金屬吸附裝置及方法

2023-06-05 07:41:16

專利名稱：金屬吸附裝置及方法
技術領域：
本發明涉及適用於液晶顯示器(LCD)、有機發光顯示器(OLED) 等中所使用的薄膜電晶體(TFT)中的多晶矽薄膜的製造，更詳細地 說是涉及在形成TFT的多晶矽薄膜時為了降低結晶化溫度以提高結 晶化特性而將金屬或金屬有機化合物吸附在非晶質矽薄膜上的裝置 及吸附方法。
背景技術：
TFT大致分為非晶質矽TFT和多晶矽TFT。 TFT的特性通過電 子遷移率的值來評價。非晶質矽TFT的電子遷移率大約為lcm2/Vs、 多晶矽TFT的電子遷移率大約為100cmVVs左右，因此優選在高性 能的LCD中採用多晶矽TFT 。多晶矽TFT按照如下的步驟來製造 在玻璃或石英等透明基板上蒸鍍非晶質矽並使其多結晶化後，形成 柵極氧化膜和柵極，然後在源極和漏極中注入摻雜劑後形成絕緣 層，從而製造多晶矽TFT。在製造多晶矽TFT時，主要的工藝為使非晶質矽的薄膜多結晶 化的工序。特別優選降低結晶化溫度。結晶化溫度非常高時，則制 造TFT時存在不能使用熔點低的玻璃基板，TFT的製造成本大大增 加的問題。考慮到使用這種玻璃基板的可能性，最近提出了可以在 低溫下短時間內形成多晶矽的薄膜的以下各種工序。準分子雷射結晶化方法作為利用瞬間雷射照射將非晶質矽熔融 而使其重結晶的方法，具有以下優點可以防止急速加熱所導致的 玻璃基板的損傷，且多晶矽的結晶性優異。但是，具有重現性降低、 裝備結構複雜的缺點。急速熱處理法為利用IR燈將非晶質矽進行急速熱處理的方法，
具有生產速度快、生產成本低的優點，但具有急速加熱所導致的熱 衝擊和玻璃基板發生變形等缺點。金屬誘導結晶化(MIC)法為在非晶質矽上塗布Ni、 Cu、 Al等金屬催化劑、並在低溫下誘導結晶化的方法，具有可以在較低溫度 下結晶化的優點，但具有由於活化區域所含的相當量的金屬而導致 洩漏電流大大增加的缺點。金屬誘導側面結晶化(MILC)法是為了防止MIC方法中所發 生的金屬汙染而開發的方法，該方法是在源極/漏極區域上蒸鍍金 屬催化劑，從而優先地誘導MIC，然後將其作為晶種而使多晶矽在 柵極下部的活化區域的側面上生長。MILC法與MIC法相比，具有 生長在側面的結晶化區域上金屬汙染少的優點，但仍然殘留洩漏電 流的問題。洩漏電流的發生會引起使充電於顯示器(LCD等)各像 素的數據電壓發生改變的問題等，從而全面地降低顯示器的特性。這樣，TFT製造時的金屬導入具有降低非晶質矽的結晶化溫度、 從而可以使用玻璃基板的優點，但相反地，由於還具有由於金屬汙 染而降低TFT的特性的缺點，因此將金屬催化劑導入到非晶質矽的 薄膜中時，導入量的調節非常重要。即，當為了降低結晶化溫度而 非常多地導入金屬催化劑時，會發生金屬汙染等嚴重的問題。當為 了防止這種金屬汙染的問題而非常少地導入金屬催化劑時，則不能 實現導入金屬催化劑的原本目的即降低結晶化溫度。結果，最優選 在儘量少地導入金屬催化劑的量的同時降低結晶化溫度。通常，作為在製造TFT時在非晶質矽的薄膜上導入金屬催化劑的方法，使用濺射法或旋塗法等，特別是由於金屬塗布過程的容易性等理由，主要使用濺射法。但是，在以往的濺射法中，無法儘量小地調節導入在非晶質矽薄膜上的金屬催化劑的量。例如，利用濺射法塗布金屬催化劑時，當想要儘量減小其塗布量時，必須儘量小地維持塗布速度和塗布時間等。但是，具有在塗布速度和塗布時間非常小的區域 中非常難以恆定地維持塗布條件的問題
發明內容
為了解決上述現有技術的問題而完成的本發明的目的在於，提供 為了通過金屬誘導結晶化方式使矽結晶化而可以將金屬或金屬有機 化合物吸附在非晶質矽薄膜上的裝置及方法。另外，本發明的目的在於，提供為了將降低半導體或顯示器的各 種特性的金屬汙染最小化而可以將適當濃度的金屬或金屬有機化合 物吸附在非晶質矽薄膜上的裝置及吸附方法。為了實現上述目的，本發明的金屬吸附裝置為為了通過金屬誘 導結晶化方式使矽結晶化而將金屬吸附在非晶質矽上的裝置，其特 徵在於，其包含供給含有金屬的源氣體的源氣體供給部；供給輔助氣體的輔助氣體供給部；通過上述源氣體和上述輔助氣體的反應 而使金屬吸附在上述非晶質矽上的反應室(chamber);以及通過調 節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來控制吸附在上述 非晶質矽上的金屬的量的控制部。為了實現上述目的，本發明的金屬吸附裝置為為了通過金屬誘 導結晶化方式使矽結晶化而將金屬吸附在非晶質矽上的裝置，其特 徵在於，其包含供給含有金屬的源氣體的源氣體供給部；使上述 源氣體吸附在上述非晶質矽上的反應室；以及通過調節吸附壓力、 吸附時間和吸附溫度中的至少一個來控制吸附於上述非晶質矽上的 金屬的量的控制部。為了實現上述目的，本發明的金屬吸附方法為為了通過金屬誘導 結晶化方式使矽結晶化而將金屬吸附在非晶質矽上的方法，其特徵在 於，其包含以下步驟將非晶質矽配置在反應室內的步驟；將含有金 屬的源氣體流入到上述反應室內的步驟；通過調節吸附壓力、吸附時 間和吸附溫度中的至少一個來使規定量的源氣體吸附於上述非晶質 矽上的步驟；將未吸附於上述非晶質矽上的源氣體從上述反應室中排 出的步驟；將輔助氣體流入到上述反應室內的步驟；以及通過吸附於 上述非晶質矽上的源氣體與上述輔助氣體發生反應，從而最終在上述 非晶質矽上吸附規定量的金屬的步驟。另外，為了實現上述目的，本發明的金屬吸附方法為為了通過金 屬誘導結晶化方式使矽結晶化而將金屬吸附在非晶質矽上的方法，其 特徵在於，其包含以下步驟將非晶質矽配置在反應室內的步驟；將含有金屬的源氣體流入到上述反應室內的步驟；以及通過調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來使規定量的源氣體吸附於上 述非晶質矽上的步驟。根據本發明，具有以下效果可以適當且微細地調節吸附於非 晶質矽薄膜上的金屬的量，在降低非晶質矽結晶化時的結晶化溫度 的同時可以防止金屬所導致的汙染，從而半導體或顯示器的各種特 性提高。另外，根據本發明，由於可以適用於大面積的基板，因此具有增加LCD等平板顯示器的生產率、降低生產成本的效果。


圖1為表示本發明的金屬或金屬有機化合物吸附裝置的概念圖 符號說明10金屬吸附裝置 12輔助氣體供給部 14氣體流入部 16吸附反應室 18控制部11源氣體供給部 13載氣供給部 15氣體排出部 17加熱部具體實施方式
下面參照附圖詳細地說明本發明的實施方式。圖1為表示本發明的金屬或金屬有機化合物吸附裝置10的概念 圖。如圖1所示，金屬吸附裝置IO含有源氣體供給部11、輔助氣體
供給部12、載氣供給部13、氣體流入部14、氣體排出部15、吸附 反應室16、加熱部17和控制部18。源氣體供給部11起著將相當於吸附於非晶質矽薄膜上的金屬的 原料的源氣體(即金屬有機化合物)供給至吸附反應室16內的作用。 一般來說，金屬有機化合物在常溫下以固體或液體的形態存在，因 此在源氣體供給部11中可以含有使固體或液體的金屬有機化合物以 氣體形態氣化的源氣體加熱部。為了通過金屬誘導結晶化方式進行矽的結晶化，由源氣體供給 部11供給的源氣體可以包含Ni、 Al、 Ti、 Ag、 Au、 Co、 Sb、 Pd、 Cu中的任意1個或2個以上。如本發明所示，使用Ni作為金屬催化劑時，優選使用Ni(Cp)2[二茂鎳(II); ^01^1(^6116]或>^((111^1111))2[1-二甲胺基-2-甲基-2-丁醇鹽]中的任意一個作為源氣體(含有Ni的金 屬有機化合物)。輔助氣體供給部12起著將能夠與源氣體發生反應的輔助氣體供 給至吸附反應室16內、以使得金屬最終吸附於非晶質矽薄膜上的作 用。即，源氣體中含有金屬以外的成分[例如Ni(cp)2的情況下為cp 成分]，為了使Ni吸附於非晶質矽薄膜上，必須除去Ni以外的成分， 通過輔助氣體就可以除去這樣的成分。換言之，通過使源氣體的 Ni(cp)2與輔助氣體發生反應而除去cp成分，從而可以使Ni吸附在非 晶質矽薄膜上[例如Ni(cp)2 + H2—Ni + mCnH2n+2]。作為輔助氣體，可以使用H2、NH3等還原性氣體，02、N20、H20、 臭氧等氧化性氣體，Ar、 N2等不活潑性氣體。另一方面，當使未除去 金屬以外成分的源氣體直接吸附於非晶質矽薄膜上時，由於未使用輔 助氣體，因此有時並非必需輔助氣體供給部。載氣供給部13起著供給載氣以使得源氣體順暢地供給至吸附反 應室16內的作用。即，通過載氣，源氣體更為順暢地移動，流入到 吸附反應室16內。由載氣供給部13供給的載氣有時在通過源氣體 供給部11後流入到吸附反應室16內，還有時立即流入到吸附反應
室16內，優選兩者都能進行。源氣體的遷移率充分時，還可以不使 用載氣。另外，載氣可以兼具清除(日文原文為"7 7-—")吸附反應室16內部的清除氣體的作用。作為載氣，可以使用Ar、 Ne、 He、 N2中的任意1個或2個以上的不活潑性氣體。氣體流入部14和氣體排出部15設置在吸附反應室16的前端或 後端，是氣體流入吸附反應室16內、或將氣體從吸附反應室16中 排出的部分。通過氣體流入部14和氣體排出部15流入或排出的氣 體包含源氣體、輔助氣體(需要時)、載氣(需要時)、不能吸附在 非晶質矽薄膜上的源氣體、通過源氣體和輔助氣體的反應而產生的 副產物氣體等。吸附反應室16起著使金屬吸附於非晶質矽薄膜上的作用。這 裡，吸附是指化學吸附，但並不排除物理吸附的概念。非晶質矽薄膜形成在可以適用於LCD等TFT基板的玻璃基板 19上。一次性地配置於吸附反應室16內的玻璃基板的數量可以是一 個(單片式吸附反應室)、還可以是2個以上的多個(分批式吸附反 應室)，考慮到生產率時，更優選分批式吸附反應室。當流入到吸附反應室16內的源氣體直接吸附時，金屬有機化合 物吸附在非晶質矽薄膜上。此時，即便源氣體被吸附，當使其與輔 助氣體發生反應時，非晶質矽薄膜上最終也僅吸附金屬。吸附反應室16可以含有加熱部17。該加熱部17起著供給用於 在非晶質矽薄膜上吸附金屬或金屬有機化合物所必需的熱能的作 用。在本發明的吸附過程中，優選將非晶質矽薄膜的溫度維持在 100 25(TC的範圍內。但是，當將金屬有機化合物吸附在非晶質矽薄 膜上時，也有完全不需要熱能的情況。這種情況下，可以不使加熱 部17工作，或者也可以在吸附反應室16內預先不設置加熱部。控制部18起著按照適當量的金屬或金屬有機化合物吸附在非晶 質矽薄膜上的方式來調節吸附過程中吸附反應室16內的氣體壓力 (吸附壓力)、壓力所維持的時間(吸附時間)和非晶質矽薄膜的溫
度(吸附溫度)等的作用。本發明中，由於使用金屬誘導結晶化方 式，按照在降低矽的結晶化溫度的同時可以將金屬汙染最小化的方 式，儘量地減少所吸附的金屬或金屬有機化合物的量(吸附濃度)， 因此通過控制部18來調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少 一個。吸附在非晶質矽薄膜上的金屬或金屬有機化合物的量隨著吸附 壓力和吸附時間的增加而增加。因此，當調節吸附壓力和吸附時間 時，可以調節金屬或金屬有機化合物的吸附濃度。吸附壓力可以通過對從源氣體供給部11供給的源氣體的流量、通過氣體流入部14流入到吸附反應室16內的氣體的總流量和通過 氣體排出部15從吸附反應室16中排出的氣體的總流量中的至少一 個進行調節來控制。流入吸附反應室16中或排出的氣體中含有輔助 氣體或載氣。因此，優選由輔助氣體供給部12供給的輔助氣體的流 量和由載氣供給部13供給的載氣的流量也可以通過控制部18進行 控制。另外，由於在吸附過程中熱能是必要的，因此當通過控制部18 調節吸附過程中的吸附溫度時，可以調節金屬或金屬有機化合物的 吸附濃度。吸附溫度可以通過調節吸附反應室16內的加熱部17的 溫度來進行控制。作為參考，圖1中在控制部18和通過該控制部控 制的各構成要素之間用虛線表示。以下詳細地說明利用本發明的吸附裝置IO來吸附金屬或金屬有機化合物的方法。首先，在吸附反應室16內配置形成有非晶質矽薄膜的玻璃基板 19。配置玻璃基板19後，利用真空泵(未圖示)使吸附反應室16 排氣，以使得吸附反應室16內的基本壓力達到100mTorr左右。接著，從源氣體供給部11通過氣體流入部14將相當於吸附於 非晶質矽薄膜上的金屬的原料的源氣體(即金屬有機化合物)供給 至吸附反應室16內。當金屬有機化合物在常溫下以固體或液體的形
態存在時，將固體或液體的金屬有機化合物加熱到高於常溫的溫度而氣化。此時，源氣體包含Ni、 Al、 Ti、 Ag、 Au、 Co、 Sb、 Pd、Cu中的任意1個或2個以上的金屬。使用Ni作為金屬催化劑時， 源氣體使用Ni(cp)2或Ni(dmamb)2。然後，按照將源氣體通過氣體流入部14順暢地供給至吸附反應 室16內的方式，從載氣供給部13供給載氣。作為載氣，可以使用 Ar、 Ne、 He、 N2中的任意1個或2個以上的不活潑性氣體。載氣使 得從源氣體供給部ll供給的源氣體順暢地移動。此時，優選將源氣 體和載氣一起流入到吸附反應室16內。當使載體通過源氣體供給部 11時，可以更高效地增加源氣體的遷移率。但當源氣體的遷移率充 分時，也可以不使用載氣。接著，使流入到吸附反應室16內的源氣體(金屬有機化合物) 吸附在非晶質矽薄膜上。例如，當使用Ni(cp)2或Ni(dmamb)2作為 源氣體時，這些金屬有機化合物直接吸附於非晶質矽的薄膜上。本 發明中，通過使玻璃基板19保存在吸附反應室16內的含有源氣體 的氣體氣氛下，金屬有機化合物吸附於形成在玻璃基板19上的非晶 質矽薄膜上。該過程為金屬有機化合物的金屬(例如鎳)化學地吸 附於非晶質矽薄膜的矽上的化學吸附過程。但是，在實際的吸附過 程中，還有金屬物理地吸附於非晶質矽薄膜上的情況。這種物理吸 附的金屬也可以發揮降低矽的結晶化溫度的催化劑作用。所吸附的金屬有機化合物的量(吸附濃度)受到吸附反應室16 內的氣體壓力(吸附壓力)、壓力所維持的時間(吸附時間)和非晶 質矽薄膜的溫度(吸附溫度)等的直接影響。因此，當通過控制部 18適當地控制吸附壓力、吸附時間和吸附溫度時，可以微細地調節 吸附濃度。首先，可以控制吸附壓力來調節金屬有機化合物的吸附濃度。 由於吸附壓力與從源氣體供給部11供給的源氣體的流量直接相關， 因此當減少源氣體的供給流量時，吸附壓力減少，由此吸附濃度可 以減少。與此相對，當增加源氣體的供給流量時，吸附濃度可以增 加。另外，吸附壓力可以通過對通過氣體流入部14流入到吸附反應室16中的氣體的總流量和通過氣體排出部15從吸附反應室16中排 出的氣體的總流量進行調節來控制。例如，通過調節流入到吸附反 應室16中的氣體總流量和從吸附反應室16中排出的氣體總流量之 差來控制吸附壓力，由此可以控制吸附濃度。當然，上述方法中還 包括當吸附反應室16的內部到達規定的吸附壓力時，關閉氣體流入 部14和氣體排出部15來控制吸附壓力的方式。即便通過控制吸附時間也可以調節金屬有機化合物的吸附濃 度。例如，越縮短吸附壓力所維持的吸附時間，越可以減少金屬有 機化合物的吸附濃度。另外，當控制吸附溫度時，可以調節吸附濃度。 一般來說，由 於吸附過程時必需規定的熱能，因此當降低吸附溫度時，金屬有機 化合物的吸附濃度可以減少。但是，當吸附溫度非常低時，有可能 從開始就不會產生吸附現象本身，當吸附濃度非常高時，則有所吸 附的金屬有機化合物從非晶質矽的薄膜分離的可能性。吸附溫度的 控制通過控制部18調節加熱部17的溫度來進行。最好在開始吸附步驟前使非晶質矽薄膜的溫度維持在規定的吸 附溫度。吸附溫度優選維持在100 25(TC的範圍內。在根據源氣體的 種類完全不需要吸附時熱能的情況下(例如可以常溫吸附的情況)， 將吸附溫度控制在常溫即可。另一方面，當將結晶化了的矽適用於TFT等時，為了防止金屬 汙染所導致的半導體或顯示器的特性降低，有時必須使吸附濃度最 小化。因此，有必要按照金屬以小於1個原子層的比例吸附在非晶 質矽薄膜上的方式進行調節。這裡，所謂的小於1個原子層是指利 用金屬催化劑的1個原子層無法完全覆蓋非晶質矽薄膜的整個面積 的情況，即金屬並非連續地吸附在整個非晶質矽的薄膜上、而是隨
處不均勻地吸附的情況(覆蓋率<1)。此時，本發明的金屬吸附裝置 10通過控制吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個而可以微 細地調節吸附濃度，因此具有可以按照上述覆蓋率小於1的方式來 調節吸附濃度的優點。
接著，通過氣體排出部15將吸附步驟中未吸附於非晶質矽薄膜上的源氣體(金屬有機化合物)從吸附反應室16中排出(清除)。
在該過程中排出的源氣體中包含最初已吸附於非晶質矽薄膜上、但 其吸附程度弱(例如物理吸附於非晶質矽薄膜上的源氣體)、從非晶 質矽薄膜分離而除去的源氣體。當該步驟結束時，使源氣體(金屬 化合物)吸附於非晶質矽薄膜上的過程結束。此時，可以將從載氣供給部12供給的載氣流入到吸附反應室16內以用於將源氣體排出。 然後，使金屬吸附於非晶質矽薄膜上。為此，首先通過氣體流 入部14由輔助氣體供給部12將輔助氣體供給至吸附反應室16內。 如此供給至吸附反應室16內的輔助氣體與吸附於非晶質矽薄膜上的 源氣體(金屬有機化合物)發生反應，最終使得金屬吸附於非晶質 矽薄膜上。例如，通過使作為源氣體的Ni(cp)2與輔助氣體發生反應 而除去cp成分，由此Ni吸附於非晶質矽薄膜上[即Ni(cp)2+H2—Ni + mCnH2n+2]。作為輔助氣體，可以使用H2、 NH3等還原性氣體，02、 N20、 H20、臭氧等氧化性氣體，Ar、 N2等不活潑性氣體。
最後，通過氣體排出部15將由源氣體與輔助氣體的反應結果所 產生的副產物氣體從吸附反應室16中排出(清除)。當該步驟結束 時，使金屬吸附於非晶質矽薄膜上的過程結束。此時，可以將從載 氣供給部12供給的載氣流入到吸附反應室16內以用於將副產物氣 體排出。
根據本發明，由於可以適用於大面積基板，因此可以增加LCD 等平板顯示器的生產率、降低生產成本。因此，本發明的產業利用性 極高。
另一方面，本說明書中通過幾個優選的實施方式敘述了本發明，
但本領域技術人員可以在不脫離權利要求書所公開的本發明範疇和 思想的情況下進行多種變形和修正。
權利要求
1.金屬吸附裝置，其是為了通過金屬誘導結晶化方式使矽結晶化而將金屬吸附在非晶質矽上的裝置，其特徵在於，其包含供給含有金屬的源氣體的源氣體供給部；供給輔助氣體的輔助氣體供給部；通過所述源氣體與所述輔助氣體的反應來使金屬吸附在所述非晶質矽上的反應室；以及通過調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來控制吸附在所述非晶質矽上的金屬的量的控制部。
2. 金屬吸附裝置，其是為了通過金屬誘導結晶化方式使矽結晶化 而將金屬吸附在非晶質矽上的裝置，其特徵在於，其包含供給含有金屬的源氣體的源氣體供給部； 使所述源氣體吸附在所述非晶質矽上的反應室；以及 通過調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來控制吸 附在所述非晶質矽上的金屬的量的控制部。
3. 權利要求1或2所述的金屬吸附裝置，其特徵在於，所述源 氣體含有Ni、 Al、 Ti、 Ag、 Au、 Co、 Sb、 Pd、 Cu中的任意l個或 2個以上。
4. 權利要求3所述的金屬吸附裝置，其特徵在於，所述源氣體 為Ni(cp)2或Ni(dmamb)2中的任意一個。
5. 權利要求1所述的金屬吸附裝置，其特徵在於，所述輔助氣 體包含H2、 NH3等還原性氣體，02、 N20、 H20、臭氧等氧化性氣體， Ar、 N2等不活潑性氣體。
6. 權利要求1或2所述的金屬吸附裝置，其特徵在於，所述吸 附壓力通過對由所述源氣體供給部供給的源氣體的流量、流入到所 述反應室內的氣體的總流量以及從所述反應室中排出的氣體的總流 量中的至少一個進行調節來控制。
7. 權利要求1或2所述的金屬吸附裝置，其特徵在於，所述吸 附溫度控制在常溫 25(TC的範圍。
8. 權利要求1或2所述的金屬吸附裝置，其特徵在於，金屬以 覆蓋率小於1的比例吸附在所述非晶質矽上。
9. 金屬吸附方法，其是為了通過金屬誘導結晶化方式使矽結晶 化而將金屬吸附在非晶質矽上的方法，其特徵在於，其包含以下步 驟將非晶質矽配置在反應室內的步驟； 在所述反應室內流入含有金屬的源氣體的步驟； 通過調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來使規 定量的源氣體吸附在所述非晶質矽上的步驟；將未吸附於所述非晶質矽上的源氣體從所述反應室中排出的步驟；將輔助氣體流入到所述反應室內的步驟；以及 通過吸附於所述非晶質矽上的源氣體與所述輔助氣體發生反 應，從而最終在所述非晶質矽上吸附規定量的金屬的步驟。
10. 金屬吸附方法，其是為了通過金屬誘導結晶化方式使矽結晶 化而將金屬吸附在非晶質矽上的方法，其特徵在於，其包含以下步 驟將非晶質矽配置在反應室內的步驟； 在所述反應室內流入含有金屬的源氣體的步驟；以及 通過調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來使規 定量的源氣體吸附在所述非晶質矽上的步驟。
11. 權利要求9或IO所述的金屬吸附方法，其特徵在於，所述源氣體含有Ni、 Al、 Ti、 Ag、 Au、 Co、 Sb、 Pd、 Cu中的任意l個 或2個以上。
12. 權利要求11所述的金屬吸附方法，其特徵在於，所述源氣 體為Ni(cp)2或Ni(dmamb)2中的任意一個。
13. 權利要求9所述的金屬吸附方法，其特徵在於，所述輔助氣 體包含H2、 NH3等還原性氣體，02、 N20、 H20、臭氧等氧化性氣體， Ar、 N2等不活潑性氣體。
14. 權利要求9或IO所述的金屬吸附方法，其特徵在於，所述 吸附壓力通過對由所述源氣體供給部供給的源氣體的流量、流入到 所述反應室內的氣體的總流量以及從所述反應室中排出的氣體的總 流量中的至少一個進行調節來控制。
15. 權利要求9或IO所述的金屬吸附方法，其特徵在於，所述 吸附溫度控制在常溫 25(TC的範圍。
16. 權利要求9或IO所述的金屬吸附方法，其特徵在於，金屬 以覆蓋率小於1的比例吸附在所述非晶質矽上。
全文摘要
本發明提供為了通過金屬誘導結晶化方式使矽結晶化而將金屬或金屬化合物吸附於非晶質矽薄膜上的裝置及吸附方法。本發明的金屬吸附裝置(10)包含供給含有金屬的源氣體的源氣體供給部(11)；供給輔助氣體的輔助氣體供給部(12)；通過源氣體與輔助氣體的反應而使金屬吸附於非晶質矽薄膜上的反應室(16)；以及通過調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來控制吸附於非晶質矽薄膜上的金屬的量的控制部(18)。
文檔編號H01L21/20GK101211763SQ20071030593
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月27日 優先權日2006年12月27日
發明者張澤龍, 張錫弼, 李永浩, 李炳一 申請人:泰拉半導體株式會社