液處理裝置、液處理方法和存儲介質的製作方法

2023-06-05 00:19:01 1

專利名稱：液處理裝置、液處理方法和存儲介質的製作方法
技術領域：
本發明涉及從噴嘴向例如半導體晶片等基板供給處理液並一面使基板旋轉一面 進行液處理的技術領域。
背景技術：
在半導體製造工序中，存在向基板供給處理液並一面使基板旋轉一面進行液處理 的工序。具體而言，例如能夠列舉下述工序通過旋轉塗布來向基板供給抗蝕劑液的工序； 在基板表面形成抗蝕劑膜後，為除去基板周緣部的抗蝕劑而供給溶劑的工序；在基板的顯 影處理後利用清洗液清洗基板的工序；和例如為了除去微粒而對基板的表面進行清洗的工 序等。另外，在清洗工序時清洗液就成為處理液。這些處理，例如圖17所示，包括吸附保持晶片W的旋轉卡盤11 ；使該旋轉卡盤11 旋轉的旋轉驅動部12 ；用於對晶片W供給處理液的處理液噴嘴13 ；和杯體20，其包圍上述 旋轉卡盤11的周圍，下部與廢液路14、排氣管15連接。另外，在杯體20的上方設置有風機 過濾器單元(FFU) 16，來自該FFU16的氣體的供給與來自排氣管15的吸引排氣共同作用，在 杯體20內形成下降氣流。上述排氣管15與工場排氣連接，能夠對杯體20內的氣氛進行排氣，但為了環境方 面的考慮，希望儘可能抑制排氣量。不過，在杯體20內的排氣量不充分的情況下，杯體20 內的下降氣流會逆流，存在處理液的霧附著在晶片W的表面成為微粒的問題。另外，晶片W存在大口徑化的趨勢，晶片W的周速度會隨之變大，所以杯體20內的 逆流變得容易發生。另一方面，在專利文獻1和2中記載了下述裝置在杯體的內壁面設置有排出清洗 液的排出口，使清洗液沿著該內壁面流動，對杯體內進行清洗。不過，這些裝置對希望杯體 的排氣量的降低這一課題並沒有提及。另外，因為在對基板實施液處理後進行清洗，在清洗 的期間不能夠對下一晶片實施液處理，所以對晶片的製造效率的提高沒有什麼貢獻。專利文獻1 日本特開平4-200673號公報專利文獻2 日本特開平5-251327號公報

發明內容
本發明在上述問題的前提下完成，其目的在於提供液處理裝置和液處理方法，能 夠在一面使基板旋轉一面對基板進行液處理時，抑制杯體內的排氣量，同時抑制霧從杯體 反彈，降低霧向基板的附著。本發明的液處理裝置，從噴嘴向由基板保持部水平地保持的基板供給處理液來進 行處理，該液處理裝置的特徵在於，包括使上述基板保持部繞鉛垂軸旋轉的旋轉機構；包 圍由上述基板保持部保持的基板的杯體；用於從上述杯體的下方側將該杯體內的氣氛吸引 排氣的吸引排氣部；和霧捕捉液的供給口，其沿著上述杯體的周方向設置，用於從與上述基 板相同高度或比該基板更高的位置向上述杯體的內周面供給霧捕捉液，該霧捕捉液用於在上述基板旋轉而處理液從該基板甩開時，捕捉該處理液的霧。另外，上述液處理裝置也可以採用以下結構。1.上述霧捕捉液的供給口的霧捕捉液的排出的方向與基板的旋轉方向相同。2.包括供給量調整部，其用於調整來自上述霧捕捉液的供給口的霧捕捉液的供給量；存儲部，其存儲按照上述基板的轉速設定捕捉液的供給量的數據；和控制部，其從上述數據讀出與基板的轉速相應的供給量，控制上述供給量調整部， 供給該供給量。3.上述霧捕捉液是用於清洗基板的清洗液。4.包括:回收部，其設置在上述供給口的下方側，用於回收上述霧捕捉液；和循環部，其使由該回收部回收的上述霧捕捉液循環回上述供給口。另外，本發明的液處理方法，向由基板保持部水平地保持的基板供給處理液，進行 處理，該液處理方法的特徵在於，包括使基板水平地保持在基板保持部上的工序；接著使 基板保持部繞鉛垂軸旋轉並從噴嘴向該基板供給處理液的工序；和在與上述基板相同高度 或比該基板更高的位置，從沿著上述杯體的周方向設置的供給口向上述杯體的內周面供給 霧捕捉液，捕捉處理液的霧的工序，其中，該霧捕捉液用於在上述基板旋轉而處理液從該基 板甩開時，捕捉該處理液的霧。本發明在使上述基板旋轉而處理液從該基板甩開時，向杯體的內周面供給霧捕捉 液，用該捕捉液捕捉處理液的霧，所以能夠抑制從基板飛散而撞到杯體內壁的霧的反射。即 使霧在杯體內壁發生反射，只要增大杯體內的氣氛的吸引排氣量就能夠抑制從杯體內逆流 的霧量，但根據本發明，能夠在抑制杯體內的氣氛的吸引排氣量的同時減少霧向杯體外飛 散。像這樣，因為能夠減小杯體內的氣氛的吸引排氣量，所以具有以下效果，即，能夠應對在 工場內對處理裝置的排氣容量的分配較小的情況。


圖1是本發明的實施方式中的抗蝕劑塗布裝置的縱剖面圖。圖2是說明上述抗蝕劑塗布裝置的外側杯體與晶片的位置關係的說明圖。圖3是上述抗蝕劑塗布裝置的外側杯體的立體圖。圖4是表示流路形成部件與外側杯體的關係的立體圖。圖5是表示清洗液排出口的正視圖和立體圖。圖6是示意地表示清洗液循環部的結構的示意圖。圖7是表示控制上述抗蝕劑塗布裝置的控制部的結構的結構圖。圖8是表示晶片的塗布方案與清洗液的排出量的對應關係的圖表。圖9是表示晶片的轉速與清洗液的排出量的關係的表。圖10說明清洗液從清洗液排出口排出的狀態的說明圖。圖11是說明由晶片甩開的抗蝕劑霧被清洗液捕捉的狀態的說明圖。圖12是說明由晶片甩開的衝洗液被清洗液捕捉的狀態的說明圖。圖13是表示霧的飛散量與清洗液的排出量的相關關係的相關圖。
圖14是示意地表示其它實施方式中的抗蝕劑塗布裝置的清洗液排出口的示意 圖。圖15是示意地表示其它實施方式中的抗蝕劑塗布裝置的清洗液排出口的示意 圖。圖16是示意地表示清洗液從上述清洗液排出口排出的狀態的示意圖。圖17是現有的抗蝕劑塗布裝置的縱剖面圖。附圖標記說明W曰t±" 日日/T
31旋轉卡盤
32旋轉驅動部
35排氣管
40杯體
41內側杯體
42外側杯體
42a圓筒部
42b傾斜壁
44環狀流路
50流路形成部件
51貫通孔
53流槽部
62泵
90控制部
93存儲部
具體實施例方式對將本發明的液處理裝置應用於抗蝕劑塗布裝置的實施方式進行說明。圖1所示 的抗蝕劑塗布裝置具有通過真空吸附來水平地保持晶片W的旋轉卡盤31。該旋轉卡盤31 能夠通過從下方連接的旋轉驅動部32升降，能夠繞鉛垂軸轉動。以包圍上述旋轉卡盤31 的周圍的方式設置有杯體40，該杯體40由內側杯體41、外側杯體42構成。上述內側杯體41位於由旋轉卡盤31保持的晶片W的下方，由環狀的引導部41a和 水平的圓板部41b構成，該引導部41a從與晶片W的背面側周邊部接近地相對的位置向外 側下方傾斜，該圓板部41b與該引導部41a的內周邊相連，中央部被旋轉卡盤31貫通。上 述導引部41a具有引導(導引)從晶片W灑落的抗蝕劑液流落的作用。上述外側杯體42 以包圍內側杯體41的外側的方式設置，包括圓筒部4 和從該圓筒部4 的上緣向內側上 方傾斜地延伸的傾斜壁42b，其中，圓筒部4 其上緣設定在與由旋轉卡盤31保持的晶片W 相同或大致稍低的位置。上述內側杯體41的外壁面和外側杯體42的內壁面所包圍的環狀空間形成為環狀 流路44。該環狀流路44成為在杯體40的內部流動的下降氣流、被旋轉的晶片W甩開的抗 蝕劑、清洗液流動的流路。
在外側杯體42的底部，設置有後述的流槽部53，與該流槽部53鄰接地從下方連接 有廢液路34。另外，在比上述廢液路34靠近旋轉卡盤31的位置，以插入的方式設置有二根 排氣管35，能夠利用排氣管35的側壁分離氣體與液體。從上述流槽部53溢出的液體通過 廢液路34廢棄。上述排氣管35各自在下遊合流，通過未圖示的擋板(damper)與例如工場 的排氣管道連接。此處，對從外側杯體42的傾斜壁42b到由旋轉卡盤31保持的晶片W周緣部的水平 方向上的距離進行敘述。如圖2(a)所示，令晶片W的半徑為r(mm)，從旋轉卡盤31的中心 點到水平延伸的直線上的與傾斜壁42b的交點的距離為R(mm)，晶片W的切線和在該切線與 傾斜壁42b的交點處所形成的切線所成的角度為θ，則角度θ能夠表示為式θ =C0s-1O"/ R)。因為該角度θ越小，抗蝕劑越難以從外側杯體42反射，由計算式來看，距離R優選接 近半徑r，S卩，從角度的觀點來看，從晶片W的周緣到傾斜壁42b的距離越近越好。不過，從 距離的觀點來看，當該距離過近時，從晶片W飛散的抗蝕劑霧被外側杯體42反彈，會附著在 晶片W上。於是，由旋轉卡盤31保持的晶片W的表面的周緣到傾斜壁42b的水平方向的距 離，從角度的觀點和距離的觀點出發，設定為液體的反彈較少的距離，例如10 50mm。另外，如圖2(b)所示，若令從晶片W飛散的抗蝕劑液的前進方向與傾斜壁42b在 垂直面上所成的角度為Φ，則在用矢量表示飛散的抗蝕劑液的運動的情況下，抗蝕劑液被 傾斜壁42b反彈，其矢量方向是沿水平方向以角度θ入射至傾斜壁42b的矢量的反射矢量 與沿垂直面以角度Φ入射至傾斜壁42b的矢量的反射矢量的合成矢量。即，抗蝕劑液傾斜 向下反彈。於是，為了抑制抗蝕劑液的反射，該實施方式中例如角度θ設定為38度，角度 Φ設定為30度。上述內側杯體41、外側杯體42由親水性的材料例如不鏽鋼構成，或者在各個樹脂 杯體41、42的表面利用親水性材料形成膜。由此，飛散的抗蝕劑液難以附著在杯體41、42 的表面。在上述外側杯體42的傾斜壁42b，如圖4所示沿周方向形成有多個貫通孔51。在 傾斜壁42b的內側的面(下方側的面)，如圖5所示按每個貫通孔51設置有從基端側向前 端側擴展的彎曲狀的引導罩部51a，貫通孔51在引導罩部51a內的基端部開口。引導罩部 51a的前端側的開口部相當於後述的清洗液的排出口 51b，該排出口 51b以與晶片W的旋轉 方向相同的方向形成。另一方面，在傾斜壁42b的外表面，以沿著貫通孔51的排列覆蓋該 貫通孔51的方式設置有流路形成部件50。在該流路形成部件50內，形成有在外側杯體42 的周方向上延伸的環狀的流路50a，上述貫通孔51在該流路50a中開口。於是，供給到流路 50a內的後述的清洗液通過貫通孔51向傾斜壁42b的內表面側排出，並進一步被引導罩部 51a引導而沿橫向排出。引導罩部51a的開口部51b向著與晶片W的旋轉方向相同的方向 形成，利用該開口部51b流出清洗液的原因在於，從晶片W飛散的抗蝕劑霧的速度與清洗液 的排出速度的相對速度變小，容易用清洗液捕捉抗蝕劑霧。在上述流路形成部件50，如圖4所示連接有用於供給清洗液的供給管52，該供給 管52向作為塗布裝置主體的外裝部的框體80的外部引出。圖1中，為方便起見只表示了 供給管52與流路形成部件50在1處加以連接的結構，但也可以在例如外側杯體42的直徑 方向上相互相對的兩處加以連接，也可以在三處以上加以連接。另外，如圖1和圖3所示，在外側杯體42的底部的內壁，沿周方向設置有流槽部53，其接住從上方沿杯體40的壁面流下的清洗液用於回收。在流槽部53，從下方連接有回 收管M的一端，該回收管M的另一方面向框體80的外部引出，與緩衝罐65連接。回到供給管52的說明，該供給管52的上遊側通過切換閥61分支為分支管5 和 分支管66b。上述供給管52的切換閥61的下遊側中，從上遊側起依次設置有泵62、過濾器 63和氣動閥64。上述泵62由後述的控制部控制，具有基於包含晶片W的轉速的塗布方案 調整清洗液的流量的作用。上述過濾器63的一級側，抽氣用的配管66c與緩衝罐65的氣 相部連接。分支管66b的上遊側與作為清洗液供給源的清洗液罐60連接。清洗液供給源60 內的清洗液是用於清洗杯體20內的溶劑(稀釋劑)，具備霧捕捉液的功能。即，在該例中， 霧捕捉液能夠兼作清洗液。該清洗液供給源60通過設置有閥Vl的配管66a與加壓氣體供 給源67連接。在分支管52a的下遊側，連接有暫時儲存清洗液的緩衝罐65。緩衝罐65通過設置 有閥V3的配管66d與廢液部68連接，並與上述的回收管M連接。另外，在緩衝罐65內設 置有液面檢測計65a。此處，切換閥61通過後述的控制部的控制進行流路的切換，在循環清洗液時切換 到緩衝罐65側，而在液面檢測計6 的液面檢測水平低於設置水平時切換到清洗液供給源 60側，向杯體40供給新的清洗液。回到圖1，在內側杯體41的引導部41a，嵌入地設置有斜面清洗噴嘴71，該斜面清 洗噴嘴71中，用於排出清洗液的排出口 71a以向著晶片W的背面周緣部的方式形成。斜面 清洗噴嘴71通過未圖示的配管與衝洗液供給源連接。上述杯體40收納在框體80中，在該框體80的側壁設置有由閘門82開閉、用於通 過未圖示的搬送臂來將晶片W搬入搬出的搬入搬出口 81。上述框體80內的上部設置有風 機過濾器單元(FFU) 83，該FFU83具有下述作用，即，通過從上方連接的配管84向框體80內 供給潔淨氣體例如潔淨空氣，形成下降氣流。另外，在框體80的底部，設置有用於將該框體 80內的氣氛吸引排氣的排氣路85。來自上述FFU83的下降氣流，與上述的杯體40的排氣 管35和排氣管85所進行的吸引排氣共同作用，在框體80內和杯體40內形成下降氣流。在框體80內，在杯體40的上方設置有排出抗蝕劑的抗蝕劑噴嘴72和排出作為預 溼液的溶劑的溶劑噴嘴73。這些噴嘴分別構成為通過供給管72a、73a與抗蝕劑供給源74 和溶劑供給源75連接，並能夠通過未圖示的搬送臂在晶片W的上方的規定位置與杯體40 的外側的待機位置之間移動。圖7是示意地表示控制部90的圖，控制部90例如由計算機構成，包括中央運算 處理裝置(CPU)91、使抗蝕劑塗布裝置動作的程序92、存儲部93和數據總線94。該計算機 中，通過硬碟、光碟、磁光碟、存儲卡等存儲介質安裝有用於進行本發明的實施方式中的液 處理裝置的動作的程序。上述控制部90連接有旋轉驅動部32、抗蝕劑供給系統95、清洗液 供給系統96等。清洗液供給系統96指的是圖6所示的用於進行清洗液供給的設備組，例 如相當於泵62、切換閥61和液面檢測計6 等。上述存儲部93按每種塗布方案存儲有晶 片W的轉速數據、清洗液的排出數據、抗蝕劑液的排出數據。例如當程序92取得方案1的 數據時，能夠隨之取得晶片W的轉速數據、清洗液的排出數據、抗蝕劑液的排出數據，基於 這些數據控制旋轉驅動部32、抗蝕劑供給系統95、清洗液供給系統96。
接著，對上述實施方式的作用進行說明。圖8是表示塗布方案的一例的圖，圖9是 表示晶片W的轉速與清洗液的排出量的關係的一例的圖。首先，使用未圖示的搬送臂通過 搬入搬出口 81將晶片W搬入框體80內，例如利用與旋轉驅動部32組合的未圖示的升降部 使旋轉卡盤31上升，使晶片W載置在該旋轉卡盤31上，並進行真空吸附。之後，旋轉卡盤 31下降，晶片W收容在杯體40的內部。另外，晶片W的旋轉卡盤31的交接也可以通過未圖 示的升降銷來進行。這時，在杯體40內形成上述下降氣流，該下降氣流流經環狀流路從排 氣管35排氣。接著，向外側杯體42的內壁面進行清洗液的供給(圖8的時刻t0)。具體而言， 當緩衝罐65中儲存有清洗液，並處於設定的液面水平以上的狀態時，切換閥61切換到緩衝 罐65側，清洗液從緩衝罐65經由泵62以例如30CC/min的速度送往流路形成部件50內， 從在杯體40內的周方向上排列的貫通孔51向外側杯體42的內壁面排出。這時，在圖10 的例子中，排出口 51b向著晶片W的旋轉方向即右方向，所以清洗液沿著內壁面向右斜下方 流出。而且，隨著清洗液向外側杯體42的下方流動，與從鄰接的排出口 51b排出的清洗液 合流，在外側杯體42的整個周上形成清洗液的液膜。流動到外側杯體42的底部的清洗液 由流槽部53接住，通過回收管M暫儲存到杯體40的外部的緩衝罐65。另外，從流槽部53 溢出的清洗液通過廢液管34排出到杯體40的外部。然後，利用旋轉卡盤31使晶片W以例如3000rpm的轉速旋轉(圖8的時刻tl)。 該旋轉的晶片W產生氣流，該氣流流經形成在內側杯體41與外側杯體42之間的環狀流路 44，經由排氣管35排出到杯體40的外部。另外，通過未圖示的移動機構，在晶片W開始旋 轉前，從預先移動到晶片W的中心部上方的位置的溶劑噴嘴73向晶片W供給例如稀釋劑， 進行使該晶片W溼潤的預溼。之後，在使溶劑噴嘴73退回待機位置的同時，使抗蝕劑噴嘴 72移動到晶片W的中心部上方的位置。然後，利用抗蝕劑噴嘴72向晶片W的中央部進行抗蝕劑的排出。排出的抗蝕劑， 由於晶片W的旋轉引起的離心力的作用而從中心部向邊緣部伸展，並且，多餘的抗蝕劑從 晶片W的表面甩開，由在外側杯體42的內壁面上流動的清洗液捕捉，通過流槽部53排出到 杯體40的外部。另外，成為霧的抗蝕劑的一部分隨著上述下降氣流流經環狀流路44，通過 排氣管35排出到杯體42的外部，抗蝕劑霧的大部分如圖11所示地與外側杯體42碰撞。這 時，因為形成在外側杯體42的排出口 51b向著與晶片W的旋轉方向相同的方向形成，所以 清洗液在與晶片W的旋轉方向相同的方向上流動。因此，清洗液與從晶片W飛散的抗蝕劑 霧的相對速度變小，抗蝕劑霧容易被清洗液捕捉。被清洗液捕捉的抗蝕劑霧與清洗液一起 沿著外側杯體42的內壁面流動，通過流槽部53排出到杯體40的外部。捕捉了抗蝕劑霧的清洗液，如上所述地暫時儲存在緩衝罐65內，依次流過切換閥 61、泵62，在過濾器63內除去微粒、氣泡後，經由氣動閥64通過流路形成部件50再次向外 側杯體42的內壁面供給。即，清洗液在外側杯體42的內壁面上捕捉抗蝕劑霧後被回收，在 微粒等被除去後再次捕捉抗蝕劑霧，因此反覆向外側杯體42的內壁面供給。在抗蝕劑塗布處理結束後，使抗蝕劑噴嘴73退回待機位置，並使晶片W的轉速減 速至100rpm(圖8的時刻t2)。這時因為晶片W的轉速較低，所以能夠確保晶片W的表面的 抗蝕劑的液膜的平坦性。這時雖然會產生抗蝕劑霧，但與晶片W的轉速較高的狀態相比，抗 蝕劑霧的產生較少，飛散的抗蝕劑霧的速度也緩慢，所以清洗液的排出量通過控制部設定為方案中所記載的排出量，例如lOOcc/min，進行該抗蝕劑霧的捕捉。接著，按照方案使晶片W的轉速上升至IOOOrpm，將清洗液的排出量設定為200cc/ min(圖8的時刻。在該狀態下，以規定的時間例如20秒左右，對抗蝕劑膜厚進行調整 並使抗蝕劑乾燥，形成抗蝕劑膜。清洗液的排出在抗蝕劑的排出停止後繼續進行例如5秒 鍾，在圖8的時刻t3』停止清洗液的排出。之後，利用斜面清洗噴嘴71向晶片W的背面周緣部進行作為衝洗液的溶劑的排出 (圖8的時刻t4)。該衝洗液的排出例如進行5秒鐘，晶片W的背面周邊部的抗蝕劑被清 洗。另外，如圖12所示，衝洗液被旋轉的晶片W甩開，但因為預先在衝洗液的排出前例如5 秒前(圖8的時刻t4』)通過流路形成部件50向外側杯體42的內壁面流出清洗液，形成清 洗液的液膜，所以衝洗液的霧如上所述地被清洗液的液膜捕捉。這時清洗液的排出量例如 為 200cc/mino接著，使晶片W的轉速上升到2500rpm，利用晶片W進行衝洗液的甩開工序(圖8 的時刻t5)。該甩開工序例如進行5秒鐘，清洗液的排出量設定為例如300CC/min。並且， 使晶片W的轉速為1000rpm(圖8的t6)，將晶片W持續旋轉規定的時間進行乾燥。之後，停 止晶片W的旋轉(圖8的t7)，以與上述晶片W搬入時相反的順序將晶片W交接到搬送臂 上，從抗蝕劑塗布裝置搬出。清洗液的供給中，對通過流路形成部件50向外側杯體42的內壁面供給的清洗液 加以再利用，但循環的清洗液隨著時間的經過而揮發，在循環的清洗液的量減少時，具體來 說即液面檢測計6 所檢測出的液面水平低於設定的液面水平時，利用切換閥61使流路與 清洗液供給源60側連接，從清洗液供給源進行新的清洗液的供給。另外，也可以替代僅在上述塗布方案中塗布塗布液的期間(包含塗布前後的短時 間)排出清洗液，而使上述方案中的清洗液的排出量與晶片的轉速的關係如圖9的表所示 地設定，在晶片W的轉速為Orpm時，使清洗液以50CC/min的速度排出，但也可以停止清洗 液的排出。此處，圖13是按晶片W的每種轉速表示清洗液的量與霧的飛散量的關係的圖。根 據該圖13可知，晶片W的轉速越大，用於抑制霧的飛散的清洗液的量越增加。另外可知，晶 片W的轉速越大，清洗液的量較少的情況下霧的飛散量越增加。另外還可知，在每種轉速下 增加清洗液的量都能夠減少霧的飛散量。於是，考慮到這些特性，如上所述地調整清洗液的 排出量。另外，在處理液的使用時間較短的方案的情況下，也可以不必按照晶片W的轉速調 整清洗液的排出量。根據上述實施方式，在使晶片W旋轉而抗蝕劑液從該晶片甩開時，向杯體40的內 周面供給清洗液，用該清洗液捕捉抗蝕劑液的霧，所以能夠抑制從晶片W飛散而撞到杯體 40內壁的霧的反射。即使霧在杯體40內壁發生反射，只要增大杯體40內的氣氛的吸引排 氣量就能夠抑制從杯體40內逆流的霧量，但是，本發明能夠在抑制杯體40內的氣氛的吸引 排氣量的同時減少霧向杯體40外飛散。像這樣，因為能夠減小杯體40內的氣氛的吸引排氣 量，所以具有以下效果，即，能夠應對在工場內對處理裝置的排氣容量的分配較小的情況。另外，上述實施方式還具有以下優點。因為捕捉了抗蝕劑霧的清洗液被流槽部53回收而加以再利用，所以能夠降低清 洗液的使用量。
另外，排出清洗液的泵62，其清洗液的排出量按照晶片W的轉速控制，所以能夠實 現泵62的省電化，並能夠高效地進行飛散的抗蝕劑霧的捕捉。另外，因為能夠同時進行晶 片W的液處理和杯體40的清洗處理，所以能夠實現吞吐量的提高。在上述實施方式中，處理方案中記載有清洗液的排出量，通過由CPU讀取方案來 設定與時刻對應(結果為與晶片W的轉速對應)的清洗液的排出量，但也可以如上所述地 準備使晶片W的轉速與清洗液的排出量相對應的表，使CPU從該表讀出與晶片W的轉速相 應的清洗液的排出量。霧捕捉液並不限於使用清洗液，但通過如上所述地兼用清洗液能夠同時進行杯體 40內的清洗，因此較為優選。另外，本發明並不限定於抗蝕劑塗布裝置，如背景技術中所述 的那樣，也可以用於顯影裝置、清洗裝置。以上內容中，本發明中「從與晶片W相同高度或比其高的位置向杯體40的內周面 供給霧捕捉液」這一點雖然必要，但是當使捕捉液的供給口 51b採用在比晶片W的表面低的 位置例如向斜上方側排出捕捉液的結構，其結果捕捉液到達與晶片W的表面相同的高度或 比其高的位置的情況下，也包含在上述引號內的內容中，即包含在本發明的技術範圍內。接著，對上述實施方式的變形例進行說明，在圖14的例中，上述外側杯體42的內 壁面形成為，峰的部分和谷的部分在縱方向上並行狀延伸，由此在周方向上形成峰的部分 和谷的部分反覆的波形狀。在該內壁面的表面，清洗液排出口 111以其排出口打開的形式 設置。並且，從清洗液排出口 111排出的清洗液在峰的頂部與峰的頂部的間距S，即相互鄰 接的波的高的部分的間距S內流動。於是，清洗液能夠積極地流動，所以具有能夠迅速地衝 走粘性較高的抗蝕劑的優點。圖15的例子中，沿著外側杯體42的內壁面的周方向形成槽部120，在像這樣形成 為環狀的槽部120內例如等間隔地設置有多個清洗液排出口 121。該清洗液排出口 121向 著晶片W的旋轉方向例如右方向形成。於是，如圖16所示，從清洗液排出口 121排出的清 洗液，一面在槽部120內被導向晶片W的旋轉方向，一面溢出沿內壁面向下方流動。因此， 清洗液排出口 121的高度水平上已形成很寬的液膜，所以容易在整個內壁面形成液膜。
10
權利要求
1.一種液處理裝置，從噴嘴向由基板保持部水平地保持的基板供給處理液來進行處 理，該液處理裝置的特徵在於，包括使所述基板保持部繞鉛垂軸旋轉的旋轉機構； 包圍由所述基板保持部保持的基板的杯體；用於從所述杯體的下方側將該杯體內的氣氛吸引排氣的吸引排氣部；和 霧捕捉液的供給口，其沿著所述杯體的周方向設置，用於從與所述基板相同高度或比 該基板更高的位置向所述杯體的內周面供給霧捕捉液，該霧捕捉液用於在所述基板旋轉而 處理液從該基板甩開時，捕捉該處理液的霧。
2.如權利要求1所述的液處理裝置，其特徵在於所述霧捕捉液的供給口的霧捕捉液的排出的方向與基板的旋轉方向相同。
3.如權利要求1或2所述的液處理裝置，其特徵在於，包括供給量調整部，其用於調整來自所述霧捕捉液的供給口的霧捕捉液的供給量； 存儲部，其存儲按照所述基板的轉速設定捕捉液的供給量的數據；和 控制部，其從所述數據讀出與基板的轉速相應的供給量，控制所述供給量調整部，供給 該供給量。
4.如權利要求1至3中任一項所述的液處理裝置，其特徵在於 所述霧捕捉液是用於清洗基板的清洗液。
5.如權利要求1至4中任一項所述的液處理裝置，其特徵在於，包括 回收部，其設置在所述供給口的更下方側，用於回收所述霧捕捉液；和 循環部，其使由該回收部回收的所述霧捕捉液循環回所述供給口。
6.一種液處理方法，向由基板保持部水平地保持的基板供給處理液來進行處理，該液 處理方法的特徵在於，包括使基板水平地保持在基板保持部上的工序；接著使基板保持部繞鉛垂軸旋轉並從噴嘴向該基板供給處理液的工序； 對包圍由所述基板保持部保持的基板的杯體內的氣氛進行吸引排氣的工序；和 在與所述基板相同高度或比該基板更高的位置，從沿著所述杯體的周方向設置的供給 口向所述杯體的內周面供給霧捕捉液，捕捉處理液的霧的工序，其中，該霧捕捉液用於在所 述基板旋轉而處理液從該基板甩開時，捕捉該處理液的霧。
7.一種存儲有液處理裝置中所使用的電腦程式的存儲介質，該液處理裝置從噴嘴向 由基板保持部水平地保持的基板供給處理液來進行處理，該存儲介質的特徵在於所述電腦程式中，按照實施權利要求6所述的液處理方法的方式編入有步驟組。
全文摘要
液處理裝置、液處理方法和存儲介質。本發明提供液處理裝置和液處理方法，能夠在一面使基板旋轉一面對基板進行液處理時，抑制杯體內的排氣量，同時抑制霧從杯體反彈，降低霧向基板的附著。在向晶片(W)進行抗蝕劑的排出的期間，以從流路形成部件(50)沿外側杯體(42)的內壁面的方式排出清洗液，在外側杯體(42)的內壁形成清洗液的液膜。從晶片(W)甩開的抗蝕劑由清洗液的液膜捕捉。捕捉了抗蝕劑的清洗液被回收到設置於外側杯體(42)的底部的流槽部(53)，再次從流路形成部件(50)向外側杯體(42)的內壁面排出。
文檔編號H01L21/00GK102078850SQ20101051725
公開日2011年6月1日 申請日期2010年10月15日 優先權日2009年10月16日
發明者坂本和生 申請人:東京毅力科創株式會社