一種鎖相環中的單粒子輻射加固電荷泵電路的製作方法
2023-06-05 10:49:16
本發明涉及微電子技術領域，具體涉及一種鎖相環中的單粒子輻射加固的電荷泵電路。
背景技術：
隨著現代航天應用技術的發展與武器功能的多樣化，系統內部的處理器計算量增大，隨之越來越多的集成電路晶片將工作在輻射環境中。對於在輻射環境下工作的集成電路晶片，主要考慮單粒子效應和總劑量效應兩種。隨著集成電路工藝發展，總劑量效應對集成電路晶片的影響在減弱，相反單粒子效應對集成電路晶片的影響越來越大。相對於數字集成電路，模擬集成電路及數模混合集成電路對單粒子效應更敏感，在先進集成電路工藝中日趨嚴峻且加固設計更加困難。因此，模擬集成電路及數模混合集成電路的單粒子輻射加固研究已成研究重點及難點。
鎖相環電路作為產生時鐘基準的重要部件，已廣泛應用於商用和航空航天領域的集成電路晶片中，其通用結構如圖1所示。工作原理為：鑑頻鑑相器檢測輸入參考信號Vref與分頻器分頻後的反饋信號Vfb的相位或頻率，並根據相位差或頻率差產生電荷泵充放電控制信號和電荷泵在和的控制下對低通濾波器進行充電或放電，從而改變低通濾波器的輸出電壓(即電荷泵的輸出端電壓Vctrl)，也就是調整壓控振蕩器的控制電壓Vctrl，進而不斷地調整壓控振蕩器的輸出頻率以減小輸入參考信號Vref與反饋信號Vfb之間的相位差，這個反饋過程不斷的重複直到最終使輸入參考信號與反饋信號的相位對齊，即鎖相環鎖定。
電荷泵對整個鎖相環的性能起決定作用，圖2為基本差分型電荷泵。當PMOS管M6和NMOS管M4導通時，PMOS管M5和NMOS管M3關斷，結點C與結點Y電壓相等；當PMOS管M6和NMOS管M4關斷時，PMOS管M5和NMOS管M3導通，結點C與結點Y電壓相等，這樣結點C在NMOS管M4以及PMOS管M6導通與關斷時沒有電壓變化,即電荷泵輸出端Vctrl-old在NMOS管M4以及PMOS管M6導通與關斷時沒有電壓變化，從而避免了電荷共享效應。但是，電荷泵在單粒子瞬態效應中會產生大量的電荷對低通濾波器中的電容進行充放電，導致壓控振蕩器的控制電壓嚴重偏離鎖定值，超出最大或最小控制電壓，從而導致鎖相環的輸出時鐘長時間處於混亂狀態，嚴重影響到電子系統的正常工作。
技術實現要素：
本發明旨在解決以上現有技術的問題。提出了一種有效地改善鎖相環電路整體輸出抖動特性，從而提高鎖相環的抗單粒子輻射能力的鎖相環中的單粒子輻射加固電荷泵電路。本發明的技術方案如下：
一種鎖相環中的單粒子輻射加固電荷泵電路，包括基本電荷泵電路，其還包括輻射加固電路以及偏置電路，所述基本電荷泵電路的信號輸出端電連接所述輻射加固電路的信號輸入端，所述輻射加固電路的信號輸出端電連接所述基本電荷泵電路的單粒子輻射敏感結點端，所述偏置電路的輸出端電連接所述輻射加固電路的電壓輸入端；所述輻射加固電路在於，當基本電荷泵電路(1)中結點A、結點B、結點C、結點D或結點E受到高能單粒子轟擊產生單粒子瞬態脈衝電流時，輻射加固電路中對應的輻射補償電流管(結點A對應輻射補償電流管MC1、結點B對應輻射補償電流管MC2、結點C對應輻射補償電流管MC3及MC8、結點D對應輻射補償電流管MC7、結點E對應輻射補償電流管MC6)工作並產生補償電流以補償對應結點A、結點B、結點C、結點D、結點E的單粒子瞬態脈衝電流；所述偏置電路用於為所述輻射加固電路提供偏置，使得所述輻射加固電路中的輻射補償電流管(即PMOS管MC1、PMOS管MC2、PMOS管MC3、NMOS管MC6、NMOS管MC7以及NMOS管MC8)在基本電荷泵電路的相應結點(結點A對應PMOS管MC1、結點B對應PMOS管MC2、結點C對應PMOS管MC3及NMOS管MC8、結點D對應NMOS管MC7、結點E對應NMOS管MC6)未受到單粒子瞬態轟擊時不工作。
進一步的，所述基本電荷泵電路包括：NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、誤差放大器A1、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7以及PMOS管M8，其中，在所述基本電荷泵電路中PMOS管M8的源極與外部電源VDD相連，PMOS管M8的柵極與PMOS管M14的柵極以及外部偏置Vbp1相連，PMOS管M8的漏極與PMOS管M7的源極以及PMOS管MC1的源極相連，PMOS管M7的柵極與PMOS管M13的柵極以及外部偏置Vbp2相連，PMOS管M7的漏極分別與PMOS管M5的源極、PMOS管M6的源極以及PMOS管MC2的源極相連，PMOS管M5的柵極與輸入端相連，PMOS管M5的漏極分別與誤差放大器A1的輸出端、誤差放大器A1的反向輸入端以及NMOS管M3的漏極相連，NMOS管M3的柵極與輸入端相連，PMOS管M6的柵極與輸入端UP相連，PMOS管M6的漏極分別與誤差放大器A1的同向輸入端、NMOS管M4的漏極、NMOS管MC8的源極、PMOS管MC3的源極以及電阻R1的一端相連，NMOS管M4的柵極與輸入端DN相連，NMOS管M4的源極與NMOS管M3的源極、NMOS管MC7的源極以及NMOS管M2的漏極相連，NMOS管M2的柵極與NMOS管M10的柵極以及外部偏置Vbn2相連，NMOS管M2的源極與NMOS管MC6的源極以及NMOS管M1的漏極相連，NMOS管M1的柵極與NMOS管M9的柵極以及外部偏置Vbn1相連，NMOS管M1的源極與外部地線GND相連。
進一步的，所述輻射加固電路包括：PMOS管MC1、PMOS管MC2、PMOS管MC3、NMOS管MC4、NMOS管MC5、NMOS管MC6、NMOS管MC7、NMOS管MC8、PMOS管MC9、PMOS管MC10、電阻R1以及誤差放大器A2，在所述輻射加固電路中PMOS管MC1的漏極分別與PMOS管MC2的漏極、PMOS管MC3的漏極、NMOS管MC4的漏極、NMOS管MC4的柵極以及NMOS管MC5的柵極相連，NMOS管MC4的源極與NMOS管MC5的源極以及外部地線GND相連，PMOS管MC9的源極與PMOS管MC10的源極以及外部電源VDD相連，PMOS管MC9的漏極與電阻R1的另一端、誤差放大器A2的同向輸入端、輸出端Vctrl以及NMOS管MC5的漏極相連，PMOS管MC10的柵極與PMOS管MC9的柵極、PMOS管MC10的漏極、NMOS管MC8的漏極、NMOS管MC7的漏極以及NMOS管MC6的漏極相連，NMOS管MC8的柵極分別與PMOS管MC3的柵極、誤差放大器A2的反向輸入端、誤差放大器A2的輸出端、PMOS管M12的漏極以及NMOS管M11的漏極相連。
進一步的，所述偏置電路包括：NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、PMOS
管M12、PMOS管M13以及PMOS管M14；
在所述偏置電路中PMOS管M14的源極與NMOS管M11的柵極以及外部電源VDD相連，PMOS管M14的漏極與PMOS管MC1的柵極以及PMOS管M13的源極相連，PMOS管M13的漏極與PMOS管MC2的柵極以及PMOS管M12的源極相連，PMOS管M12的柵極與NMOS管M9的源極以及外部地線GND相連，NMOS管M11的源極與NMOS管MC7的柵極以及NMOS管M10的漏極相連，NMOS管M10的源極與NMOS管MC6的柵極以及NMOS管M9的漏極相連。
進一步的，所述基本電荷泵電路中PMOS管M5與PMOS管M6具有相同的寬長比，NMOS管M3與NMOS管M4具有相同的寬長比，誤差放大器A1強制PMOS管M5的漏極電壓與PMOS管M6的漏極電壓相等；
進一步的，所述輻射加固電路中PMOS管MC9與PMOS管MC10構成電流鏡，NMOS管MC4與NMOS管MC5構成電流鏡,誤差放大器A2強制所述基本電荷泵電路中結點C電壓VC與所述偏置電路中結點H電壓VH相等,即VC＝VH。
進一步的，當基本電荷泵電路未受到高能單粒子轟擊時，所述輻射加固電路中PMOS管MC1的柵源電壓VGS_C1、PMOS管MC2的柵源電壓VGS_C2、PMOS管MC3的柵源電壓VGS_C3、NMOS管MC6的柵源電壓VGS_C6、NMOS管MC7的柵源電壓VGS_C7及NMOS管MC8的柵源電壓VGS_C8均為0，即為：
VGS_C1＝VGS_C2＝VGS_C3＝VGS_C6＝VGS_C7＝VGS_C8＝0
當基本電荷泵電路未受到單粒子轟擊時，所述輻射加固電路中輻射補償電流管均不工作,即PMOS管MC1、PMOS管MC2、PMOS管MC3、NMOS管MC6、NMOS管MC7及NMOS管MC8均不工作。
本發明的優點及有益效果如下：
本發明通過設置PMOS管M14與PMOS管M8、PMOS管M13與PMOS管M7、NMOS管M10與NMOS管M2、NMOS管M9與NMOS管M1分別具有相同的寬長比,並通過合理選擇PMOS管M12與NMOS管M11的寬長比，使得當基本電荷泵電路的結點未受到高能單粒子轟擊時偏置電路中的結點F電壓VF與結點A電壓VA相等、結點G電壓VG與結點B電壓VB相等、結點H電壓VH與結點C電壓VC電壓相等、結點I電壓VI與結點D電壓VD相等、結點J電壓VJ與結點E電壓VE相等，從而使得當基本電荷泵電路的結點未受到高能單粒子轟擊時輻射加固電路中的輻射補償電流PMOS管MC1、輻射補償電流PMOS管MC2、輻射補償電流PMOS管MC3、輻射補償電流NMOS管MC8、輻射補償電流NMOS管MC7、輻射補償電流NMOS管MC6均不工作，且偏置電路中的結點F電壓VF、結點G電壓VG、結點I電壓VI、結點J電壓VJ分別為輻射加固電路中PMOS管MC1的柵極、PMOS管MC2的柵極、NMOS管MC7的柵極、NMOS管MC6的柵極提供偏置電壓，偏置電路中結點H電壓VH為輻射加固電路中PMOS管MC3的柵極及NMOS管MC8的柵極提供偏置；
當基本電荷泵電路中結點A、結點B或結點C處PMOS管漏極受到高能單粒子轟擊時將產生注入結點的單粒子瞬態電流從而使得結點電壓升高，同理基本電荷泵電路中結點C、結點D或結點E處NMOS管漏極受到高能單粒子轟擊時將產生流出結點的單粒子瞬態電流從而使得該結點電壓降低，同時所述輻射加固電路中電阻R1具有較大阻值使得此時誤差放大器A2的同向輸入端電壓仍保持基本電荷電路相應結點未受到高能單粒子轟擊時的電壓，結點F、結點G、結點H、結點I及結點J也仍保持基本電荷電路相應結點未受到高能單粒子轟擊時的電壓，從而使得輻射加固電路中與基本電荷電路受到高能單粒子轟擊的結點相連的輻射補償電流管(結點A對應輻射補償電流管MC1、結點B對應輻射補償電流管MC2、結點C對應輻射補償電流管MC3及MC8、結點D對應輻射補償電流管MC7、結點E對應輻射補償電流管MC6)柵源電壓絕對值|VGS|快速增加，輻射補償電流管快速產生補償電流以補償結點受到高能單粒子轟擊所產生的單粒子瞬態電流，抑制結點電壓變化，提高電荷泵抗單粒子輻射能力，從而有效地改善鎖相環電路整體輸出抖動特性，提高鎖相環的抗單粒子輻射能力。
附圖說明
圖1是基本鎖相環的結構示意圖；
圖2為傳統差動電荷泵電路圖；
圖3為本發明提供優選實施例的單粒子輻射加固電荷泵電路圖；
圖4為本發明單粒子輻射加固電荷泵及傳統差動電荷泵電路分別構成鎖相環在節點C受到單粒子轟擊時輸出端Vctrl電壓仿真圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、詳細地描述。所描述的實施例僅僅是本發明的一部分實施例。
本發明的技術方案如下：
本申請實施例通過提供一種鎖相環中的單粒子輻射加固電荷泵電路，在傳統差動基本電荷泵基礎上增加輻射加固電路以及偏置電路，當基本電荷泵電路受到高能單粒子轟擊時輻射加固電路能為基本電荷泵電路快速產生補償電流以補償單粒子瞬態脈衝電流，有效地改善鎖相環電路整體輸出抖動特性，從而提高鎖相環的抗單粒子輻射能力。
為了更好的理解上述技術方案，下面將結合說明書附圖以及具體的實施方式，對上述技術方案進行詳細的說明。
實施例
一種鎖相環中的單粒子輻射加固電荷泵電路，如圖3所示，包括基本電荷泵電路1、輻射加固電路2以及偏置電路3，其中，所述基本電荷泵電路1的信號輸出端接所述輻射加固電路2的信號輸入端，所述輻射加固電路2的信號輸出端接所述基本電荷泵電路1的單粒子輻射敏感結點端，所述偏置電路3的輸出端接所述輻射加固電路2的電壓輸入端，所述偏置電路3為所述輻射加固電路2提供偏置，確保所述輻射加固電路2中的輻射補償電流管在基本電荷泵電路1的相應結點未受到高能單粒子轟擊時不工作，同時確保所述輻射加固電路2在基本電荷泵電路1的相應結點受到高能單粒子轟擊時快速產生補償電流以補償單粒子瞬態脈衝電流，可有效地改善鎖相環電路整體輸出抖動特性,從而提高其抗單粒子輻射的能力。
作為一種優選的技術方案，如圖3所示，所述基本電荷泵電路1包括：NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、誤差放大器A1、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7以及PMOS管M8，所述輻射加固電路2包括：PMOS管MC1、PMOS管MC2、PMOS管MC3、NMOS管MC4、NMOS管MC5、NMOS管MC6、NMOS管MC7、NMOS管MC8、PMOS管MC9、PMOS管MC10、電阻R1以及誤差放大器A2，所述偏置電路3包括：NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13以及PMOS管M14；
其中，在所述基本電荷泵電路1中PMOS管M8的源極與外部電源VDD相連，PMOS管M8的柵極與PMOS管M14的柵極以及外部偏置Vbp1相連，PMOS管M8的漏極與PMOS管M7的源極以及PMOS管MC1的源極相連，PMOS管M7的柵極與PMOS管M13的柵極以及外部偏置Vbp2相連，PMOS管M7的漏極與PMOS管M5的源極、PMOS管M6的源極以及PMOS管MC2的源極相連，PMOS管M5的柵極與輸入端相連，PMOS管M5的漏極與誤差放大器A1的輸出端、誤差放大器A1的反向輸入端以及NMOS管M3的漏極相連，NMOS管M3的柵極與輸入端相連，PMOS管M6的柵極與輸入端UP相連，PMOS管M6的漏極與誤差放大器A1的同向輸入端、NMOS管M4的漏極、NMOS管MC8的源極、PMOS管MC3的源極以及電阻R1的一端相連，NMOS管M4的柵極與輸入端DN相連，NMOS管M4的源極與NMOS管M3的源極、NMOS管MC7的源極以及NMOS管M2的漏極相連，NMOS管M2的柵極與NMOS管M10的柵極以及外部偏置Vbn2相連，NMOS管M2的源極與NMOS管MC6的源極以及NMOS管M1的漏極相連，NMOS管M1的柵極與NMOS管M9的柵極以及外部偏置Vbn1相連，NMOS管M1的源極與外部地線GND相連；
在所述輻射補償電路2中PMOS管MC1的漏極與PMOS管MC2的漏極、PMOS管MC3的漏極、NMOS管MC4的漏極、NMOS管MC4的柵極以及NMOS管MC5的柵極相連，NMOS管MC4的源極與NMOS管MC5的源極以及外部地線GND相連，PMOS管MC9的源極與PMOS管MC10的源極以及外部電源VDD相連，PMOS管MC9的漏極與電阻R1的另一端、誤差放大器A2的同向輸入端、輸出端Vctrl以及NMOS管MC5的漏極相連，PMOS管MC10的柵極與PMOS管MC9的柵極、PMOS管MC10的漏極、NMOS管MC8的漏極、NMOS管MC7的漏極以及NMOS管MC6的漏極相連，NMOS管MC8的柵極與PMOS管MC3的柵極、誤差放大器A2的反向輸入端、誤差放大器A2的輸出端、PMOS管M12的漏極以及NMOS管M11的漏極相連；
在所述偏置電路3中PMOS管M14的源極與NMOS管M11的柵極以及外部電源VDD相連，PMOS管M14的漏極與PMOS管MC1的柵極以及PMOS管M13的源極相連，PMOS管M13的漏極與PMOS管MC2的柵極以及PMOS管M12的源極相連，PMOS管M12的柵極與NMOS管M9的源極以及外部地線GND相連，NMOS管M11的源極與NMOS管MC7的柵極以及NMOS管M10的漏極相連，NMOS管M10的源極與NMOS管MC6的柵極以及NMOS管M9的漏極相連。
所述基本差動電荷泵1中的誤差放大器A1以及所述輻射加固電路2中的誤差放大器A2是現有技術。
進一步地，所述基本電荷泵電路中PMOS管M5與PMOS管M6具有相同的寬長比，NMOS管M3與NMOS管M4具有相同的寬長比，誤差放大器A1強制PMOS管M5的漏極電壓與PMOS管M6的漏極電壓相等；
所述輻射加固電路中PMOS管MC9與PMOS管MC10構成電流鏡，NMOS管MC4與NMOS管MC5構成電流鏡,誤差放大器A2強制所述基本電荷泵電路中結點C電壓VC與所述偏置電路中結點H電壓VH相等,即VC＝VH；
所述偏置電路中PMOS管M14與所述基本電荷泵電路中PMOS管M8具有相同的寬長比，所述偏置電路中PMOS管M13與所述基本電荷泵電路中PMOS管M7具有相同的寬長比，所述偏置電路中NMOS管M10與所述基本電荷泵電路中NMOS管M2具有相同的寬長比，所述偏置電路中NMOS管M9與所述基本電荷泵電路中NMOS管M1具有相同的寬長比,通過合理選擇所述偏置電路中PMOS管M12與NMOS管M11的寬長比，則當基本電荷泵電路未受到高能單粒子轟擊時，所述偏置電路中結點F電壓VF、結點G電壓VG、結點H電壓VH、結點I電壓VI、結點J電壓VJ分別與所述基本電荷泵電路中結點A電壓VA、結點B電壓VB、結點C電壓VC、結點D電壓VD、結點E電壓VE相等，即VA＝VF,VB＝VG,VC＝VH,VD＝VI及VE＝VJ。
進一步，當基本電荷泵電路未受到高能單粒子轟擊時，所述輻射加固電路中PMOS管MC1的柵源電壓VGS_C1、PMOS管MC2的柵源電壓VGS_C2、PMOS管MC3的柵源電壓VGS_C3、NMOS管MC6的柵源電壓VGS_C6、NMOS管MC7的柵源電壓VGS_C7及NMOS管MC8的柵源電壓VGS_C8均為0，即為：
VGS_C1＝VGS_C2＝VGS_C3＝VGS_C6＝VGS_C7＝VGS_C8＝0
當基本電荷泵電路未受到單粒子轟擊時，所述輻射加固電路中輻射補償電流管均不工作,即PMOS管MC1、PMOS管MC2、PMOS管MC3、NMOS管MC6、NMOS管MC7及NMOS管MC8均不工作。
進一步地，當高能單粒子轟擊所述基本電荷泵電路中對單粒子輻射敏感結點處相應MOS管漏極時將產生單粒子瞬態電流,從而導致該結點電壓升高或降低,此時所述輻射加固電路中與被高能單粒子轟擊結點相連的輻射補償電流管快速產生補償電流從而抑制單粒子瞬態電流對後續低通濾波器電路中電容的影響,也抵消了單粒子瞬態電流對後續壓控振蕩器的控制電壓的擾動,並驅使鎖相環快速回到鎖定狀態；
此處以所述基本電荷泵電路中結點C處MOS管的漏極被高能單粒子轟擊為例:
當高能單粒子轟擊所述基本電荷泵電路中PMOS管M6的漏極時,將產生單粒子瞬態電流注入到結點C，NMOS管M4的溝道電流不變,則結點C電壓VC升高,同時所述輻射加固電路中電阻R1具有較大阻值使得此時誤差放大器A2的同向輸入端電壓仍保持結點C未受到高能單粒子轟擊時的電壓，因而所述輻射加固電路中輻射補償電流管MC3的柵極電壓保持不變,輻射補償電流管MC3的柵源電壓絕對值|VGS_C3|快速增加,輻射補償電流管MC3快速產生補償電流以補償結點C受到高能單粒子轟擊所產生的單粒子瞬態電流，抑制結點C電壓變化，從而提高電荷泵抗單粒子輻射能力；
當高能單粒子轟擊所述基本電荷泵中NMOS管M4的漏極時，將產生單粒子瞬態電流使得結點C電壓VC降低,所述輻射加固電路中電阻R1具有較大阻值使得此時誤差放大器A2的同向輸入端電壓仍保持結點C未受到高能單粒子轟擊時的電壓，輻射補償電流管MC8的柵極電壓保持不變,輻射補償電流管MC8的柵源電壓VGS_C8快速增加,輻射補償電流管MC8快速產生補償電流以補償結點C受到高能單粒子轟擊所產生的單粒子瞬態電流，從而抑制結點C電壓變化，提高電荷泵抗單粒子瞬態能力。
進一步地，高能單粒子轟擊所述基本電荷泵中PMOS管M7漏極及PMOS管M8漏極的工作原理與上述高能單粒子轟擊所述基本電荷泵中PMOS管M6漏極的工作原理相同，高能單粒子轟擊所述基本電荷泵中NMOS管M1漏極及NMOS管M2漏極的工作原理與上述高能單粒子轟擊所述基本電荷泵中NMOS管M4漏極的工作原理相同，此處就不贅述。
圖4為工作頻率為1GHz時採用2所示傳統差動電荷泵電路及圖3所示本發明的單粒子輻射加固電荷泵電路分別構成的鎖相環在電荷泵輸出結點C受到相同能量的高能單粒子轟擊時，電荷泵輸出端Vctrl的電壓Vctrl瞬態響應仿真曲線。仿真結果表明，採用圖2所示的傳統差動電荷泵電路構成的鎖相環在電荷泵輸出結點C受到高能單粒子轟擊時電荷泵電路輸出端Vctrl的最大擾動量為110.8mV,而採用圖3所示的本發明的單粒子輻射加固電荷泵電路構成的鎖相環在電荷泵電路結點C受到高能單粒子轟擊時電荷泵電路輸出端Vctrl的最大擾動量僅為6.8mV。本發明的單粒子輻射加固電荷泵電路有效地降低了單粒子效應的敏感性,從而提升了鎖相環的抗輻射能力。
本申請的上述實施例中，通過提供一種鎖相環中的單粒子輻射加固電荷泵電路，包括基本電荷泵電路、輻射加固電路以及偏置電路，其中，所述基本電荷泵電路的信號輸出端接所述輻射加固電路的信號輸入端，所述輻射加固電路的信號輸出端接所述基本電荷泵電路的單粒子輻射敏感結點端，所述偏置電路的輸出端接所述輻射加固電路的電壓輸入端；所述偏置電路為所述輻射加固電路提供偏置，確保所述輻射加固電路中輻射補償電流管在基本電荷泵電路的相應結點未受到高能單粒子轟擊時不工作，同時確保所述輻射加固電路在基本電荷泵電路的相應結點受到高能單粒子轟擊時快速產生補償電流以補償單粒子瞬態脈衝電流，可有效地改善鎖相環電路整體輸出抖動特性,從而提高其抗單粒子輻射的能力。
以上這些實施例應理解為僅用於說明本發明而不用於限制本發明的保護範圍。在閱讀了本發明的記載的內容之後，技術人員可以對本發明作各種改動或修改，這些等效變化和修飾同樣落入本發明權利要求所限定的範圍。