氨基、更優選列舉出N，N取代烷基的碳數為相同數目的二烷基氨基、進一步優選列舉出二甲基氨基。
[0125]烯基氧基以-OCOR3表示。R3表示烯基、環烯基。作為烯基，可列舉出例如:乙烯基、稀丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、戍烯基、己烯基、庚烯基、羊烯基等碳數3以上且10以下的烯基。作為環烯基，可列舉出例如:環己烯基、環辛烯基、降冰片烯基等碳數3以上且10以下的環烯基。
[0126]作為烯基氧基，可優選列舉出含有碳數2以上且10以下的烯基的烯基氧基、更優選列舉出異丙烯基氧基。
[0127]作為滷素原子，可列舉出例如氟原子、氯原子、溴原子、碘素原子等。可優選列舉出氯原子。
[0128]作為第I組合組，具體而言，可列舉出例如:羥基之間的組合、烷氧基與羥基的組合、醯氧基與羥基的組合、氨基與羥基的組合、烷基氨基與羥基的組合、烯基氧基與羥基的組合、滷素原子與羥基的組合等一對的組合。
[0129]進而，還可以列舉出例如:烷氧基、醯氧基與羥基的組合等兩對(具體而言，烷氧基與羥基為一對、醯氧基與羥基為一對共計兩對)以上的組合。
[0130]作為第I組合組，可優選列舉出羥基彼此的組合、烷氧基與羥基的組合，更優選列舉出烷氧基與羥基的組合、進一步優選列舉出具有碳數I以上且10以下的烷基的烷氧基與羥基的組合、特別優選列舉出甲氧基與羥基的組合。
[0131]由第I組合組組成的一對可縮合取代基通過下式(I)所示的縮合、即矽醇縮合而藉助氧原子鍵合二個矽原子。
[0132]式(1):
【權利要求】
1.一種被覆有螢光體層的LED的製造方法，其特徵在於，包括如下工序: LED配置工序，在支撐片的厚度方向的一個面上配置LED ； 層配置工序，以被覆所述LED的方式在所述支撐片的所述厚度方向的一個面上配置螢光體層，所述螢光體層由含有通過活性能量射線的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂以及螢光體的螢光樹脂組合物形成； 固化工序，對所述螢光體層照射活性能量射線，使所述螢光體層固化； 裁切工序，與所述LED對應地裁切所述螢光體層，從而得到具備所述LED、和被覆所述LED的所述螢光體層的被覆有螢光體層的LED ;以及 LED剝離工序，在所述裁切工序之後，將所述被覆有螢光體層的LED從所述支撐片剝離。
2.根據權利要求1所述的被覆有螢光體層的LED的製造方法，其特徵在於，所述螢光體層由突光體片形成。
3.根據權利要求1所述的被覆有螢光體層的LED的製造方法，其特徵在於， 所述支撐片能夠在相對於所述厚度方向的正交方向上延伸， 在所述LED剝離工序中，一邊使所述支撐片在所述正交方向上延伸，一邊將所述被覆有螢光體層的LED從所述支撐片剝離。
4.根據權利要求1所述的被覆有螢光體層的LED的製造方法，其特徵在於， 所述支撐片是通過加熱而粘合力`降低的熱剝離片， 在所述LED剝離工序中，對所述支撐片進行加熱，將所述被覆有螢光體層的LED從所述支撐片剝離。
5.根據權利要求1所述的被覆有螢光體層的LED的製造方法，其特徵在於， 所述螢光體層具備: 被覆所述LED的被覆部、和 含有光反射成分並以包圍所述被覆部的方式形成的反射部。
6.一種被覆有螢光體層的LED，其特徵在於，通過包括以下工序的被覆有螢光體層的LED的製造方法獲得: LED配置工序，在支撐片的厚度方向的一個面上配置LED ； 層配置工序，以被覆所述LED的方式在所述支撐片的所述厚度方向的一個面上配置螢光體層，所述螢光體層由含有通過活性能量射線的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂以及螢光體的螢光樹脂組合物形成； 固化工序，對所述螢光體層照射活性能量射線，使所述螢光體層固化； 裁切工序，與所述LED對應地裁切所述螢光體層，從而得到具備所述LED、和被覆所述LED的所述螢光體層的被覆有螢光體層的LED ;以及 LED剝離工序，在所述裁切工序之後，將所述被覆有螢光體層的LED從所述支撐片剝離。
7.—種LED裝置，其特徵在於，具備: 基板、和 安裝在所述基板上的被覆有螢光體層的LED， 所述被覆有螢光體層的LED是通過包括如下工序的被覆有螢光體層的LED的製造方法獲得的: LED配置工序，在支撐片的厚度方向的一個面上配置LED ； 層配置工序，以被覆所述LED的方式在所述支撐片的所述厚度方向的一個面上配置螢光體層，所述螢光體層由含有通過活性能量射線的照射而固化的活性能量射線固化性樹脂以及螢光體的螢光樹脂組合物形成； 固化工序，對所述螢光體層照射活性能量射線，使所述螢光體層固化； 裁切工序，與所述LED對應地裁切所述螢光體層，從而得到具備所述LED、和被覆所述LED的所述螢光體層的被覆有螢光體層的LED ;以及 LED剝離工序，在所 述裁切工序之後，將所述被覆有螢光體層的LED從所述支撐片剝離。
【文檔編號】H01L33/48GK103531691SQ201310270747
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年7月1日 優先權日:2012年6月29日
【發明者】木村龍一, 片山博之, 江部悠紀, 大西秀典, 福家一浩 申請人:日東電工株式會社