兩頭磨削裝置及晶片的製造方法

2023-06-09 01:21:26 1

專利名稱：兩頭磨削裝置及晶片的製造方法
技術領域：
本發明涉及一種兩頭磨削裝置及晶片的製造方法，用以同時磨削矽晶片等的薄板狀晶片的兩面。
背景技術：
在採用了以例如直徑300mm為代表的大口徑矽晶片的先進組件(device)中， 近年來被稱為納米形貌(納米級形貌(nanotopography))的表面起伏成分的大小成為問 題。納米形貌是晶片的表面形狀的一種，其波長較彎曲、翹曲短，且其波長較表面粗糙 度長，並且表示0.2 20mm的波長成分的凹凸；其PV值為0.1 0.2 μ m的極淺的起伏 成分。此納米形貌被認為會影響組件工序中的淺溝槽隔離工序(Shallow trench isolation ； STD的成品率，對於成為組件基板的矽晶片，隨著設計規則的微細化，而被要求嚴格的 水平(level)。納米形貌在矽晶片的加工工序中產生。特別是在未具有基準面的加工方法中， 例如在線鋸切斷、雙面磨削中容易惡化，所以對於線鋸切斷中的相對的鋼線的蛇行、雙 面磨削中的晶片的歪曲的改善、管理等非常重要。在此說明使用以往的兩頭磨削裝置來實行的兩頭磨削方法。圖4是表示以往的兩頭磨削裝置的一個例子的概略圖。如圖4中的(A)所示，兩頭磨削裝置101具備保持器102，其沿著徑向從外 周側來支撐薄板狀晶片103，並可作自轉；一對靜壓支撐構件112，其位於保持器102的 兩側，沿著自轉的軸方向，從兩側根據流體的靜壓，以非接觸的方式來支撐保持器102 ； 以及一對砥石(磨石)104，其同時磨削已被保持器102支撐的晶片103的兩面。砥石 104，被安裝於馬達111上，而可高速旋轉。如圖4中的(B)所示，此保持器102設有突起部105，例如，與已形成在晶片 103上的凹槽等的切口部106 (用以表示晶片的結晶方位)卡合。此種使保持器102的突 起部105與晶片103的切口部106卡合而進行磨削的兩頭磨削裝置101，例如已被公開在 日本特開平10-328988號公報中。使用該兩頭磨削裝置101來磨削晶片103的兩面時，首先，使保持器102的突起 部105卡合於晶片103的凹槽106，並通過保持器102來支撐晶片103的外周部。此外， 通過使保持器102自轉，能使晶片103旋轉。另外，從兩側的各靜壓支撐構件112，供給流體至保持器102與靜壓支撐構件 112之間，於是可沿著自轉的軸方向，根據流體的靜壓來支撐工件保持器102。並且，使 用一種根據馬達111而高速旋轉的砥石104，來磨削如此地被保持器102及靜壓支撐構件 112支撐而旋轉的晶片103的兩面。

發明內容
但是，形成於晶片103上的凹槽106以及用以支撐晶片103的保持器102的突起部105(卡合於該凹槽)，由於分別只有一個，如上述般地進行晶片103的兩頭磨削的情 況，由於旋轉驅動而產生的應力，會集中於該一個凹槽106與突起部105。因此，容易使 晶片103的凹槽106周邊變形，在此狀態下，若進行兩頭磨削加工，則會發生晶片103的 起伏，即發生納米形貌，甚至會發生晶片103的破損。
關於晶片的破損，在日本特開平11-183447號公報中，已公開一種預知晶片發 生破裂的手段。但是，此手段，即便能預知晶片發生破裂來抑制其發生，也不是可改善 納米形貌的根本對策。另外，在為了使晶片不會變形而使保持器的突起部軟質化的情況下，由於突起 部的剛性不足；或是因為突起部往晶片的厚度方向變形，與砥石接觸而磨耗，而使剛性 劣化等，由此突起部的破損頻率增大。此時被加工的晶片，即便不會發生破裂，因為突 起部破損而喪失旋轉驅動性，因而無法均勻地磨削整個晶片面，所以無法成為合格的制 品，而會發生成品率低這樣的問題。本發明是鑑於上述的問題點而開發出來的，其目的在於提供一種兩頭磨削裝置 及晶片的製造方法，可抑制旋轉驅動應力集中於已形成在晶片上的一個凹槽及突起部， 並抑制所製造的晶片的凹槽周邊的變形，來改善納米形貌；另外，能降低晶片及保持器 的破損率，並能提高製品的成品率與降低裝置成本。為了達成上述目的，根據本發明，提供一種兩頭磨削裝置，至少具備環狀且 可作自轉的保持器，其對於具有用以表示結晶方位的凹槽的薄板狀晶片，具有與上述凹 槽卡合的突起部，且沿著徑向從外周側來支撐該晶片；以及一對砥石，其同時磨削已通 過上述保持器而被支撐的晶片的兩面；其特徵在於，在上述保持器上，除了與上述結晶 方位用的凹槽卡合的突起部以外，至少設有一個以上的突起部，並使該突起部與已形成 於上述晶片上的晶片支撐用的凹槽卡合，來支撐該晶片且使其旋轉，並利用上述一對砥 石，同時磨削上述晶片的兩面。如此，若一種兩頭磨削裝置，在上述保持器上，除了要卡合於上述結晶方位用 的凹槽中的突起部以外，至少設有一個以上的突起部，並使該突起部與已形成於上述芯 片上的晶片支撐用的凹槽卡合，來支撐該晶片且使其旋轉，並利用上述一對砥石，同時 磨削上述晶片的兩面，則能將在磨削時所發生的旋轉驅動應力分散至結晶方位用的凹槽 與一個以上的晶片支撐用的凹槽上，且能抑制所製造的晶片的邊緣部周邊的變形，並能 改善納米形貌；另外，能降低晶片及保持器的破損率，並能提高製品的成品率與降低裝 置成本。此時，優選設有一個以上的上述晶片支撐用的突起部的位置至少包含相對 於與上述結晶方位用的凹槽卡合的上述突起部的位置以上述保持器的中心軸圓對稱的位置。如此，若一種兩頭磨削裝置，設有一個以上的上述晶片支撐用的突起部的位置 至少包含相對於與上述結晶方位用的凹槽卡合的上述突起部的位置以上述保持器的中 心軸圓對稱的位置。則能更有效率地將在磨削時所發生的旋轉驅動應力，分散至結晶方 位用的凹槽與一個以上的晶片支撐用的凹槽上，且能更可靠地抑制所製造的晶片的邊緣 部周邊的變形，並能改善納米形貌；另外，能更可靠地降低晶片及保持器的破損率，並 能提高製品的成品率與降低裝置成本。
另外， 此時，優選設有一個以上的上述晶片支撐用的突起部與上述晶片支撐用 的凹槽卡合，該凹槽形成於晶片上且深度為0.5mm以下。如此，若一種兩頭磨削裝置，設有一個以上的上述晶片支撐用的突起部與上述 晶片支撐用的凹槽卡合，該凹槽形成於晶片上且深度為0.5mm以下，則該突起部能與芯 片支撐用的凹槽卡合來支撐晶片，而該凹槽能通過在後續工序中的倒角(chamfer)加工， 容易地除去。另外，本發明提供一種晶片的製造方法，對於具有用以表示結晶方位的凹槽的 薄板狀晶片，通過具有與上述凹槽卡合的突起部的環狀保持器，沿著徑向從外周側來支 撐該晶片並使其旋轉，並通過一對砥石，同時磨削上述晶片的兩面，其特徵在於，至少 包含第一工序，其在上述保持器上，除了要與上述結晶方位用的凹槽卡合的突起部以 夕卜，設置另外的突起部，並在上述晶片上，除了上述結晶方位用的凹槽以外，至少形成 一個以上的晶片支撐用的凹槽，用以與該突起部卡合來支撐晶片；第二工序，其使已形 成於上述晶片上的支撐用和結晶方位用的凹槽與對應這些凹槽的上述保持器的突起部卡 合，且從外周側支撐該晶片來使其旋轉，並利用上述一對砥石，同時磨削上述晶片的兩 面；以及第三工序，其通過倒角加工來除去上述晶片支撐用的凹槽。如此，若一種晶片的製造方法，至少包含第一工序，其在上述保持器上， 除了要與上述結晶方位用的凹槽卡合的突起部以外，設置另外的突起部，並在上述晶片 上，除了上述結晶方位用的凹槽以外，至少形成一個以上的晶片支撐用的凹槽，用以與 該突起部卡合來支撐晶片；第二工序，其使已形成於上述晶片上的支撐用和結晶方位 用的凹槽與對應這些凹槽的上述保持器的突起部卡合，且從外周側支撐該晶片來使其旋 轉，並利用上述一對砥石，同時磨削上述晶片的兩面；以及第三工序，其根據倒角加工 來除去上述晶片支撐用的凹槽，則能將在磨削時所發生的旋轉驅動應力分散至結晶方位 用的凹槽與一個以上的晶片支撐用的凹槽上，且能抑制所製造的晶片的邊緣部周邊的變 形，並能一邊改善納米形貌一邊製造出只具有必要的凹槽的晶片。另外，能降低晶片及 保持器的破損率，並能提高製品的成品率與降低裝置成本。此時，優選上述形成一個以上的晶片支撐用的凹槽的位置至少包含相對於上 述結晶方位用的凹槽的位置以上述晶片的中心軸圓對稱的位置。如此，若上述形成一個以上的晶片支撐用的凹槽的位置至少包含相對於上述 結晶方位用的凹槽的位置以上述晶片的中心軸圓對稱的位置。則能更有效率地將在磨 削時所發生的旋轉驅動應力，分散至結晶方位用的凹槽與一個以上的晶片支撐用的凹槽 上，且能更可靠地抑制晶片的邊緣部周邊的變形，並能更可靠地改善所製造的晶片的納 米形貌。另外，能更可靠地降低所製造的晶片及保持器的破損率，並能提高製品的成品 率與降低裝置成本。另外，此時，優選將上述形成一個以上的晶片支撐用的凹槽的深度設為0.5mm 以下。如此，若是將上述形成一個以上的晶片支撐用的凹槽的深度設為0.5mm以下， 則通過在後續工序中的倒角加工，便能容易地除去晶片支撐用的凹槽。在本發明中，針對兩頭磨削裝置，在保持器上設置突起部，並在晶片上，除了 結晶方位用的凹槽以外，至少形成一個晶片支撐用的凹槽，用以卡合該突起部來支撐晶片，並使已形成於晶片上的支撐用和結晶方位用的凹槽與對應這些凹槽的保持器的突起 部卡合，來從外周側支撐晶片並使其旋轉，並利用一對砥石，同時磨削晶片的兩面，然 後在之後的晶片的邊緣部的倒角工序中，根據倒角加工來除去晶片支撐用的凹槽，由 此，便能將在磨削時所產生的應力，分散於結晶方位用的凹槽與一個以上的晶片支撐用 的凹槽的區域以及與這些凹槽卡合的各個突起部的區域，且突起部不會破損，能抑制芯 片的凹槽周邊的變形，並能一邊改善納米形貌一邊製造出只具有必要的凹槽的晶片。另 夕卜，能降低晶片和保持器的破損率，並能提高製品成品率和降低裝置成本。


圖1是表示本發明的兩頭磨削裝置的一個例子的概略圖；圖1中的(A)是兩頭 磨削裝置的概略圖、圖1中的(B)是保持器的概略圖。圖2是表示本發明的兩頭磨削裝置的保持器自轉時的狀態的說明圖。圖3是表示晶棒的概略圖，此晶棒具有用以表示結晶方位的凹槽與晶片支撐用 的凹槽。圖4是表示以往的兩頭磨削裝置的一個例子的概略圖；圖4中的(A)是兩頭磨 削裝置的概略圖、圖4中的(B)是保持器的概略圖。圖5是表示實施例與比較例的結果的圖。
具體實施例方式以下，說明本發明的實施方式，但本發明並未被限定於此實施方式。以往，針對使用兩頭磨削裝置來進行的晶片的兩面的兩頭磨削，使保持器的突 起部與晶片的凹槽在一處卡合，並利用保持器來支撐晶片的外周部，而在該狀態下進行 磨削，在此情況中，因為由旋轉驅動而產生的應力會集中於此一個凹槽和突起部，所以 晶片的凹槽周邊容易變形，而存在晶片發生起伏即納米形貌，甚至是晶片或突起部破損 這樣的問題。因此，本發明人，為了解決此種問題而反覆地深入研究。結果，想到了以下的 事實而完成本發明。即當根據保持器來支撐晶片的外周時，通過使保持器的突起部與 晶片的凹槽在多處(二處以上)卡合，在磨削中便能分散要施加於晶片的凹槽上的應力 (此應力是由於旋轉驅動而產生)，並能抑制晶片的凹槽附近的起伏。圖1是表示本發明的兩頭磨削裝置的一個例子的概略圖。如圖1中的(A)所示，兩頭磨削裝置1主要具備保持器2，用以支撐晶片3 ； 以及一對砥石，用以同時磨削晶片3的兩面。此處，首先敘述保持器2。 圖1中的(B)表示能在本發明的兩頭磨削裝置中使用的保持器2的一個例子的概 要圖。如圖1中的(B)所示，保持器2主要具有環狀的環部8;支撐部9，其與晶片 3接觸，並沿著晶片3的徑向，從外周部來支撐晶片3;以及內齒輪部7，用來使保持器2 作自轉。另外，如圖2所示，為了使保持器2作自轉，配設有被連接於保持器用的馬達13 上的驅動齒輪10，此驅動齒輪10與內齒輪部7嚙合，而可通過馬達13來使驅動齒輪10旋轉，並經由內齒輪部7而使保持器2自轉。而且，如圖1中的(B)所示，從支撐部9的邊緣部，形成二個向內側突出的突起 部5。對於這些突起部5，其中一個是與用以表示晶片的結晶方位的凹槽6a卡合的突起 部5a;另一個則是與晶片支撐用的凹槽6b卡合的突起部5b。圖1中的(B)是表示形成 一個與晶片支撐用的凹槽6b卡合的突起部5b的例子，但是也可以形成2個以上的突起部 5b.如此，在多處使突起部5與凹槽6卡合，在兩頭磨削時使在凹槽6所產生的旋轉 驅動應力分散，由此，能防止應力集中於一處的凹槽，並能抑制各個凹槽周邊的變形。如此，本發明的兩頭磨削裝置1的晶片3的凹槽6與保持器2的突起部5在多處 卡合來支撐晶片3，於是能將保持器2的旋轉驅動傳達至晶片3。此處，保持器2的材質並沒有特別地限定，環部8例如能夠為氧化鋁陶瓷。如 此，若材質為氧化鋁陶瓷，則加工性良好，加工時也難以熱膨脹，因此，能高精度地被加工。另外，例如，支撐部9的材質可為樹脂，內齒輪部8及驅動齒輪10的材質可為 SUS,但是並未被限定於此這些材料。另外，砥石4沒有特別地限定，例如，與以往相同，能使用平均砥粒粒徑為 4μ m的粒度號#3000的砥石。進而，也可為粒度號#6000 8000這樣的高粒度號的砥 石。作為此例，舉出平均粒徑Iym以下的鑽石砥粒與玻璃化熔結材所構成的砥石。此 夕卜，砥石4被連接於砥石用的馬達11，成為可高速旋轉。根據此種兩頭磨削裝置1，使保持器2的突起部5a、5b卡合於晶片3的結晶方位 用的凹槽6a和晶片支撐用的凹槽6b，來支撐晶片3，且根據馬達13來使驅動齒輪10旋 轉，並通過內齒輪部7而傳達至保持器2，而一邊使晶片3旋轉一邊利用一對砥石4來同 時磨削晶片3的兩面，由此，便能將在磨削時會發生的由於旋轉驅動而產生的應力，分 散於結晶方位用的凹槽6a與一個以上的晶片支撐用的凹槽6b的區域以及與這些凹槽卡合 的突起部5a、5b的區域。因此，突起部5不會破損，能抑制所製造的晶片3的凹槽周邊 的變形，並能改善納米形貌，且能降低晶片3和突起部5的破損率，並能提高製品成品率 和降低裝置成本。此時，設有一個以上的要卡合於晶片支撐用的凹槽6b中的突起部5b的位置，優 選至少包含相對於與結晶方位用的凹槽6a卡合的突起部5a的位置以保持器2的中心軸圓 對稱的位置。此處，所謂的「相對於與結晶方位用的凹槽6a卡合的突起部5a的位置以 保持器2的中心軸圓對稱的位置」，是指突起部5a的位置與突起部5b的位置的中心角是 180°。如此，設有一個以上的晶片支撐用的突起部5b的位置，若至少包含相對於與結 晶方位用的凹槽6a卡合的突起部5a的位置以保持器2的中心軸圓對稱的位置，則在磨削 時能更有效率地分散要施加在晶片3的凹槽6和突起部5上的旋轉驅動應力，並能更可靠 地抑制所製造的晶片3的凹槽周邊的變形而改善納米形貌，且能更可靠地降低晶片和突 起部的破損率，並能提高製品成品率和降低裝置成本。另外，此時，設有一個以上的晶片支撐用的突起部5b，優選卡合於晶片支撐用 的凹槽6b中，該凹槽6b形成於晶片3上且深度為0.5mm以下。
兩頭磨削後 的晶片3，除了在後續工序中所需的凹槽以外，需要加以除去，艮口， 需要一邊使結晶方位用的凹槽6a殘留下來，一邊使晶片支撐用的凹槽6b全部除去。因 此，根據將晶片支撐用的凹槽6b的深度設為0.5mm以下，在後續工序中，當進行晶片的 邊緣部的倒角加工時，也能同時除去晶片支撐用的凹槽6b。此情況，本發明的兩頭磨削 裝置1的保持器2的突起部5b與已被形成在晶片3上的深度0.5mm以下的晶片支撐用的 凹槽6b卡合。另外，結晶方位用的凹槽6a的深度能設成比晶片支撐用的凹槽6b的深度更 深，即便施行倒角加工也不會被除去的深度。另外，如圖1中的(A)所示，能設置一對靜壓支撐構件12，其根據流體的靜 壓，對保持器2非接觸支撐(以非接觸的方式來支撐)。靜壓支撐構件12由保持器靜壓部及晶片靜壓部構成；該保持器靜壓部在外周側 對保持器2非接觸支撐；該晶片靜壓部在內周側對晶片非接觸支撐。另外，在靜壓支撐 構件12形成有用來使驅動齒輪10插入的孔，該驅動齒輪10可使保持器2自轉；與用 來使砥石4插入的孔。將此種靜壓支撐構件12配設在保持器2的兩側，在兩頭磨削時，通過一邊將流 體供給至靜壓支撐構件12與保持器2之間，一邊對保持器2非接觸支撐，能使用以支撐 晶片3的保持器2的位置穩定化，而能抑制納米形貌惡化。接著，說明本發明的晶片的製造方法。此處，針對使用圖1所示的本發明的兩頭磨削裝置1的情況，來加以說明。首先，除了結晶方位用的凹槽6a以外，在晶片3上形成一個以上的晶片支撐用 的凹槽6b，用以與保持器2的突起部5卡合來支撐晶片3。例如圖3所示，晶片支撐用的凹槽6b的形成能在晶棒的圓筒磨削工序中進行， 該工序是將晶棒14的晶身部(切片成晶片3之前)磨削成圓柱狀。另一方面，用以表示 晶片3的結晶方位的凹槽6a也能同樣地在此工序中形成。或者，也可在將晶棒14切片而作成晶片之後，在進行晶片3的邊緣部的粗倒角 的倒角加工工序中，形成晶片支撐用的凹槽6b。另外，如上所述般，預先在保持器2設置突起部5a、5b，用以與結晶方位用的 凹槽6a和晶片支撐用的凹槽6b卡合。接著，使用保持器2，使保持器2的突起部5a、5b與晶片3的凹槽6a、6b卡合， 並沿著晶片3的徑向，從外周側支撐晶片3。此處，兩頭磨削裝置1，在具備圖1所示的靜壓支撐構件12的情況下，將用以支 撐晶片3的保持器2，以靜壓支撐構件12與保持器2之間具有間隙的方式，配置在一對靜 壓支撐構件12之間，並從靜壓支撐構件12例如供給水這類的流體，來對保持器2非接觸 支撐。如此，通過一邊將流體供給至靜壓支撐構件12與保持器2之間，一邊對保持器 2非接觸支撐，在兩頭磨削時，能使用以支撐晶片3的保持器2的位置穩定化，並能抑制 納米形貌惡化，但是本發明的製造方法，對於有無此工序，並未加以限定。而且，使保持器2的多個突起部5與晶片3的多個凹槽6卡合，在支撐著晶片3 的狀態下，使保持器2自轉，由此來使晶片3旋轉，並使砥石4旋轉且分別抵接晶片3的兩面，來同時磨削晶片3的兩面。 如此地進行磨削晶片3，由此，便能將在磨削時所產生的應力，分散於結晶方位 用的凹槽6a與一個以上的晶片支撐用的凹槽6b的區域以及與這些凹槽卡合的突起部5a、 5b的區域，保持器2的突起部也不會破損，能抑制晶片3的凹槽周邊的變形，並能改善所 製造的晶片3的納米形貌。另外，能降低所製造的晶片3和突起部5的破損率，並能提 高製品成品率和降低裝置成本。此時，優選形成一個以上的晶片支撐用的凹槽6b的位置，至少包含相對於結晶 方位用的凹槽6a的位置以晶片3的中心軸圓對稱的位置。如此，形成一個以上的晶片支撐用的凹槽6b的位置，若至少包含相對於結晶方 位用的凹槽6a的位置以晶片3的中心軸圓對稱的位置，則在磨削時，能更有效率地分散 要施加在晶片3的凹槽6和突起部5上的旋轉驅動應力，並能更可靠地抑制晶片3的凹槽 周邊的變形而改善所製造的晶片的納米形貌。另外，能更可靠地降低所製造的晶片3和 突起部5的破損率，並能提高製品成品率和降低裝置成本。而且，對已進行兩面磨削後的晶片的邊緣部進行倒角加工。此時，當進行晶片 的邊緣部的倒角加工時，也同時除去以往所形成的晶片支撐用的凹槽6b。因此，優選形成一個以上的晶片支撐用的凹槽6b的深度為0.5mm以下。如此，若將形成一個以上的晶片支撐用的凹槽6b的深度為0.5mm以下，則通過 後續工序中的倒角加工，將該除去量設為0.5mm以上，由此便能容易地除去晶片支撐用 的凹槽6b。另外，結晶方位用的凹槽6a的深度能設成比晶片支撐用的凹槽6b的深度更 深，且即便進行倒角加工也不會被除去的深度。如以上所述，在本發明中，針對兩頭磨削裝置，在保持器上設置突起部，並在 晶片上，除了結晶方位用的凹槽以外，至少形成一個晶片支撐用的凹槽，用以卡合該突 起部來支撐晶片，並使已形成於晶片上的支撐用和結晶方位用的凹槽與對應這些凹槽的 保持器的突起部卡合，來從外周側支撐晶片並使其旋轉，並利用一對砥石，同時磨削芯 片的兩面，然後在之後的晶片的邊緣部的倒角工序中，通過倒角加工來除去晶片支撐用 的凹槽，由此，便能將在磨削時所產生的應力，分散於結晶方位用的凹槽與一個以上的 晶片支撐用的凹槽的區域以及與這些凹槽卡合的各個突起部的區域，且突起部不會破 損，能抑制晶片的凹槽周邊的變形，並能一邊改善納米形貌一邊製造出只具有必要的凹 槽的晶片。另外，能降低晶片和保持器的破損率，並能提高製品成品率和降低裝置成 本。以下，表示本發明的實施例和比較例，更具體地說明本發明，但是本發明並未 被限定於這些例子。(實施例)對直徑大約300mm的晶棒的晶身部，進行圓筒磨削(磨削成圓筒)，而在該圓筒 磨削工序中，形成一個用以表示晶棒的結晶方位的凹槽，此凹槽的深度為1.0mm，並在 相對於該結晶方位用的凹槽的位置以晶棒的中心軸圓對稱的位置，形成一個晶片支撐用 的凹槽，之後，對晶棒作切片加工而作出晶片，然後，使用圖1所示的兩頭磨削裝置， 依照本發明的晶片的製造方法，兩頭磨削15片這些晶片的兩面，之後，以大約0.5mm的除去量，對晶片的外周進行倒角加工，來除去晶片支撐用的凹槽。而且，測定所得到的 15片晶片的納米形貌。將其結果表示於圖5中。如圖5所示，相較於後述的比較例的結果，已知改善 了納米形貌。另外，針對全部的晶片，在邊緣部分沒有發生破損。由此，根據使用本發明的兩頭磨削裝置及晶片的製造方法，能改善所製造的芯 片的納米形貌；另外，已確認能降低破損率並能提高製品成品率與降低裝置成本。(比較例) 使用圖4所示的以往的兩頭磨削裝置，除了僅將用以表示結晶方位的凹槽與保 持器的突起部卡合以外，利用與實施例1同樣的條件，進行晶片的兩頭磨削，然後與實 施例同樣地測定晶片的納米形貌。將結果表示於圖5中。如圖5所示，相較於實施例，已知納米形貌的結果惡化。此外，本發明並未被限定於上述實施方式。上述實施方式為例示，只要是具 有與被記載於本發明的權利要求中的技術思想實質上相同的構成，能得到同樣的作用效 果，不論是何種形態，皆被包含在本發明的技術範圍內。
權利要求
1.一種兩頭磨削裝置，至少具備環狀且可作自轉的保持器，其對於具有用以表示 結晶方位的凹槽的薄板狀晶片，具有與上述凹槽卡合的突起部，且沿著徑向從外周側來 支撐該晶片；以及一對砥石，其同時磨削已通過上述保持器而被支撐的晶片的兩面；其 特徵在於，在上述保持器上，除了與上述結晶方位用的凹槽卡合的突起部以外，至少設有一個 以上的突起部，並使該突起部與已形成於上述晶片上的晶片支撐用的凹槽卡合，來支撐 該晶片且使其旋轉，並利用上述一對砥石，同時磨削上述晶片的兩面。
2.如權利要求1所述的兩頭磨削裝置，其特徵在於，設有一個以上的上述晶片支撐用 的突起部的位置至少包含相對於與上述結晶方位用的凹槽卡合的上述突起部的位置以 上述保持器的中心軸圓對稱的位置。
3.如權利要求1或2所述的兩頭磨削裝置，其特徵在於，設有一個以上的上述晶片 支撐用的突起部與上述晶片支撐用的凹槽卡合，該凹槽形成於晶片上且深度為0.5mm以 下。
4.一種晶片的製造方法，對於具有用以表示結晶方位的凹槽的薄板狀晶片，通過 具有與上述凹槽卡合的突起部的環狀保持器，沿著徑向從外周側來支撐該晶片並使其旋 轉，並通過一對砥石，同時磨削上述晶片的兩面，其特徵在於，至少包含第一工序，其在上述保持器上，除了要與上述結晶方位用的凹槽卡合的突起部以 外，設置另外的突起部，並在上述晶片上，除了上述結晶方位用的凹槽以外，至少形成 一個以上的晶片支撐用的凹槽，用以與該突起部卡合來支撐晶片；第二工序，其使已形成於上述晶片上的支撐用和結晶方位用的凹槽與對應這些凹 槽的上述保持器的突起部卡合，且從外周側支撐該晶片來使其旋轉，並利用上述一對砥 石，同時磨削上述晶片的兩面；以及第三工序，其通過倒角加工來除去上述晶片支撐用的凹槽。
5.如權利要求4所述的晶片的製造方法，其特徵在於，上述形成一個以上的晶片支撐 用的凹槽的位置至少包含相對於上述結晶方位用的凹槽的位置以上述晶片的中心軸圓 對稱的位置。
6.如權利要求4或5所述的晶片的製造方法，其特徵在於，將上述形成一個以上的芯 片支撐用的凹槽的深度設為0.5mm以下。
全文摘要
本發明是一種兩頭磨削裝置，至少具備環狀且可作自轉的保持器，其對於具有用以表示結晶方位的凹槽的薄板狀晶片，具有與上述凹槽卡合的突起部，且沿著徑向從外周側來支撐該晶片；一對砥石，其同時磨削已通過上述保持器而被支撐的晶片的兩面；在上述保持器上，除了與上述結晶方位用的凹槽卡合的突起部以外，至少設有一個以上的突起部，並使該突起部與已形成於上述晶片上的晶片支撐用的凹槽卡合，來支撐晶片且使其旋轉，並利用上述一對砥石，同時磨削上述晶片的兩面。由此，可提供一種兩頭磨削裝置及晶片的製造方法，在兩頭磨削中，能抑制晶片的凹槽周邊的變形來改善納米形貌，且降低晶片及保持器的破損率，並能提高製品的成品率與降低裝置成本。
文檔編號B24B7/17GK102026774SQ20098011694
公開日2011年4月20日 申請日期2009年4月20日 優先權日2008年5月22日
發明者加藤忠弘, 小林健司 申請人:信越半導體股份有限公司