平板型x射線圖像傳感器及其製造方法

2023-06-06 17:17:16

專利名稱：平板型x射線圖像傳感器及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種平板型X射線圖像傳感器及其製造方法。
背景技術：
平板型X射線圖像傳感器是一種將X光按光強轉化為電信號的裝置。X光照射物體並且穿透物體後，通過吸收、散射、發射而使光強發生變化，不同區域的不同光強，表示了被照射物體不同區域的內部結構的差異。穿透被照射物體的X光通過平板型X射線圖像傳感器轉化為相應的電信號，最終實現一個與被照射物體內部結構直接相關的灰階圖像。所以平板型X射線圖像傳感器實現了物體的無損內部成像，是實現無損檢測的最佳方法之一，在醫療成像，工業無損探測等領域都得到了廣泛的應用和長足的發展。請參考圖1，其為現有的一種平板型X射線圖像傳感器的結構示意圖。如圖1所示，平板型X射線圖像傳感器I包括多根掃描線10，與所述掃描線10相交的多根數據線11，設置於所述掃描線10與數據線11交叉處的薄膜電晶體13，以及通過薄膜電晶體13與所述掃描線10及數據線11耦接的光敏器件12。這裡以及之後所說的「耦接」具體指的是，所述薄膜電晶體13的柵極與所述掃描線10電連接，其源極/漏極與所述數據線11電連接，其漏極/源極與光敏器件12的一端(可以是光敏器件12的N端或P端)電連接。這裡以及之後所說的「電連接」具體指的是，在電學上連接在一起，實現電導通，包括但不限於物理上的直接連接。這裡以及之後所說的「光敏器件」一般為光電二極體，如PIN型光電二極體或MIS型光電二極體。具體的，當使用所述平板型X射線圖像傳感器I時，可通過對所述掃描線10施加掃描驅動信號以控制薄膜電晶體13的開啟與關閉，當所述薄膜電晶體13被打開時，與其電連接的光敏器件12產生的光電流信號可通過與所述光敏器件12耦接的數據線11讀出，通過對每一根掃描線10上的薄 膜電晶體13的開啟，以及讀取每一行光敏器件12的光電流信號，可完成對平板型X射線圖像傳感器I的信號讀取。但是，在上述平板型X射線圖像傳感器I中，由於每一輸出通道都需要單獨的採集通道，即當每一行中的2η個薄膜電晶體被打開，讀取與其電連接的2η個光敏器件的光電流信號時，需要2η根數據線才能完成，隨著平板型X射線圖像傳感器的解析度越來越高，所需的掃描線及數據線將越來越多，由此將極大地提高了製造成本。為此，現有技術又提供了一種利用雙開關控制掃描線組的平板型X射線圖像傳感器，請參考圖2，其為現有的另一種平板型X射線圖像傳感器的電路結構示意圖。如圖2所示，平板型X射線圖像傳感器2包括多個掃描線組，每一所述掃描線組包括兩根掃描線；與所述掃描線組相交的多根數據線，在任一所述掃描線組的兩根掃描線之間、任一所述數據線兩側分別設置有I個光敏器件，所述數據線兩側的光敏器件分別通過開關單元與所述數據線和掃描線組的兩根掃描線耦接。從而，在同樣實現每一行讀取2η個光敏器件的光電流信號的要求下，利用平板型X射線圖像傳感器2隻需η根數據線，從而減少了數據線，降低了成本。
具體的，掃描線G(2N_1)與掃描線G(2N)作為一掃描線組；提供η根數據線，每一根數據線兩側均設置有光敏器件，即有2η個光敏器件，而與同一根數據線兩側的光敏器件電連接的薄膜電晶體分別耦接一掃描線組中不同的掃描線。當掃描線組中的一掃描線開啟時，另一掃描線關閉，即同一時刻只有η個光敏器件的光電流信號可被讀取，從而只需η根數據線即可實現；接著，當關閉前例中被開啟的掃描線，並開啟前例中被關閉的掃描線，讀取另η個光敏器件的光電流信號，實現每一行讀取2n個光敏器件的光電流信號的要求。例如，打開掃描線G(I)，關閉同一掃描線組的掃描線G (2)，當然，此時由於掃描驅
動信號的不同，其餘掃描線(即掃描線G(3)、G(4)......G(2N))也均被關閉，此時，可通過
數據線SI讀取光敏器件Dll的光電流信號，通過數據線S2讀取光敏器件D21的光電流信號，通過數據線Sn讀取光敏器件Dnl的光電流信號；接著，打開掃描線G(2)，關閉掃描線G(1)時(同樣的其餘掃描線均為關閉)，同樣可通過數據線SI讀取光敏器件D12的光電流信號，通過數據線S2讀取光敏器件D22的光電流信號，通過數據線Sn讀取光敏器件Dn2的光電流信號，即利用η根數據線讀取了 2n個光敏器件的光電流數據，在數據線不增加的基礎上，提高了平板型X射線圖像傳感器的解析度。然而，上述的平板型X射線圖像傳感器2中，每一根數據線兩側均設置有光敏器件，由此在一掃描線組的兩根掃描線與相鄰數據線相交而成的區域內，具有兩個相鄰的光敏器件，例如圖2中的光敏器件D12與光敏器件D21，由於兩個光敏器件之間的距離非常近，所述兩個光敏器件之間將產生寄生電容。而當讀取該兩個光敏器件的光電流信號時，也將讀取寄生電容所存儲的電荷數，即寄生電容所存儲的電荷數將影響光敏器件的光電流信號。此外，由於讀取其中一光敏器件的寄生電容的電荷數時，是以另一光敏器件的電位作為參考電位的，因此，當兩個光敏器件處於不同電位時，寄生電容對兩個光敏器件將產生不同的影響。例如，當讀取光敏器件D21時，寄生電容的參考電位為光敏器件D12的電位；而當讀取光敏器件D12時，寄生電容的參考電位為光敏器件D21的電位，而作為參考電位的光敏器件D12和光敏器件D21的電位的變化將導致寄生電容的電荷數的變化與不可知。而寄生電容的電荷數被作為數據加載到兩個光敏器件的光電流信號中，其對光電流信號的影響很大，甚至可以達到系統噪聲的100倍，由此,將導致讀取的光敏器件的光電流信號發生較大的偏差。

發明內容
本發明所要解決的技術問題是現有的利用雙開關控制掃描線組的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組的兩根掃描線與相鄰數據線相交而成的區域內相鄰的光敏器件具有電荷數變化與不可知的寄生電容，從而使得讀取的光敏器件的光電流信號發生較大的偏差的問題。為解決上述技術問題，本發明提供一種平板型X射線圖像傳感器，包括至少I個掃描線組，每一所述掃描線組包括兩根掃描線；與所述掃描線組相交的至少2根數據線，在任一所述掃描線組的兩根掃描線之間、任一所述數據線兩側分別設置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通過開關單元與所述數據線和所述兩根掃描線中的一根掃描線耦接，所述第二光敏器件通過開關單元與所述數據線和所述兩根掃描線中的另一根掃描線耦接；其中，任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數據線相交而成的區域內具有相鄰的兩個光敏器件，所述相鄰的兩個光敏器件之間設置有隔離結構，所述隔離結構連接至參考電位。可選的，所述開關單元為薄膜電晶體TFT，所述薄膜電晶體TFT的柵極和與其耦接的掃描線電連接，所述薄膜電晶體TFT的源極/漏極和與其耦接的數據線電連接，所述薄膜電晶體TFT的漏極/源極和與其耦接的光敏器件的一端電極連接。可選的，所有所述光敏器件的另外一端電極均連接至公共電位。可選的，所述光敏器件為PIN型光電二極體或MIS型光電二極體。可選的，所述光敏器件包括N端電極層、P端電極層、設置於所述N端電極層和P端電極層之間的功能結構層。作為一種優選實施方式，所述隔離結構與所述N端電極層、所述數據線、所述薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層。所有所述光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。 作為另一種優選實施方式，所述隔離結構與所述P端電極層、所述數據線、所述薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層。所有所述光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。以上兩種實施方式中，所述相鄰的兩個光敏器件之間、所述隔離結構上設置有絕緣層，各所述隔離結構分別通過設置於所述絕緣層的過孔與所述共同電極層電連接。以上兩種實施方式中，相鄰數據線之間的隔離結構連接在一起並與地線連接。可選的，所述隔離結構與所述N端電極層位於同一層；所有所述光敏器件的P端電極層與所述數據線、所述薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有所述光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位；各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。可選的，所述隔離結構與所述P端電極層位於同一層；所有所述光敏器件的N端電極層與所述數據線、所述薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有所述光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位；各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。以上兩種實施方式中，所述相鄰的兩個光敏器件之間、所述隔離結構下設置有絕緣層，各所述隔離結構分別通過設置於所述絕緣層的過孔與所述共同電極層電連接。以上兩種實施方式中，各所述隔離結構連接在一起並與地線連接。可選的，所述隔離結構分別與所述兩個光敏器件之間的寄生電容大小相等。此時，所述隔離結構至所述兩個光敏器件的距離可以相等。以上各個實施例中，所述隔離結構可以為導電材料。所述隔離結可以為金屬或者透明導電金屬氧化物比如ITO或者SnO2。其中，所述透明導電金屬氧化物為ITO或者SnO2。以上各個實施例中，在任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數據線相交而成的區域內相鄰的兩個光敏器件分別通過開關單元與所述掃描線組中兩根掃描線中不同的掃描線耦接。以上各個實施例中，在任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數據線相交而成的區域內相鄰的兩個光敏器件分別通過開關單元與所述掃描線組中兩根掃描線中相同的掃描線耦接。本發明還提供了一種平板型X射線圖像傳感器的製造方法，包括步驟1、提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層、TFT半導體層的基板；步驟2、形成一金屬層，刻蝕所述金屬層形成光敏器件的第一端電極層、隔離結構、數據線、TFT源極電極、TFT漏極電極；步驟3、形成一鈍化層，刻蝕所述鈍化層暴露出光敏器件的第一端電極層；步驟4、形成光敏器件的功能結構層；步驟5、形成一透明導電層，刻蝕所述透明導電層形成第二端電極層，刻蝕所述功能結構層形成各個獨立的光敏器件；步驟6、形成一絕緣層，所述絕緣層覆蓋光敏器件的第二電極層並填充光敏器件之間的間隙，刻蝕所述絕緣層暴露出光敏器件的第二端電極層；步驟7、形成一第二透明導電層，刻蝕所述第二透明導電層形成公共電極層，所述公共電極層與所述露出的部分光敏器件的第二端電極層接觸。可選的，提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層、TFT半導體層的基板的步驟包括提供一基板； 在所述基板上形成一金屬層，刻蝕所述金屬層形成TFT柵極電極及掃描線；形成一柵絕緣層；形成一半導體層，刻蝕所述半導體層形成TFT有源結構。 可選的，所述光敏器件為PIN型光電二極體或MIS型光電二極體。可選的，步驟4中所述光敏器件功能結構層為N-1-P或M-1-S。可選的，步驟6中還刻蝕所述絕緣層和所述鈍化層暴露出所述隔離結構；步驟7中所述公共電極層還與所述露出的隔離結構接觸。可選的，步驟2中所述隔離結構延伸至外部接地端。在本發明提供的平板型X射線圖像傳感器及其製造方法中，在具有寄生電容的兩個光敏器件之間設置有隔離結構，在讀取光敏器件的光電流信號時，所述隔離結構可作為參考電位，此外，所述隔離結構與固定電位連接，從而使得其電位值固定，即使得寄生電容的電荷數固定與可知，從而避免了現有技術中由於寄生電容的電荷數變化與不可知，從而使得讀取的光敏器件的光電流信號發生較大的誤差的問題，提高了讀取的光敏器件的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。


圖1是現有的一種平板型X射線圖像傳感器的結構示意圖；圖2是現有的另一種平板型X射線圖像傳感器的電路結構示意圖；圖3是本發明實施例一的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖4是圖3所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時沿A-A'的剖面示意圖5a 5g是圖3所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時的製造方法沿A-A'的剖面示意圖；圖6是本發明實施例二的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖7是圖6所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時沿B-B'的剖面示意圖；圖8a Sg是圖3所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時的製造方法沿B-B'的剖面示意圖；圖9是本發明實施例三的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖10是圖9所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時沿C-C'的剖面示意圖；圖11是本發明實施例四的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖12是圖11所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時沿D-D'的首I]面不意圖；圖13是本發明實施例五的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖14是本發明實施例六的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖15是本發明實施例七的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖16是本發明實施例八的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。
具體實施例方式以下結合附圖和具體實施例對本發明提供的平板型X射線圖像傳感器及其製造方法作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。本發明的核心思想在於，提供一種平板型X射線圖像傳感器及其製造方法，在具有寄生電容的兩個光敏器件之間設置有隔離結構，在讀取光敏器件的光電流信號時，所述隔離結構可作為參考電位，一般情況下，所述隔離結構與固定電位連接，從而使得其電位值固定，即使得寄生電容的電荷數固定與可知，從而避免了現有技術中由於寄生電容的電荷數變化與不可知，使得讀取的光敏器件的光電流信號發生較大的偏差的問題，提高了讀取的光敏器件的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。該固定電位在平板型X射線圖像傳感器工作時是固定的，但具體該固定的電位值為多少，可以根據不同的情況進行調整，例如可以固定在接地電位，也可以固定在某一正電位或負電位。一般情況下，該固定電位由外部電路提供。本發明提供的一種平板型X射線圖像傳感器，包括至少I個掃描線組，每一所述掃描線組包括兩根掃描線；與所述掃描線組相交的至少2根數據線，在任一所述掃描線組的兩根掃描線之間、任一所述數據線兩側分別設置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通過開關單元與所述數據線和所述兩根掃描線中的一根掃描線耦接，所述第二光敏器件通過開關單元與所述數據線和所述兩根掃描線中的另一根掃描線耦接；其中，任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數據線相交而成的區域內具有相鄰的兩個光敏器件，所述相鄰的兩個光敏器件之間設置有隔離結構，所述隔離結構與參考電位連接。如同前文所述，該參考電位一般為固定電位，由外部電路提供；其具體數值可以根據不同的情況進行調整。作為不同的實施方式，本發明提供的平板型X射線圖像傳感器中任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數據線相交而成的區域內所具有相鄰的兩個光敏器件，可以分別通過各自的開關單元與該掃描線組中的兩根掃描線分別耦接；也可以分別通過各自的開關單元與該掃描線組中的同一根掃描線耦接。實施例一請參考圖3，其為本發明實施例一的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。為了圖示與描述的清晰，圖3中只示意性的畫出了兩個掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ;以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數據線(數據線SI及數據線S2)，需要說明的是，由於平板型X射線圖像傳感器結構的重複性或對稱性，在本實施例公開的基礎上，實現包括更多個掃描線組及更多根數據線的平板型X射線圖像傳感器是清楚並且易於實現的。此外，在本實施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數據線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結構131作為重點描述對象，由於上述結構在整個平板型X射線圖像傳感器3中具有重複性或對稱性，須知此部分結構具有的性能將對於整個平板型X射線圖像傳感器3均適用。此外，在本實施例的平板型X射線圖像傳感器3的俯視圖中，公共電極層(或稱為Com電極)覆蓋所述光敏器件D12、D21及隔離結構131，並且一般採用ΙΤ0，為了圖示出光敏器件D12、D21及隔離結構131與掃描線組G12，數據線S1、S2以及開關單元T12、T21之間的關係，在圖 3中，所述Com電極未示出。具體的，如圖3所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數據線SI兩側分別設置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數據線S2兩側分別設置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) Tll與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D12通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T12與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接；光敏器件D21通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T21與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T22與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T12的柵極與所述掃描線G2電連接，所述薄膜電晶體T12的源極/漏極與所述數據線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T21的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T21的源極/漏極與所述數據線S2電連接。即在本實施例中，所述掃描線組G12和數據線S1、S2相交而成的區域內設置的兩個相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜電晶體T12、T21分別與不同的掃描線耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數據線S1、S2相交而成的區域內的兩個相鄰的光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構131，所述隔離結構131與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數據線S1、S2交叉位置關係以及相應的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜電晶體Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的設置與掃描線組G12相同，在此不再重複。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。
已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結構131將所述光敏器件D12、D21進行隔離，具體的，當讀取光敏器件D12的光電流信號時，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結構131的電位值作為參考電位。而在本發明實施例中，將所述隔離結構131與固定電位連接，由此，當讀取光敏器件D12的電位值時，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時，所讀取的寄生電容的電荷數是一定的並且可知的，由此，該電荷數對於光敏器件D12的影響是一定的並且可知的。當需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號的精確值時，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數是一定並且可知的，從而去除其對光敏器件D12的影響是易於實現的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器3的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號。通過所述薄膜電晶體T12、T21可實現對光敏器件D12、D21中的光電流信號的讀取。具體的，當掃描線Gl為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體T21 (當然，在圖3中還包括薄膜電晶體T11)，此時，便可通過讀取數據線S2，實現對光敏器件D21的光電流信號的讀取(當然，在圖3中還可通過讀取數據線SI，實現對光敏器件Dll的光電流信號的讀取)。即當掃描線Gl為開啟狀態時，打開薄膜電晶體T21 (此處的「打開」指薄膜電晶體T21接入電路，使得通過薄膜電晶體T21的光敏器件D21與數據線S2之間導通)，而數據線S2可通過薄膜電晶體T21讀取光敏器件D21的光電流信號。當掃描線G2為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體T12及T22，此時，便可通過讀取數據線SI實現對光敏器件D12的光電流信號的讀取，通過讀取數據線S2實現對光敏器件D22的光電流信號的讀取。通過圖3以及背景技術的介紹可知，光敏器件D11、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖3中每一行上具有四個像素，而在此，只通過兩根數據線SI及S2即實現了對同一行四個像素數據的讀取，由此可見，減少了掃描線的數量，降低了成本。而通過本發明所提供的上述結構，進一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。圖4為圖3所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時沿A-A'的剖面示意圖。 如圖4所示，平板型X射線圖像傳感器包括一基板50 ;基板50上形成有柵絕緣層500 ;光敏器件D12形成於柵絕緣層500上，其包括N端電極層、P端電極層、設置於所述N端電極層和P端電極層之間的功能結構層，具體地說，其包括依次形成在柵絕緣層500上的N端電極層511、設置於N端電極層511上的功能結構層531、設置於功能結構層531上的P端電極層541，此時功能結構層531必然是N端在下、P端在上的。N端電極層511與功能結構層531之間還設置有第一絕緣層52( —般為鈍化層)，N端電極層511通過設置於第一絕緣層52中的過孔與功能結構層531的N端連接。其中，功能結構層531包括N型半導體5311層和P型半導體層5312，該功能結構層531的N極一端處設置的N端電極層511與對應的薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接。需要說明的是，圖4中功能結構層531包括N型半導體層5311和P型半導體層5312僅僅是一個示例，其具體結構可以有多種選擇，例如，所述光敏器件為PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件，對應的功能結構層531自下而上依次為 N-1-P (N+/i_layer/P+);或者所述光敏器件為 MIS (metal-1nsulator-semiconductor)型光敏器件，對應的功能結構層531自下而上依次為M-1-S。同樣的，光敏器件D21與光敏器件D12具有相同的結構，即光敏器件D21形成於柵絕緣層500上，其包括依次形成在柵絕緣層500上的N端電極層512、設置於N端電極層512上的功能結構層532、設置於功能結構層532上的P端電極層542，此時功能結構層532必然是N端在下、P端在上的。N端電極層512與功能結構層532之間還設置有第一絕緣層52 ( —般為鈍化層)，N端電極層512通過設置於第一絕緣層52中的過孔與功能結構層532的N端連接。其中，功能結構層532包括N型半導體5321層和P型半導體層5322，該功能結構層532的N極一端處設置的N端電極層512與對應的薄膜電晶體T21的漏極/源極電連接。從圖4中可以看出，光敏器件D12與光敏器件D21之間設置有絕緣層，該絕緣層由第一絕緣層52和第二絕緣層55構成。第二絕緣層55不僅填充光敏器件D12與光敏器件D21之間的間隙，還覆蓋光敏器件D12與光敏器件D21的上方。光敏器件D12的功能結構層531的P極一端處設置的P端電極層541與光敏器件D21的功能結構層532的P極一端處設置的P端電極層542通過公共電極層56連接在一起並電連接到外部公共電位上。具體的說，P端電極層541通過第二絕緣層55中的過孔與公共電極層56連接，P端電極層542通過第二絕緣層55中的過孔與公共電極層56連接。作為優選實施方式，公共電極層56採用透明導電材料，如氧化銦錫(ITO)。在實際工藝生產過程中，光敏器件D12與光敏器件D21的相應各層在同一工藝步驟中製備，因此處於同一層，具體的說就是，N端電極層511與N端電極層512位於同一層，N型半導體層5311與N型半導體層5321位於同一層，P型半導體層5312與P型半導體層5322位於同一層，P端電極層541與P端電極層542位於同一層。兩個光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構131，並使該隔離結構131與參考電位(一般為固定電位)連接。具體的，圖4中該隔離結構131位於N端電極層511、N端電極層512之間，並且通過設置於光敏器件D12與光敏器件D21之間、由第一絕緣層52和第二絕緣層55構成的絕緣層中 的過孔與公共電極層56電連接。通常，該隔離結構131與N端電極層511、N端電極層512位於同一層，並且也通常與數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極、薄膜電晶體TFT的漏極電極位於同一層，在同一工藝步驟中製備。該隔離結構131可以採用導電材料，例如金屬或者透明導電金屬氧化物(ΙΤ0或者SnO2)),優選採用金屬材料，如鋁。這一實施方式中，所有隔離結構在物理上是不相連的，只是分別通過設置於該相鄰光敏器件之間的絕緣層中的過孔與所述公共電極層電連接，從而實現彼此電連接。如圖3中所示，隔離結構131與隔離結構132在物理上不直接連接。優選的，隔離結構131設置於為N端電極層511與N端電極層512正中，即隔離結構131分別與N端電極層511、N端電極層512之間的距離相等，從而可使得隔離結構131分別與兩個光敏器件D12、D21之間形成的寄生電容相等。優選的，隔離結構131與掃描線Gl和G2保持6um以上的距尚。在兩個光敏器件D12、D21之間設置隔離結構131，使得相鄰電極之間的寄生電容被分割為兩個大小相等的電容，且兩個電容有相同的參考電位。當光敏器件D12與D21數據被讀出時，對應的寄生電容對各自的影響效應是等量的，對於數據信號的線性區間這一影響是可以被忽略的。
需要說明的是，圖4僅僅為圖3所示的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構131沿A-A'的剖面示意圖。鑑於平板型X射線圖像傳感器的重複結構，其他掃描線組與相鄰數據線所圍區域的相鄰光敏器件及其之間設置的隔離結構也採用圖4所示的光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構131相同的結構，在此不再重複闡述。另外，圖4也僅僅示出了圖3的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構131沿A-A'的一種剖面結構。該結構中，各個光敏器件從下而上依次包括N端電極層511、設置於N端電極層511上的功能結構層531、設置於功能結構層531上的P端電極層541，此時功能結構層531是N端在下、P端在上的；隔離結構與N端電極層、數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。但是作為另一種實施方式，圖3的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構131沿A-A'的具有另一種剖面結構，該結構與圖 4所示的剖面結構很相似，其區別僅在於，各個光敏器件從下而上依次包括P端電極層、設置於P端電極層上的功能結構層、設置於功能結構層上的N端電極層，此時功能結構層是P端在下、N端在上的；此時，隔離結構與P端電極層、數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接；其餘結構均可以和圖4所示相應結構相同。由此可知，平板型X射線圖像傳感器中所有的光敏器件均設置在基板上構成如圖3所示的陣列，並且每一個光敏器件(優選為光電二級管)均包括N端電極層、P端電極層、設置於所述N端電極層和P端電極層之間的功能結構層。其中，功能結構層包括N型半導體層和P型半導體層，靠近N型半導體層一端設置的電極為N端電極層，靠近P型半導體層一端設置的電極為P端電極層；各個功能結構層的一端(N端電極層或P端電極層)與對應的薄膜電晶體的漏極/源極電連接，各個功能結構層的另一端(對應的P端電極層或N端電極層)通過公共電極層連接在一起並連接至外部公共電位。其中，與對應的薄膜電晶體的漏極/源極電連接的N端電極層或P端電極層與功能結構層之間還設置有鈍化層，N端電極層通過設置於鈍化層中的過孔與功能結構層的N端連接。接下去將介紹本實施例的平板型X射線圖像傳感器的製造方法，具體請參考圖5a 5g，其為圖3所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時的製造方法沿A-A'的剖面示意圖。步驟1、如圖5a所示，提供一基板50 ;在所述基板50之上依次形成有TFT柵極電極及掃描線(圖5a 5g為沿A-A'的剖面示意圖，因此，在本實施例的附圖中未示出)、柵絕緣層500、TFT半導體層(未示出)。具體的，提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層500、TFT半導體層的基板50的步驟包括1、提供基板50;2、形成一金屬層，刻蝕該金屬層形成TFT柵極電極及掃描線；
其中，該金屬層直接形成在基板50的表面上，並覆蓋整個基板50 ;其形成方法可以採用物理氣相沉積法；其刻蝕工藝可以採用傳統的光刻工藝。需要說明的是，此處以及本申請文件的其他地方所講的形成某一層，均指的是在前一步驟完成後，直接在整個基板範圍內形成該層。例如這裡所說的「形成一金屬層」指的就是在前一步驟提供的基板50的表面上直接形成覆蓋整個基板範圍的金屬層。3、形成柵絕緣層500 ;根據前文的定義，這裡所說的「形成柵絕緣層500」指的就是在前一步驟形成有TFT柵極電極及掃描線的基板50表面上形成覆蓋整個基板範圍的柵絕緣層500。因此，所述柵絕緣層500覆蓋所述TFT柵極電極及掃描線，並覆蓋TFT柵極電極及掃描線未遮蓋部分的基板50。4、形成一半導體層，刻蝕所述半導體層形成TFT有源結構。根據前文的定義，這裡所說的「形成一半導體層」指的就是在前一步驟形成的柵絕緣層500的表面上形成覆蓋整個基板範圍的半導體層；然後用傳統的光刻工藝刻蝕(一般採用幹法刻蝕)該半導體層以形成TFT有源結構(即矽島)。

接著步驟2，如圖5b所示，形成一金屬層，刻蝕該金屬層形成光敏器件的第一端電極層511及512、隔離結構131 (各個隔離結構131物理上是分開的)以及數據線、TFT源極電極和TFT漏極電極(未畫出)。具體的，該金屬層在整個基板範圍內形成，覆蓋整個基板範圍內的柵絕緣層500及其表面上的TFT有源結構，所述金屬層可以為鋁金屬層，採用物理氣相沉積的方法形成，採用傳統光刻工藝刻蝕所述金屬層形成圖案化的第一端電極層511及512、隔離結構131以及數據線、TFT源極電極和TFT漏極電極。優選的，所述隔離結構131與所述第一端電極層511及512的距離相等，從而可使得隔離結構131分別與兩個光敏器件形成的寄生電容相等。此外，在本實施例中，利用所述形成第一端電極層511、512及隔離結構131的同一金屬層形成薄膜電晶體的源漏電極，並且所述薄膜電晶體的源/漏電極與所述第一端電極層511、512相連，即通過光刻及刻蝕工藝使得所述薄膜電晶體的源/漏電極與所述第一端電極層511、512之間具有金屬連接。然後步驟3，如圖5c所示，形成第一絕緣層52 ( —般為鈍化層)，所述第一絕緣層52覆蓋步驟2之後整個基板範圍內暴露在外的表面，即覆蓋第一端電極層511、512、隔離結構131、數據線、TFT源極電極和TFT漏極電極、TFT源漏電極間的溝道等。刻蝕該第一絕緣層52形成通孔520、522以暴露出光敏器件的第一端電極層511、512。圖5c中,第一絕緣層52中還被刻蝕形成通孔521以暴露出隔離結構131是一個可選的實施方式；隔離結構131上覆蓋的第一絕緣層52可以不開孔。接著步驟4，如圖5d所示，形成光敏器件的功能結構層530。該功能結構層530覆蓋步驟3之後整個基板範圍內暴露出的表面，可以採用現有光敏器件的傳統層疊結構。以圖5d所示為例，功能結構層530的N端在下、P端在上，N端通過過孔520、522分別與第一端電極層(此時第一端電極層為N端電極層)511、512連接。該功能結構層530的N端設置有N型半導體層5301、P端設置有P型半導體層5302。光敏器件的功能結構層可以為PIN結構(自下而上依次為N-1-P)或MIS結構(自下而上依次為M-1-S)，對應的光敏器件為PIN型光電二極體或MIS型光電二極體。當然，作為另一種實施方式，功能結構層530也可以為P端在下、N端在上，P端通過過孔分別與第一端電極層(此時第一端電極層為P端電極層)連接。
步驟5，如圖5e所示，形成一透明導電層，刻蝕該透明導電層形成第二端電極層(此時第二端電極層為P端電極層)541、542，刻蝕該功能結構層530形成各個獨立的光敏器件。在步驟4之後，整個基板範圍內顯露的表面為功能結構層530的P端表面，該透明導電層(一般為ΙΤ0)在整個基板範圍內覆蓋該P端表面，可以採用物理氣相沉積法形成；然後用光刻工藝刻蝕(可採用溼法刻蝕)該透明導電層以形成圖案化的P端電極層541、542 ；接下來採用光刻工藝刻蝕(可採用幹法刻蝕)該功能機構層530以形成圖案化的功能結構層531和532。至此，就形成了各個獨立的光敏器件；所述N端電極層511、通過過孔與其上形成的功能結構層531的N型半導體層5311接觸，功能結構層531的P型半導體層5312上形成有P端電極層541，構成了光敏器件D12;所述N端電極層512、通過過孔與其上形成的功能結構層532的N型半導體層5321接觸，功能結構層532的P型半導體層5322上形成有P端電極層542，構成了光敏器件D21。當然，作為另一種實施方式，當步驟4中，功能結構層530為P端在下、N端在上時，第二端電極層為N端電極層。步驟5中用光刻工藝刻蝕該透明導電層以形成圖案化的第二端電極層541、542和用光刻工藝刻蝕功能結構層530以形成圖案化的功能結構層531和532可以共用一個光刻工藝，即刻蝕功能結構層530可以以刻蝕該透明導電層中所形成的圖案化的光刻膠為掩膜。接著步驟6，如圖5f所示，形成第二絕緣層55 (可採用氮化矽)，所述第二絕緣層55覆蓋步驟5之後整個基板範圍內所有顯露出來的表面，包括第二端電極層541及第二端電極層542，並填充光敏器件之間的間隙(同時覆蓋露出的第一絕緣層52)。用光刻工藝刻蝕該第二絕緣層以暴露出光敏器件的第二端電極層541及第二端電極層542，即在所述第二端電極層541上形成接觸孔550，在所述第二端電極層542上形成接觸孔552。所述第二絕緣層55與前述步驟中形成的第一絕緣層52共同隔絕光敏器件D12及光敏器件D21，同時，還可以光刻工藝刻蝕該第二絕緣層55與第一絕緣層52形成接觸孔551以暴露出隔離結構131。

最後步驟7，如圖5g所示，形成一第二透明導電層，刻蝕該第二透明導電層以形成圖案化的公共電極層56。該第二透明導電層(一般為ΙΤ0)在整個基板範圍內覆蓋步驟6形成的第二絕緣層55和暴露出的第二端電極層、隔離結構131 ;這樣第二端電極層541、542和隔離結構131均通過該第二透明導電層連接在一起，進而可以連接至外部公共電位。在基板邊緣出設置有多個引出電極，為了防止這些引出電極之間通過該第二透明導電層短接或者為了減小寄生電容，還需要對該第二透明導電層進行光刻刻蝕形成公共電極56 ;所述公共電極層56覆蓋所述第二絕緣層55、第二端電極層541、隔離結構131及第二端電極層542，所述公共電極層56在外部與公共電位連接。所述隔離結構131通過與所述公共電極層56連接，實現了與固定電位連接，從而使得其電位值固定，S卩使得光敏器件D12及光敏器件D21之間的寄生電容的電荷數固定與可知，避免了現有技術中由於光敏器件D12及光敏器件D21之間的寄生電容的電荷數變化與不可知，讀取的光敏器件Dl2或者光敏器件D21的光電流信號發生較大的偏差的問題，提高了讀取的光敏器件D12或者光敏器件D21的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。實施例二請參考圖6，其為本發明實施例二的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖6所示，平板型X射線圖像傳感器6包括為了圖示與描述的清晰，圖6中只示意性的畫出了兩個掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數據線(數據線SI及數據線S2)，需要說明的是，由於平板型X射線圖像傳感器結構的重複性，在本實施例公開的基礎上，實現包括更多個掃描線組及更多根數據線的平板型X射線圖像傳感器是清楚並且易於實現的。此外，在本實施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數據線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結構161作為重點描述對象，由於上述結構在整個平板型X射線圖像傳感器6中具有重複性或對稱性，須知此部分結構具有的性能將對於整個平板型X射線圖像傳感器6均適用。此外，在本實施例的平板型X射線圖像傳感器6的俯視圖中，公共電極層(或稱為Com電極)覆蓋所述光敏器件D12、D21及隔離結構161，並且一般採用ΙΤ0，為了圖示出光敏器件D12、D21及隔離結構161與掃描線組G12，數據線S1、S2以及開關單元T12、T21之間的關係，在圖6中，所述Com電極未示出。具體的，如圖6所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數據線SI兩側分別設置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數據線S2兩側分別設置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) Tll與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D12通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T12與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接；光敏器件D21通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T21與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T22與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T12的柵極與所述掃描線G2電連接，所述薄膜電晶體T12的源極/漏極與所述數據線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T21的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T21的源極/漏極與所述數據線S2電連接。即在本實施例中，所述掃描 線組G12和數據線S1、S2相交而成的區域內設置的兩個相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜電晶體T12、T21分別與不同的掃描線耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數據線S1、S2相交而成的區域內的兩個相鄰的光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構161，所述隔離結構161與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數據線S1、S2交叉位置關係以及相應的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜電晶體Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的設置與掃描線組G12相同，在此不再重複。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結構161將所述光敏器件D12、D21進行隔離，具體的，當讀取光敏器件D12的光電流信號時，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結構161的電位值作為參考電位。而在本發明實施例中，將所述隔離結構161與固定電位連接，由此，當讀取光敏器件D12的電位值時，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時，所讀取的寄生電容的電荷數是一定的並且可知的，由此，該電荷數對於光敏器件D12的影響是一定的並且可知的。當需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號的精確值時，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數是一定並且可知的，從而去除其對光敏器件D12的影響是易於實現的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器6的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號。通過 所述薄膜電晶體T12、T21可實現對光敏器件D12、D21中的光電流信號的讀取。具體的，當掃描線Gl為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體T21 (當然，在圖6中還包括薄膜電晶體T11)，此時，便可通過讀取數據線S2，實現對光敏器件D21的光電流信號的讀取(當然，在圖6中還可通過讀取數據線SI，實現對光敏器件Dll的光電流信號的讀取)。即當掃描線Gl為開啟狀態時，打開薄膜電晶體T21 (此處的「打開」指薄膜電晶體T21接入電路，使得通過薄膜電晶體T21的光敏器件D21與數據線S2之間導通)，而數據線S2可通過薄膜電晶體T21讀取光敏器件D21的光電流信號。當掃描線G2為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體T12及T22，此時，便可通過讀取數據線SI實現對光敏器件D12的光電流信號的讀取，通過讀取數據線S2實現對光敏器件D22的光電流信號的讀取。通過圖6以及背景技術的介紹可知，光敏器件D11、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖6中每一行上具有四個像素，而在此，只通過兩根數據線SI及S2即實現了對同一行四個像素數據的讀取，由此可見，減少了掃描線的數量，降低了成本。而通過本發明所提供的上述結構，進一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。圖7為圖6所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時沿B-B'的剖面示意圖。如圖7所示，平板型X射線圖像傳感器包括一基板60 ;基板60上形成有柵絕緣層600 ;光敏器件D12形成於柵絕緣層600上，其包括N端電極層、P端電極層、設置於所述N端電極層和P端電極層之間的功能結構層，具體地說，其包括依次形成在柵絕緣層600上的N端電極層611、設置於N端電極層611上的功能結構層631、設置於功能結構層631上的P端電極層641，此時功能結構層631必然是N端在下、P端在上的。N端電極層611與功能結構層631之間還設置有第一絕緣層62( —般為鈍化層)，N端電極層611通過設置於第一絕緣層62中的過孔與功能結構層631的N端連接。其中，功能結構層631包括N型半導體6311層和P型半導體層6312，該功能結構層631的N極一端處設置的N端電極層611與對應的薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接。需要說明的是，圖7中功能結構層631包括N型半導體層6311和P型半導體層6312僅僅是一個示例，其具體結構可以有多種選擇，例如，所述光敏器件為PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件，對應的功能結構層631自下而上依次為 N-1-P (N+/i_layer/P+);或者所述光敏器件為 MIS (metal-1nsulator-semiconductor)型光敏器件，對應的功能結構層631自下而上依次為M-1-S。同樣的，光敏器件D21與光敏器件D12具有相同的結構，即光敏器件D21形成於柵絕緣層600上，其包括依次形成在柵絕緣層600上的N端電極層612、設置於N端電極層612上的功能結構層532、設置於功能結構層532上的P端電極層542，此時功能結構層532必然是N端在下、P端在上的。N端電極層512與功能結構層532之間還設置有第一絕緣層52 ( —般為鈍化層)，N端電極層512通過設置於第一絕緣層52中的過孔與功能結構層532的N端連接。其中，功能結構層532包括N型半導體5321層和P型半導體層5322，該功能結構層532的N極一端處設置的N端電極層512與對應的薄膜電晶體T21的漏極/源極電連接。從圖7中可以看出，光敏器件D12與光敏器件D21之間設置有絕緣層，該絕緣層由第一絕緣層62和第二絕緣層65構成。第二絕緣層65不僅填充光敏器件D12與光敏器件D21之間的間隙，還覆蓋光敏器件D12與光敏器件D21的上方。光敏器件D12的功能結構層631的P極一端處設置的P端電極層641與光敏器件D21的功能結構層632的P極一端處設置的P端電極層642通過公共電極層66連接在一起並電連接到外部公共電位上。具體的說，P端電極層641通過第二絕緣層65中的過孔與公共電極層66連接，P端電極層642通過第二絕緣層65中的過孔與公共電極層66連接。作為優選實施方式，公共電極層66米用透明導電材料，如氧化·銦錫(ITO)。在實際工藝生產過程中，光敏器件D12與光敏器件D21的相應各層在同一工藝步驟中製備，因此處於同一層，具體的說就是，N端電極層611與N端電極層612位於同一層，N型半導體層6311與N型半導體層6321位於同一層，P型半導體層6312與P型半導體層6322位於同一層，P端電極層641與P端電極層642位於同一層。兩個光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構161，並使該隔離結構161與參考電位(一般為固定電位)連接。具體的，圖7中該隔離結構161位於N端電極層611、N端電極層612之間，所述隔離結構161延伸至與外部公共電位連接，通常與地線連接。通常，該隔離結構161與N端電極層611、N端電極層612位於同一層，並且也通常與數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極、薄膜電晶體TFT的漏極電極位於同一層，在同一工藝步驟中製備。該隔離結構131可以採用導電材料，例如金屬或者透明導電金屬氧化物(ΙΤ0或者SnO2)),優選採用金屬材料，如鋁。這一實施方式中，相鄰數據線之間的隔離結構在物理上是相連的，一起與地線連接，在圖6中即顯示出數據線SI及S2之間、所有掃描線組G12及G34之間的隔離結構連在一起形成一個隔離結構161，當然，本實施例只示出了平板型X射線圖像傳感器的部分結構，若在數據線S2的另一側還具有數據線S3，則在數據線S2及S3之間也將具有隔離結構，該隔離結構與隔離結構161都延伸至與外部公共電位連接。優選的，隔離結構161設置於為N端電極層611與N端電極層612正中，即隔離結構161分別與N端電極層611、N端電極層612之間的距離相等，從而可使得隔離結構161分別與兩個光敏器件D12、D21之間形成的寄生電容相等。在兩個光敏器件D12、D21之間設置隔離結構161，使得相鄰電極之間的寄生電容被分割為兩個大小相等的電容，且兩個電容有相同的參考電位。當光敏器件D12與D21數據被讀出時，對應的寄生電容對各自的影響效應是等量的，對於數據信號的線性區間這一影響是可以被忽略的。需要說明的是，圖7僅僅為圖6所示的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構161沿B-B'的剖面示意圖。鑑於平板型X射線圖像傳感器的重複結構，其他掃描線組與相鄰數據線所圍區域的相鄰光敏器件及其之間設置的隔離結構也採用圖7所示的光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構131相同的結構，在此不再重複闡述。另外，圖7也僅僅示出了圖6的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構161沿B-B'的一種剖面結構。該結構中，各個光敏器件從下而上依次包括N端電極層611、設置於N端電極層611上的功能結構層631、設置於功能結構層631上的P端電極層641，此時功能結構層631是N端在下、P端在上的；隔離結構與N端電極層、數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。但是作為另一種實施方式，圖6的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構161沿B-B'的具有另一種剖面結構，該結構與圖7所示的剖面結構很相似，其區別僅在於，各個光敏器件從下而上依次包括P端電極層、設置於P端電極層上的功能結構層、設置於功能結構層上的N端電極層，此時功能結構層是P端在下、N端在上的；此時，隔離結構與P端電極層、數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接；其餘結構均可以和圖7所示相應結構相同。由此可知，平板型X射線圖像傳感器中所有的光敏器件均設置在基板上構成如圖6所示的陣列，並且每一個光敏器件(優選為光電二級管)均包括N端電極層、P端電極層、設置於所述N端電極層和P端電極層之間的功能結構層。其中，功能結構層包括N型半導體層和P型半導體層，靠近N型半導體層一端設置的電極為N端電極層，靠近P型半導體層一端設置的電極為P端電極層；各個功能結構層的一端(N端電極層或P端電極層)與對應的薄膜電晶體的漏極/源極電連接，各個功能結構層的另一端(對應的P端電極層或N端電極層)通過公共電極層連接在一起並連接至外部公共電位。其中，與對應的薄膜電晶體的漏極/源極電連接的N端電極層或P端電極層與功能結構層之間還設置有鈍化層，N端電極層通過設置於鈍化層中的過孔與功能結構層的N端連接。接下去將介紹本實施例的平板型X射線圖像傳感器的製造方法，具體請參考圖8a Sg，其為圖6所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時的製造方法沿B-B'的剖面示意圖。

步驟1、如圖8a所示，提供一基板60 ;在所述基板60之上依次形成有TFT柵極電極及掃描線(圖8a Sg為沿B-B'的剖面示意圖，因此，在本實施例的附圖中未示出)、柵絕緣層600、TFT半導體層(未示出)。具體的，提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層600、TFT半導體層的基板60的步驟包括1、提供基板60;2、形成一金屬層，刻蝕該金屬層形成TFT柵極電極及掃描線；其中，該金屬層直接形成在基板60的表面上，並覆蓋整個基板60 ;其形成方法可以採用物理氣相沉積法；其刻蝕工藝可以採用傳統的光刻工藝。需要說明的是，此處以及本申請文件的其他地方所講的形成某一層，均指的是在前一步驟完成後，直接在整個基板範圍內形成該層。例如這裡所說的「形成一金屬層」指的就是在前一步驟提供的基板60的表面上直接形成覆蓋整個基板範圍的金屬層。3、形成柵絕緣層600 ;根據前文的定義，這裡所說的「形成柵絕緣層600」指的就是在前一步驟形成有TFT柵極電極及掃描線的基板60表面上形成覆蓋整個基板範圍的柵絕緣層600。因此，所述柵絕緣層600覆蓋所述TFT柵極電極及掃描線，並覆蓋TFT柵極電極及掃描線未遮蓋部分的基板60。4、形成一半導體層，刻蝕所述半導體層形成TFT有源結構。根據前文的定義，這裡所說的「形成一半導體層」指的就是在前一步驟形成的柵絕緣層600的表面上形成覆蓋整個基板範圍的半導體層；然後用傳統的光刻工藝刻蝕(一般採用幹法刻蝕)該半導體層以形成TFT有源結構(即矽島)。接著步驟2，如圖Sb所示，形成一金屬層，刻蝕該金屬層形成光敏器件的第一端電極層611及612、隔離結構161以及數據線、TFT源極電極和TFT漏極電極(未畫出)。具體的，該金屬層在整個基板範圍內形成，覆蓋整個基板範圍內的柵絕緣層600及其表面上的TFT有源結構，所述金屬層可以為鋁金屬層，採用物理氣相沉積的方法形成，採用傳統光刻工藝刻蝕所述金屬層形成圖案化的第一端電極層層611及612、隔離結構161以及數據線、TFT源極電極和TFT漏極電極。優選的，所述隔離結構161與所述第一端電極層611及612的距離相等，從而可使得隔離結構161分別與兩個光敏器件形成的寄生電容相等。此夕卜，在本實施例中，利用所述形成第一端電極層611、612及隔離結構161的同一金屬層形成薄膜電晶體的源漏電極，並且所述薄膜電晶體的源漏電極與所述第一端電極層611、612相連，即通過光刻及刻蝕工藝使得所述薄膜電晶體的源漏電極與所述N端電極層611、612之間具有金屬連接。相鄰數據線之間的隔離結構連在一起形成一個隔離結構161，並延伸至與外部公共電位連接，通常與地線連接，實現了與固定電位連接，從而使得其電位值固定，從而可使得後續形成的光敏器件D12及光敏器件D21之間的寄生電容的電荷數固定與可知，避免了現有技術中由於光敏器件D12及光敏器件D21之間的寄生電容的電荷數變化與不可知，讀取的光敏器件D12或者光敏器件D21的光電流信號發生較大的偏差的問題，提高了讀取的光敏器件D12或者光敏器件 D21的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。然後步驟3，如圖Sc所示，形成第一絕緣層62 ( —般為鈍化層)，所述第一絕緣層62覆蓋步驟2之後整個基板範圍內暴露在外的表面，即覆蓋第一端電極層611、612、隔離結構161、數據線、TFT源極電極和TFT漏極電極、TFT源漏電極間的溝道等。刻蝕該第一絕緣層52形成通孔520、522以暴露出光敏器件的第一端電極層511、512。接著步驟4，如圖8d所示，形成光敏器件的功能結構層630。該功能結構層630覆蓋步驟3之後整個基板範圍內暴露出的表面，可以採用現有光敏器件的傳統層疊結構。以圖8d所示為例，功能結構層630的N端在下、P端在上，N端通過過孔620、622分別與第一端電極層(此時第一端電極層為N端電極層)611、612連接。該功能結構層630的N端設置有N型半導體層6301、P端設置有P型半導體層6302。光敏器件的功能結構層可以為PIN結構(自下而上依次為N-1-P)或MIS結構(自下而上依次為M-1-S)，對應的光敏器件為PIN型光電二極體或MIS型光電二極體。當然，作為另一種實施方式，功能結構層530也可以為P端在下、N端在上，P端通過過孔分別與第一端電極層(此時第一端電極層為P端電極層)連接。步驟5，如圖Se所示，形成一透明導電層，刻蝕該透明導電層形成第二端電極層(此時第二端電極層為P端電極層)641、642，刻蝕該功能結構層630形成各個獨立的光敏器件。在步驟4之後，整個基板範圍內顯露的表面為功能結構層630的P端表面，該透明導電層(一般為ITO)在整個基板範圍內覆蓋該P端表面，可以採用物理氣相沉積法形成；然後用光刻工藝刻蝕(可採用溼法刻蝕)該透明導電層以形成圖案化的P端電極層641、642 ；接下來採用光刻工藝刻蝕(可採用幹法刻蝕)該功能機構層630以形成圖案化的功能結構層631和632。至此，就形成了各個獨立的光敏器件；所述N端電極層611、通過過孔與其上形成的功能結構層631的N型半導體層6311接觸，功能結構層631的P型半導體層6312上形成有P端電極層641，構成了光敏器件D12 ;所述N端電極層612、通過過孔與其上形成的功能結構層632的N型半導體層6321接觸，功能結構層632的P型半導體層6322上形成有P端電極層642，構成了光敏器件D21。當然，作為另一種實施方式，當步驟4中，功能結構層530為P端在下、N端在上時，第二端電極層為N端電極層。步驟5中用光刻工藝刻蝕該透明導電層以形成圖案化的第二端電極層641、642和用光刻工藝刻蝕功能結構層630以形成圖案化的功能結構層631和632可以共用一個光刻工藝，即刻蝕功能結構層630可以以刻蝕該透明導電層中所形成的圖案化的光刻膠為掩膜。接著步驟6，如圖8f所示，形成第二絕緣層65 (可採用氮化矽)，所述第二絕緣層65覆蓋步驟5之後整個基板範圍內所有顯露出來的表面，包括第二端電極層641及第二端電極層642，並填充光敏器件之間的間隙(同時覆蓋露出的第一絕緣層62)。用光刻工藝刻蝕該第二絕緣層以暴露出光敏器件的第二端電極層541及第二端電極層542，即在所述第二端電極層641上形成接觸孔650，在所述第二端電極層642上形成接觸孔651。所述第二絕緣層65與前述步驟 中形成的第一絕緣層62共同隔絕光敏器件D12及光敏器件D21。最後步驟7，如圖Sg所示，形成一第二透明導電層，刻蝕該第二透明導電層以形成圖案化的公共電極層66。該第二透明導電層(一般為ΙΤ0)在整個基板範圍內覆蓋步驟6形成的第二絕緣層65和暴露出的第二端電極層；這樣第二端電極層641、6426通過該第二透明導電層連接在一起，進而可以連接至外部公共電位。在基板邊緣出設置有多個引出電極，為了防止這些引出電極之間通過該第二透明導電層短接或者為了減小寄生電容，還需要對該第二透明導電層進行光刻刻蝕形成公共電極層66 ;所述公共電極層66覆蓋所述第二絕緣層65、第二端電極層641及第二端電極層642，所述公共電極層66在外部與公共電位連接。實施例三請參考圖9，其為本發明實施例三的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖9所示，平板型X射線圖像傳感器7包括為了圖示與描述的清晰，圖9中只示意性的畫出了兩個掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ;以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數據線(數據線SI及數據線S2)，需要說明的是，由於平板型X射線圖像傳感器結構的重複性或對稱性，在本實施例公開的基礎上，實現包括更多個掃描線組及更多根數據線的平板型X射線圖像傳感器是清楚並且易於實現的。此外，在本實施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數據線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結構171作為重點描述對象，由於上述結構在整個平板型X射線圖像傳感器7中具有重複性或對稱性，須知此部分結構具有的性能將對於整個平板型X射線圖像傳感器7均適用。具體的，如圖9所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數據線SI兩側分別設置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數據線S2兩側分別設置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) Tll與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D12通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T12與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接；光敏器件D21通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T21與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T22與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T12的柵極與所述掃描線G2電連接，所述薄膜電晶體T12的源極/漏極與所述數據線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T21的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T21的源極/漏極與所述數據線S2電連接。即在本實施例中，所述掃描線組G12和數據線S1、S2相交而成的區域內設置的兩個相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜電晶體T12、T21分別與不同的掃描線耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數據線S1、S2相交而成的區域內的兩個相鄰的光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構171，所述隔離結構171與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數據線S1、S2交叉位置關係以及相應的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜電晶體Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的設置與掃描線組G12相同，在此不再重複。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結構171將所述光敏器件D12、D21進行隔離，具體的，當讀取光敏 器件D12的光電流信號時，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結構171的電位值作為參考電位。而在本發明實施例中，將所述隔離結構171與固定電位連接，由此，當讀取光敏器件D12的電位值時，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時，所讀取的寄生電容的電荷數是一定的並且可知的，由此，該電荷數對於光敏器件D12的影響是一定的並且可知的。當需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號的精確值時，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數是一定並且可知的，從而去除其對光敏器件D12的影響是易於實現的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器7的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號。通過所述薄膜電晶體Τ12、Τ21可實現對光敏器件D12、D21中的光電流信號的讀取。具體的，當掃描線Gl為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體Τ21 (當然，在圖9中還包括薄膜電晶體Τ11)，此時，便可通過讀取數據線S2，實現對光敏器件D21的光電流信號的讀取(當然，在圖9中還可通過讀取數據線SI，實現對光敏器件Dll的光電流信號的讀取)。即當掃描線Gl為開啟狀態時，打開薄膜電晶體Τ21 (此處的「打開」指薄膜電晶體Τ21接入電路，使得通過薄膜電晶體Τ21的光敏器件D21與數據線S2之間導通)，而數據線S2可通過薄膜電晶體Τ21讀取光敏器件D21的光電流信號。當掃描線G2為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體Τ12及Τ22，此時，便可通過讀取數據線SI實現對光敏器件D12的光電流信號的讀取，通過讀取數據線S2實現對光敏器件D22的光電流信號的讀取。通過圖9以及背景技術的介紹可知，光敏器件D11、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖9中每一行上具有四個像素，而在此，只通過兩根數據線SI及S2即實現了對同一行四個像素數據的讀取，由此可見，減少了掃描線的數量，降低了成本。而通過本發明所提供的上述結構，進一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。圖10為圖9所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時沿C-C'的剖面示意圖。如圖10所示，平板型X射線圖像傳感器包括一基板70 ;基板70上形成有柵絕緣層700 ;公共電極層71形成於柵絕緣層700上，同時，光敏器件D12形成於所述柵絕緣層700上，所述光敏器件D12包括N端電極層、P端電極層、設置於所述N端電極層和P端電極層之間的功能結構層，具體地說，其包括依次形成在柵絕緣層700上的P端電極層711、設置於P端電極層711上的功能結構層731、設置於功能結構層731上的N端電極層741，此時功能結構層731必然是P端在下、N端在上的。P端電極層711與功能結構層731之間還設置有第一絕緣層72( —般為鈍化層)，P端電極層711通過設置於第一絕緣層72中的過孔與功能結構層731的P端連接。其中，功能結構層731包括P型半導體7311層和N型半導體層7312，該功能結構層731的N極一端處設置的N端電極層741通過過孔(未畫出)與對應耦接的薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接。需要說明的是，圖10中功能結構層731包括N型半導體層7311和P型半導體層7312僅僅是一個示例，其具體結構可以有多種選擇，例如，所述光敏器件為PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件；或者所述光敏器件為MIS (metal-1nsulator-semiconductor)型光敏器件。同樣的，光敏器件D21與光敏器件D12具有相同的結構，即光敏器件D21形成於柵絕緣層700上，其包括依次形成在柵絕緣層700上的P端電極層712、設置於P端電極層712上的功能結構層732、設置於功能結構層732上的N端電極層742，此時功能結構層732必然是P端在下、N端在上的。P端電極層712與功能結構層732之間還設置有第一絕緣層72 ( 一般為鈍化層)，P端電極層712通過設置於第一絕緣層72中的過孔與功能結構層732的P端連接。其中，功能結構層732包括P型半導體7321層和N型半導體層7322，該功能結構層732的N極一端處設置的N端電極層742通過過孔(未畫出)與對應的薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接。從圖10中可以看出，光敏器件D12與光敏器件D21之間設置有絕緣層，該絕緣層由第一絕緣層72和第二絕緣層75構成。第二絕緣層75不僅填充光敏器件D12與光敏器件D21之間的間隙，還覆蓋光敏器件D12與光敏器件D21的上方。光敏器件D12的功能結構層731的P極一端處設置的P端電極層711與光敏器件D21的功能結構層732的P極一端處設置的P端電極層712通過公共電極層71連接在一起並電連接到外部公共電位上。具體的說，P端電極層711、712與公共電極層71位於同一層上，圖案化所述P端電極層711、712及公共電極層71時，同時形成所述P端電極層711、712與公共電極層71間的連接結構。作為優選實施方式，公共電極層71採用透明導電 材料，如氧化銦錫(ITO)。在實際工藝生產過程中，光敏器件D12與光敏器件D21的相應各層在同一工藝步驟中製備，因此處於同一層，具體的說就是，P端電極層711與P端電極層712位於同一層，P型半導體層7311與P型半導體層7321位於同一層，N型半導體層7312與N型半導體層7322位於同一層，N端電極層741與N端電極層742位於同一層。兩個光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構171，並使該隔離結構171與參考電位(一般為固定電位)連接。具體的，圖10中該隔離結構171位於N端電極層741、N端電極層742之間，並且通過設置於光敏器件D12與光敏器件D21之間、位於第一絕緣層72中的過孔與公共電極層71電連接。通常，該隔離結構171與N端電極層741、N端電極層742位於同一層；P端電極層與數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極、薄膜電晶體TFT的漏極電極位於同一層，在同一工藝步驟中製備，所有P端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位。該隔離結構131可以採用導電材料，例如金屬或者透明導電金屬氧化物(ΙΤ0或者SnO2))，優選採用金屬材料，如鋁。這一實施方式中，所有隔離結構在物理上是不相連的，只是分別通過設置於所述絕緣層的過孔與所述公共電極層實現彼此電連接。如圖9中所示，隔離結構171與隔離結構172在物理上不直接連接。優選的，隔離結構171設置於為N端電極層741與N端電極層742正中，即隔離結構171分別與N端電極層741、N端電極層742之間的距離相等，從而可使得隔離結構171分別與兩個光敏器件D12、D21之間形成的寄生電容相等。優選的，隔離結構171與掃描線Gl和G2保持6um以上的距尚。在兩個光敏器件D12、D21之間設置隔離結構171，使得相鄰電極之間的寄生電容被分割為兩個大小相等的電容，且兩個電容有相同的參考電位。當光敏器件D12與D21數據被讀出時，對應的寄生電容對各自的影響效應是等量的，對於數據信號的線性區間這一影響是可以被忽略的。需要說明的是，圖10僅僅為圖9所示的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構171沿C-C'的剖面示意圖。鑑於平板型X射線圖像傳感器的重複結構，其他掃描線組與相鄰數據線所圍區域的相鄰光敏器件 及其之間設置的隔離結構也採用圖10所示的光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構171相同的結構，在此不再重複闡述。另外，圖10也僅僅示出了圖9的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構171沿C-C'的一種剖面結構。該結構中，各個光敏器件從下而上依次包括P端電極層711、設置於P端電極層711上的功能結構層731、設置於功能結構層731上的N端電極層741，此時功能結構層731是P端在下、N端在上的；隔離結構與N端電極層位於同一層，P端電極層與數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。但是作為另一種實施方式，圖9的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構171沿C-C'的具有另一種剖面結構，該結構與圖10所示的剖面結構很相似，其區別僅在於，各個光敏器件從下而上依次包括N端電極層、設置於N端電極層上的功能結構層、設置於功能結構層上的P端電極層，此時功能結構層是N端在下、P端在上的；此時，隔離結構與P端電極層位於同一層，N端電極層與數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接；其餘結構均可以和圖10所示相應結構相同。由此可知，平板型X射線圖像傳感器中所有的光敏器件均設置在基板上構成如圖9所示的陣列，並且每一個光敏器件(優選為光電二級管)均包括N端電極層、P端電極層、設置於所述N端電極層和P端電極層之間的功能結構層。其中，功能結構層包括N型半導體層和P型半導體層，靠近N型半導體層一端設置的電極為N端電極層，靠近P型半導體層一端設置的電極為P端電極層；各個功能結構層的一端(N端電極層或P端電極層)與對應的薄膜電晶體的漏極/源極電連接，各個功能結構層的另一端(對應的P端電極層或N端電極層)通過公共電極層連接在一起並連接至外部公共電位。實施例四請參考圖11，其為本發明實施例四的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖11所示，平板型X射線圖像傳感器8包括為了圖示與描述的清晰，圖11中只示意性的畫出了兩個掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數據線(數據線SI及數據線S2)，需要說明的是，由於平板型X射線圖像傳感器結構的重複性，在本實施例公開的基礎上， 實現包括更多個掃描線組及更多根數據線的平板型X射線圖像傳感器是清楚並且易於實現的。此外，在本實施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數據線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結構181作為重點描述對象，由於上述結構在整個平板型X射線圖像傳感器8中具有重複性或對稱性，須知此部分結構具有的性能將對於整個平板型X射線圖像傳感器8均適用。具體的，如圖11所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數據線SI兩側分別設置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數據線S2兩側分別設置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) Tll與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D12通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T12與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接；光敏器件D21通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T21與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) T22與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T12的柵極與所述掃描線G2電連接，所述薄膜電晶體T12的源極/漏極與所述數據線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T21的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T21的源極/漏極與所述數據線S2電連接。即在本實施例中，所述掃描線組G12和數據線S1、S2相交而成的區域內設置的兩個相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜電晶體T12、T21分別與不同的掃描線耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2與相鄰的兩根數據線S1、S2相交而成的區域內的兩個相鄰的光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構181，所述隔離結構181與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數據線S1、S2交叉位置關係以及相應的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜電晶體T13、T14、T23、T24的設置與掃描線組G12相同，在此不再重複。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結構181將所述光敏器件D12、D21進行隔離，具體的，當讀取光敏器件D12的光電流信號時，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結構181的電位值作為參考電位。而在本發明實施例中，將所述隔離結構181與固定電位連接，由此，當讀取光敏器件D12的電位值時，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時，所讀取的寄生電容的電荷數是一定的並且可知的，由此，該電荷數對於光敏器件D12的影響是一定的並且可知的。當需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號的精確值時，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數是一定並且可知的，從而去除其對光敏器件D12的影響是易於實現的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器8的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號。通過所述薄膜電晶體T12、T21可實現對光敏器件D12、D21中的光電流信號的讀取。具體的，當掃描線Gl為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體T21 (當然，在圖11中還包括薄膜電晶體Tll)，此時，便可通過讀取數據線S2，實現對光敏器件D21的光電流信號的讀取(當然，在圖11中還可通過讀取數據線SI，實現對光敏器件Dll的光電流信號的讀取)。即當掃描線Gl為開啟狀態時，打開薄膜電晶體T21 (此處的「打開」指薄膜電晶體T21接入電路，使得通過薄膜電晶體T21的光敏器件D21與數據線S2之間導通)，而數據線S2可通過薄膜電晶體T21讀取光敏器件D21的光電流信號。當掃描線G2為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體T12及T22，此時，便可通過讀取數據線SI實現對光敏器件D12的光電流信號的讀取，通過讀取數據線S2實現對光敏器件D22的光電流信號的讀取。通過圖11以及背景技術的介紹可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖11中每一行上具有四個像素，而在此，只通過兩根數據線SI及S2即實現了對同一行四個像素數據的讀取，由此可見，減少了掃描線的數量，降低了成本。而通過本發明所提供的上述結構，進一步避免了 寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。圖12為圖11所示的平板型X射線圖像傳感器採用一種光敏器件的結構時沿D-D'的首I]面不意圖。如圖12所示，平板型X射線圖像傳感器包括一基板80 ;基板80上形成有柵絕緣層800 ;公共電極層81形成於柵絕緣層800上，同時，光敏器件D12形成於所述柵絕緣層800上，所述光敏器件D12包括N端電極層、P端電極層、設置於所述N端電極層和P端電極層之間的功能結構層，具體地說，其包括依次形成在柵絕緣層800上的P端電極層811、設置於P端電極層811上的功能結構層831、設置於功能結構層831上的N端電極層841，此時功能結構層831必然是P端在下、N端在上的。P端電極層811與功能結構層831之間還設置有第一絕緣層72( —般為鈍化層)，P端電極層811通過設置於第一絕緣層72中的過孔與功能結構層831的P端連接。其中，功能結構層831包括P型半導體8311層和N型半導體層8312，該功能結構層831的N極一端處設置的N端電極層841通過過孔(未畫出)與對應的薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接。需要說明的是，圖12中功能結構層831包括N型半導體層8311和P型半導體層8312僅僅是一個示例，其具體結構可以有多種選擇，例如，所述光敏器件為PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件；或者所述光敏器件為MIS (metal-1nsulator-semi conductor)型光敏器件。同樣的，光敏器件D21與光敏器件D12具有相同的結構，即光敏器件D21形成於柵絕緣層800上，其包括依次形成在柵絕緣層800上的P端電極層812、設置於P端電極層812上的功能結構層832、設置於功能結構層832上的N端電極層842，此時功能結構層832必然是P端在下、N端在上的。P端電極層812與功能結構層832之間還設置有第一絕緣層72 ( 一般為鈍化層)，P端電極層812通過設置於第一絕緣層72中的過孔與功能結構層832的P端連接。其中，功能結構層832包括P型半導體8321層和N型半導體層8322，該功能結構層832的N極一端處設置的N端電極層842通過過孔(未畫出)與對應的薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接。從圖12中可以看出，光敏器件D12與光敏器件D21之間設置有絕緣層，該絕緣層由第一絕緣層82和第二絕緣層85構成。第二絕緣層85不僅填充光敏器件D12與光敏器件D21之間的間隙，還覆蓋光敏器件D12與光敏器件D21之間的上方。光敏器件D12的功能結構層831的P極一端處設置的P端電極層811與光敏器件D21的功能結構層832的P極一端處設置的P端電極層812通過公共電極層81連接在一起並電連接到外部公共電位上。具體的說，P端電極層811、812與公共電極層81位於同一層上，圖案化所述P端電極層811、812及公共電極層81時，同時形成所述P端電極層811、812與公共電極層81間的連接結構。作為優選實施方式，公共電極層81採用透明導電材料，如氧化銦錫(ITO)。在實際工藝生產過程中，光敏器件D12與光敏器件D21的相應各層在同一工藝步驟中製備，因此處於同一層，具體的說就是，P端電極層811與P端電極層812位於同一層，P型半導體層8311與P型半導體層8321位於同一層，N型半導體層8312與N型半導體層8322位於同一層，N端電極層841與N端電極層842位於同一層。兩個光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構181，並使該隔離結構181與參考電位(一般為固定電位)連接。具體的，圖12中該隔離結構181位於N端電極層841、N端電極層842之間，所述隔離結 構181延伸至與外部公共電位連接，通常各隔離結構連接在一起並與地線連接。通常，該隔離結構181與N端電極層841、N端電極層842位於同一層；P端電極層與數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極、薄膜電晶體TFT的漏極電極位於同一層，在同一工藝步驟中製備，所有P端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位。該隔離結構131可以採用導電材料，例如金屬或者透明導電金屬氧化物(ΙΤ0或者SnO2)),優選採用金屬材料，如鋁。這一實施方式中，相鄰數據線之間的隔離結構在物理上是相連的，在圖11中即顯示出數據線SI及S2之間、所有掃描線組G12及G34之間的隔離結構連在一起形成一個隔離結構181，當然，本實施例只示出了平板型X射線圖像傳感器的部分結構，若在數據線S2的另一側還具有數據線S3，則在數據線S2及S3之間也將具有隔離結構，該隔離結構與隔離結構181都延伸至與外部公共電位連接。優選的，隔離結構181設置於為N端電極層841與N端電極層842正中，即隔離結構181分別與N端電極層841、N端電極層842之間的距離相等，從而可使得隔離結構181分別與兩個光敏器件D12、D21之間形成的寄生電容相等。在兩個光敏器件D12、D21之間設置隔離結構181，使得相鄰電極之間的寄生電容被分割為兩個大小相等的電容，且兩個電容有相同的參考電位。當光敏器件D12與D21數據被讀出時，對應的寄生電容對各自的影響效應是等量的，對於數據信號的線性區間這一影響是可以被忽略的。需要說明的是，圖12僅僅為圖11所示的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構181沿D-D'的剖面示意圖。鑑於平板型X射線圖像傳感器的重複結構，其他掃描線組與相鄰數據線所圍區域的相鄰光敏器件及其之間設置的隔離結構也採用圖12所示的光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構181相同的結構，在此不再重複闡述。另外，圖12也僅僅示出了圖11的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構181沿D-D'的一種剖面結構。該結構中，各個光敏器件從下而上依次包括P端電極層811、設置於P端電極層811上的功能結構層831、設置於功能結構層831上的N端電極層841，此時功能結構層831是P端在下、N端在上的；隔離結構與N端電極層位於同一層，P端電極層與數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。但是作為另一種實施方式，圖11的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數據線S1、S2所圍區域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設置的隔離結構181沿D-D'的具有另一種剖面結構，該結構與圖12所示的剖面結構很相似，其區別僅在於，各個光敏器件從下而上依次包括N端電極層、設置於N端電極層上的功能結構層、設置於功能結構層上的P端電極層，此時功能結構層是N端在下、P端在上的；此時，隔離結構與P端電極層位於同一層，N端電極層與數據線、薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接；其餘結構均可以和圖12所示相應結構相同。 由此可知，平板型X射線圖像傳感器中所有的光敏器件均設置在基板上構成如圖11所示的陣列，並且每一個光敏器件(優選為光電二級管)均包括N端電極層、P端電極層、設置於所述N端電極層和P端電極層之間的功能結構層。其中，功能結構層包括N型半導體層和P型半導體層，靠近N型半導體層一端設置的電極為N端電極層，靠近P型半導體層一端設置的電極為P端電極層；各個功能結構層的一端(N端電極層或P端電極層)與對應的薄膜電晶體的漏極/源極電連接，各個功能結構層的另一端(對應的P端電極層或N端電極層)通過公共電極層連接在一起並連接至外部公共電位。實施例五請參考圖13，其為本發明實施例五的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖13所示，平板型X射線圖像傳感器9包括為了圖示與描述的清晰，圖13中只示意性的畫出了兩個掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數據線(數據線SI及數據線S2)，需要說明的是，由於平板型X射線圖像傳感器結構的重複性，在本實施例公開的基礎上，實現包括更多個掃描線組及更多根數據線的平板型X射線圖像傳感器是清楚並且易於實現的。此外，在本實施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數據線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結構191作為重點描述對象，由於上述結構在整個平板型X射線圖像傳感器9中具有重複性，須知此部分結構具有的性能將對於整個平板型X射線圖像傳感器9均適用。此外，在本實施例的平板型X射線圖像傳感器9的俯視圖中，公共電極層(或稱為Com電極)覆蓋所述光敏器件D12、D21及隔離結構191，並且一般採用IT0，為了圖示出光敏器件D12、D21及隔離結構191與掃描線組G12，數據線S1、S2以及開關單元T12、T21之間的關係，在圖13中，所述Com電極未示出。具體的，如圖13所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數據線SI兩側分別設置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數據線S2兩側分別設置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) Tll與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線G2耦接，光敏器件D12通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T12與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線Gl耦接；光敏器件D21通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T21與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T22與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T12的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T12的源極/漏極與所述數據線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T21的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T21的源極/漏極與所述數據線S2電連接。即在本實施例中，所述掃描線組G12和數據線S1、S2相交而成的區域內設置的兩個相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜電晶體T12、T21與相同的掃描線Gl耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數據線S1、S2相交而成的區域內的兩個相鄰的光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構191，所述隔離結構191與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數據線S1、S2交叉位置關係以及相應的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜電晶體Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的設置與掃描線組G12相同，在此不再重複。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結構191將所述光敏器件D12、D21進行隔離，具體的，當讀取光敏器件D12的光電流信號時，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位 值作為參考電位，而是將隔離結構191的電位值作為參考電位。而在本發明實施例中，將所述隔離結構191與固定電位連接，由此，當讀取光敏器件D12的電位值時，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時，所讀取的寄生電容的電荷數是一定的並且可知的，由此，該電荷數對於光敏器件D12的影響是一定的並且可知的。當需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號的精確值時，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數是一定並且可知的，從而去除其對光敏器件D12的影響是易於實現的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器9的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號。通過所述薄膜電晶體Τ12、Τ21可實現對光敏器件D12、D21中的光電流信號的讀取。具體的，當掃描線Gl為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體Τ12、Τ21，此時，便可通過讀取數據線S1、S2，實現對光敏器件D12、D21的光電流信號的讀取。即當掃描線Gl為開啟狀態時，打開薄膜電晶體T12、T21 (此處的「打開」指薄膜電晶體Τ12、Τ21接入電路，使得通過薄膜電晶體T12、T21的光敏器件D12、D21分別與數據線S1、S2之間導通)，而數據線SI可通過薄膜電晶體T12讀取光敏器件D12的光電流信號，數據線S2可通過薄膜電晶體T21讀取光敏器件D21的光電流信號。此外，當打開掃描線G2時，數據線SI可通過薄膜電晶體Tll讀取光敏器件Dll的光電流信號，數據線S2可通過薄膜電晶體T22讀取光敏器件D22的光電流信號。通過圖13以及背景技術的介紹可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖13中每一行上具有四個像素，而在此，只通過兩根數據線SI及S2即實現了對同一行四個像素數據的讀取，由此可見，減少了掃描線的數量，降低了成本。而通過本發明所提供的上述結構，進一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。在本實施例中，圖13中E-E^的剖面圖與圖4中A-A^的剖面圖相同，具體可參考圖4中A-A'的剖面圖以進一步了解本實施例提供的平板型X射線圖像傳感器9。實施例六請參考圖14，其為本發明實施例六的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖14所示，平板型X射線圖像傳感器10包括為了圖示與描述的清晰，圖14中只示意性的畫出了兩個掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數據線(數據線SI及數據線S2)，需要說明的是，由於平板型X射線圖像傳感器結構的重複性，在本實施例公開的基礎上，實現包括更多個掃描線組及更多根數據線的平板型X射線圖像傳感器是清楚並且易於實現的。

此外，在本實施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數據線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結構IlOl作為重點描述對象，由於上述結構在整個平板型X射線圖像傳感器10中具有重複性，須知此部分結構具有的性能將對於整個平板型X射線圖像傳感器10均適用。此外，在本實施例的平板型X射線圖像傳感器10的俯視圖中，公共電極層(或稱為Com電極)覆蓋所述光敏器件D12、D21及隔離結構1101，並且一般採用ΙΤ0，為了圖示出光敏器件D12、D21及隔離結構IlOl與掃描線組G12，數據線S1、S2以及開關單元T12、T21之間的關係，在圖14中，所述Com電極未示出。具體的，如圖14所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數據線SI兩側分別設置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數據線S2兩側分別設置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) Tll與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線G2耦接，光敏器件D12通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T12與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線Gl耦接；光敏器件D21通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T21與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) T22與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T12的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T12的源極/漏極與所述數據線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T21的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T21的源極/漏極與所述數據線S2電連接。即在本實施例中，所述掃描線組G12和數據線S1、S2相交而成的區域內設置的兩個相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜電晶體T12、T21與相同的掃描線Gl耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數據線S1、S2相交而成的區域內的兩個相鄰的光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構1101，所述隔離結構IlOl與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數據線S1、S2交叉位置關係以及相應的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜電晶體T13、T14、T23、T24的設置與掃描線組G12相同，在此不再重複。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結構IlOl將所述光敏器件D12、D21進行隔離，具體的，當讀取光敏器件D12的光電流信號時，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結構IlOl的電位值作為參考電位。而在本發明實施例中，將所述隔離結構IlOl與固定電位連接，由此，當讀取光敏器件D12的電位值時，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時，所讀取的寄生電容的電荷數是一定的並且可知的，由此，該電荷數對於光敏器件D12的影響是一定的並且可知的。當需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號的精確值時，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數是一定並且可知的，從而去除其對光敏器件D12的影響是易於實現的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器10的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號。通過所述薄膜電晶體Τ12、Τ21可實現對光敏器件D12、D21中的光電流信號的讀取。具體的，當掃描線Gl為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體Τ12、Τ21，此時，便可通過讀取數據線S1、S2，實現對光敏器件D12、D21的光電流信號的讀取。即當掃描線Gl為開啟狀態時，打開薄膜電晶體T12、T21 (此處的「打開」指薄膜電晶體Τ12、Τ21接入電路，使得通過薄膜電晶體Τ12、Τ21的光敏器件D12、D21分別與數據線S1、S2之間導通)，而數據線SI可通過薄膜電晶體T12讀取光 敏器件D12的光電流信號，數據線S2可通過薄膜電晶體T21讀取光敏器件D21的光電流信號。此外，當打開掃描線G2時，數據線SI可通過薄膜電晶體Tll讀取光敏器件Dll的光電流信號 ，數據線S2可通過薄膜電晶體T22讀取光敏器件D22的光電流信號。通過圖14以及背景技術的介紹可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖14中每一行上具有四個像素，而在此，只通過兩根數據線SI及S2即實現了對同一行四個像素數據的讀取，由此可見，減少了掃描線的數量，降低了成本。而通過本發明所提供的上述結構，進一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。在本實施例中，圖14中F-Γ的剖面圖與圖6中B-B^的剖面圖相同，具體可參考圖6中B-B'的剖面圖以進一步了解本實施例提供的平板型X射線圖像傳感器10。實施例七請參考圖15，其為本發明實施例七的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖15所示，平板型X射線圖像傳感器11包括為了圖示與描述的清晰，圖15中只示意性的畫出了兩個掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數據線(數據線SI及數據線S2)，需要說明的是，由於平板型X射線圖像傳感器結構的重複性，在本實施例公開的基礎上，實現包括更多個掃描線組及更多根數據線的平板型X射線圖像傳感器是清楚並且易於實現的。此外，在本實施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數據線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結構Illl作為重點描述對象，由於上述結構在整個平板型X射線圖像傳感器11中具有重複性，須知此部分結構具有的性能將對於整個平板型X射線圖像傳感器11均適用。具體的，如圖15所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數據線SI兩側分別設置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數據線S2兩側分別設置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) Tll與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線G2耦接，光敏器件D12通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T12與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線Gl耦接；光敏器件D21通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T21與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) T22與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T12的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T12的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T12的源極/漏極與所述數據線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T21的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T21的源極/漏極與所述數據線S2電連接。即在本實施例中，所述掃描線組G12和數據線S1、S2相交而成的區域內設置的兩個相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜電晶體T12、T21與相同的掃描線Gl耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數據線S1、 S2相交而成的區域內的兩個相鄰的光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構1111，所述隔離結構Illl與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數據線S1、S2交叉位置關係以及相應的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜電晶體T13、T14、T23、T24的設置與掃描線組G12相同，在此不再重複。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結構Illl將所述光敏器件D12、D21進行隔離，具體的，當讀取光敏器件D12的光電流信號時，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結構Illl的電位值作為參考電位。而在本發明實施例中，將所述隔離結構Illl與固定電位連接，由此，當讀取光敏器件D12的電位值時，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時，所讀取的寄生電容的電荷數是一定的並且可知的，由此，該電荷數對於光敏器件D12的影響是一定的並且可知的。當需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號的精確值時，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數是一定並且可知的，從而去除其對光敏器件D12的影響是易於實現的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器11的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號。通過所述薄膜電晶體Τ12、Τ21可實現對光敏器件D12、D21中的光電流信號的讀取。具體的，當掃描線Gl為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體Τ12、Τ21，此時，便可通過讀取數據線S1、S2，實現對光敏器件D12、D21的光電流信號的讀取。即當掃描線Gl為開啟狀態時，打開薄膜電晶體T12、T21 (此處的「打開」指薄膜電晶體Τ12、Τ21接入電路，使得通過薄膜電晶體Τ12、Τ21的光敏器件D12、D21分別與數據線S1、S2之間導通)，而數據線SI可通過薄膜電晶體T12讀取光敏器件D12的光電流信號，數據線S2可通過薄膜電晶體T21讀取光敏器件D21的光電流信號。此外，當打開掃描線G2時，數據線SI可通過薄膜電晶體Tll讀取光敏器件Dll的光電流信號，數據線S2可通過薄膜電晶體T22讀取光敏器件D22的光電流信號。通過圖15以及背景技術的介紹可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖15中每一行上具有四個像素，而在此，只通過兩根數據線SI及S2即實現了對同一行四個像素數據的讀取，由此可見，減少了掃描線的數量，降低了成本。而通過本發明所提供的上述結構，進一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。在本實施例中，圖15中GW的剖面圖與圖9中C-CT的剖面圖相同，具體可參考圖9中C-C'的剖面圖以進一步了解本實施例提供的平板型X射線圖像傳感器11。實施例八請參考圖16，其為本發明實施例八的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖16所示，平板型X射線圖像傳感器12包括為了圖示與描述的清晰，圖16中只示意性的畫出了兩個掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數據線(數據線SI及數據線S2)，需要說明的是，由於平板型X射線圖像傳感器結構的重複性，在本實施例公開的基礎上，實現包括更多個掃描線組及更多根數據線的平板型X射線圖像傳感器是清楚並且易於實現的。此外，在本實施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數據線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結構1121作為重點描述對象，由於上述結構在整個平板型X射線圖像傳感器12中具有重複性，須知此部分結構具有的性能將對於整個平板型X射線圖像傳感器12均適用。具體的，如圖16所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數據線SI兩側分別設置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數據線S2兩側分別設置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT) Tll與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線G2耦接，光敏器件D12通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T12與所述數據線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線Gl耦接；光敏器件D21通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T21與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關單元(優選為薄膜電晶體TFT)T22與所述數據線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T12的漏極/源 極電連接，所述薄膜電晶體T12的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T12的源極/漏極與所述數據線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜電晶體T21的漏極/源極電連接，所述薄膜電晶體T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜電晶體T21的源極/漏極與所述數據線S2電連接。即在本實施例中，所述掃描線組G12和數據線S1、S2相交而成的區域內設置的兩個相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜電晶體T12、T21與相同的掃描線Gl耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數據線S1、S2相交而成的區域內的兩個相鄰的光敏器件D12、D21之間設置有隔離結構1121，所述隔離結構1121與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數據線S1、S2交叉位置關係以及相應的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜電晶體T13、T14、T23、T24的設置與掃描線組G12相同，在此不再重複。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結構1121將所述光敏器件D12、D21進行隔離，具體的，當讀取光敏器件D12的光電流信號時，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結構1121的電位值作為參考電位。而在本發明實施例中，將所述隔離結構1121與固定電位連接，由此，當讀取光敏器件D12的電位值時，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時，所讀取的寄生電容的電荷數是一定的並且可知的，由此，該電荷數對於光敏器件D12的影響是一定的並且可知的。當需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號的精確值時，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數是一定並且可知的，從而去除其對光敏器件D12的影響是易於實現的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器12的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號。通過所述薄膜電晶體Τ12、Τ21可實現對光敏器件D12、D21中的光電流信號的讀取。具體的，當掃描線Gl為開啟狀態時，即打開薄膜電晶體Τ12、Τ21，此時，便可通過讀取數據線S1、S2，實現對光敏器件D12、D21的光電流信號的讀取。即當掃描線Gl為開啟狀態時，打開薄膜電晶體T12、T21 (此處的「打開」指薄膜電晶體Τ12、Τ21接入電路，使得通過薄膜電晶體Τ12、Τ21的光敏器件D12、D21分別與數據線S1、S2之間導通)，而數據線SI可通過薄膜電晶體T12讀取光敏器件D12的光電流信號，數據線S2可通過薄膜電晶體T21讀取光敏器件D21的光電流信號。此外，當打開掃描線G2時，數據線SI可通過薄膜電晶體Tll讀取光敏器件Dll的光電流信號，數據線S2可通過薄膜電晶體T22讀取光敏器件D22的光電流信號。通過圖16以及背景技術的介紹可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖16中每一行上具有四個像素，而在此，只通過兩根數據線SI及S2即實現了對同一行四個像素數據的讀取，由此可見，減少了掃描線的數量，降低了成本。而通過本發明所提供的上述結構，進一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應器的可靠性。在本實施例中，圖16中H-W的剖面圖與圖12中D-N的剖面圖相同，具體可參考圖12中D-D'的剖面圖以進一步了解本實施例提供的平板型X射線圖像傳感器12。上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，並非對本發明範圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬於權利要求書的保護範圍。
權利要求
1.一種平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，包括 至少I個掃描線組，每一所述掃描線組包括兩根掃描線； 與所述掃描線組相交的至少2根數據線，在任一所述掃描線組的兩根掃描線之間、任一所述數據線兩側分別設置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通過開關單元與所述數據線和所述兩根掃描線中的一根掃描線耦接，所述第二光敏器件通過開關單元與所述數據線和所述兩根掃描線中的另一根掃描線耦接； 其中，任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數據線相交而成的區域內具有相鄰的兩個光敏器件，所述相鄰的兩個光敏器件之間設置有隔離結構，所述隔離結構連接至參考電位。
2.如權利要求1所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述開關單元為薄膜電晶體TFT，所述薄膜電晶體TFT的柵極和與其耦接的掃描線電連接，所述薄膜電晶體TFT的源極/漏極和與其耦接的數據線電連接，所述薄膜電晶體TFT的漏極/源極和與其耦接的光敏器件的一端電極連接。
3.如權利要求2所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所有所述光敏器件的另外一端電極均連接至公共電位。
4.如權利要求3所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述光敏器件為PIN型光電二極體或MIS型光電二極體。
5.如權利要求3所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述光敏器件包括N端電極層、P端電極層、設置於所述N端電極層和P端電極層之間的功能結構層。
6.如權利要求5所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述隔離結構與所述N端電極層、所述數據線、所述薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層。
7.如權利要求6所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所有所述光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。
8.如權利要求5所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述隔離結構與所述P端電極層、所述數據線、所述薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層。
9.如權利要求8所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所有所述光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。
10.如權利要求7或9所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述相鄰的兩個光敏器件之間、所述隔離結構上設置有絕緣層，各所述隔離結構分別通過設置於所述絕緣層的過孔與所述共同電極層電連接。
11.如權利要求7或9所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，相鄰數據線之間的隔離結構連接在一起並與地線連接。
12.如權利要求5所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述隔離結構與所述N端電極層位於同一層；所有所述光敏器件的P端電極層與所述數據線、所述薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有所述光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位；各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。
13.如權利要求5所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述隔離結構與所述P端電極層位於同一層；所有所述光敏器件的N端電極層與所述數據線、所述薄膜電晶體TFT的源極電極和漏極電極位於同一層，所有所述光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起並連接至公共電位；各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜電晶體TFT的漏極/源極連接。
14.如權利要求12或13所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述相鄰的兩個光敏器件之間、所述隔離結構下設置有絕緣層，各所述隔離結構分別通過設置於所述絕緣層的過孔與所述共同電極層電連接。
15.如權利要求12或13所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，各所述隔離結構連接在一起並與地線連接。
16.如權利要求1所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述隔離結構分別與所述兩個光敏器件之間的寄生電容大小相等。
17.如權利要求16所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述隔離結構至所述兩個光敏器件的距離相等。
18.如權利要求1-9、12-13、16-17中的任一項所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述隔離結構為導電材料。
19.如權利要求18中的任一項所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述隔離結為金屬或者透明導電金屬氧化物比如ITO或者Sn02。
20.如權利要求19中的任一項所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，所述透明導電金屬氧化物為ITO或者SnO2。
21.如權利要求1-9、12-13、16-17中的任一項所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，在任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數據線相交而成的區域內相鄰的兩個光敏器件分別通過開關單元與所述掃描線組中兩根掃描線中不同的掃描線耦接。
22.如權利要求1-9、12-13、16-17中的任一項所述的平板型X射線圖像傳感器，其特徵在於，在任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數據線相交而成的區域內相鄰的兩個光敏器件分別通過開關單元與所述掃描線組中兩根掃描線中相同的掃描線耦接。
23.一種平板型X射線圖像傳感器的製造方法，其特徵在於，包括 步驟1、提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層、TFT半導體層的基板； 步驟2、形成一金屬層，刻蝕所述金屬層形成光敏器件的第一端電極層、隔離結構、數據線、TFT源極電極、TFT漏極電極； 步驟3、形成一鈍化層，刻蝕所述鈍化層暴露出光敏器件的第一端電極層； 步驟4、形成光敏器件的功能結構層； 步驟5、形成一透明導電層，刻蝕所述透明導電層形成第二端電極層，刻蝕所述功能結構層形成各個獨立的光敏器件； 步驟6、形成一絕緣層，所述絕緣層覆蓋光敏器件的第二電極層並填充光敏器件之間的間隙，刻蝕所述絕緣層暴露出光敏器件的第二端電極層； 步驟7、形成一第二透明導電層，刻蝕所述第二透明導電層形成公共電極層，所述公共電極層與所述露出的部分光敏器件的第二端電極層接觸。
24.如權利要求23所述的平板型X射線圖像傳感器的製造方法，其特徵在於，提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層、TFT半導體層的基板的步驟包括 提供一基板； 在所述基板上形成一金屬層，刻蝕所述金屬層形成TFT柵極電極及掃描線； 形成一柵絕緣層； 形成一半導體層，刻蝕所述半導體層形成TFT有源結構。
25.如權利要求23所述的平板型X射線圖像傳感器的製造方法，其特徵在於，所述光敏器件為PIN型光電二極體或MIS型光電二極體。
26.如權利要求25所述的平板型X射線圖像傳感器的製造方法，其特徵在於，步驟4中所述光敏器件功能結構層為N-1-P或M-1-S。
27.如權利要求23所述的平板型X射線圖像傳感器的製造方法，其特徵在於，步驟6中還刻蝕所述絕緣層和所述鈍化層暴露出所述隔離結構；步驟7中所述公共電極層還與所述露出的隔離結構接觸。
28.如權利要求23所述的平板型X射線圖像傳感器的製造方法，其特徵在於，步驟2中所述隔離結構延伸至外部接地端。
全文摘要
本發明提供一種平板型X射線圖像傳感器及其製造方法。在每兩列像素共享一條數據線的圖像傳感器陣列中，在中間沒有數據線的相鄰兩列像素中間，配置具有一定電位的導電電極，從而將相鄰兩列像素隔離開，避免了像素之間的串擾和其他幹擾。該電極同時具有對光電變換元器件施加合適電壓以及將各個像素的光電變換元器件的電極連接到外部公共電源的作用。
文檔編號H04N5/32GK103050499SQ20111030877
公開日2013年4月17日 申請日期2011年10月12日 優先權日2011年10月12日
發明者黃忠守, 陳豔光, 邱承彬, 金利波, 夏軍, 凌嚴 申請人:上海天馬微電子有限公司