一種電容屏用雙面鍍膜玻璃的加工方法及雙面鍍膜玻璃的製作方法

2023-06-07 09:59:11

專利名稱：一種電容屏用雙面鍍膜玻璃的加工方法及雙面鍍膜玻璃的製作方法
技術領域：
本發明涉及導電玻璃技術領域，尤其涉及一種電容屏用雙面鍍膜玻璃的加工方法及雙面鍍膜玻璃。
背景技術：
目前，電容屏產品使用非常廣泛，而電容屏中的雙面鍍導電玻璃是其主要器件，雙面鍍導電玻璃的導電薄膜在性能方面要求比較嚴，比如均勻性、耐熱性能、耐酸鹼性能、耐高溫高溼性能等；在製作透明電路的時候，由於工藝難度增加，在製作電路時常採用酸刻電路。在製作過程中，容易蝕刻掉不應該刻蝕的部位，並且存在電路蝕刻的蝕痕影跡，影響其電磁屏蔽、靜電保護功能，存在的蝕痕影跡會對觀看圖案產生影響。發明內容
本發明的目的正是針對上述現有技術中所存在的不足之處而提供一種電容屏用雙面鍍膜玻璃的加工方法及雙面鍍膜玻璃。
本發明的目的可通過下述技術措施來實現: 本發明的電容屏用雙面鍍膜玻璃包括有玻璃基板，所述玻璃基板的兩個表面分別為錫面和空氣面，在玻璃基板的所述錫面上設置有透明鈍化層，並在所述透明鈍化層上具有透明導電膜I ;在玻璃基板的所述空氣面上設置有透明消影層，並在所述透明消影層上具有透明導電膜II。
本發明所述透明鈍化層為透明的二氧化矽層或透明的氮氧化矽層。
本發明所述透明消影層為透明的二氧化矽層和透明的五氧化二鈮層構成；其中，所述透明的二氧化矽層位於玻璃基板的所述空氣面上，在所述透明的五氧化二鈮層上設置所述的透明導電膜II。
本發明錫面上的所述透明導電膜I與空氣面上的所述透明導電膜II的方阻為相同方阻，方阻為:30Ω或50Ω或60Ω或70Ω或80Ω或100Ω。
本發明錫面上的所述透明導電膜I與空氣面上的所述透明導電膜II的方阻為不同方阻，錫面方阻/空氣面方阻為:50Ω / 70Ω，或為:60Ω / 100Ω，或為:80Ω / 100Ω,或為:100Ω / 250Ω，或為:250Ω / 400Ω。
本發明所述透明導電膜1、透明導電膜II均為氧化銦錫導電膜，氧化銦錫導電膜的厚度為25nm±lnm。
本發明的電容屏用雙面鍍膜玻璃的加工方法，其步驟如下: I)、對原玻璃基板進行處理， a.對原玻璃基板進行切割，先X切割，再Y切割，然後再掰片處理； b.對切割後的玻璃基板進行磨邊和倒角,先X磨邊，再倒角,旋轉90°再對Y磨邊及倒角； c.刷洗吹乾；d.對磨邊和倒角後的玻璃基板進行拋光； e.再刷洗吹乾； 2)、對玻璃基板濺射透明鈍化層和透明消影層； a.對拋光刷洗吹乾後玻璃基板進行加熱；採用的加熱溫度為150-280攝氏度； b.利用磁控濺射真空鍍膜設備對加熱後的玻璃基板兩面進行濺射；包括:錫面上濺射透明鈍化層，空氣面上濺射透明消影層；透明鈍化層為透明的二氧化矽層，所述透明消影層為透明的二氧化矽層和透明的五氧化二鈮層構成；其中，所述透明的二氧化矽層位於玻璃基板的所述空氣面上，在所述透明的五氧化二鈮層上設置所述的透明導電膜II ； 3)、在玻璃基板濺射的透明鈍化層和透明消影層上，進行氧化銦錫導電膜濺射； a.對濺射透明消影層和透明鈍化層後的玻璃基板進行加熱；加熱溫度採用280-380攝氏度； b.利用磁控濺射真空鍍膜設備，對加熱後的玻璃基板，在玻璃基板的透明鈍化層和透明消影層上，進行氧化銦錫導電膜濺射，；即分別在錫面上的透明鈍化層上濺射鍍上氧化銦錫導電膜，在空氣面上的透明消影層上濺射鍍上氧化銦錫導電膜； c.兩面濺射氧化銦錫導電膜的玻璃基板，經緩衝室做退火處理:先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩定，完成對玻璃基板的雙面鍍膜。
本發明的有益效果如下: 本發明的電容屏用雙面鍍膜玻璃的加工方法及雙面鍍膜玻璃具有的透明鈍化層和透明消影層，能夠保護氧化銦錫導電膜刻蝕線路，不受製作過程工藝中的酸溶液的蝕刻，避免在製作過程中蝕刻掉不應該刻蝕的部位，在製作過程中使氧化銦錫導電膜刻蝕線路達到設計要求，線間距可達5-10微米；具有良好的電磁屏蔽或消影作用。並且能夠完全代替現有的傳統導電玻璃，為下遊客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的電容屏用雙面鍍膜玻璃。


圖1是電容屏用雙面鍍膜玻璃的結構示意圖。
圖中:1、玻璃基板，2、錫面，3、空氣面，4、消影層，5、透明導電膜I，6、鈍化層，7、透明導電膜II。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明進行詳細說明。
如圖1所示，一種電容屏用雙面鍍膜玻璃，包括有玻璃基板1，所述玻璃基板I的兩個表面分別為錫面2和空氣面3，在玻璃基板的所述錫面2上設置有透明鈍化層4，並在所述透明鈍化層4上具有透明導電膜I 5 ;在玻璃基板的所述空氣面3上設置有透明消影層6，並且在所述透明消影層6上具有透明導電膜II 7。
所述透明鈍化層4為透明的二氧化矽層或透明的氮氧化矽層。所述透明消影層6為透明的二氧化矽層和透明的五氧化二鈮層構成；其中，所述透明的二氧化矽層位於玻璃基板的所述空氣面3上，在所述透明的五氧化二鈮層上設置所述的透明導電膜II 7。
所述透明導電膜I 5、透明導電膜II 7均為氧化銦錫導電膜，所述錫面2上的氧化銦錫導電膜與空氣面3上的氧化銦錫導電膜的方阻相同，為:30Ω，或為50Ω、60Ω、70Ω、80Ω、100Ω。
所述錫面2上的氧化銦錫導電膜與空氣面3上的氧化銦錫導電膜的方阻不相同，錫面上的氧化銦錫導電膜方阻/空氣面上的氧化銦錫導電膜方阻為:50Ω / 70Ω，或為:60Ω / 100Ω、80Ω / 100Ω、100Ω / 250Ω、250Ω / 400Ω。
所述透明鈍化層4直接設置在所述玻璃基板I上，用於防止位於其上部的氧化銦錫導電膜與所述玻璃基板I發生擴散，影響光學及電學性質。所述氧化銦錫導電膜用於製作各種透明導電線路。所述透明消影層6用於消除刻蝕導電線路對顯示圖案的影響。
所述錫面2的透明導電膜I 5用於製作各種透明導電線路，如電容屏中的感應電極、及像素電極等。所述空氣面3的透明導電膜II 7用於透明導電膜I 5與相鄰的電氣元件之間的電磁屏蔽或用於所述導電玻璃的靜電保護。
一種電容屏用雙面鍍膜玻璃的加工方法，其步驟如下: 1)、對原玻璃基板進行處理， a.對原玻璃基板進行切割，先X切割，再Y切割，然後再掰片處理； b.對切割後的玻璃基板I進行磨邊和倒角，先X磨邊，再倒角，旋轉90°再對Y磨邊及倒角； c.刷洗吹乾； d.對磨邊和倒角後的玻璃基板I進行拋光； e.再刷洗吹乾； 2)、對玻璃基板I濺射透明鈍化層和透明消影層； a.對拋光刷洗吹乾後玻璃基板I進行加熱；採用的加熱溫度為150-280攝氏度； b.利用磁控濺射真空鍍膜設備對加熱後的玻璃基板I兩面進行濺射；包括:錫面2上濺射透明鈍化層4，空氣面3上濺射透明消影層6 ;透明鈍化層4為透明的二氧化矽層或透明的氮氧化矽層，所述透明消影層6為透明的二氧化矽層和透明的五氧化二鈮層構成；其中，所述透明的二氧化矽層位於玻璃基板的所述空氣面3上，在所述透明的五氧化二鈮層上設置所述的透明導電膜II 7; 3)、對玻璃基板I兩面濺射的透明鈍化層4和透明消影層6，進行氧化銦錫導電膜濺射； a.對濺射透明消影層6和透明鈍化層4的玻璃基板進行加熱；加熱溫度採用280-380攝氏度； b.利用磁控濺射真空鍍膜設備，對加熱後的玻璃基板I透明消影層6和透明鈍化層4，進行氧化銦錫導電膜濺射；分別在錫面2上的透明鈍化層4上濺射鍍上氧化銦錫導電膜，在空氣面3上的透明消影層6上濺射鍍上氧化銦錫導電膜； c.兩面濺射氧化銦錫導電膜的基板玻璃，經緩衝室做退火處理:先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩定，完成對玻璃基板I的雙面鍍膜。
權利要求
1.一種電容屏用雙面鍍膜玻璃，包括有玻璃基板(1)，所述玻璃基板(I)的兩個表面分別為錫面(2)和空氣面(3)，其特徵在於:在玻璃基板的所述錫面(2)上設置有透明鈍化層(4)，並在所述透明鈍化層(4)上具有透明導電膜I (5);在玻璃基板的所述空氣面(3)上設置有透明消影層(6)，並在所述透明消影層(6)上具有透明導電膜II (7)。
2.按照權利要求1所述的一種電容屏用雙面鍍膜導電玻璃，其特徵在於:所述透明鈍化層(4)為透明的二氧化矽層或透明的氮氧化矽層。
3.按照權利要求1所述的一種電容屏用雙面鍍膜導電玻璃，其特徵在於:所述透明消影層(6)為透明的二氧化矽層和透明的五氧化二鈮層構成；其中，所述透明的二氧化矽層位於玻璃基板的所述空氣面(3)上，在所述透明的五氧化二鈮層上設置所述的透明導電膜II (7)。
4.按照權利要求1所述的一種電容屏用雙面鍍膜導電玻璃，其特徵在於:錫面(2)上的所述透明導電膜I (5)與空氣面(3)上的所述透明導電膜II (7)的方阻相同，均為:30Ω，或為 50Ω、60Ω、70Ω、80Ω、100Ω。
5.按照權利要求1所述的一種電容屏用雙面鍍膜導電玻璃，其特徵在於:錫面(2)上的所述透明導電膜I (5)與空氣面(3)上的透明導電膜II (7)的方阻不相同，所述透明導電膜I (5)方阻/所述透明導電膜II (7)方阻為:50Ω / 70Ω，或為:60Ω / 100Ω、80Ω /100Ω、100Ω / 250Ω、250Ω / 400Ω。
6.按照權利要求 1或4或5所述的一種電容屏用雙面鍍膜導電玻璃，其特徵在於:所述透明導電膜I (5)、透明導電膜II (7)均為氧化銦錫導電膜。
7.一種電容屏用雙面鍍膜導電玻璃的加工方法，其特徵在於:其步驟如下: 1)、對原玻璃基板進行處理， a.對原玻璃基板進行切割，先X切割，再Y切割，然後再掰片處理； b.對切割後的玻璃基板(I)進行磨邊和倒角，先X磨邊，再倒角，旋轉90°再對Y磨邊及倒角； c.刷洗吹乾； d.對磨邊和倒角後的玻璃基板(I)進行拋光； e.再刷洗吹乾； 2)、對玻璃基板(I)濺射透明鈍化層和透明消影層； a.對拋光刷洗吹乾後玻璃基板(I)進行加熱；採用的加熱溫度為150-280攝氏度； b.利用磁控濺射真空鍍膜設備對加熱後的玻璃基板(I)兩面進行濺射；包括:錫面(2)上濺射透明鈍化層(4)，空氣面(3)上濺射透明消影層(6);透明鈍化層(4)為透明的二氧化矽層或或透明的氮氧化矽層，透明消影層(6)為透明的二氧化矽層和透明的五氧化二鈮層構成；其中，所述透明的二氧化矽層位於玻璃基板的所述空氣面(3)上，在所述透明的五氧化二鈮層上設置所述的透明導電膜II (7)； 3)、對玻璃基板(I)兩面濺射的透明鈍化層(4)和透明消影層(6)，進行氧化銦錫導電膜濺射； a.對濺射透明消影層和透明鈍化層的玻璃基板(I)進行加熱；加熱溫度採用280-380攝氏度； b.利用磁控濺射真空鍍膜設備，在加熱後的玻璃基板(I)透明消影層(6)和透明鈍化層(4)上，進行氧化銦錫ITO導電膜濺射；即分別在錫面上的透明鈍化層(4)上濺射鍍上氧化銦錫導電膜，在空氣面上的透明消影層(6)上濺射鍍上氧化銦錫導電膜； c.兩面濺射氧化銦錫導電膜的玻璃基板，經緩衝室做退火處理:先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩定 ，完成對玻璃基板(I)的雙面鍍膜。
全文摘要
本發明涉及導電玻璃技術領域，公開一種電容屏用雙面鍍膜玻璃的加工方法及雙面鍍膜玻璃，所述雙面鍍膜玻璃是在玻璃基板的錫面上的透明鈍化層上設置有透明導電膜Ⅰ；在空氣面上的消影層上設置有透明導電膜Ⅱ。所述加工方法，首先對原玻璃基板進行處理，再對玻璃基板濺射透明消影層(6)和透明鈍化層(4)，然後再在玻璃基板的透明消影層和透明鈍化層上分別濺射氧化銦錫導電膜，本發明能夠保護氧化銦錫導電膜刻蝕線路不受製作過程工藝中的酸溶液的蝕刻，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護或消影作用。並且能夠完全代替現有的傳統導電玻璃，為下遊客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的電容屏用雙面鍍膜導電玻璃。
文檔編號G06F3/044GK103218102SQ20131017014
公開日2013年7月24日 申請日期2013年5月10日 優先權日2013年5月10日
發明者劉丙彰, 王戀貴 申請人:洛陽恆兆電子有限公司