製造布線襯底的方法及製造電子裝置的方法

2023-06-05 07:09:56

專利名稱：製造布線襯底的方法及製造電子裝置的方法
技術領域：
本發明涉及製造布線襯底的方法及製造電子裝置的方法。
背景技術：
眾所周知，作為在柔性襯底上形成布線的方法包括減去法和添加法。在減去法中，在柔性襯底的整個表面上形成金屬層，在金屬層上布圖形成光敏抗蝕層，並隔離開光敏抗蝕層刻蝕金屬層。在添加法中，在柔性襯底上布圖形成光敏抗蝕層，在從光敏抗蝕層開口的部位上通過鍍金工藝使金屬層沉積。
根據這些方法，在最後去除光敏抗蝕層方面、以及在減去法中去除部分金屬層方面，帶來資源及材料的耗費的問題。另外，因為需要光敏抗蝕層的形成及去除步驟，所以，帶來製造步驟較多的問題。再者，布線的尺寸精度依賴於光敏抗蝕層的清晰度，由此，對於形成更高精度的布線存在一定的界限限制。
(專利文獻1)日本特開平10-65315號公報發明內容本發明目的在於只在需要的部分上沉積金屬層，同時以精簡的製造步驟形成布線。
本發明涉及的布線襯底的製造方法包括以下步驟
(a)在襯底的第一區域和第二區域上設置表面活性劑；(b)向所述襯底的所述第二區域照射真空紫外線，使所述襯底的所述第二區域的原子鍵斷裂；(c)清洗所述襯底，除去設置在所述第二區域上的所述表面活性劑；(d)在殘留在所述第一區域上的所述表面活性劑上設置催化劑；以及(e)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第一區域形成由所述金屬層構成的布線。
根據本發明，通過照射真空紫外線來布圖表面活性劑，並在表面活性劑上設置催化劑。由此，能以沿著規定的圖案形狀只在需要的部分上沉積金屬層。因此，不需要用例如抗蝕層等形成掩模，從而能以精簡且較短時間的製造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費，實現了低成本。
本發明涉及的布線襯底的製造方法包括以下步驟(a)在襯底的第一區域和第二區域上設置表面活性劑；(b)向所述襯底的所述第二區域照射真空紫外線，使所述襯底的所述第二區域的原子鍵斷裂；(c)清洗所述襯底，除去設置在所述第二區域上的所述表面活性劑；(d)在所述襯底的所述第二區域上設置催化劑；以及
(e)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第二區域形成由所述金屬層構成的布線。
根據本發明，通過照射真空紫外線來布圖表面活性劑，並在表面活性劑上設置催化劑。由此，能以沿著規定的圖案形狀只在需要的部分上沉積金屬層。因此，不需要用例如抗蝕層等來形成掩模，從而能以精簡且較短時間的製造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費，實現了低成本。
在該布線襯底的製造方法中，所述襯底具有C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H鍵中的至少一種。
在該布線襯底的製造方法中，所述襯底至少具有C＝C鍵，所述真空紫外線具有至少能使C＝C鍵斷裂的性質。
在該布線襯底的製造方法中，所述真空紫外線的光源是充入Xe氣的激發態紫外燈。
本發明涉及的布線襯底的製造方法包括以下步驟(a)在包括第一區域和第二區域的襯底的所述第一區域上，用噴液法設置表面活性劑；(b)在所述表面活性劑上設置催化劑；以及(c)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第一區域形成由所述金屬層構成的布線。
根據本實施例，使用噴液法來布圖表面活性劑，並在表面活性劑上設置催化劑。由此，能以沿著規定的圖案形狀只在需要的部分上沉積金屬層。因此，不需要用例如抗蝕層等來形成掩模，從而能以精簡且較短時間的製造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費，實現了低成本。
本發明涉及的布線襯底的製造方法包括以下步驟(a)在包括第一區域和第二區域的襯底的所述第一區域上，用噴液法設置表面活性劑；(b)在所述襯底的所述第二區域上設置催化劑；以及(c)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第二區域形成由所述金屬層構成的布線。
根據本實施例，使用液噴法來布圖表面活性劑，並避開表面活性劑設置催化劑。由此，能以沿著規定的圖案形狀只在需要的部分上沉積金屬層。因此，不需要用例如抗蝕層等來形成掩模，從而能以精簡且較短時間的製造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費，實現了低成本。
在該布線襯底的製造方法中，所述噴液法是噴墨法。由此，通過使用在噴墨印表機用途中實用化的技術，能高速度地完成設置，避免了油墨的浪費，實現了經濟化。
在該布線襯底的製造方法中，所述襯底的所述第一區域和第二區域的表面電位是負電位。
在該布線襯底的製造方法中，在所述步驟(a)之前，還包括鹼洗所述襯底的步驟。由此，通過鹼洗所述襯底，能使襯底表面上的不均勻電位得以均勻，所以，能以精簡的製造步驟使表面電位穩定化。
在該布線襯底的製造方法中，在所述步驟(a)中，所述表面活性劑是陽離子表面活性劑。
在該布線襯底的製造方法中，在設置所述催化劑的步驟中，將所述襯底浸漬在含氯化錫的溶液中，接著浸漬在含氯化鈀的催化劑液中，沉積用作所述催化劑的鈀。
在該布線襯底的製造方法中，在設置所述催化劑的步驟中，將所述襯底浸漬在含錫-鈀的催化劑液中，再從所述襯底上除去錫，沉積用作所述催化劑的鈀。
本發明涉及的電子裝置的製造方法，其包括根據權利要求1至13中任一項所述的用於製造布線襯底的方法；將具有集成電路的半導體晶片安裝到所述布線襯底上的步驟；以及將所述布線襯底與所述電路板電連接的步驟。
根據本發明，能以精簡且較短時間的製造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費，實現了低成本。


圖1(A)～圖1(C)是本發明第一實施例的第一個例子的說明圖。
圖2(A)及圖2(B)是本發明第一實施例的第一個例子的說明圖。
圖3(A)～圖3(D)是本發明第一實施例的第一個例子的說明圖。
圖4(A)及圖4(B)是本發明第一實施例的第一個例子的說明圖。
圖5(A)及圖5(B)是本發明第一實施例的第二個例子的說明圖。
圖6(A)及圖6(B)是本發明第二實施例的第一個例子的說明圖。
圖7(A)及圖7(B)是本發明第二實施例的第一個例子的說明圖。
圖8(A)～圖8(C)是本發明第二實施例的第一個例子的說明圖。
圖9(A)及圖9(B)是本發明第二實施例的第一個例子的說明圖。
圖10(A)及圖10(B)是本發明第二實施例的第二個例子的說明圖。
圖11是本發明的第三實施例的示意圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖對本發明的實施例進行說明。
第一實施例圖1(A)～圖5(B)是本發明的第一實施例涉及的布線襯底的製造方法的說明圖。在本實施例中，適用化學鍍金工藝來製造布線襯底。
第一例圖1(A)～圖4(B)是本實施例的第一例的說明圖。圖1(A)～圖2(B)是化學鍍金工藝的各個步驟的說明圖，圖3(A)～圖4(B)是化學鍍金工藝的各個步驟中的襯底的示意圖。
襯底(薄板)10可以是柔性襯底。作為柔性襯底可以使用FPC(Flexible Printed Circuit)、及COF(Chip On Film)用襯底或者TAB(Tape Automated Bonding)用襯底。襯底10可以用有機材料(例如樹脂)形成。作為襯底10，可以使用聚醯亞胺襯底或者聚酯襯底。襯底10包括有機的原子鍵。襯底10可以包括C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H鍵中的至少一個。襯底10也可以至少包括C＝C鍵。在本實施例中，是在襯底10的一個表面形成布線。或者也可以在襯底10的兩個表面都形成布線。襯底10包括第一區域12及第二區域14(參照圖1(C)及圖3(D))。第一區域12及第二區域14是襯底10上的布線形成面的區域。
如圖3(A)所示，作為襯底10，可以使用其表面電位(溶液中表面電位)是負電位的材料。在使用有機系材料時，襯底10的表面電位是負電位的情況較多。
如圖1(A)及圖3(B)所示，可以鹼洗襯底10。這樣一來，能使襯底10的第一區域12及第二區域14表面的不均勻電位統一為負電位。具體來說，可以在室溫下將襯底10浸漬在鹼液(例如，1wt％～10wt％濃度的氫氧化鈉)16中10～60分鐘左右，然後，進行水洗。通過鹼洗，襯底10的表層部被水解，這時，表層部形成水解層，該表層部也是負電位，電位比清洗前更加均勻化。
另外，通過上述的鹼洗，襯底10能同時進行清洗及表面糙化處理。由此，能提高金屬層(布線)的粘附性。
如圖1(B)及圖3(C)所示，在襯底10的第一區域12及第二區域14上設置表面活性劑18。可以在襯底10的一個面的整個範圍內設置表面活性劑18。在本例子中，表面活性劑18具有陽離子化的性質。作為表面活性劑18，可以使用陽離子系表面活性劑(陽離子表面活性劑及與其性質等同的物質)。在本例子中，因為襯底10的第一區域12及第二區域14的表面電位是負電位，所以，一旦使用陽離子系表面活性劑，就能使襯底10的負電位中和或者轉變為正電位。另外，通過使用表面活性劑18，可以不依賴襯底10的性質，自由地調整表面電位，另外，還能形成表面電位均勻、穩定的電位面。
在圖1(B)所示的例子中，將襯底10浸漬在表面活性劑溶液20中。具體地，在室溫下將襯底10浸漬在氯化烷基銨系的陽離子表面活性劑溶液中1～10分鐘左右後，再用純水清洗。然後，在室溫氛圍下充分乾燥襯底10。
如圖1(C)及圖3(D)所示，除去設置在第一區域12及第二區域14上的表面活性劑18中的、設置在第二區域14上的部分。也就是說，以沿著第一區域12留下表面活性劑18的方式形成圖案。
在本例子中，對襯底10的第二區域14照射真空紫外線(VUVvacuum ultraviolet radiation)22。具體而言，在光源24和襯底10之間配置掩模26，通過掩模26，向襯底10照射真空紫外線22。真空紫外線22被掩模26的圖案28遮掩，在圖案28以外的區域透過。一旦照射真空紫外線22，襯底10的第二區域14的原子鍵被(化學地)斷裂。在本例子中，襯底10的第二區域14並不是被機械地挖掉。由此，真空紫外線22的主要作用是使襯底10的原子鍵斷裂，與挖掉襯底10的情況相比，可大大地節約能量。由此，例如，能防止襯底10發生熱應變。另外，能防止襯底10的部分飛散並附著到其他部分上。
在這裡，在本例子中，第一區域12是形成金屬層(布線)的區域，並形成規定的圖案形狀。第二區域14形成襯底10表面上的第一區域12的反轉形狀。
真空紫外線22的波長可以是100nm～200nm(例如，100nm～180nm)。真空紫外線22具有能使有機原子鍵斷裂的性質(例如，波長)。真空紫外線22也可以具有能使襯底10的至少C＝C鍵斷裂的性質(例如，波長)。真空紫外線22也可以具有能使襯底10的原子鍵(C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H鍵中的至少一個)全部斷裂的性質(例如，波長)。作為光源24可以是充入Xe氣的激發態紫外燈(波長為172nm)。如果使用紫外燈，不再需要用於生成雷射的聚光透鏡及由雷射器進行掃描的時間，所以，能夠實現製造步驟的簡略化。
具體地，如圖1(C)所示，在襯底10的布線形成面上配置掩模26。掩模26既可以是光學掩模，也可以是金屬掩模。例如，作為掩模26，使用在真空紫外線用的高純度石英玻璃(真空紫外線的透過率是80％以上)上由鉻形成圖案的掩模。在圖1(C)中，掩模26隔開一定間隔配置在襯底10的上方，但是，實際上，掩模26與襯底10接觸地配置。光源24、掩模26及襯底10在氮氣氛圍中配置。如果是氮氣氛圍，真空紫外線22就不會衰減，能照射到10mm左右的距離。利用襯底10自身具有的彈性力及撓性，在襯底10和掩模26沒有均勻接觸時，用支撐物按壓掩模26的外周，並且，也可以用與掩模26尺寸相同的面積將襯底10的內面壓到掩模26側。使光源24儘量地靠近襯底10(例如，10mm以下)。作為光源24使用例如，激發VUV/03清洗裝置(製造商日本USHIO電機株式會社，型號UER20-172A/B，燈規格充入Xe氣的鐵電體阻擋放電激發態紫外燈)。襯底10的材料為聚醯亞胺時，以10mW左右的輸出功率照射10分鐘左右。在本例子中，對襯底10的一個表面照射真空紫外線22，但是，在襯底10的兩個表面上形成布線時，只要依次或同時對襯底10的各個表面照射真空紫外線22即可。
照射真空紫外線22後，清洗襯底10(例如，溼法清洗)。由此除去襯底10的原子鍵斷裂的部分。也就是說，通過清洗，除去第二區域14上的表面活性劑18。作為清洗方式，可以將襯底10浸漬在清洗液中，也可以對襯底10進行噴淋。作為清洗液，可以使用鹼溶液(強鹼溶液或者弱鹼溶液)或者純水。作為噴淋方式，可以使用純水噴淋清洗或者高壓噴氣純水清洗。在清洗時，可以施加超音波振動。通過進行清洗，在第一區域12上留下表面活性劑18，在第二區域14上，表面活性劑18被除去而露出襯底10的表面。
如圖2(A)及圖4(A)所示，在殘留在第一區域12上的表面活性劑18上設置催化劑(鍍金催化劑)30。催化劑30用於在化學鍍金溶液中誘發金屬層(鍍層)的沉積，例如，可以是鈀。催化劑30可以不包括粘結用的樹脂。在本例子中，在第二區域14上沒有設置催化劑30。
在圖2(A)的示例中，將襯底10浸漬在含錫-鈀的催化劑液32中。具體地，在室溫下，將襯底10在PH值大約為1的錫-鈀催化劑液32中浸泡30秒～3分鐘，進行充分水洗。錫-鈀膠體微粒帶有負電荷，吸附在表面活性劑18(陽離子系表面活性劑)上。然後，為了使催化劑活化，在室溫下，將襯底10在含硼氟酸的溶液中浸泡30秒～3分鐘後，進行水洗。由此，能除去錫膠體微粒，只使鈀在表面活性劑18(陽離子系表面活性劑)上沉積。
如圖2(B)及圖4(B)所示，在催化劑30上沉積金屬層34。催化劑30設置在表面活性劑18上，因為表面活性劑18沿著第一區域12露出，所以，以沿著第一區域12的圖案形狀形成金屬層34。金屬層34可以是一層，也可以是多層。金屬層34的材料不受限定，例如，可以是Ni、Au、Ni+Au、Cu、Ni+Cu、Ni+Au+Cu中的任一種。只要根據沉積的金屬層34的材料選擇催化劑即可。
在圖2(B)所示的例子中，將襯底10在六水合硫酸鎳為主體的鍍液(溫度為80℃)中浸泡1～3分鐘左右，形成0.1～0.2μm左右厚度的鎳層。或者，也可以將襯底10在六水合氯化鎳為主體的鍍液(溫度為60℃)中浸泡3～10分鐘左右，形成0.1～0.2μm左右厚度的鎳層。根據本例子，因為沿著第一區域12設置催化劑30，所以，即使不使用抗蝕層等來形成掩模，也能沿著襯底10的第一區域12有選擇地形成金屬層34。
根據本例子，通過照射真空紫外線22使表面活性劑18形成圖案，並在表面活性劑18上設置催化劑30。由此，能沿著規定的圖案形狀只在需要的部分上沉積金屬層34。因此，不需要用例如抗蝕層等來形成掩模，從而能以精簡且較短時間的製造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費，實現了低成本。
第二例圖5(A)及圖5(B)是本實施例的第二例說明圖。在本例子中，在如圖3(A)～圖3(D)所示那樣在第一區域12上設置表面活性劑18後，在襯底10的第二區域14上設置催化劑38。也就是說，在襯底10的表面中的、從表面活性劑18露出的第二區域14上設置催化劑38。在本例子中，第二區域14是形成金屬層(布線)的區域，形成規定的圖案形狀。
例如，將襯底10浸漬在帶正電荷的氯化錫溶液中，接著浸漬在含氯化鈀的催化劑液中，由此，能在襯底10的第二區域14(負電位部分)上沉積鈀。另外，可以將襯底10浸漬在該催化劑液中1～5分鐘之後，再用純水水洗。
然後，如圖5(B)所示，在催化劑38上沉積金屬層40。因為催化劑38設置在第二區域14上，所以，以沿著第二區域14的圖案形狀形成金屬層40。
另外，本例子的其他詳細說明可以適用上述例子中說明的內容。
第二實施例圖6(A)～圖10(B)是本發明的第二實施例涉及的布線襯底的製造方法的說明圖。在本實施例中，通過使用噴液法來布圖表面活性劑。
第一例圖6(A)～圖7(B)是化學鍍金工藝的各步驟的說明圖。圖8(A)～圖9(B)是化學鍍金工藝的各步驟中的襯底的示意圖。
如圖8(A)所示，作為襯底10，預先使其表面電位形成負電位。如圖6(A)所示，可以通過將襯底10浸漬在鹼液(例如，無機鹼液)62中進行鹼洗。由此，如圖8(B)所示，能使襯底10的第一區域12及第二區域14表面的不均勻電位變為均勻的負電位。鹼洗的詳細步驟按照第一實施例的第一例中說明的進行。
如圖6(B)及圖8(C)所示，通過使用噴液法，在襯底10的第一區域12上設置表面活性劑64。也就是說，將液滴(表面活性劑64)從液滴噴出部66直接噴到襯底10的表面上，並形成規定的圖案形狀。由此，能有選擇地設置表面活性劑64，不需要用抗蝕層等形成掩模，所以，製造步驟得以簡化。液滴至少部分包括表面活性劑64，例如，可以以表面活性劑64為核心，其表面用樹脂(粘結材料)等塗覆。或者，液滴也可以只由表面活性劑64構成。噴液法既可以是噴墨方式，也可以是分配器塗布方式，液滴噴出的方式並不受限定。如果採用噴墨方式，通過使用在噴墨印表機中實用化的技術，能夠實現高速並且控制了油墨(表面活性劑64)的浪費，實現了經濟化。作為噴墨頭，可以使用壓電元件的壓電噴射型，或者採用能量產生元件，其可以是使用電熱轉換體的真空噴射(註冊商標)型等。
在本例子中，表面活性劑64具有陽離子化的性質。作為表面活性劑64可以使用陽離子系表面活性劑。在本例子中，因為襯底10的第一區域12及第二區域14的表面電位是負電位，所以，一旦使用陽離子系表面活性劑，在襯底10的表面電位中，第一區域12成為中和狀態或者正電位，第二區域14成為負電位。
如圖7(A)及圖9(A)所示，在襯底10的第二區域14上設置催化劑68。也就是說，在襯底10中的、從表面活性劑64露出的第二區域14上設置催化劑68。在第一區域12上不設置催化劑68。在本例子中第二區域14是形成金屬層(布線)的區域，形成規定的圖案形狀。為了得到催化劑，可以將襯底10浸漬在含氯化錫的溶液中，接著浸漬在含氯化鈀的催化劑液70中。具體地，按照第一實施例的第二例中的說明進行。
然後，如圖7(B)及圖9(B)所示，在催化劑68上沉積金屬層72。因為催化劑68設置在第二區域14上，所以，能以沿著第二區域14的圖案形狀形成金屬層72。另外，如圖7(B)所示，金屬層的沉積可以通過將襯底10浸漬在規定的化學鍍液74中進行，具體地，按照第一實施例的第一例中的說明進行。
根據本例子，使用噴液法來布圖表面活性劑64，並且避開表面活性劑64設置催化劑68。由此，能沿著規定的圖案形狀只在規定的部分上沉積金屬層72。因此，不需要用例如抗蝕層等形成掩模，從而能以精簡且較短時間的製造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費，實現了低成本。
另外，本例子的其他詳細說明可以適用上述例子中說明的內容。
第二例圖10(A)及圖10(B)是本實施例的第二例子的說明圖。在本例子中，如圖8(A)～圖8(C)所示，通過噴液法噴出表面活性劑64後，在表面活性劑64上設置催化劑76。因為表面活性劑64設置在第一區域12上，所以，催化劑68也設置在第一區域12上。在第二區域14上不設置催化劑68。在本例子中，第一區域12是形成金屬層(布線)的區域，形成規定的圖案形狀。在本例子中，在襯底10的表面電位中，第一區域12通過(陽離子系)表面活性劑64成為中和或者正電位，第二區域14由於從襯底10的表面露出而成為負電位。為了得到催化劑，將襯底10浸漬在含錫-鈀的催化劑液中。具體地，按照第一實施例的第一例的說明進行。
然後，如圖10(B)所示，在催化劑76上沉積金屬層78。因為催化劑76設置在第一區域12上，所以，能以沿著第一區域12的圖案形狀形成金屬層78。
另外，本例子的其他詳細說明可以適用上述例子中的說明內容。
第三實施例圖11是用於說明本發明的第三實施例的電子裝置的製造方法的示意圖，具體地顯示了具有布線襯底的電子裝置的一個例子。
在布線襯底1上形成規定的圖案形狀的金屬層(在圖11中省略)。可以將具有集成電路的半導體晶片80(例如，倒裝)安裝到布線襯底1上。半導體晶片80(集成電路)電連接於金屬層。這樣，可以製造出包括半導體晶片80和布線襯底1的半導體裝置3。然後，將布線襯底1(或者半導體裝置3)與電路板82電連接。由此，能製造出電子裝置。另外，布線襯底1也可以如圖11的箭頭所示那樣進行彎曲。
電路板82是電光面板時，電子裝置為電光裝置，電光裝置可以是液晶裝置、等離子體顯示裝置、場致發光顯示裝置等。根據本實施例，能以精簡和短時間的製造步驟形成高精度的布線，減少了材料的浪費，實現了低成本。
以上所述僅為本發明的優選實施例而已，並不用於限制本發明，本發明可以有各種更改和變化。例如，本發明包括與實施例中說明的結構實質相同的結構(例如，功能、方法及效果相同的結構、或者目的及效果相同的結構)。另外，本發明還包括與實施例中說明的結構起到同樣作用的效果的結構、或者可實現同樣目的的結構。另外，本發明還包括在實施例中說明的結構中附加公開技術的結構。
符號說明1布線襯底 3半導體裝置10襯底 11表層部12第一區域 14第二區域16鹼液 18表面活性劑20表面活性劑溶液22真空紫外線24光源 26掩模28圖案 30催化劑32催化劑溶液34金屬層38催化劑40金屬層64表面活性劑66噴液部68催化劑70催化劑溶液72金屬層76催化劑78金屬層80半導體晶片82電路板
權利要求
1.一種用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，包括如下步驟(a)在襯底的第一區域和第二區域上設置表面活性劑；(b)向所述襯底的所述第二區域照射真空紫外線，使所述襯底的所述第二區域的原子鍵斷裂；(c)清洗所述襯底，除去設置在所述第二區域上的所述表面活性劑；(d)在殘留在所述第一區域上的所述表面活性劑上設置催化劑；以及(e)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第一區域形成由所述金屬層構成的布線。
2.一種用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，包括如下步驟(a)在襯底的第一區域和第二區域上設置表面活性劑；(b)向所述襯底的所述第二區域照射真空紫外線，使所述襯底的所述第二區域的原子鍵斷裂；(c)清洗所述襯底，除去設置在所述第二區域上的所述表面活性劑；(d)在所述襯底的所述第二區域上設置催化劑；以及(e)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第二區域形成由所述金屬層構成的布線。
3.根據權利要求1或2所述的用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，所述襯底具有C-C、C＝C、C-F、C-H、C-CI、C-N、C-O、N-H、O-H鍵中的至少一種。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，所述襯底至少具有C＝C鍵，所述真空紫外線具有至少能使C＝C鍵斷裂的性質。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，所述真空紫外線的光源是充入Xe氣的激發態紫外燈。
6.一種用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，包括如下步驟(a)在包括第一區域和第二區域的襯底的所述第一區域上，用噴液法設置表面活性劑；(b)在所述表面活性劑上設置催化劑；以及(c)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第一區域形成由所述金屬層構成的布線。
7.一種用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，包括如下步驟(a)在包括第一區域和第二區域的襯底的所述第一區域上，用噴液法設置表面活性劑；(b)在所述襯底的所述第二區域上設置催化劑；以及(c)在所述催化劑上沉積金屬層，沿著所述第二區域形成由所述金屬層構成的布線。
8.根據權利要求6或7所述的用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，所述噴液法是噴墨法。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，所述襯底的所述第一區域和第二區域的表面電位是負電位。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，在所述步驟(a)之前，還包括鹼洗所述襯底的步驟。
11.根據權利要求1至10中任一項所述的用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，在所述步驟(a)中，所述表面活性劑是陽離子系表面活性劑。
12.根據權利要求1至11中任一項所述的用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，在設置所述催化劑的步驟中，將所述襯底浸漬在含氯化錫的溶液中，接著浸漬在含氯化鈀的催化劑液中，沉積用作所述催化劑的鈀。
13.根據權利要求1至11中任一項所述的用於製造布線襯底的方法，其特徵在於，在設置所述催化劑的步驟中，將所述襯底浸漬在含錫-鈀的催化劑液中，再從所述襯底上除去錫，沉積用作所述催化劑的鈀。
14.一種用於製造電子裝置的方法，包括根據權利要求1至13中任一項所述的用於製造布線襯底的方法；將具有集成電路的半導體晶片安裝到所述布線襯底上的步驟；以及將所述布線襯底與所述電路板電連接的步驟。
全文摘要
本發明提供製造布線襯底的方法，包括以下步驟(a)在襯底(10)的第一區域(12)及第二區域(14)上設置表面活性劑(18)；(b)通過向襯底(10)的第二區域(14)照射真空紫外線(22)，使襯底(10)的第二區域(14)的原子鍵斷裂；(c)通過清洗襯底(10)，除去設在第二區域(14)上的表面活性劑(18)部分；(d)在殘留在第一區域(12)上的表面活性劑(18)部分上設置催化劑(30)；(e)通過在催化劑(30)上沉積金屬層(34)，沿著第一區域(12)形成由金屬層(34)構成的布線。根據本發明，能只在需要的部分上沉積金屬層，同時以精簡的製造步驟形成布線。
文檔編號H01L21/60GK1652666SQ200510002930
公開日2005年8月10日 申請日期2005年1月26日 優先權日2004年2月4日
發明者木村裡至, 降旗榮道, 丸茂實 申請人:精工愛普生株式會社