具有選擇性發射級太陽能電池片的製作方法
2023-06-05 03:16:06
專利名稱：具有選擇性發射級太陽能電池片的製作方法
技術領域：
具有選擇性發射級太陽能電池片
技術領域：
本實用新型涉及晶體矽太陽能電池，尤其涉及具有選擇性發射級太陽能電池片。背景技術：
隨著人們對再生綠色能源需求量的增長，晶體矽太陽能電池技術得到了快速發 展。現有的晶體矽太陽能電池片的結構如圖1所示，它由矽片1、金字塔絨面2、、減反射膜 6、背銀電極7、鋁背場8、棚銀電極9和均勻摻雜層10組成，均勻摻雜層10覆蓋在矽片1的 上表面上，在均勻摻雜層10上沉積有減反射膜6，柵銀電極9印刷在減反射膜6上，在矽片 1的下表面分別印製有背銀電極7和鋁背場8，這種結構的晶體矽太陽能電池片的光電轉換 效率一般在16%左右。隨著太陽能電池的廣泛應用，人們對太陽能電池的轉換效率提出更 高要求。因此，必須開發光電轉換效率更高的晶體矽太陽能電池片。
實用新型內容為了提高電池片的轉換效率，本實用新型的目的是提供一種具有選擇性發射級太 陽能電池片。本實用新型所述具有選擇性發射級太陽能電池片，其特徵是它由矽片、金字塔絨 面、電極槽、重摻雜層、輕摻雜層、減反射膜、背銀電極、鋁背場和柵銀電極組成，在矽片的兩 側面均制有金字塔絨面，電極槽開設在矽片的上表面，重摻雜層擴散電極槽中，重摻雜層的 方塊電阻小於30 Ω / □；在矽片上表面的金字塔絨面上擴散有輕摻雜層，輕摻雜層的方塊 電阻大於100Ω/ □；柵銀電極印製在電極槽中的重摻雜層上，在輕摻雜層的上表面沉積有 減反射膜，在矽片的下表面上分別印製有背銀電極和鋁背場，背銀電極和鋁背場都與金字 塔絨面粘連為一體。這種結構的太陽能電池，在電池片表面形成了選擇性發射級，在電極槽接觸的地 方形成良好的低歐姆接觸，減小了接觸電阻引起的損耗；而在非電極槽接觸的地方形成了 高歐姆區，其目的是為了避免電池片表面形成死層，從而減少光生電子空穴對的複合損耗。 本實用新型能使晶體矽太陽能電池片具備選擇性發射級，提高了電池片的轉換效率，與現 有同類產品相比，平均光電轉化效率提高2% -3%，達到18%以上，使光伏產業給社會帶來 更大的收益，它解決了晶體矽電池光電傳化效率偏低的技術問題。
圖1為現有晶體矽太陽能電池的結構示意圖；圖2為本實用新型的結構示意圖；圖3為本實用新型中矽片的結構示意圖；圖中1_矽片；2-金字塔絨面；3-電極槽；4-重摻雜層；5-輕摻雜層；6_減反射 膜；7-背銀電極；8-鋁背場；9-柵銀電極；10-均勻摻雜層。
具體實施方式
下面以單晶矽太陽能電池片為例來說明本實用新型的具體實施方式
。本實用新型所述具有選擇性發射級太陽能電池片，如圖2、圖3所示，它由矽片1、 金字塔絨面2、電極槽3、重摻雜層4、輕摻雜層5、減反射膜6、背銀電極7、鋁背場8和柵銀 電極9組成，在矽片1的兩側面均制有金字塔絨面2，電極槽3開設在矽片1的上表面，重摻 雜層4擴散在電極槽3中，重摻雜層4的方塊電阻小於30 Ω / 口 ；在矽片1上表面的金字塔 絨面2上擴散有輕摻雜層5，輕摻雜層5的方塊電阻大於100 Ω / 口 ；柵銀電極9印製在電 極槽3中的重摻雜層4上，在輕摻雜層5的上表面沉積有減反射膜6，在矽片1的下表面上 分別印製有背銀電極7和鋁背場8，背銀電極7和鋁背場8都與金字塔絨面2粘連為一體。
權利要求一種具有選擇性發射級太陽能電池片，其特徵是它由矽片(1)、金字塔絨面(2)、電極槽(3)、重摻雜層(4)、輕摻雜層(5)、減反射膜(6)、背銀電極(7)、鋁背場(8)和柵銀電極(9)組成，在矽片(1)的兩側面均制有金字塔絨面(2)，電極槽(3)開設在矽片(1)的上表面，重摻雜層(4)擴散在電極槽(3)中，重摻雜層(4)的方塊電阻小於30Ω/□；在矽片(1)上表面的金字塔絨面(2)上擴散有輕摻雜層(5)，輕摻雜層(5)的方塊電阻大於100Ω/□；柵銀電極(9)印製在電極槽(3)中的重摻雜層(4)上，在輕摻雜層(5)的上表面沉積有減反射膜(6)，在矽片(1)的下表面上分別印製有背銀電極(7)和鋁背場(8)，背銀電極(7)和鋁背場(8)都與金字塔絨面(2)粘連為一體。
專利摘要一種具有選擇性發射級太陽能電池片，它由矽片、金字塔絨面、電極槽、重摻雜層、輕摻雜層、減反射膜、背銀電極、鋁背場和柵銀電極組成，電極槽開設在矽片的上表面，重摻雜層擴散在電極槽中，在矽片上表面的金字塔絨面上擴散有輕摻雜層，柵銀電極印製在電極槽中的重摻雜層上，在輕摻雜層的上表面沉積有減反射膜，在矽片的下表面上分別印製有背銀電極和鋁背場。這種結構的太陽能電池具有選擇性發射級，提高了電池片的轉換效率，與現有同類產品相比，平均光電轉化效率提高2％～3％，達到18％以上，使光伏產業給社會帶來更大的收益，它解決了晶體矽電池光電轉化效率偏低的技術問題。
文檔編號H01L31/0224GK201673918SQ20102019282
公開日2010年12月15日 申請日期2010年5月18日 優先權日2010年5月18日
發明者葉慶好, 孫劍波, 孫鐵囤 申請人:常州億晶光電科技有限公司