雙偏振正交調製器的製造方法

2023-06-09 08:34:41 3

雙偏振正交調製器的製造方法
【專利摘要】一種雙偏振正交調製器，其包括輸入平面光波導(PLC)，其中所述輸入平面光波導被配置為向包括多個電光(E-O)聚合物光調製波導的基底上聚合物裝置傳送相干光，其中所述電光(E-O)聚合物光調製波導被配置為各自相位調製相干光，並且E-O聚合物光調製波導向輸出PLC輸出調製的相干光，其中輸出PLC被配置為將相位調製光的波導對結合為馬赫增德爾幹涉信號，將馬赫增德爾幹涉信號對結合成正交調製信號。偏振旋轉器將來自其中一個正交調製信號的調製光旋轉為正交調製。輸出PLC結合正交調製光和旋轉的正交調製光，以形成雙偏振正交調製光信號。PLC和基底上聚合物裝置被集成到了單個組裝基底上。
【專利說明】雙偏振正交調製器
[0001] 相關申請的交叉引用
[0002] 本申請根據35U.S.C. § 119(e)要求獲得來自2011年11月11日提交的、序列號為 61/558, 767、題名為 "DUAL POLARIZATION QUADRATURE MODULATOR，，、由 Guomin Yu、Jonathan Mai lari、Eric Miller、Baoquin Chen以及Raluca Dinu發明的美國臨時專利申請的優先權 權益，並且在與本申請不矛盾的程度上，通過引用將其併入本文。
[0003] 概述
[0004] 根據實施方式，雙偏振正交光調製器包括輸入平面光波導（PLC)、基底上薄膜聚合 物（TFPS)調製器、和/或輸出平面光波導（PLC)的混合組裝。輸入PLC可以被配置為通 過多個輸入界面波導劃分和傳送相干光。基底上薄膜聚合物（TFPS)調製器包括多個電光 (E-0)聚合物波導，每一個分別可操作地耦合來從多個輸入界面波導的至少一部分中的每 一個接收被劃分的相干光，E-0聚合物波導中的至少一部分被配置成調製接收到的相干光。 輸出PLC包括多個輸出界面波導，輸出界面波導的至少一部分被可操作地耦合來接收來自 多個E-0聚合物波導的調製光。輸出PLC可以被配置成將接收到的調製光結合到至少一個 輸出波導。
[0005] 根據另一種實施方式，用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，其包括接收相干TM平面偏振光並且使用輸入PLC將相干光分離到八個輸入界面波導。 八個相應的基底上薄膜聚合物（TFPS)電光（E-0)調製器波導接收並且傳輸來自八個輸入 界面波導的相干光。在至少一個第一和至少一個第二相應的高速正弦電極上接收到了至少 一個第一和至少一個第二調製的電正弦數據信號，所述至少一個第一高速正弦電極被可操 作地耦合到第一對E-0調製器波導，並且所述至少一個第二高速正弦電極被可操作地耦合 到第三對E-0調製器波導。同時，在至少一個第一和至少一個第二相應的高速餘弦電極上 接收到了至少一個第一和至少一個第二調製的電餘弦數據信號，所述至少一個第一高速餘 弦電極被可操作地耦合到第二對E-0調製器波導，並且所述至少一個第二高速餘弦電極被 可操作地耦合到第四對E-0調製器波導。第一正弦和第一餘弦調製電數據信號是正交的， 並且第二正弦和第二餘弦調製電數據信號是正交的。由相應的高速電極產生的電場被施加 到八個E-0調製器波導，以引起通過其的相干TM平面偏振光中的八個相應的相移。然後， 使用具有輸出PLC的八個輸出界面波導接收了相移相干偏振光。輸出PLC結合來自第一對 E-0調製器波導的光、結合來自第二對E-0調製器波導的光、結合來自第三對E-0調製器波 導的光、並且結合來自第四對E-0調製器波導的光，以形成相應的分別承載第一正弦調製、 第一餘弦調製、第二正弦調製以及第二餘弦調製的光的第一、第二、第三以及第四馬赫增德 爾幹涉儀調製的光數據信號。然後輸出PLC將來自第一對E-0調製器波導和第一馬赫增德 爾幹涉儀的光與來自第二對E-0調製器波導和第二馬赫增德爾幹涉儀的光結合，以產生第 一正交調製的光數據信號。同時，輸出PLC將來自第三對E-0調製器波導和第三馬赫增德 爾幹涉儀的光與來自第四對E-0調製器波導和第四馬赫增德爾幹涉儀的光結合，以產生第 二正交調製的光數據信號。偏振旋轉器將來自第一和第二對E-0調製器波導的調製光的偏 振平面從TM平面偏振旋轉到TE平面偏振。（可選擇地，偏振旋轉器可以在結合來自第一和 第二E-Ο調製器波導對的光之前將來自第一和第二對E-Ο調製器波導的光從TM平面偏振 旋轉到TE平面偏振。）然後，輸出PLC將來自第一正交調製的光數據信號（具有TE平面偏 振）的光與來自第二正交調製的光數據信號（具有TM平面偏振光）的光結合，以產生包括 正交調製的TE平面偏振光分量和正交調製的TM平面偏振光分量的輸出調製光波長數據信 號。
[0006] 根據另一種實施方式，用於製造雙偏振正交光調製器的方法包括將基底上薄膜聚 合物（TFPS)調製器模片安裝到組裝基底上，這樣聚合物棧和E-0調製波導毗鄰組裝基底並 且TFPS基底通過聚合物棧遠離了組裝基底，其中所述TFPS調製器模片包括多個電光（E-0) 調製波導，所述電光（E-0)調製波導包括聚合物棧中的輸入端和輸出端。輸入平面光波導 (PLC)模片被安裝到組裝基底上，所述輸入PLC模片包括PLC基底上的波導層中的多個輸入 界面波導，同時將多個輸入界面波導對齊到TFPS的E-0調製波導的輸入端。安裝輸入PLC， 使得輸入PLC波導層毗鄰組裝基底並且PLC基底通過輸入PLC波導層遠離了組裝基底。包 括PLC基底上的波導層中的多個輸出界面波導的輸出PLC模片被安裝到組裝基底上，同時 將多個輸出界面波導對齊到TFPS的E-0調製波導的輸出端，使得輸出PLC波導層毗鄰組裝 基底並且PLC基底通過輸出PLC波導層遠離了組裝基底。
[0007] 根據另一種實施方式，雙偏振光正交調製器可以包括輸入PLC，所述輸入PLC具有 在同一個基底上與多個輸入波導集成的一個或者多個光源裝置。例如，所述一個或者多個 光源裝置可以包括連續波雷射器。
[0008] 根據另一種實施方式，雙偏振正交光調製器可以包括輸出PLC，所述輸出PLC包括 了在同一個基底上與多個輸出波導集成的一個或者多個光檢測裝置。
[0009] 附圖簡述
[0010] 圖1是根據實施方式的雙偏振正交調製器的示意圖。
[0011] 圖2A是根據實施方式的圖1的雙偏振正交調製器的側截面圖。
[0012] 圖2B是根據另一個實施方式的雙偏振正交調製器的側截面圖。
[0013] 圖3是根據實施方式的示出了輸入或者輸出平面光波導（PLC)的輸入波導或者輸 出波導的對齊的電光（E-0)調製器波導的局部橫斷面視圖。
[0014] 圖4是示出了根據實施方式的關於操作圖1-3的雙偏振正交調製器的方法的流程 圖。
[0015] 圖5是示出了根據實施方式的關於製造圖1-3的雙偏振正交調製器的方法的流程 圖。

【具體實施方式】
[0016] 在以下詳細描述中，參考了形成本申請的一部分的附圖。在附圖中，除非上下文另 有規定，否則相似的符號通常標識相似的組件。可以使用其他實施方式和/或可以進行其 他變化而不背離本公開的原意和範圍。
[0017] 圖1是根據一種實施方式的雙偏振正交調製器101的示意圖。圖2A是根據一種 實施方式的圖1的雙偏振正交調製器101的側截面圖。圖2B是根據一種實施方式的圖1 的雙偏振正交調製器101的可替換的實施方式的側截面圖。可以參考圖1、圖2A和圖2B理 解以下描述。
[0018] 雙偏振正交光調製器101可以包括輸入PLC (Planar Lightwave Circuit,平面光 波導）102,輸入PLC102被配置成通過多個輸入界面波導106a_h劃分和傳送相干光104。 TFPS(Thin Film Polymer on Substrate,基底上薄膜聚合物）調製器108可以包括多個 E-0 (electro-optic,電光）聚合物波導110a-h。多個E-0聚合物波導110a-h中的每一個 可以分別可操作地耦合來從多個輸入界面波導l〇6a_h的至少一部分中的每一個接收被劃 分的相干光104。E-0聚合物波導110a-h中的至少一部分可以被配置成調製接收到的相干 光 104。
[0019] 輸出PLC112可以包括多個輸出界面波導114a_h。輸出界面波導114a_h的至少一 部分可以被可操作地耦合來接收來自多個E-0聚合物波導110a-h的調製光。輸出PLC112 可以被配置成將接收到的調製光結合到至少一個輸出波導116。
[0020] 如本文所用的，TFPS調製器可以指包括以光學疊加形式布置並且位於基底上的 聚合物光層的裝置。該基底可以包括矽，並且出於清楚的原因，其在本文可以這樣被引用。 TFPS基底可以可替換地包括其他材料或基本上由其他材料組成，例如玻璃、矽以外的半導 體、非晶矽、和/或柔性基底。"薄膜"聚合物光層通常可以通過旋塗一系列聚合物或混合矽 氧基/聚合物塗層、固化該塗層、光刻圖案、蝕刻（溼和/或幹）以及導體的電沉積來形成。 因而，TFPS中的術語"薄膜"可以包括不是如傳統半導體工程師所理解的嚴格的薄膜的層。 下面結合圖3描述了 TFPS調製器波導的示例性的橫截面的結構。
[0021] TFPS調製器108可以包括多個第一相位偏置裝置118a、118c、118e、118g，該 多個第一相位偏置裝置118a、118c、118e、118g可操作地耦合到多個E-0聚合物波導 110a-h的至少一部分。多個第一相位偏置裝置118a、118c、118e、118g可以包括第一 T-0 (thermo-optic,熱光）相位偏置裝置，該第一 T-0相位偏置裝置被配置成修改其對應的 一部分的E-0聚合物波導110a-h的折射率。
[0022] 在TFPS調製器上放置第一相位偏置裝置可以允許使用比可替換的第一相位偏置 更低的電壓來執行T-0相位偏置並且所述T-0相位偏置被位於其中一個PLC上的T-0相位 偏置裝置執行。
[0023] 每一個TFPS調製器108E-0聚合物波導110a-h可以包括通過切分基底211和薄 膜聚合物208形成的光輸入面120和光輸出面122。可替換地，可以通過刻劃基底211並且 橫跨薄膜聚合物208傳播裂縫形成光輸入面120和光輸出面122。
[0024] 通過多個輸入界面波導106a_h傳送至TFPS調製器108的相干光104基本上可以 是TM平面偏振。雙偏振正交光調製器101可以包括在輸入PLC102中包括的或者可操作地 耦合到輸入PLC102的TM平面偏振片124。可替換地，接收到的相干光104可以是TM平面 偏振的。
[0025] 根據實施方式，TFPS108E-0波導110a-h與TM平面偏振光（具有與輸入PLC102、 TFPS108和輸出PLC112的表面204、210、214正交的偏振平面的偏振光）比與TE平面偏振 光（具有與表面204、210、214平行的偏振平面的TE平面偏振光）有明顯更高的耦合。對 於理想極化的（poled) E-0裝置和完美的TE平面偏振光，TFPS E-0調製器基本上可以不對 光傳播速率產生影響。出於這個原因 ，TFPS E-0波導110a-h的輸入光優選TM平面偏振。
[0026] 輸入PLC102可以包括輸入波導126和被配置成從輸入波導中分離輸入相干光以 將相干光傳送至輸入界面波導中的每一個的多個輸入界面波導分束器130a、130e、132a、 132c、132e、132g。例如，分束器 130a、130e、132a、132c、132e、132g 的每一個可以基本上提 供50:50的能量的分離。根據另一種實施方式，分束器130a、130e、132a、132c、132e、132g 中的一個或多個的功率分離可以不是50:50,以便例如適應通過波導、偏振旋轉器134等的 損耗的系統變化。
[0027] 輸出PLC112可以包括可操作地耦合到E-0聚合物波導110a-d的第一部分的偏振 旋轉器134,偏振旋轉器134被配置成將來自E-0聚合物波導110a-d的第一部分的TM調製 光旋轉到TE平面偏振光。例如，偏振旋轉器134可以包括薄膜裝置或半波片。輸出PLC112 可以被切分成兩部分（如圖2A所示），並且偏振旋轉器134可以被安裝在該兩部分之間且 與E-0聚合物波導110a-d的第一部分對應的區域。可替換地，輸出PLC112可以包括橫跨 E-0聚合物波導110a-d的第一部分對應的輸出PLC112的波導144部分而形成的凹槽（例 如通過DRIE (Deep Reactive Ion Etching,深反應離子蝕刻技術）），並且偏振旋轉器134可 以被安裝在該凹槽內。
[0028] 輸出PLC112可以包括光合路器136,光合路器136可操作地耦合到E-0聚合物波 導110a-d的第一部分和E-0聚合物波導110e-h的第二部分，並且被配置成將來自E-0聚 合物波導ll〇a-d的第一部分和偏振旋轉器134的TE平面偏振光與來自E-0聚合物波導 llOe-h的第二部分的TM平面偏振光合路。可操作地耦合到合路器136的輸出波導116可 以被配置成承載合路的TE和TM平面偏振光。可操作地耦合到輸出波導116的輸出光耦合 器138可以被配置成將合路的TE和TM平面偏振光耦合到光纖或另一個波導裝置（未示 出）。
[0029] 雙偏振正交光調製器101還可以包括組裝基底140。輸入PLC102、TFPS調製器108 以及輸出PLC112可以被安裝在組裝基底140上，並且輸入PLC102、TFPS調製器108和輸出 PLC112的各自的波導142、110a-h、144與組裝基底140毗鄰。這樣，各個基底106、211、216 可以離開組裝基底140來安裝，並且通過各自的波導層202、208、212與組裝基底140分開。 組裝基底140可以被配置成在TFPS調製器108的波導110a-h與輸入和輸出PLC102、112 的波導142、144之間提供堅直對齊垂直準線。
[0030] 可以在不同的設備內或同一設備的不同區域內生產PLC102、112和TFPS108的 基底206、216以及211。PLC基底206、216和TFPS基底211可以具有稍微不同的厚度， 這是可能的。可替換地或另外，TFPS108可以包括具有多層導體和電介質的集成電路，或 者PLC102U12中的一個或兩個都可以具有在其上形成的額外的層。類似地，例如底包層 厚度的光學疊加厚度可以在不同的模片之間變化。儘管在模片基底206、211、216和波導 結構142、110a-h、144之間的模片102、112、108厚度或電路厚度存在差異，然而通過輕擊 PLC102U12以及TFPS調製器108並將它們自上而下（"上"是包括波導結構142、110a-h、 144的側）安裝到組裝基底140上，PLC102、112以及TFPS調製器108的各自的波導可以在 堅直方向更好地對齊。
[0031] 例如，組裝基底140可以由大體上1毫米厚的玻璃片形成。
[0032] 雙偏振正交光調製器101可以包括被配置成協助形成第一 MZ幹涉儀 (Mach-Zehnder interferometer，馬赫一增德爾幹涉儀）152a的結構。例如，第一MZ152a可 以包括第一輸入中間波導146a、可操作地耦合到第一輸入中間波導146a並被配置成將從 第一輸入中間波導146a接收的相干光104分離到輸入PLC102上的兩個第一輸入界面波導 106a、106b上的第一輸入分束器132a。第一對E-0聚合物波導調製信道110a、110b可以分 別被對齊來從兩個第一輸入界面波導l〇6a、106b接收相干光。在輸出PLC112上的兩個第 一輸出界面波導114a、114b可以被對齊來從第一對E-0聚合物波導調製信道110a、110b接 收被調製的相干光。可操作地耦合到兩個第一輸出界面波導114a、114b的第一輸出合路器 148a可以被配置成將接收到的光合路到輸出PLC112上的第一輸出中間波導150a。
[0033] 類似地，第二輸入中間波導146c、第二輸入分束器132c、第二對E-0聚合物波導調 制信道ll〇c和110d、兩個第二輸出界面波導114c和114d、以及第二輸出合路器148c可以 被配置成合作形成第二MZ152c ;其中，第二輸入分束器132c耦合到第二中間波導146c並 且被配置成將從第二中間波導146c接收的相干光分離到輸入PLC102上的兩個第二輸入界 面波導106c、106d上；第二對E-0聚合物波導調製信道110c、110d分別對齊來從兩個第二 輸入界面波導110c、110d接收相干光；輸出PLC112上的兩個第二輸出界面波導114c、114d 被對齊來從第二對E-0聚合物波導調製信道110c、110d接收被調製的相干光；以及第二輸 出合路器148c可操作地耦合到兩個第二輸出界面波導114c、114d並且被配置成將接收到 的光合路到輸出PLC上的第二輸出中間波導150c上。
[0034] 每一個]\^152&、152(3、1526、1528可以以推挽方式工作。例如，]\^152 &的第一條 "臂"可以包括增加折射率的E-0波導110a而第二條臂包括降低折射率的E-0波導110b以 便輸出二進位的0。例如，在波導110a、110b上分別應用+ν π電壓和-νπ電壓可以導致從 Ε-0波導110a、110b輸出的相干光之間的相位差為π (180°);當被合路器148a合路時，從 E-0波導110a、110b輸出的相干光產生相消幹涉而沒有產生光輸出。相反地，反轉在波導 110&、11013上的+^電壓和-^電壓的符號可以產生相位差0(零）（=211)。當被合路器 148a合路時，反轉的電壓信號導致被調製的相干光的相長幹涉而產生對應於二進位1的光 輸出。可以可替換地使用躍遷、電壓和/或發色團極化（Chromophorepoling)的其他組合 來調製來自MZ152a、152c、152e、152g的數據。
[0035] 第一和第二MZ幹涉儀152a、152c可以被配置成協作形成第一 QPSK (Quadrature Phase Shift Keying，正交相移鍵控）或者 DQPSK (Differential Quadrature Phase Shift Keying，差分正交相移鍵控）光調製器154a。被布置在輸入PLC102或者輸出PLC112上並 可操作地耦合到第一或第二MZ幹涉儀152a、152c中的一個的熱光正交相位偏置裝置156a， 其可以被配置成維持第一和第二MZ幹涉儀152a、152c之間的正餘弦（正交的）相位關係 以便保持QPSK或DQPSK光調製器154a同相。
[0036] 熱光正交相位偏置裝置156a、156e可以由可操作地耦合到輸入PLC102或輸出 PLC112上的中間波導的熱電極形成。對中間波導的加熱改變了它的折射率，這可以被用於 延遲來自一個MZ幹涉儀152a的光，以保持該光與來自另一個MZ幹涉儀152c的光同相（相 幹）。
[0037] 雙偏振正交光調製器101還可以包括在輸入PLC102、TFPS調製器108以及輸出 PLC112上形成的第三和第四MZ幹涉儀152e、152g ;並且第三和第四MZ幹涉儀152e、152g 被配置成用作第二QPSK或DQPSK光調製器154e。可操作地耦合到第一 QPSK或DQPSK光 調製器154a的輸出波導156a的偏振旋轉器134可以被配置成將第一 QPSK或DQPSK調製 的相干光的偏振從TM平面偏振旋轉到TE平面偏振。合路器136可以被配置成將來自第一 QPSK或DQPSK光調製器154a的TE平面偏振光與來自第二QPSK或DQPSK光調製器154e的 TM平面偏振光合路，以在輸出波導116上形成包括兩個可分離的QPSK或DQPSK調製光信號 的單個光信號。
[0038] 雙偏振正交光調製器101可以包括（T-0)偏振相位偏置裝置158,其被配置成偏 移來自第一或第二QPSK或DQPSK光調製器154a、154e的光的相位，以匹配另一個QPSK或 DQPSK光調製器的相位。
[0039] 雙偏振正交光調製器101可以包括可操作地耦合到各個E-0調製波導110a-h的 相應的高速電極（例如，見圖3的310)。相干光104基本上可以由單個波長構成。例如，相干 光104可以包括位於大約1510至1620納米波長的C或L頻帶中的光。根據一種實施方式， 光的波長大約是1550納米。例如，相干光104可以包括從C或L數據傳輸WDM (Wavelength Division Multiplexed，波分復用）頻帶選擇的多個WDM信道中的一個WDM信道。可選地，雙 偏振正交光調製器101可以被配置成接收多個波長，並且輸入PLC102可以包括濾波器（未 示出），該濾波器被配置成分離多個波長並且將選擇的波長傳送到各個正交調製器或者雙 偏振正交調製器對154a、154e。
[0040] 圖2A和圖2B中示出了可替換的實施方式101和10Γ。雙偏振正交光調製器101 可以包括偏振旋轉器134'（如圖2B示出），偏振旋轉器134'被安裝在TFPS調製器108和 輸出PLC112之間且與E-0聚合物波導110a-d的一部分對應的區域中。偏振旋轉器134' 可以被配置成在光進入輸出PLC112之前將從E-0聚合物波導110a-d的一部分接收的TM 平面偏振光旋轉成TE平面偏振光。因為在TFPS調製器108和輸出PLC112之間安裝偏振 旋轉器134'的這種布置利用了輸出PLC112的各部件之間存在的接口而不是在輸出PLC112 的各部分之間插入專用接口（例如槽或縫），故其可以簡化組裝，降低部件數量，和/或減少 損耗。
[0041] 在實施方式101或實施方式10Γ中，輸入PLC102的波導142、TFPS調製器108的 E-0調製波導110a-h以及輸出PLC112的波導144(通過圖1中的組裝基底140示出了可 見的表面）可以各自在與各個基底206、211、216上的表面204、210、214毗鄰的相應的波導 層202、208、212中形成。通過將表面204、210、214毗鄰組裝基底140安裝可以使波導142、 110a-h以及144在Z軸（堅直方向，如圖2A和圖2B示出）上相互對齊。安裝基底218可 以被配置成承載輸入PLC102、TFPS調製器108、輸出PLC112和組裝基底140。安裝基底218 可以被配置成承載雙偏振正交光調製器101，以便可操作地與封裝件（未示出）、熱沉（未 示出）中的至少一個耦合，或者與一個或多個其他波導裝置（未示出）耦合。熱墊片或熱 凝膠220可以被配置成至少將TFPS光調製器108熱耦合到安裝基底218。可選地，熱墊片 或熱膠體220可以被配置成將輸入PLC102和/或輸出PLC112與安裝基底218熱耦合。
[0042] 作為上面描述的實施方式的可替換方式，由於從雙偏振正交光調製器輸出的TE 和TM光沒有採用同偏振的正交調製光相互作用的方式進行相長或相消幹涉，故通過雙偏 振正交調製器101接收到的相干光可以被可操作地耦合到兩個不同的相干光源或者可以 包括兩個不同的相干光源，一個提供輸出為TM光的TM光，以及另一個提供輸出為TE光的 TM光。
[0043] 可選地，輸入PLC102可以包括在同一個基底106上與多個輸入波導142集成的一 個或多個光源裝置（未示出）。例如，該一個或多個光源裝置可以包括連續波雷射器。可 選地，輸入PLC102可以包括其他裝置，例如多模幹涉（MMI，multimode interference) f禹合 器、定向耦合器、復用單元和/或解復用單元。
[0044] 可選地，輸出PLC112可以包括在同一基底216上與多個輸出波導144集成的一個 或多個光檢測裝置（未示出）。可選地，輸出PLC112可以包括多模幹涉（MMI)耦合器、定向 耦合器、復用單元和/或解復用單元。
[0045] 根據可替換的實施方式，光調製器101可以包括偏振信道，但是省略正交信道。例 如，可以使用第一單一 MZ幹涉儀152a形成第一（TE)偏振信道，以及使用第二單一 MZ幹涉 儀152e形成第二（TM)偏振信道。可以省略第二和第四MZ幹涉儀152c、152g。當省略正交 MZ幹涉儀152c、152g時，還可以省略正交調製器154a、154e。例如，光調製器101可以被操 作來作為相移鍵控（PSK)或差分相移鍵控（DPSK)調製器。
[0046] 圖3是根據一種實施方式的示出與輸入PLC102或輸出PLC112的輸入界面波導 106和/或輸出界面波導114對齊的E-0調製器波導110的部分橫截面圖。半導體或絕緣 基底211可以支持至少一個在基底211上成型並被配置作為接地電極302的導體層。平坦 化層（未示出）可以被可選地布置在接地電極302上並且至少部分地與接地電極302共面。 光聚合物棧303 (在本文也被稱為如在TFPS中的"薄膜聚合物"）可以被布置在基底211和 接地電極302上。根據可替換的實施方式，平坦化層（未示出）可以被忽略，並且可以通過 光聚合物棧303的一部分來提供平坦化功能。
[0047] 頂部導體層可以被布置在光聚合物棧303上並且成型來形成高速電極310,該高 速電極310被配置成與接地電極302協作以通過E-0波導110應用脈衝電場。
[0048] 例如，頂部導體層可以被形成為包括金屬層、超導層或導電聚合物。頂部導體可以 被電鍍來增加它的厚度。高速電極可以被可操作地耦合來從正交驅動器（未示出）接收電 信號。根據實施方式，接地電極302可以被布置成與高速電極310平行。包括E-0波導110 的光聚合物棧303的作用區312可以定位成接收來自高速電極310和接地電極302的調製 信號。作用區312包括被形成為極化區的E-0成分，該極化區包括至少一個二階非線性光 發色團。下面更加全面地描述了發色團和電光成分。
[0049] 光聚合物棧303被配置成支撐作用區312。光聚合物棧303可以包括至少一個底 部覆層304和至少一個頂部覆層308,其分別被布置在電光層306之下和之上。可選地與光 偏振層協作，底部覆層304和頂部覆層308被配置成沿著在電光層306的平面內的路徑引 導插入的光104。在光聚合物棧303內形成了導光結構110,以沿著通過電光層306的一個 或更多個光傳播路徑引導光104。在圖3的實施方式中，引導結構110被形成為溝槽波導， 溝槽波導包括在至少一個底部覆層304內的蝕刻的路徑。可選的，可以使用其它波導結構。 例如，可以單獨或結合使用擬溝槽（quasi-trench)、肋狀物、擬肋狀物、側面覆層等來提供 導光功能。
[0050] 根據一種實施方式，TFPS108可以包括速率匹配層（未不出）。電光聚合物層306 可以具有通過它的光的變化的光傳輸速率，光傳輸速率可以例如依賴於由高速電極310與 接地電極302聯合提供的電場。高速電極310可以被布置在頂部覆層308上方和速率匹配 層（未示出）下方，高速電極310具有通過它的電脈衝的電傳播速率。速率匹配層可以被 配置成使得通過高速電極310的電傳播速率與通過電光聚合物層306的光傳播速率近似。 頂部覆層308可以被布置在電光聚合物層306上方和速率匹配層（未示出）下方，並且可 以被配置成引導相干光，以使其基本上通過E-0聚合物層306。對於通常的波導應用，頂部 覆層308可以被配置成傳遞部分光能量，該部分光能量名義上通過電光聚合物層306。根據 可替換的實施方式，可以在高速電極310下方和頂部覆層308上方形成速率匹配層（未示 出）。
[0051] 根據另一種實施方式，可以選擇組裝基底140,使其具有提供單獨的速率匹配層的 速率匹配功能的介電常數。
[0052] 為了提供速率匹配，可以選擇速率匹配層（未示出）的介電常數來使得通過高速 電極310的電傳播速率與通過電光聚合物層306、且具體地說是通過電光波導芯110的光傳 播速率近似。根據一種實施方式，速率匹配層包括由單體、低聚物構成的聚合物或者包括單 體的單體和低聚物混合物。
[0053]

【權利要求】
1. 一種光調製器，包括： 輸入平面光波導（PLC)，其被配置為通過多個輸入界面波導劃分和傳送相干光； 基底上薄膜聚合物（TFPS)調製器，其包括多個電光E-0聚合物波導，每一個電光E-0 聚合物波導分別可操作地耦合來接收來自所述多個輸入界面波導的至少一部分的每一個 輸入界面波導的被劃分的相干光，所述E-0聚合物波導的至少一部分被配置成調製所接收 到的相干光；以及 輸出平面光波導，其包括多個輸出界面波導，所述多個輸出界面波導的至少一部分被 可操作地耦合來接收來自所述多個電光聚合物波導的調製光，所述輸出平面光波導被配置 成將所接收到的調製光結合到至少一個輸出波導。
2. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述基底上薄膜聚合物調製器包括多個第一相 位偏置裝置，所述多個第一相位偏置裝置被可操作地耦合到所述多個電光聚合物波導的至 少一部分。
3. 如權利要求2所述的光調製器，其中所述多個第一相位偏置裝置包括第一熱光 (T-Ο)相位偏置裝置，所述第一熱光（T-Ο)相位偏置裝置被配置為修改與其對應的所述電 光聚合物波導的一部分的折射率。
4. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述基底上薄膜聚合物調製器的電光聚合物波 導中的每一個包括光輸入面和光輸出面，其中所述光輸入面和光輸出面通過刻劃基底並且 橫跨所述基底和所述薄膜聚合物傳播裂縫來形成。
5. 如權利要求1所述的光調製器，其中通過所述多個輸入界面波導被傳送到所述基底 上薄膜聚合物的相干光基本上是TM平面偏振的； 其中TM平面偏振光包括以偏離所述輸入平面光波導、所述基底上薄膜聚合物調製器、 以及所述輸出平面光波導的表面平面90度取向的電橫波。
6. 如權利要求1所述的光調製器，還包含： 在所述輸入平面光波導中包括的或者被可操作地耦合到所述輸入平面光波導的TM平 面偏振片。
7. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述輸入平面光波導還包含： 輸入波導；以及 多個輸入界面波導分束器，所述多個輸入界面波導分束器被配置為分離來自所述輸入 波導的輸入相干光，以便向每一個所述輸入界面波導傳送相干光。
8. 如權利要求1所述的光調製器，還包含： 偏振旋轉器，其被可操作地耦合到所述電光聚合物波導的第一部分，所述偏振旋轉器 被配置為將來自所述電光聚合物波導的第一部分的TM調製光旋轉到TE平面偏振光； 其中TE平面平面偏振光包括以平行所述輸入平面光波導、所述基底上薄膜聚合物調 制器、以及所述輸出平面光波導的表面平面取向的電橫波。
9. 如權利要求8所述的光調製器，其中所述輸出平面光波導還包含： 光合路器，其被可操作地耦合到所述電光聚合物波導的第一部分以及所述電光聚合物 波導的第二部分，並且被配置為將來自所述電光聚合物波導的第一部分和所述偏振旋轉器 的TE平面偏振光與來自所述電光聚合物波導的第二部分的TM平面偏振光結合；以及 輸出波導，其被可操作地耦合到所述光合路器並且被配置為承載所結合的TE和TM平 面偏振光。
10. 如權利要求9所述的光調製器，還包含： 輸出光耦合器，其被可操作地耦合到所述輸出波導並且被配置為將所結合的TE和TM 平面偏振光耦合到光纖或者另一個波導裝置。
11. 如權利要求1所述的光調製器，還包含： 組裝基底；以及 其中在所述組裝基底上安裝了所述輸入平面光波導、所述基底上薄膜聚合物調製器、 以及所述輸出平面光波導，並且它們相應的波導毗鄰所述組裝基底且遠離所述組裝基底安 裝了各個基底。
12. 如權利要求11所述的光調製器，其中所述組裝基底被配置為提供在所述基底上薄 膜聚合物調製器的波導與所述輸入和輸出平面光波導之間的堅直對齊。
13. 如權利要求11所述的光調製器，其中所述組裝基底包含： 大體上1毫米厚的載玻片。
14. 如權利要求1所述的光調製器，還包含： 第一馬赫增德爾幹涉儀，所述第一馬赫增德爾幹涉儀在所述輸入平面光波導上包括： 第一輸入中間波導； 兩個第一輸入界面波導；以及 第一輸入分束器，其被可操作地耦合到所述第一中間波導並且被配置為將從所述第一 輸入中間波導接收到的相干光分到所述兩個第一輸入界面波導上； 所述第一馬赫增德爾幹涉儀還在所述基底上薄膜聚合物調製器上包括： 第一對電光聚合物波導調製信道，其分別被對齊來接收來自所述兩個第一輸入界面波 導的相干光；以及 所述第一馬赫增德爾幹涉儀還在所述輸出平面光波導上包括： 兩個第一輸出界面波導，其被對齊來接收來自所述第一對電光聚合物波導調製信道的 調製相干光； 第一輸出合路器，其被可操作地耦合到兩個第一輸出界面波導並被配置為結合所接收 到的光；以及 第一輸出中間波導，其被配置為接收來自所述第一輸出合路器的結合的光。
15. 如權利要求14所述的光調製器，還包含： 第二馬赫增德爾幹涉儀，所述第二馬赫增德爾幹涉儀在所述輸入平面光波導上包括： 第二輸入中間波導； 兩個第二輸入界面波導；以及 第二輸入分束器，其被可操作地耦合到所述第二中間波導並且被配置為將從所述第二 輸入中間波導接收到的相干光分到所述兩個第二輸入界面波導上； 所述第二馬赫增德爾幹涉儀還在所述基底上薄膜聚合物調製器上包括： 第二對電光聚合物波導調製信道，其分別被對齊來接收來自所述兩個第二輸入界面波 導的相干光；以及 所述第二馬赫增德爾幹涉儀還在所述輸出平面光波導上包括： 兩個第二輸出界面波導，其被對齊來接收來自所述第一對電光聚合物波導調製信道的 調製相干光； 第二輸出合路器，其被可操作地耦合到兩個第二輸出界面波導並被配置為結合所接收 到的光；以及 第二輸出中間波導，其被配置為接收來自所述第二輸出合路器的結合的光。
16. 如權利要求15所述的光調製器，其中所述第一馬赫增德爾幹涉儀和第二馬赫增德 爾幹涉儀被配置為合作以形成第一正交相移鍵控（QPSK)或者差分正交相移鍵控（DQPSK) 光調製器。
17. 如權利要求16所述的光調製器，還包含： 熱光正交相位偏置裝置，其被布置在所述輸入平面光波導或者所述輸出平面光波導 上，並被可操作地耦合到所述第一馬赫增德爾幹涉儀或者所述第二馬赫增德爾幹涉儀中的 一個上，並且被配置為維持所述第一馬赫增德爾幹涉儀和第二馬赫增德爾幹涉儀之間的正 餘弦相位關係，以使所述正交相移鍵控或者正交差分相移鍵控光調製器基本上保持在合適 的相位對齊。
18. 如權利要求17所述的光調製器，還包含： 第三馬赫增德爾幹涉儀和第四馬赫增德爾幹涉儀，其在所述輸入平面光波導、所述基 底上薄膜聚合物調製器、以及所述輸出平面光波導上形成，並且被配置作為可操作來調製 所述相干光的第二正交相移鍵控或者正交差分相移鍵控光調製器。
19. 如權利要求18所述的光調製器，還包含： 偏振旋轉器，其被可操作地耦合到所述第一正交相移鍵控或者正交差分相移鍵控光調 制器的輸出波導，並且被配置為將所述第一正交相移鍵控或者正交差分相移鍵控調製的相 幹光的偏振從TM平面偏振旋轉到TE平面偏振；以及 合路器，其被配置為將來自所述第一正交相移鍵控或者正交差分相移鍵控光調製器的 TE平面偏振光與來自所述第二正交相移鍵控或者正交差分相移鍵控光調製器的TM平面偏 振光結合，以在輸出波導上形成包括兩個單獨的正交相移鍵控或者正交差分相移鍵控調製 光信號的單個光信號。
20. 如權利要求19所述的光調製器，還包含： 偏振相位偏置裝置，其被配置為偏移來自所述第一正交相移鍵控或者正交差分相移鍵 控光調製器或者所述第二正交相移鍵控或者正交差分相移鍵控光調製器的光的相位，以與 另一個正交相移鍵控或者正交差分相移鍵控光調製器的相位匹配。
21. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述基底上薄膜聚合物調製器包括被可操作 地耦合到每個電光調製波導的相應的高速電極。
22. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述相干光主要由單個波長構成。
23. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述相干光包括多個波分復用（WDM)信道中的 一個，其中所述波分復用（WDM)信道從C或者L數據傳輸波分復用頻帶中選擇。
24. 如權利要求1所述的光調製器，還包含： 偏振旋轉器，其在對應於所述電光聚合物波導的一部分的區域中被安裝在所述基底上 薄膜聚合物調製器和所述輸出平面光波導之間，並且被配置為將從所述電光聚合物波導的 所述一部分接收到的TM平面偏振光旋轉為TE平面偏振光。
25. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述輸入平面光波導的波導、所述基底上薄膜 聚合物調製器的電光調製波導、以及所述輸出平面光波導的波導是在毗鄰相應的基底上的 頂部表面的相應的波導層中各自形成的，並且通過毗鄰所述組裝基底安裝所述波導層而在 Z軸上保持互相對齊。
26. 如權利要求1所述的光調製器，還包含： 安裝基底，其被配置為承載所述輸入平面光波導、所述基底上薄膜聚合物調製器、所述 輸出平面光波導、以及組裝基底；並且被配置為承載所述雙偏振正交光調製器，以便可操作 地與封裝件、熱沉或者與一個或者多個額外的波導裝置中的至少一個耦合。
27. 如權利要求26所述的光調製器，還包含： 熱墊片或者熱凝膠，其被配置為至少將所述基底上薄膜聚合物光調製器熱耦合到所述 安裝基底。
28. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述輸入平面光波導、所述基底上薄膜聚合物 調製器、以及所述輸出平面光波導被配置為合作來用作以下中的一個或者多個：雙偏振正 交光調製器、正交相移鍵控（QPSK)光調製器、差分相移鍵控（DPSK)光調製器、差分正交相 移鍵控（DQPSK)光調製器、歸零差分正交相移鍵控（RZ-DQPSK)光調製器、正交幅度調製器 (QAM)或者多電平光調製器。
29. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述基底上薄膜聚合物調製器的電光聚合物 波導中的每一個包括光輸入面和光輸出面，所述光輸入面和光輸出面通過使用切分鍋切分 所述基底和薄膜聚合物而形成。
30. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述輸入平面光波導還包含： 多模幹涉（MMI)耦合器、定向耦合器、復用單元或者解復用單元中的一個或者多個。
31. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述輸入平面光波導還包含： 被配置為產生所述相干光的雷射器。
32. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述輸出平面光波導還包含： 多模幹涉（MMI)耦合器、定向耦合器、復用單元或者解復用單元中的一個或者多個。
33. 如權利要求1所述的光調製器，其中所述輸出平面光波導還包含： 一個或者多個光電探測器。
34. -種用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方法，所述方法包 含： 接收相干TM平面偏振光； 將所述相干光分離到具有輸入平面光波導的八個輸入界面波導內； 接收來自所述八個輸入界面波導的相干光並且通過八個相應的基底上薄膜聚合物電 光調製器波導傳輸相干光的八個相應的信道； 將至少一個第一調製的電正弦數據信號和至少一個第二調製的電正弦數據信號接收 到相應的至少一個第一高速正弦電極和相應的至少一個第二高速正弦電極上，所述至少一 個第一高速正弦電極被可操作地耦合到第一對所述電光調製器波導，並且所述至少一個第 二高速正弦電極被可操作地耦合到第三對所述電光調製器波導； 將至少一個第一調製的電餘弦數據信號和至少一個第二調製的電餘弦數據信號接收 到相應的至少一個第一高速餘弦電極和相應的至少一個第二高速餘弦電極上，所述至少一 個第一高速餘弦電極被可操作地耦合到第二對所述電光調製器波導，並且所述至少一個第 二高速餘弦電極被可操作地耦合到第四對所述電光調製器波導； 其中所述第一正弦調製的電數據信號和第一餘弦調製的電數據信號基本上是正交的， 並且所述第二正弦調製的電數據信號和第二餘弦調製的電數據信號基本上是正交的； 將由所述相應的高速電極產生的電場施加到八個電光調製器波導，以在通過其的相干 TM平面偏振光中產生八個相應的相移； 使用具有輸出平面光波導的八個輸出界面波導接收所述相移相干偏振光； 結合來自所述第一對電光調製器波導的光、結合來自所述第二對電光調製器波導的 光、結合來自所述第三對電光調製器波導的光、以及結合來自所述第四對電光調製器波導 的光，以形成相應的分別承載第一正弦調製、第一餘弦調製、第二正弦調製以及第二餘弦調 制的光的第一、第二、第三以及第四馬赫增德爾幹涉儀調製光數據信號； 將來自所述第一對電光調製器波導和所述第一馬赫增德爾幹涉儀的光與來自所述第 二對電光調製器波導和所述第二馬赫增德爾幹涉儀的光結合，以產生第一正交調製的光數 據信號； 將來自所述第三對電光調製器波導和所述第三馬赫增德爾幹涉儀的光與來自所述第 四對電光調製器波導和所述第四馬赫增德爾幹涉儀的光結合，以產生第二正交調製的光數 據信號 將來自所述第一對電光調製器波導和第二對電光調製器波導的調製光的偏振平面從 TM平面偏振旋轉到TE平面偏振；以及 將來自所述第一正交調製的光數據信號的光與來自所述第二正交調製的光數據信號 的光結合，以產生包括正交調製的TE平面偏振光分量和正交調製的TM平面偏振光分量的 輸出調製的光波長數據信號。
35. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，還包含： 接收多個馬赫增德爾偏置信號；以及 加熱所述電光調製波導的一半的一部分，以將每個馬赫增德爾幹涉儀波導對調到。
36. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，還包含： 接收多個正交偏置信號；以及 加熱所述輸入平面光波導的波導或者所述輸出平面光波導的波導的一部分，以使相互 正交的馬赫增德爾幹涉儀達到相干光相位對齊。
37. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，還包含： 接收偏振偏置信號；以及 加熱輸入平面光波導的波導或者輸出平面光波導的波導，以將所述ΤΕ平面偏振光分 量與所述ΤΜ平面偏振光分量時間對齊或者相位對齊。
38. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，其中接收來自所述八個輸入界面波導的相干光並且通過八個相應的基底上薄膜聚合物 電光調製器波導傳輸相干光的八個相應的信道包括通過所述薄膜聚合物中的邊緣面接收 光，其中所述邊緣面通過使用切分鋸從晶片切分所述基底和所述薄膜聚合物來形成。
39. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，其中使用具有輸出平面光波導的八個輸出界面波導接收所述相移相干偏振光包括通過 所述薄膜聚合物中的邊緣面發射光，其中所述邊緣面通過使用切分鋸從晶片切分所述基底 和所述薄膜聚合物來形成。
40. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，其中將來自所述第一對電光調製器波導和第二對電光調製器波導的調製光的偏振平面 從TM平面偏振旋轉到TE平面偏振包括通過偏振旋轉器傳遞正交調製光信號，其中所述偏 振旋轉器被布置在所述輸出平面光波導上或者被布置在所述輸出平面光波導的部分之間。
41. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，其中將來自所述第一對電光調製器波導和第二對電光調製器波導的調製光的偏振平面 從TM平面偏振旋轉到TE平面偏振包括在由所述輸出平面光波導接收來自所述基底上薄膜 聚合物調製器波導的一部分的相位調製光之前通過偏振旋轉器傳遞所述相位調製光。
42. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，還包含： 將接收到的相干光偏振到TM平面偏振。
43. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，其中接收所述相干光包括接收與第一正交調製器對應的相干光的第一信道以及接收與 第二正交調製器對應的相干光的第二信道； 其中所述相干光的第一信道和第二信道是彼此不相干的。
44. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，還包含： 產生用於調製所述電光調製器的正弦數據和餘弦數據。
45. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，其中接收至少一個第一正弦調製的電信號和至少一個第一餘弦調製的電信號包括接收 正交幅度調製（QAM)、正交相移鍵控（QPSK)、或者差分正交相移鍵控（DQPSK)調製。
46. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，其中接收至少一個第一正弦調製的電信號和至少一個第一餘弦調製的電信號包括接收 差分相移鍵控（DPSK)調製。
47. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，其中接收來自所述八個輸入界面波導的相干光並且通過八個相應的基底上薄膜聚合物 電光調製器波導傳輸相干光的八個相應的信道包括通過所述薄膜聚合物中的邊緣面接收 光，其中所述邊緣面通過刻劃所述基底上薄膜聚合物的基底，並且橫跨所述基底和所述薄 膜聚合物傳播裂縫來形成。
48. 如權利要求34所述的用於使用雙偏振正交光調製器將數據調製到光波長上的方 法，其中使用具有輸出平面光波導的八個輸出界面波導接收所述相移相干偏振光包括通過 所述薄膜聚合物中的邊緣面發射光，其中所述邊緣面通過刻劃所述基底上薄膜聚合物的基 底，並且橫跨所述基底和所述薄膜聚合物傳播裂縫來形成。
49. 一種用於製造雙偏振正交光調製器的方法，所述方法包含： 將基底上薄膜聚合物調製器模片安裝到組裝基底上，其中所述基底上薄膜聚合物調製 器模片包括含有聚合物棧中的輸入端和輸出端的多個電光調製波導，使得所述聚合物棧和 所述電光調製波導是與所述組裝基底毗鄰的，並且所述基底上薄膜聚合物調製器的基底通 過所述聚合物棧與所述組裝基底隔開； 將輸入平面光波導模片安裝到所述組裝基底上，其中所述輸入平面光波導模片包括平 面光波導基底上的波導層中的多個輸入界面波導，同時將所述多個輸入界面波導與所述基 底上薄膜聚合物的電光調製波導的輸入端對齊，使得所述輸入平面光波導的波導層毗鄰所 述組裝基底，並且所述平面光波導基底通過所述輸入平面光波導的波導層與所述組裝基底 隔開；以及 將輸出平面光波導模片安裝到所述組裝基底，其中所述輸出平面光波導模片包括平面 光波導基底上的波導層中的多個輸出界面波導，同時將所述多個輸出界面波導與所述基底 上薄膜聚合物調製器的電光調製波導的輸出端對齊，使得所述輸出平面光波導的波導層毗 鄰所述組裝基底，並且所述平面光波導基底通過所述輸出平面光波導的波導層與所述組裝 基底隔開。
50. 如權利要求49所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，其中通過使用粘合劑 將所述輸入平面光波導模片、所述基底上薄膜聚合物調製器模片、以及所述輸出平面光波 導模片粘附到所述組裝基底來將這些模片安裝到所述組裝基底上。
51. 如權利要求50所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，其中所述粘合劑包括 光粘合劑。
52. 如權利要求50所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，還包含： 使用紫外光固化所述粘合劑。
53. 如權利要求49所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，還包含： 在所述輸出平面光波導模片中對應於一個或者多個波導的位置處形成溝槽，其中所述 一個或者多個波導被配置為承載通過所述電光調製波導的第一部分之後的光；以及 在所述溝槽中安裝偏振旋轉器。
54. 如權利要求53所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，其中在將所述輸出平 面光波導模片安裝到所述組裝基底上之前，執行了形成所述溝槽和安裝所述偏振旋轉器。
55. 如權利要求49所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，其中所述輸出平面光 波導模片包括兩個輸出平面光波導模片；並且所述方法還包含 ： 在所述兩個輸出平面光波導模片之間對應於一個或者多個波導的位置處安裝偏振旋 轉器，其中所述一個或者多個波導被配置為承載通過所述電光調製器波導的第一部分之後 的光。
56. 如權利要求49所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，還包含： 在將所述輸出平面光波導模片安裝到所述組裝基底上之前，Btt鄰所述電光調製器波導 的第一部分的輸出端安裝偏振旋轉器；以及 其中安裝所述輸出平面光波導模片包括毗鄰所述偏振旋轉器安裝所述輸出平面光波 導模片。
57. 如權利要求56所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，還包含： 在將所述輸出平面光波導模片安裝到所述組裝基底上之前，安裝具有與所述偏振旋轉 器基本上相同的厚度的非偏振旋轉窗，其中所述非偏振旋轉窗毗鄰沒有被所述偏振旋轉器 對向的電光調製器波導的第二部分的輸出端。
58. 如權利要求49所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，還包含： 將組裝好的組裝基底、輸入平面光波導模片、基底上薄膜聚合物模片、以及輸出平面光 波導模片安裝到安裝基底上，使得所述輸入平面光波導模片、基底上薄膜聚合物模片、以及 輸出平面光波導模片是與所述安裝基底毗鄰的，並且所述組裝基底通過相應的輸入平面光 波導、基底上薄膜聚合物、以及輸出平面光波導基底和波導層與所述安裝基底隔開。
59. 如權利要求58所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，其中將組裝好的組裝 基底、輸入平面光波導模片、基底上薄膜聚合物模片、以及輸出平面光波導模片安裝到安裝 基底包括：在相應的輸入平面光波導模片、基底上薄膜聚合物模片、以及輸出平面光波導模 片基底與所述安裝基底之間放置熱墊片或者熱凝膠。
60. 如權利要求49所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，其中所述組裝基底包 括對應於所述電光調製器波導的多個高速電極；以及 其中將所述基底上薄膜聚合物模片安裝到所述組裝基底上包括將所述電光調製器波 導與所述高速電極對齊。
61. 如權利要求49所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，還包含： 從基底上薄膜聚合物晶片切分所述基底上薄膜聚合物模片，從而通過切分鋸形成所述 電光調製器波導的輸入面和輸出面。
62. 如權利要求49所述的用於製造雙偏振正交光調製器的方法，還包含： 從基底上薄膜聚合物晶片形成所述基底上薄膜聚合物模片，使得通過刻劃所述基底上 薄膜聚合物晶片並且通過所述基底和所述薄膜聚合物傳播裂縫形成所述電光調製器波導 的輸入面和輸出面。
【文檔編號】H04L27/18GK104054311SQ201280066816
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2012年11月11日 優先權日:2011年11月11日
【發明者】餘國民, 喬納森·馬利亞裡, 埃裡克·米勒, 寶群·陳, 拉盧卡·迪努 申請人:吉高迅公司