製備配向膜的系統與方法、基板以及顯示面板與流程
2023-06-07 03:25:16
本發明涉及液晶顯示領域，具體地，涉及製備配向膜的系統與方法、基板以及顯示面板。
背景技術：
目前，lcd(液晶顯示器)行業已經趨於成熟，被廣泛應用於各類應用場景，實現顯示以及人機互動功能。在lcd中，為了為液晶分子提供預傾角，需要在彩膜基板以及陣列基板上設置配向膜，以便經過摩擦後為液晶旋轉提供預傾角。目前製備配向膜的方法主要有轉印和噴塗兩種方式。這兩種方式製備的配向膜，由配向膜邊緣至顯示區的距離(edgemargin，em)約為1-2mm左右。隨著顯示技術的發展，各大面板廠商都在提升自身產品的競爭力，致力於製備高解析度、高色域、輕質化、窄邊框化以及高對比度的lcd。隨著lcd窄邊框化發展，要求配向膜邊緣至顯示區的距離也隨之降低。因此，造成由於配向膜邊緣位置控制不夠精確，產品良率下降。
因此，目前的製備配向膜的系統與方法、基板以及顯示面板仍有待改進。
技術實現要素：
本發明是基於發明人對於以下事實和問題的發現和認識作出的：
發明人發現，目前的配向膜塗覆工藝普遍存在著配向膜邊緣不整齊、em值(配向膜邊緣至顯示區的距離)過大、配向膜邊緣擴散區域(halo區域)膜厚不均勻等問題。為了適應目前市場上lcd產品的超窄邊框、高解析度和高透過率的發展趨勢，從而對tft-lcd生產工藝提出了更高的要求，產品的em值均要求確保在1mm以內(傳統的製備工藝中em值在1-2mm左右)，同時加上halo區域膜厚不均勻的影響，目前的配向膜塗覆工藝很難滿足新技術的設計要求。發明人經過深入研究以及大量實驗發現，這主要是由於目前的配向膜塗覆工藝製備的配向膜的不規則擴散造成的，從而使配向膜的邊緣不整齊、em值過大以及產生一定區域的halo區域。配向膜的性能受其不規則擴散的影響，進而影響了顯示器的對比度、響應時間等顯示特性。然而，通過改進配向膜塗覆工藝來改善上述問題十分困難。通過塗覆的方法製備的配向膜，如需要精確控制最終獲得的配向膜邊緣位置，則需要對塗覆過程進行精確控制，從而造成生產成本大幅增加，生產效率下降。並且，由於塗覆工藝是通過塗覆配向膜液(pi液)形成配向膜的，配向膜液的自由擴散過程以及乾燥過程，也造成最終形成的配向膜邊緣擴散區域厚度不均勻。因此，如能在塗覆配向膜後，通過簡單的操作改正上述問題，將不僅有利於提高產品良率，且可以保證lcd的生產成本以及生產效率不受影響。
本發明旨在至少一定程度上緩解或解決上述提及問題中至少一個。
有鑑於此，在本發明的一個方面，本發明提出了一種製備配向膜的系統，該系統包括：刻蝕裝置，所述刻蝕裝置中限定出樣品容納空間；模板裝置，所述模板裝置包括刻蝕模板，所述刻蝕模板與所述刻蝕裝置相對設置；以及等離子體裝置，所述等離子體裝置設置在所述模板裝置遠離所述刻蝕裝置的一側，所述等離子體裝置被設置為能夠產生等離子體，且所述等離子體能夠通過所述刻蝕模板，作用於所述樣品容納空間中的待刻蝕樣品。由此，可以利用等離子體刻蝕製備配向膜，使配向膜邊緣整齊，有利於lcd的窄邊框化，並緩解配向膜邊緣擴散區域厚度不均的問題。
根據本發明的實施例，所述等離子體裝置進一步包括：等離子體發生單元，所述等離子體裝置為氣體電解等離子體裝置；氣體介質單元，所述氣體介質單元向所述等離子體發生單元供給氣體介質。由此，可以進一步提高利用等離子體刻蝕製備配向膜的性能，同時，可以通過對刻蝕氣體的選擇以及產生等離子體參數的調控，使產生的等離子體僅與配向膜反應，防止損傷配向膜下方的其他有機模結構。
根據本發明的實施例，該系統進一步包括：對位裝置，所述對位裝置與所述模板裝置相連，用於基於所述待刻蝕樣品的位置，對所述刻蝕模板進行對位處理。由此，可以防止刻蝕過度，進一步提高等離子體刻蝕的精度。
根據本發明的實施例，所述刻蝕模板上具有刻蝕區以及遮擋區，所述刻蝕區環繞所述遮擋區設置，所述刻蝕區是由網狀模板構成的，所述網狀模板的網絲直徑為10-20微米。由此，可以進一步提高利用該系統製備配向膜的效率和效果。
在本發明的另一方面，本發明提出了一種製備配向膜的方法，該方法包括：通過等離子體裝置產生等離子體，利用所述等離子體，基於所述模板裝置的刻蝕模板，對刻蝕裝置中的待刻蝕樣品進行刻蝕處理，以便獲得所述配向膜。通過將待刻蝕配向膜厚度不均、界線不規則的邊緣區域刻蝕除去，可以簡便地獲得形狀規則、厚度均勻的配向膜，且可以簡便地控制配向膜的邊緣位置。由此，有利於提高利用該配向膜製備lcd時的產品良率。
根據本發明的實施例，所述等離子體裝置為氣體電解等離子體裝置。由此，可以通過對刻蝕氣體的選擇以及產生等離子體參數的調控，使產生的等離子體僅與配向膜反應，防止損傷配向膜下方的其他有機模結構。
根據本發明的實施例，在進行所述刻蝕處理之前，進一步包括：利用對位裝置，基於所述待刻蝕樣品的位置，對所述刻蝕模板進行對位處理，所述對位處理是通過以下步驟實現的：所述待刻蝕樣品包括襯底以及待刻蝕配向膜，所述待刻蝕配向膜設置在所述襯底上，所述待刻蝕配向膜包括顯示區以及待刻蝕區，所述待刻蝕區環繞所述顯示區設置，所述遮擋區的面積大於所述顯示區的面積，基於所述顯示區的位置，對所述刻蝕模板進行對位處理，使所述遮擋區的邊緣在所述襯底上的投影，與所述顯示區的邊緣之間的距離為0.15-0.3mm。由此可以進一步提高刻蝕的精度。
根據本發明的實施例，所述刻蝕區是由網狀模板構成的，所述網狀模板的網絲直徑為10-20微米，所述方法進一步包括：通過調節所述網絲直徑，控制所述刻蝕處理的刻蝕速率。由此，可以控制刻蝕速率，進一步提高製備配向膜的效率。
在本發明的又一方面，本發明提出了一種基板，該基板包括：襯底；配向膜，所述配向膜設置在所述襯底上，所述配向膜是由前面所述的製備配向膜的系統製備的。由此，該配向膜具有前面描述的製備配向膜的系統製備的配向膜所具有的全部特徵以及優點，在此不再贅述。總的來說，該基板具有配向膜邊緣厚度均勻、形狀規則、配向膜邊緣與顯示區之間距離較近等優點的至少之一。
在本發明的又一方面，本發明提出了一種顯示面板，該顯示面板包括：彩膜基板，所述彩膜基板上設置有第一配向膜；陣列基板，所述陣列基板與所述彩膜基板對盒設置，所述陣列基板上設置有第二配向膜；液晶層，所述液晶層設置在所述第一配向膜以及所述第二配向膜之間，其中，所述第一配向膜以及所述第二配向膜的至少之一是由前面所述的系統製備的。由此，該顯示面板具有前面描述的製備配向膜的系統製備的配向膜所具有的全部特徵以及優點，在此不再贅述。總的來說，該顯示面板具有邊框較窄、產品良率較高等優點的至少之一。
附圖說明
本發明的上述和/或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：
圖1顯示了根據本發明一個實施例的製備配向膜的系統的結構示意圖；
圖2顯示了根據本發明另一個實施例的製備配向膜的系統的結構示意圖；
圖3顯示了根據本發明一個實施例的待刻蝕樣品的結構示意圖；
圖4顯示了根據本發明一個實施例的待刻蝕配向膜的結構示意圖；
圖5顯示了利用塗覆工藝製備的配向膜的邊緣照片；
圖6顯示了利用塗覆工藝製備的配向膜的邊緣照片圖；
圖7顯示了利用塗覆工藝製備的配向膜邊緣擴散區域的示意圖；
圖8顯示了利用塗覆工藝製備的配向膜邊緣的結構示意圖；
圖9顯示了根據本發明一個實施例的配向膜邊緣的結構示意圖；
圖10顯示了根據本發明一個實施例的製備配向膜的方法的流程示意圖；
圖11顯示了根據本發明一個實施例的基板的結構示意圖；以及
圖12顯示了根據本發明一個實施例的顯示面板的結構示意圖。
附圖標記說明：
100：刻蝕裝置；110：樣品容納空間；120：待刻蝕樣品；130：襯底；140：待刻蝕配向膜；141：顯示區；142：待刻蝕區；150：基板；200：模板裝置；210：刻蝕模板；211：遮擋區；212：刻蝕區；300：等離子體裝置；310：等離子體發生單元；320：氣體介質單元；400：配向膜；410：第一配向膜；420：第二配向膜；500：彩膜基板；600：陣列基板；700：液晶層；800：封框膠部；900：對位裝置；10：顯示區的邊緣；20：待刻蝕配向膜的邊緣；30：遮擋區在襯底上的投影。
具體實施方式
下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用於解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。
在本發明的一個方面，本發明提出了一種製備配向膜的系統，參考圖1，該系統包括：刻蝕裝置100、模板裝置200以及等離子體裝置300。根據本發明的實施例，刻蝕裝置100中限定出樣品容納空間110。模板裝置200包括刻蝕模板(圖中未示出)，刻蝕模板與刻蝕裝置100相對設置。等離子體裝置300設置在模板裝置200遠離刻蝕裝置100的一側，等離子體裝置300被設置為能夠產生等離子體(如圖中的箭頭所示)，等離子體可以通過刻蝕模板，作用於樣品容納空間110中的待刻蝕樣品，以便實現配向膜的製備。由此，可以利用等離子體刻蝕製備配向膜，使配向膜邊緣整齊，有利於lcd的窄邊框化，並緩解配向膜邊緣擴散區域厚度不均的問題。
根據本發明的實施例，利用該系統製備的配向膜，可以為用於顯示裝置的彩膜基板或陣列基板上的配向膜。下面根據本發明的具體實施例，對該系統的各個裝置進行詳細說明：
根據本發明的實施例，參考圖2，等離子體裝置300的具體類型不受特別限制，只要可以產生等離子體，並實現對待刻蝕樣品的刻蝕即可。例如，可以採用液體等離子體或是氣體等離子體發生裝置，構成等離子體裝置300。根據本發明的具體實施例，等離子體裝置300為氣體電解等離子體裝置，由此，可以進一步提高利用等離子體進行刻蝕處理的效率，並提高刻蝕精度。等離子體裝置300可以進一步包括：等離子體發生單元310以及氣體介質單元320。根據本發明的實施例，氣體介質單元320向等離子體發生單元310供給氣體介質。根據本發明的實施例，等離子體能夠通過刻蝕模板210，作用於待刻蝕樣品120。根據本發明的實施例，氣體介質的具體類型不受特別限制，只需可以採用等離子體裝置300產生氣體電解等離子體即可。根據本發明的具體實施例，氣體介質可以包括空氣。可以通過對刻蝕氣體的選擇以及產生等離子體參數的調控，使產生的等離子體僅與配向膜反應，防止損傷配向膜下方的其他有機模結構。由此，可以防止損傷配向膜下方的其他有機模結構，進一步提高利用等離子體刻蝕製備配向膜的性能。
下面，首先對利用刻蝕模板以及等離子體裝置100產生的等離子體進行配向膜製備的過程進行簡單說明：
根據本發明的實施例，參考圖2，待刻蝕樣品120包括：襯底130以及待刻蝕配向膜140。其中，待刻蝕配向膜140設置在襯底130上，待刻蝕配向膜140在刻蝕裝置200中朝向刻蝕模板210設置。待刻蝕配向膜140包括顯示區141以及待刻蝕區142。其中，待刻蝕區142環繞顯示區141設置。本領域技術人員能夠理解的是，為了提高製備效率，可以在襯底130上設置多個待刻蝕配向膜140，待刻蝕配向膜140經過根據本發明實施例的裝置處理後，形成配向膜。隨後，通過對襯底130進行裁切，可以獲得多個具有配向膜的基板。根據本發明的實施例，模板裝置200進一步包括刻蝕模板210。根據本發明的實施例，刻蝕模板210進一步包括：刻蝕區212以及遮擋區211。根據本發明的實施例，刻蝕區212環繞遮擋區211。遮擋區211能夠遮擋氣體等離子體通過，刻蝕區212可以使等離子體通過。由此，由等離子體裝置300產生的等離子體(如圖中箭頭所示)，首先經過刻蝕模板210，遮擋區211處的等離子體被遮擋，無法作用於待刻蝕樣品。而刻蝕區212處的等離子體，可以穿過刻蝕模板210，作用於待刻蝕樣品120的待刻蝕區142上。由此，可以實現配向膜的製備。
根據本發明的實施例，為了更加精確的控制等離子體的刻蝕精度，該系統還可以進一步包括對位裝置900。對位裝置900和刻蝕模板210相連，用於基於待刻蝕樣品120的位置，對刻蝕模板210進行對位處理。具體地，如前所述，待刻蝕樣品120上設置有多個待刻蝕配向膜140，且可以通過後期對襯底130進行剪切處理，獲得多個基板。本領域技術人員可以理解的是，待刻蝕配向膜140，設置在最終獲得的基板中。也即是說，參考圖3，待刻蝕配向膜140(圖中未示出)設置在基板150的中央，待刻蝕配向膜140中包括顯示區141以及待刻蝕區142。顯示區141的邊緣、待刻蝕區142的邊緣(即待刻蝕配向膜140的邊緣)、基板150的邊緣以及襯底130的邊緣之間，均存在著一定的距離。對位裝置900可以根據待刻蝕樣品120的具體位置，調整刻蝕模板210的位置，使得刻蝕模板210中遮擋區211的位置，更好地與待刻蝕樣品120中顯示區141的位置進行對應。由此，一方面可以精確控制最終獲得的配向膜的邊緣的位置，有利於該基板製備的顯示面板可以更好地窄邊框化；另一方面，可以進行防止在刻蝕過程中由於刻蝕過度，損傷顯示區141的待刻蝕配向膜，造成顯示區141的配向膜損傷。
根據本發明的具體實施例，參考圖4，遮擋區211在襯底上的投影30，環繞顯示區141。顯示區的邊緣10與遮擋區在襯底上的投影30之間的距離d可以控制為0.15-0.3mm。例如，可以將上述距離控制為0.3mm。根據本發明的具體實施例，通過對位裝置900控制刻蝕模板210，可以將對位精度控制在0.1mm，而進行對位時，在位置移動過程中產生的誤差可以控制在1微米左右。由於目前窄邊框化的顯示裝置，普遍要求配向膜邊緣和顯示區的邊緣具有1mm以內的距離，因此，利用對位裝置900進行對位處理之後，可以保證最終形成的配向膜的邊緣(即遮擋區211在襯底上投影30的邊緣)，與顯示區141之間的距離可以滿足超窄邊框顯示裝置的要求。
根據本發明的實施例，上述對位處理，可以是通過設置在襯底130上的對位標記而實現的。根據本發明的具體實施例，對位裝置可以進一步包括用於抓取對位標記位置的ccd，在進行對位處理時，可以通過ccd抓取對位標記的位置，然後基於襯底上對位標記的位置，移動刻蝕模板210而實現。上述對位處理的精度可以控制在0.1mm，能夠充分滿足配向膜邊緣位置精度的要求。
根據本發明的具體實施例，利用根據本發明實施例的系統，可以獲得邊緣較為規則、厚度均一且位置控制精確的配向膜。具體地，由於目前製備配向膜是利用塗覆工藝進行的，而塗覆配向膜液(pi液)形成配向膜的過程中，由於配向膜液存在自由擴散過程以及乾燥過程的影響，造成最終形成的配向膜存在邊緣不整齊，厚度不均一的問題。參考圖5，由於配向膜液存在自由擴散過程，因此，最終形成的配向膜邊緣(圖中所示出的pi邊緣)到顯示區的距離(圖中所示出的em值)要大於預設的em值。也即是說，配向膜液的不規則擴散導致em值過大。並且，參考圖6以及圖7，由於自由擴散過程以及乾燥過程的影響，最終形成的配向膜在邊緣擴散區域(halo區域)的厚度存在不均勻的問題。而為了適應顯示裝置窄邊框化的要求，需要設置有配向膜的基板，在進行對盒設置時，封框膠部距離顯示區的距離儘可能小。參考圖8，配向膜400邊緣不均勻，而在設置封框膠部800時，容易造成配向膜400的邊緣向外凸起的部分，與封框膠部800之間的距離過近。且由於邊緣擴散區域的配向膜厚度較厚，造成配向膜400與封框膠部800接觸的風險增大，進而影響封裝效果，導致產品良率降低。本領域技術人員能夠理解的是，上述不規則的邊緣以及擴散區域，在利用根據本發明實施例的系統對待刻蝕樣品進行處理時，處於刻蝕模板210的刻蝕區212對應的位置，並在等離子體的作用下，被刻蝕除去。經根據本發明實施例的系統處理後的配向膜如圖9所示。由於根據本發明實施例的系統製備的配向膜的邊緣，是通過前面所述的刻蝕處理而形成的，並非自由擴散形成，因此，利用根據本發明實施例的系統，可以得到位置精度高、邊緣整齊、邊緣膜厚均勻的配向膜400，同時也避免了配向膜和封框膠部800接觸的風險。由此，可以提高產品良率，降低lcd的生產成本、提高生產效率。
根據本發明的實施例，參考圖2，刻蝕區212是由網狀模板構成的，網狀模板的網絲直徑為10-20微米。根據本發明的實施例，網絲直徑可調，從而可以控制刻蝕處理的刻蝕速率。由此，可以控制刻蝕速率，進一步提高製備配向膜的效率。
在本發明的另一方面，本發明提出了一種製備配向膜的方法。根據本發明的實施例，該方法可以是利用前面描述的系統進行的。具體地，參考圖10，該方法包括：
s100：產生等離子體
在該步驟中，通過等離子體裝置產生等離子體，以便後續利用該等離子體對待刻蝕配向膜進行刻蝕。根據本發明的實施例，等離子體裝置可以具有前面描述的等離子體裝置相同的特徵以及優點，在此不再贅述。根據本發明的具體實施例，可以利用氣體電解等離子體裝置，產生等離子體。產生等離子體的氣體介質可以包括空氣。由此，可以通過對刻蝕氣體的選擇以及產生等離子體參數的調控，使產生的等離子體僅與配向膜反應，防止損傷配向膜下方的其他有機模結構。
s200：刻蝕處理
在該步驟中，利用前面產生的等離子體，基於模板裝置的刻蝕模板，對刻蝕裝置中的待刻蝕樣品進行刻蝕處理，以便獲得配向膜。其中，待刻蝕樣品包括襯底以及待刻蝕配向膜，待刻蝕配向膜設置在襯底上，待刻蝕配向膜在刻蝕裝置中朝向刻蝕模板設置。根據本發明的實施例，待刻蝕配向膜包括顯示區以及待刻蝕區，待刻蝕區環繞顯示區設置，刻蝕模板上具有刻蝕區以及遮擋區，刻蝕區環繞遮擋區設置，遮擋區的面積大於顯示區的面積，通過將待刻蝕配向膜厚度不均、界線不規則的邊緣區域刻蝕除去，可以簡便地獲得形狀規則、厚度均勻的配向膜，且可以簡便地控制配向膜的邊緣位置。由此，有利於提高利用該配向膜製備lcd時的產品良率。
為了進一步提高利用該方法製備的配向膜的性能，在產生等離子體之前，該方法可以進一步包括：
s10：對位處理
根據本發明的實施例，在該步驟中，在進行刻蝕處理之前，也就是說，在產生等離子體之前，可以首先進行對位處理。該對位處理可以是利用前面描述的對位裝置，基於待刻蝕樣品的位置，對刻蝕模板進行對位處理。根據本發明的實施例，對位處理是通過以下步驟實現的：該對位處理是利用設置在待刻蝕樣品上的對位標記，對刻蝕模板進行對位，以便遮擋區與顯示區相對設置，且顯示區的邊緣在遮擋區上的投影，與遮擋區的邊緣之間的距離為0.15-0.3mm(如圖4中的d)。如前所述，上述對位處理的精度可以控制在0.1mm，誤差控制在1微米以內，由此，能夠充分滿足配向膜邊緣位置精度的要求，由此可以進一步提高刻蝕的精度。
根據本發明的實施例，為了進一步提高利用該方法進行刻蝕的效率以及效果，在產生等離子體之前，還可以進一步包括：
s20：控制刻蝕速度
根據本發明的實施例，刻蝕模板的刻蝕區是由網狀模板構成的，而等離子體需要穿過上述網狀模板，實現對待刻蝕樣品的刻蝕。由此，可以在開始刻蝕處理或進行刻蝕模板的對位處理之前，通過調節網絲直徑(選擇具有特定直徑的絲網形成刻蝕模板的刻蝕區)，控制刻蝕處理的刻蝕速率。具體地，在該步驟中，可以選擇直徑為10-20微米的網絲，形成刻蝕模板。根據本發明的具體實施例，可以採用直徑為15微米的網絲形成刻蝕區。本技術人員可以理解的是，網狀模板的網絲直徑越小，刻蝕速率就越高。由此，可以控制刻蝕速率，進一步提高製備配向膜的效率。
綜上所述，該製備配向膜的方法可以是利用前面描述的製備配向膜的系統進行的，由此，該方法具有前面描述的製備配向膜的系統所具有的全部特徵以及優點，在此不再贅述。總的來說，通過將待刻蝕配向膜厚度不均、界線不規則的邊緣區域刻蝕除去，可以簡便地獲得形狀規則、厚度均勻的配向膜，且可以簡便地控制配向膜的邊緣位置。由此，有利於提高利用該配向膜製備lcd時的產品良率。
在本發明的又一方面，本發明提出了一種基板，參考圖11，該基板150包括：襯底130以及配向膜400。根據本發明的實施例，配向膜400設置在襯底130上，配向膜400是由前面所述的製備配向膜的系統製備的。由此，該配向膜具有前面描述的製備配向膜的系統製備的配向膜所具有的全部特徵以及優點，在此不再贅述。本領域技術人員能夠理解的是，基板150可以是通過以下步驟獲得的：在襯底上設置多個待刻蝕配向膜140，待刻蝕配向膜140經過根據本發明實施例的系統處理後，形成配向膜400。隨後，通過對襯底進行裁切，可以獲得多個具有配向膜的基板150，由此可以提高製備效率。也即是說，基板150的襯底130，是通過對前面描述的待刻蝕樣品的襯底進行裁切而獲得的。總的來說，該基板150具有配向膜400邊緣厚度均勻、形狀規則、配向膜邊緣與顯示區之間距離較近等優點的至少之一。
在本發明的又一方面，本發明提出了一種顯示面板，參考圖12，該顯示面板包括：彩膜基板500、陣列基板600、液晶層700、第一配向膜410以及第二配向膜420。根據本發明的實施例，彩膜基板500上設置有第一配向膜410，陣列基板600與彩膜基板500對盒設置，陣列基板600上設置有第二配向膜420，液晶層700設置在第一配向膜410以及第二配向膜420之間。其中，第一配向膜410以及第二配向膜420的至少之一是由前面所述的系統製備的。由此，該顯示面板具有前面描述的製備配向膜的系統製備的配向膜所具有的全部特徵以及優點，在此不再贅述。總的來說，該顯示面板具有邊框較窄、產品良率較高等優點的至少之一。
在本發明的描述中，術語「上」、「下」等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明而不是要求本發明必須以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
在本說明書的描述中，參考術語「一個實施例」、「另一個實施例」等的描述意指結合該實施例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含於本發明的至少一個實施例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特徵進行結合和組合。另外，需要說明的是，本說明書中，術語「第一」、「第二」僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。
儘管上面已經示出和描述了本發明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發明的限制，本領域的普通技術人員在本發明的範圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。