可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法

2023-06-05 08:22:01

專利名稱：可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法
技術領域：
本發明是關於一種磁碟驅動器，特別是關於一種可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法。
技術背景現有的磁碟驅動器中磁碟的表面附著一層磁性物質，利用該磁碟上的圓形軌道把信息存儲在磁碟上。當同時使用多個磁碟時，這些磁碟就形成一圓柱體狀。對於這種物理結構，當設計者要提高磁碟的存儲容量時可以通過提高單磁軌上的數據存儲量或通過增加磁軌的數量。但常用磁碟驅動器的設計者一直都是使用固定數量的磁軌(或柱面)來獲得最大的存儲容量。
在現有的技術中，每片磁碟表面都會被分成存儲區和區段位標誌兩部分，利用區段位標誌可以將磁碟表面的各存儲區域垂直地排列。例如美國專利第4,799,112號中就描述了這種工業應用中常見的區位碼存儲存儲技術。在該技術中，磁碟表面的存儲區及與該存儲區對應的存儲頻率是一個常數，然而從一個存儲區到另一個存儲區的讀/寫頻率是不同的。如圖1所示即是磁碟堆棧中的磁碟一和磁碟二上的存儲區Z1、Z2和Z3，從圖1可以看出兩張磁碟的各個存儲區是垂直對齊的，存儲區的邊界是按照從磁碟的中心線C到R1-R4的徑向距離進行劃分的。必須指出的是堆棧中這些磁碟的中心線C是在同一直線上的，且各個磁碟上對應存儲區的讀/寫頻率是相同的，即磁碟一上的Z1存儲區的讀/寫頻率與磁碟二的Z1存儲區的讀/寫頻率是相同的。每一存儲區的存儲頻率是根據設計階段的不同參數進行設定的。該存儲頻率是基於預期的讀/寫頭性能進行設定以獲得所需的存儲容量，而每個存儲區中的磁軌數則基於後續將討論到的因素進行設定。
分區的配置也是基於對驅動器的物理尺寸如行程參數的考慮(詳後述)，如不良的磁頭特性，飛高特性，區域效能和組裝後的性能。磁頭的性能是根據在特定頻率下的磁軌偏離誤碼率來進行判斷的。磁軌偏離誤碼率是指在預設偏離下對數據進行讀取時平均每傳輸多少位將有一位出錯，這裡以磁頭位置偏離磁軌10％進行說明。圖2即是這種磁頭的性能曲線。其中X軸代表讀/寫頻率，Y軸代表磁軌偏離誤碼率的對數，如圖2所示，fR是磁頭的平均工作頻率，例如20MHz。磁碟驅動器設計者定義了一個容許的最小磁軌偏離誤碼率，在圖2中標示為虛線TH，此處磁軌偏離誤碼率的對數為6(即每傳輸1000000比特數據會有1比特的數據傳輸錯誤)。圖2中的標號為7的斜線表示一般磁頭的性能曲線，並可因為磁頭的設計而發生上下移動。在現有技術中，磁碟的整體性能取決於各個磁頭的該項指標是否達到最小的TH值，如果磁碟堆棧中任何一個磁頭沒有達到最小的TH值，那麼這種磁碟就不能出貨，將要進行返工，包括更換壞磁頭或磁碟、重寫伺服信息及重新測試驅動器。
圖3中顯示了假定的HD#1、HD#2、HD#3、HD#4磁頭在平均操作頻率fR的性能，磁頭HD#1磁軌偏離誤碼率的對數約等於5.5，而磁頭HD#2大約接近6.5，磁頭HD#3為7.9，磁頭HD#4接近8.5。按照上述的結論，由於磁頭HD#1磁軌偏離誤碼率的對數低於可接受的最小磁軌偏離誤碼率的對數，因此該磁碟將不能使用。
另一個現有的設計標準是利用磁頭的行程。典型的數值被用來測試磁碟驅動器，如果實際的行程不能勝任說明書的要求，那麼就不會被寫入預期的磁軌數量，該磁碟驅動器也就不合格。通常情況下，該磁碟驅動器需要重新加工，包括替換或調整急停帶，再重新寫入伺服信息並重新檢測。
圖4是兩種現有的使用指定的最小的容許行程和第二種只在單面偵測的分析圖，曲線OCS和ICS分別是期望的外急停帶和內急停帶的位置機械分差分布圖，其磁碟驅動器的分差值是3σ。圖4A中，曲線OCS和ICS中心的垂直線是該分布曲線的平均值，在現有技術中，磁碟的伺服數據在急停帶被設置之前就已經寫入磁碟，如果內外急停帶的位置分差是σ2，那麼磁碟驅動器的平均位置的損失是6σ，這種偵測出一個急停帶後就將數據寫入磁軌直到偵測出另一個急停帶的平均位置損失是 在前述的兩種技術中，都有一些可用於存儲數據的位置損失掉。在現有的產品中，在設計階段就將存儲區的存儲區表、存儲區邊界、各存儲區的頻率和詳細的磁軌數量都確定了下來，這樣就產生了如圖1所示的整齊劃一的存儲區。在以後的產品中，磁碟驅動器中的存儲區表設計成有時可變化的形式，然而這種變化中的存儲區邊界和讀/寫頻率還是保持不變的。
除了前述現有的磁碟設計的標準以外，磁軌的數量或磁軌間距都是建立在預先期望的磁軌寬度和使用的讀/寫傳感器類型的基礎上的。如果磁頭實際寫入的寬度小於預計的寬度，那麼就會浪費許多本可以用來存儲數據的存儲空間。

發明內容本發明所要解決的技術問題在於提供一種不同的存儲區利用不同的讀/寫頻率的讀/寫傳感器來存儲和取出數據信息的方法。
本發明另一個所要解決的技術問題在於提供一種通過讀/寫傳感器在磁媒質上確定信號存儲寬度的方法。
本發明所要解決的技術問題是通過以下技術方案實現的本發明是利用一系列的磁碟，每一個磁碟利用可適應的存儲區存儲技術，在各磁碟性能不等的情況下卻能夠產生一般的存儲特性，其數據在不同的存儲區利用不同的讀/寫頻率進行存儲，而且其各存儲區的邊界規劃也是不同的。存儲區邊界和各存儲區的讀/寫頻率是建立在讀/寫傳感器和磁碟表面特性的基礎上的。同樣的，相同磁碟表面的各存儲區邊界的也不需要對齊。除不同的存儲頻率的讀/寫傳感器的存儲特性參數之外，存儲信號的磁軌寬度也被測量出來，用於最大化磁碟的存儲容量。
本發明的磁碟驅動器是通過利用存儲密度不同的磁軌來獲得一個固定的存儲容量的，並且本發明可以使用較長的行程，因此可以大大增加磁碟驅動器的容量。
本發明的優點就是磁碟驅動器可以利用一般性能的磁頭磁碟組合和驅動組件，甚至一些低於最低性能標準的磁頭或存儲介質，其可以利用性能較佳的磁頭的優點去彌補性能較差的磁頭所帶來的缺陷。由於分區結構及與各個存儲區對應的頻率是基於性能的要求及磁頭磁碟組合的特性而建立的，因此即使在同一系列的驅動器中，各個驅動器的存儲區分區結構也是各不相同的。
這種可變分區方法能夠更有效的利用各種磁碟組件，由於驅動器內部的各個磁頭磁碟組合之間的性能各有不同，因此能夠在相同組件的條件下達到更高的合格率。因此這種技術對磁頭磁碟組合的適應性使製造具有較大的柔性。且由於磁碟驅動器的最終目的是提供給用戶一個與該系列對應的存儲特性，因此並不要求各個磁碟驅動器內部採用同樣的存儲區分區結構。

下面參照附圖結合實施例對本發明作進一步的描述。
圖1是一對現有磁碟的存儲區結構圖。
圖2是磁軌偏離誤碼率的對數與讀/寫頻率的坐標圖。
圖3是假想的一個四磁頭磁碟驅動器的磁頭性能圖。
圖4A是現有的磁頭行程設計標準的圖示。
圖4B是本發明磁頭行程設計改良的圖示。
圖5A是本發明在假想磁頭性能測試和存儲結構的操作頻率改變之間的對比結果圖。
圖5B是本發明另一種磁頭操作頻率的變化和另一種存儲結構對比圖。
圖6是本發明磁碟的第一磁表面和第二磁表面的存儲區結構圖。
圖7是本發明其中兩個磁頭的各存儲區的磁軌數的查找表。
圖8是本發明的一對同軸磁碟的可變存儲區結構。
圖9是本發明的一對同軸磁碟的相同存儲區結構。
圖10是本發明展示了兩條分布曲線，其中一條是採用常用行程的磁頭性能曲線，而另一條是採用改良行程的磁頭性能曲線。
圖11是依照本發明標準的磁碟和磁頭性能而成的存儲區結構。
圖12A是本發明可變存儲區結構的一種具體實施流程圖。
圖12B是本發明可變存儲區結構的另一種具體實施流程圖。
圖12C是本發明可變存儲區結構的另一種進一步具體實施流程圖。
圖12D是本發明可變存儲區結構的第三種具體實施流程圖。
圖13A是本發明一種具體實施例的存儲區邊界計算方法和可變分區方法的流程圖。
圖13B是本發明另一種具體實施例的存儲區邊界計算方法和可變分區方法的流程圖。
圖13C是本發明第三種具體實施例的存儲區邊界計算方法和可變分區方法的流程圖。
圖14是本發明使用可變存儲區結構磁碟驅動器的俯視圖。
圖15是本發明的磁軌寬度測試的部分磁碟平面圖。
圖16-23是本發明可變存儲區結構的進一步具體流程圖。
圖24和圖25是本發明利用磁軌寬度作為磁碟組裝參數的兩個具體實施例的流程圖。
圖26-30是本發明附加的具體實施的流程圖。
具體實施方式如前所述，現有的存儲區是固定的，並且對這些存儲區預先設定了固定的頻率。如圖1所示，Z1、Z2和Z3區的半徑是相對於磁碟中央(如點C)。如果單個的磁頭性能低於最小誤碼率(如圖3所示)，那麼磁碟將不會具有充分的特性餘量，也不能滿足可以接受的位誤碼率規則。在本發明的實施例中，分區是基於磁頭特性的測量結果進行的，且分區可以根據磁碟與磁頭的組合數量及碟片的存儲密度達到驅動器所需的性能等級，並保持所需的容量。
如果磁頭/磁碟組合的存儲密度是一個平均值為μ，分差為σ2的正態分布，那麼N個磁頭/磁碟組合的平均密度能力則呈均值為μ，公差為σ2/N的正態分布。因而現有技術中的驅動器設計(如圖1中所示的)的密度則應設置為d-32---(2)]]>為了確保3倍的σ輸出，其中μ是必須是所有磁頭的中央分布點。但如果採用本發明中的相應區域的分區方法，則可以提高較好的磁頭的存儲密度並降低較差磁頭的存儲密度，整體的密度d可設為d-32N---(3)]]>增加的密度為d=3(1-1N)---(4)]]>如果σ＝0.05(μ)，那麼磁碟密度將會增加7.5％。圖12A所示的即為本發明實施例中採用相適應分區方法的磁碟驅動器的組裝步驟的流程圖。在構造使用第一實施例相適應方法的磁碟驅動器時，首先構造的是磁碟/磁頭組合，如方框圖1201所示。然後，使用常用的伺服磁軌寫入器將伺服信息寫入磁碟中的磁軌(如方框圖1202所示)，伺服信息可以被寫入專用的伺服表面或嵌入式的伺服器中。對於植入的伺服器，在美國專利第5,321,560號，名稱為「低能耗植入伺服系統的磁碟」中有詳細的介紹。接著如模塊1203所示，將該磁頭磁碟組合與相應的電路板組合以備測試。再下一步，磁頭移動到內環急停帶，同時查明該位置的磁軌號(如模塊1204)。當內部急停帶被固定下來，磁頭移動到外部急停帶，同時存儲下該位置的磁軌號(如模塊1205)。
接著，磁碟中每一個磁頭的存儲性能被測量出來，用以決定各磁頭的密度容量(如模塊1206)。在此磁頭/磁碟性能的測試基礎上，判斷這些磁頭的讀/寫頻率是否達到全部的性能目標，例如判斷其性能是否位於圖5A、圖5B中斜線的下方。利用上述所獲得的磁頭性能信息，每一個磁頭/磁碟組合產生一個相應的存儲區結構，圖13A中展示了如何根據各個磁頭的不同性能特性，在各個磁頭磁碟組合上產生不同的存儲區結構的流程圖，其具體流程後述。
圖12B是本發明的磁碟驅動器使用可變分區技術的另一種實施方法，圖12B的技術實現在許多步驟上和圖12A是一樣的，但在圖12B的過程中，分區的進行是建立在測量所得的可利用行程的基礎上的。在此過程中，這裡假定所有的磁頭的容量能力均能達到一個平均標準。其中圖12B的流程中的圖13B的流程是用來進行存儲區結構的設計，其中值得注意的是圖13B的第一步，即模塊1301-1中的預先基於預期的磁頭性能設定了一個參考頻率fRef，而不是象圖12A那樣採用的是校正後的讀/寫頻率，而圖13B中其餘的步驟則與圖13A相同。該技術的優越性在於它不象現有技術那樣採用的是一個假定的可利用磁軌數，且現有技術中的存儲區邊界的設定並沒有考慮到驅動器與驅動器之間真實可利用的行程不同的事實。
圖12C是本發明利用自適應分區技術建立磁碟的另一具體實施例。如圖12C中用於測量磁頭密度能力及將讀寫頻率調整至適當的頻率的模塊1206與圖12A的模塊1206是相同的。然而在圖12C的過程中，內環的緊急停止位置與外環的緊急停止位置並沒有進行事先的測量，該流程假定一個給定的行程是可供利用的，當存儲區分區過程(如圖13A所示)應用於圖12C所示的流程時，其內環半徑與外環半徑是基於預期可使用的行程進行設定的，而不會象圖12A中那樣進行測量。
圖12A和12C中基於磁頭與磁碟表面的共同工作特性(模塊1206)，對磁頭密度容量能力進行測試並將其調校至一適當值，本發明的磁碟的存儲區邊界和對應的存儲區存儲頻率也可類似地按照圖12D所示的流程建立起來。當使用如圖12D所示的建立程序時，其分區邊界及與存儲域對應的頻率的建立是採用如流程圖13C所示的步驟，其中圖12D所示的第一步是對磁頭和存儲媒質表面進行檢測(如模塊1200所示)，在測試和刻畫磁頭特性時，要組裝的磁頭將要與一標準磁碟媒質配合使用並進行測量，其測量流程如與圖12A及圖12C所示，且測得的磁頭的性能被註明並被存儲下來，類似地，要組裝的磁碟將與一個標準磁頭配合使用，且每一表面在與標準磁頭配合使用的表現出來的性能將得出這個磁碟的性能等級，該磁碟等級信息亦會被存儲下來以待將來與磁頭組合時使用。在磁頭和磁媒質表面的特性被測得後，再將經測試後的磁頭與磁碟(模塊1200-1)組裝起來，餘下的步驟則如模塊1202，1203，1204和1205所示。
圖13C所示即是流程圖12D中對存儲區邊界和頻率進行計算和測定的方法，其第一步是模塊1302-2，由於在模塊1200(圖12D)中已經得到磁頭和磁碟的特性，因此就可以得出參考頻率fRef，然後再將參考頻率fRef代入等式6中得出模塊1302中的頻率比，當所有目標存儲區所使用的頻率比被計算出來後，圖13C的其餘步驟與圖13A和13B相同。
當存儲區邊界結構完成後，所有存儲區中讀通道的過濾器被最優化(模塊1208)，此時磁碟將測試是否有缺陷的扇區存在，如果有，磁碟就會進行重新格式化以備份有缺陷的扇區。如模塊1209所示。在保證了磁碟重新格式化後有效的預防了有缺陷的扇區後，最後的測試就會執行(模塊1210)，該磁碟就準備運行了。
在HDA(磁頭磁碟組合)組裝之前的磁軌寬度測量在現有技術中，目前磁碟設計者已經設想出了指定寬度的磁軌，並利用讀/寫傳感器寫入信息。在磁碟的格式化中，每一磁碟表面設置一期望的磁軌數量。磁碟容量的進一步改進或許可以先測量實際磁軌的寬度，利用這一信息格式化磁碟表面來達到。利用可變的存儲區結構和具有附加的可利用的磁軌來達到改進存儲容量的目的。
請參考圖15以配合下面對本發明的磁軌寬度測量的解釋，磁碟50是部分直徑的透視圖，內直徑為51，外直徑為52。在由讀/寫傳感器決定單磁軌的磁軌寬度時，一種數據模式被寫入磁軌t中，該磁軌的中心線標誌為53。雖然磁軌t被任意地設置於磁碟表面的不同位置，但其被置於靠外邊緣的數據區會更適宜。寫入的測試模型應該更適合於固定振幅的固定頻率NRZ信號，該測試模式的頻率更適合於在或接近於最高存儲頻率，一種可以被利用在測試磁軌寬度的技術是利用任意狀態，萬向接頭組合(HGA)測試器來固定讀/寫傳感器於磁碟50上的。
接著，存儲的測試模式被讀取出來，測量信號的振幅被存儲起來做進一步的使用。在測量並存儲了磁軌t讀取的信號振幅以後，讀/寫傳感器移動到磁軌t+1上，中心線54距離磁軌t的中心線為d，距離d是最初建立的期望最小的讀/寫傳感器的磁軌寬度，如果讀/寫傳感器的實際寫的磁軌寬度比最小的期望磁軌寬度大，那麼在隨後的測量中，距離d就會被增加。當讀/寫傳感器在磁軌t+1時，一個直流清除信號被寫入。接著讀/寫傳感器移動到磁軌t-1，其磁軌中心線標誌為55。同上所述，距離d是期望最小的讀/寫傳感器的磁軌寬度，一個直流清除信號被寫入。寫入的直流清除信號可以保證磁軌t旁邊的磁軌寬度的距離比期望的磁軌寬度稍微寬一點。
讀/寫傳感器接著返回到磁軌t上的原始位置，測試模式被讀入，測試模式信號的振幅存儲下來用於與先前直流清除信號檢測出來的測試模式信號的振幅相比較。
現在，比較是在直流清除信號寫入的前後，磁軌t上讀取信號的振幅之間進行，用直流清除信號寫入後的振幅與直流清除信號寫入前的振幅相比，該比率可用於決定信號的殘餘比。
信號殘餘比被註明並且萬向接頭組合(HGA)也使用圖形比例註明或註明百分比範圍。其它的HGA也使用殘餘信號百分比進行同樣的初始化，在此基礎上，他們被分離成不同的組。為了最大化來自一個區的存儲密度，磁碟被裝配使用帶有相同磁軌寬度的讀/寫傳感器的萬向接頭組合(HGA)。例如一組HGA在每英寸5500磁軌的HDA(磁頭磁碟組合)組合中，讀/寫傳感器具有80％或更高的振幅保持力，磁頭具有剩餘信號振幅的60％到80％將被使用到每英寸5000磁軌的HDA中，磁頭具有剩餘信號振幅的40％到60％將被使用到每英寸4500磁軌的HDA中，磁頭具有20％或更少的剩餘信號的將不會被使用。
作為選擇，或許光技術可以成為存儲磁軌寬度性能主要技術，它優於利用HDA(磁頭磁碟組合)來進行處理的方式。在使用光學方式時，磁軌的縫隙寬度或許可以在其滑動平面被觀察到，以一個組的磁軌的縫隙寬度為例，其寬度在4.3微米以下的磁碟具有每英寸5500磁軌，其磁軌的縫隙寬度在4.3微米到4.7微米的磁碟具有每英寸5000磁軌，其磁軌的縫隙寬度在大於4.7微米的磁碟具有每英寸4500磁軌。
在上述的兩種技術中，讀/寫傳感器的磁軌寬度特性是在磁碟組合時事先被確定下來的。這樣就允許一組的讀/寫傳感器具有相似的特性，可以最大化磁碟的存儲容量。這樣即使在使用了一個或更多的低性能磁頭時也不會有存儲容量的丟失，這就是當HDA(磁頭磁碟組合)建立在具有磁軌寬度信息的讀/寫傳感器上的好處，這種情況需要使用的磁軌間距建立在讀/寫傳感器具有低的磁軌密度容量的基礎上。
在HDA(磁頭磁碟組合)組裝之後的磁軌寬度測量該磁軌寬度性能在HDA建立後可以被測試，並且首先將伺服信息寫入到每一磁面的磁軌上，或者磁面上的伺服信息可用來利用共同的傳動裝置控制所有的磁頭。在該方法中，當多個磁頭配合磁軌表面組合到HDA中時，每一個磁頭的磁軌寬度性能被確定下來，每一個讀/寫傳感器在上述的處理中被設置具體特性，除了一個寫入器在處理測試磁軌的寫入時被用來移動到每一個讀/寫傳感器以外，還在測試磁軌的另一面具有一清除信號，利用讀/寫傳感器在殘餘信號與原始信號的比率特性之後，再次存儲磁軌寬度的特性。在每一讀/寫傳感器的特性被存儲之後，在適應低磁軌密度容量的讀/寫傳感器的基礎上，每一組的磁軌間距被確定下來，接著利用寫入器將伺服信息寫入到磁碟堆棧的磁軌中。作為選擇，在專用的伺服表面，伺服信息當然的被寫入到專用伺服面的磁軌上。上述的磁軌寬度特性可利用標準的伺服磁軌寫入器來執行。
利用讀/寫傳感器測量出來的磁軌寬度參數、存儲磁頭密度容量的測量和讀/寫存儲頻率的判斷來提供改進了的性能，而不是現有技術中所使用的方法。圖16，17，18和19是磁碟在讀/寫傳感器的磁軌寬度測量的基礎上，利用可變的存儲結構和磁軌間距的HDA裝置的流程圖。在圖16中組裝過程1601的第一步中，磁頭的磁軌寬度或使用的磁頭就被確定下來，在1201-2中HDA使用預先選擇的讀/寫傳感器被裝配在一起，如上所述，使用排序的方法以提供磁碟最大的優勢，所有的HDA使用相似特性的磁軌寬度磁頭。
當磁碟被裝配完成以後，HDA被放置在伺服磁軌寫入器上，這時與磁軌寬度性能相一致的伺服信息被寫入到磁軌間距中，在圖16中1602模塊之後的步驟與圖12A中1202模塊之後的步驟相同。
圖17是一個變更了的磁碟組裝流程，是利用磁頭的磁軌寬度和可變行程的測量來證明。圖17的1601和1602與圖16的1601和1602相同，先假設讀/寫性能按照所有磁頭的平均頻率性能，圖13B流程圖是用來數據存儲區的設計。
圖18是本發明另一實施例的流程圖，圖18和圖16有很多相同的地方，然而一個顯著的不同是在圖18中，內部急停和外部急停的測量是不會被執行的，它只被假定為有一個平均的行程被利用到。
在圖19中，一個現有磁頭磁軌寬度的磁碟被組合在一起，並且磁頭的讀/寫性能被特性化，如模塊1200所示，磁碟的特性化是建立在標準磁頭的使用和關於標準磁頭的磁表面的品質率。磁碟表面的品質被存儲下來，以便與磁頭相配合時該品質率能夠被利用到。與圖12D相比較只有幾個一般的步驟被使用到，而且圖19的步驟優於圖12D的步驟，因為由於使用的磁頭的磁軌寬度是確定的，使用磁軌的最大數量會被寫入到磁碟表面(模塊1602)，以此來提高其存儲容量。這些將會被註明在模塊1201-3中，讀/寫傳感器在其讀/寫性能的存儲頻率和其磁軌寬度特性的基礎之上，HDA與讀/寫傳感器被組合在一起。
在圖16-19的過程中，讀/寫傳感器的磁軌寬度或者在獨立的滑動水平，或者在HGA水平被偵側出來，類似性能的磁頭被使用在磁碟組合當中，這些特點有利於磁軌密度的最大化，其優於在組裝之前就對磁軌寬度進行的測量。磁頭和磁碟的堆棧組合在一起，堆棧中每一個磁頭的磁軌寬度都可以利用上述步驟被偵測出來。圖20是利用這種技術的一個實施例的流程圖，在模塊1201中，HDA被組裝在一起，但其各元件並不需要特別的檢測以獲取其特性。在模塊2000中，各磁頭的磁軌寬度利用上述步驟被偵測出來，利用伺服寫入器將信息寫入到磁軌上，對於磁碟使用多個磁頭的情況，為了配合使用低性能的讀/寫傳感器(較寬的寫入磁軌)，各磁軌間距使用相應的的間距被建立起來(模塊2001)，其餘的步驟模塊與圖12A的步驟一樣。
更進一步的實施例如圖21所示，其除了模塊2000和2001與圖12A不同外，其餘的步驟和圖12A一樣。
更進一步的實施例如圖22所示，其與圖12C非常相似，其磁頭的磁軌寬度的偵測和伺服信息的寫入與圖20和圖21的步驟一樣，其餘步驟與圖12C相同。
另一個實施例如圖23所示，其和圖20-22一樣，磁頭的磁軌寬度是在HDA(磁頭磁碟組合)組合之後被偵測出來的，堆棧磁軌間距的偵測和伺服磁軌寫入適合磁頭的間距在模塊2001中完成，與圖12D相比較，除模塊2000和2001不同以外，其餘的步驟都是相同的。
在上述的例子中，適應帶存儲技術是依據磁頭的讀/寫頻率性能，被用來提供給不同的存儲結構，在一些實施例中，磁頭磁軌寬度的附加因素也與適應帶結構技術一同被加以利用。圖24和25是進一步的實施例，其磁頭的磁軌寬度被測量出來，而磁軌間距是建立在測量出來的磁頭磁軌寬度的基礎之上的。使用這種技術，可以使磁碟的存儲容量得到提高。圖24模塊1601中，磁頭的磁軌寬度特性是被電子技術或光子技術或其他技術偵測出來，接著將HDA(磁頭磁碟組合)組合在一起，在磁軌上寫入伺服信息。HDA(磁頭磁碟組合)此時與電路板緊密相連(模塊1203)，並且數據存儲區的結構在與其相配合的磁頭讀/寫頻率特性的基礎上被建立起來(模塊2401)。而現有技術中，存儲區的邊界在碟與碟、面與面之間都是對齊的。接著所有的存儲區的讀通道被最優化(模塊1208)，然後驅動器的保證和備份的偵測(模塊1209)，最後是驅動器的最後測試(模塊1210)。
在上述的例子中，磁碟是使用被預先設置好縫隙寬度的讀/寫傳感器和預選好的範圍內的縫隙寬度(例如圖16-19和圖24)，更進一步的讀/寫傳感器的磁軌寬度的測量如圖26-30所示，其在相同的組裝過程中，在模塊1601和2000中可選擇一個執行。模塊2000如上所述，在HDA(磁頭磁碟組合)組裝之後對扇區磁軌寬度的進行測量，使用第二次測量的磁軌寬度確定適當的磁軌間距，以避免出現如果預測的讀/寫傳感器特性被錯誤的標誌，或其他方面的原因導致的錯誤的磁軌寬度。這些是在圖16-19和圖24中所沒有揭露的，也不需要第二次的測量磁軌的寬度。
圖25是另一磁頭的磁軌寬度在HDA(磁頭磁碟組合)組裝之後進行確定的實施例，磁軌寬度的確定(模塊2000)已經描述過了，寫入伺服信息(模塊2001)也同前一樣，其餘的步驟就和圖24是一樣的了。
請參考圖5A，是用圖例來介紹本發明的磁頭存儲密度被調整來提高整體的存儲密度的，一個四磁碟的堆棧和圖示的沿垂直軸fR形成的圓圈，一個磁頭(HD#1)磁軌偏離誤碼率的對數約等於5.5(低於可接受的磁軌偏離誤碼率對數的最小極限值6)，而磁頭HD#2大約接近6.5，磁頭HD#3為7.9，磁頭HD#2接近8.5。磁頭的性能可以在任何磁軌位置被測量到，從而獲得每一個磁頭在頻率fR處的磁軌偏離誤碼率的對數，然而磁碟表面中間的磁軌被用來提供理想的位置以獲得該磁碟的性能數據。進一步確定傳感器的誤碼率信息的技術，可參考美國專利第5,408,367號，另一種測量磁頭性能的技術可以使用在本發明中。
使用現有的標準在傳統的格式下設置存儲存儲區時，如果有一個磁頭的性能沒有達到最小的TH標準，磁碟可能不會正常工作。然而，通過降低性能較差的磁頭的讀/寫頻率和提高性能較高的磁頭的讀/寫頻率，磁碟的存儲密度就會得到明顯的改善。存儲密度的改善不僅可以提高磁碟容量，還可以提高磁碟的合格率。
如圖5A所示，在磁頭被賦予的操作頻率上，LOBER(磁軌偏移誤碼率的常用對數)的平均值被計算出來，並且每一個磁頭的操作頻率是可變化的，這樣才可以使得LOBER的值在平均值以上。在這個例子中，每一個磁頭的新的頻率用三角號標誌在了水平線3上，LOBER的平均值接近7.1，通過把性能較高磁頭的讀/寫頻率校正到較高的頻率，把性能較低的磁頭的讀/寫頻率校正到較低的頻率就可以使損失的容量得到恢復。雖然在圖5A中所有磁頭的頻率都被調整到具有相同的LOBER值，但在本發明中這些磁頭可以是不同的LOBER值。本發明的優點在於通過提高性能較高的磁頭的操作頻率來抵消降低性能較低的磁頭的操作頻率所帶來的存儲容量的損失，而且每一個磁頭的操作頻率也沒有必要都調整到相同的LOBER值。每一個磁頭的新的讀/寫頻率只要可以在最小TH值之上提供最大的性能提高就可以了，例如圖5A中，這個值如果在最小的TH值與水平線3之間也是可以的。圖中標有磁頭號的虛斜線是每一個磁頭的性能曲線，可以沿著性能曲線將磁頭的讀/寫頻率移動到新的性能值。在選擇磁頭新的讀/寫頻率時，其它的變化包括移動他們的頻率到可以使他們的LOBER(磁軌偏移誤碼率的常用對數)值相同的頻率。
調整磁頭讀/寫傳感器的頻率可以使磁碟提供更大的容量，並且保持最小的誤碼率，如圖5B所示，磁頭HD#1到HD#4的讀/寫頻率從原始的測試位置(參考圖3)被調整，箭頭指示出磁頭的頻率從原始位置變化到一個新的頻率，用矩形框表示。只有磁頭#1的讀/寫頻率被降低而其它的磁頭的讀/寫頻率都被提高，從而保證每個磁頭都可以保持在最小可接受的LOBER(磁軌偏移誤碼率的常用對數)值上。例如希望存儲容量最大化的時候，而可利用的行程又比現有技術的低時，就可以使用較少的磁軌提供理想的容量。
在上述的磁頭性能的特性化中，一個單獨的磁軌被用來檢測在fR處的性能，至於其它位置的性能可以使用數學模型計算出來(詳後述)，這樣每一個磁頭在各個位置處的性能和性能參數都可以被確定下來。在每個磁頭讀/寫頻率的基礎上，也可以計算出相應磁碟表面的存儲區邊界。從磁碟的中心線到存儲區邊界內半徑的距離可以通過下式計算得到RN＝(a)ir2+(b)ir+c (5)其中，ir代表磁碟的中心線到存儲區的內半徑，a＝-0.002119，b＝0.12013，c＝-0.4343，N代表被計算邊界的存儲區。a，b，c被賦予的值是在一般磁頭的性能曲線分析的基礎上得到的，磁碟中每一個磁頭的性能曲線或使用更精確的設備獲取的a，b，c的值。存儲區的內徑ir可以在存儲區N的RN(頻率比率)獲取的基礎上由方程式(5)來確定，RN(頻率比率)是由劃分開的目標存儲區的NRZ頻率通過調整磁頭的讀/寫頻率來決定的。頻率比率的量級通過下式得到RN=fNfRef---(6)]]>其中，fRef代表調整的磁頭讀/寫頻率，fN代表在目標存儲區內的NRZ頻率。目標NRZ頻率是從存儲區邊界中獲取的，調整的讀/寫頻率fRef是磁頭在磁碟的某一處的磁頭性能，它的值是讀/寫傳感器調整後的讀/寫頻率。例如圖5A中HD#1的讀/寫頻率變動到f1處，此時其頻率近似等於24.12Mhz，那麼方程式(6)中的fRef就使用這一數值。例如圖5A中磁頭HD#1的存儲區邊界使用上述方程式得到存儲區邊界的表3。在存儲區內的目標NRZ頻率的確定中，會使用到一個目標存儲區尺寸的表，在表中目標存儲區的NRZ頻率是在現有的技術上確定下來的，關於NRZ頻率，在表3中將會介紹。
由上述可見，四個磁頭(HD#1-HD#4)的存儲區邊界將會被估計出來不同即使他們具有不同的fRef。
圖6是磁碟4的上表面和下表面使用可變的存儲區結構的剖面圖，該結構建立在目標存儲區的基本原則上，ID代表其內直徑，OD代表其外直徑，同時圖示出了存儲存儲區的邊界。磁頭HD#4放置在表面6處，磁頭HD#1放置在表面5處。考慮到不同的磁碟表面磁頭使用不同的操作頻率，磁碟表面的每一存儲區邊界會在不同的位置，存儲區使用Z與一個兩位數來表示，其中第一個數字代表存儲區，第二個數字代表磁碟表面，另一面磁碟表面6的標誌也是一樣。在上述存儲區半徑的基礎上磁碟表面5的存儲區標誌為Z15，Z25，Z35，Z45，Z55和Z65，讀/寫磁頭HD#1(圖5中)的讀/寫頻率F1約為0.8FR。同時讀/寫頭HD#4也有Z36，Z46，Z56，Z66和Z75五個存儲區，讀/寫頭HD#4的頻率F4約為1.5FR。TN(磁軌號)是用TRK加上磁軌數來表示的。
請參考圖6和圖7，磁軌280在磁面5的存儲區4中，而磁軌280在磁面6上是位於存儲區6中。磁頭HD#1的操作頻率低於磁頭HD#4的操作頻率，磁面6上的存儲區Z36與磁面5上的存儲區Z35也是不一致的。雖然在實際中磁碟4不會從ID到OD的整個磁面都用於存儲數據，但這是全部磁面的一個簡單的存儲區圖示。而且磁面5的存儲區邊界模式也不同於磁面6的存儲區邊界模式，更不同的是，在磁面5上其結構包括存儲區1到6，而在磁面6上其結構包括存儲區3到7。如上所述，磁頭HD#4能夠操作在較高的頻率範圍內。由於可以使用在較高的頻率存儲區，所以會產生圖6中所示的結構。這樣也導致了在垂直方向上相同存儲區的存儲邊界會有一些偏移，例如磁面6上的存儲區Z36與磁面5上的存儲區Z35之間的偏移。
既然磁面與磁面之間的存儲區邊界是不對齊的，那麼磁面上的某個具體的磁軌也沒有必要操作在與另一磁面上相應的磁軌的讀/寫頻率上。按照慣例，存儲區數越高，其使用的讀/寫頻率也越高，磁面6上磁軌280的讀/寫頻率就比磁面5上的磁軌280的讀/寫頻率高，而且在每一存儲區內的讀/寫頻率是不變的。這樣對於某一磁軌的讀/寫頻率就依靠其所處的位置和各磁面的存儲區結構的變化。因此就產生了各磁頭-磁面和相的磁軌數—存儲區的查找表。由於各存儲區的讀/寫頻率已經被設置，所以也就可以知道存儲區內的各磁軌的讀/寫頻率。圖7是磁面5和6中的磁軌0到磁軌1050的查找表，以讀/寫頭HD#4為例，磁軌0-149是在存儲區7中，磁軌150-299是在存儲區6中，以此類推到存儲區3中，其包括磁軌800-1050。磁軌的邊界計算使用上述的方程式(5)。
該發明技術不同於現有技術中的將所有磁面的磁軌邊界都對齊，在所有磁面的相同存儲區內使用給定的磁軌。由於現有技術中的所有磁面中存儲區和磁軌都是相同的，所以也就不需要特別標誌各個存儲區了。
圖8是一磁碟堆棧，包括磁碟8和9，磁碟表面均設有磁性塗層用來存儲和重放存儲信息，C8和C9分別是磁碟8和9的中心線。存儲區邊界只標註在各磁碟的上磁面，例如磁碟8，存儲區邊界就是從中心線C8依據半徑所產生的Z6，Z7，Z8，Z9和Z10，而存儲邊區邊界Z7的內徑和外徑分別為R2和R3，R6是磁碟8的最外端半徑。這些存儲區是建立在上述的圖表和數學計算的基礎上的，各存儲區使用的讀/寫頻率是唯一的，並且是建立在包括磁頭性能等各種因素的基礎上的。磁碟9的存儲區為Z8，Z9，Z10，Z11和Z12，這些存儲區將會在各讀/寫頭的性能的基礎上，在磁面11上被分別標註出來。這些邊界是利用上述方程式和圖表獲得的。各磁碟的相同存儲區使用相同的存儲頻率，如磁碟9的存儲區8與磁碟8的存儲區8的存儲頻率是相同的。與現有技術相比較，磁碟8和9的各存儲邊界沒有對齊，而且兩磁碟對應位置的存儲頻率也是不一樣的，例如磁碟9的存儲區Z12與其相對應的磁碟8的位置處的存儲區Z10使用的是不同的頻率，而且半徑R2，R3，R4和R5也不同於半徑R7，R8，R9和R10。
本發明的另一實施例如圖9，與圖8相比較其磁碟12和13中的存儲邊界是對齊的(如圖中虛線所示)，然而磁碟12與13相對應位置的存儲區使用的讀/寫頻率是不同的。例如磁碟12最邊緣的存儲區使用的頻率為Z1，而磁碟13最邊緣對應的存儲區使用的頻率為Z2。
本發明的具體的實施是一個1.8英寸的磁碟，用以說明怎樣使用目標存儲區表和其它更進一步的圖表信息從而建立起存儲區邊界。如圖11所示，1.8英寸的磁碟14和15其各自的中心線為C14和C15，磁碟14的存儲區結構是設在磁面16上，並且該結構是在讀/寫傳感器的固定運轉高度的基礎上建立起來的，圖中的18即為該固定運轉高度的曲線，移動讀/寫傳感器(圖未標)到磁碟14的中心來獲得其性能測試。
至於磁碟15，存儲區結構是建立在可變的運轉高度的讀/寫傳感器(圖未標)基礎上的，曲線19是傳感器在磁碟15的磁面17上的相關運轉高度的曲線，磁碟14和15中可利用的數據存儲區的確定是建立在磁頭的性能和目標存儲尺寸表(如表1所示)中存儲區的使用上，其磁碟的旋轉速度大約在4500RPM。
表1 目標存儲尺寸
在HD#1的磁頭性能基礎上，目標存儲區2到12是被用來數據存儲的，存儲區的結構是使用存儲區的數字來標註的。關於表1中的磁軌的數量和實際使用的磁軌的數量之間的考慮也是不能缺少的。表2是在存儲區中的磁軌數量的整數調整。
表2磁軌數量的捨入法調整
如圖11、表1和表2所示，第一個用於存儲數據的存儲區是Z2，其包括91個磁軌，並且每一磁軌包括42個扇區。存儲區Z2計算出來的磁軌數量是90.3個，利用向上捨入法得到91個磁軌。其它各磁軌也與此相似。
每一存儲區的內半徑和外半徑的物理位置如表3所示，其包括從中心線C14測量到的實際半徑(利用方程式計算得到的半徑)、內半徑(ir)、外半徑(or)。
表3存儲區邊界的計算(單位微米)
上述存儲數據的存儲區是從2到12，而NRZ的頻率範圍是從17.17Mhz到28.16Mhz。對於性能更佳的磁頭，就會選擇更高存儲頻率(NRZ頻率)的一組存儲區。例如使用圖5A中的磁頭HD#4具有比磁頭HD#1更好的性能特性，其可以使用存儲區10-20，其結構布局不同於圖11中所示，但各存儲區的建立和邊界的確立方法是相同的。表4是高性能磁頭在使用存儲區10-20的特性表。
表4 目標存儲區尺寸
表5是對表4中在使用的存儲區的扇區基礎上，對計算得到的磁軌數按照捨入法對其實際的磁軌數量進行整數調整。
表5 捨入法調整
表6是存儲區10-20的存儲區邊界的計算結果表6 存儲區邊界的計算
比較圖11和表1，2，3中的磁頭-磁碟的容量特性和較佳性能的磁碟磁頭在表4，5和6中的容量特性，就可以得到較佳性能的磁頭-磁碟大大提高了數據存儲的容量。例如比較表1中第一磁頭的可使用扇區的總數與較佳性能的第二磁頭的可利用扇區的總數就可以得到，第一磁頭可利用的扇區數為83,455，而第二磁頭的可利用扇區數為121,838。本發明的可變存儲區結構提供了利用較差性能的磁頭在較低的讀/寫頻率下使用的能力，並通過較佳性能的磁頭來彌補較低性能磁頭的使用所帶來的存儲容量的損失，從而達到改善總體的存儲容量。
圖14中是存儲區結構的一個舉例，其是動態磁頭存儲磁碟驅動器25的俯視圖，同時與存儲區邊界的流程圖13A和上述及後述的方程式有關。磁碟驅動器25包括了一個固定在旋轉軸27上的磁碟26，該旋轉軸27由一旋轉發動機(圖未示)帶動，還包括一磁碟夾28，用於使磁碟26和旋轉軸27固定在一起。C26是該旋轉軸27的中心也是磁碟26的中心。磁碟26和相關的旋轉發動機，旋轉式激勵器及電子元件被安裝在殼體29中，磁碟驅動器25的旋轉式激勵器具有磁頭杆30和一主體部31，該主體部31由一迴轉樞心32支撐著。旋轉式激勵器包括一繞組33，其可與產生的磁通相配合，磁鐵34用於定位讀/寫傳感器35在磁碟26表面上的位置。磁碟驅動器25的旋轉式激勵器利用動態磁頭存儲裝置，其包括一可放置到凸塊39的凸面38上的起落拉杆37，該凸塊39用來提供讀/寫傳感器在動態讀取時停放之用的。圖中也標誌出了本磁碟驅動器的精確的角度和距離，例如線40表示從迴轉樞心32到磁碟26的中心C26的距離，其用Dam表示，線41是從迴轉樞心32到讀/寫傳感器35的間隙(圖未示)的距離，用Dag表示。
旋轉式激勵器固定在磁碟26的內半徑和外半徑之間的42處，為了便於解釋，假定旋轉式激勵器在存儲區N處，那麼線40和線41之間的夾角就為θN。既然該磁碟驅動器是動態磁頭存儲型的磁碟驅動器，那麼最外端的可利用半徑(or)在起落拉杆37剛剛從磁碟26的表面升起時就確定了下來，同樣，最內端的可利用半徑(ir)也在內部急停處(圖未示)被確定下來。
圖13A使用來確定磁頭存儲邊界的步驟，該磁頭是按照流程圖12A和12C已經被特性化的磁頭。尤其是在流程圖12A的存儲區規劃(模塊1207)中測試磁碟驅動器組合以確定可利用磁軌數量和容量密度，另外對於不同的存儲區設置不同的讀/寫頻率以達到所有的存儲區都能被利用到。流程圖13A是存儲區規劃的具體步驟，現以磁頭HD#1連同表1-3為例加以描述在模塊1301中計算出參考頻率fRef，該頻率是Fr校正後的讀/寫傳感器的使用頻率，例如圖5A所描述的利用LOBER在標準操作頻率fR下確定磁頭性能的技術，可參考美國專利第5,408,367號，這樣磁頭性能的被測量出來，讀/寫頻率也被校正到適當的值，例如圖5A磁頭HD#1的校正後的操作頻率在f1處，它就是我們要得到的參考頻率fRef，其頻率大約為24.12Mhz，其值大約為fR處密度的80％，下面的方程式使用來計算fRef的fRef＝fR*(密度調整係數) (7)頻率比率的計算是利用目標存儲區的NRZ參考頻率(表3中各個目標存儲區的頻率)，通過方程式6計算得出來的RN=fNfRef---(6)]]>其中，fRef代表調整的磁頭讀/寫頻率，fN在目標存儲區內的NRZ頻率。計算出的頻率比率的結果列出在表3的頻率比率一欄中。完成模塊1302後，在模塊1303中使用方程式8或方程式5就可以得到內半徑(ir)的值
ir=-b+b2(-4)(a)(c-RN)2a---(8)]]>這些存儲區內半徑的結果列出在表3的實際半徑一欄中。
在模塊1304中是計算每個存儲區的外半徑(or)，如圖11所示，由於每一個存儲區的外半徑都等於下一層存儲區的內半徑，因此得到方程式9orN＝irN+1(9)在模塊1305中計算出來的內半徑和外半徑可能會超出動態磁頭存取的實際可利用的內外半徑範圍，而且允許的內外半徑也有可能不被使用而需要進行調整，請參考表3磁碟驅動器的存儲區內外半徑在12.8毫米到22.77毫米之間才可以使用，比較表1和表3，只有存儲區2-12被利用，其範圍從存儲區2的內半徑12.80毫米到存儲區12的外半徑22.77毫米，其餘大於最大外半徑的數值均以最大外半徑為準，小於最小內半徑的數值均以最小內半徑為準。
在模塊1306中是將存儲區規劃的半徑轉化為磁軌數，在圖14中磁軌N的角度θN的計算可以使用下述方程式N=cos-1(Dam2+Dag2-rN22(Dam)(Dag))-ref---(10)]]>其中，角度θref是讀/寫傳感器35的縫隙定位在磁軌上方時線40與線41之間的夾角，接下來利用方程式11確定出TN(磁軌號)TN＝Trackref-(θN)(Rad/Track) (11)其中，Dam和Dag是圖14中所示的距離，θref是上述的定義的角度，Trackref是在角θref處的磁軌號，Rad/Track代表磁軌間距的弧度。
這樣就可以完成每個磁頭-磁碟組合的存儲區規劃。上述的步驟提供了每個存儲區的內外半徑的性能，例如在表1-3中存儲區2-12被確定為可以利用的存儲區，而且存儲區2的內半徑為12.80毫米，外半徑為13.42毫米。在所有的存儲區邊界被確定下來後，如模塊1307所示，將存儲區邊界的數據及存儲區內相應的磁軌頻率存儲在磁碟驅動器中的非易失性的記憶體中，這樣就為各個磁頭表面提供了一個查找表，例如圖7中提供的兩個磁頭表面的查找表。在模塊1308中，在上述信息的基礎上將磁碟表面格式化成數據存儲區的結構。
按照本發明的另一優點是提高磁碟的存儲密度，其通過優化可利用的行程來實現的。請參閱圖4A，在現有技術中，是一個已經確定了磁軌數量的磁碟驅動器，假如在行程內由於從外急停帶到內急停帶發生變化，導致較少數量的磁軌不能被利用，那麼這整個磁碟驅動器就會不能使用。但是按照本發明，磁碟驅動器的磁頭線移動到內急停帶並存儲下磁軌的數量，再通過磁碟表面移動到磁碟的外急停帶並存儲下磁軌的數量，因此這些實際可利用的磁軌數才會被確定下來並加以利用。通過最優化行程以便所有的磁軌都可以被利用，較長的行程會導致較低的線性存儲密度水平，從而減少磁頭的讀/寫頻率以達到預先的存儲容量，而且可以改進磁頭的誤碼率。讀/寫頻率的降低將所有磁頭備份到LOBER曲線，這樣就增加了安全係數。其分布曲線圖保持不變，只是平均值發生變化。例如圖10中，實線分布曲線圖是較短行程的性能曲線，μo是其原始的平均性能值，虛線是優化後的曲線圖，μs是其平均性能值，其σ值相同，但位於TH值以下的磁頭的數量大大減少，因此通過可變的存儲區規劃來優化行程，可以提高磁碟的存儲密度，即使在這些磁碟中有一兩個磁頭的性能值在TH值以下。在現有技術中，內外急停帶的位置方差為σ2，那麼磁碟驅動器上的平均位置損失是6σ，另一種現有的磁碟驅動器偵測出一個急停帶就寫入磁軌直到第二個急停帶被偵測出來，其平均的位置損失為 在本發明的磁碟驅動器不同於固定容量的磁碟驅動器，其密度是變化的，其平均位置損失是0，如果σ＝0.03，那麼與現有技術相比較其獲得的平均密度增量為6.4％，因此在本發明中使用較長的行程同樣可以明顯增加磁碟驅動器的容量。
權利要求
1.一種可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法，其中包括一磁碟，其具有第一和第二磁表面和從上述的磁表面進行讀/寫信息的第一和第二讀/寫傳感器，本方法是用以下步驟完成的(a)利用磁碟驅動的讀/寫傳感器確定出磁軌寬度的性能特性；(b)確立出多個性能組，每個性能組都有一個磁軌寬度性能特性的範圍；(c)再利用步驟(a)中讀/寫傳感器測量出的磁軌性能特性，決定出可測量的磁軌寬度的性能特性的值；(d)比較在步驟(c)中的磁軌寬度的性能特性的值與步驟(b)中各性能組的範圍，用以確定這個磁軌寬度的性能特性是否位於已建立的一組性能特性中；(e)重複步驟(c)和(d)，直到兩個獨立的讀/寫傳感器都有一個磁軌寬度性能特性的值是位於步驟(b)的性能組中；(f)使用在步驟(e)中的一個讀/寫傳感器作為第一讀/寫傳感器，另一個讀/寫傳感器作為第二讀/寫傳感器裝配磁碟驅動器。
2.如權利要求1所述的可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法，其中上述磁碟驅動器中包括用於上述第一和第二傳感器的磁頭杆。
3.如權利要求2所述的可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法，其中上述的步驟(f)還進一步包括將讀/寫傳感器與它們相配合的磁頭杆連接起來的步驟。
4.如權利要求1所述的可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法，其中在上述的步驟(c)中磁軌寬度特性是利用光學器件測量的。
5.如權利要求1所述的可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法，其中在上述的步驟(c)中磁軌寬度特性是利用電子器件測量的。
6.如權利要求1所述的可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法，其中進一步包括確立一個用於上述第一和第二讀/寫傳感器的磁軌間距，用以作為性能組中，也包括步驟(f)中的磁軌寬度的性能值的函數。
7.如權利要求1所述的可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法，其中進一步包括在上述磁軌間距的磁軌中寫入伺服器信息。
8.如權利要求1所述的可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法，其中上述磁軌寬度的性能特性的測量是由以下步驟組成(g)一個磁表面的磁軌位置T處寫入讀/寫傳感器的測試模式；(h)讀取上述的測試模式，並且測量信號的振幅；(i)在第一徑向方向上移動讀/寫傳感器到距離磁表面T處距離為d的位置，並寫入直流清除信號；(j)在與第一徑向方向相反的第二徑向方向上移動讀/寫傳感器到距離磁表面T距離為d的位置，並寫入直流清除信號；(k)在磁表面T處再讀取上述測試模式並測量出上述信號的振幅，並與步驟(h)中測量出的結果進行比較。
全文摘要
一種可變存儲區結構和磁軌間距的磁碟驅動器的製造方法，該磁碟驅動器包括一個具有兩個磁面的磁碟和從兩個磁面進行讀寫操作的。本方法包括利用讀/寫傳感器決定磁軌寬度的性能特性，建立一系列的性能組的性能特性範圍。性能特性是利用磁碟驅動器的第一和第二讀/寫傳感器之一測量出來的，並且第一和第二傳感器在性能特性範圍內被分離開來管理不同的範圍。其性能特性的測試可通過光學或電學器件來完成。
文檔編號G11B5/55GK1499503SQ0215193
公開日2004年5月26日 申請日期2002年11月5日 優先權日2002年11月5日
發明者布魯斯·依莫, 布來恩·威爾遜, 威爾遜, 布魯斯 依莫 申請人:深圳易拓科技有限公司